JP3276165B2 - シラン基含有ジホスフィン、固定されたジホスフィン及びそれを用いる水素化触媒 - Google Patents
シラン基含有ジホスフィン、固定されたジホスフィン及びそれを用いる水素化触媒Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はシラン基を含むピロリジ
ンジホスフィンに関し、固体キャリヤ物質上に固定され
た該ピロリジンジホスフィンに関し、そしてロジウム又
はイリジウム錯体の形態のオレフィン性二重結合及びヘ
テロ二重結合の水素化のための、特にキラルなピロリジ
ンジホスフィンを用いたエナンチオ選択性水素化のため
の、その使用に関する。
ンジホスフィンに関し、固体キャリヤ物質上に固定され
た該ピロリジンジホスフィンに関し、そしてロジウム又
はイリジウム錯体の形態のオレフィン性二重結合及びヘ
テロ二重結合の水素化のための、特にキラルなピロリジ
ンジホスフィンを用いたエナンチオ選択性水素化のため
の、その使用に関する。
【0002】
【従来の技術】キラルなロジウム及びイリジウムジホス
フィン錯体を均一系触媒として用いた、ケチミンの光学
活性第二級アミンへのエナンチオ選択性水素化は、ヨー
ロッパ特許公開公報第0256982号、第03020
21号及び第0301457号に記載されている。しか
しその高価な触媒は回収不可能であるか、又は複雑な分
離法によってのみ回収可能であり、しかも望ましくない
損失を常に伴う。さらに、これらの触媒は第1の反応中
にその活性の多くを失うので、次の水素化プロセスに直
接それらを再使用すると収率の大きな低下をまねき、し
たがって不経済である。容易に分離可能で、その活性、
特にその選択性を実質的に保持しながら再使用可能な触
媒が求められている。
フィン錯体を均一系触媒として用いた、ケチミンの光学
活性第二級アミンへのエナンチオ選択性水素化は、ヨー
ロッパ特許公開公報第0256982号、第03020
21号及び第0301457号に記載されている。しか
しその高価な触媒は回収不可能であるか、又は複雑な分
離法によってのみ回収可能であり、しかも望ましくない
損失を常に伴う。さらに、これらの触媒は第1の反応中
にその活性の多くを失うので、次の水素化プロセスに直
接それらを再使用すると収率の大きな低下をまねき、し
たがって不経済である。容易に分離可能で、その活性、
特にその選択性を実質的に保持しながら再使用可能な触
媒が求められている。
【0003】J. Chem. Japan, Soc., Chemistry Letter
s の第905〜908頁(1978年)に、ケイ・アチ
ワ(K. Achiwa)はベンゼン環にロジウムと錯体を作るピ
ロリジンジホスフィン−N−カルボニル基を含むポリス
チレン共重合体について記述している。これらのモノマ
ーを合成することは困難であり、そしてこれらの不均一
系触媒を用いてプロキラルなオレフィンを水素化するこ
とは、エナンチオ選択性の損失を伴う。
s の第905〜908頁(1978年)に、ケイ・アチ
ワ(K. Achiwa)はベンゼン環にロジウムと錯体を作るピ
ロリジンジホスフィン−N−カルボニル基を含むポリス
チレン共重合体について記述している。これらのモノマ
ーを合成することは困難であり、そしてこれらの不均一
系触媒を用いてプロキラルなオレフィンを水素化するこ
とは、エナンチオ選択性の損失を伴う。
【0004】ユー・ナジェル(U. Nagel)等は、J. Che
m. Soc., Chem. Commun.(1986)の第1,098〜
1,099頁において、α−(アセチルアミノ)ケイ皮
酸のエナンチオ選択性水素化用の不均一系ロジウム触媒
を開示している。該触媒はロジウムと錯体を作り、窒素
原子にトリエトキシシリル−n−プロピルジカルボン酸
モノアミド基を担持するピロリジンジホスフィンであ
る。それらは固体キャリヤ物質としてシリカゲルに適用
される。これらの物質の合成は非常に面倒である。前記
モノマーと比較して同等に良好な選択性が得られるけれ
ども、活性の損失が大きく、そのため再使用の可能性が
減少する。
m. Soc., Chem. Commun.(1986)の第1,098〜
1,099頁において、α−(アセチルアミノ)ケイ皮
酸のエナンチオ選択性水素化用の不均一系ロジウム触媒
を開示している。該触媒はロジウムと錯体を作り、窒素
原子にトリエトキシシリル−n−プロピルジカルボン酸
モノアミド基を担持するピロリジンジホスフィンであ
る。それらは固体キャリヤ物質としてシリカゲルに適用
される。これらの物質の合成は非常に面倒である。前記
モノマーと比較して同等に良好な選択性が得られるけれ
ども、活性の損失が大きく、そのため再使用の可能性が
減少する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、分子
中にトリアルコキシシリル基と、2個のホスフィン含有
基が結合したピロリジン部分とを含む新規な化合物を提
供することである。本発明の他の目的は、前記の新規な
化合物を、トリアルコキシシリル基含有イソシアネート
と、2個のホスフィン含有基を有するヒドロキシル基含
有ピロリジン化合物とから合成する方法を提供すること
である。本発明の第三の目的は、前記の新規な化合物か
ら誘導された、固体キャリア物質の表面に固定されたジ
ホスフィンロジウム又はイリジウム錯体を提供すること
である。本発明のもうひとつの目的は、前記の固定され
た錯体を合成する方法を提供することである。本発明の
さらにもうひとつの目的は、炭素二重結合又は炭素/ヘ
テロ原子二重結合を有するプロキラルな化合物の不斉水
素化反応に用いる不均一系触媒を提供することである。
本発明のその他の目的は、本明細書に記された内容から
明らかであろう。
中にトリアルコキシシリル基と、2個のホスフィン含有
基が結合したピロリジン部分とを含む新規な化合物を提
供することである。本発明の他の目的は、前記の新規な
化合物を、トリアルコキシシリル基含有イソシアネート
と、2個のホスフィン含有基を有するヒドロキシル基含
有ピロリジン化合物とから合成する方法を提供すること
である。本発明の第三の目的は、前記の新規な化合物か
ら誘導された、固体キャリア物質の表面に固定されたジ
ホスフィンロジウム又はイリジウム錯体を提供すること
である。本発明のもうひとつの目的は、前記の固定され
た錯体を合成する方法を提供することである。本発明の
さらにもうひとつの目的は、炭素二重結合又は炭素/ヘ
テロ原子二重結合を有するプロキラルな化合物の不斉水
素化反応に用いる不均一系触媒を提供することである。
本発明のその他の目的は、本明細書に記された内容から
明らかであろう。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はその態様の一つ
において、式(I)
において、式(I)
【0007】
【化8】
【0008】(式中、基(R1)2 P(CH2)m と(R
1 )2 P(CH2 )n は互いにオルト位又はメタ位にあ
り、置換基R1 は同一又は異なる基であり、m及びnは
各々互いに独立して0又は1であり、R1 は直鎖状もし
くは分枝鎖状のC1 〜C12アルキル、未置換C5 〜C6
シクロアルキル、又はC1 〜C4 アルキルもしくはC1
〜C4 アルコキシによって置換されたC5 〜C6 シクロ
アルキル、又はフェニルもしくはベンジルであり、ある
いは基(R1)2 P中の両方の置換基R1 が一緒になって
o,o´−ジフェニレンを形成し;−R2 −X−は結合
もしくは−(CxH2x−O)y−であるか、又はX−はO
−であり、かつR2 はC1 〜C6 アルキレンであり、x
は2〜6の整数であり;zは2〜6の整数であり;R3
はC2 〜C18アルキレン、フェニレン又はベンジレンで
あり;そしてR4 はC1 〜C6 アルキル又はフェニルで
ある)で示される化合物に関する。
1 )2 P(CH2 )n は互いにオルト位又はメタ位にあ
り、置換基R1 は同一又は異なる基であり、m及びnは
各々互いに独立して0又は1であり、R1 は直鎖状もし
くは分枝鎖状のC1 〜C12アルキル、未置換C5 〜C6
シクロアルキル、又はC1 〜C4 アルキルもしくはC1
〜C4 アルコキシによって置換されたC5 〜C6 シクロ
アルキル、又はフェニルもしくはベンジルであり、ある
いは基(R1)2 P中の両方の置換基R1 が一緒になって
o,o´−ジフェニレンを形成し;−R2 −X−は結合
もしくは−(CxH2x−O)y−であるか、又はX−はO
−であり、かつR2 はC1 〜C6 アルキレンであり、x
は2〜6の整数であり;zは2〜6の整数であり;R3
はC2 〜C18アルキレン、フェニレン又はベンジレンで
あり;そしてR4 はC1 〜C6 アルキル又はフェニルで
ある)で示される化合物に関する。
【0009】式(I)の化合物において、m+nの合計
は好ましくは0又は1である。
は好ましくは0又は1である。
【0010】ホスフィン基の置換基R1 は好ましくは同
一の基であり、最も好ましくはすべての4つの置換基R
1 が同一の基である。
一の基であり、最も好ましくはすべての4つの置換基R
1 が同一の基である。
【0011】アルキルとしてのR1 は好ましくは1〜8
個の、最も好ましくは1〜4個の炭素原子を含む。アル
キルは典型的にはメチル、エチル、ならびにプロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、ウンデシル、及びドデシルの異性体であ
る。特に好適なアルキル及びアルコキシ置換基はメチ
ル、エチル、メトキシ、及びエトキシである。シクロア
ルキルは典型的にはシクロペンチル及びシクロヘキシル
である。発明の特に好ましい態様においては、R1 はフ
ェニルである。
個の、最も好ましくは1〜4個の炭素原子を含む。アル
キルは典型的にはメチル、エチル、ならびにプロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、ウンデシル、及びドデシルの異性体であ
る。特に好適なアルキル及びアルコキシ置換基はメチ
ル、エチル、メトキシ、及びエトキシである。シクロア
ルキルは典型的にはシクロペンチル及びシクロヘキシル
である。発明の特に好ましい態様においては、R1 はフ
ェニルである。
【0012】本発明の他の好ましい態様においては、−
R2 −X−は結合である。
R2 −X−は結合である。
【0013】アルキレンとしてのR2 は直鎖状又は分枝
鎖状であってよく、好ましくは2〜4個の、最も好まし
くは2又は3個の炭素原子を含む。アルキレンの例を挙
げれば、メチレン、エチレン、1,2−及び1,3−プ
ロピレン、1,2−、1,3−、及び1,4−ブチレ
ン、ペンチレン、ならびにヘキシレンである。特に好ま
しいアルキレン基はエチレン及び1,2−プロピレンで
ある。
鎖状であってよく、好ましくは2〜4個の、最も好まし
くは2又は3個の炭素原子を含む。アルキレンの例を挙
げれば、メチレン、エチレン、1,2−及び1,3−プ
ロピレン、1,2−、1,3−、及び1,4−ブチレ
ン、ペンチレン、ならびにヘキシレンである。特に好ま
しいアルキレン基はエチレン及び1,2−プロピレンで
ある。
【0014】基−(Cx H2x−O)y−において、xは好
ましくは2、3又は4であり、最も好ましくは2又は3
であり、yは好ましくは2〜4の整数である。この基は
典型的には、2、3、4、5もしくは6単位のオキシエ
チレンを含むポリオキシエチレン、又は2、3、4、5
もしくは6単位の1,2−オキシプロピレンを含むポリ
−1,2−オキシプロピレンが好都合であろう。
ましくは2、3又は4であり、最も好ましくは2又は3
であり、yは好ましくは2〜4の整数である。この基は
典型的には、2、3、4、5もしくは6単位のオキシエ
チレンを含むポリオキシエチレン、又は2、3、4、5
もしくは6単位の1,2−オキシプロピレンを含むポリ
−1,2−オキシプロピレンが好都合であろう。
【0015】アルキレンとしてのR3 は直鎖状又は分枝
鎖状であってよく、好ましくは2〜12個の炭素原子を
含む。例を挙げれば、エチレンならびにプロピレン、ブ
チレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチ
レン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレ
ン、トリデシレン、テトラデシレン、ヘキサデシレン、
及びオクタデシレンの異性体である。好ましくは、R3
は3〜12個の炭素原子の直鎖状又は分枝鎖状のアルキ
レンであり、典型的には、1,3−プロピレン又は1,
11−ウンデシレンである。他の態様においては、R3
は好ましくはフェニレンである。
鎖状であってよく、好ましくは2〜12個の炭素原子を
含む。例を挙げれば、エチレンならびにプロピレン、ブ
チレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチ
レン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレ
ン、トリデシレン、テトラデシレン、ヘキサデシレン、
及びオクタデシレンの異性体である。好ましくは、R3
は3〜12個の炭素原子の直鎖状又は分枝鎖状のアルキ
レンであり、典型的には、1,3−プロピレン又は1,
11−ウンデシレンである。他の態様においては、R3
は好ましくはフェニレンである。
【0016】R4 は好ましくはC1 〜C4 アルキルであ
り、最も好ましくはメチル又はエチルである。
り、最も好ましくはメチル又はエチルである。
【0017】式(I)の化合物は、ホスフィン(メチ
ル)基の位置に関して、光学活性異性体として得られる
ことが好ましい。
ル)基の位置に関して、光学活性異性体として得られる
ことが好ましい。
【0018】本発明の特に好ましい態様においては、R
1 はフェニルで、−R2 −X−は結合であり、R3 は
1,3−プロピレンで、R4 はメチル又はエチルであ
り;そしてmは1で、nは0であり、基(R1)2 P−及
び(R1)2 PCH2 −は互いにメタ位にあるか、又はm
とnは各々0であり、基(R1)2 P−は互いにオルト位
にある。
1 はフェニルで、−R2 −X−は結合であり、R3 は
1,3−プロピレンで、R4 はメチル又はエチルであ
り;そしてmは1で、nは0であり、基(R1)2 P−及
び(R1)2 PCH2 −は互いにメタ位にあるか、又はm
とnは各々0であり、基(R1)2 P−は互いにオルト位
にある。
【0019】他の態様においては、本発明は、式(I)
の化合物の合成方法であって、式(II)
の化合物の合成方法であって、式(II)
【0020】
【化9】
【0021】(式中、R3 及びR4 はすでに定義された
とおりである)で示される化合物を、式(III)
とおりである)で示される化合物を、式(III)
【0022】
【化10】
【0023】(式中、R1 、R2 、X、m及びnはすで
に定義されたとおりである)で示される化合物と反応さ
せることを含む方法に関する。
に定義されたとおりである)で示される化合物と反応さ
せることを含む方法に関する。
【0024】式(II)の化合物は公知であり、そのうち
のあるものは市販されているか、又はフランス国特許公
開公報第1371405号に記載されている方法により
合成することができる。式(III)の化合物であって、−
R2 −X−が結合であるものも、公知であるか、又は公
知の方法により合成することができる。そのような方法
は、例えば、ユ−・ナジェル(U. Nagel)によりAngew.
Chem. 96 (6) 、第425〜426頁(1984年)
に、そしてケイ・アチワ(K. Achiwa)により、J.Amer.
Chem. Soc., 98 (25)、第8,265〜8,266頁
(1976年)に記載されている。
のあるものは市販されているか、又はフランス国特許公
開公報第1371405号に記載されている方法により
合成することができる。式(III)の化合物であって、−
R2 −X−が結合であるものも、公知であるか、又は公
知の方法により合成することができる。そのような方法
は、例えば、ユ−・ナジェル(U. Nagel)によりAngew.
Chem. 96 (6) 、第425〜426頁(1984年)
に、そしてケイ・アチワ(K. Achiwa)により、J.Amer.
Chem. Soc., 98 (25)、第8,265〜8,266頁
(1976年)に記載されている。
【0025】式(III)の化合物であって、−R2 −X−
が基(Cx H2x−O)y−であるものは新規であり、置換
されたピロリジンをオキシランと反応させることにより
簡単に得られる。式(III)の化合物であって、Xは−O
−であり、かつR2 がアルキレンであるものは、該ピロ
リジンを適当なハロゲン化アルコールと、又は1当量の
オキシランと反応させることにより得られる。
が基(Cx H2x−O)y−であるものは新規であり、置換
されたピロリジンをオキシランと反応させることにより
簡単に得られる。式(III)の化合物であって、Xは−O
−であり、かつR2 がアルキレンであるものは、該ピロ
リジンを適当なハロゲン化アルコールと、又は1当量の
オキシランと反応させることにより得られる。
【0026】式(II)のイソシアネートと式(III)の化
合物との反応は、0〜100℃の範囲のような室温又は
高温で行うことができる。溶媒、例えば、炭化水素(石
油エーテル、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン又はキシレ
ン)、又はハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロ
ホルム、1,1,2,2−テトラクロロエタン又はクロ
ロベンゼン)の併用が有利である。式(III)の化合物を
含むヒドロキシル基の反応はスズ化合物又は第三級有機
アミン等の触媒の存在下で行うのが有利である。過剰の
イソシアネートは該反応後、アルカノールとの反応によ
り除去することができる。前記の本発明の化合物の単離
及び精製は、蒸留又はクロマトグラフィーを用いる方法
等の通常の方法により、行うことができる。
合物との反応は、0〜100℃の範囲のような室温又は
高温で行うことができる。溶媒、例えば、炭化水素(石
油エーテル、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン又はキシレ
ン)、又はハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロ
ホルム、1,1,2,2−テトラクロロエタン又はクロ
ロベンゼン)の併用が有利である。式(III)の化合物を
含むヒドロキシル基の反応はスズ化合物又は第三級有機
アミン等の触媒の存在下で行うのが有利である。過剰の
イソシアネートは該反応後、アルカノールとの反応によ
り除去することができる。前記の本発明の化合物の単離
及び精製は、蒸留又はクロマトグラフィーを用いる方法
等の通常の方法により、行うことができる。
【0027】本発明の化合物は、優れた均一系のエナン
チオ選択性水素化触媒であるイリジウム(II)及びロジ
ウム(II)錯塩用のキラルな配位子として使用可能な、
通常は油状の液体である。そのような触媒の合成は開示
されており、とりわけヨーロッパ特許公開公報第025
6982号に開示されている。本発明の化合物は、該化
合物を個体キャリヤ物質に固定することにより不均一系
でエナンチオ選択性の水素化触媒を調製するのに、特に
好適である。
チオ選択性水素化触媒であるイリジウム(II)及びロジ
ウム(II)錯塩用のキラルな配位子として使用可能な、
通常は油状の液体である。そのような触媒の合成は開示
されており、とりわけヨーロッパ特許公開公報第025
6982号に開示されている。本発明の化合物は、該化
合物を個体キャリヤ物質に固定することにより不均一系
でエナンチオ選択性の水素化触媒を調製するのに、特に
好適である。
【0028】本発明はさらにその表面に固定されたジホ
スフィンロジウム又はイリジウム錯体を含有する固体キ
ャリヤ物質に関し、該キャリヤ物質は式(IV)又は式
(IVa)
スフィンロジウム又はイリジウム錯体を含有する固体キ
ャリヤ物質に関し、該キャリヤ物質は式(IV)又は式
(IVa)
【0029】
【化11】
【化12】
【0030】(式中、Yは2個のモノオレフィン配位子
又は1個のジエン配位子を表わし;MはIr(I)又は
Rh(I)であり;Zは−Cl、−Br又は−Iであ
り;A- はオキシ酸又は錯酸の陰イオンであり;Tは固
体キャリヤ物質であり;rは0、1又は2であり;そし
てR1 、R2、R3 、R4 、X、m及びnはすでに定義
されたとおりである)を有している。R1 、R2 、R
3 、R4 、X、m及びnは式(I)の化合物に対して与
えられたのと同じ好ましい意味を有している。
又は1個のジエン配位子を表わし;MはIr(I)又は
Rh(I)であり;Zは−Cl、−Br又は−Iであ
り;A- はオキシ酸又は錯酸の陰イオンであり;Tは固
体キャリヤ物質であり;rは0、1又は2であり;そし
てR1 、R2、R3 、R4 、X、m及びnはすでに定義
されたとおりである)を有している。R1 、R2 、R
3 、R4 、X、m及びnは式(I)の化合物に対して与
えられたのと同じ好ましい意味を有している。
【0031】モノオレフィン配位子Yは好ましくは2〜
6個の、最も好ましくは2〜4個の炭素原子を含んでい
る。例を挙げれば、ヘキセン、ペンテン、ブテン、プロ
ペン、そして好ましくはエテンである。ジエン配位子Y
は好ましくは4〜8個の、最も好ましくは6〜8個の炭
素原子を含んでいる。該ジエンは開鎖状又は環状のジエ
ンであり、そのオレフィン基は好ましくは1又は2個の
炭素原子を介して結合されている。好ましいジエンは
1,5−ヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエン、
及びノルボルナジエンである。
6個の、最も好ましくは2〜4個の炭素原子を含んでい
る。例を挙げれば、ヘキセン、ペンテン、ブテン、プロ
ペン、そして好ましくはエテンである。ジエン配位子Y
は好ましくは4〜8個の、最も好ましくは6〜8個の炭
素原子を含んでいる。該ジエンは開鎖状又は環状のジエ
ンであり、そのオレフィン基は好ましくは1又は2個の
炭素原子を介して結合されている。好ましいジエンは
1,5−ヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエン、
及びノルボルナジエンである。
【0032】式(IV)中のZは好ましくは−Cl又−B
rである。式(IVa)中のA- は好ましくはClO4 -、C
F3 SO3 -、BF4 -、B(フェニル)4 -、PF6 -、Sb
Cl6 -、AsF6 -、又はSbF6 -である。
rである。式(IVa)中のA- は好ましくはClO4 -、C
F3 SO3 -、BF4 -、B(フェニル)4 -、PF6 -、Sb
Cl6 -、AsF6 -、又はSbF6 -である。
【0033】前記の固体キャリヤ物質は、ケイ酸塩及び
半金属又は金属の酸化物のみならず、ガラスから選択さ
れることが好ましく、最も好ましくは粉体の形であっ
て、10nm〜2,000μm 、好ましくは10nm〜1,
000μm 、最も好ましくは10nm〜300μm の平均
粒径を有している。粒子は密な粒子であってもよく、多
孔性粒子であってもよい。多孔性粒子は好ましくは大き
な内部表面積、典型的には1〜1,200m2、好ましく
は30〜600m2の内部表面積を有する。酸化物及びケ
イ酸塩の例を挙げれば、SiO2 、TiO2 、ZrO
2 、MgO、NiO、WO3 、Al2 O3 、La2 O
3 、シリカゲル、粘土、及びゼオライトである。好適な
固体キャリヤ物質には活性炭もある。さらに固体キャリ
ヤ物質は、式(I)の化合物を、それら単独で、又はア
ルコキシシランと共に縮合することにより得ることが可
能なポリシロキサンによって作ってもよい。好ましいキ
ャリヤ物質はシリカゲル、煙霧質シリカ、アルミナ、酸
化チタン、及びそれらの混合物である。好適なガラスキ
ャリヤ物質の例を挙げれば、市販の孔径を制御された多
孔性ガラスである。
半金属又は金属の酸化物のみならず、ガラスから選択さ
れることが好ましく、最も好ましくは粉体の形であっ
て、10nm〜2,000μm 、好ましくは10nm〜1,
000μm 、最も好ましくは10nm〜300μm の平均
粒径を有している。粒子は密な粒子であってもよく、多
孔性粒子であってもよい。多孔性粒子は好ましくは大き
な内部表面積、典型的には1〜1,200m2、好ましく
は30〜600m2の内部表面積を有する。酸化物及びケ
イ酸塩の例を挙げれば、SiO2 、TiO2 、ZrO
2 、MgO、NiO、WO3 、Al2 O3 、La2 O
3 、シリカゲル、粘土、及びゼオライトである。好適な
固体キャリヤ物質には活性炭もある。さらに固体キャリ
ヤ物質は、式(I)の化合物を、それら単独で、又はア
ルコキシシランと共に縮合することにより得ることが可
能なポリシロキサンによって作ってもよい。好ましいキ
ャリヤ物質はシリカゲル、煙霧質シリカ、アルミナ、酸
化チタン、及びそれらの混合物である。好適なガラスキ
ャリヤ物質の例を挙げれば、市販の孔径を制御された多
孔性ガラスである。
【0034】本発明の改質キャリヤ物質は、表面に固定
されたジホスフィンを含有し、式(V)
されたジホスフィンを含有し、式(V)
【0035】
【化13】
【0036】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、X,
T、m、n及びrはすでに定義されたとおりである)で
示される固体キャリヤ物質を、式[M(Y)Z]2又はM
(Y)2 +A-(式中、M、Y、Z、及びA- はすでに定義
されたとおりである)で示される金属化合物と反応させ
ることにより、得ることができる。
T、m、n及びrはすでに定義されたとおりである)で
示される固体キャリヤ物質を、式[M(Y)Z]2又はM
(Y)2 +A-(式中、M、Y、Z、及びA- はすでに定義
されたとおりである)で示される金属化合物と反応させ
ることにより、得ることができる。
【0037】反応は、好ましくはアルゴンなどの不活性
ガス雰囲気下で、0〜40℃の温度範囲で行い、室温で
行うことが好ましい。炭化水素(ベンゼン、トルエン、
キシレン)、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン)、アルカノー
ル(メタノール、エタノール、エチレングリコールモノ
メチルエーテル)、及びエーテル(ジエチルエーテル、
ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル)、又はその混合物から成るグループから好便に選択
された溶媒の併用も有利である。
ガス雰囲気下で、0〜40℃の温度範囲で行い、室温で
行うことが好ましい。炭化水素(ベンゼン、トルエン、
キシレン)、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン)、アルカノー
ル(メタノール、エタノール、エチレングリコールモノ
メチルエーテル)、及びエーテル(ジエチルエーテル、
ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル)、又はその混合物から成るグループから好便に選択
された溶媒の併用も有利である。
【0038】前記の新規な改質された物質は、ヒドロキ
シル基を含む固体物質、式(I)の化合物、及び式[M
(Y)Z]2又はM(Y)2 +A- の金属化合物の直接反応
によっても得ることができる。反応は、まず式(I)の
化合物の溶液を固体物質に添加し、次に金属化合物の溶
液を添加することにより、又はまず式の化合物及び金属
化合物を溶剤に溶解し、そしてこの溶液を固体物質に添
加することにより、段階的に行うことが可能である。反
応条件はすでに述べたものか、又は式(V)の物質の合
成に関連して下記に述べるものであってよい。前記の新
規な改質物質は、ろ過により単離し、アルカノールで洗
浄することにより精製し、減圧下で乾燥することができ
る。
シル基を含む固体物質、式(I)の化合物、及び式[M
(Y)Z]2又はM(Y)2 +A- の金属化合物の直接反応
によっても得ることができる。反応は、まず式(I)の
化合物の溶液を固体物質に添加し、次に金属化合物の溶
液を添加することにより、又はまず式の化合物及び金属
化合物を溶剤に溶解し、そしてこの溶液を固体物質に添
加することにより、段階的に行うことが可能である。反
応条件はすでに述べたものか、又は式(V)の物質の合
成に関連して下記に述べるものであってよい。前記の新
規な改質物質は、ろ過により単離し、アルカノールで洗
浄することにより精製し、減圧下で乾燥することができ
る。
【0039】前記の新規な改質された物質は、水素化の
前に現場で合成し、次に水素化触媒として直接使用する
こともできる。
前に現場で合成し、次に水素化触媒として直接使用する
こともできる。
【0040】本発明はさらに式(V)の固体物質に関す
る。それは式(I)の化合物を、ヒドロキシル基を含む
キャリヤ物質と、有利にはアルゴンなどの不活性ガス雰
囲気下で、40〜180℃の温度範囲で反応させること
により、合成することができる。手順は、好ましくは、
固体物質を反応器に装入し、式(I)の化合物の溶液を
添加し、該混合物を高温下、有利には50〜110℃の
温度範囲で撹拌することを含む。好適な溶剤は前述のも
のである。生成物はデカンテーション又はろ過のいずれ
かにより単離される。残分はアルカノールを用いて洗浄
することにより精製可能であり、高減圧下で乾燥され
る。
る。それは式(I)の化合物を、ヒドロキシル基を含む
キャリヤ物質と、有利にはアルゴンなどの不活性ガス雰
囲気下で、40〜180℃の温度範囲で反応させること
により、合成することができる。手順は、好ましくは、
固体物質を反応器に装入し、式(I)の化合物の溶液を
添加し、該混合物を高温下、有利には50〜110℃の
温度範囲で撹拌することを含む。好適な溶剤は前述のも
のである。生成物はデカンテーション又はろ過のいずれ
かにより単離される。残分はアルカノールを用いて洗浄
することにより精製可能であり、高減圧下で乾燥され
る。
【0041】前記の新規な改質された物質は、プロキラ
ルな炭素二重結合及び炭素/ヘテロ原子二重結合を含む
化合物、典型的にはC=C、C=N、C=O、C=C−
N、及びC=C−Oから選択された基を含む化合物のエ
ナンチオ選択性水素化のための不均一系触媒としての使
用に極めて好適である(ケイ・イー・ケーニッヒ(K.E.
Koenig )、「不斉均一系触媒作用の応用可能性(The
Applicability of Asymmetric Homogencous Catalysi
s)、ジェームス・ディー・モリソン(James D. Morriso
n)編集、「不斉合成(Asymmetric Synthesis)」第5
巻、アカデミックプレス、1985年参照)。そのよう
な化合物の例はプロキラルなイミン及びケトンである。
前記の新規な触媒は、反応後の反応混合物からデカンテ
ーション又はろ過などにより、簡単に、ほとんど完全に
分離して、続いて再使用することが可能である。他の公
知の均一系触媒に比べて、活性は全く失われないか、又
は少しばかり失われるが、所望ならば、新しい触媒を小
量添加することにより補うことが可能である。さらに、
選択性(光学収率)が、均一系触媒のそれと匹敵するほ
ど得られる。新規なイリジウム触媒を用いたN−アリー
ルケチミンの水素化において、驚くべきことに、該新規
な触媒は、ヨーロッパ特許公開公報第0256982号
及び第0301457号に開示されている均一系イリジ
ウム触媒と比べて、それに匹敵する選択性とともに、よ
り高い触媒活性と実質的に低い失活さえも示すことが見
出された。
ルな炭素二重結合及び炭素/ヘテロ原子二重結合を含む
化合物、典型的にはC=C、C=N、C=O、C=C−
N、及びC=C−Oから選択された基を含む化合物のエ
ナンチオ選択性水素化のための不均一系触媒としての使
用に極めて好適である(ケイ・イー・ケーニッヒ(K.E.
Koenig )、「不斉均一系触媒作用の応用可能性(The
Applicability of Asymmetric Homogencous Catalysi
s)、ジェームス・ディー・モリソン(James D. Morriso
n)編集、「不斉合成(Asymmetric Synthesis)」第5
巻、アカデミックプレス、1985年参照)。そのよう
な化合物の例はプロキラルなイミン及びケトンである。
前記の新規な触媒は、反応後の反応混合物からデカンテ
ーション又はろ過などにより、簡単に、ほとんど完全に
分離して、続いて再使用することが可能である。他の公
知の均一系触媒に比べて、活性は全く失われないか、又
は少しばかり失われるが、所望ならば、新しい触媒を小
量添加することにより補うことが可能である。さらに、
選択性(光学収率)が、均一系触媒のそれと匹敵するほ
ど得られる。新規なイリジウム触媒を用いたN−アリー
ルケチミンの水素化において、驚くべきことに、該新規
な触媒は、ヨーロッパ特許公開公報第0256982号
及び第0301457号に開示されている均一系イリジ
ウム触媒と比べて、それに匹敵する選択性とともに、よ
り高い触媒活性と実質的に低い失活さえも示すことが見
出された。
【0042】別の態様においては、本発明は炭素二重結
合又は炭素/ヘテロ原子二重結合を含むプロキラルな化
合物、典型的にはC=C、C=N、C=O、C=C−
N、又はC=C−O基を含むプロキラルな化合物の、不
斉水素化用の不均一系触媒としての式(IV)又は(IVa)
の固体キャリヤ物質の使用に関する。非対称炭素二重結
合、ケチミン及びケトンの水素化への使用が好ましい。
イリジウム触媒として得られた式(IV)又(IVa)の新規
な固体キャリヤ物質を、プロキラルなN−アリールケチ
ミンの光学活性第二級アミンへの水素化に用いることも
好ましい。ロジウム触媒として得られる式(IV)又は
(IVa)の新規な固体キャリヤ物質は、炭素二重結合、例
えばプロキラルな炭素二重結合の水素化に用いることが
好ましい。
合又は炭素/ヘテロ原子二重結合を含むプロキラルな化
合物、典型的にはC=C、C=N、C=O、C=C−
N、又はC=C−O基を含むプロキラルな化合物の、不
斉水素化用の不均一系触媒としての式(IV)又は(IVa)
の固体キャリヤ物質の使用に関する。非対称炭素二重結
合、ケチミン及びケトンの水素化への使用が好ましい。
イリジウム触媒として得られた式(IV)又(IVa)の新規
な固体キャリヤ物質を、プロキラルなN−アリールケチ
ミンの光学活性第二級アミンへの水素化に用いることも
好ましい。ロジウム触媒として得られる式(IV)又は
(IVa)の新規な固体キャリヤ物質は、炭素二重結合、例
えばプロキラルな炭素二重結合の水素化に用いることが
好ましい。
【0043】さらに他の態様においては、本発明は炭素
二重結合又は炭素/ヘテロ原子二重結合を含む化合物の
不斉水素化方法であって、該化合物を−20〜+80℃
の温度範囲で、水素圧105 〜107Pa 下、式(IV) 又
は式(IVa)の固体キャリヤ物質の触媒量の存在下で水素
化することを含む方法に関する。
二重結合又は炭素/ヘテロ原子二重結合を含む化合物の
不斉水素化方法であって、該化合物を−20〜+80℃
の温度範囲で、水素圧105 〜107Pa 下、式(IV) 又
は式(IVa)の固体キャリヤ物質の触媒量の存在下で水素
化することを含む方法に関する。
【0044】好ましい化合物はすでに述べた。非対称ケ
チミン及びケトンは公知である。好適なN−アリールケ
チミンは、例えばヨーロッパ特許公開公報第02569
82号に開示されている。N−脂肪族ケチミンは、例え
ばヨーロッパ特許公開公報第0301457号に開示さ
れている。イミンは、公知であり場合により市販されて
いるか又は公知な方法により得られる対応する非対称ケ
トンから、合成可能である。好適な未置換又は置換のア
ルケンは、さきに引用されたケイ・イー・ケーニッヒ
(K.E. Koenig )による出版物に記載されている。
チミン及びケトンは公知である。好適なN−アリールケ
チミンは、例えばヨーロッパ特許公開公報第02569
82号に開示されている。N−脂肪族ケチミンは、例え
ばヨーロッパ特許公開公報第0301457号に開示さ
れている。イミンは、公知であり場合により市販されて
いるか又は公知な方法により得られる対応する非対称ケ
トンから、合成可能である。好適な未置換又は置換のア
ルケンは、さきに引用されたケイ・イー・ケーニッヒ
(K.E. Koenig )による出版物に記載されている。
【0045】前記の方法は、−20〜50℃の温度範囲
で、好ましくは水素圧1×105 〜6×106Pa 下で行
うことが好ましい。
で、好ましくは水素圧1×105 〜6×106Pa 下で行
うことが好ましい。
【0046】触媒の量は、水素化されて固体キャリヤ物
質上に固定された活性触媒成分になるべき化合物のモル
比が、好ましくは2,000〜40、最も好ましくは8
00〜50となるように選択されることが好ましいであ
ろう。
質上に固定された活性触媒成分になるべき化合物のモル
比が、好ましくは2,000〜40、最も好ましくは8
00〜50となるように選択されることが好ましいであ
ろう。
【0047】好ましい方法は、特に新規なイリジウム触
媒を用いる時に、さらにアンモニウムもしくはアルカリ
金属の塩化物、臭化物、又はヨウ化物を用いることを含
む。その量は、固体キャリヤ物質に固定された活性触媒
成分に対して0.1〜100当量、好ましくは1〜50
当量、最も好ましくは2〜20当量であってよい。ヨウ
化物の添加が好ましい。アンモニウムはアルキル部分に
1〜6個の炭素原子を含むテトラアルキルアンモニウム
が好ましい。好ましいアルカリ金属は、リチウム、ナト
リウム、又はカリウムである。
媒を用いる時に、さらにアンモニウムもしくはアルカリ
金属の塩化物、臭化物、又はヨウ化物を用いることを含
む。その量は、固体キャリヤ物質に固定された活性触媒
成分に対して0.1〜100当量、好ましくは1〜50
当量、最も好ましくは2〜20当量であってよい。ヨウ
化物の添加が好ましい。アンモニウムはアルキル部分に
1〜6個の炭素原子を含むテトラアルキルアンモニウム
が好ましい。好ましいアルカリ金属は、リチウム、ナト
リウム、又はカリウムである。
【0048】水素化は溶剤なしで、又は溶剤の存在下で
行うことができる。好適な溶剤は、単独で又は混合物で
用いてもよいが、典型的には、脂肪族又は芳香族炭化水
素(ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン)、アルコ
ール(メタノール、プロパノール、ブタノール、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル)、エーテル(ジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン)、ハロゲン化炭化水
素(塩化メチレン、クロロホルム、1,1,2,2−テ
トラクロロエタン、クロロベンゼン)、カルボキシレー
ト及びラクトン(エチルアセテート、ブチルラクトン、
バレロラクトン)、ならびにN−置換された酸アミド及
びラクタム(ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリ
ジン)である。
行うことができる。好適な溶剤は、単独で又は混合物で
用いてもよいが、典型的には、脂肪族又は芳香族炭化水
素(ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン)、アルコ
ール(メタノール、プロパノール、ブタノール、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル)、エーテル(ジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン)、ハロゲン化炭化水
素(塩化メチレン、クロロホルム、1,1,2,2−テ
トラクロロエタン、クロロベンゼン)、カルボキシレー
ト及びラクトン(エチルアセテート、ブチルラクトン、
バレロラクトン)、ならびにN−置換された酸アミド及
びラクタム(ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリ
ジン)である。
【0049】
【発明の効果】本発明の水素化方法により、特に薬剤及
び農薬の部門において、生物学的に活性を有する化合物
の合成用の有用な中間物である、光学的に純粋な化合物
を得ることができる。このようにして、例えば、雑草防
除に使用可能な除草剤としての活性を有する5−イミダ
ゾールカルボン酸誘導体(ヨーロッパ特許公開公報第0
207563号)をアミン、特にN−カルボアルコキシ
メチルアミンから得ることができる。光学的に純粋なα
−アミノカルボン酸エステルは、ペプチド合成に好適で
ある。
び農薬の部門において、生物学的に活性を有する化合物
の合成用の有用な中間物である、光学的に純粋な化合物
を得ることができる。このようにして、例えば、雑草防
除に使用可能な除草剤としての活性を有する5−イミダ
ゾールカルボン酸誘導体(ヨーロッパ特許公開公報第0
207563号)をアミン、特にN−カルボアルコキシ
メチルアミンから得ることができる。光学的に純粋なα
−アミノカルボン酸エステルは、ペプチド合成に好適で
ある。
【0050】
【実施例】以下の実施例は、本発明をより詳細に説明す
るものである。反応はアルゴン下で行った。NMRスペ
クトルは250MHz分光光度計を用いて記録した。
るものである。反応はアルゴン下で行った。NMRスペ
クトルは250MHz分光光度計を用いて記録した。
【0051】A)出発原料の合成 実施例A1:(2S,4S)−N−[(1′−トリエト
キシシリルプロプ−3′−イル)アミノカルボニル]−
2−(ジフェニル)ホスフィンメチル−4−ジフェニル
ホスフィンピロリジン 505mg(1.1mmol)の(2S,4S)−2−(ジフ
ェニルホスフィン)−4−(ジフェニルホスフィン)メ
チルピロリジン(PPM)を、丸底フラスコ中の10ml
のトルエンに溶解した。次に306mg(1.2mmol)の
1−トリエトキシシリル−3−イソシアナトプロパンを
滴下し、溶液を44℃で60分撹拌した。冷却後、溶媒
を回転蒸発器により40℃で除去し、残留物を高減圧下
で3時間保持し、依然としていくらかのトルエンを含有
するやや黄色味を帯びた870mgの粘稠な油を得た。該
未精製生成物は、それ以後の反応において直接使用する
ことができる。精製はカラムクロマトグラフィー(メル
ク(Merck)60シリカゲル、ジエチルエーテルを用いた
溶離)によった。質量スペクトル:700(M+).31P
−NMR(CDCl3):−8.79(s),−22.9
0(s). 1H−NMR(CDCl3):4.08(t,
1H,NHCO).
キシシリルプロプ−3′−イル)アミノカルボニル]−
2−(ジフェニル)ホスフィンメチル−4−ジフェニル
ホスフィンピロリジン 505mg(1.1mmol)の(2S,4S)−2−(ジフ
ェニルホスフィン)−4−(ジフェニルホスフィン)メ
チルピロリジン(PPM)を、丸底フラスコ中の10ml
のトルエンに溶解した。次に306mg(1.2mmol)の
1−トリエトキシシリル−3−イソシアナトプロパンを
滴下し、溶液を44℃で60分撹拌した。冷却後、溶媒
を回転蒸発器により40℃で除去し、残留物を高減圧下
で3時間保持し、依然としていくらかのトルエンを含有
するやや黄色味を帯びた870mgの粘稠な油を得た。該
未精製生成物は、それ以後の反応において直接使用する
ことができる。精製はカラムクロマトグラフィー(メル
ク(Merck)60シリカゲル、ジエチルエーテルを用いた
溶離)によった。質量スペクトル:700(M+).31P
−NMR(CDCl3):−8.79(s),−22.9
0(s). 1H−NMR(CDCl3):4.08(t,
1H,NHCO).
【0052】実施例A2:(2S,4S)−N[(1′
−トリエトキシシリルウンデク−11′−イル)アミノ
カルボニル]−2−(ジフェニルホスフィン)−メチル
−4−ジフェニルホスフィンピロリジン 5mlの乾燥した塩化メチレン中の505mg(1.11mm
ol)のPPMの溶液に420mg(1.1mmol)の1−ト
リエトキシシリル−11−イソシアナトウンデカンを添
加し、混合物を室温で20時間撹拌した。該溶液を直接
カラム(メルク(Merck)60シリカゲル)に仕込み、ク
ロマトグラフィー(ジエチルエーテルを用いた溶離)を
行った。画分を減圧下、回転蒸発器により40℃で濃縮
し、高減圧下で乾燥させ、860mg(95%)の無色の
油を得た。質量スペクトル:812(M+).31P−NM
R(CDCl3):−8.78(s),−22.92
(s).
−トリエトキシシリルウンデク−11′−イル)アミノ
カルボニル]−2−(ジフェニルホスフィン)−メチル
−4−ジフェニルホスフィンピロリジン 5mlの乾燥した塩化メチレン中の505mg(1.11mm
ol)のPPMの溶液に420mg(1.1mmol)の1−ト
リエトキシシリル−11−イソシアナトウンデカンを添
加し、混合物を室温で20時間撹拌した。該溶液を直接
カラム(メルク(Merck)60シリカゲル)に仕込み、ク
ロマトグラフィー(ジエチルエーテルを用いた溶離)を
行った。画分を減圧下、回転蒸発器により40℃で濃縮
し、高減圧下で乾燥させ、860mg(95%)の無色の
油を得た。質量スペクトル:812(M+).31P−NM
R(CDCl3):−8.78(s),−22.92
(s).
【0053】実施例A3:(3R,4R)−N−
[(1′−トリエトキシシリルプロプ−3′−イル)ア
ミノカルボニル]−3,4−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)ピロリジン 5mlの塩化メチレン中の494mg(2mmol)の1−トリ
エトキシシリル−3−イソシアナトプロパンの溶液を5
mlの乾燥した塩化メチレン中の790mg(1.8mmol)
の(3R,4R)−3,4−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)ピロリジンの溶液に滴下し、混合物を室温で20時
間撹拌した。次に溶媒を減圧下、回転蒸発器で除去し、
残留物を高減圧下で乾燥させた。該粘稠な油を10mlの
ヘキサン中で撹拌し、白い沈殿物をろ過により単離し、
ヘキサンを用いて洗浄し、高減圧下で乾燥させた。収
率:95%、31P−NMR(CDCl3):−11.7
(s). 1H−NMR(CDCl3):3.16(m,2
H,CH 2 NH).
[(1′−トリエトキシシリルプロプ−3′−イル)ア
ミノカルボニル]−3,4−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)ピロリジン 5mlの塩化メチレン中の494mg(2mmol)の1−トリ
エトキシシリル−3−イソシアナトプロパンの溶液を5
mlの乾燥した塩化メチレン中の790mg(1.8mmol)
の(3R,4R)−3,4−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)ピロリジンの溶液に滴下し、混合物を室温で20時
間撹拌した。次に溶媒を減圧下、回転蒸発器で除去し、
残留物を高減圧下で乾燥させた。該粘稠な油を10mlの
ヘキサン中で撹拌し、白い沈殿物をろ過により単離し、
ヘキサンを用いて洗浄し、高減圧下で乾燥させた。収
率:95%、31P−NMR(CDCl3):−11.7
(s). 1H−NMR(CDCl3):3.16(m,2
H,CH 2 NH).
【0054】実施例A4:(3R,4R)−N−
[(1′−トリエトキシシリウンデク−11′−イル]
アミノカルボニル]−3,4−ビス(ジフェニルホスフ
ィン)ピロリジン 870mg(2.42mmol)の1−トリエトキシシリル−
11−イソシアナトウンデカンを5mlの乾燥した塩化メ
チレン中の1,011mg(2.3mmol)の(3R,4
R)−ビス(ジフェニルホスフィン)ピロリジンの溶液
に滴下し、混合物を室温で20時間撹拌した。次に混合
物を直接カラム(メルク(Merck)60シリカゲル)に仕
込み、クロマトグラフィー(ジエチルエーテルを用いた
溶離)を行った。画分の溶媒を減圧下、回転蒸発器によ
り40℃で除去し、残留物を高減圧下で乾燥させ、1.
57g(79%)の無色の油を得た。31P−NMR(CD
Cl3):−11.66(s). 1H−NMR(CDCl
3):3.16−(m,2H,CH2 NH).
[(1′−トリエトキシシリウンデク−11′−イル]
アミノカルボニル]−3,4−ビス(ジフェニルホスフ
ィン)ピロリジン 870mg(2.42mmol)の1−トリエトキシシリル−
11−イソシアナトウンデカンを5mlの乾燥した塩化メ
チレン中の1,011mg(2.3mmol)の(3R,4
R)−ビス(ジフェニルホスフィン)ピロリジンの溶液
に滴下し、混合物を室温で20時間撹拌した。次に混合
物を直接カラム(メルク(Merck)60シリカゲル)に仕
込み、クロマトグラフィー(ジエチルエーテルを用いた
溶離)を行った。画分の溶媒を減圧下、回転蒸発器によ
り40℃で除去し、残留物を高減圧下で乾燥させ、1.
57g(79%)の無色の油を得た。31P−NMR(CD
Cl3):−11.66(s). 1H−NMR(CDCl
3):3.16−(m,2H,CH2 NH).
【0055】B)固定された配位子を有するキャリア物
質の合成 実施例B1:シリカゲル表面の化合物A1 撹拌しながら、2.5g のシリカゲル(メルク(Merck)
100)を130℃で高真空下で乾燥させ、次にアルゴ
ン下で室温まで冷却した。次に、15mlの乾燥し、脱ガ
スしたトルエン中の260mgの化合物A1の溶液を添加
し、混合物を70℃でゆっくりと5.5時間撹拌した。
冷却後、上澄み溶液を減圧ろ過によりシリカゲルから除
去し、該シリカゲルを脱ガスしたメタノールで5回洗浄
し、次に高減圧下、30℃で乾燥させた。元素分析によ
れば、シリカゲル1g 当たり111μmol の固定された
化合物A1に相当するリン含有量0.69%を示した。
質の合成 実施例B1:シリカゲル表面の化合物A1 撹拌しながら、2.5g のシリカゲル(メルク(Merck)
100)を130℃で高真空下で乾燥させ、次にアルゴ
ン下で室温まで冷却した。次に、15mlの乾燥し、脱ガ
スしたトルエン中の260mgの化合物A1の溶液を添加
し、混合物を70℃でゆっくりと5.5時間撹拌した。
冷却後、上澄み溶液を減圧ろ過によりシリカゲルから除
去し、該シリカゲルを脱ガスしたメタノールで5回洗浄
し、次に高減圧下、30℃で乾燥させた。元素分析によ
れば、シリカゲル1g 当たり111μmol の固定された
化合物A1に相当するリン含有量0.69%を示した。
【0056】実施例B2:シリカゲル表面の化合物A3 撹拌しながら、3g のシリカゲル(メルク(Merck)10
0)を高減圧下、130℃で乾燥させ、次にアルゴン下
で室温まで冷却した。次に、19mlの乾燥したトルエン
中の295mgの化合物A3の溶液を添加し、混合物を7
0℃でゆっくりと4時間撹拌した。冷却後、上澄み溶液
を減圧ろ過によりシリカゲルから除去し、該シリカゲル
を20mlの脱ガスしたメタノールで5回洗浄し、次に高
減圧下で乾燥させた。元素分析によれば、シリカゲル1
g 当たり88.7μmol の固定された化合物A3に相当
するリン含有量0.55%を示した。
0)を高減圧下、130℃で乾燥させ、次にアルゴン下
で室温まで冷却した。次に、19mlの乾燥したトルエン
中の295mgの化合物A3の溶液を添加し、混合物を7
0℃でゆっくりと4時間撹拌した。冷却後、上澄み溶液
を減圧ろ過によりシリカゲルから除去し、該シリカゲル
を20mlの脱ガスしたメタノールで5回洗浄し、次に高
減圧下で乾燥させた。元素分析によれば、シリカゲル1
g 当たり88.7μmol の固定された化合物A3に相当
するリン含有量0.55%を示した。
【0057】実施例B3:シリカゲル表面の化合物A4 実施例B2の手順を、化合物A4を用いて繰り返した。
元素分析によれば、シリカゲル1g 当たり48μmol の
固定された化合物A4に相当するリン含有量0.3%を
示した。
元素分析によれば、シリカゲル1g 当たり48μmol の
固定された化合物A4に相当するリン含有量0.3%を
示した。
【0058】実施例B4:シリカゲル表面の化合物A1
(配位子添加量大) 撹拌しながら、1.5g のシリカゲル(メルク(Merck)
100)を50mlガラス管反応器中で、高減圧下、13
0℃で乾燥させ、次にアルゴン下で室温まで冷却させ
た。次に7.5mlの乾燥し、脱ガスしたトルエン中の4
07mg(0.581mmol)の化合物A1の溶液を添加
し、混合物を90℃でゆっくり16時間撹拌した。冷却
後、上澄み溶液を真空ろ過によりシリカゲルから除去
し、該シリカゲルを脱ガスしたメタノールを用いて5回
洗浄し、次に高減圧下、30℃で乾燥させた。元素分析
によれば、シリカゲル1g 当たり204μmol の固定さ
れた化合物A1に相当するリン含有量1.27%を示し
た。
(配位子添加量大) 撹拌しながら、1.5g のシリカゲル(メルク(Merck)
100)を50mlガラス管反応器中で、高減圧下、13
0℃で乾燥させ、次にアルゴン下で室温まで冷却させ
た。次に7.5mlの乾燥し、脱ガスしたトルエン中の4
07mg(0.581mmol)の化合物A1の溶液を添加
し、混合物を90℃でゆっくり16時間撹拌した。冷却
後、上澄み溶液を真空ろ過によりシリカゲルから除去
し、該シリカゲルを脱ガスしたメタノールを用いて5回
洗浄し、次に高減圧下、30℃で乾燥させた。元素分析
によれば、シリカゲル1g 当たり204μmol の固定さ
れた化合物A1に相当するリン含有量1.27%を示し
た。
【0059】C)触媒の合成 実施例C1:煙霧質シリカ表面の化合物A1を有するロ
ジウム触媒 丸底フラスコ中で、0.7g の煙霧質シリカ(アエロシ
ル(Aerosil) MOX 170、Degussa)を高減圧下、アルゴ
ンを用いて繰り返し脱ガスし、アルゴン雰囲気下に置い
た。第2のフラスコ中で、58.9mg(0.084mmo
l)の化合物A1及び17.3mg(0.035mmol)の
[Rh(シクロオクタジエン)Cl]2を高減圧下でアル
ゴンを用いて繰り返し脱ガスし、次にアルゴン下で20
mlの乾燥したトルエン中に溶解した。溶液を前記の煙霧
質シリカに添加し、混合物を60℃でゆっくりと5.5
時間撹拌した。冷却後、混合物を遠心分離し、上澄み溶
液をストリッピングにより除いた。残留物を8mlのメタ
ノールで5回洗浄し、次に高減圧下、30℃で乾燥させ
た。元素分析によれば、煙霧質シリカ1g 当たり121
μmol の固定された化合物A1及び煙霧質シリカ1g 当
たり92μmol のロジウム錯体に相当するリン含有量
0.75%及びロジウム含有量0.95%を示した。
ジウム触媒 丸底フラスコ中で、0.7g の煙霧質シリカ(アエロシ
ル(Aerosil) MOX 170、Degussa)を高減圧下、アルゴ
ンを用いて繰り返し脱ガスし、アルゴン雰囲気下に置い
た。第2のフラスコ中で、58.9mg(0.084mmo
l)の化合物A1及び17.3mg(0.035mmol)の
[Rh(シクロオクタジエン)Cl]2を高減圧下でアル
ゴンを用いて繰り返し脱ガスし、次にアルゴン下で20
mlの乾燥したトルエン中に溶解した。溶液を前記の煙霧
質シリカに添加し、混合物を60℃でゆっくりと5.5
時間撹拌した。冷却後、混合物を遠心分離し、上澄み溶
液をストリッピングにより除いた。残留物を8mlのメタ
ノールで5回洗浄し、次に高減圧下、30℃で乾燥させ
た。元素分析によれば、煙霧質シリカ1g 当たり121
μmol の固定された化合物A1及び煙霧質シリカ1g 当
たり92μmol のロジウム錯体に相当するリン含有量
0.75%及びロジウム含有量0.95%を示した。
【0060】実施例C2:シリカゲル表面の化合物A3
を有するロジウム触媒 撹拌しながら、1.3g のシリカゲル(メルク(Merck)
100)を丸底フラスコ中、高減圧下において130℃
で3時間乾燥させ、次にアルゴン下に置き、室温まで冷
却した。第2の丸底フラスコ中で、118mg(0.17
2mmol)の化合物A3及び54mg(0.143mmol)の
Rh(ノルボルナジエン)2BF4 を高減圧下でアルゴン
を用いて繰り返し脱ガスし、8mlの乾燥したトルエン及
び1mlの乾燥したメタノール中に溶解した。溶液をシリ
カゲルに添加し、混合物を55℃でゆっくりと4.5時
間撹拌した。冷却及び沈降後、上澄み溶液をストリッピ
ングにより除き、残留物を5mlのメタノールを用いて5
回洗浄し、次に高減圧下、30℃で乾燥させた。元素分
析によれば、シリカゲル1g 当たり121μmolの固定
された化合物A3及びシリカゲル1g 当たり92μmol
のロジウム錯体に相当するリン含有量0.75%及びロ
ジウム含有量0.95%を示した。
を有するロジウム触媒 撹拌しながら、1.3g のシリカゲル(メルク(Merck)
100)を丸底フラスコ中、高減圧下において130℃
で3時間乾燥させ、次にアルゴン下に置き、室温まで冷
却した。第2の丸底フラスコ中で、118mg(0.17
2mmol)の化合物A3及び54mg(0.143mmol)の
Rh(ノルボルナジエン)2BF4 を高減圧下でアルゴン
を用いて繰り返し脱ガスし、8mlの乾燥したトルエン及
び1mlの乾燥したメタノール中に溶解した。溶液をシリ
カゲルに添加し、混合物を55℃でゆっくりと4.5時
間撹拌した。冷却及び沈降後、上澄み溶液をストリッピ
ングにより除き、残留物を5mlのメタノールを用いて5
回洗浄し、次に高減圧下、30℃で乾燥させた。元素分
析によれば、シリカゲル1g 当たり121μmolの固定
された化合物A3及びシリカゲル1g 当たり92μmol
のロジウム錯体に相当するリン含有量0.75%及びロ
ジウム含有量0.95%を示した。
【0061】実施例C3:シリカゲル表面の化合物A3
を有するロジウム触媒 実施例C2の手順を、溶媒として8mlのメタノールのみ
を用いて繰り返した。元素分析によれば、シリカゲル1
g 当たり53μmol の固定された化合物A3及びシリカ
ゲル1g 当たり44μmol のロジウム錯体に相当するリ
ン含有量0.33%及びロジウム含有量0.45%を示
した。
を有するロジウム触媒 実施例C2の手順を、溶媒として8mlのメタノールのみ
を用いて繰り返した。元素分析によれば、シリカゲル1
g 当たり53μmol の固定された化合物A3及びシリカ
ゲル1g 当たり44μmol のロジウム錯体に相当するリ
ン含有量0.33%及びロジウム含有量0.45%を示
した。
【0062】D)使用例 実施例D1:ロジウム触媒C2を用いた(Z)−アセト
アミドケイ皮酸メチルの水素化 44.4mg(4.1μmol)のロジウム錯体C2を秤量し
てガラス反応器に入れ、13.5mlのメタノール中の
4.1mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチルの溶
液をアルゴン下で添加した。混合物をアルゴン圧下で毛
管によって50ml鋼製オートクレーブ中に導入した。水
素を用いてフラッシュし、減圧にすることを3回行った
後で、水素圧を5.8×106Pa に設定した。水素化は
撹拌機を作動させることにより開始させた。転化率は圧
力の減少により測定し、ガスクロマトグラフィーにより
分析した。転化率は85分後に100%になり、エナン
チオマー過剰率(ee)は85.8%であった。
アミドケイ皮酸メチルの水素化 44.4mg(4.1μmol)のロジウム錯体C2を秤量し
てガラス反応器に入れ、13.5mlのメタノール中の
4.1mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチルの溶
液をアルゴン下で添加した。混合物をアルゴン圧下で毛
管によって50ml鋼製オートクレーブ中に導入した。水
素を用いてフラッシュし、減圧にすることを3回行った
後で、水素圧を5.8×106Pa に設定した。水素化は
撹拌機を作動させることにより開始させた。転化率は圧
力の減少により測定し、ガスクロマトグラフィーにより
分析した。転化率は85分後に100%になり、エナン
チオマー過剰率(ee)は85.8%であった。
【0063】反応溶液をアルゴン下でシリンジを用いて
膜を介して引き出した。膜上の触媒は、その後で、新し
い反応溶液(13.5mlのメタノール中の4.1mmolの
(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチル)を用いてオート
クレーブに戻し、同一の条件下で水素化を行った。転化
率は210分後に100%となり、eeは84.3%であ
った。
膜を介して引き出した。膜上の触媒は、その後で、新し
い反応溶液(13.5mlのメタノール中の4.1mmolの
(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチル)を用いてオート
クレーブに戻し、同一の条件下で水素化を行った。転化
率は210分後に100%となり、eeは84.3%であ
った。
【0064】実施例D2:ロジウム触媒C3を用いた
(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチルの水素化 実施例D1の手順を、32μmol のロジウム触媒C3及
び11mlのメタノール中の3.25mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルを用いて繰り返した。転化率は
60分後に100%になり、eeは86.6%であった。
(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチルの水素化 実施例D1の手順を、32μmol のロジウム触媒C3及
び11mlのメタノール中の3.25mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルを用いて繰り返した。転化率は
60分後に100%になり、eeは86.6%であった。
【0065】触媒をD1と同様にして再使用した。転化
率は90分後に100%になり、eeは86.7%であっ
た。
率は90分後に100%になり、eeは86.7%であっ
た。
【0066】実施例D3:現場での触媒の合成 丸底フラスコ中で、169mg(18.8μmol)の実施例
B1のキャリア物質を5.3l のテトラヒドロフランに
溶解した。別の丸底フラスコ中で、13.4μmol のR
h(ノルボルナジエン)2BF4 を2.7mlの脱ガスした
メタノール中に溶解した。両方の混合物を一緒にし、溶
液が脱色するまで撹拌した。次に16mlのメタノール中
の2.69mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチル
の溶液をこの混合物に添加した。混合物を減圧にし、水
素を用いて3回フラッシュし、水素圧を105Pa に設定
した。次にバッチを激しく撹拌した。転化率は32分後
に99.9%になり、eeは93.5%であった。
B1のキャリア物質を5.3l のテトラヒドロフランに
溶解した。別の丸底フラスコ中で、13.4μmol のR
h(ノルボルナジエン)2BF4 を2.7mlの脱ガスした
メタノール中に溶解した。両方の混合物を一緒にし、溶
液が脱色するまで撹拌した。次に16mlのメタノール中
の2.69mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチル
の溶液をこの混合物に添加した。混合物を減圧にし、水
素を用いて3回フラッシュし、水素圧を105Pa に設定
した。次にバッチを激しく撹拌した。転化率は32分後
に99.9%になり、eeは93.5%であった。
【0067】触媒の再使用:反応溶液をストリッピング
により触媒から除き、次に2.69mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルの溶液を添加した。水素圧を1
05Pa に設定し、バッチを激しく撹拌した。転化率は1
6分後に100%になり、eeは94.8%であった。
により触媒から除き、次に2.69mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルの溶液を添加した。水素圧を1
05Pa に設定し、バッチを激しく撹拌した。転化率は1
6分後に100%になり、eeは94.8%であった。
【0068】実施例D4:触媒の現場合成 150mg(17μmol)の実施例B1のキャリア物質を、
アルゴン下で丸底フラスコに仕込み、第2の丸底フラス
コ中で、6.8μmol の[Rh(シクロオクタジエン)
Cl]2をアルゴン下で2.5mlのトルエンに溶解し、次
に溶液を第1のフラスコ中に滴下した。その後で、混合
物を溶液が脱色するまで撹拌し、次に22mlのエタノー
ル中の2.72mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メ
チルの溶液を滴下した。混合物を減圧にし、次に水素を
用いて3回フラッシュし、水素圧を105Pa に設定し
た。次にバッチを激しく撹拌した。転化率は75分後に
99.6%になり、eeは85%であった。
アルゴン下で丸底フラスコに仕込み、第2の丸底フラス
コ中で、6.8μmol の[Rh(シクロオクタジエン)
Cl]2をアルゴン下で2.5mlのトルエンに溶解し、次
に溶液を第1のフラスコ中に滴下した。その後で、混合
物を溶液が脱色するまで撹拌し、次に22mlのエタノー
ル中の2.72mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メ
チルの溶液を滴下した。混合物を減圧にし、次に水素を
用いて3回フラッシュし、水素圧を105Pa に設定し
た。次にバッチを激しく撹拌した。転化率は75分後に
99.6%になり、eeは85%であった。
【0069】触媒の再使用:反応溶液をストリッピング
により触媒から除き、次に2.72mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルの溶液を添加した。水素化は水
素圧105Pa 下で前述のようにして行った。転化率は3
2分後に99%になり、eeは82.5%であった。
により触媒から除き、次に2.72mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルの溶液を添加した。水素化は水
素圧105Pa 下で前述のようにして行った。転化率は3
2分後に99%になり、eeは82.5%であった。
【0070】実施例D5:触媒の現場合成 53.1mg(4.7μmol)の実施例B2のキャリア物質
を秤量して、アルゴン下で丸底フラスコ中に入れ、第2
の丸底フラスコ中で、3.9μmol の[Rh(ノルボル
ナジエン)2]BF4 をアルゴン下で1.5mlのメタノー
ル中に溶解し、溶液を第1のフラスコ中に滴下した。次
にバッチを撹拌して溶液を脱色した。12mlのメタノー
ル中の4mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチルの
溶液をこの溶液に添加し、混合物を圧力下で50ml鋼製
オートクレーブ中に導入した。圧力を開放し、混合物を
5×106Pa の圧力下で水素を用いて3回フラッシュ
し、最後に水素圧を5.8×106Pa に設定した。バッ
チを次に激しく撹拌した。転化率は40分後に100%
になり、eeは88%であった。
を秤量して、アルゴン下で丸底フラスコ中に入れ、第2
の丸底フラスコ中で、3.9μmol の[Rh(ノルボル
ナジエン)2]BF4 をアルゴン下で1.5mlのメタノー
ル中に溶解し、溶液を第1のフラスコ中に滴下した。次
にバッチを撹拌して溶液を脱色した。12mlのメタノー
ル中の4mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチルの
溶液をこの溶液に添加し、混合物を圧力下で50ml鋼製
オートクレーブ中に導入した。圧力を開放し、混合物を
5×106Pa の圧力下で水素を用いて3回フラッシュ
し、最後に水素圧を5.8×106Pa に設定した。バッ
チを次に激しく撹拌した。転化率は40分後に100%
になり、eeは88%であった。
【0071】触媒の再使用:反応溶液を膜を介して抜き
出し、触媒を12mlのメタノール中の4mmolの(Z)−
アセトアミドケイ皮酸メチルの溶液を用いてオートクレ
ーブ中に戻した。水素化は前記のようにして行った。転
化率は78分後に100%になり、eeは87.3%であ
った。
出し、触媒を12mlのメタノール中の4mmolの(Z)−
アセトアミドケイ皮酸メチルの溶液を用いてオートクレ
ーブ中に戻した。水素化は前記のようにして行った。転
化率は78分後に100%になり、eeは87.3%であ
った。
【0072】実施例D6:現場での触媒の合成 実施例D4の手順を、2.9μmol の実施例B3のキャ
リア物質、0.9mlのメタノール中の2.4μmol の
[Rh(ノルボルナジエン)2]BF4 、及び14.3ml
のメタノール中の4.8mmolの(Z)−アセトアミドケ
イ皮酸メチルを用いて繰り返した。転化率は95分後に
100%になり、eeは85.5%であった。
リア物質、0.9mlのメタノール中の2.4μmol の
[Rh(ノルボルナジエン)2]BF4 、及び14.3ml
のメタノール中の4.8mmolの(Z)−アセトアミドケ
イ皮酸メチルを用いて繰り返した。転化率は95分後に
100%になり、eeは85.5%であった。
【0073】触媒の再使用:実施例D4の手順を、1
5.5mlのメタノール中の5.17mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルを用いて繰り返した。転化率は
230分後に100%になり、eeは88%であった。
5.5mlのメタノール中の5.17mmolの(Z)−アセ
トアミドケイ皮酸メチルを用いて繰り返した。転化率は
230分後に100%になり、eeは88%であった。
【0074】実施例D1ないしD6においては、転化率
は圧力の低下及びガスクロマトグラフィー(カラムSE
54.15m)により測定した。エナンチオマー過剰率
(ee)はガスクロマトグラフィー(カラムChirasil-1-V
al, 50m)により測定した。
は圧力の低下及びガスクロマトグラフィー(カラムSE
54.15m)により測定した。エナンチオマー過剰率
(ee)はガスクロマトグラフィー(カラムChirasil-1-V
al, 50m)により測定した。
【0075】実施例D7:イリジウム触媒を用いた水素
化 10.5μmol の[Ir(シクロオクタジエン)C
l]2、26.3μmol の実施例B1のキャリヤ物質、及
び42μmol のヨウ化テトラ−n−ブチルアンモニウム
を、アルゴン下で6.2mlのメタノール及び6.2mlの
ベンゼンと一緒に丸底フラスコ中に仕込み、混合物を溶
液が脱色するまで撹拌した。次に2.01g(10.5mm
ol)のN−(2,6−ジメチルフェン−1−イル)メト
キシメチル(メチル)ケチミンの溶液を滴下し、混合物
を圧力下で50ml鋼製オートクレーブ中に導入した。混
合物を減圧にし、水素を用いて3回フラッシュし、水素
圧を最後に4×106Pa に設定した。バッチを30℃で
撹拌し、水素化の過程を圧力の低下を観察して追った。
転化率はガスクロマトグラフィーで分析した。触媒はろ
過により単離し、溶媒は圧力下で回転蒸発器により反応
混合物からストリッピングした。未精製の生成物はフラ
ッシュクロマトグラフィー(シリカゲル、ヘキサン/酢
酸エチル1:1)により精製し、エナンチオマー過剰率
は旋光分析(20℃、−130.5°での(S)−エナ
ンチオマー[α]365の回転、ヘキサン中、c=3)によ
り測定した。転化は19時間後に96.5%になり、ee
は67.7%であった。
化 10.5μmol の[Ir(シクロオクタジエン)C
l]2、26.3μmol の実施例B1のキャリヤ物質、及
び42μmol のヨウ化テトラ−n−ブチルアンモニウム
を、アルゴン下で6.2mlのメタノール及び6.2mlの
ベンゼンと一緒に丸底フラスコ中に仕込み、混合物を溶
液が脱色するまで撹拌した。次に2.01g(10.5mm
ol)のN−(2,6−ジメチルフェン−1−イル)メト
キシメチル(メチル)ケチミンの溶液を滴下し、混合物
を圧力下で50ml鋼製オートクレーブ中に導入した。混
合物を減圧にし、水素を用いて3回フラッシュし、水素
圧を最後に4×106Pa に設定した。バッチを30℃で
撹拌し、水素化の過程を圧力の低下を観察して追った。
転化率はガスクロマトグラフィーで分析した。触媒はろ
過により単離し、溶媒は圧力下で回転蒸発器により反応
混合物からストリッピングした。未精製の生成物はフラ
ッシュクロマトグラフィー(シリカゲル、ヘキサン/酢
酸エチル1:1)により精製し、エナンチオマー過剰率
は旋光分析(20℃、−130.5°での(S)−エナ
ンチオマー[α]365の回転、ヘキサン中、c=3)によ
り測定した。転化は19時間後に96.5%になり、ee
は67.7%であった。
【0076】触媒の再使用:上澄み溶液を触媒からスト
リッピングし、前と同じ量のケチミンを添加した、同じ
手順を実行した。35時間後の転化率は100%にな
り、eeは51%であった。
リッピングし、前と同じ量のケチミンを添加した、同じ
手順を実行した。35時間後の転化率は100%にな
り、eeは51%であった。
【0077】実施例D8:イリジウム触媒を用いた水素
化 実施例D7の手順を、実施例B2のキャリア物質を用
い、水素圧を9×106Pa に設定して繰り返した。転化
率は6時間後に100%になり、eeは29.1%であっ
た。
化 実施例D7の手順を、実施例B2のキャリア物質を用
い、水素圧を9×106Pa に設定して繰り返した。転化
率は6時間後に100%になり、eeは29.1%であっ
た。
【0078】実施例D9:現場で調製されたロジウム触
媒を用いた水素化 78.6mg(0.016μmol )の実施例B4のキャリ
ヤ物質を秤量してアルゴン下で丸底フラスコに入れ、第
2の丸底フラスコ中で、0.0125mmolの[Rh(シ
クロオクタジエン)2]BF4 をアルゴン下で1mlのメタ
ノールに溶解し、溶液を第1のフラスコ中に滴下した。
次に、バッチを撹拌して溶液を脱色した。この混合物に
17.5mlのメタノール及び4mlのテトラヒドロフラン
中の2.5mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチル
の溶液を添加した。混合物を減圧にし、水素を用いて3
回フラッシュし、水素圧を105Pa に設定した。次にバ
ッチを激しく撹拌した。転化率は28分後に100%に
なり、eeは91.9%であった。
媒を用いた水素化 78.6mg(0.016μmol )の実施例B4のキャリ
ヤ物質を秤量してアルゴン下で丸底フラスコに入れ、第
2の丸底フラスコ中で、0.0125mmolの[Rh(シ
クロオクタジエン)2]BF4 をアルゴン下で1mlのメタ
ノールに溶解し、溶液を第1のフラスコ中に滴下した。
次に、バッチを撹拌して溶液を脱色した。この混合物に
17.5mlのメタノール及び4mlのテトラヒドロフラン
中の2.5mmolの(Z)−アセトアミドケイ皮酸メチル
の溶液を添加した。混合物を減圧にし、水素を用いて3
回フラッシュし、水素圧を105Pa に設定した。次にバ
ッチを激しく撹拌した。転化率は28分後に100%に
なり、eeは91.9%であった。
【0079】触媒の再使用:反応溶液をストリッピング
により触媒から除いた。次に17.5mlのメタノール及
び4mlのテトラヒドロフラン中の2.5mmolの(Z)−
アセトアミドケイ皮酸メチルの溶液を添加した。混合物
をいったん3回減圧にし、水素を用いてフラッシュし、
水素圧を105Pa に設定した。バッチを次に激しく撹拌
した。転化率は15分後に100%になり、eeは93.
1%であった。
により触媒から除いた。次に17.5mlのメタノール及
び4mlのテトラヒドロフラン中の2.5mmolの(Z)−
アセトアミドケイ皮酸メチルの溶液を添加した。混合物
をいったん3回減圧にし、水素を用いてフラッシュし、
水素圧を105Pa に設定した。バッチを次に激しく撹拌
した。転化率は15分後に100%になり、eeは93.
1%であった。
フロントページの続き (72)発明者 フェリックス スピンドレル スイス国 4656 スタールキルヒ−ヴィ ル ニーダーアムトシュトラーセ 415 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07F 9/572 CA(STN) REGISTRY(STN)
Claims (20)
- 【請求項1】 式(I) 【化1】 (式中、基(R1)2 P(CH2)m と(R1 )2 P(CH
2 )n は互いにオルト位又はメタ位にあり、置換基R1
は同一又は異なる基であり、m及びnは各々互いに独立
して0又は1であり、R1 は直鎖状もしくは分枝鎖状の
C1 〜C12アルキル、未置換C5 〜C6 シクロアルキ
ル、フェニル又はベンジルであり;−R2−X−は結合
であり;R3 はC2 〜C18アルキレン、フェニレン又は
ベンジレンであり;そしてR4 はC1 〜C6 アルキル又
はフェニルである)で示される化合物。 - 【請求項2】 m+nの合計が0又は1である請求項1
記載の式(I)の化合物。 - 【請求項3】 R1 がフェニルである請求項1記載の式
(1)の化合物。 - 【請求項4】 −R2 −X−が結合である請求項1記載
の式(I)の化合物。 - 【請求項5】 R3 が直鎖状又は分枝鎖状のC2 〜C12
アルキレンである請求項1記載の式(I)の化合物。 - 【請求項6】 R4 がメチル又はエチルである請求項1
記載の式(I)の化合物。 - 【請求項7】 ホスフィン(メチル)基の位置に関し、
光学活性異性体として存在する請求項1記載の化合物。 - 【請求項8】 R1 がフェニルで、−R2 −X−が結合
であり、R3 が1,3−プロピレンで、R4 がメチル又
はエチルであり;そしてmが1で、nが0であり、かつ
基(R1)2 P−及び(R1)2 PCH2 −は互いにメタ位
にあるか、又はm及びnが各々0であり、かつ基(R1)
2 P−は互いにオルト位にある請求項1記載の式(I)
の化合物。 - 【請求項9】 請求項1記載の式(I)の化合物の合成
方法であって、式(II) 【化2】 (式中、R3 及びR4 は請求項1において定義されたと
おりである)で示される化合物を、式(III) 【化3】 (式中、R1 、R2 、X、m及びnは請求項1において
定義されたとおりである)で示される化合物と反応させ
ることを含む方法。 - 【請求項10】 表面に固定されたジホスフィンロジウ
ム又はイリジウム錯体を含む固体キャリヤ物質であっ
て、式(IV)又は式(IVa) 【化4】 【化5】 〔式中、Yは2個のモノオレフィン配位子(ここで、該
モノオレフィン配位子は、炭素原子2〜6個有する)又
は1個のジエン配位子(ここで、該ジエン配位子は、開
鎖状又は環状のジエンであり、そのオレフィン基は1又
は2個の炭素原子を介して結合されている)を表わし、
MはIr(I)又はRh(I)であり;Zは−Cl、−
Br又は−Iであり;A- は、ClO4 -、CF3 S
O3 -、BF4 -、B(フェニル)4 -、PF6 -、SbC
l6 -、AsF6 -、又はSbF6 -であり;Tは固体キャリ
ヤ物質であり;rは0、1又は2であり;そしてR1 、
R2 、R3、R4 、X、m及びnは請求項1において定
義されたとおりである〕を有する固体キャリヤ物質。 - 【請求項11】 式(IV)及び式(IVa)中のYが1,5
−ヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエン、又はノ
ルボルナジエンである請求項10記載のキャリヤ物質。 - 【請求項12】 式(IV)中のZが−Cl又は−Brで
ある請求項10記載のキャリヤ物質。 - 【請求項13】 Tは、ケイ酸塩、又は半金属もしくは
金属の酸化物である請求項10記載のキャリヤ物質。 - 【請求項14】 粉体である請求項13記載のキャリヤ
物質。 - 【請求項15】 Tは、シリカゲル、煙霧質シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン、又はそれらの混合物である請求項
13記載のキャリヤ物質。 - 【請求項16】 請求項10記載の式(IV)又は式(IV
a)の固体キャリヤ物質を合成する方法であって、表面に
固定されたジホスフィンを含み、式(V) 【化6】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 、X、T、m、n及び
rは請求項10において定義されたとおりである)で示
される固体キャリヤ物質を、式[M(Y)Z]2又はM
(Y)2 +A-(式中、M、Y、Z及びA- は請求項10に
おいて定義されたとおりである)で示される金属化合物
と反応させることを含む方法。 - 【請求項17】 式(V) 【化7】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 、X、T、m、n及び
rは請求項10において定義されたとおりである)で示
される固体キャリヤ物質。 - 【請求項18】 炭素二重結合又は炭素/ヘテロ原子二
重結合を含むプロキラルな化合物の不斉水素化用の、請
求項10記載の式(IV)又は式(IVa)の固体キャリヤ物
質を含む不均一系触媒。 - 【請求項19】 非対称炭素二重結合、ケチミン、及び
ケトンの水素化用の請求項18記載の不均一系触媒。 - 【請求項20】 炭素二重結合又は炭素/ヘテロ原子二
重結合を含む化合物の水素化方法であって、該化合物を
−20〜+80℃の温度範囲で水素圧105〜107Pa
下、請求項10記載の式(IV)又は式(IVa)の固体キャ
リヤ物質の触媒量の存在下で水素化することを含む方
法。
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