JP3270446B2 - クリーンブースまたは半導体製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体、食品、
医薬品、バイオテクノロジー関連の工場や研究所等で使
用されている局所設備に関するものである。局所設備と
は、ＵＬＰＡフィルターを備えているクリーンブースま
たは半導体製造装置のことを意味する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体、食品、医薬品、バイ
オテクノロジー関連の工場や研究所等で使用されている
クリーンルームにおいては、空気中の浮遊粒状物質を捕
集する乾式エアフィルターを空気導入経路に設置し、こ
れを通過した空気を室内に導入している。

【０００３】現在のクリーンルームで使用されているエ
アフィルターとしては、ガラス繊維を濾材に使用したＵ
ＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ
Ａｉｒの略）フィルターやＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆ
ｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ａｉｒの略）が
あり、これらのフィルターは塵埃の除去という点では優
れたフィルターであり、例えばＵＬＰＡフィルターでは
０．１μｍの微粒子をも除去可能である。また、エアフ
ィルターから無機物質が発生しないように、ガラス繊維
ではなくフッ素樹脂系や石英系の繊維を濾材に使用した
非ガラス系フィルターも開発されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】最近では、半導体の高
集積度化に伴い、クリーンルーム内の空気には塵埃だけ
でなくガス状有機物の拡散が問題とされるようになって
きた。すなわち、クリーンルーム内で半導体基板（シリ
コンウエハ）の表面に有機物が吸着し、素子特性が劣化
することが指摘されるようになった（例えば、藤井；
「ガス状汚染物とその除去対策の現状」空気清浄、Ｖｏ
ｌ．３２，Ｎｏ．３，Ｐ．４３（１９９４）（社）日本
空気清浄協会発行）。

【０００５】また、半導体製造工程において、シリコン
ウエハにＰ（リン）をドーピングしてｎ型半導体が、Ｂ
（ホウ素）をドーピングしてｐ型半導体が得られること
は良く知られているが、リン化合物やホウ素化合物がク
リーンルーム内の空気中に存在していると、不要なドー
ピングがなされる恐れがあるため、特にこれらの成分を
クリーンルーム内の空気から除去する必要がある。

【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、ガス状有機物が存在しない半
導体製造装置等の局所設備と、リン化合物やホウ素化合
物が存在しない局所設備を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意検討を重ねた結果、クリーンルー
ムや半導体製造装置等の局所設備内にガス状有機物が存
在する主な原因は、空気導入経路に設置されるエアフィ
ルターとこのエアフィルターを天井等の開口部に取り付
けるために介装されるガスケットにあることを見出し
て、本発明を完成させた。

【０００８】すなわち、本発明者らの研究により、前記
従来のエアフィルターからは、環状シロキサン類、カル
ボン酸エステル類、リン酸エステル類、炭化水素類、フ
ェノール類などのガス状有機物が発生することが判明
し、これらの有機物は、繊維を布状の濾材に形成する際
に当該繊維間にしみ込ませた処理剤（繊維を結合するた
めのバインダー、塵埃の捕集効果を改良するための撥水
剤、および可塑剤や酸化防止剤を含む）や、濾材がガラ
ス繊維の場合には繊維に付着しているシリコーンオイル
（これはガラス繊維紡糸時の強化材であり、濾材の撥水
剤としても作用する）、および、濾材とフレームとを接
着するシール材から発生することが分かった。また、前
記ガスケットとして従来使用されているゴム部材からも
有機物が高い割合で検出されることが分かった。

【０００９】具体的に、従来の処理剤中の撥水剤（非シ
リコーン系）の主成分は流動パラフィン（炭素数１２〜
１８の脂肪族炭化水素）であり、可塑剤や酸化防止剤と
しては比較的低分子量のものが含有されていることが分
かった。また、前記シール材としてはポリウレタン系ま
たはエポキシ系樹脂を主成分としたものが使用されてい
るが、２液型のポリウレタン樹脂の場合には、硬化反応
後に残存する主剤のイソシアネートが有機物汚染源とな
り、２液型のエポキシ系樹脂の場合には、硬化剤として
使用されているアミン化合物が有機物汚染源になること
が分かった。また、これらのシール材に含まれている可
塑剤や酸化防止剤も比較的低分子量のものであることが
分かった。

【００１０】このような知見から、本発明は、非シリコ
ーン系撥水剤、可塑剤、および酸化防止剤の少なくとも
一つとバインダーとを含有する処理剤を、ガラス繊維に
しみ込ませた後に、これを乾燥させて布状に形成された
濾材と、この濾材を入れるフレームと、このフレームと
濾材との間を密封するシール材とで構成され、空気中の
浮遊粒状物質を捕集するエアフィルターとして、前記処
理剤およびシール材についての下記の（ａ）〜（ｃ），
（ｅ）〜（ｇ）の限定のうちいずれか一つを満たしてい
ることを特徴とするＵＬＰＡフィルターを備えているク
リーンブースまたは半導体製造装置を提供する。

【００１１】（ａ）前記処理剤に含まれる非シリコーン
系撥水剤の主成分が、炭素数２０以上のマイクロクリス
タリンワックス、炭素数２０以上のポリオレフィンワッ
クス、および炭素数１８以上の高級アルコールのうちの
少なくともいずれか一つである。 （ｂ）前記処理剤に含まれる可塑剤の主成分が、分子量
４００以上のカルボン酸エステル、アジピン酸またはア
ゼライン酸またはセバチン酸またはフタル酸とグリコー
ルまたはグリセリンとの重縮合により得られる分子量２
０００以上８０００以下のポリエステル、分子量４００
以上５００以下のエポキシ脂肪酸エステル、およびエポ
キシ化大豆油のうちの少なくともいずれか一つである。 （ｃ）前記処理剤に含まれる酸化防止剤の主成分が分子
量３００以上のフェノール系化合物である。 （ｅ）前記シール材に含まれる可塑剤の主成分が、分子
量４００以上のカルボン酸エステル、ポリエステル、エ
ポキシ系化合物のうちの少なくともいずれか一つであ
る。 （ｆ）前記シール材に含まれる酸化防止剤の主成分が分
子量３００以上のフェノール系化合物である。 （ｇ）前記シール材に含まれる滑剤の主成分が、炭素数
２０以上の脂肪族炭化水素および炭素数１８以上の高級
アルコールのうちの少なくともいずれか一つである。

【００１２】ここで、（ａ）の非シリコーン系撥水剤の
主成分および（ｇ）の滑剤の主成分が炭素数１９以下の
脂肪族炭化水素および炭素数１７以下の高級アルコール
であると、温度２３℃湿度３０〜４０％に管理され、エ
アフィルターを通過する空気の流速が０．３〜０．４ｍ
／ｓ程度である通常のクリーンルームでは、エアフィル
ターを通過する空気に同伴されてこれらのガス状物がク
リーンルーム内の空気中に存在するようになるが、２０
以上の脂肪族炭化水素および炭素数１８以上の高級アル
コールを使用すると、これらのガス状物はクリーンルー
ム内の空気中に存在しない。

【００１３】また、（ｂ）および（ｅ）の可塑剤の主成
分が分子量４００未満の、フタル酸ジブチル（分子量２
７８）やフタル酸ジオクチル（分子量３９１）やアジピ
ン酸ジ−２−エチルヘキシル（分子量３７１）である
と、前記通常のクリーンルームでは、エアフィルターを
通過する空気に同伴されてこれらのガス状物がクリーン
ルーム内の空気中に存在するが、分子量４００以上のも
のを使用すると、これらのガス状物はクリーンルーム内
の空気中に存在しない。

【００１４】また、（ｃ）および（ｆ）の前記酸化防止
剤の主成分が分子量３００未満の２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−ｐ−クレゾール（分子量２２０．４）であると、前
述の通常のクリーンルームでは、エアフィルターを通過
する空気に同伴されてこれらのガス状物がクリーンルー
ム内の空気中に存在するようになるが、分子量３００以
上のものを使用すると、これらのガス状物はクリーンル
ーム内の空気中に存在しない。

【００１５】（ａ）の具体例としては、マイクロクリス
タリンワックス、ポリオレフィンワックス、炭素数１
８，２０，２４の分岐アルコール、およびオレイルアル
コールのうちの少なくともいずれか一つが挙げられる。
（ｇ）の具体例としては、マイクロクリスタリンワック
ス、天然パラフィン、合成パラフィン、ポリオレフィン
ワックス、炭素数１８，２０，２４の分岐アルコール、
およびオレイルアルコールのうちの少なくともいずれか
一つが挙げられる。（ｂ）および（ｅ）の具体例として
は、フタル酸ジイソノニル（分子量４１８）、フタル酸
オクチルデシル（分子量４１９）、フタル酸ジイソデシ
ル（分子量４４７）、フタル酸ジラウリル（分子量５０
１）、フタル酸ジミリスチリル（別名：フタル酸ジトリ
デシル，分子量５３０）、アゼライン酸ジ−２−エチル
ヘキシル（分子量４１３）、セバチン酸ジ−２−エチル
ヘキシル（分子量４２７）、トリメリット酸トリス−２
−エチルヘキシル（分子量５４７）、トリメリット酸ト
リオクチル（分子量５４７）、トリメリット酸トリノニ
ル（分子量５７０）、トリメリット酸トリデシル（分子
量６１２）、アジピン酸またはアゼライン酸またはセバ
チン酸またはフタル酸とグリコールまたはグリセリンと
の重縮合により得られるポリエステル（分子量２０００
〜８０００）、エポキシ脂肪酸エステル（分子量４００
〜５００）、およびエポキシ化大豆油（分子量約１００
０）が挙げられる。

【００１６】（ｃ）および（ｆ）の具体例としては、ス
テアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオネート（分子量５２０．９）、
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）（分子量３４０．５）、２，２’−メ
チレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ル）（分子量３６８．５４）、４，４’−チオビス−
（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量３
５８．５）、４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチ
ル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量３８２．
６）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロ
キシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン（分子量５４
４．８）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリ
ス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル）ベンゼン（分子量７７５．２）、テトラキス〔メチ
レン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート〕メタン（分子量１１
７７．７）、ビス−〔３，３’−ビス−（４’−ヒドロ
キシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシド〕
グリコールエステル（分子量１１７７．７）、およびト
コフェノール（分子量７９４．４）が挙げられる。

【００１７】なお、本発明者等は、有機物は分子量が大
きくなるほど揮発性は低下し吸着性は大きくなるが、分
子量が所定値以上となるとシリコンウエハへの吸着量は
小さくなって収束すること、および前記所定値は分子構
造によって異なることを見出し、前記（ａ）〜（ｃ）お
よび（ｅ）〜（ｇ）における数値限定は、それぞれ対象
となる多数の物質について実験を行った結果に基づいて
設定した。

【００１８】また、本発明の局所設備が備えているエア
フィルターは、前記（ａ）〜（ｃ）および（ｅ）〜
（ｇ）の限定の少なくともいずれか一つを満たすもので
あればよいが、これらのすべてを満たすものであれば、
エアフィルターの全ての構成材料からガス状有機物が発
生しないため好ましい。具体的には、非シリコーン系撥
水剤の主成分がマイクロクリスタリンワックスであり、
非シリコーン系撥水剤に含まれる可塑剤の主成分がトリ
メリット酸−トリ−２−エチルヘキシルであり、非シリ
コーン系撥水剤に含まれる酸化防止剤の主成分が２，
２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチル
フェノール）であり、シール材に含まれる可塑剤の主成
分がセバチン酸ジ−２−エチルヘキシルであり、シール
材に含まれる酸化防止剤の主成分が２，２’−メチレン
−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）で
あり、シール材に含まれる滑剤の主成分が合成パラフィ
ンであるものが好ましい。

【００１９】また、本発明は、前記（ａ）〜（ｃ）およ
び（ｅ）〜（ｇ）の限定の少なくともいずれか一つを満
たすとともに、前記シール材の主成分がイソシアネート
からなる主剤と硬化剤との反応で形成される２液型のポ
リウレタン樹脂であり、硬化剤の活性水素の当量が主剤
のイソシアネート基の当量より多く、且つリン酸エステ
ルを含まないことを特徴とするエアフィルターを備えて
いる局所設備を提供する。このエアフィルターでは、シ
ール材の硬化反応後に主剤のイソシアネートが残存しな
いために、イソシアネートおよびイソシアネートが空気
中の水分と反応して生じるジアミンが発生しないととも
に、リン酸エステルが発生しないため、シール材からの
ガス状有機物発生がさらに抑制される。

【００２０】また、本発明は、前記（ａ）〜（ｃ）およ
び（ｅ）〜（ｇ）の限定の少なくともいずれか一つを満
たすとともに、前記シール材の主成分が主剤と硬化剤と
の反応で形成される２液型のエポキシ樹脂であり、硬化
剤が酸性または中性のものであることを特徴とするエア
フィルターを備えている局所設備を提供する。このエア
フィルターでは、シール材の硬化剤として塩基性のアミ
ン化合物を含まないため、当該シール材からのガス状有
機物発生がさらに抑制される。

【００２１】また、本発明は、前記（ａ）〜（ｃ）およ
び（ｅ）〜（ｇ）の限定の少なくともいずれか一つを満
たすとともに、前記シール材の主成分が、主剤と硬化剤
との反応で形成される２液型のエポキシ樹脂であって、
硬化剤はアミン系であり、残存アミン低減手段が施され
ていることを特徴とするエアフィルターを備えている局
所設備を提供する。前記残存アミン低減手段としては、
アミン当量がエポキシ当量より僅かに低くなるように配
合して硬化させることによって、硬化後に残存アミンが
生じないようにするか、硬化後の樹脂を加熱することに
よって残存アミンを揮発させることが挙げられる。

【００２２】また、本発明は、前記（ａ）〜（ｃ）およ
び（ｅ）〜（ｇ）の限定の少なくともいずれか一つを満
たすとともに、前記濾材はシリコーンオイルが付着した
ガラス繊維を処理剤で処理して布状に形成されるもので
あり、当該シリコーンオイルはケイ素数１０以下の環状
シロキサンを含まないものであることを特徴とするエア
フィルターを備えている局所設備を提供する。ケイ素数
１０以下の環状シロキサンはシリコーンウエハに非常に
吸着され易いため、このフィルターは、特に半導体製造
用のクリーンルーム用エアフィルターとして好適であ
る。

【００２３】本発明者等はまた、クリーンルーム内にリ
ン化合物やホウ素化合物が存在する要因は、リン化合物
についてはエアフィルターの濾材とフレームとの間を密
封するシール材および壁や床の表面材に含まれる有機リ
ン化合物（リン酸エステル）にあり、ホウ素化合物につ
いてはエアフィルターの濾材であるガラス繊維に含まれ
る酸化ホウ素にあることを見出した。

【００２４】以上の知見から、本発明は、壁の少なくと
も表面材と、エアフィルターの濾材および濾材とフレー
ムとの間を密封するシール材とを、空気中に有機リン化
合物およびホウ素化合物を放出しない材料で形成したこ
とを特徴とする局所設備を提供する。また、本発明は、
前記材料が、パージアンドトラップ法によるガス状有機
リン化合物の発生量が材料１ｇ当たり１０μｇ以下であ
り、且つ超純水に２８日間浸漬して溶出させたホウ素化
合物が材料１ｇ当たり２０μｇ以下であることを特徴と
する局所設備を提供する。

【００２５】前記パージアンドトラップ法とは、所定量
の材料に対して所定温度（全ての有機成分が揮発可能な
温度）で不活性ガスを通過させて当該試料に含まれるガ
ス状有機物成分を全て揮発させ、これを捕集し、この捕
集成分からガス状有機物の発生量を定量する方法であ
る。また、本発明は、前記シール材はポリウレタン樹脂
系シール材であって、その主成分を構成するジイソシア
ネートとしてジフェニルメタンジイソシアネートを含
み、その液状化剤としてリン酸エステルを含む場合に、
当該リン酸エステルを分子量が３００以上のものとした
ことを特徴とする局所設備を提供する。

【００２６】また、本発明は、前記液状化剤として使用
するリン酸エステルは、下記の（ｈ）に示す物質のうち
少なくともいずれか一つであることを特徴とする局所設
備を提供する。 （ｈ）リン酸トリ−２−エチルヘキシル（分子量４３
５）、リン酸トリブトキシエチル（分子量３９８）、リ
ン酸トリオレイル（分子量８４９）、リン酸トリフェニ
ル（分子量３２６）、リン酸トリクレゾール（分子量３
６８）、リン酸トリキシレニル（分子量４１０）、リン
酸クレジルジフェニル（分子量３４０）、リン酸キシレ
ニルジフェニル（分子量３５４）、リン酸−２−エチル
ヘキシルジフェニル（分子量３６２）、芳香族縮合リン
酸エステル（分子量４００以上）、亜リン酸トリストリ
デシル（分子量６２９）、および、亜リン酸トリフェニ
ル（分子量３１０）。

【００２７】クリーンルームの構成部材が有機リン化合
物およびホウ素化合物を含む材料で形成されている場合
であっても、当該構成部材からのパージアンドトラップ
法によるガス状有機リン化合物の発生量を１ｇ当たり１
０μｇ以下とし、超純水に２８日間浸漬して溶出させた
ホウ素化合物を材料１ｇ当たり２０μｇ以下とすること
によって、当該クリーンルームを通常状態（温度２３
℃、湿度３０〜４０％、エアフィルター通過空気流速
０．３〜０．４ｍ／ｓ）で稼働させた場合に、クリーン
ルーム内の空気中に有機リン化合物およびホウ素化合物
を存在させないようにすることができる。

【００２８】従来のクリーンルームでは、ジフェニルメ
タンジイソシアネートを含むポリウレタン樹脂系シール
材の液状化剤（純度の高いジフェニルメタンジイソシア
ネートを常温で液体状態とするための添加剤）として、
および壁や床の表面材である塩化ビニル樹脂製シートの
可塑剤や難燃剤として、リン酸エステルが使用されてい
る。このうち、可塑剤は、リン酸エステルに代えて前記
（ｅ）に示す分子量４００以上のカルボン酸等を使用す
ることができ、難燃剤は、リン酸エステルに代えて水酸
化アルミニウムや三酸化アンチモン等が使用できるが、
前記液状化剤としてはリン酸エステルの代替品はない。

【００２９】そして、使用するリン酸エステルが分子量
３００未満の、リン酸トリエチル（分子量１８２）、リ
ン酸トリブチル（分子量２６６）、リン酸トリス（β−
クロロエチル）（分子量２８５）であると、前記通常の
クリーンルームでは、エアフィルターを通過する空気に
同伴されてこれらのガス状物がクリーンルーム内の空気
中に存在するが、分子量３００以上のものを使用する
と、これらのガス状物はクリーンルーム内の空気中に存
在しない。

【００３０】したがって、前記液状化剤としては分子量
３００以上のリン酸エステルを用い、可塑剤および難燃
剤としては、前述の代替品を用いるか分子量３００以上
のリン酸エステルを用いることによって、クリーンルー
ム内の空気中にリン酸エステルを存在させないようにす
ることができる。局所設備においても、壁材およびエア
フィルターを前記構成とすることによって、局所設備内
の空気中にガス状有機リン化合物やホウ素化合物を存在
させないようにすることができる。

【００３１】したがって、前記局所設備は半導体製造用
として特に好適なものとなる。

【００３２】

【発明の実施の形態】本発明の局所設備で使用するエア
フィルターは、従来のクリーンルーム用エアフィルター
と同様に、ガラス繊維やポリテトラフルオロエチレンな
どの有機繊維をアクリル系樹脂などからなるバインダ
ー、非シリコーン系撥水剤、可塑剤、酸化防止剤などを
含む処理剤で処理して布状の濾材を形成し、この濾材を
所定の大きさのフレームに入れて、フレームと濾材との
間をシール材で密封して作製されるが、前記処理剤およ
びシール材として、クリーンルームでの使用時にガス状
有機物が発生しないものを選定して使用する。具体的に
は、前記処理剤を、前記（ａ）〜（ｃ）の限定を満たし
ているものとし、前記シール材を、前記（ｅ）〜（ｇ）
の限定を満たしているものとする。

【００３３】また、濾材の繊維がガラス繊維である場合
には、紡糸の際に補強材として塗布されるシリコーンオ
イルとしてケイ素数１０以下の環状シロキサンを含まな
いものを使用するか、シコーンオイルが塗布されたガラ
ス繊維を清浄な空気気流下で加熱処理してケイ素数１０
以下の環状シロキサンを除去することにより、濾材にケ
イ素数１０以下の環状シロキサンを含まないようにす
る。

【００３４】さらに、クリーンルーム内および局所設備
内にリン化合物とホウ素化合物を存在させないために
は、壁および床（床を備えない局所設備は壁についての
み）の少なくとも表面材と、エアフィルターの濾材およ
び濾材とフレームとの間を密封するシール材とを、空気
中に有機リン化合物およびホウ素化合物を放出しない材
料で形成する。具体的には、前記材料として、パージア
ンドトラップ法によるガス状有機リン化合物の発生量が
材料１ｇ当たり１０μｇ以下であり、且つ超純水に２８
日間浸漬して溶出させたホウ素化合物が材料１ｇ当たり
２０μｇ以下であるものを用いる。

【００３５】なお、本発明の実施形態の詳細について
は、以下に具体的な実施例を挙げて説明する。 （実施例１）No. １〜５，７〜１２では、濾材としてガ
ラス繊維またはフッ素繊維を使用し、処理剤に含まれる
非シリコーン系撥水剤、可塑剤、酸化防止剤、シール材
の主成分、シール材に含まれる可塑剤および酸化防止剤
が下記の表１〜３に示す構成となるエアフィルターを作
製した。No. ６は市販のＵＬＰＡフィルターをそのまま
使用し、各構成材料の成分を下記の分析方法で分析して
調べた。

【００３６】なお、各表中の略記号は以下の物質を示
す。 Ｋ１：セバチン酸ジ−２−エチルヘキシル Ｓ１：ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート Ｋ２：フタル酸ジイソデシル Ｓ２：２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−
ｔ−ブチルフェノール）Ｋ３：トリメリット酸トリス−
２−エチルヘキシル Ｓ３：１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロ
キシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン Ｋ４：アジピン酸−１，３−ブチレングリコール Ｓ４：２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール Ｋ５：フタル酸ジオクチル Ｓ５：２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール Ｋ６：フタル酸ジブチル Ｋ７：アジピン酸ジブチル 〔濾材の繊維〕No. １〜５では、市販のＵＬＰＡフィル
ター用のガラス繊維（紡糸時にシリコーンオイルが塗布
されているもの）を、清浄な空気気流下で１２０℃で６
時間加熱することによってケイ素数１０以下のシロキサ
ンを除去したものを用いた。このガラス繊維４００ｍｇ
を下記のＰ＆Ｔ−ＧＣ／ＭＳ法で分析したところ、この
ガラス繊維に含まれるケイ素数１０以下のシロキサンは
当該分析法での検出限界値以下であった。

【００３７】No. ６〜９では、市販のＵＬＰＡフィルタ
ー用のガラス繊維（紡糸時にシリコーンオイルが塗布さ
れているもの）をそのまま使用した。No. １０では、信
越化学工業（株）製のシリコーンオイルＫＦ９９を真空
蒸留装置に入れ、真空度５ｍＨｇで２００℃に保持して
低沸点成分を除去することにより、このシリコーンオイ
ルに含まれるケイ素数１０以下のシロキサンを十分に除
去し、下記のＰ＆Ｔ−ＧＣ／ＭＳ法での分析で検出限界
値以下とした。この分析の際には、真空蒸留後のシリコ
ーンオイルを石英ファイバーに数ｍｇ付着させたものを
試料とした。そして、このケイ素数１０以下のシロキサ
ンを含まないシリコーンオイルを紡糸時の強化材として
塗布して得られたガラス繊維を、濾材の繊維として用い
た。

【００３８】No. １１，１２では、フッ素繊維（ポリテ
トラフルオロエチレン：ＰＴＦＥ）を濾材の繊維とし
た。この繊維にはシリコーンオイルが塗布されていな
い。 ＜Ｐ＆Ｔ（パージ＆トラップ）−ＧＣ／ＭＳ法＞所定量
の試料を試験管に充填し、内部にヘリウムガスを流しな
がら当該試験管を１５０℃で３０分間加熱し、揮発成分
を−８０℃に冷却されたトラップ管で捕集し、当該トラ
ップ管内の成分をヘリウム気流下で３００℃まで急速加
熱してガス状としたものを、ＧＣ／ＭＳ装置に導入す
る。

【００３９】ＧＣ装置はヒューレットパッカード社製の
ＨＰ−５８９０Ａであり、ＭＳ装置は同社のＨＰ−５９
７０Ｂである。ＧＣ装置のカラムは同社のＨＰ−ウルト
ラ２（ＯＶ−５系）であり、内径０．２ｍｍ、長さ２５
ｍｍ、膜厚０．３３μｍである。ＧＣ装置の測定時の温
度条件は以下の通りである。初期温度４０℃→速度１０
℃／分で昇温→最終温度３００℃（１５分間保持）ま
た、ＧＣ装置のキャリアーガスはヘリウムであり、注入
方式はスプリット法、スプリット比は１／２００とす
る。ＭＳ装置のイオン化法は電子衝撃法であり、検出範
囲はｍ／ｚで２５〜１０００とする。

【００４０】定量分析は、各成分のピーク毎に同定され
た有機物の検量線を作製して行うか、多数のピークが出
る場合には、ｎ−デカンを標準物質としてその検量線を
基準に全成分をｎ−デカン換算の濃度として表示する。
これにより、試料中の揮発性有機物の含有量と種類とが
測定される。 〔処理剤〕No. １〜５，７〜１２では、各サンプル毎に
各表に示す非シリコーン系撥水剤、可塑剤、および酸化
防止剤を各比率（撥水剤を１００重量部とした時の値を
重量部で各表の[ ] 内に表示）で配合し、これをアセト
ンとトルエンとの１：１混合溶剤に溶かし、さらに所定
量のアクリル樹脂系のバインダーを加えた溶液を、所定
の大きさのシート状のウェブに広げて重ねたガラス繊維
にしみ込ませた後に、これを乾燥させて布状の濾材を作
製した。なお、フィルター１台分の濾材に使用した非シ
リコーン系撥水剤は約１ｇであった。 〔シール材〕各サンプル毎に各表に示すシール材の主成
分（主剤および硬化剤）と可塑剤（No. １，２，６〜
８，１０，１１ではこれに加えて酸化防止剤と滑剤）と
を各比率（主成分を１００重量部とした時の値を重量部
で各表の[ ] 内に表示）で配合してシール材を作製し、
このシール材を使用して、アルミフレーム（６００ｍｍ
×６００ｍｍ×１００ｍｍ、市販品の１／２の大きさ）
内に上記濾材を入れて密封することにより、エアフィル
ターを作製した。

【００４１】なお、ポリウレタン系シール材を使用した
No. １，２については、硬化剤（ポリオール）の活性水
素の当量が、主剤（メチレンジフェニルジイソシアネー
トを主成分とするジイソシアネート）のイソシアネート
基の当量より多くなるような配合比で両者を混合した。
また、No. ４については、アミン系の硬化剤を用いた
が、硬化後にフレームにリボンヒーターを巻いて約１３
０℃で４時間加熱することにより、揮発性有機物（主
に、硬化後に残存しているアミン）の除去処理を行っ
た。

【００４２】また、各シール材については、硬化後３日
経った後に一部（数１０ｍｇ）を切り取ったものを用い
て、前述のＰ＆Ｔ−ＧＣ／ＭＳ法で分析することによ
り、有機物発生量を測定した。その結果も、各表に併せ
て示す。なお、No. ４については前述の有機物除去処理
を行った後のシール材についてこの測定を行った。 〔エアフィルターの性能試験：塵埃の除去効率の測定〕
作製されたエアフィルターに対して、一方の側から全面
にフタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）の粒子を風速５．３ｃ
ｍ／ｓｅｃで当て、当てた側の濾材面付近の空気中に含
まれるＤＯＰの粒子数（入側粒子数）と、反対側の濾材
面付近の空気中に含まれるＤＯＰの粒子数（出側粒子
数）とをそれぞれパーティクルカウンターで計測し、入
側粒子数が１０⁷ 個／ｆｔ³ の時に出側粒子数が１００
個／ｆｔ³以下であれば（すなわち、除去効率が９９．
９９９％以上であれば）合格とする。この「ＣＯＬＤ
ＤＯＰ法」と称される方法で測定された各エアフィルタ
ーについての塵埃の除去効率を各表に示す。 〔ガスケット〕このようにして得られた各エアフィルタ
ーを、ファンフィルターユニットのフレームに、それぞ
れ各表に示すガスケットを介装して取り付けた。また、
このガスケットについても一部を切り取ったものを用い
て、前述のＰ＆Ｔ−ＧＣ／ＭＳ法で分析することによ
り、有機物発生量を測定した。その結果も各表に併せて
示す。

【００４３】使用したガスケットは以下のものである。
なお、Ｇ１は、主成分の主剤および硬化剤と、可塑剤、
酸化防止剤、および滑剤とを混合して注型成形を行った
ものである。また、Ｇ２〜Ｇ４は、主成分であるゴム材
と可塑剤、酸化防止剤、および滑剤とを加熱混練し、押
し出し成形機にかけて押し出し成形したものである。ま
た、Ｇ５，Ｇ６は、市販品をそのまま使用した。

【００４４】＜Ｇ１（ウレタンゴム系）＞ 主成分：日本ポリウレタン工業（株）製 ２液型ポリウ
レタン 主剤：ピュアＭＤＩ（商品名）、硬化剤：ポリオール 可塑剤：セバチン酸ジ−２−エチルヘキシル 酸化防止剤：ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート 滑剤：マイクロクリスタリンワックス（炭素数３４〜約
５０） ＜Ｇ２（塩化ビニルゴム系）＞ 主成分：日本ゼオン（株）製 塩化ビニルゴム 可塑剤：塩素化パラフィン 酸化防止剤：２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル
−６−ｔ−ブチルフェノール） 滑剤：マイクロクリスタリンワックス（炭素数３４〜約
５０） ＜Ｇ３（ブチルゴム系）＞ 主成分：アサヒ産業（株）製 ブチルゴム 可塑剤：アジピン酸−１，３−ブチレングリコール 酸化防止剤：１，１，３−トリス−（２−メチル−４−
ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン 滑剤：マイクロクリスタリンワックス（炭素数３４〜約
５０） ＜Ｇ４（クロロプレンゴム系）＞ 主成分：東ソー（株）製 ネオプレンゴム 可塑剤：アジピン酸−１，３−ブチレングリコール 酸化防止剤：１，１，３−トリス−（２−メチル−４−
ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン 滑剤：マイクロクリスタリンワックス（炭素数３４〜約
５０） ＜Ｇ５（ウレタンゴム系）＞ 日本ポリウレタン工業（株）製 液状ＭＤＩ使用のガス
ケット ＜Ｇ６（ウレタンゴム系）＞ 日本ポリウレタン工業（株）製 液状ＭＤＩ使用のガス
ケット 〔クリーンルーム〕また、前記各ファンフィルターユニ
ットを用い、焼付け塗装されたパーテイションを乾式シ
ールして壁材とし、床材としてはフリーアクセスフロア
の表面材をステンレスシートとしたクリーンルームを構
築した。前記壁材および床材は、前述のＰ＆Ｔ−ＧＣ／
ＭＳ法による分析で有機物発生量が共に０．１μｇ／ｇ
以下であった。このようなクリーンルームを稼働させ、
３日後にその内部に６”のシリコンウエハーを置いて６
時間放置し、このウエハーに吸着した有機物の量と種類
を下記のＳＷＡ装置を用いて分析した。その結果も各表
に併せて示す。

【００４５】＜ＳＷＡ装置による分析＞ＳＷＡ装置と
は、ジーエルサイエンス（株）製のシリコンウエハーア
ナライザー（商品名）であり、下記のトラップ装置、Ｔ
ＣＴ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｃｏｌ
ｄ Ｔｒａｐ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）装置、ＧＣ／ＭＳ装
置で構成されている。トラップ装置は、ウエハーの表面
に吸着している物質を脱着し、脱着された成分を捕集す
るものであり、ＴＣＴ装置は、このトラップ装置で捕集
された成分をヘリウム気流中で３００℃に加熱した後
に、液体窒素で−１３０℃に冷却されたキャピラリー管
に導入して冷却捕集するものであり、このＴＣＴ装置で
捕集された成分をヘリウム気流中で３００℃に急速加熱
したものがＧＣ／ＭＳ装置に導入されるようになってい
る。

【００４６】ここで使用したＧＣ／ＭＳ装置は、ＧＣ装
置がＨＰ−５８９０Ａであり、ＭＳ装置がＨＰ−５９７
１Ａである。ＧＣ装置のカラムはＨＰ−５（長さ２５ｍ
ｍ、内径０．２ｍｍ、膜厚０．３３μｍ）を使用し、Ｇ
Ｃ装置の測定時の温度条件は以下の通りである。 初期温度８０℃（１０分間保持）→速度７℃／分で昇温
→最終温度３００℃（１０分間保持） これ以外の点については、前記Ｐ＆Ｔ−ＧＣ／ＭＳ法と
同様であり、これにより、ウエハー表面に吸着している
有機物の含有量と種類とが測定される。なお、この方法
によるとウエハー一枚当たり数ｎｇ（１０^-9ｇ）のオー
ダーまで分析が可能である。

【００４７】

【表１】

【００４８】

【表２】

【００４９】

【表３】

【００５０】これらの結果から分かるように、No. １〜
５およびNo. １０，１１については、クリーンルーム内
に存在するガス状有機物を少なくすることができ、当該
クリーンルーム内に置かれたシリコンウエハーに吸着す
る有機物の量を、従来のＵＬＰＡフィルター（No. ６）
や低分子量の可塑剤および酸化防止剤等を使用したフィ
ルター（No. ７〜９，１２）の場合の１／１０以下にす
ることができる。また、塵埃の除去効率も９９．９９９
％以上となり、エアフィルターとしての性能を損なわな
いものであった。 （実施例２）床材、壁材、エアフィルター（プレフィル
ター：外気取り込み口用、メインフィルター：クリーン
エア吹出口用）の濾材、エアフィルターの濾材とフレー
ムとを固定するシール材として、下記の各材料を表４お
よび５に示す組合せで用い、それぞれクリーンルームを
構築した。各クリーンルームの大きさ（内寸）は６００
０×７２００×３７００ｍｍとした。 〔床材〕塩ビ敷シート（厚さ２．０ｍｍ）は、ポリ塩
化ビニル樹脂に可塑剤としてエポキシ化大豆油、酸化防
止剤としてステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、難燃剤と
して水酸化アルミニウム、帯電防止剤としてステアリル
アミドエチレンオキサイド付加体を添加して作製した。
塩ビ敷シート（厚さ２．０ｍｍ）は、市販品（東リ
（株）製帯電防止フロアリウム）である。

【００５１】アルミニウム製フリーアクセスフロアに、
前記いずれかの塩ビシートまたは市販のステンレス製シ
ートを貼り付けることにより、クリーンルームの床を形
成した。 〔壁材〕塩ビクロス（厚さ０．２８ｍｍ）は、ポリ塩
化ビニル樹脂に、可塑剤としてアジピン酸−１，３−ブ
チレングリコール、酸化防止剤として２，２’−メチレ
ン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ル）、難燃剤として三酸化アンチモン、帯電防止剤して
ステアリルアミドエチレンオキサイド付加体を添加して
作製した。塩ビクロス（厚さ１．０ｍｍ）は、市販品
（（株）サンゲツ製ＳＧ１５３３）である。

【００５２】クリーンルームの壁は、前記いずれかの塩
ビクロスを壁面に貼り付けるか、コマニー（株）製のク
リーンルーム用パーティション（鉄板製のパーティショ
ン表面に焼付け塗装が施されたもの）の設置により構成
した。 〔エアフィルター〕プレフィルター（Ｐ・Ｆ）およびメ
インフィルター（ＵＬＰＡフィルター：Ｕ・Ｆ）用の濾
材として、化学組成の異なる三種類のガラス繊維製濾材
〜、ポリエステル繊維製濾材、フッ素繊維（ＰＴＦ
Ｅ繊維）製濾材を用意した。

【００５３】濾材をフレームに固定するシール材とし
て、ポリウレタン樹脂系シール材とエポキシ樹脂系
シール材を用意した。ポリウレタン樹脂系シール材
は、主剤としてピュアＭＤＩ（日本ポリウレタン工業
（株）製の高純度メチレンジイソシアネート＝ジフェニ
ルメタンジイソシアネート）を含む二液型のシール材で
あり、ピュアＭＤＩの液状化剤としてシール材はリン
酸トリオレイルをシール材はリン酸トリブチルをそれ
ぞれ０．３重量％配合し、それ以外はシール材で同
様の組成とした。

【００５４】フレームはアルミニウム製で、内寸が６０
０×１２００×１００ｍｍであるものを用いた。ＵＬＰ
Ａフィルターは、シール材が十分硬化した後に、ガスケ
ットを使用しないでクリーンルーム天井の開口部に取り
付け、プレフィルターは、シール材が十分硬化した後
に、天井に向かうダクトの外気取り入れ口に取り付け
た。 〔各構成材料の分析方法〕使用した床材および壁材の各
表面材、エアフィルターの濾材およびシール材を（シー
ル材については硬化後３日経った後に）所定量だけ切り
取り、実施例１に示したＰ＆Ｔ−ＧＣ／ＭＳ法により有
機物の定性分析および有機リン化合物の定量分析を行う
とともに、下記の方法でホウ素含有量を分析した。前記
方法による有機リン化合物の定量分析の検出限界値は
１．０μｇ／ｇである。

【００５５】＜ホウ素含有量の分析法＞切り取った試料
を所定量の超純水（比抵抗１８．６ＭΩ以上）中に２８
日間浸漬し、この超純水をＩＣＰ／ＭＳ装置（ヒューレ
ットパッカード社のＨＰ−４５００型）に導入し、この
超純水中に溶出している無機物を分析し、濃度既知のホ
ウ酸水溶液で作成した検量線を用いてホウ素含有量を定
量した。この方法による定量分析の検出限界値は０．１
μｇ／ｇである。 〔クリーンルームの評価〕各クリーンルームでは、プレ
フィルターを通過した外気（フレッシュエア）とクリー
ンルーム内からのリターン空気とが混合されて天井裏の
チャンバに送られ、天井のＵＬＰＡフィルターを通過し
てクリーンルーム内に供給されるようになっており、リ
ターン空気とフレッシュエアとの混合比を１０：１とし
た。そして、各クリーンルームを、ＵＬＰＡフィルター
からの出口での空気の流速を０．４０ｍ／ｓとし、温度
２３℃相対湿度４０％とし、無人で内部に何も置かない
状態で２週間連続稼働させ、その後に各クリーンルーム
内の空気を取り出して、この空気に含まれる有機物およ
び無機物の分析を行った。

【００５６】有機物の分析は、先ず、テナックス管（ク
ロムパック社の商品名）にクリーンルーム内の空気を４
０リットル導入することにより、当該空気中に含まれる
有機成分を吸着させる。次に、このテナックス管をＴＣ
Ｔ装置（実施例１参照）に装着し、ＴＣＴ装置によりテ
ナックス管に吸着した有機成分を取り出し、これを加熱
してＧＣ／ＭＳ装置に導入することにより行った。この
方法による定量分析の検出限界値は１０ng／m³である。

【００５７】無機物の分析は、クリーンルーム内の空気
を、毎分１０リットルの流量で２４時間、超純水（比抵
抗１８．６ＭΩ以上）２００ミリリットルが入ったイン
ピンジャーに導入して、超純水中に当該空気中に含まれ
る無機成分を溶出させ、この超純水をＩＣＰ／ＭＳ装置
（ヒューレットパッカード社のＨＰ−４５００型）に導
入することにより行った。この方法による定量分析の検
出限界値は２０ｎｇ／ｍ³ である。

【００５８】上記各分析結果についても表４および５に
併せて示す。

【００５９】

【表４】

【００６０】

【表５】

【００６１】これらの結果から分かるように、No. ２１
〜２４のクリーンルームでは、クリーンルーム内空気の
有機リン化合物およびホウ素化合物の分析値が検出限界
値以下となっており、クリーンルーム内の空気中に有機
リン化合物およびホウ素化合物が存在しないため、これ
らのクリーンルームは、半導体製造用のクリーンルーム
として特に好適なものとなる。これに対してNo. ２５〜
２８のクリーンルームでは、クリーンルーム内空気中に
有機リン化合物およびホウ素化合物のいずれかが存在す
るため、半導体製造用のクリーンルームとしては不要な
ドーピングがなされる恐れがあるため好ましくない。

【００６２】なお、この実施例２では、ＵＬＰＡフィル
ターをガスケットを使用しないでクリーンルーム天井の
開口部に取り付けているが、ウレタンゴム系のガスケッ
トを使用する場合には、濾材をフレームに固定するシー
ル材と同様にジフェニルメタンイソシアネートの液状化
材として分子量３００以上のリン酸エステルを用いるこ
とが好ましい。 （実施例３）壁材、エアフィルターの濾材（ＵＬＰＡフ
ィルター）、エアフィルターの濾材とフレームとを固定
するシール材を表６に示す組合せで用い、それぞれ半導
体製造装置用の局所設備を構築した。また、各構成材料
の分析を実施例２と同様にして行った。

【００６３】そして、各局所設備を実施例２のNo. ２１
のクリーンルーム内に設置し、No.３１および３３につ
いては、このクリーンルーム内の空気（フレッシュエア
とリターン空気が混合されてクリーンルームのＵＬＰＡ
フィルターを通過した空気）が局所設備のＵＬＰＡフィ
ルターに導入されるようにした。また、No. ３２および
３４については、フレッシュエアのみが局所設備のＵＬ
ＰＡフィルターに導入されるようにした。このようにし
て、前記条件で稼働しているNo. ２１のクリーンルーム
内で各局所設備を２週間連続稼働させ、その後に各局所
設備内の空気を取り出して、この空気に含まれる有機物
および無機物の分析を前記実施例２と同様にして行っ
た。

【００６４】上記各分析結果についても表６に併せて示
す。

【００６５】

【表６】

【００６６】これらの結果から分かるように、本発明の
実施形態に相当するNo. ３１，３３の局所設備では、局
所設備内空気の有機リン化合物およびホウ素化合物の分
析値が検出限界値以下となっており、局所設備内の空気
中に有機リン化合物およびホウ素化合物が存在しないた
め、これらの局所設備は、半導体製造用の局所設備とし
て特に好適なものとなる。これに対して本発明の比較例
に相当するNo. ３２，３４の局所設備では、局所設備内
の空気中に有機リン化合物およびホウ素化合物のいずれ
かが存在するため、半導体製造用の局所設備としては、
不要なドーピングがなされる恐れがあるため好ましくな
い。

【００６７】なお、この実施例３でも、ＵＬＰＡフィル
ターをガスケットを使用しないで局所設備の天井の開口
部に取り付けているが、ウレタンゴム系のガスケットを
使用する場合には、濾材をフレームに固定するシール材
と同様にジフェニルメタンイソシアネートの液状化材と
して分子量３００以上のリン酸エステルを用いることが
好ましい。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、本発明の局所設備（ＵＬ
ＰＡフィルターを備えているクリーンブースまたは半導
体製造装置）ではガス状有機物の発生量が少ないため、
半導体製造産業などでこのような局所設備を使用すれ
ば、シリコンウエハーへの有機物吸着量が低減されて歩
留りが向上する。また、本発明の局所設備のうち有機リ
ン化合物およびホウ素化合物が存在しないようにしたも
のは、シリコンウエハに不要なドーピングがなされる恐
れがないため、半導体製造用の局所設備として特に好適
なものとなる。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｄ０６Ｍ 15/39 Ｄ０６Ｍ 15/39 15/507 15/55 15/55 Ｆ２４Ｆ 7/06 Ｃ Ｆ２４Ｆ 7/06 Ｄ０６Ｍ 101:00 // Ｄ０６Ｍ 101:00 15/507 Ｚ (56)参考文献 特開 平６−302487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−22314（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−185238（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−83181（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−66038（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−53444（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B01D 46/10 B01D 39/00 - 39/20 F24F 7/06

Claims (20)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非シリコーン系撥水剤およびバインダー
   を含有する処理剤をガラス繊維にしみ込ませた後に、こ
   れを乾燥させて布状に形成された濾材と、この濾材を入
   れるフレームと、このフレームと濾材との間を密封する
   シール材とで構成され、空気中の浮遊粒状物質を捕集す
   るエアフィルターとして、前記非シリコーン系撥水剤の
   主成分が、炭素数２０以上のマイクロクリスタリンワッ
   クス、炭素数２０以上のポリオレフィンワックス、およ
   び炭素数１８以上の高級アルコールのうちの少なくとも
   いずれか一つであることを特徴とするＵＬＰＡフィルタ
   ーを備えているクリーンブースまたは半導体製造装置。
2. 【請求項２】 前記高級アルコールは、炭素数１８，２
   ０，２４の分岐アルコール、およびオレイルアルコール
   のうちの少なくともいずれか一つであることを特徴とす
   る請求項１記載のクリーンブースまたは半導体製造装
   置。
3. 【請求項３】 可塑剤およびバインダーを含有する処理
   剤をガラス繊維にしみ込ませた後に、これを乾燥させて
   布状に形成された濾材と、この濾材を入れるフレーム
   と、このフレームと濾材との間を密封するシール材とで
   構成され、空気中の浮遊粒状物質を捕集するエアフィル
   ターとして、前記可塑剤の主成分が、分子量４００以上
   のカルボン酸エステル、アジピン酸またはアゼライン酸
   またはセバチン酸またはフタル酸とグリコールまたはグ
   リセリンとの重縮合により得られる分子量２０００以上
   ８０００以下のポリエステル、分子量４００以上５００
   以下のエポキシ脂肪酸エステル、およびエポキシ化大豆
   油のうちの少なくともいずれか一つであることを特徴と
   するＵＬＰＡフィルターを備えているクリーンブースま
   たは半導体製造装置。
4. 【請求項４】 前記カルボン酸エステルは、フタル酸ジ
   イソノニル、フタル酸オクチルデシル、フタル酸ジイソ
   デシル、フタル酸ジラウリル、フタル酸ジミリスチリ
   ル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバチン酸
   ジ−２−エチルヘキシル、トリメリット酸トリス−２−
   エチルヘキシル、トリメリット酸トリオクチル、トリメ
   リット酸トリノニル、トリメリット酸トリデシルのうち
   の少なくともいずれか一つであることを特徴とする請求
   項３記載のクリーンブースまたは半導体製造装置。
5. 【請求項５】 酸化防止剤およびバインダーを含有する
   処理剤をガラス繊維にしみ込ませた後に、これを乾燥さ
   せて布状に形成された濾材と、この濾材を入れるフレー
   ムと、このフレームと濾材との間を密封するシール材と
   で構成され、空気中の浮遊粒状物質を捕集するエアフィ
   ルターとして、前記酸化防止剤の主成分が分子量３００
   以上のフェノール系化合物であることを特徴とするＵＬ
   ＰＡフィルターを備えているクリーンブースまたは半導
   体製造装置。
6. 【請求項６】 前記酸化防止剤の主成分は、ステアリル
   −β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
   ニル）プロピオネート、２，２’−メチレン−ビス−
   （４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’
   −メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェ
   ノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ
   −ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデン−ビス−
   （３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，
   ３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−
   ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−
   ２，４，６−トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
   ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス〔メチレン
   −３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキ
   シフェニル）プロピオネート〕メタン、ビス−〔３，
   ３’−ビス−（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフ
   ェニル）ブチリックアシド〕グリコールエステル、およ
   びトコフェノールのうちの少なくともいずれか一つであ
   ることを特徴とする請求項５記載のクリーンブースまた
   は半導体製造装置。
7. 【請求項７】 繊維を処理剤で処理して布状に形成され
   た濾材と、この濾材を入れるフレームと、このフレーム
   と濾材との間を密封するシール材とで構成され、空気中
   の浮遊粒状物質を捕集するエアフィルターとして、前記
   シール材に含まれる可塑剤の主成分が、分子量４００以
   上のカルボン酸エステル、ポリエステル、エポキシ系化
   合物のうちの少なくともいずれか一つであることを特徴
   とするＵＬＰＡフィルターを備えているクリーンブース
   または半導体製造装置。
8. 【請求項８】 前記シール材に含まれる可塑剤の主成分
   は、フタル酸ジイソノニル、フタル酸オクチルデシル、
   フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジラウリル、フタル酸
   ジミリスチリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシ
   ル、セバチン酸ジ−２−エチルヘキシル、トリメリット
   酸トリス−２−エチルヘキシル、トリメ リット酸トリオ
   クチル、トリメリット酸トリノニル、トリメリット酸ト
   リデシル、アジピン酸またはアゼライン酸またはセバチ
   ン酸またはフタル酸とグリコールまたはグリセリンとの
   重縮合により得られるポリエステル、エポキシ脂肪酸エ
   ステル、およびエポキシ化大豆油のうちの少なくともい
   ずれか一つであることを特徴とする請求項７記載のクリ
   ーンブースまたは半導体製造装置。
9. 【請求項９】 繊維を処理剤で処理して布状に形成され
   た濾材と、この濾材を入れるフレームと、このフレーム
   と濾材との間を密封するシール材とで構成され、空気中
   の浮遊粒状物質を捕集するエアフィルターとして、前記
   シール材に含まれる酸化防止剤の主成分が分子量３００
   以上のフェノール系化合物であることを特徴とするＵＬ
   ＰＡフィルターを備えているクリーンブースまたは半導
   体製造装置。
10. 【請求項１０】 前記シール材に含まれる酸化防止剤の
    主成分は、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
    −４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’
    −メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェ
    ノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−
    ６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−
    （３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’
    −ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフ
    ェノール）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−
    ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，
    ３，５−トリメチル−２，４，６−トリス−（３，５−
    ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、
    テトラキス〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブ
    チル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メ
    タン、ビス−〔３，３’−ビス−（４’−ヒドロキシ−
    ３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシド〕グリコ
    ールエステル、およびトコフェノールのうちの少なくと
    もいずれか一つであることを特徴とする請求項９記載の
    クリーンブースまたは半導体製造装置。
11. 【請求項１１】 繊維を処理剤で処理して布状に形成さ
    れた濾材と、この濾材を入れるフレームと、このフレー
    ムと濾材との間を密封するシール材とで構成され、空気
    中の浮遊粒状物質を捕集するエアフィルターとして、前
    記シール材に含まれる滑剤の主成分が、炭素数２０以上
    の脂肪族炭化水素および炭素数１８以上の高級アルコー
    ルのうちの少なくともいずれか一つであることを特徴と
    するＵ ＬＰＡフィルターを備えているクリーンブースま
    たは半導体製造装置。
12. 【請求項１２】 前記シール材に含まれる滑剤の主成分
    は、マイクロクリスタリンワックス、天然パラフィン、
    合成パラフィン、ポリオレフィンワックス、炭素数１
    ８，２０，２４の分岐アルコール、およびオレイルアル
    コールのうちの少なくともいずれか一つであることを特
    徴とする請求項１１記載のクリーンブースまたは半導体
    製造装置。
13. 【請求項１３】 前記シール材の主成分は、イソシアネ
    ートからなる主剤と硬化剤との反応で形成される２液型
    のポリウレタン樹脂であり、硬化剤の活性水素の当量が
    主剤のイソシアネート基の当量より多く、且つリン酸エ
    ステルを含まないことを特徴とする請求項１〜１２のい
    ずれか一つに記載のクリーンブースまたは半導体製造装
    置。
14. 【請求項１４】 前記シール材の主成分は、主剤と硬化
    剤との反応で形成される２液型のエポキシ樹脂であり、
    硬化剤が酸性または中性のものであることを特徴とする
    請求項１〜１２のいずれか一つに記載のクリーンブース
    または半導体製造装置。
15. 【請求項１５】 前記シール材の主成分は、主剤と硬化
    剤との反応で形成される２液型のエポキシ樹脂であっ
    て、硬化剤はアミン系であり、残存アミン低減手段が施
    されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか
    一つに記載のクリーンブースまたは半導体製造装置。
16. 【請求項１６】 前記濾材はシリコーンオイルが付着し
    たガラス繊維を処理剤で処理して布状に形成されるもの
    であり、当該シリコーンオイルはケイ素数１０以下の環
    状シロキサンを含まないものであることを特徴とする請
    求項１〜１５のいずれか一つに記載のクリーンブースま
    たは半導体製造装置。
17. 【請求項１７】 壁の少なくとも表面材と、エアフィル
    ターの濾材および濾材とフレームとの間を密封するシー
    ル材とを、空気中に有機リン化合物およびホウ素化合物
    を放出しない材料で形成したことを特徴とする請求項１
    〜１６のいずれか一つに記載のクリーンブースまたは半
    導体製造装置。
18. 【請求項１８】 前記材料は、パージアンドトラップ法
    によるガス状有機リン化合物の発生量が材料１ｇ当たり
    １０μｇ以下であり、且つ超純水に２８日間 浸漬して溶
    出させたホウ素化合物が材料１ｇ当たり２０μｇ以下で
    あることを特徴とする請求項１７記載のクリーンブース
    または半導体製造装置。
19. 【請求項１９】 前記シール材はポリウレタン樹脂系シ
    ール材であって、その主成分を構成するジイソシアネー
    トとしてジフェニルメタンジイソシアネートを含み、そ
    の液状化剤としてリン酸エステルを含む場合に、当該リ
    ン酸エステルを分子量が３００以上のものとしたことを
    特徴とする請求項１７または１８に記載のクリーンブー
    スまたは半導体製造装置。
20. 【請求項２０】 前記液状化剤として使用するリン酸エ
    ステルは、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸ト
    リブトキシエチル、リン酸トリオレイル、リン酸トリフ
    ェニル、リン酸トリクレゾール、リン酸トリキシレニ
    ル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸キシレニルジフ
    ェニル、リン酸−２−エチルヘキシルジフェニル、芳香
    族縮合リン酸エステル、亜リン酸トリストリデシル、お
    よび亜リン酸トリフェニルのうち少なくともいずれか一
    つであることを特徴とする請求項１９記載のクリーンブ
    ースまたは半導体製造装置。