JP3263401B2 - 結晶化によりアジピン酸を精製する方法 - Google Patents
結晶化によりアジピン酸を精製する方法Info
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- C07C51/42—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C51/43—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change of the physical state, e.g. crystallisation
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、少なくとも１種のカルボン酸から結晶化又
は再結晶することによりアジピン酸を精製する方法に関
する。
は再結晶することによりアジピン酸を精製する方法に関
する。
アジピン酸は、ポリアミド６−６を製造するための二
つの基礎材料である。ポリアミド６−６に対する用途の
ためには、それは非常に高い純度を有する必要があり、
この純度は先駆物質の段階で、特にアジピン酸の段階で
既に存在しなければならない。
つの基礎材料である。ポリアミド６−６に対する用途の
ためには、それは非常に高い純度を有する必要があり、
この純度は先駆物質の段階で、特にアジピン酸の段階で
既に存在しなければならない。
アジピン酸が含有する純度は、これを製造する方法に
応じて、明らかに相違する。本発明の方法は、各種の合
成方法に由来するアジピン酸に適用することができる。
事実、最もやっかいで且つ時には最も経費のかかる不純
物の一つは、アジピン酸の製造中に使用される触媒の微
量の存在によって形成される。
応じて、明らかに相違する。本発明の方法は、各種の合
成方法に由来するアジピン酸に適用することができる。
事実、最もやっかいで且つ時には最も経費のかかる不純
物の一つは、アジピン酸の製造中に使用される触媒の微
量の存在によって形成される。
しかしながら、以下の説明においては、本発明の方法
は、特に、ブタジエンの二段階ヒドロキシカルボニル化
から得られるアジピン酸に適用される。
は、特に、ブタジエンの二段階ヒドロキシカルボニル化
から得られるアジピン酸に適用される。
ブタジエンの第一ヒドロキシカルボニル化はペンテン
酸類の混合物、主として３−ペンテン酸をもたらす。第
二ヒドロキシカルボニル化は、第一反応で得られたペン
テン酸に影響し、ある種の量の２−メチルグルタル酸、
２−エチルこはく酸及び第一ヒドロキシカルボニル化反
応に由来するその他の化合物、例えばγ−バレロラクト
ン、未転化のペンテン酸及びメチルブテン酸も含有する
アジピン酸をもたらす。また、それは、第二ヒドロキシ
カルボニル化反応で使用された微量の触媒、通常イリジ
ウム及び（又は）ロジウムも含有する。
酸類の混合物、主として３−ペンテン酸をもたらす。第
二ヒドロキシカルボニル化は、第一反応で得られたペン
テン酸に影響し、ある種の量の２−メチルグルタル酸、
２−エチルこはく酸及び第一ヒドロキシカルボニル化反
応に由来するその他の化合物、例えばγ−バレロラクト
ン、未転化のペンテン酸及びメチルブテン酸も含有する
アジピン酸をもたらす。また、それは、第二ヒドロキシ
カルボニル化反応で使用された微量の触媒、通常イリジ
ウム及び（又は）ロジウムも含有する。
シクロヘキサのアジピン酸への直接酸化は、一般に、
コバルト触媒の存在下に実施されので、この方法では得
られるアジピン酸は微量のコバルト触媒を含有する。
コバルト触媒の存在下に実施されので、この方法では得
られるアジピン酸は微量のコバルト触媒を含有する。
アジピン酸は、低温では水への溶解度は低いが、高温
では一層溶解性であるので、アジピン酸の結晶化にはこ
の溶媒が一般に使用される。
では一層溶解性であるので、アジピン酸の結晶化にはこ
の溶媒が一般に使用される。
しかしながら、特に、微量の金属に関する限りでは、
アジピン酸に対してますます要求されている純度が非常
に高いために、水からの一回又は何回もの再結晶はしば
しば不適切であることがわかる。
アジピン酸に対してますます要求されている純度が非常
に高いために、水からの一回又は何回もの再結晶はしば
しば不適切であることがわかる。
アジピン酸の各種の用途に対して微量金属の存在に起
因しうる欠点に加えて、ある種の触媒、例えばイリジウ
ム又はロジウムの本質的な価値は、アジピン酸のトン数
が非常に大きいことを念頭におけば、経済的に実施可能
な工業的方法との関係でそれらを可能な限り完全に回収
することが必須であることを意味する。
因しうる欠点に加えて、ある種の触媒、例えばイリジウ
ム又はロジウムの本質的な価値は、アジピン酸のトン数
が非常に大きいことを念頭におけば、経済的に実施可能
な工業的方法との関係でそれらを可能な限り完全に回収
することが必須であることを意味する。
本発明は、アジピン酸を結晶化又は再結晶するにあた
り、該結晶化又は再結晶を20℃以下の融点を有する少な
くとも１種のカルボン酸中で実施することを特徴とす
る、アジピン酸の改良結晶化又は再結晶方法である。
り、該結晶化又は再結晶を20℃以下の融点を有する少な
くとも１種のカルボン酸中で実施することを特徴とす
る、アジピン酸の改良結晶化又は再結晶方法である。
本発明の方法で使用されるカルボン酸は、詳しくいえ
ば、飽和であるか又はエチレン性不飽和を含有する脂肪
族カルボン酸である。
ば、飽和であるか又はエチレン性不飽和を含有する脂肪
族カルボン酸である。
それらは、好ましくは、２〜６個の炭素原子を含有す
る線状又は分岐状のモノカルボン酸である。
る線状又は分岐状のモノカルボン酸である。
このようなモノカルボン酸の例としては、酢酸、プロ
ピオン酸、ブタン酸類、ペンタン酸類、ヘキサン酸類、
ペンテン酸類などであるが、これらに限定されない。
ピオン酸、ブタン酸類、ペンタン酸類、ヘキサン酸類、
ペンテン酸類などであるが、これらに限定されない。
酢酸及びペンテン酸が好ましく、酢酸はその入手可能
性のため及びシクロヘキサンからのアジピン酸の合成に
これを使用するためであり、またペンテン酸類はそれが
ブタジエンからのアジピン酸の製造における中間体であ
るためである。
性のため及びシクロヘキサンからのアジピン酸の合成に
これを使用するためであり、またペンテン酸類はそれが
ブタジエンからのアジピン酸の製造における中間体であ
るためである。
この方法で再結晶されるアジピン酸の純度は、再結晶
を一酸化炭素の存在下に実施したときはさらに改善され
得る。
を一酸化炭素の存在下に実施したときはさらに改善され
得る。
一酸化炭素は、結晶化又は再結晶反応器における溶液
上の雰囲気（即ち、反応器ヘッドスペース）の少なくと
も一部分を構成することができ、或いは該反応器内に大
気圧よりも高い圧力を創生させることができる。
上の雰囲気（即ち、反応器ヘッドスペース）の少なくと
も一部分を構成することができ、或いは該反応器内に大
気圧よりも高い圧力を創生させることができる。
従って、実際には、本発明の方法は、０（好ましく
は、少なくとも0.5バール）〜50バールの一酸化炭素の
絶対圧の下で操作され、その上限はその性質上臨界的で
はないが、過度に経費のかからない工業的装置によって
決められる。
は、少なくとも0.5バール）〜50バールの一酸化炭素の
絶対圧の下で操作され、その上限はその性質上臨界的で
はないが、過度に経費のかからない工業的装置によって
決められる。
本発明の方法に従う再結晶に付される粗製のアジピン
酸は、通常は、ほぼ95％の最低純度をもたらすように、
１回又は２回以上の精製操作を、特に水からの結晶化、
精製或いはまたは蒸留による操作を既に受けたアジピン
酸である。
酸は、通常は、ほぼ95％の最低純度をもたらすように、
１回又は２回以上の精製操作を、特に水からの結晶化、
精製或いはまたは蒸留による操作を既に受けたアジピン
酸である。
一般に、本発明の方法により再結晶されるアジピン酸
は、95〜99.95％の純度を有する。
は、95〜99.95％の純度を有する。
再結晶は、精製しようとするアジピン酸を取り、それ
を最低量の熱い脂肪族カルボン酸に、即ち、通常は80〜
250℃の温度で、要すれば一酸化炭素の少なくとも分圧
下に又は一酸化炭素の雰囲気下に溶解させ、次いで、要
すれば純アジピン酸の結晶を使用して溶液に播種した後
に、溶液を冷却することにより溶解アジピン酸の結晶化
を誘発させることからなる。
を最低量の熱い脂肪族カルボン酸に、即ち、通常は80〜
250℃の温度で、要すれば一酸化炭素の少なくとも分圧
下に又は一酸化炭素の雰囲気下に溶解させ、次いで、要
すれば純アジピン酸の結晶を使用して溶液に播種した後
に、溶液を冷却することにより溶解アジピン酸の結晶化
を誘発させることからなる。
一般に、カルボン酸の使用量は、選定された温度でア
ジピン酸の飽和溶液をもたらすようなものである。例示
として、90℃では、３−ペンテン酸中の飽和溶液は重量
／重量でほぼ33％のアジピン酸を含有する。
ジピン酸の飽和溶液をもたらすようなものである。例示
として、90℃では、３−ペンテン酸中の飽和溶液は重量
／重量でほぼ33％のアジピン酸を含有する。
また、アジピン酸の触媒含有量は、再結晶を強プロト
ン酸の存在下に実施するときに削減することができる。
ン酸の存在下に実施するときに削減することができる。
本明細書において、強プロトン酸とは、１以下のpKa
を有する無機プロトン酸を意味する。
を有する無機プロトン酸を意味する。
このような強プロトン酸の限定的でない例としては、
沃化水素酸、臭化水素酸、塩酸、硝酸及び硫酸が挙げら
れる。
沃化水素酸、臭化水素酸、塩酸、硝酸及び硫酸が挙げら
れる。
強プロトン酸の量は、アジピン酸中に存在する触媒金
属の１モル当たり０モル〜100モルの範囲内にあり得
る。好ましくは、強プロトン酸の量は、触媒金属の１モ
ル当たり０モル（好ましくは１モル）〜50モルの範囲内
にあり得る。
属の１モル当たり０モル〜100モルの範囲内にあり得
る。好ましくは、強プロトン酸の量は、触媒金属の１モ
ル当たり０モル（好ましくは１モル）〜50モルの範囲内
にあり得る。
本発明の方法は、同様に、アジピン酸が存在する反応
混合物からのアジピン酸の結晶化も包含する。
混合物からのアジピン酸の結晶化も包含する。
従って、ペンテン酸を水及び一酸化炭素によりヒドロ
キシカルボニル化することによって得られた混合物から
アジピン酸を結晶化させることが可能である。この反応
混合物は、ヒドロキシカルボニル化のために使用される
一酸化炭素の存在下又は不存在下にカルボン酸と混合す
ることができ、この全混合物は再結晶について上で示し
たように80〜250℃の温度に保持することができる。
キシカルボニル化することによって得られた混合物から
アジピン酸を結晶化させることが可能である。この反応
混合物は、ヒドロキシカルボニル化のために使用される
一酸化炭素の存在下又は不存在下にカルボン酸と混合す
ることができ、この全混合物は再結晶について上で示し
たように80〜250℃の温度に保持することができる。
また、結晶化は、ヒドロキシカルボニル化反応器で反
応混合物を、好ましくは一酸化炭素の圧力下に冷却する
ことによって実施することができる。この別法は、特
に、ヒドロキシカルボニル化をカルボン酸中で実施する
ときに或いはそれを３−ペンテン酸の転化率が不完全で
ある３−ペンテン酸中で実施するときに使用することが
できる。
応混合物を、好ましくは一酸化炭素の圧力下に冷却する
ことによって実施することができる。この別法は、特
に、ヒドロキシカルボニル化をカルボン酸中で実施する
ときに或いはそれを３−ペンテン酸の転化率が不完全で
ある３−ペンテン酸中で実施するときに使用することが
できる。
ヒドロキシカルボニル化反応は一酸化炭素の存在下に
実施されるので、結晶化のためにこの化合物を添加する
ことは一般に必要ではないが、適当な場合にはこの可能
性は排除されない。
実施されるので、結晶化のためにこの化合物を添加する
ことは一般に必要ではないが、適当な場合にはこの可能
性は排除されない。
同様に、ヒドロキシカルボニル化反応で使用される促
進剤が沃化水素酸又は臭化水素酸であってよいので、強
プロトン酸を添加する必要がないかもしれない。しかし
ながら、所望ならば、反応混合物中に存在する強プロト
ン酸の量を補給することができる。アジピン酸の再結晶
については、好ましくないが強プロトン酸の不存在下に
操作することも可能である。
進剤が沃化水素酸又は臭化水素酸であってよいので、強
プロトン酸を添加する必要がないかもしれない。しかし
ながら、所望ならば、反応混合物中に存在する強プロト
ン酸の量を補給することができる。アジピン酸の再結晶
については、好ましくないが強プロトン酸の不存在下に
操作することも可能である。
本発明に従う再結晶は、触媒金属の含有量をさらに削
減するためにアジピン酸について多数回連続して実施す
ることができる。また、本発明に従う結晶化又は再結晶
に続いて水からの１回以上の再結晶を実施することも可
能である。
減するためにアジピン酸について多数回連続して実施す
ることができる。また、本発明に従う結晶化又は再結晶
に続いて水からの１回以上の再結晶を実施することも可
能である。
下記の実施例は本発明を例示するものである。
例１（参考） 31.2μｇのCo（アジピン酸の単位重量当たり0.0006重
量％）を含有する5.2gのアジピン酸及び7.5mlの酢酸を
ガラスバルブに装入する。このアジピン酸は、酢酸Coの
存在下にシクロヘキサンの直接酸化により製造され、水
からの再結晶により精製されたものである。このもの
は、測定可能な有機不純物を何も含有しない。
量％）を含有する5.2gのアジピン酸及び7.5mlの酢酸を
ガラスバルブに装入する。このアジピン酸は、酢酸Coの
存在下にシクロヘキサンの直接酸化により製造され、水
からの再結晶により精製されたものである。このもの
は、測定可能な有機不純物を何も含有しない。
解放されたバルブを125mlのオートクレーブに入れ、
次いでこれを密閉する。
次いでこれを密閉する。
ヘッドスペースに冷間で窒素を充填する（ほぼ１バー
ル）。
ル）。
温度を185℃に上昇させ、このレベルにほぼ30分間保
持する。
持する。
オートクレーブを冷却し、窒素でパージした後、アジ
ピン酸をろ過により取り出し、オートクレーブを数mlの
酢酸ですすぐ。
ピン酸をろ過により取り出し、オートクレーブを数mlの
酢酸ですすぐ。
ろ過により取り出したアジピン酸を5mlの酢酸で２
回、次いで8mlの酢酸で３回洗浄する。
回、次いで8mlの酢酸で３回洗浄する。
アジピン酸をオーブン60℃）終夜乾燥する。最終アジ
ピン酸中に存在するコバルトを、質量分光計（ICP/質
量）と組み合わせた誘導結合プラズマによって評価す
る。重量／重量で0.00008％のCoが見出された。
ピン酸中に存在するコバルトを、質量分光計（ICP/質
量）と組み合わせた誘導結合プラズマによって評価す
る。重量／重量で0.00008％のCoが見出された。
例２（参考） 例１を、同じ装入物及び同じ条件下であるが、ただし
使用した反応混合物に使用したアジピン酸中に存在する
Coの１モル当量当たり10モル当量のHClを添加して、反
復する。
使用した反応混合物に使用したアジピン酸中に存在する
Coの１モル当量当たり10モル当量のHClを添加して、反
復する。
例１と同じ処理によって重量／重量で0.000009％のCo
を含有する乾燥された最終アジピン酸が得られた。
を含有する乾燥された最終アジピン酸が得られた。
例３〜８ 例１を、同じ操作条件下であるが、ただし使用した反
応混合物にHI（後記の表１に示した通りのHI対Irのモル
比で）を添加し、さらに再結晶用溶媒として３−ペンテ
ン酸（P3）を使用し、イリジウムを含有するアジピン酸
（AdOH）を使用して、反復する。このアジピン酸は、Ir
を基材とした触媒の存在下に３−ペンテン酸のヒドロキ
シカルボニル化によって製造され、水からの再結晶によ
って精製された。それは測定可能な量の有機不純物を何
ら含有しない。
応混合物にHI（後記の表１に示した通りのHI対Irのモル
比で）を添加し、さらに再結晶用溶媒として３−ペンテ
ン酸（P3）を使用し、イリジウムを含有するアジピン酸
（AdOH）を使用して、反復する。このアジピン酸は、Ir
を基材とした触媒の存在下に３−ペンテン酸のヒドロキ
シカルボニル化によって製造され、水からの再結晶によ
って精製された。それは測定可能な量の有機不純物を何
ら含有しない。
再結晶に続いて、アジピン酸はアジピン酸で飽和され
た３−ペンテン酸により、次いでアジピン酸で飽和され
た水により洗浄する。
た３−ペンテン酸により、次いでアジピン酸で飽和され
た水により洗浄する。
下記の表１は、例を実施した条件（Tp＝温度）並びに
使用したアジピン酸のIrの初期含有量及び最終含有量
（初期Ir及び最終Ir）（μg/gで表す）を要約する。
使用したアジピン酸のIrの初期含有量及び最終含有量
（初期Ir及び最終Ir）（μg/gで表す）を要約する。
例９〜12 例３〜８を反復するが、ただしロジウムを含有するア
ジピン酸（AdOH）を使用する。このアジピン酸は、Rhを
基材とした触媒の存在下に３−ペンテン酸のヒドロキシ
カルボニル化によって製造され、水からの再結晶によっ
て精製された。それは測定可能な量の有機不純物を何ら
含有しない。
ジピン酸（AdOH）を使用する。このアジピン酸は、Rhを
基材とした触媒の存在下に３−ペンテン酸のヒドロキシ
カルボニル化によって製造され、水からの再結晶によっ
て精製された。それは測定可能な量の有機不純物を何ら
含有しない。
再結晶に続いて、アジピン酸はアジピン酸で飽和され
た３−ペンテン酸により、次いでアジピン酸で飽和され
た水により洗浄する。
た３−ペンテン酸により、次いでアジピン酸で飽和され
た水により洗浄する。
下記の表２は、例を実施した条件（Tp＝温度）並びに
使用したアジピン酸のRhの初期含有量及び最終含有量
（初期Rh及び最終Rh）（μg/gで表す）を要約する。
使用したアジピン酸のRhの初期含有量及び最終含有量
（初期Rh及び最終Rh）（μg/gで表す）を要約する。
例13 例13においては、例７で得た再結晶アジピン酸を使用
して、例３〜８に記載した再結晶を反復する。
して、例３〜８に記載した再結晶を反復する。
後記の表３は、例を実施した条件並びに使用したアジ
ピン酸のIrの初期含有量及び最終含有量（初期Ir及び最
終Ir）（μg/gで表す）を要約する。
ピン酸のIrの初期含有量及び最終含有量（初期Ir及び最
終Ir）（μg/gで表す）を要約する。
比較試験１ イリジウム及びHIの存在下に３−ペンテン酸のヒドロ
キシカルボニル化により得られたアジピン酸を水から再
結晶する。このアジピン酸は既に１回の結晶化を受けて
受けており、それでも0.00022％のイリジウムを含有す
る。
キシカルボニル化により得られたアジピン酸を水から再
結晶する。このアジピン酸は既に１回の結晶化を受けて
受けており、それでも0.00022％のイリジウムを含有す
る。
再結晶を、該アジピン酸を最低量の水にほぼ95％で溶
解し、次いで得られた溶液を徐々に冷却し、次いでろ過
し、最後にろ過により取りだしたアジピン酸を5mlの水
で２回、次いで8mlの水で３回洗浄することによって慣
用的な方法で実施する。
解し、次いで得られた溶液を徐々に冷却し、次いでろ過
し、最後にろ過により取りだしたアジピン酸を5mlの水
で２回、次いで8mlの水で３回洗浄することによって慣
用的な方法で実施する。
アジピン酸をオーブン（60℃）終夜乾燥する。最終ア
ジピン酸中に存在するイリジウムを定量する。重量／重
量で0.00022％のIrが見出された。従って、アジピン酸
のイリジウム含有量は成功裏に削減されなかった。
ジピン酸中に存在するイリジウムを定量する。重量／重
量で0.00022％のIrが見出された。従って、アジピン酸
のイリジウム含有量は成功裏に削減されなかった。
例14 下記の装入物： ・77.5gの３−ペンテン酸、 ・88.1mgの［IrCl（COD）］２、 ・169.6mgの57重量％HI水溶液、 ・5.7gの水 を反応器に連続的に装入して３−ペンテン酸のヒドロキ
シカルボニル化を実施する。
シカルボニル化を実施する。
反応温度（185℃）での一酸化炭素の圧力を22バール
に保持し、１時間５分の期間後に反応を停止させる。
に保持し、１時間５分の期間後に反応を停止させる。
22バールの一酸化炭素の圧力を徐々に低下させた後
に、結晶化したアジピン酸を引き出し、ろ過する。次い
で、ろ液の化合物のガスクロマトグラフィー及び高性能
液体クロマトグラフィーによる検定法を使用して、３−
ペンテン酸について56.6％の転化率が決定された。
に、結晶化したアジピン酸を引き出し、ろ過する。次い
で、ろ液の化合物のガスクロマトグラフィー及び高性能
液体クロマトグラフィーによる検定法を使用して、３−
ペンテン酸について56.6％の転化率が決定された。
この方法で結晶化されたアジピン酸は0.000122％のイ
リジウムを含有する。
リジウムを含有する。
このアジピン酸を一酸化炭素の雰囲気下に（泡ごと循
環させて）３−ペンテン酸から再結晶する。
環させて）３−ペンテン酸から再結晶する。
再結晶後に、アジピン酸はアジピン酸で飽和された３
−ペンテン酸により、次いでアジピン酸で飽和された水
により洗浄する。
−ペンテン酸により、次いでアジピン酸で飽和された水
により洗浄する。
再結晶され乾燥されたアジピン酸は、重量／重量で0.
00002％のイリジウム含有量を有する。
00002％のイリジウム含有量を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パトワ，カルル フランス国 エフ69003 リヨン，アブ ニュ ジュル ジュスラン，２ (72)発明者 ペロン，ロベール フランス国 エフ69390 シャルリ，ラ プコリエール (56)参考文献 特公 昭49−812（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭38−8711（ＪＰ，Ｂ１) 仏国特許発明901841（ＦＲ，Ｂ１) 仏国特許発明1349134（ＦＲ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 51/43 C07C 55/14
Claims (10)
- 【請求項１】ペンテン酸を水及び一酸化炭素によりヒド
ロキシカルボニル化することによって得られたアジピン
酸を結晶化又は再結晶するにあたり、該結晶化又は再結
晶を20℃以下の融点を有する少なくとも１種のカルボン
酸中で実施すること及び再結晶に付するアジピン酸が最
低で95％の純度まで精製されたものであることを特徴と
する、微量金属含有量の削減を可能ならしめるアジピン
酸の結晶化又は再結晶方法。 - 【請求項２】使用するカルボン酸が飽和であるか又はエ
チレン性不飽和を含有する脂肪族カルボン酸、好ましく
は、２〜６個の炭素原子を含有する線状又は分岐状のモ
ノカルボン酸から選択されることを特徴とする、請求項
１に記載の方法。 - 【請求項３】使用するカルボン酸が酢酸、プロピオン
酸、ブタン酸類、ペンタン酸類、ヘキサン酸類及びペン
テン酸類のうちから選択されることを特徴とする、請求
項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】結晶化又は再結晶を一酸化炭素の存在下に
実施することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項５】一酸化炭素が、結晶化又は再結晶反応器に
おける溶液上の雰囲気の少なくとも一部分を構成し又は
該反応器内に大気圧よりも高い圧力を創生させることを
特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】0.5バール〜50バールの一酸化炭素の絶対
圧の下で実施することを特徴とする、請求項４又は５に
記載の方法。 - 【請求項７】再結晶に付される粗製のアジピン酸が95〜
99.95％の純度を有することを特徴とする、請求項１〜
６のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】再結晶を強プロトン酸の存在下に実施する
ことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項９】強プロトン酸が沃化水素酸、臭化水素酸、
塩酸、硝酸及び硫酸のうちから選択されることを特徴と
する、請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】強プロトン酸の量が、アジピン酸中に存
在する触媒金属の１モル当たり０〜100モルの範囲、好
ましくは触媒金属の１モル当たり０〜50モルの範囲内に
あることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR96/07171 | 1996-06-04 | ||
| FR9607171A FR2749300B1 (fr) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | Procede de purification de l'acide adipique par cristallisation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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