JP3278969B2 - 位置検出装置並びに重ね合わせ精度検出装置 - Google Patents

位置検出装置並びに重ね合わせ精度検出装置

Info

Publication number
JP3278969B2
JP3278969B2 JP08560493A JP8560493A JP3278969B2 JP 3278969 B2 JP3278969 B2 JP 3278969B2 JP 08560493 A JP08560493 A JP 08560493A JP 8560493 A JP8560493 A JP 8560493A JP 3278969 B2 JP3278969 B2 JP 3278969B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
stage
detecting
substrate
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP08560493A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06275487A (ja
Inventor
圭 奈良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP08560493A priority Critical patent/JP3278969B2/ja
Publication of JPH06275487A publication Critical patent/JPH06275487A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3278969B2 publication Critical patent/JP3278969B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は位置検出装置に関し、例
えば露光基板の異なるレイヤにそれぞれ形成されたアラ
イメントマークの相対位置を検出するものに適用し得
る。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば液晶基板等を露光装置で製
造する際には、重ね焼き毎に基板上に所定量だけずらし
たアライメントマークを形成し、この複数のレイヤに亘
る複数のアライメントマークの相対位置を検出すること
により重ね焼き精度を計測し、必要に応じて次回のロツ
トについて補正を行うようになされている。
【0003】このように基板上の異なるレイヤに形成さ
れた複数のアライメントマークの相対位置を検出する位
置検出装置は、図4に示すように構成されている。この
位置検出装置1においては、基板2上のアライメントマ
ークa、bに対してデイテクタ3側から検出用の光束を
照射すると共に、ステージ上に搭載された基板2を矢印
A方向に移動させ、これにより光束でマークa、bを走
査する。
【0004】この結果マークa、bで反射された回折光
はデイテクタ3に取り込まれ、利得制御回路4の制御に
よつてゲインを可変し得るようになされたプリアンプ5
を通じて適当なゲインの信号S1に調整された後、アナ
ログデジタル変換回路(A/D)6によつてデジタル信
号S2に変換されて波形解折回路7に入力される。波形
解析回路7ではデジタル信号S2のピークを検出すると
共に、ステージの位置検出回路8から得られる座標デー
タS3によつてピークの座標が算出される。
【0005】このとき波形解析回路7においては、信号
波形のピークが適当な大きさになるように1度目の走査
でゲインS4を算出すると共に記憶し、プリアンプ5を
最適なゲインS4に調整した後2度目の走査で信号S2
を取り込み、この結果としてピーク位置S5を送出する
ようになされている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
位置検出装置1において、上述のように基板2上に異な
るプロセスで作られた複数のアライメントマークa、b
間の距離を計測する場合、マークa、bの反射率等の影
響によつてマークa、b毎に最適なプリアンプ5のゲイ
ンS4が異なる。このためマークaとマークbの座標を
それぞれ独立に走査して信号処理することにより、2つ
のマーク間の距離を計測するようになされている。
【0007】実際上図5に示すように、例えば第1のプ
ロセスで形成したマークa(図5(A))よりも、第2
のプロセスで形成したマークb(図5(A))の反射率
が高い場合、検出される信号S2のピークはマークbが
大きい(図5(B))。もしマークbに合わせてプリア
ンプ5のゲインS4を設定するとマークaの信号S2が
小さくなる。また逆にマークaに合わせてプリアンプ5
のゲインS4を設定するとマークbの信号S2のピーク
が大き過ぎてしまう。
【0008】そこでマークa及びマークbの信号S2を
それぞれ独立して計測する。すなわちまずマークaにつ
いて1度走査して得られる信号S2(図5(C))に応
じてゲインS4を設定し、続く2度目の走査で得られる
信号S2(図5(D))によつて走査開始ポイントSa
から信号波形のピークまでの距離la を計測する。
【0009】次にマークbについても同様に1度走査し
て得られる信号S2(図5(E))に応じてゲインS4
を設定し、続く2度目の走査で得られる信号S2(図5
(F))によつて、走査開始ポイントSb からピークま
での距離lb を計測する。そして計測されたそれぞれの
ピーク位置la 、lb と、走査開始ポイントの差l1
ら、次式
【数1】 により、マーク間の距離Δlb-a を算出する。
【0010】ところがこの場合マークa、bの計測が2
回に分かれ、それぞれの計測毎に走査の基準となる走査
開始ポイントSa 、Sb の設定を行うため、ステージの
位置検出回路8の量子化誤差やステージ自体のバツクク
ラツシユ等による誤差が入り検出精度が劣化する問題
や、計測自体を2回実行するため計測に要する時間が増
加する問題があつた。
【0011】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、基板上に形成された反射率の異なる複数のアライメ
ントマークの相対位置を高精度かつ短時間で検出し得る
位置検出装置を提案しようとするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に一実施例を表す図面に対応して説明すると、請求項1
記載の位置検出装置は、基板(2)上の異なるレイヤ
形成された反射率の異なる複数のアライメントマーク
(a、b)を光束で走査し、複数のアライメントマーク
(a、b)からの反射光に応じた信号に基づいて、複数
のアライメントマーク(a、b)の相対位置を検出する
位置検出装置であって、基板(2)を載置するステージ
の位置を検出するステージ位置検出手段(8)と、基板
(2)がステージに載置された状態で1度目の走査によ
って得られる信号(S10)のうち複数のアライメント
マーク(a,b)のそれぞれの位置(S12)に応じた
信号のレベルを略一定にする増幅率(S15)を求める
演算手段(12,13)と、この演算手段(12,1
3)より得られる増幅率(S15)をステージ位置検出
手段(8)が検出したステージの位置に応じて記憶する
記憶手段(14)と、基板(2)がステージに載置され
た状態で2度目の走査によって得られた信号(S10)
を、走査の位置に応じて記憶手段(14)に記憶された
増幅率(S16)で増幅する可変利得増幅手段(4、
5)と、この可変利得増幅手段(4、5)によって増幅
された信号(S10)に応じて、複数のアライメントマ
ーク(a,b)の相対位置を検出する位置検出手段(1
3)とを備えている。請求項2記載の位置検出装置は、
複数のアライメントマーク(a,b)が同一の方向に沿
って形成されている。請求項3記載の位置検出装置は、
基板(2)の異なるレイヤに形成された第1マーク
(a)と第2マーク(b)との位置を検出する位置検出
装置であって、基板(2)を載置するステージの位置を
検出するステージ位置検出手段(8)と、基板(2)が
ステージに載置された状態で第1、第2マーク(a,
b)を検出し、該検出結果に応じた信号を出力するマー
ク検出手段(3)と、ステージ位置検出手段(8)が検
出したステージの位置に基づいて、マーク検出手段
(3)が出力した信号を増幅する増幅手段(4,5,1
1)と、を備えている。請求項4記載の位置検出装置
は、第1マーク(a)と第2マーク(b)とがそれぞれ
反射率が異なるマークである。請求項5記載の重ね合わ
せ精度検出装置は、基板(2)の異なるレイヤ間に形成
されたパタ−ンの重ね合わせ精度を検出する重ね合わせ
精度検出装置であって、基板(2)を載置するステージ
の位置を検出するステージ位置検出手段(8)と、基板
(2)の異なるレイヤに形成された第1マーク(a)と
第2マーク(b)との位置を基板(2)がステージに載
置された状態で検出し、該検出結果に応じた信号を出力
するマーク検出手段(3)と、ステージ位置検出手段
(8)が検出したステージの位置に基づいてマーク検出
手段(3)が出力した信号を増幅する増幅手段(5)
と、この増幅手段(5)の増幅結果に基づいて、第1マ
ーク(a)と第2マーク(b)との相対位置ずれを検出
し、基板(2)の異なるレイヤ間の重ね合わせ精度を検
出する重ね合わせ精度検出手段(13)とを備えてい
る。請求項6記載の重ね合わせ精度検出装置は、第1マ
ーク(a)と第2マーク(b)とが同一の方向に沿って
形成されている。請求項7記載の重ね合わせ精度検出装
置は、第1マーク(a)と第2マーク(b)とがそれぞ
れ反射率が異なるマークである。
【0013】
【作用】請求項1に記載の位置検出装置は、1度目の走
査によって得られる信号(S10)のうち、複数のアラ
イメントマーク(a,b)のそれぞれの位置(S12)
に応じた信号レベルを略一定にする増幅率(S15)を
求め、これをステージ位置検出手段(8)が検出したス
テージの位置に応じて記憶するとともに、2度目の走査
時に複数のアライメントマーク(a,b)からの反射光
に応じた信号(S10)を、走査の位置に応じた増幅率
(S16)で増幅し、この結果得られる信号(S10)
に応じて、複数のアライメントマーク(a,b)の相対
位置を検出するようにしたことにより、同一の走査でア
ライメントマーク(a,b)に応じた信号(S10)を
取り込んで処理することができ、かくして異なるレイヤ
に形成された反射率の異なる複数のアライメントマーク
(a,b)の相対位置を高精度かつ短時間で検出し得
る。請求項2に記載の位置検出装置は、複数のアライメ
ントマーク(a,b)が同一の方向に沿って形成されて
いる。請求項3に記載の位置検出装置は、増幅手段
(4,5,11)がステージ位置検出手段(8)により
検出したステージの位置に基づいて信号を増幅してい
る。請求項4に記載の位置検出装置は、反射率が異なる
第1、第2マーク(a,b)を検出している。請求項5
に記載の重ね合わせ精度検出装置は、重ね合わせ精度検
出手段(13)が増幅手段(5)の増幅結果に基づい
て、第1マーク(a)と第2マーク(b)との相対位置
ずれを検出し、基板(2)の異なるレイヤ間の重ね合わ
せ精度を検出している。請求項6に記載の重ね合わせ精
度検出装置は、第1マーク(a)と第2マーク(b)と
が同一の方向に沿って形成されている。請求項7に記載
の重ね合わせ精度検出装置は、反射率が異なる第1、第
2マーク(a,b)を検出している。
【0014】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0015】図4との対応部分に同一符号を付して示す
図1において、10は全体として本発明による位置検出
装置を示し、デイテクタ3で取り込まれた信号S10は
プリアンプ5を通じて、アナログデジタル変換回路6で
デジタル信号S11に変換され、位置検出回路8及びタ
イミング生成回路11による位置情報S12と共に波形
メモリ12に収納される。この波形メモリ12に記憶さ
れたデジタル信号S11は波形解析回路13によつて位
置情報S13に応じて読み出され、位置毎に最適なプリ
アンプ5のゲインが算出され、これがゲインデータS1
5として位置情報S13と共にゲインメモリ14に格納
される。なお、図4との対応部分に同一符号を付して示
す図1において、図4にて説明したように、基板2はス
テージに搭載され、位置検出回路8はステージの位置を
検出する。
【0016】またこのゲインメモリ14に格納されたゲ
インデータS15は、走査に応じて変化するタイミング
生成部11からの位置情報S12に応じて読み出され、
ゲインデータS16としてリアルタイムにデジタルアナ
ログ変換回路(D/A)15により利得制御信号S18
に変換され、利得制御回路4を通じてプリアンプ5を制
御する。
【0017】この実施例の場合波形解析回路13は、図
2に示すように構成されており、1度目の走査で得られ
るアライメントマークa及びアライメントマークbを含
む信号S14を用いて、図3に示すような順序でゲイン
データS15を求める。すなわち波形解析回路13は、
まず波形メモリ12に記憶されたデジタル信号S11を
位置情報S13に応じて読み出し、このデジタル信号S
14がスムージング回路20に入力される。
【0018】スムージング回路20は例えばローパスフ
イルタ構成でなり、デジタル信号S14(図3(A))
のノイズ成分を除去し、この結果得られるデジタル信号
S20をピーク算出回路21に送出する。ピーク算出回
路21は図3(B)に示すように、波形解析してデジタ
ル信号S20について、それぞれマークa及びマークb
のピーク値Va 、Vb を求め、これを利得制御信号演算
回路22に送出する。
【0019】利得制御信号演算回路22では、マークa
及びマークbのピーク値Va 、Vbが一定になるように
倍率Xa 、Xb が切り変わるような定数テーブルをゲイ
ンメモリ14に設定する。なおこのとき定数テーブルは
2度目の走査で読み出す際の位置情報S12に同期する
ように設定されている。このようにしてゲインデータS
15が位置情報S13と共にゲインメモリ14に格納さ
れる。
【0020】以上の構成において、1度目の走査ではプ
リアンプ5を所定のゲインに固定して、マークa及びマ
ークbの信号S10を検出する。検出した信号S10は
アナログデジタル変換回路6でデジタル信号S11に変
換され、位置情報S12と共に波形メモリ12に収納さ
れる。続いて波形解析回路13により波形メモリ12の
デジタル信号14から位置ごとに最適なプリアンプ5の
ゲインが算出され、これがゲインデータS15としてゲ
インメモリ14に格納される。
【0021】次の2度目の走査では、走査にともなつて
変化するタイミング生成回路11からの位置情報S12
に応じてゲインメモリ14からゲインデータS16を取
り出し、これをリアルタイムにデジタルアナログ変換回
路15により利得制御信号S18に変換し、利得制御回
路4を通じてプリアンプ5のゲインを制御する。この結
果2度目の走査では、それぞれのマークa及びbについ
てピークレベルが最適化された信号S10が1度の走査
で得られることになる。このようにして得られた信号
が、波形解析回路13に入力され各マークa及びbのピ
ーク位置la 、lb が計算され、この結果各マークa及
びbの2点間の距離Δlb-a を高い精度及び短時間で求
めることができる。
【0022】以上の構成によれば、1度目の走査によつ
て得られる信号S10のうち、マークa、bのそれぞれ
の位置S12に応じた信号S10のレベルを略一定にす
る増幅率S15(Xa 、Xb )を求め、これをマーク
a、bの位置S13に応じて記憶すると共に、2度目の
走査時にマークa、bからの信号S10を、走査の位置
S12に応じた増幅率S16で増幅し、この結果得られ
る信号S10に応じて、複数のマークa、bの相対位置
を検出するようにしたことにより、同一の走査かつマー
クa、b毎に最適な信号強度で、マークa、bに応じた
信号S10を取り込んで処理することができ、かくして
レイヤの異なるマークa、bの相対位置を高精度かつ短
時間で検出し得る位置検出装置10を実現できる。
【0023】なお上述の実施例においては、波形解析回
路におけるスムージング、ピーク算出及び利得制御信号
演算の処理を電気回路により実現したが、これに限ら
ず、マイクロコンピユータ内部のソフトウエア処理によ
つて実現するようにしても上述の実施例と同様の効果を
実現できる。
【0024】また上述の実施例においては、異なるレイ
ヤにそれぞれ別々のプロセスで形成された2つのアライ
メントマーク間の相対位置を検出し、重ね焼き精度を計
測する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
要は反射率が異なる複数のアライメントマークの位置を
光束の走査で検出するようになされた位置検出装置に適
用し得る。
【0025】例えばこのような位置検出装置としてステ
ージ上のX及びY方向に、それぞれ基準のアライメント
マークを恒久的な材質(例えば金属)で形成すると共
に、定期的にX及びY方向の基準マークに対応するよう
にレジスト像でなるアライメントマークを形成し、X方
向及びY方向のそれぞれのマークの相対位置によつてス
テージの直交度合を検出するようなものにも適用し得
る。
【0026】
【発明の効果】上述のように、請求項1に記載の位置検
出装置は、1度目の走査によって得られる信号のうち、
複数のアライメントマークのそれぞれの位置に応じた信
号レベルを略一定にする増幅率を求め、これをステージ
位置検出手段(8)が検出したステージの位置に応じて
記憶するとともに、2度目の走査時に複数のアライメン
トマークからの反射光に応じた信号を、走査の位置に応
じた増幅率で増幅し、この結果得られる信号に応じて、
複数のアライメントマークの相対位置を検出するように
したことにより、同一の走査でアライメントマーク毎に
最適な信号強度で、アライメントマークに応じた信号を
取り込んで処理することができ、かくして異なるレイヤ
に形成された反射率の異なる複数のアライメントマーク
の相対位置を高い精度かつ短時間で検出することができ
る。請求項2に記載の位置検出装置は、複数のアライメ
ントマーク(a,b)が同一の方向に沿って形成されて
いるので、異なるレイヤに形成された反射率の異なる複
数のアライメントマークの相対位置を高い精度かつ短時
間で検出することができる。請求項3に記載の位置検出
装置は、増幅手段がステージの位置に基づいて検出した
信号を増幅しているので、異なるレイヤに形成された複
数のアライメントマークの相対位置を高精度かつ短時間
で検出することができる。請求項4に記載の位置検出装
置は、反射率が異なる第1、第2マークを検出すること
ができる。請求項5に記載の重ね合わせ精度検出装置
は、重ね合わせ精度検出手段が増幅手段の増幅結果に基
づいて、第1マークと第2マークとの相対位置ずれを検
出しているので、基板の異なるレイヤ間の重ね合わせ精
度を精度よく検出することができる。請求項6に記載の
重ね合わせ精度検出装置は、第1マークと第2マークと
が同一の方向に沿って形成されているので、基板の異な
るレイヤ間の重ね合わせ精度を精度よく検出することが
できる。請求項7に記載の重ね合わせ精度検出装置は、
反射率が異なる第1、第2マー クを検出することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による位置検出装置の一実施例を示すブ
ロツク図である。
【図2】図1の位置検出装置における波形解析回路の構
成を示すブロツク図である。
【図3】本発明によるゲインデータの決定方法の説明に
供する信号波形図である。
【図4】従来の位置検出装置を示すブロツク図である。
【図5】従来の位置検出動作の説明に供する信号波形図
である。
【符号の説明】
1、10……位置検出装置、2……基板、3……デイテ
クタ、4……利得制御回路、5……プリアンプ、6……
アナログデジタル変換回路、7、13……波形解析回
路、8……位置検出回路、11……タイミング生成回
路、12……波形メモリ、14……ゲインメモリ、15
……デジタルアナログ変換回路、a、b……アライメン
トマーク。

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上の異なるレイヤに形成された反射
    率の異なる複数のアライメントマークを光束で走査し、
    前記複数のアライメントマークからの反射光に応じた信
    号に基づいて、前記複数のアライメントマークの相対位
    置を検出する位置検出装置において、前記基板を載置するステージの位置を検出するステージ
    位置検出手段と、 前記基板が前記ステージに載置された
    状態で、 1度目の前記走査によって得られる前記信号の
    うち前記複数のアライメントマークのそれぞれの位置に
    応じた信号のレベルを略一定にする増幅率を求める演算
    手段と、 該演算手段より得られる前記増幅率を前記ステージ位置
    検出手段が検出した前記ステージの位置に応じて記憶す
    る記憶手段と、前記基板が前記ステージに載置された状態で 2度目の前
    記走査によって得られた前記信号を、前記ステージ位置
    検出手段が検出した前記ステージの位置に応じて前記記
    憶手段に記憶された前記増幅率で増幅する可変利得増幅
    手段と、 前記可変利得増幅手段によって増幅された前記信号に応
    じて、前記複数のアライメントマークの相対位置を検出
    する位置検出手段とを備えることを特徴とする位置検出
    装置。
  2. 【請求項2】 前記複数のアライメントマークは、同一
    の方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項
    1記載の位置検出装置。
  3. 【請求項3】 基板の異なるレイヤに形成された第1マ
    ークと第2マークとの位置を検出する位置検出装置にお
    いて、 前記基板を載置するステージの位置を検出するステージ
    位置検出手段と、前記基板が前記ステージに載置された状態で 前記第1、
    第2マークを検出し、該検出結果に応じた信号を出力す
    るマーク検出手段と、 前記ステージ位置検出手段が検出した前記ステージの位
    置に基づいて、前記マーク検出手段が出力した前記信号
    を増幅する増幅手段と、を備えたことを特徴とする位置
    検出装置。
  4. 【請求項4】 前記第1マークと前記第2マークとは、
    それぞれ反射率が異なるマークであることを特徴とする
    請求項3記載の位置検出装置。
  5. 【請求項5】 基板の異なるレイヤ間に形成されたパタ
    −ンの重ね合わせ精度を検出する重ね合わせ精度検出装
    置において、前記基板を載置するステージの位置を検出するステージ
    位置検出手段と、 前記基板の異なるレイヤに形成された第1マークと第2
    マークとの位置を前記基板が前記ステージに載置された
    状態で検出し、該検出結果に応じた信号を出力するマー
    ク検出手段と、前記ステージ位置検出手段が検出した前記ステージの位
    置に基づいて、 前記マーク検出手段が出力した前記信号
    を増幅する増幅手段と、 前記増幅手段の増幅結果に基づいて、前記第1マークと
    前記第2マークとの相対位置ずれを検出し、前記基板の
    異なるレイヤ間の重ね合わせ精度を検出する重ね合わせ
    精度検出手段とを備えたことを特徴とする重ね合わせ精
    度検出装置。
  6. 【請求項6】 前記第1マークと前記第2マークとは、
    同一の方向に沿って形成されていることを特徴とする請
    求項5記載の重ね合わせ精度検出装置。
  7. 【請求項7】 前記第1マークと前記第2マークとは、
    それぞれ反射率が異なるマークであることを特徴とする
    請求項5または6記載の重ね合わせ精度検出装置。
JP08560493A 1993-03-19 1993-03-19 位置検出装置並びに重ね合わせ精度検出装置 Expired - Lifetime JP3278969B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08560493A JP3278969B2 (ja) 1993-03-19 1993-03-19 位置検出装置並びに重ね合わせ精度検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08560493A JP3278969B2 (ja) 1993-03-19 1993-03-19 位置検出装置並びに重ね合わせ精度検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06275487A JPH06275487A (ja) 1994-09-30
JP3278969B2 true JP3278969B2 (ja) 2002-04-30

Family

ID=13863435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08560493A Expired - Lifetime JP3278969B2 (ja) 1993-03-19 1993-03-19 位置検出装置並びに重ね合わせ精度検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3278969B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06275487A (ja) 1994-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2712772B2 (ja) パターン位置測定方法及び装置
JPS5999304A (ja) 顕微鏡系のレーザ光による比較測長装置
US7683313B2 (en) Charged particle beam measurement equipment, size correction and standard sample for correction
US6819789B1 (en) Scaling and registration calibration especially in printed circuit board fabrication
US5754300A (en) Alignment method and apparatus
JPH0735964B2 (ja) 間隔測定装置
US6115117A (en) Method and apparatus for surface inspection
KR100396146B1 (ko) 위치검출장치 및 방법
JP3278969B2 (ja) 位置検出装置並びに重ね合わせ精度検出装置
US5436727A (en) Distance measuring method and apparatus
JP2676167B2 (ja) 画像走査装置
JPH11351836A (ja) 立体形状検出装置及びその方法
JP3463798B2 (ja) 光学スキャナ装置
JPH10311705A (ja) 画像入力装置
JP2512871B2 (ja) パタ−ン測定装置
JPS60138921A (ja) パタ−ン形状検査装置
JP2507566B2 (ja) 電子ビ―ム測長方法および装置
JPH0658730A (ja) 重ね合わせ精度測定方法
JPH01292206A (ja) 物体の表面状態測定装置及び表面の高さ測定装置
JPH0658719A (ja) 重ね合わせ精度測定方法
JPH0432219A (ja) 位置合わせ方法
JP3448322B2 (ja) 画像入力装置用ccdカメラの校正方法
JP2000292148A (ja) パターン位置測定装置、パターン位置測定方法、およびたわみ測定装置
JPH0534120A (ja) 面形状測定方法及び装置
JPH04278555A (ja) 微少寸法測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020122

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12