JP3255246B2 - エポキシ樹脂、その製法、エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料 - Google Patents
エポキシ樹脂、その製法、エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハンダ耐熱性に優れた
半導体封止材料に関する。
半導体封止材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ樹脂は、種々の硬化剤で硬化さ
せることにより、一般的に機械的性質、耐水性、耐薬品
性、耐熱性、電気的性質などの優れた硬化物となり、接
着剤、塗料、積層板、成型材料、注型材料等、幅広い分
野に使用されている。
せることにより、一般的に機械的性質、耐水性、耐薬品
性、耐熱性、電気的性質などの優れた硬化物となり、接
着剤、塗料、積層板、成型材料、注型材料等、幅広い分
野に使用されている。
【０００３】現在、半導体封止材料にはオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂（以下「ＥＣＮ」という）
が広く使用されているが、ＥＣＮは吸水性が高く、かつ
高温域の弾性率も高いため、ハンダ耐熱性が非常に悪
く、プリント基盤への実装時にクラックが極めて生じ易
いものであった。
ルノボラック型エポキシ樹脂（以下「ＥＣＮ」という）
が広く使用されているが、ＥＣＮは吸水性が高く、かつ
高温域の弾性率も高いため、ハンダ耐熱性が非常に悪
く、プリント基盤への実装時にクラックが極めて生じ易
いものであった。
【０００４】即ち、近年プリント基盤への実装方式が、
ピン挿入型から表面実装型に移行しつつあるため、ハン
ダ耐熱性が悪く、実装時にクラックが発生することのな
いエポキシ樹脂が要求されている。この、クラック発生
を防止するためには吸水率が低いことと高温域での弾性
率が低いことが重要な要件となる。即ち、吸水率が高い
と、実装時のハンダによる熱衝撃でその水分が膨張し、
その膨張エネルギーによってクラックの発生につなが
る。また、高温域での弾性率が高いと、熱時水分の膨張
エネルギーによってパッケージに応力が生じた際の、発
生最大応力が大きくなり、やはりクラックが発生しやす
くなる。
ピン挿入型から表面実装型に移行しつつあるため、ハン
ダ耐熱性が悪く、実装時にクラックが発生することのな
いエポキシ樹脂が要求されている。この、クラック発生
を防止するためには吸水率が低いことと高温域での弾性
率が低いことが重要な要件となる。即ち、吸水率が高い
と、実装時のハンダによる熱衝撃でその水分が膨張し、
その膨張エネルギーによってクラックの発生につなが
る。また、高温域での弾性率が高いと、熱時水分の膨張
エネルギーによってパッケージに応力が生じた際の、発
生最大応力が大きくなり、やはりクラックが発生しやす
くなる。
【０００５】そこで、クラック防止を目指した半導体封
止用エポキシ樹脂として、例えば特開平２−２２７４１
８号公報にはβ−ナフトールメチレン基架橋２量化物の
２官能エポキシ化物が開示されている。
止用エポキシ樹脂として、例えば特開平２−２２７４１
８号公報にはβ−ナフトールメチレン基架橋２量化物の
２官能エポキシ化物が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開平２
−２２７４１８号公報に記載のβ−ナフトールメチレン
基架橋２量化物の２官能エポキシ化物は、その構造から
優れた物性が期待されるものの、融点が１７５℃と非常
に高い結晶であることから、通常のコンパウンド化の方
法では、封止材を製造することができなく、またそれに
加え溶剤溶解性が極めて悪いため、エポキシ化工程中に
結晶化を生じてしまい、製造も困難なものであった。
−２２７４１８号公報に記載のβ−ナフトールメチレン
基架橋２量化物の２官能エポキシ化物は、その構造から
優れた物性が期待されるものの、融点が１７５℃と非常
に高い結晶であることから、通常のコンパウンド化の方
法では、封止材を製造することができなく、またそれに
加え溶剤溶解性が極めて悪いため、エポキシ化工程中に
結晶化を生じてしまい、製造も困難なものであった。
【０００７】本発明が解決しようとする課題は、吸水率
が低く、かつ高温域での弾性率が低いため、半導体封止
材料とした時のハンダ耐熱性に優れ、更に、溶融粘度が
低く、半導体封止剤として成形性に優れ、かつ無機充填
剤の高充填が可能な半導体封止材料を提供することにあ
る。
が低く、かつ高温域での弾性率が低いため、半導体封止
材料とした時のハンダ耐熱性に優れ、更に、溶融粘度が
低く、半導体封止剤として成形性に優れ、かつ無機充填
剤の高充填が可能な半導体封止材料を提供することにあ
る。
【０００８】
【問題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討し
た結果、１，１’−ビ−２−ナフトールにエピハロヒド
リンを反応させて得られるエポキシ樹脂すなわち１，
１’−ビ−２−（２，３−エポキシプロポキシ）ナフチ
ルを用いることにより上記課題が解決できることを見い
だし本発明を完成するに至った。
た結果、１，１’−ビ−２−ナフトールにエピハロヒド
リンを反応させて得られるエポキシ樹脂すなわち１，
１’−ビ−２−（２，３−エポキシプロポキシ）ナフチ
ルを用いることにより上記課題が解決できることを見い
だし本発明を完成するに至った。
【０００９】即ち、本発明は、１，１’−ビ−２−
（２，３−エポキシプロポキシ）ナフチルと硬化剤とを
必須成分とする半導体封止材料に関するものである。
（２，３−エポキシプロポキシ）ナフチルと硬化剤とを
必須成分とする半導体封止材料に関するものである。
【００１０】本発明で用いるエポキシ樹脂は、例えば
１，１’−ビ−２−ナフトールと、エピハロヒドリンと
を反応させる本発明の製法によって得ることができるも
のであり、具体的には、次に構造式１で示されるものが
挙げられる。
１，１’−ビ−２−ナフトールと、エピハロヒドリンと
を反応させる本発明の製法によって得ることができるも
のであり、具体的には、次に構造式１で示されるものが
挙げられる。
【００１１】
【化１】
【００１２】そのようにして得られたエポキシ樹脂は、
溶融粘度が低く、流動性に優れるためにフィラーの高充
填率化も可能になる。以下に、上記エポキシ樹脂の製法
を詳述する。
溶融粘度が低く、流動性に優れるためにフィラーの高充
填率化も可能になる。以下に、上記エポキシ樹脂の製法
を詳述する。
【００１３】即ち、上記エポキシ樹脂の製法は１，１’
−ビ−２−ナフトールにエピハロヒドリンを反応させる
ものであり、その反応条件は特に限定するものではない
が、具体的には、先ず、原料水酸基に対して０．５〜１
５当量のエピハロヒドリンを添加し溶解する。この際エ
ピハロヒドリンとしては、エピクロルヒドリンが最も一
般的であるが、他にエピヨードヒドリン、エピブロムヒ
ドリン、β−メチルエピクロルヒドリン等も使用に差し
支えず、またこれらに限定されるものではない。
−ビ−２−ナフトールにエピハロヒドリンを反応させる
ものであり、その反応条件は特に限定するものではない
が、具体的には、先ず、原料水酸基に対して０．５〜１
５当量のエピハロヒドリンを添加し溶解する。この際エ
ピハロヒドリンとしては、エピクロルヒドリンが最も一
般的であるが、他にエピヨードヒドリン、エピブロムヒ
ドリン、β−メチルエピクロルヒドリン等も使用に差し
支えず、またこれらに限定されるものではない。
【００１４】また、その後水酸基に対して０．８〜１．
２当量の１０〜５０％ＮａＯＨ水溶液を５０〜８０℃の
温度で３〜５時間要して適下する。適下後その温度で
０．５〜２時間程度攪拌を続けて、静置後下層の食塩水
を棄却する。次いで過剰のエピハロヒドリンを蒸留回収
し祖樹脂を得る。これにトルエン、ＭＩＢＫ等の有機溶
媒を加え、水洗−脱水−濾過−脱溶媒工程を経て、目的
の樹脂を得ることができる。
２当量の１０〜５０％ＮａＯＨ水溶液を５０〜８０℃の
温度で３〜５時間要して適下する。適下後その温度で
０．５〜２時間程度攪拌を続けて、静置後下層の食塩水
を棄却する。次いで過剰のエピハロヒドリンを蒸留回収
し祖樹脂を得る。これにトルエン、ＭＩＢＫ等の有機溶
媒を加え、水洗−脱水−濾過−脱溶媒工程を経て、目的
の樹脂を得ることができる。
【００１５】また不純物塩素量の低減等を目的に、反応
の際ジオキサン、ＤＭＳＯ等の溶媒を併用しても良い。
の際ジオキサン、ＤＭＳＯ等の溶媒を併用しても良い。
【００１６】この様にして得られた反応生成物は、上記
の１，１’−ビ−２−（２，３−エポキシプロポキシ）
ナフチルの理論構造が主体となるが、エポキシ化工程中
に生成する生成エポキシ基と未反応水酸基の付加反応に
よって生ずるオリゴマー成分も相当量含有している。ま
た、当然少量の加水分解性塩素やα−グリコール等の不
純物も含まれる。
の１，１’−ビ−２−（２，３−エポキシプロポキシ）
ナフチルの理論構造が主体となるが、エポキシ化工程中
に生成する生成エポキシ基と未反応水酸基の付加反応に
よって生ずるオリゴマー成分も相当量含有している。ま
た、当然少量の加水分解性塩素やα−グリコール等の不
純物も含まれる。
【００１７】この際、この反応生成物は特に精製する必
要はなく、オリゴマー成分を含有する製造時の反応生成
物として用いることができる。即ち、理論構造の含有量
は、エポキシ化反応条件によって決定され、例えば使用
するエピハロヒドリンの水酸基に対する過剰率を調整す
ることによって任意に調整可能である。半導体封止材用
途では、溶融粘度が低く、耐熱性が高いことが望ましい
ので理論構造を高める反応条件を採用した方が良い。
要はなく、オリゴマー成分を含有する製造時の反応生成
物として用いることができる。即ち、理論構造の含有量
は、エポキシ化反応条件によって決定され、例えば使用
するエピハロヒドリンの水酸基に対する過剰率を調整す
ることによって任意に調整可能である。半導体封止材用
途では、溶融粘度が低く、耐熱性が高いことが望ましい
ので理論構造を高める反応条件を採用した方が良い。
【００１８】
【００１９】このようにして得られたエポキシ樹脂を含
む半導体封止材料は、吸水率が低く、また、高温時の弾
性率の低いものであるので、熱サイクルによるクラック
の発生が生じにくい。また、内部応力が小さくなるため
に金属等に対する密着性も高い。更に、適度なガラス転
移温度を有するので耐熱性と耐水性のバランスが優れた
ものとなる。
む半導体封止材料は、吸水率が低く、また、高温時の弾
性率の低いものであるので、熱サイクルによるクラック
の発生が生じにくい。また、内部応力が小さくなるため
に金属等に対する密着性も高い。更に、適度なガラス転
移温度を有するので耐熱性と耐水性のバランスが優れた
ものとなる。
【００２０】
【００２１】また本発明の半導体封止材料は、必須成分
である上述したエポキシ樹脂に加え、さらに公知慣用の
エポキシ樹脂を併用しても構わない。この際に用いられ
るエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡジグ
リシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、臭素
化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型２官能エポキシ
樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
である上述したエポキシ樹脂に加え、さらに公知慣用の
エポキシ樹脂を併用しても構わない。この際に用いられ
るエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡジグ
リシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、臭素
化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型２官能エポキシ
樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
【００２２】また本発明に用いられる硬化剤としては、
通常エポキシ樹脂の硬化剤として常用されている化合物
はすべて使用することができ、ジエチレントリアミン、
トリエチレンテトラミンなどの脂肪族アミン類、メタフ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルホンなどの芳香族アミン類、フェノー
ルノボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹脂、
ビスフェノールＡノボラック樹脂、ビスフェノールＦノ
ボラック樹脂、フェノール類−ジシクロペンタジエン付
加型樹脂、ジヒドロキシナフタレンノボラック樹脂、キ
シリデンを結接基としたフェノール類、ナフトール類樹
脂、ポリアミド樹脂およびこれらの変性物、無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水
ピロメリット酸などの酸無水物系硬化剤、ジシアンジア
ミド、イミダゾール、ＢＦ3 −アミン錯体、グアニジン
誘導体等の潜在性硬化剤等が挙げられる。中でも半導体
封止材用としては、上記芳香族炭化水素−ホルムアルデ
ヒド樹脂が好ましい。
通常エポキシ樹脂の硬化剤として常用されている化合物
はすべて使用することができ、ジエチレントリアミン、
トリエチレンテトラミンなどの脂肪族アミン類、メタフ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルホンなどの芳香族アミン類、フェノー
ルノボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹脂、
ビスフェノールＡノボラック樹脂、ビスフェノールＦノ
ボラック樹脂、フェノール類−ジシクロペンタジエン付
加型樹脂、ジヒドロキシナフタレンノボラック樹脂、キ
シリデンを結接基としたフェノール類、ナフトール類樹
脂、ポリアミド樹脂およびこれらの変性物、無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水
ピロメリット酸などの酸無水物系硬化剤、ジシアンジア
ミド、イミダゾール、ＢＦ3 −アミン錯体、グアニジン
誘導体等の潜在性硬化剤等が挙げられる。中でも半導体
封止材用としては、上記芳香族炭化水素−ホルムアルデ
ヒド樹脂が好ましい。
【００２３】これらの硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂
を硬化せしめる量であれば何れでもよく、特に限定され
ないが、好ましくは用いるエポキシ樹脂の一分子中に含
まれるエポキシ基の数と、硬化剤中の活性水素の数が当
量付近となる量である。
を硬化せしめる量であれば何れでもよく、特に限定され
ないが、好ましくは用いるエポキシ樹脂の一分子中に含
まれるエポキシ基の数と、硬化剤中の活性水素の数が当
量付近となる量である。
【００２４】上掲された如き各化合物を硬化剤として用
いる際は、硬化促進剤を適宜使用することができる。硬
化促進剤としては公知慣用のものがいずれも使用できる
が、例えば、第３級アミン、イミダゾール、有機酸金属
塩、ルイス酸、アミン錯塩、リン系化合物等が挙げら
れ、これらは単独のみならず２種以上の併用も可能であ
る。
いる際は、硬化促進剤を適宜使用することができる。硬
化促進剤としては公知慣用のものがいずれも使用できる
が、例えば、第３級アミン、イミダゾール、有機酸金属
塩、ルイス酸、アミン錯塩、リン系化合物等が挙げら
れ、これらは単独のみならず２種以上の併用も可能であ
る。
【００２５】
【００２６】更に当該エポキシ樹脂は、それ単独で用い
るだけでなく、既に公知の他のエポキシ樹脂と併用して
用いることもできる。
るだけでなく、既に公知の他のエポキシ樹脂と併用して
用いることもできる。
【００２７】本発明の半導体封止材料は上記したものの
うち、エポキシ樹脂、硬化剤とを必須成分とするもので
あるが、更に好ましくは、硬化促進剤、無機充填剤から
構成される。無機充填剤は特に制限されるものではない
が、例えば結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、アルミナ
粉、タルク、石英ガラス粉、炭酸カルシウム粉、ガラス
繊維などがあげられる。また充填剤の量は５０〜９０重
量％の範囲で用いられるが、線膨張係数が低くなる点よ
り、８０重量％以上が好ましい。
うち、エポキシ樹脂、硬化剤とを必須成分とするもので
あるが、更に好ましくは、硬化促進剤、無機充填剤から
構成される。無機充填剤は特に制限されるものではない
が、例えば結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、アルミナ
粉、タルク、石英ガラス粉、炭酸カルシウム粉、ガラス
繊維などがあげられる。また充填剤の量は５０〜９０重
量％の範囲で用いられるが、線膨張係数が低くなる点よ
り、８０重量％以上が好ましい。
【００２８】また必要に応じて、着色剤、難燃剤、離型
剤、またはカップリング剤などの公知慣用の各種の添加
剤成分も適宜配合せしめることができる。
剤、またはカップリング剤などの公知慣用の各種の添加
剤成分も適宜配合せしめることができる。
【００２９】当該半導体封止材料は、成形時の流動性に
優れ、薄型パッケージ用途にも充分対応ができる。また
フィラーの高充填率化も果たせられ、８５％程度の充填
も可能となる。さらに表面実装時の耐ハンダクラック性
に対しても、優れた性能を有する。具体的に述べると、
高温域（ゴム領域）の弾性率が非常に低いために、保存
中に吸湿した水分がハンダ浴の高温によって蒸発した際
に生ずる応力が緩和され、クラックが極めて生じにく
い。
優れ、薄型パッケージ用途にも充分対応ができる。また
フィラーの高充填率化も果たせられ、８５％程度の充填
も可能となる。さらに表面実装時の耐ハンダクラック性
に対しても、優れた性能を有する。具体的に述べると、
高温域（ゴム領域）の弾性率が非常に低いために、保存
中に吸湿した水分がハンダ浴の高温によって蒸発した際
に生ずる応力が緩和され、クラックが極めて生じにく
い。
【００３０】また、線膨張係数が非常に低いため内部応
力が小さく、実装後の熱サイクルに対しても容易にクラ
ックは発生することもない。またリードフレーム等への
密着性も優れるため、フレームからの剥離等も発生しに
くい。
力が小さく、実装後の熱サイクルに対しても容易にクラ
ックは発生することもない。またリードフレーム等への
密着性も優れるため、フレームからの剥離等も発生しに
くい。
【００３１】
【００３２】尚、本発明で用いるエポキシ樹脂は、高分
子量タイプエポキシ樹脂を得るための２段法反応の原料
樹脂として使用することもできる。この２段法によっ
て、高分子量タイプエポキシ樹脂を得るには、本発明の
エポキシ樹脂に更に多価フェノール類を反応させればよ
い。
子量タイプエポキシ樹脂を得るための２段法反応の原料
樹脂として使用することもできる。この２段法によっ
て、高分子量タイプエポキシ樹脂を得るには、本発明の
エポキシ樹脂に更に多価フェノール類を反応させればよ
い。
【００３３】多価フェノール類としては、特に限定され
るものではないが、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、テトラブロモビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシン、ハイドロキノン等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。
るものではないが、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、テトラブロモビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシン、ハイドロキノン等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。
【００３４】
【実施例】次に本発明を製造例、実施例およびその比較
例により具体的に説明する。尚、例中において部は特に
断りのない限りすべて重量部である。
例により具体的に説明する。尚、例中において部は特に
断りのない限りすべて重量部である。
【００３５】実施例１ 攪拌機、温度計、４つ口フラスコに１，１’−ビ−２−
ナフトール２８６ｇ（１．０モル）、エピクロルヒドリ
ン９２５ｇ（１０モル）をいれ溶解する。それに８０℃
で２０％ＮａＯＨ４４０ｇ（２．２モル）を３時間かけ
て攪拌しながら滴下し、さらに３０分間攪拌を続けてそ
の後静置した。下層の食塩水を棄却し、エピクロルヒド
リンを１５０℃で蒸留回収した後、粗樹脂にＭＩＢＫ６
００ｇを加え、さらに水２５０ｇを加え８０℃にて水洗
した。そして下層の水洗水を棄却した後、脱水、濾過を
経てＭＩＢＫを１５０℃で脱溶剤して目的のエポキシ樹
脂（Ａ）３７４ｇを得た。この樹脂は淡黄色固体で、軟
化点６１℃、１５０℃での溶融粘度０．４ポイズ、エポ
キシ当量は２２３ｇ／ｅｑであった。
ナフトール２８６ｇ（１．０モル）、エピクロルヒドリ
ン９２５ｇ（１０モル）をいれ溶解する。それに８０℃
で２０％ＮａＯＨ４４０ｇ（２．２モル）を３時間かけ
て攪拌しながら滴下し、さらに３０分間攪拌を続けてそ
の後静置した。下層の食塩水を棄却し、エピクロルヒド
リンを１５０℃で蒸留回収した後、粗樹脂にＭＩＢＫ６
００ｇを加え、さらに水２５０ｇを加え８０℃にて水洗
した。そして下層の水洗水を棄却した後、脱水、濾過を
経てＭＩＢＫを１５０℃で脱溶剤して目的のエポキシ樹
脂（Ａ）３７４ｇを得た。この樹脂は淡黄色固体で、軟
化点６１℃、１５０℃での溶融粘度０．４ポイズ、エポ
キシ当量は２２３ｇ／ｅｑであった。
【００３６】また本物質の13Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ）チ
ャートを図１に示す。ここで１１５．６〜１５３．７pp
mまではナフタレン骨格の炭素に帰属され、４３．３、
４９．８、６９．５ppmの炭素はグリシジル基に帰属さ
れる。またＭＳチャートを図２に示す。
ャートを図１に示す。ここで１１５．６〜１５３．７pp
mまではナフタレン骨格の炭素に帰属され、４３．３、
４９．８、６９．５ppmの炭素はグリシジル基に帰属さ
れる。またＭＳチャートを図２に示す。
【００３７】実施例２ エピクロルヒドリンを６７８ｇ（７モル）に変更した以
外は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂（Ｂ）３６９
ｇを得た。この樹脂は淡黄色固体で、軟化点６３℃、１
５０℃での溶融粘度０．５ポイズ、エポキシ当量は２２
５ｇ／ｅｑであった。
外は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂（Ｂ）３６９
ｇを得た。この樹脂は淡黄色固体で、軟化点６３℃、１
５０℃での溶融粘度０．５ポイズ、エポキシ当量は２２
５ｇ／ｅｑであった。
【００３８】実施例３ エピクロルヒドリンを３７０ｇ（４モル）に変更した以
外は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂（Ｃ）３３０
ｇを得た。この樹脂は淡黄色固体で、軟化点７９℃、１
５０℃での溶融粘度２．１ポイズ、エポキシ当量は２５
９ｇ／ｅｑであった。
外は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂（Ｃ）３３０
ｇを得た。この樹脂は淡黄色固体で、軟化点７９℃、１
５０℃での溶融粘度２．１ポイズ、エポキシ当量は２５
９ｇ／ｅｑであった。
【００３９】比較例１ 原料をβ−ナフトールのメチレン基架橋２量体である
１，１’−ビス（２−ヒドロキシナフチル）メタン３０
０ｇ（１モル）に変更した以外は、実施例１と同様にし
てエポキシ化反応を試みた。しかし工程途中で結晶化を
起こし、目的の樹脂を得ることが出来なかった。
１，１’−ビス（２−ヒドロキシナフチル）メタン３０
０ｇ（１モル）に変更した以外は、実施例１と同様にし
てエポキシ化反応を試みた。しかし工程途中で結晶化を
起こし、目的の樹脂を得ることが出来なかった。
【００４０】実施例４〜６及び比較例２ まず樹脂単独の硬化物の試験片を作成するため、上記エ
ポキシ樹脂（Ａ）〜（Ｃ）と、それに比較としてオルソ
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＰＩＣＬＯＮ
Ｎ−６６５（大日本インキ化学工業（株）製、軟化点６
７℃、エポキシ当量２０９）を加え、硬化剤としてバー
カム ＴＤ−２１３１（大日本インキ化学工業（株）
製、軟化点８０℃、フェノールノボラック樹脂）を、さ
らには硬化促進剤としてトリフェニルフォスフィンをそ
れぞれ用い、エポキシ樹脂のエポキシ基１個に対して硬
化剤の水酸基が１個になる様に表に示す組成で配合し
て、エポキシ樹脂組成物を得た。
ポキシ樹脂（Ａ）〜（Ｃ）と、それに比較としてオルソ
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＰＩＣＬＯＮ
Ｎ−６６５（大日本インキ化学工業（株）製、軟化点６
７℃、エポキシ当量２０９）を加え、硬化剤としてバー
カム ＴＤ−２１３１（大日本インキ化学工業（株）
製、軟化点８０℃、フェノールノボラック樹脂）を、さ
らには硬化促進剤としてトリフェニルフォスフィンをそ
れぞれ用い、エポキシ樹脂のエポキシ基１個に対して硬
化剤の水酸基が１個になる様に表に示す組成で配合し
て、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００４１】これらのエポキシ樹脂組成物を１００℃で
２時間、次いで１６０℃で２時間、更に１８０℃で２時
間の条件で硬化せしめて試験片とし、ＪＩＳ Ｋ−６９
１１に準拠して、常温での曲げ強度、引張り強度、引張
り伸び率および８５℃・８５％ＲＨ条件下での吸水率を
測定した。加えＤＭＡによってガラス転移温度および動
的粘弾性率を測定した。結果を第１表に示した。
２時間、次いで１６０℃で２時間、更に１８０℃で２時
間の条件で硬化せしめて試験片とし、ＪＩＳ Ｋ−６９
１１に準拠して、常温での曲げ強度、引張り強度、引張
り伸び率および８５℃・８５％ＲＨ条件下での吸水率を
測定した。加えＤＭＡによってガラス転移温度および動
的粘弾性率を測定した。結果を第１表に示した。
【００４２】
【表１】 実施例７〜９及び比較例３ 第２表で表される配合に従って調製した混合物を熱ロー
ルにて１００℃・８分間混練りし、その後粉砕したもの
を1200-1400Kg/cm2 の圧力にてタブレットを作製し、
それを用いてトランスファー成形機にてプランジャー圧
力８０Kg/cm2、金型温度１７５℃、成形時間１００秒の
条件下にて封止し、厚さ２mmのフラットパッケージを評
価用試験片を作成した。その後１７５℃で８時間の後硬
化を施した。それを用いてハンダ耐熱性の評価として耐
ハンダクラック試験を行った。この試験は、試験片を８
５℃・８５％ＲＨの雰囲気下中７２時間放置し、吸湿処
理を行った後、これを２６０℃のハンダ浴に１０秒浸せ
きし、その際のクラック発生率を調べた。試験片数は２
０個。試験片数は２０個。この結果を同じく第２表に示
す。
ルにて１００℃・８分間混練りし、その後粉砕したもの
を1200-1400Kg/cm2 の圧力にてタブレットを作製し、
それを用いてトランスファー成形機にてプランジャー圧
力８０Kg/cm2、金型温度１７５℃、成形時間１００秒の
条件下にて封止し、厚さ２mmのフラットパッケージを評
価用試験片を作成した。その後１７５℃で８時間の後硬
化を施した。それを用いてハンダ耐熱性の評価として耐
ハンダクラック試験を行った。この試験は、試験片を８
５℃・８５％ＲＨの雰囲気下中７２時間放置し、吸湿処
理を行った後、これを２６０℃のハンダ浴に１０秒浸せ
きし、その際のクラック発生率を調べた。試験片数は２
０個。試験片数は２０個。この結果を同じく第２表に示
す。
【００４３】
【表２】 （第２表中、TBBPADGE(1)は大日本インキ化学工業
（株）製「ＥＰＩＣＬＯＮ１５２」を、フェノールノホ゛ラック樹
脂(2)は大日本インキ化学工業（株）製「バーカムＴＤ
−２１３１」を夫々表わす。）
（株）製「ＥＰＩＣＬＯＮ１５２」を、フェノールノホ゛ラック樹
脂(2)は大日本インキ化学工業（株）製「バーカムＴＤ
−２１３１」を夫々表わす。）
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、エポキシ樹脂の溶融粘
度が低く、流動性に優れるためにフィラーの高充填率化
が可能で、更に硬化物とした際に、低吸水率で高温域で
の弾性率が低いため、半導体封止材料として表面実装時
のハンダ耐熱性に極めて優れた性能を発揮し、実装に際
しての信頼性が飛躍的に向上する。
度が低く、流動性に優れるためにフィラーの高充填率化
が可能で、更に硬化物とした際に、低吸水率で高温域で
の弾性率が低いため、半導体封止材料として表面実装時
のハンダ耐熱性に極めて優れた性能を発揮し、実装に際
しての信頼性が飛躍的に向上する。
【００４５】
図１は、実施例１で得られた１，１’−ビ−（２，３−
エポキシプロポキシ）ナフチルの13Ｃ−ＮＭＲのチャー
トである。図２は、実施例１で得られた１，１’−ビ−
（２，３−エポキシプロポキシ）ナフチルのＭＳチャー
トである。
エポキシプロポキシ）ナフチルの13Ｃ−ＮＭＲのチャー
トである。図２は、実施例１で得られた１，１’−ビ−
（２，３−エポキシプロポキシ）ナフチルのＭＳチャー
トである。
【図１】
【図２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 303/27 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 59/00 - 59/04 C07D 301/00 - 301/28 C07D 303/00 - 303/27 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂と硬化剤とを必須成分とす
る半導体封止材料において、エポキシ樹脂として１，
１’−ビ−２−（２，３−エポキシプロポキシ）ナフチ
ルを特徴とする半導体封止材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33721892A JP3255246B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | エポキシ樹脂、その製法、エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33721892A JP3255246B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | エポキシ樹脂、その製法、エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184131A JPH06184131A (ja) | 1994-07-05 |
| JP3255246B2 true JP3255246B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18306555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33721892A Expired - Fee Related JP3255246B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | エポキシ樹脂、その製法、エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255246B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005056676A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料および電子部品装置 |
| CN100460464C (zh) * | 2003-12-11 | 2009-02-11 | 日立化成工业株式会社 | 密封用环氧树脂成形材料及电子部件装置 |
| JP5168547B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-03-21 | Ｄｉｃ株式会社 | エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置 |
| JP2010090216A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| WO2014050789A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Dic株式会社 | エポキシ化合物、その製造方法、エポキシ樹脂組成物およびその硬化物 |
| WO2014136773A1 (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-12 | Dic株式会社 | エポキシ樹脂組成物、硬化物、放熱材料及び電子部材 |
| KR102048610B1 (ko) | 2013-09-26 | 2019-11-25 | 타오카 케미컬 컴퍼니 리미티드 | 바이나프탈렌 골격을 가지는 에폭시 수지 |
| JP6535002B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2019-06-26 | 日本化薬株式会社 | 液晶シール剤及びそれを用いた液晶表示セル |
| CN115197174B (zh) * | 2022-08-08 | 2023-09-19 | 南京工业大学 | 一种联萘酚基环氧树脂单体及其制备方法与在制备全生物基环氧树脂中的应用 |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP33721892A patent/JP3255246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06184131A (ja) | 1994-07-05 |
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