JP3261879B2 - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JP3261879B2 JP3261879B2 JP19455094A JP19455094A JP3261879B2 JP 3261879 B2 JP3261879 B2 JP 3261879B2 JP 19455094 A JP19455094 A JP 19455094A JP 19455094 A JP19455094 A JP 19455094A JP 3261879 B2 JP3261879 B2 JP 3261879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- wafer
- peripheral
- alignment
- semiconductor
- Prior art date
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- Expired - Fee Related
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】従来、半導体露光装置上でウエハ
周縁部を露光する方法としては、特開平５−２１７８８
６号公報や特開平４−２１２４３６号公報に記載されて
いるように、搬送系プリアライメント部に露光手段を追
加構成する形が一般的である。その理由は、周辺露光に
必要な構成要素のうち、露光手段以外の要素をすべてプ
リアライメント部が包含しているため、最小のコストで
周辺部露光の機能を実現できるからである。
周縁部を露光する方法としては、特開平５−２１７８８
６号公報や特開平４−２１２４３６号公報に記載されて
いるように、搬送系プリアライメント部に露光手段を追
加構成する形が一般的である。その理由は、周辺露光に
必要な構成要素のうち、露光手段以外の要素をすべてプ
リアライメント部が包含しているため、最小のコストで
周辺部露光の機能を実現できるからである。
【０００２】一方、半導体露光装置の処理工程は基本的
には下記の並列的な３工程から成り立っている。 （１）ウエハ搬送工程ＴＲ：露光ステージから処理済ウ
エハを受け取り、キャリアまたはインラインステーショ
ンＯＵＴへ収納し、キャリアまたはインラインステーシ
ョンＩＮから未処理ウエハを取り出し、プリアライメン
トステーションに供給する工程である。 （２）プリアライメント工程ＰＡ：搬送部により供給さ
れた未処理ウエハについてＸ，Ｙ，およびθ方向の位置
決めを行ない、露光ステージに供給する工程である。 （３）アライメント・露光工程ＥＸ：プリアライメント
されたウエハを受け取り、アライメントおよび露光を行
なう工程である。
には下記の並列的な３工程から成り立っている。 （１）ウエハ搬送工程ＴＲ：露光ステージから処理済ウ
エハを受け取り、キャリアまたはインラインステーショ
ンＯＵＴへ収納し、キャリアまたはインラインステーシ
ョンＩＮから未処理ウエハを取り出し、プリアライメン
トステーションに供給する工程である。 （２）プリアライメント工程ＰＡ：搬送部により供給さ
れた未処理ウエハについてＸ，Ｙ，およびθ方向の位置
決めを行ない、露光ステージに供給する工程である。 （３）アライメント・露光工程ＥＸ：プリアライメント
されたウエハを受け取り、アライメントおよび露光を行
なう工程である。
【０００３】従って、上記３工程中の最長工程が露光装
置のサイクルタイム即ちスループットを決定するため、
各工程ＴＲ、ＰＡ、およびＥＸに要する時間ＴTR、
ＴPA、およびＴEXがほぼ同等（ＴTR≒ＴPA≒ＴEX）とな
るように最適化されている。ここで、プリアライメント
部での周辺露光工程ＥＢを追加した場合の露光装置内で
のウエハの処理工程を図４を用いて説明する。図４にお
いて、矢印４１は未処理ウエハの流れを示し、矢印４２
は処理済ウエハの流れを示す。ウエハ搬送工程ＴＲ、プ
リアライメント工程ＰＡおよび周辺露光工程ＰＡ＋Ｅ
Ｂ、ならびにアライメント・露光工程ＥＸをそれぞれだ
円で囲んだのは、それぞれが、平行処理不能な一連の工
程からなる工程であることを示す。また、４３は半導体
露光装置４４の本体部である。これを２点鎖線の枠で示
したのは、その枠の内部に記載された工程が同一支持基
板上で行なわれるものであることを示し、この場合は全
工程が防振支持された本体部４３上で行なわれる。
置のサイクルタイム即ちスループットを決定するため、
各工程ＴＲ、ＰＡ、およびＥＸに要する時間ＴTR、
ＴPA、およびＴEXがほぼ同等（ＴTR≒ＴPA≒ＴEX）とな
るように最適化されている。ここで、プリアライメント
部での周辺露光工程ＥＢを追加した場合の露光装置内で
のウエハの処理工程を図４を用いて説明する。図４にお
いて、矢印４１は未処理ウエハの流れを示し、矢印４２
は処理済ウエハの流れを示す。ウエハ搬送工程ＴＲ、プ
リアライメント工程ＰＡおよび周辺露光工程ＰＡ＋Ｅ
Ｂ、ならびにアライメント・露光工程ＥＸをそれぞれだ
円で囲んだのは、それぞれが、平行処理不能な一連の工
程からなる工程であることを示す。また、４３は半導体
露光装置４４の本体部である。これを２点鎖線の枠で示
したのは、その枠の内部に記載された工程が同一支持基
板上で行なわれるものであることを示し、この場合は全
工程が防振支持された本体部４３上で行なわれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれによ
れば、プリアライメントおよび周辺露光工程ＰＡ＋ＥＢ
に要する時間ＴPA＋ＴEBが他の２工程のそれぞれに要す
る時間ＴEXおよびＴTRに比べ、大幅に長くなり、これが
露光装置のサイクルタイムとなる。従って周辺露光機能
がない場合に比べ、スループットがＴPA／（ＴPA＋
ＴEB）倍に低下するという問題がある。
れば、プリアライメントおよび周辺露光工程ＰＡ＋ＥＢ
に要する時間ＴPA＋ＴEBが他の２工程のそれぞれに要す
る時間ＴEXおよびＴTRに比べ、大幅に長くなり、これが
露光装置のサイクルタイムとなる。従って周辺露光機能
がない場合に比べ、スループットがＴPA／（ＴPA＋
ＴEB）倍に低下するという問題がある。
【０００５】また、周辺露光工程においては、ウエハを
回転させながらウエハ周縁部を相対的にトレースするた
め、その動作による振動が露光装置本体へ伝達され、露
光性能を悪化させるという問題もある。
回転させながらウエハ周縁部を相対的にトレースするた
め、その動作による振動が露光装置本体へ伝達され、露
光性能を悪化させるという問題もある。
【０００６】そこで、本発明の第１の目的は、半導体露
光装置において、周辺露光機能を持たせることによる処
理能力の低下を最小限に抑えることにある。また、本発
明の第２の目的は、半導体露光装置において、周辺露光
動作が装置の処理精度に悪影響を与えないようにするこ
とにある。そして、これにより、究極的には、周辺露光
が行なえる高速で安価な半導体露光装置を提供すること
にある。
光装置において、周辺露光機能を持たせることによる処
理能力の低下を最小限に抑えることにある。また、本発
明の第２の目的は、半導体露光装置において、周辺露光
動作が装置の処理精度に悪影響を与えないようにするこ
とにある。そして、これにより、究極的には、周辺露光
が行なえる高速で安価な半導体露光装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では、ウエハをプリアライメント手段を介して露
光手段へ搬送して露光する半導体露光装置であって、前
記ウエハの周辺部の露光を行なう周辺露光手段を備えた
ものにおいて、前記周辺露光手段と前記プリアライメン
ト手段とは分離していて並列的に処理を行なうものであ
り、前記半導体露光装置と外部装置間で前記ウエハの受
渡しを行なう受渡しステーションを備え、前記周辺露光
手段は前記受渡しステーション上の前記半導体露光装置
から前記外部装置へウエハを渡す位置に配置されている
ことを特徴とする。また、前記露光手段は防振支持され
ており、前記周辺露光手段はこの防振支持された露光手
段とは分離して支持されていることを特徴とする。
本発明では、ウエハをプリアライメント手段を介して露
光手段へ搬送して露光する半導体露光装置であって、前
記ウエハの周辺部の露光を行なう周辺露光手段を備えた
ものにおいて、前記周辺露光手段と前記プリアライメン
ト手段とは分離していて並列的に処理を行なうものであ
り、前記半導体露光装置と外部装置間で前記ウエハの受
渡しを行なう受渡しステーションを備え、前記周辺露光
手段は前記受渡しステーション上の前記半導体露光装置
から前記外部装置へウエハを渡す位置に配置されている
ことを特徴とする。また、前記露光手段は防振支持され
ており、前記周辺露光手段はこの防振支持された露光手
段とは分離して支持されていることを特徴とする。
【０００８】
【作用】これによれば、半導体露光装置に於ける周辺露
光工程を、プリアライメント工程に対し平行処理するよ
うに、即ち、従来の３並行工程に加え４つ目の並行工程
として独立させるようにしたため、周辺露光機能がない
場合に比べ、スループットの低下はほとんど生じない。
すなわち、装置の処理サイクルは４工程中の最長時間で
あり、また、１枚目ウエハの処理時間は４工程の各処理
時間ＴPA，ＴEX，ＴTR，ＴEBの和であるから、ＴPA≒Ｔ
EX≒ＴTR＞ＴEBであるとすると、装置の処理サイクルは
ＴPA、１枚目のウエハの処理時間はＴPA＋ＴEX＋ＴTR＋
ＴEBであるため、周辺露光機能なしの場合に対し、処理
サイクルの変動は±０、１枚目のウエハの処理時間の増
加は＋ＴEBであり、スループットの低下はほとんど発生
しない。
光工程を、プリアライメント工程に対し平行処理するよ
うに、即ち、従来の３並行工程に加え４つ目の並行工程
として独立させるようにしたため、周辺露光機能がない
場合に比べ、スループットの低下はほとんど生じない。
すなわち、装置の処理サイクルは４工程中の最長時間で
あり、また、１枚目ウエハの処理時間は４工程の各処理
時間ＴPA，ＴEX，ＴTR，ＴEBの和であるから、ＴPA≒Ｔ
EX≒ＴTR＞ＴEBであるとすると、装置の処理サイクルは
ＴPA、１枚目のウエハの処理時間はＴPA＋ＴEX＋ＴTR＋
ＴEBであるため、周辺露光機能なしの場合に対し、処理
サイクルの変動は±０、１枚目のウエハの処理時間の増
加は＋ＴEBであり、スループットの低下はほとんど発生
しない。
【０００９】また、プリアライメント手段とは分離して
いて並列的に処理を行なう周辺露光手段が、前記受渡し
ステーション上の前記半導体露光装置から前記外部装置
へウエハを渡す位置に配置されていることにより、処理
済ウエハは既にプリアライメントされているため、周辺
露光手段がウエハを受け取った時のウエハの中心ずれお
よび回転ずれは数１０μｍ程度であり、周辺露光時にこ
れらの測定の必要がなく、また、周辺露光時のウエハの
回転軸とウエハ中心のずれの発生もない。また、周辺露
光が行なわれるウエハは処理済であるため、周辺露光に
際してその表面や裏面へ付着するごみに関し、厳しく管
理する必要がない。
いて並列的に処理を行なう周辺露光手段が、前記受渡し
ステーション上の前記半導体露光装置から前記外部装置
へウエハを渡す位置に配置されていることにより、処理
済ウエハは既にプリアライメントされているため、周辺
露光手段がウエハを受け取った時のウエハの中心ずれお
よび回転ずれは数１０μｍ程度であり、周辺露光時にこ
れらの測定の必要がなく、また、周辺露光時のウエハの
回転軸とウエハ中心のずれの発生もない。また、周辺露
光が行なわれるウエハは処理済であるため、周辺露光に
際してその表面や裏面へ付着するごみに関し、厳しく管
理する必要がない。
【００１０】また、周辺露光手段を、防振支持された露
光手段から分離して支持するようにしたため、周辺露光
のための駆動による振動が露光手段における処理精度に
影響を与えることがない。
光手段から分離して支持するようにしたため、周辺露光
のための駆動による振動が露光手段における処理精度に
影響を与えることがない。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の特徴を最も良く表わす図面で
あり、露光装置４４とコータ・デベロッパ４５とをイン
ラインで連結した場合のウエハの流れおよび処理工程を
模式的に表わしたものである。矢印４１は未処理ウエハ
の流れを表し、矢印４２は処理済ウエハの流れを表わ
す。図１に示すように、この処理工程は、ウエハ搬送工
程ＴＲ、プリアライメント工程ＰＡ、およびアライメン
ト・露光工程ＥＸの４つの工程を有する。各工程をだ円
で囲んであるのは、各々が並行処理不能な工程からなる
１つのまとまった工程であることを示す。即ち、これら
４つの工程は並行的に処理されている。また、本体部４
３およびウエハ搬送部４６を示す各枠内部に記載された
工程は、それぞれ同一支持基板上で行なわれるものであ
ることを示す。したがって、プリアライメント工程Ｐ
Ａ、およびアライメント・露光工程ＥＸは防振支持され
た本体部４３上で行なわれ、ウエハ搬送工程ＴＲおよび
周辺露光工程ＥＢはそれぞれ本体部から分離された支持
基板上で行なわれる。なお、ここではウエハ搬送工程Ｔ
Ｒおよび周辺露光工程ＥＢそれぞれが本体部４３から分
離された支持基板上で行なわれるが、周辺露光工程ＥＢ
のみ本体から分離した支持基板上で行なうようにしても
かまわない。また、コータ・デベロッパ４５はウエハキ
ャリアに置き換えてもかまわない。
あり、露光装置４４とコータ・デベロッパ４５とをイン
ラインで連結した場合のウエハの流れおよび処理工程を
模式的に表わしたものである。矢印４１は未処理ウエハ
の流れを表し、矢印４２は処理済ウエハの流れを表わ
す。図１に示すように、この処理工程は、ウエハ搬送工
程ＴＲ、プリアライメント工程ＰＡ、およびアライメン
ト・露光工程ＥＸの４つの工程を有する。各工程をだ円
で囲んであるのは、各々が並行処理不能な工程からなる
１つのまとまった工程であることを示す。即ち、これら
４つの工程は並行的に処理されている。また、本体部４
３およびウエハ搬送部４６を示す各枠内部に記載された
工程は、それぞれ同一支持基板上で行なわれるものであ
ることを示す。したがって、プリアライメント工程Ｐ
Ａ、およびアライメント・露光工程ＥＸは防振支持され
た本体部４３上で行なわれ、ウエハ搬送工程ＴＲおよび
周辺露光工程ＥＢはそれぞれ本体部から分離された支持
基板上で行なわれる。なお、ここではウエハ搬送工程Ｔ
Ｒおよび周辺露光工程ＥＢそれぞれが本体部４３から分
離された支持基板上で行なわれるが、周辺露光工程ＥＢ
のみ本体から分離した支持基板上で行なうようにしても
かまわない。また、コータ・デベロッパ４５はウエハキ
ャリアに置き換えてもかまわない。
【００１２】図２は、図１の処理工程を具体的に行なう
本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構成を示す平
面図である。同図に示すように、不図示のレチクルに対
しウエハを位置決めする露光ステージ１が床振動を絶縁
するための防振台２に支持されたベース３上に設けら
れ、ベース３から張り出したステー４上には、ウエハの
プリアライメントを行なうための、エッジ検出センサ５
およびウエハ保持機能を持ったＸＹθステージ６と、プ
リアライメント済ウエハを露光ステージ１へ受け渡すた
めの供給ハンド７とが設けられている。一方、床には架
台８が据え付けられ、その上にはコータ・デベロッパ１
３から未処理ウエハを受け取るインラインステーション
ＩＮ９と、処理済ウエハをコータデベロッパ１３が回収
するまで保持するインラインステーションＯＵＴ１０
と、ウエハキャリアを保持し上下させる機構を有するキ
ャリア台１１と、インラインステーションＩＮ９から未
処理ウエハを受け取ってプリアライメントステージ６へ
渡し、処理済ウエハを露光ステージ１から受け取ってイ
ンラインステーションＯＵＴ１０へ渡し、または前記ウ
エハキャリアに対しウエハの取出しおよび収納を行なう
搬送ハンド１２とが設けられている。
本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構成を示す平
面図である。同図に示すように、不図示のレチクルに対
しウエハを位置決めする露光ステージ１が床振動を絶縁
するための防振台２に支持されたベース３上に設けら
れ、ベース３から張り出したステー４上には、ウエハの
プリアライメントを行なうための、エッジ検出センサ５
およびウエハ保持機能を持ったＸＹθステージ６と、プ
リアライメント済ウエハを露光ステージ１へ受け渡すた
めの供給ハンド７とが設けられている。一方、床には架
台８が据え付けられ、その上にはコータ・デベロッパ１
３から未処理ウエハを受け取るインラインステーション
ＩＮ９と、処理済ウエハをコータデベロッパ１３が回収
するまで保持するインラインステーションＯＵＴ１０
と、ウエハキャリアを保持し上下させる機構を有するキ
ャリア台１１と、インラインステーションＩＮ９から未
処理ウエハを受け取ってプリアライメントステージ６へ
渡し、処理済ウエハを露光ステージ１から受け取ってイ
ンラインステーションＯＵＴ１０へ渡し、または前記ウ
エハキャリアに対しウエハの取出しおよび収納を行なう
搬送ハンド１２とが設けられている。
【００１３】図３はインラインステーションＯＵＴ１０
の近傍に設けられた周辺露光機構の構成を示す側面図で
ある。同図に示すように、周辺露光機構は、プリアライ
メントステージ６とは分離した受渡しステーションを構
成するインラインステーションＯＵＴ１０の近傍に、ウ
エハ周縁部を露光するための照明手段１４と、ウエハを
保持し回転する保持回転手段１５と、照明手段１４およ
び保持回転手段１５の中心線に対して垂直な方向に（水
平方向に）ウエハ保持回転手段１５を移動し、周辺露光
幅の設定およびあらかじめ定められたウエハ回転角に於
いて定められた移動を行なうことによりオリフラ部のト
レースを行なう直線移動手段１６と、ウエハの回転軸に
平行でその半径分オフセットされた測定軸をもち、ウエ
ハの周縁の半径方向の変位を測定する手段１７とを有す
る。
の近傍に設けられた周辺露光機構の構成を示す側面図で
ある。同図に示すように、周辺露光機構は、プリアライ
メントステージ６とは分離した受渡しステーションを構
成するインラインステーションＯＵＴ１０の近傍に、ウ
エハ周縁部を露光するための照明手段１４と、ウエハを
保持し回転する保持回転手段１５と、照明手段１４およ
び保持回転手段１５の中心線に対して垂直な方向に（水
平方向に）ウエハ保持回転手段１５を移動し、周辺露光
幅の設定およびあらかじめ定められたウエハ回転角に於
いて定められた移動を行なうことによりオリフラ部のト
レースを行なう直線移動手段１６と、ウエハの回転軸に
平行でその半径分オフセットされた測定軸をもち、ウエ
ハの周縁の半径方向の変位を測定する手段１７とを有す
る。
【００１４】この構成において、露光処理が済んだウエ
ハは順次、露光ステージ１からインラインステーション
ＯＵＴ１０のウエハ保持回転手段１５上に、搬送ハンド
１２により搬送され、それらウエハに対し、照明手段１
４、ウエハ保持回転手段１５、直線移動手段１６および
測定手段１７が共働して順次、周辺露光を行なう。そし
て、周辺露光が終了したウエハは、順次、コータ・デベ
ロッパ１３がウエハ保持回転手段１５上から回収する。
すなわち、周辺露光工程ＥＢは、ウエハ搬送工程ＴＲ、
プリアライメント工程ＰＡ、およびアライメント・露光
工程ＥＸを中断することなく、これら工程と並行して行
なわれる。
ハは順次、露光ステージ１からインラインステーション
ＯＵＴ１０のウエハ保持回転手段１５上に、搬送ハンド
１２により搬送され、それらウエハに対し、照明手段１
４、ウエハ保持回転手段１５、直線移動手段１６および
測定手段１７が共働して順次、周辺露光を行なう。そし
て、周辺露光が終了したウエハは、順次、コータ・デベ
ロッパ１３がウエハ保持回転手段１５上から回収する。
すなわち、周辺露光工程ＥＢは、ウエハ搬送工程ＴＲ、
プリアライメント工程ＰＡ、およびアライメント・露光
工程ＥＸを中断することなく、これら工程と並行して行
なわれる。
【００１５】また、周辺露光工程ＥＢおよび搬送工程Ｔ
Ｒが、露光ステージ１を防振支持するベース３とは分離
した架台８上で行なわれるため、周辺露光工程ＥＢおよ
び搬送工程ＴＲにおける動作による振動の伝達経路が露
光装置本体との間で絶縁されている。
Ｒが、露光ステージ１を防振支持するベース３とは分離
した架台８上で行なわれるため、周辺露光工程ＥＢおよ
び搬送工程ＴＲにおける動作による振動の伝達経路が露
光装置本体との間で絶縁されている。
【００１６】なお、本実施例では半導体露光装置４４が
コータ・デベロッパ４５とインラインで連結されている
が、有軌道や無軌道の搬送台車と連結されても同じであ
り、スタンドアローン使用であってもかまわない。
コータ・デベロッパ４５とインラインで連結されている
が、有軌道や無軌道の搬送台車と連結されても同じであ
り、スタンドアローン使用であってもかまわない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、周
辺露光手段とプリアライメント手段とを分離し、プリア
ライメント工程と周辺露光工程とを並行処理するように
したため、プリアライメント工程および周辺露光工程を
直列的に行なう長時間工程の発生を防ぐことができ、周
辺露光機能がない場合と同等のスループットを実現する
ことができる。
辺露光手段とプリアライメント手段とを分離し、プリア
ライメント工程と周辺露光工程とを並行処理するように
したため、プリアライメント工程および周辺露光工程を
直列的に行なう長時間工程の発生を防ぐことができ、周
辺露光機能がない場合と同等のスループットを実現する
ことができる。
【００１８】また、周辺露光手段を露光手段から分離す
るようにしたため、周辺露光手段の動作による振動の露
光手段への伝達経路を絶縁することができ、装置の高速
動作を可能にすることができる。
るようにしたため、周辺露光手段の動作による振動の露
光手段への伝達経路を絶縁することができ、装置の高速
動作を可能にすることができる。
【００１９】また、処理済ウエハに対して周辺露光を行
なうことにより、周辺露光手段へ搬送されるウエハの偏
心や偏角が既知であり、改めてそれらの測定をすること
を不要にすることができる。また周辺露光手段における
工程においてウエハの裏面および表面に付着するごみに
関しても管理する必要がなくなり、装置を安価に構成す
ることを可能にすることができる。
なうことにより、周辺露光手段へ搬送されるウエハの偏
心や偏角が既知であり、改めてそれらの測定をすること
を不要にすることができる。また周辺露光手段における
工程においてウエハの裏面および表面に付着するごみに
関しても管理する必要がなくなり、装置を安価に構成す
ることを可能にすることができる。
【００２０】したがって、周辺露光が行なえる高速で安
価な露光装置を提供することができる。
価な露光装置を提供することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る露光装置におけるウ
エハの流れおよび工程を模式的に説明する図である。
エハの流れおよび工程を模式的に説明する図である。
【図２】 本発明の一実施例に係る露光装置の具体的構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図３】 図２の装置におけるインラインステーション
ＯＵＴ側に構成された周辺露光機構を示す側面図であ
る。
ＯＵＴ側に構成された周辺露光機構を示す側面図であ
る。
【図４】 従来例を説明する図である。
１：露光ステージ、３：ベース、４：ステー、５：エッ
ジ検出センサ、６：ＸＹθステージ（プリアライメント
ステージ）、７：供給ハンド、８：架台、９：インライ
ンステーションＩＮ、１０：インラインステーションＯ
ＵＴ、１１：キャリア台、１２：搬送ハンド、１３：コ
ータ・デベロッパ、１４：照明手段、１５：保持回転手
段、１６：直線移動手段、１７：変位を測定する手段、
４１：未処理ウエハの流れを示す矢印、４２：処理済ウ
エハの流れを示す矢印、４３：本体部、４４：露光装
置、４５：コータ・デベロッパ、４６：ウエハ搬送部、
ＴＲ：ウエハ搬送工程、ＰＡ：プリアライメント工程、
ＥＸ：アライメント・露光工程、ＥＢ：周辺露光工程。
ジ検出センサ、６：ＸＹθステージ（プリアライメント
ステージ）、７：供給ハンド、８：架台、９：インライ
ンステーションＩＮ、１０：インラインステーションＯ
ＵＴ、１１：キャリア台、１２：搬送ハンド、１３：コ
ータ・デベロッパ、１４：照明手段、１５：保持回転手
段、１６：直線移動手段、１７：変位を測定する手段、
４１：未処理ウエハの流れを示す矢印、４２：処理済ウ
エハの流れを示す矢印、４３：本体部、４４：露光装
置、４５：コータ・デベロッパ、４６：ウエハ搬送部、
ＴＲ：ウエハ搬送工程、ＰＡ：プリアライメント工程、
ＥＸ：アライメント・露光工程、ＥＢ：周辺露光工程。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−343294（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−107947（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−11612（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190448（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−71223（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−62553（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハをプリアライメント手段を介して
露光手段へ搬送して露光する半導体露光装置であって、
前記ウエハの周辺部の露光を行なう周辺露光手段を備え
たものにおいて、前記周辺露光手段と前記プリアライメ
ント手段とは分離していて並列的に処理を行なうもので
あり、前記半導体露光装置と外部装置間で前記ウエハの
受渡しを行なう受渡しステーションを備え、前記周辺露
光手段は前記受渡しステーション上の前記半導体露光装
置から前記外部装置へウエハを渡す位置に配置されてい
ることを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項２】 前記露光手段は防振支持されており、前
記周辺露光手段はこの防振支持された露光手段とは分離
して支持されていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19455094A JP3261879B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19455094A JP3261879B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845825A JPH0845825A (ja) | 1996-02-16 |
| JP3261879B2 true JP3261879B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=16326405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19455094A Expired - Fee Related JP3261879B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3261879B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321691A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nikon Corp | 基板搬送方法及び該方法を使用する露光装置 |
| JP5567919B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP19455094A patent/JP3261879B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0845825A (ja) | 1996-02-16 |
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