JP3710846B2

JP3710846B2 - ケトイソホロン誘導体類の不斉水素化

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Publication number: JP3710846B2
Application number: JP16671795A
Authority: JP
Inventors: エミール・アルビン・ブローガー; イボ・クラメリ; ルドルフ・シュミット; テオドル・ジークフリート
Original assignee: DSM IP Assets BV
Current assignee: DSM IP Assets BV
Priority date: 1994-07-07
Filing date: 1995-07-03
Publication date: 2005-10-26
Anticipated expiration: 2015-07-03
Also published as: ES2116652T3; CN1061970C; EP0691325B1; CN1127741A; KR960004313A; DE59501886D1; US5543559A; JPH0859554A; EP0691325A1; DK0691325T3; KR100377712B1; ATE165080T1

Description

【０００１】
本発明は、ケトイソホロン誘導体のエナンチオ選択的水素化、すなわち、式（Ｉ）：
【０００２】
【化５】

【０００３】
（式中、Ｒは、低級アルキル、低級アルコキシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ¹ ₂を表し、Ｒ¹ は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素を表し、そして＊は、光学活性中心を表す）
の光学活性化合物の製造のための新規な方法に関する。
【０００４】
加水分解によってホレノール（１）に転換し、さらなる反応段階において光学活性アクチノール（２）に転換することができる式（Ｉ）の化合物は、３−ヒドロキシ−カロテノイド類、特にゼアキサンチンの製造に用いるための重要な中間体である（Helv. Chim. Acta 63 (1980), 1451）。これまで、アクチノール（２）の合成に用いるためのエダクト（educt ）として使用されるケトイソホロン（３）をエナンチオ選択的に直接水素化するさまざまな試みがなされてきた。このような試みにおいて、ルテニウム触媒だけでなくロジウム触媒も使用すると、主生成物としてジケトン（６）が得られたが、光学収率は低いものでしかなかった。また、ケトイソホロン（３）を誘導体化することにより、水素化にとってより適切な基質を製造する試みがなされた。このように、例えば、環式アセタール（５）の不斉水素化及びそれに続く加水分解が、わずか１０％のエナンチオマー過剰率（ｅｅ）でジケトン（６）を与え、一方、メチルエノールエーテル（４）の不斉水素化においては、５０％ｅｅでジケトン（６）が得られた（Brunner et al. J. Ornanomet. Chem. 456 (1993), 71 及びその引用文献）。
【０００５】
【化６】

【０００６】
そこで、本発明は、不斉水素化による、アクチノール（２）への工業的に興味深いアクセスを提供する。適当な溶媒中での、キラルなジホスフィン配位子とのカチオン性ロジウム錯体の存在においての、ケトイソホロンのアシル誘導体のエナンチオ選択的水素化が、高い光学収率で、ホレノールの相当するアシル誘導体を与えることが見いだされた。
【０００７】
したがって、本発明は、一般式（Ｉ）：
【０００８】
【化７】

【０００９】
（式中、Ｒは、低級アルキル、低級アルコキシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ¹ ₂を表し、Ｒ¹ は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素を表し、そして＊は、光学活性中心を表す）
の化合物を製造する方法であって、
光学活性ジホスフィン配位子とのロジウム錯体の存在下に、一般式（II）：
【００１０】
【化８】

【００１１】
（式中、Ｒは、上記に定めた意味である）
のケトイソホロンのエノール誘導体を不斉水素化することを含む方法に関する。
【００１２】
以下の式（III ）のカチオン性ロジウム錯体を、本発明にしたがって触媒として使用する。
【００１３】
【化９】

【００１４】
上記式中、Ｌは、中性配位子を表し、ｎは、０、１又は２を表し、Ａ^- は、アニオン、例えばＢＦ₄ ^-、ＣＦ₃ ＳＯ₃ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣｌＯ₄ ^-又はＢ（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₄ ^-を表し、そしてＹは、キラルなジホスフィンを表す。
【００１５】
特に適当なものは、キラルなジホスフィン（Ｙ）が以下の各式で示される化合物のいずれかを表す式（III ）のカチオン性錯体である。
【００１６】
【化１０】

【００１７】
上記の各式中、Ｘは、−ＣＯＲ⁶ 、ＣＯＯＲ⁶ 、ＣＯＮＲ³ ₂、ＳＯ₂ Ｒ⁶ 又はＰＯＲ⁵ ₂を表し、Ｒ² は、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ³ は、水素、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ⁴ は、低級アルキル又は低級アルコキシを表し、Ｒ⁵ 及びＲ⁵ ′は、それぞれ独立して、アリール又はヘテロアリールを表し、そしてＲ⁶ は、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル又はアルキルを表す。
【００１８】
本発明の範囲において、「低級アルキル」とは、炭素原子１〜４個の直鎖状又は分枝状のアルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル及びtert−ブチルをいう。「低級アルコキシ」とは、アルキル残基が前述の意味を有する基をいう。
【００１９】
本発明の範囲において、「中性配位子」とは、容易に交換しうる配位子、例えばオレフィン、例えばエチレン、プロピレン、シクロオクテン、１，５−ヘキサジエン、ノルボルナジエン、１，５−シクロオクタジエンなど、又はニトリル、例えばアセトニトリル又はベンゾニトリルをいう。配位子は、また、水素化の間に交換することもできる。このような配位子が２個以上存在する場合、それらは互いに異なるものでもよい。
【００２０】
本発明の範囲において、式（Ｉ）及び（II）の化合物に関して述べるフェニル及びベンジルの両基は、低級アルキル基又は低級アルコキシ基により、そのオルト、メタ又はパラの位置が置換されていてもよい。
【００２１】
式（IV）〜（IX）に関連して使用する「アルキル」とは、炭素原子１〜７個の直鎖状又は分枝状のアルキル基をいう。これに関連して、「シクロアルキル」とは、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル又はシクロヘプチルをいう。
【００２２】
本発明の範囲において、式（VI）、（VII ）、（VIII）及び（IX）の化合物に関連して使用する「アリール」とは、オルト、メタ又はパラの位置が低級アルキルもしくは低級アルコキシ、好ましくはメチルもしくはメトキシ又はジ−低級アルキルアミノ、好ましくはジメチルアミノによって置換されていてもよいフェニルをいう。
【００２３】
本発明の範囲において、「ヘテロアリール」とは、以下の各式の残基のいずれかを表す。
【００２４】
【化１１】

【００２５】
式（ａ）〜（ｄ）の残基において、Ａは、酸素、硫黄又は−ＮＲ⁸ を表す。ここでは、置換基Ｒ⁷ は、水素、低級アルキル、特にメチル又は低級アルコキシ、特にメトキシを表し、置換基Ｒ⁸ は、低級アルキル、好ましくはメチルを表す。
【００２６】
式（IV）〜（IX）のキラルなジホスフィン配位子、特に式（IV）、（VI）及び（VII ）のジホスフィン配位子と式（III ）のカチオン性ロジウム錯体が、本発明による方法に適している。式（IV）及び（VII ）のキラルなジホスフィン配位子と式（III ）のカチオン性ロジウム錯体を使用すると、本発明による方法において非常に高い選択性が達成される。特に、Ｒ² がメチル又はエチルを表す式（IV）のキラルなジホスフィン配位子とのロジウム錯体を使用すると、特に高い選択性を基質（II）のほぼ定量的な転換率及び高い光学収率とともに達成することができる。
【００２７】
式（IV）及び（Ｖ）の配位子は公知の化合物であり、例えば米国特許第5.171.892 号記載のようにして調製することができる。式（VI）のキラルな配位子もまた公知の化合物であり、例えば欧州特許第031,877 号記載の方法にしたがって調製することができる。式（VII ）の配位子は欧州特許第564,406 号と同様にして得ることができ、式（VIII）の配位子を調製する実施可能な方法が欧州特許第251,164 号に記載されている。式（IX）の配位子の調製方法は、Tetrahedron: Asymmetry 1993, Vol. 4, 2279 に記載されている。
【００２８】
式（II）の化合物のエナンチオ選択的水素化は、この化合物に対して不活性である非プロトン性媒体、例えばエステル、エーテル又は炭化水素中で実施することができる。エステル、例えば酢酸エチル、環式エーテル、例えばテトラヒドロフラン若しくはジオキサン、芳香族炭化水素、例えばベンゼン若しくはトルエン又はそれらの混合物が、特に適当な使用しうる溶媒である。
【００２９】
ロジウムと配位子Ｙとの比率は、配位子１mol あたりロジウム約０．０５〜５mol 、好ましくは０．５〜２mol の範囲にあることが好都合である。式（III ）の錯体中のロジウムの、水素化される式（II）の化合物に対するモル比は、約０．００１〜約５mol ％、好ましくは約０．００２〜約０．２mol ％の範囲にあることが好都合である。すなわち、基質／触媒の比（Ｓ／Ｃ）は、１００，０００〜約２０、特に約５０，０００〜約５００である。式（III ）の錯体を使用する式（II）の化合物のエナンチオ選択的水素化は、約０℃〜約１２０℃、好ましくは約１０℃〜約６０℃で実施することができる。この水素化は、圧力下、好都合には約１〜１５０バール、好ましくは５〜６０バールの圧力下で実施する。
【００３０】
本発明による方法の好ましい実施態様は、式（Ｉ−ａ）：
【００３１】
【化１２】

【００３２】
（式中、Ｒ^a は、低級アルキル、特にメチルを表す）
の化合物の（Ｒ）−又は（Ｓ）−エナンチオマーの製造であって、
式（II−ａ）：
【００３３】
【化１３】

【００３４】
（式中、Ｒ^a は、上記に定めた意味である）
の相当する化合物の不斉水素化による製造に関する。
【００３５】
一般式（III ）のロジウム錯体は、それ自体公知の方法、例えば欧州特許第0,574,783 号記載の方法にしたがって、式（IV）〜（IX）の化合物を、適当な不活性溶媒中、ロジウム産出性化合物と反応させることによって調製することができる。
【００３６】
【実施例】
以下の実施例が本発明を説明するが、決してそれを限定するものではない。
【００３７】
略語の定義は、以下のとおりである。
ＧＣ＝毛管ガスクロマトグラフィー
ｏ．ｐ．＝光学純度
ｅｅ＝エナンチオマー過剰率
（Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジエチルホスホラノ〕−ベンゼン
（Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジエチルホスホラノ〕−ベンゼン
（Ｒ，Ｒ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジメチルホスホラノ〕−ベンゼン
（Ｓ，Ｓ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチルホスホラノ〕−ベンゼン
（Ｒ）−ＰＲＯＰＨＯＳ＝（Ｒ）−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン
（Ｓ，Ｓ）−ＢＣＰＭ＝（２Ｓ，４Ｓ）−１−tert−ブトキシカルボニル−４−ジシクロヘキシルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノ−メチルピロリジン
（Ｒ，Ｓ）−ＰＰＦ−ＰＣｙ₂ ＝｛（Ｒ）−１−〔（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕｝エチル−ジシクロヘキシルホスフィン
（Ｒ，Ｓ）−ＰＰＦ−Ｐ（ｏ−Ａｎ）₂ ＝｛（Ｒ）−１−〔（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセニル〕｝エチル−ジ−（ｏ−メトキシフェニル）−ホスフィン
（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｓ）−２′−〔（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，５−ジメチル−ホスホラン
（Ｓ）−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰＨＯＳ＝１−｛（Ｓ）−２′−（ホスホラン−１−イル）−６，６′−ジメトキシビフェニル−２−イル｝−ホスホラン
（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｓ）−２′−〔（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，５−ジメチル−ホスホラン
（Ｓ，Ｓ，Ｒ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｒ）−２′−〔（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，５−ジメチル−ホスホラン
Ｃｙ₄ −５−ＯｘｏＰｒｏＮＯＰ＝（Ｒ）−１−ジシクロヘキシルホスファニル−５−（ジシクロヘキシル−ホスファノイルオキシメチル）−ピロリジン−２−オン
【００３８】
実施例１
グローブボックスの中（Ｏ₂ 含量＜１ppm ）で、ビス−（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム−（Ｉ）テトラフルオロボレート１０．５mg（０．０２６mmol）及び（Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ９．４mg（０．０２６mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線に達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒溶液を２２℃で１０分間攪拌した。
【００３９】
次に、グローブボックスの中で、４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−シクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オン（Helv. Chim. Acta 1989, 72, 365にしたがって調製し、さらにｎ−ヘキサンから結晶化したもの、ｍ．ｐ．４４〜４５℃）２５．０ｇ（１２８．７mmol）及び酢酸エチル２０mlを、１８５mlの鋼製オートクレーブに入れた。上記で調製した触媒溶液１０ml（Ｓ／Ｃ１０，０００）をこの懸濁液に加え、オートクレーブを封止した。激しく攪拌しながら、２０℃及び１０バールの一定圧で水素化を実施した。
【００４０】
２１時間後、転換率は１００％であった。水素化溶液は、４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９２．８ＧＣ面積％と、４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン７．２ＧＣ面積％との混合物からなるものであった。
【００４１】
ｅｅ測定にあたっては、生成物約２０mgを含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７ミリバールで蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解し、ナトリウムメチラート２０mgとともに５０℃で３０分間加熱することにより、（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９２％（９８．５％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチル−シクロヘキサン−１，４−ジオン８％との混合物に転換した。ｅｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したのち、キラル相（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−シクロデキストリン）でのガスクロマトグラフィーによって実施した。
【００４２】
作業にあたっては、オートクレーブからフラッシュした水素化溶液を４５℃／２０ミリバールで蒸発させた。暗黄色の油状物２５．２ｇの残渣をメタノール１２５ml及び水２５mlに溶解し、２０℃で、５N 水酸化ナトリウム水溶液２５．５mlに滴下した。２０℃で１時間攪拌したのち、メタノールを５０℃／２３ミリバールで蒸発させた。水相をジエチルエーテルで抽出した。有機相を乾燥し、蒸発させたのち、橙色の油状物１８．９ｇを得た。これを、シリカゲル５００ｇ上で、ｎ−ヘキサン／エーテル３／１を用いたクロマトグラフィーに付した。（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン１７．８ｇ（９０％）を淡黄色の油状物として得た。
化学純度９９．２ＧＣ面積％；ｅｅ９８．５％；〔α〕_D ＝−４８．８°（ｃ＝１，ＥｔＯＨ）
【００４３】
実施例２
ａ）４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエノンの合成
ジ−tert−ブチルジカーボネート２３．２ｇ（１０６．３mmol）をテトラヒドロフラン２５mlに加えた溶液を、Ｋ₂ ＣＯ₃ ２０．０ｇ（１４４．７mmol）、テトラヒドロフラン２０ml、１８−クラウン−６１．１ｇ（４．２mmol）及びケトイソホロン１５．２ｇ（１００mmol）を２４℃で攪拌した懸濁液に滴下した。懸濁液を６０℃で５時間攪拌し、次いで褐色の反応混合物をろ過し、最後に溶媒を蒸発させた。褐色の残渣２６．６ｇをジクロロメタン２００mlに溶解し、溶液をＮａＨＣＯ₃ 飽和溶液及び水で抽出した。有機相をＮａ₂ ＳＯ₄ 上で乾燥し、ろ過し、濃縮した。褐色の残渣２２．６ｇをシリカゲル１５０ｇのクロマトグラフィーに付した（ｎ−ヘキサン／エーテル２／１）。４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエノン２０．４ｇ（８１％）を黄色の油状物として得た。
Ｃ₁₄Ｈ₂₀Ｏ₄ （２５２．３１）の分析値
計算値Ｃ６６．６５、Ｈ７．９９
実測値Ｃ６６．４６、Ｈ８．０８
¹Ｈ−ＮＭＲ（250MHz,CDCl₃):1.25(s,2 CH₃-C(6));1.54(s,(CH₃)₃C-O);1.91(s,CH₃-2(C);5.88-5.89(d,H-C(5));6.71-6.74(m,H-C(5))
【００４４】
ｂ）４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエノンの水素化
グローブボックスの中（Ｏ₂ 含量＜１ppm ）で、ビス−（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボレート４０．３mg（０．０９９mmol）及び（Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ３５．９mg（０．０９９mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線に達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒溶液を２２℃で１０分間攪拌した。
【００４５】
グローブボックスの中で、４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエノン２．５ｇ（９．９mmol）及び酢酸エチル４７mlを、１８５mlの鋼製オートクレーブに入れ、上記で調製した触媒溶液（Ｓ／Ｃ１００）２０mlを加え、オートクレーブを封止した。激しく攪拌しながら、２０℃及び１０バールの一定圧で水素化を実施した。
【００４６】
５時間後、転換率は１００％であった。水素化溶液は、４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９８ＧＣ面積％と、４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン２ＧＣ面積％との混合物からなるものであった。
【００４７】
ｅｅ測定にあたっては、生成物約２０mgを含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７ミリバールで蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解し、ナトリウムメチラート２０mgとともに５０℃で３０分間加熱することにより、（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９８％（８７．３％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチル−シクロヘキサン−１，４−ジオン２％との混合物に転換した。ｅｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したのち、キラル相（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−シクロデキストリン）でのガスクロマトグラフィーによって実施した。
【００４８】
実施例３
ａ）４−ベンジルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オンの合成
ケトイソホロン９１．３ｇ（０．６mol ）、安息香酸無水物６００ｇ（２．６５mol ）、トリエチルアミン２５１ml（１．８mol ）及び４−（ジメチルアミノ）ピリジン３．６６ｇ（０．０３mol ）との混合物を、アルゴン下に６５℃で１８時間攪拌し、エーテル１リットルで希釈した。冷却しながら、エチレンジアミン２６０mlを０〜１０℃で滴下した。沈殿物をろ別し、エーテル１．５リットルで洗浄した。合わせたろ液をＮａＨＣＯ₃ 飽和溶液１リットルで抽出し、さらに塩化ナトリウム飽和溶液で抽出し、Ｎａ₂ ＳＯ₄ 上で乾燥し、濃縮した。褐色の結晶質残渣の粗生成物１３７．８ｇをシリカゲルクロマトグラフィーに付した（ｎ−ヘキサン／エーテル５／１）。４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オン１１７．４ｇ（７６．３％）を黄色の結晶物として得た。tert−ブチルメチルエーテル／ｎ−ヘキサン（１／１）から再結晶して、純粋なベンゾエートを得た。
ｍ．ｐ．６４〜６６℃
【００４９】
ｂ）４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オンの水素化
グローブボックスの中（Ｏ₂ 含量＜１ppm ）で、ビス−（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）−テトラフルオロボレート１９．８mg（０．０４９mmol）及び（Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ１７．７mg（０．０４９mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線に達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒溶液を２２℃で１０分間攪拌した。
【００５０】
グローブボックスの中で、４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オン２．５ｇ（９．７５mmol）及び酢酸エチル６２．６mlを１８５mlの鋼製オートクレーブに入れ、上記で調製した触媒溶液（Ｓ／Ｃ１０００）４mlを加え、オートクレーブを封止した。激しく攪拌しながら、２０℃及び１０バールの一定圧で水素化を実施した。
【００５１】
４３時間後、転換率は１００％であった。水素化溶液は、４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９６ＧＣ面積％と、４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン４ＧＣ面積％との混合物からなるものであった。ｅｅ測定にあたっては、生成物約２０mgを含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７ミリバールで蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解し、ナトリウムメチラート２０mgとともに５０℃で３０分間加熱することにより、（４Ｒ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９６％（９１．２％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチル−シクロヘキサン−１，４−ジオン４％との混合物に転換した。ｅｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したのち、キラル相（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−シクロデキストリン）でのガスクロマトグラフィーによって実施した。
【００５２】
実施例４〜２１の結果を第１表にまとめた。
【００５３】
【表１】

【００５４】
１）副生物：４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン
２）副生物：６４ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン
３）副生物：７７ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン
４）副生物：６５ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン
５）〔Ｒｈ（ＣＯＤ）₂ 〕Ｘ＋ＰＰから出発して実施例１と同様にしてその場で調製した触媒
６）６時間後の転換率

Claims

一般式（Ｉ）：

（式中、Ｒは、低級アルキル、低級アルコキシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ¹ ₂を表し、Ｒ¹は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素を表し、そして＊は、光学活性中心を表す）
の光学活性化合物を製造する方法であって、
光学活性ジホスフィン配位子のロジウム錯体の存在下に、一般式（II）：

（式中、Ｒは、上記に定めた意味である）
のケトイソホロンのエノール誘導体を不斉水素化することを特徴とする方法。
式（III）：

（式中、Ｌは、中性配位子を表し、ｎは、０、１又は２を表し、Ａ^-は、ＢＦ₄ ^-、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣｌＯ₄ ^-又はＢ（Ｃ₆Ｈ₅）₄ ^- 等のアニオンを表し、そしてＹは、キラルなジホスフィンを表す）
のカチオン性ロジウム錯体の存在下に、不斉水素化する請求項１記載の方法。
キラルなジホスフィンが、式（IV）〜（IX）：

（上記各式中、Ｘは、−ＣＯＲ⁶、ＣＯＯＲ⁶、ＣＯＮＲ³ ₂、ＳＯ₂Ｒ⁶又はＰＯＲ⁵ ₂を表し、Ｒ²は、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ³は、水素、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ⁴は、低級アルキル又は低級アルコキシを表し、Ｒ⁵及びＲ⁵′は、それぞれ独立して、アリール又はヘテロアリールを表し、そしてＲ⁶は、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル又はアルキルを表す）
のいずれかの化合物である請求項２記載の方法。
キラルなジホスフィンが、式（IV）又は（VII）の化合物である請求項３記載の方法。
キラルなジホスフィンが、Ｒ²がメチル又はエチルを表す式（IV）の化合物である請求項３記載の方法。