JP3261879B2 - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
周縁部を露光する方法としては、特開平5−21788
6号公報や特開平4−212436号公報に記載されて
いるように、搬送系プリアライメント部に露光手段を追
加構成する形が一般的である。その理由は、周辺露光に
必要な構成要素のうち、露光手段以外の要素をすべてプ
リアライメント部が包含しているため、最小のコストで
周辺部露光の機能を実現できるからである。
には下記の並列的な3工程から成り立っている。 (1)ウエハ搬送工程TR:露光ステージから処理済ウ
エハを受け取り、キャリアまたはインラインステーショ
ンOUTへ収納し、キャリアまたはインラインステーシ
ョンINから未処理ウエハを取り出し、プリアライメン
トステーションに供給する工程である。 (2)プリアライメント工程PA:搬送部により供給さ
れた未処理ウエハについてX,Y,およびθ方向の位置
決めを行ない、露光ステージに供給する工程である。 (3)アライメント・露光工程EX:プリアライメント
されたウエハを受け取り、アライメントおよび露光を行
なう工程である。
置のサイクルタイム即ちスループットを決定するため、
各工程TR、PA、およびEXに要する時間TTR、
TPA、およびTEXがほぼ同等(TTR≒TPA≒TEX)とな
るように最適化されている。ここで、プリアライメント
部での周辺露光工程EBを追加した場合の露光装置内で
のウエハの処理工程を図4を用いて説明する。図4にお
いて、矢印41は未処理ウエハの流れを示し、矢印42
は処理済ウエハの流れを示す。ウエハ搬送工程TR、プ
リアライメント工程PAおよび周辺露光工程PA+E
B、ならびにアライメント・露光工程EXをそれぞれだ
円で囲んだのは、それぞれが、平行処理不能な一連の工
程からなる工程であることを示す。また、43は半導体
露光装置44の本体部である。これを2点鎖線の枠で示
したのは、その枠の内部に記載された工程が同一支持基
板上で行なわれるものであることを示し、この場合は全
工程が防振支持された本体部43上で行なわれる。
れば、プリアライメントおよび周辺露光工程PA+EB
に要する時間TPA+TEBが他の2工程のそれぞれに要す
る時間TEXおよびTTRに比べ、大幅に長くなり、これが
露光装置のサイクルタイムとなる。従って周辺露光機能
がない場合に比べ、スループットがTPA/(TPA+
TEB)倍に低下するという問題がある。
回転させながらウエハ周縁部を相対的にトレースするた
め、その動作による振動が露光装置本体へ伝達され、露
光性能を悪化させるという問題もある。
光装置において、周辺露光機能を持たせることによる処
理能力の低下を最小限に抑えることにある。また、本発
明の第2の目的は、半導体露光装置において、周辺露光
動作が装置の処理精度に悪影響を与えないようにするこ
とにある。そして、これにより、究極的には、周辺露光
が行なえる高速で安価な半導体露光装置を提供すること
にある。
本発明では、ウエハをプリアライメント手段を介して露
光手段へ搬送して露光する半導体露光装置であって、前
記ウエハの周辺部の露光を行なう周辺露光手段を備えた
ものにおいて、前記周辺露光手段と前記プリアライメン
ト手段とは分離していて並列的に処理を行なうものであ
り、前記半導体露光装置と外部装置間で前記ウエハの受
渡しを行なう受渡しステーションを備え、前記周辺露光
手段は前記受渡しステーション上の前記半導体露光装置
から前記外部装置へウエハを渡す位置に配置されている
ことを特徴とする。また、前記露光手段は防振支持され
ており、前記周辺露光手段はこの防振支持された露光手
段とは分離して支持されていることを特徴とする。
光工程を、プリアライメント工程に対し平行処理するよ
うに、即ち、従来の3並行工程に加え4つ目の並行工程
として独立させるようにしたため、周辺露光機能がない
場合に比べ、スループットの低下はほとんど生じない。
すなわち、装置の処理サイクルは4工程中の最長時間で
あり、また、1枚目ウエハの処理時間は4工程の各処理
時間TPA,TEX,TTR,TEBの和であるから、TPA≒T
EX≒TTR>TEBであるとすると、装置の処理サイクルは
TPA、1枚目のウエハの処理時間はTPA+TEX+TTR+
TEBであるため、周辺露光機能なしの場合に対し、処理
サイクルの変動は±0、1枚目のウエハの処理時間の増
加は+TEBであり、スループットの低下はほとんど発生
しない。
いて並列的に処理を行なう周辺露光手段が、前記受渡し
ステーション上の前記半導体露光装置から前記外部装置
へウエハを渡す位置に配置されていることにより、処理
済ウエハは既にプリアライメントされているため、周辺
露光手段がウエハを受け取った時のウエハの中心ずれお
よび回転ずれは数10μm程度であり、周辺露光時にこ
れらの測定の必要がなく、また、周辺露光時のウエハの
回転軸とウエハ中心のずれの発生もない。また、周辺露
光が行なわれるウエハは処理済であるため、周辺露光に
際してその表面や裏面へ付着するごみに関し、厳しく管
理する必要がない。
光手段から分離して支持するようにしたため、周辺露光
のための駆動による振動が露光手段における処理精度に
影響を与えることがない。
あり、露光装置44とコータ・デベロッパ45とをイン
ラインで連結した場合のウエハの流れおよび処理工程を
模式的に表わしたものである。矢印41は未処理ウエハ
の流れを表し、矢印42は処理済ウエハの流れを表わ
す。図1に示すように、この処理工程は、ウエハ搬送工
程TR、プリアライメント工程PA、およびアライメン
ト・露光工程EXの4つの工程を有する。各工程をだ円
で囲んであるのは、各々が並行処理不能な工程からなる
1つのまとまった工程であることを示す。即ち、これら
4つの工程は並行的に処理されている。また、本体部4
3およびウエハ搬送部46を示す各枠内部に記載された
工程は、それぞれ同一支持基板上で行なわれるものであ
ることを示す。したがって、プリアライメント工程P
A、およびアライメント・露光工程EXは防振支持され
た本体部43上で行なわれ、ウエハ搬送工程TRおよび
周辺露光工程EBはそれぞれ本体部から分離された支持
基板上で行なわれる。なお、ここではウエハ搬送工程T
Rおよび周辺露光工程EBそれぞれが本体部43から分
離された支持基板上で行なわれるが、周辺露光工程EB
のみ本体から分離した支持基板上で行なうようにしても
かまわない。また、コータ・デベロッパ45はウエハキ
ャリアに置き換えてもかまわない。
本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構成を示す平
面図である。同図に示すように、不図示のレチクルに対
しウエハを位置決めする露光ステージ1が床振動を絶縁
するための防振台2に支持されたベース3上に設けら
れ、ベース3から張り出したステー4上には、ウエハの
プリアライメントを行なうための、エッジ検出センサ5
およびウエハ保持機能を持ったXYθステージ6と、プ
リアライメント済ウエハを露光ステージ1へ受け渡すた
めの供給ハンド7とが設けられている。一方、床には架
台8が据え付けられ、その上にはコータ・デベロッパ1
3から未処理ウエハを受け取るインラインステーション
IN9と、処理済ウエハをコータデベロッパ13が回収
するまで保持するインラインステーションOUT10
と、ウエハキャリアを保持し上下させる機構を有するキ
ャリア台11と、インラインステーションIN9から未
処理ウエハを受け取ってプリアライメントステージ6へ
渡し、処理済ウエハを露光ステージ1から受け取ってイ
ンラインステーションOUT10へ渡し、または前記ウ
エハキャリアに対しウエハの取出しおよび収納を行なう
搬送ハンド12とが設けられている。
の近傍に設けられた周辺露光機構の構成を示す側面図で
ある。同図に示すように、周辺露光機構は、プリアライ
メントステージ6とは分離した受渡しステーションを構
成するインラインステーションOUT10の近傍に、ウ
エハ周縁部を露光するための照明手段14と、ウエハを
保持し回転する保持回転手段15と、照明手段14およ
び保持回転手段15の中心線に対して垂直な方向に(水
平方向に)ウエハ保持回転手段15を移動し、周辺露光
幅の設定およびあらかじめ定められたウエハ回転角に於
いて定められた移動を行なうことによりオリフラ部のト
レースを行なう直線移動手段16と、ウエハの回転軸に
平行でその半径分オフセットされた測定軸をもち、ウエ
ハの周縁の半径方向の変位を測定する手段17とを有す
る。
ハは順次、露光ステージ1からインラインステーション
OUT10のウエハ保持回転手段15上に、搬送ハンド
12により搬送され、それらウエハに対し、照明手段1
4、ウエハ保持回転手段15、直線移動手段16および
測定手段17が共働して順次、周辺露光を行なう。そし
て、周辺露光が終了したウエハは、順次、コータ・デベ
ロッパ13がウエハ保持回転手段15上から回収する。
すなわち、周辺露光工程EBは、ウエハ搬送工程TR、
プリアライメント工程PA、およびアライメント・露光
工程EXを中断することなく、これら工程と並行して行
なわれる。
Rが、露光ステージ1を防振支持するベース3とは分離
した架台8上で行なわれるため、周辺露光工程EBおよ
び搬送工程TRにおける動作による振動の伝達経路が露
光装置本体との間で絶縁されている。
コータ・デベロッパ45とインラインで連結されている
が、有軌道や無軌道の搬送台車と連結されても同じであ
り、スタンドアローン使用であってもかまわない。
辺露光手段とプリアライメント手段とを分離し、プリア
ライメント工程と周辺露光工程とを並行処理するように
したため、プリアライメント工程および周辺露光工程を
直列的に行なう長時間工程の発生を防ぐことができ、周
辺露光機能がない場合と同等のスループットを実現する
ことができる。
るようにしたため、周辺露光手段の動作による振動の露
光手段への伝達経路を絶縁することができ、装置の高速
動作を可能にすることができる。
なうことにより、周辺露光手段へ搬送されるウエハの偏
心や偏角が既知であり、改めてそれらの測定をすること
を不要にすることができる。また周辺露光手段における
工程においてウエハの裏面および表面に付着するごみに
関しても管理する必要がなくなり、装置を安価に構成す
ることを可能にすることができる。
価な露光装置を提供することができる。
エハの流れおよび工程を模式的に説明する図である。
成を示す平面図である。
OUT側に構成された周辺露光機構を示す側面図であ
る。
ジ検出センサ、6:XYθステージ(プリアライメント
ステージ)、7:供給ハンド、8:架台、9:インライ
ンステーションIN、10:インラインステーションO
UT、11:キャリア台、12:搬送ハンド、13:コ
ータ・デベロッパ、14:照明手段、15:保持回転手
段、16:直線移動手段、17:変位を測定する手段、
41:未処理ウエハの流れを示す矢印、42:処理済ウ
エハの流れを示す矢印、43:本体部、44:露光装
置、45:コータ・デベロッパ、46:ウエハ搬送部、
TR:ウエハ搬送工程、PA:プリアライメント工程、
EX:アライメント・露光工程、EB:周辺露光工程。
Claims (2)
- 【請求項1】 ウエハをプリアライメント手段を介して
露光手段へ搬送して露光する半導体露光装置であって、
前記ウエハの周辺部の露光を行なう周辺露光手段を備え
たものにおいて、前記周辺露光手段と前記プリアライメ
ント手段とは分離していて並列的に処理を行なうもので
あり、前記半導体露光装置と外部装置間で前記ウエハの
受渡しを行なう受渡しステーションを備え、前記周辺露
光手段は前記受渡しステーション上の前記半導体露光装
置から前記外部装置へウエハを渡す位置に配置されてい
ることを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項2】 前記露光手段は防振支持されており、前
記周辺露光手段はこの防振支持された露光手段とは分離
して支持されていることを特徴とする請求項1に記載の
半導体露光装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP19455094A JP3261879B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19455094A JP3261879B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体露光装置 |
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JPH0845825A JPH0845825A (ja) | 1996-02-16 |
JP3261879B2 true JP3261879B2 (ja) | 2002-03-04 |
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ID=16326405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP19455094A Expired - Fee Related JP3261879B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体露光装置 |
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Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
JPH10321691A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nikon Corp | 基板搬送方法及び該方法を使用する露光装置 |
JP5567919B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP19455094A patent/JP3261879B2/ja not_active Expired - Fee Related
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