JP3240489B2 - Ｉｇｂｔの過電流保護装置及びｉｇｂｔの保護装置 - Google Patents
Ｉｇｂｔの過電流保護装置及びｉｇｂｔの保護装置Info
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- JP3240489B2 JP3240489B2 JP13559293A JP13559293A JP3240489B2 JP 3240489 B2 JP3240489 B2 JP 3240489B2 JP 13559293 A JP13559293 A JP 13559293A JP 13559293 A JP13559293 A JP 13559293A JP 3240489 B2 JP3240489 B2 JP 3240489B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁ゲート・バイポー
ラ・トランジスタ（以下ＩＧＢＴと略称する。）の過電
流保護装置に係り、特にインバータなどの電力変換装置
において、短絡事故などによって生じる過電流からＩＧ
ＢＴを保護するに好適な過電流保護装置に関する。
ラ・トランジスタ（以下ＩＧＢＴと略称する。）の過電
流保護装置に係り、特にインバータなどの電力変換装置
において、短絡事故などによって生じる過電流からＩＧ
ＢＴを保護するに好適な過電流保護装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＧＢＴのオン時の内部抵抗の低
減化、すなわち低オン抵抗化などの特性改善が進めら
れ、ＩＧＢＴはインバータなどの電力変換装置に多く用
いられ始めている。そして、インバータの運転中にアー
ム短絡や負荷短絡によってＩＧＢＴに過電流が流れた場
合に、ＩＧＢＴを破壊させないように保護することが重
要になっている。
減化、すなわち低オン抵抗化などの特性改善が進めら
れ、ＩＧＢＴはインバータなどの電力変換装置に多く用
いられ始めている。そして、インバータの運転中にアー
ム短絡や負荷短絡によってＩＧＢＴに過電流が流れた場
合に、ＩＧＢＴを破壊させないように保護することが重
要になっている。
【０００３】ＩＧＢＴのコレクタ電圧とコレクタ電流、
及びゲート電圧との間には図５に示すような関係があ
る。すなわち同図に示すようにコレクタ電流が過電流に
なるとコレクタ電圧が上昇するのでコレクタ電圧を検出
することによりコレクタ電流の過電流状態を判断するこ
とが出来る。そして過電流（コレクタ電流）はＩＧＢＴ
のゲート電圧を低下することによって低減できる。した
がって、過電流を如何に早く検出し、ゲート電圧を如何
に低下させるかが過電流からＩＧＢＴを保護するための
ポイントとなる。
及びゲート電圧との間には図５に示すような関係があ
る。すなわち同図に示すようにコレクタ電流が過電流に
なるとコレクタ電圧が上昇するのでコレクタ電圧を検出
することによりコレクタ電流の過電流状態を判断するこ
とが出来る。そして過電流（コレクタ電流）はＩＧＢＴ
のゲート電圧を低下することによって低減できる。した
がって、過電流を如何に早く検出し、ゲート電圧を如何
に低下させるかが過電流からＩＧＢＴを保護するための
ポイントとなる。
【０００４】これまでにＩＧＢＴのコレクタ電圧の上昇
を過電流検出信号とした過電流保護装置が各種、提案さ
れている（特開昭59-103567 号公報、特開昭61-147736
号公報、特開昭61-185064 号公報、特開昭61-251323 号
公報、特開昭62-277063 号公報など）。
を過電流検出信号とした過電流保護装置が各種、提案さ
れている（特開昭59-103567 号公報、特開昭61-147736
号公報、特開昭61-185064 号公報、特開昭61-251323 号
公報、特開昭62-277063 号公報など）。
【０００５】これらの過電流保護装置は、過大になった
コレクタ電流をゲート電圧を低下することで一旦減流
し、それから遮断する、いわゆるソフト遮断である。過
電流を直ちに遮断すると過電圧が発生してＩＧＢＴを破
壊するが、それを回避しようとするものである。
コレクタ電流をゲート電圧を低下することで一旦減流
し、それから遮断する、いわゆるソフト遮断である。過
電流を直ちに遮断すると過電圧が発生してＩＧＢＴを破
壊するが、それを回避しようとするものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＧＢ
Ｔの低オン抵抗化などの特性改善が進められるにしたが
って、従来技術では回路動作を遅くしているためにＩＧ
ＢＴが破壊したり、高速スイッチング素子であるＩＧＢ
Ｔの特徴を充分に活かせないという問題が生じている。
例えば特開昭59-103567 号公報、特開昭61-147736 号公
報、特開昭61-251323 号公報に記載されている過電流保
護装置ではコレクタ電圧による過電流検出を行なうの
に、所定時間の検出遅れを設けている。これはターンオ
ン時の遅延による過渡現象を検出しないようにするため
である。従来のＩＧＢＴはこのような検出遅れを設けて
いても保護することができた。
Ｔの低オン抵抗化などの特性改善が進められるにしたが
って、従来技術では回路動作を遅くしているためにＩＧ
ＢＴが破壊したり、高速スイッチング素子であるＩＧＢ
Ｔの特徴を充分に活かせないという問題が生じている。
例えば特開昭59-103567 号公報、特開昭61-147736 号公
報、特開昭61-251323 号公報に記載されている過電流保
護装置ではコレクタ電圧による過電流検出を行なうの
に、所定時間の検出遅れを設けている。これはターンオ
ン時の遅延による過渡現象を検出しないようにするため
である。従来のＩＧＢＴはこのような検出遅れを設けて
いても保護することができた。
【０００７】しかしＩＧＢＴが低オン抵抗化されて電流
が流れやすくなると、検出遅れ期間に流れる事故時のコ
レクタ電流も大きくなる。このために熱的負担が増加
し、ＩＧＢＴの破壊の原因となるという問題があった。
が流れやすくなると、検出遅れ期間に流れる事故時のコ
レクタ電流も大きくなる。このために熱的負担が増加
し、ＩＧＢＴの破壊の原因となるという問題があった。
【０００８】一方、特開昭61-185064 号公報や特開昭62
-277063 号公報に記載されている過電流保護装置では、
前述したような過電流検出遅れ時間を設けていない。こ
のため事故時の過電流を早く検出することができる。し
かし、ＩＧＢＴがターンオンする過渡時において過電流
検出回路が動作しているため、ゲート電圧を絞った状態
でターンオンすることになる。このためターンオン時間
が長く、損失が増加するので、高速スイッチング素子で
あるＩＧＢＴの特徴を充分に活かせないという問題もあ
った。
-277063 号公報に記載されている過電流保護装置では、
前述したような過電流検出遅れ時間を設けていない。こ
のため事故時の過電流を早く検出することができる。し
かし、ＩＧＢＴがターンオンする過渡時において過電流
検出回路が動作しているため、ゲート電圧を絞った状態
でターンオンすることになる。このためターンオン時間
が長く、損失が増加するので、高速スイッチング素子で
あるＩＧＢＴの特徴を充分に活かせないという問題もあ
った。
【０００９】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、ＩＧＢＴを過電流から確実に保護すること
ができると共に、通常動作においても高速スイッチング
素子としての特徴を損なうことがないＩＧＢＴの過電流
保護装置を提供することを目的とする。
ものであり、ＩＧＢＴを過電流から確実に保護すること
ができると共に、通常動作においても高速スイッチング
素子としての特徴を損なうことがないＩＧＢＴの過電流
保護装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＧＢＴの過電
流保護装置は、ＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミン
グを制御する制御信号を増幅する駆動手段と、ＩＧＢＴ
のコレクタ電流が所定値以上であるとき過電流であると
判別する過電流検出手段と、該過電流検出手段が電流を
検出している間、前記駆動手段の出力電圧を時間経過に
伴って徐々に降下させる電圧可変手段と、前記過電流検
出手段の動作に追従して、前記駆動手段と前記電圧可変
手段との間の導通を制御する切換手段とを有することを
特徴とする。
流保護装置は、ＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミン
グを制御する制御信号を増幅する駆動手段と、ＩＧＢＴ
のコレクタ電流が所定値以上であるとき過電流であると
判別する過電流検出手段と、該過電流検出手段が電流を
検出している間、前記駆動手段の出力電圧を時間経過に
伴って徐々に降下させる電圧可変手段と、前記過電流検
出手段の動作に追従して、前記駆動手段と前記電圧可変
手段との間の導通を制御する切換手段とを有することを
特徴とする。
【００１１】本発明のＩＧＢＴの過電流保護装置は、前
記切換手段はＰＮＰトランジスタを含んで構成されるこ
とを特徴とする。
記切換手段はＰＮＰトランジスタを含んで構成されるこ
とを特徴とする。
【００１２】本発明のＩＧＢＴの過電流保護装置は、前
記駆動手段は、共通接続されたベースと共通接続された
エミッタを有するコンプリメンタリトランジスタを有
し、該コンプリメンタリトランジスタを構成する各トラ
ンジスタのコレクタにＩＧＢＴをオン動作又はオフ動作
させるための抵抗が接続されていることを特徴とする。
記駆動手段は、共通接続されたベースと共通接続された
エミッタを有するコンプリメンタリトランジスタを有
し、該コンプリメンタリトランジスタを構成する各トラ
ンジスタのコレクタにＩＧＢＴをオン動作又はオフ動作
させるための抵抗が接続されていることを特徴とする。
【００１３】本発明のＩＧＢＴの過電流保護装置は、前
記駆動手段の出力端子にＩＧＢＴをオン動作またはオフ
動作させるための抵抗の一端が接続され、該抵抗の他端
がＩＧＢＴのゲート及びダイオードのアノードに接続さ
れ、該ダイオードのカソードが前記切換手段の内部回路
に接続されることを特徴とする。
記駆動手段の出力端子にＩＧＢＴをオン動作またはオフ
動作させるための抵抗の一端が接続され、該抵抗の他端
がＩＧＢＴのゲート及びダイオードのアノードに接続さ
れ、該ダイオードのカソードが前記切換手段の内部回路
に接続されることを特徴とする。
【００１４】本発明のＩＧＢＴの過電流保護装置は、前
記電圧可変手段は、コンデンサ、抵抗及びスイッチング
素子を含んで構成されることを特徴とする。
記電圧可変手段は、コンデンサ、抵抗及びスイッチング
素子を含んで構成されることを特徴とする。
【００１５】本発明のＩＧＢＴの過電流保護装置は、前
記過電流手段が動作してからの所定時間は、前記制御信
号がオフ状態となっても前記駆動手段の出力電圧を出力
しつづける状態に維持するオン保持手段と、ターンオン
したＩＧＢＴに供給される前記駆動手段の出力電圧が所
定値にまで低下するまでの所定時間、前記オン保持手段
の動作を遅延させる動作遅延手段とを有することを特徴
とする。
記過電流手段が動作してからの所定時間は、前記制御信
号がオフ状態となっても前記駆動手段の出力電圧を出力
しつづける状態に維持するオン保持手段と、ターンオン
したＩＧＢＴに供給される前記駆動手段の出力電圧が所
定値にまで低下するまでの所定時間、前記オン保持手段
の動作を遅延させる動作遅延手段とを有することを特徴
とする。
【００１６】本発明のＩＧＢＴの保護装置は、ＩＧＢＴ
のスイッチング動作のタイミングを制御する制御信号を
増幅する駆動手段と、ＩＧＢＴのターンオン時における
過渡現象を検出する過渡現象検出手段と、該過渡現象検
出手段が過渡現象を検出している間、前記駆動手段の出
力を時間経過に伴って徐々に降下させる出力可変手段
と、前記過渡現象検出手段により過渡現象が検出された
ときに前記出力可変手段の出力を前記駆動手段に伝達し
前記過渡現象検出手段により過渡現象が検出されないと
きには前記出力可変手段の出力を前記駆動手段から切り
離す切換手段とを有することを特徴とする。
のスイッチング動作のタイミングを制御する制御信号を
増幅する駆動手段と、ＩＧＢＴのターンオン時における
過渡現象を検出する過渡現象検出手段と、該過渡現象検
出手段が過渡現象を検出している間、前記駆動手段の出
力を時間経過に伴って徐々に降下させる出力可変手段
と、前記過渡現象検出手段により過渡現象が検出された
ときに前記出力可変手段の出力を前記駆動手段に伝達し
前記過渡現象検出手段により過渡現象が検出されないと
きには前記出力可変手段の出力を前記駆動手段から切り
離す切換手段とを有することを特徴とする。
【００１７】
【作用】ＩＧＢＴのコレクタ電流が過電流になるとその
コレクタ電圧が上昇するので過電流検出手段が動作し、
その出力信号により電圧可変手段と駆動手段間の導通を
制御する切換手段が両者を接続するように動作する。
コレクタ電圧が上昇するので過電流検出手段が動作し、
その出力信号により電圧可変手段と駆動手段間の導通を
制御する切換手段が両者を接続するように動作する。
【００１８】その結果、駆動手段の出力電圧が徐々に降
下し、これにともないＩＧＢＴのゲート電圧が低下する
ことになるので、過大となったコレクタ電流は徐々に減
少し、ＩＧＢＴを確実に保護できる。
下し、これにともないＩＧＢＴのゲート電圧が低下する
ことになるので、過大となったコレクタ電流は徐々に減
少し、ＩＧＢＴを確実に保護できる。
【００１９】一方、検出遅れの短い過電流検出手段を設
けたことにより、通常の動作においても過電流検出手段
が動作する。これに対しては、駆動手段と該駆動手段の
出力電圧を徐々に降下させる電圧可変手段との間に設け
られた切換手段が、ターンオンの過渡状態が終了した時
点で駆動手段から電圧可変手段を切離すように動作する
ので、過電流検出手段が一旦は動作しても、従来のよう
にターンオンタイムが長くなって高速スイッチング素子
であるＩＧＢＴの特徴を損なうようなことがない。 ま
た、制御信号のオン期間が数μｓと短い場合は、過電流
保護動作中にオン信号が無くなるので充分な保護が出来
ない場合が生じる。この対策として、過電流検出中は制
御信号がオフ状態になっても所定時間だけオン状態を持
続するオン保持手段（特開平2-50518 号公報）を設けて
いる。このオン保持手段の動作は過電流検出手段の動作
に追従させるが、制御信号の最小オン期間が管理されて
いない場合は、正常なオン動作が行われないような狭い
パルスの場合にも、オン保持手段が動作して過電流保護
動作を行ってしまう。これに対してはオン保持手段の動
作をＩＧＢＴのターンオン動作遅れ分だけ遅延させる動
作遅延手段を設けているので、無用な過電流保護動作を
行うようなことがない。
けたことにより、通常の動作においても過電流検出手段
が動作する。これに対しては、駆動手段と該駆動手段の
出力電圧を徐々に降下させる電圧可変手段との間に設け
られた切換手段が、ターンオンの過渡状態が終了した時
点で駆動手段から電圧可変手段を切離すように動作する
ので、過電流検出手段が一旦は動作しても、従来のよう
にターンオンタイムが長くなって高速スイッチング素子
であるＩＧＢＴの特徴を損なうようなことがない。 ま
た、制御信号のオン期間が数μｓと短い場合は、過電流
保護動作中にオン信号が無くなるので充分な保護が出来
ない場合が生じる。この対策として、過電流検出中は制
御信号がオフ状態になっても所定時間だけオン状態を持
続するオン保持手段（特開平2-50518 号公報）を設けて
いる。このオン保持手段の動作は過電流検出手段の動作
に追従させるが、制御信号の最小オン期間が管理されて
いない場合は、正常なオン動作が行われないような狭い
パルスの場合にも、オン保持手段が動作して過電流保護
動作を行ってしまう。これに対してはオン保持手段の動
作をＩＧＢＴのターンオン動作遅れ分だけ遅延させる動
作遅延手段を設けているので、無用な過電流保護動作を
行うようなことがない。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１には本発明に係るＩＧＢＴの過電流保護装置
の基本的構成が示されている。同図において、過電流保
護装置は、ＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミングを
制御する制御信号を増幅し出力するＩＧＢＴ１０の駆動
回路１と、駆動回路１の出力が正の時、ＩＧＢＴ１０の
コレクタ電圧が所定値以上になったことを過電流と判断
する過電流検出回路２と、過電流検出回路２から出力さ
れる過電流検出信号を受けて駆動回路１の出力電圧を徐
々に降下させる電圧可変回路３と、過電流検出信号に応
じて電圧可変回路３を駆動回路１に接続する切換回路４
とを有している。
する。図１には本発明に係るＩＧＢＴの過電流保護装置
の基本的構成が示されている。同図において、過電流保
護装置は、ＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミングを
制御する制御信号を増幅し出力するＩＧＢＴ１０の駆動
回路１と、駆動回路１の出力が正の時、ＩＧＢＴ１０の
コレクタ電圧が所定値以上になったことを過電流と判断
する過電流検出回路２と、過電流検出回路２から出力さ
れる過電流検出信号を受けて駆動回路１の出力電圧を徐
々に降下させる電圧可変回路３と、過電流検出信号に応
じて電圧可変回路３を駆動回路１に接続する切換回路４
とを有している。
【００２１】次に図１に示した過電流保護装置の動作を
図２の動作波形図を用いて説明する。図２には負荷が正
常な場合（図２（ａ））と、負荷が短絡した場合（図２
（ｂ））の動作波形例が示されている。駆動回路１は、
図示していない制御装置から出力されるＩＧＢＴのスイ
ッチング動作のタイミングを制御する制御信号に応じて
方形波電圧波形を出力するようになっている。そして過
電流検出回路２が動作して電圧可変回路３が切換回路４
を介して駆動回路１に接続されると、駆動回路１の出力
電圧は電圧可変回路３の出力に応じて降下するようにな
る。
図２の動作波形図を用いて説明する。図２には負荷が正
常な場合（図２（ａ））と、負荷が短絡した場合（図２
（ｂ））の動作波形例が示されている。駆動回路１は、
図示していない制御装置から出力されるＩＧＢＴのスイ
ッチング動作のタイミングを制御する制御信号に応じて
方形波電圧波形を出力するようになっている。そして過
電流検出回路２が動作して電圧可変回路３が切換回路４
を介して駆動回路１に接続されると、駆動回路１の出力
電圧は電圧可変回路３の出力に応じて降下するようにな
る。
【００２２】図２（ａ）及び図２（ｂ）の場合とも、Ｉ
ＧＢＴ１０のターンオン直後の駆動回路１の出力が降下
している。これはＩＧＢＴ１０のターンオンの遅れ期
間、あるいはＩＧＢＴ１０が使用されているインバータ
の転流期間などにより、ＩＧＢＴ１０のターンオン動作
初期のコレクタ電圧が充分に低下しない過渡現象が生じ
るため、駆動回路１の出力が正のときＩＧＢＴ１０のコ
レクタ電圧が所定値以上であることを過電流とみなす過
電流検出回路２が動作するためである。即ち、過電流検
出回路２が動作し、電圧可変回路３が切換回路４を介し
て駆動回路１に接続されるためである。
ＧＢＴ１０のターンオン直後の駆動回路１の出力が降下
している。これはＩＧＢＴ１０のターンオンの遅れ期
間、あるいはＩＧＢＴ１０が使用されているインバータ
の転流期間などにより、ＩＧＢＴ１０のターンオン動作
初期のコレクタ電圧が充分に低下しない過渡現象が生じ
るため、駆動回路１の出力が正のときＩＧＢＴ１０のコ
レクタ電圧が所定値以上であることを過電流とみなす過
電流検出回路２が動作するためである。即ち、過電流検
出回路２が動作し、電圧可変回路３が切換回路４を介し
て駆動回路１に接続されるためである。
【００２３】図２（ａ）に示すように負荷が正常な場合
は、ターンオン動作初期に発生する過渡現象が終了する
時刻ｔ１で過電流検出回路２の動作が停止し、切換回路
４により電圧可変回路３が駆動回路１から切り離され
る。このため駆動回路１の出力は直ちに所定の電圧に復
帰する。
は、ターンオン動作初期に発生する過渡現象が終了する
時刻ｔ１で過電流検出回路２の動作が停止し、切換回路
４により電圧可変回路３が駆動回路１から切り離され
る。このため駆動回路１の出力は直ちに所定の電圧に復
帰する。
【００２４】これに対して例えば特開昭61-185064 号公
報に記載の過電流保護装置では、駆動回路１の出力電圧
が図２（ａ）の点線に示すようになって、スイッチング
損失増大の要因となっていた。しかし本発明による過電
流保護装置ではＩＧＢＴ１０のターンオン動作初期に所
定の電圧を出力し、そこから駆動回路１の出力電圧を降
下させていること、及びＩＧＢＴ１０のターンオン動作
初期の過渡現象が終了した後、駆動回路１の出力電圧が
直ちに所定値に復帰しているので、ターンオン動作遅れ
に及ぼす影響が非常に小さく、スイッチング損失の増加
を防止できる。
報に記載の過電流保護装置では、駆動回路１の出力電圧
が図２（ａ）の点線に示すようになって、スイッチング
損失増大の要因となっていた。しかし本発明による過電
流保護装置ではＩＧＢＴ１０のターンオン動作初期に所
定の電圧を出力し、そこから駆動回路１の出力電圧を降
下させていること、及びＩＧＢＴ１０のターンオン動作
初期の過渡現象が終了した後、駆動回路１の出力電圧が
直ちに所定値に復帰しているので、ターンオン動作遅れ
に及ぼす影響が非常に小さく、スイッチング損失の増加
を防止できる。
【００２５】図２（ｂ）に示すように負荷が短絡した場
合は、過電流検出回路２が動作し続けているので、駆動
回路１の出力電圧は電圧可変回路３の出力に応じてさら
に降下し続ける。その結果、図５に示すＩＧＢＴ１０の
出力特性に応じてＩＧＢＴ１０に流れるコレクタ電流が
低減して、ＩＧＢＴ１０を確実に保護することができ
る。
合は、過電流検出回路２が動作し続けているので、駆動
回路１の出力電圧は電圧可変回路３の出力に応じてさら
に降下し続ける。その結果、図５に示すＩＧＢＴ１０の
出力特性に応じてＩＧＢＴ１０に流れるコレクタ電流が
低減して、ＩＧＢＴ１０を確実に保護することができ
る。
【００２６】これに対して、例えば特開昭59-103567 号
公報や特開昭61-147736 号公報に記載の過電流保護装置
では、図２（ｂ）に点線で示すように、ターンオン動作
初期の過渡現象発生期間（ｔ０〜ｔ１）に過電流検出回
路２が動作しないように検出動作のマスク期間（ｔ０〜
ｔ２）を設けている。このため当然、保護動作が遅れて
いた。従来のＩＧＢＴの特性では、このような保護動作
の遅れがあったとしても充分に保護できた。
公報や特開昭61-147736 号公報に記載の過電流保護装置
では、図２（ｂ）に点線で示すように、ターンオン動作
初期の過渡現象発生期間（ｔ０〜ｔ１）に過電流検出回
路２が動作しないように検出動作のマスク期間（ｔ０〜
ｔ２）を設けている。このため当然、保護動作が遅れて
いた。従来のＩＧＢＴの特性では、このような保護動作
の遅れがあったとしても充分に保護できた。
【００２７】しかし、ＩＧＢＴの低オン抵抗化の特性改
善が進められるに従って、負荷短絡時のコレクタ電流の
上昇が早くなるため、コレクタ電流の尖頭値が大きくな
って熱的負担が大きくなってる。このため過電流からＩ
ＧＢＴを保護できないことがしばしば発生していたが、
本発明によれば過電流が大きくならないうちに保護動作
に入れるためＩＧＢＴを確実に保護できる。
善が進められるに従って、負荷短絡時のコレクタ電流の
上昇が早くなるため、コレクタ電流の尖頭値が大きくな
って熱的負担が大きくなってる。このため過電流からＩ
ＧＢＴを保護できないことがしばしば発生していたが、
本発明によれば過電流が大きくならないうちに保護動作
に入れるためＩＧＢＴを確実に保護できる。
【００２８】次に図３に本発明に係るＩＧＢＴの過電流
保護装置の一実施例の構成を示す。同図においてＩＧＢ
Ｔの過電流保護装置は駆動回路１と、過電流検出回路２
と、電圧可変回路３と、切換回路４と、順バイアス用電
源Ｅon、逆バイアス電源Ｅoffとを有している。
保護装置の一実施例の構成を示す。同図においてＩＧＢ
Ｔの過電流保護装置は駆動回路１と、過電流検出回路２
と、電圧可変回路３と、切換回路４と、順バイアス用電
源Ｅon、逆バイアス電源Ｅoffとを有している。
【００２９】駆動回路１は、ホトカプラ１１と、ＮＰＮ
トランジスタ１２と、ＰＮＰトランジスタ１３と、ＮＰ
Ｎトランジスタ１４と、抵抗１５、１６、Ｒon、Ｒoff
とを有している。
トランジスタ１２と、ＰＮＰトランジスタ１３と、ＮＰ
Ｎトランジスタ１４と、抵抗１５、１６、Ｒon、Ｒoff
とを有している。
【００３０】また過電流検出回路２は、ＮＰＮトランジ
スタ２１と、抵抗２２、２５と、ダイオード２３と、ツ
ェナーダイオード２４とを有している。
スタ２１と、抵抗２２、２５と、ダイオード２３と、ツ
ェナーダイオード２４とを有している。
【００３１】電圧可変回路３は、ＮＰＮトランジスタ３
１と、抵抗３２、３４と、コンデンサ３３とを有してい
る。
１と、抵抗３２、３４と、コンデンサ３３とを有してい
る。
【００３２】切換回路４は、ＰＮＰトランジスタ４１
と、ダイオード４２と、抵抗４３とを有している。
と、ダイオード４２と、抵抗４３とを有している。
【００３３】上記構成からなる過電流保護装置は次のよ
うに動作する。即ち、図示していない制御装置から出力
されるＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミングを制御
する制御信号をホトカプラ１１で受けると、トランジス
タ１２がオフし、トランジスタ１４がオン、トランジス
タ１３がオフ状態となって、順バイアス用のゲート電源
電圧Ｅonが抵抗Ｒonを介してＩＧＢＴ１０のゲートに印
加される。
うに動作する。即ち、図示していない制御装置から出力
されるＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミングを制御
する制御信号をホトカプラ１１で受けると、トランジス
タ１２がオフし、トランジスタ１４がオン、トランジス
タ１３がオフ状態となって、順バイアス用のゲート電源
電圧Ｅonが抵抗Ｒonを介してＩＧＢＴ１０のゲートに印
加される。
【００３４】次に図示していない制御装置から制御信号
が出力されなくなると、トランジスタ１２がオンし、ト
ランジスタ１４がオフ、トランジスタ１３がオン状態と
なって、逆バイアス用ゲート電源電圧Ｅoffが抵抗Ｒoff
を介してゲートに印加される。 このような駆動回路１
の動作に対して過電流検出回路２は次のように動作す
る。図示していない制御装置からの制御信号をホトカプ
ラ１１で受け、トランジスタ２１がオフすると、順バイ
アス用のゲート電源（Ｅon）から抵抗２２−ダイオード
２３−ＩＧＢＴ１０のコレクターエミッタを介して電流
が流れる。そしてＩＧＢＴ１０のコレクタ電流が大きく
なり、コレクタ電圧が所定値以上になると、抵抗２２か
らツェナーダイオード２４−抵抗２５を介して電流が流
れるようになる。即ち、ツェナーダイオード２４に電流
が流れれば、その状態をもって過電流と判断出来る。
が出力されなくなると、トランジスタ１２がオンし、ト
ランジスタ１４がオフ、トランジスタ１３がオン状態と
なって、逆バイアス用ゲート電源電圧Ｅoffが抵抗Ｒoff
を介してゲートに印加される。 このような駆動回路１
の動作に対して過電流検出回路２は次のように動作す
る。図示していない制御装置からの制御信号をホトカプ
ラ１１で受け、トランジスタ２１がオフすると、順バイ
アス用のゲート電源（Ｅon）から抵抗２２−ダイオード
２３−ＩＧＢＴ１０のコレクターエミッタを介して電流
が流れる。そしてＩＧＢＴ１０のコレクタ電流が大きく
なり、コレクタ電圧が所定値以上になると、抵抗２２か
らツェナーダイオード２４−抵抗２５を介して電流が流
れるようになる。即ち、ツェナーダイオード２４に電流
が流れれば、その状態をもって過電流と判断出来る。
【００３５】また電圧可変回路３は次のように動作す
る。トランジスタ３１がオンすると、定常状態において
抵抗３４を介して電源電圧Ｅon＋Ｅoffに充電されてい
たコンデンサ３３の電荷は抵抗３２を介して放電され
る。この時のコンデンサ３３の端子電圧の変化を電圧可
変回路３の機能として利用する。
る。トランジスタ３１がオンすると、定常状態において
抵抗３４を介して電源電圧Ｅon＋Ｅoffに充電されてい
たコンデンサ３３の電荷は抵抗３２を介して放電され
る。この時のコンデンサ３３の端子電圧の変化を電圧可
変回路３の機能として利用する。
【００３６】一方切換回路４は、過電流検出回路２によ
り過電流が検出されるとトランジスタ３１がオンし、ト
ランジスタ４１がオンすることにより、駆動回路１をダ
イオード４２を介して電圧可変回路３に接続する。この
結果、駆動回路１の出力電圧は電圧可変回路３の出力に
応じて降下し続ける。
り過電流が検出されるとトランジスタ３１がオンし、ト
ランジスタ４１がオンすることにより、駆動回路１をダ
イオード４２を介して電圧可変回路３に接続する。この
結果、駆動回路１の出力電圧は電圧可変回路３の出力に
応じて降下し続ける。
【００３７】またＩＧＢＴ１０のターンオン動作初期の
過渡状態が終了した時点、または負荷の短絡事故等に起
因する過電流状態が解消した時点でトランジスタ３１が
オフすると、トランジスタ４１がオフして、電圧可変回
路３が駆動回路１から切り離される。この結果一旦、放
電されたコンデンサ３３の電荷は、抵抗３４を介して電
源電圧Ｅon＋Ｅoffに充電され、駆動回路１は所定の出
力電圧に直ちに復帰する。
過渡状態が終了した時点、または負荷の短絡事故等に起
因する過電流状態が解消した時点でトランジスタ３１が
オフすると、トランジスタ４１がオフして、電圧可変回
路３が駆動回路１から切り離される。この結果一旦、放
電されたコンデンサ３３の電荷は、抵抗３４を介して電
源電圧Ｅon＋Ｅoffに充電され、駆動回路１は所定の出
力電圧に直ちに復帰する。
【００３８】次に、図４に本発明に係るＩＧＢＴの過電
流保護装置の他の実施例の構成を示す。本実施例が図３
に示す実施例と構成上、異なるのは駆動回路１の抵抗Ｒ
on、Ｒoffを一つの抵抗ＲGにして、抵抗ＲGの一方の端
子とダイオード４２のカソードとの間にダイオード５１
を接続している点であり、他の構成は同様であるので重
複する説明は省略する。本実施例ではダイオード５１を
設けることにより、抵抗ＲG やトランジスタ１３、１４
のエミッタ−ベース間がバイパスされるので、ＩＧＢＴ
１０のゲート電圧が電圧可変回路３の動作に早く追従し
て変化するようになり、より確実に過電流保護が実現出
来るようになる。
流保護装置の他の実施例の構成を示す。本実施例が図３
に示す実施例と構成上、異なるのは駆動回路１の抵抗Ｒ
on、Ｒoffを一つの抵抗ＲGにして、抵抗ＲGの一方の端
子とダイオード４２のカソードとの間にダイオード５１
を接続している点であり、他の構成は同様であるので重
複する説明は省略する。本実施例ではダイオード５１を
設けることにより、抵抗ＲG やトランジスタ１３、１４
のエミッタ−ベース間がバイパスされるので、ＩＧＢＴ
１０のゲート電圧が電圧可変回路３の動作に早く追従し
て変化するようになり、より確実に過電流保護が実現出
来るようになる。
【００３９】次に、図６に本発明に係るＩＧＢＴの過電
流保護装置の他の実施例の構成を示す。本実施例が図１
に示す実施例の構成と異なるのは、過電流検出信号の動
作遅延回路６とオン保持回路５が付加されている点であ
る。このような機能を付加した理由を図７の動作波形例
を用いて説明する。
流保護装置の他の実施例の構成を示す。本実施例が図１
に示す実施例の構成と異なるのは、過電流検出信号の動
作遅延回路６とオン保持回路５が付加されている点であ
る。このような機能を付加した理由を図７の動作波形例
を用いて説明する。
【００４０】図７は、制御信号のオン期間が数μｓ以下
と短い場合の過電流保護動作波形例を示す。（ａ）図
は、オン保持回路５がある場合と無い場合との比較であ
る。オン期間が数μｓの場合は、破線で示す如く過電流
保護動作中にオン信号が無くなる。このため、大きなコ
レクタ電流を遮断することになり、跳上りの大きな電圧
が印加されて、ＩＧＢＴを保護が出来ない場合が生じ
る。この対策としては、過電流検出中に制御信号がオフ
状態になった場合は、所定の時間だけオン状態を持続す
るオン保持回路５（特開平2-50518 号公報）を設けるの
が有効である。しかし、このオン保持回路５は過電流検
出回路２の動作に追従させるが、従来のように動作遅延
回路６を設けない場合には、次のような不具合が生じる
ことが判った。
と短い場合の過電流保護動作波形例を示す。（ａ）図
は、オン保持回路５がある場合と無い場合との比較であ
る。オン期間が数μｓの場合は、破線で示す如く過電流
保護動作中にオン信号が無くなる。このため、大きなコ
レクタ電流を遮断することになり、跳上りの大きな電圧
が印加されて、ＩＧＢＴを保護が出来ない場合が生じ
る。この対策としては、過電流検出中に制御信号がオフ
状態になった場合は、所定の時間だけオン状態を持続す
るオン保持回路５（特開平2-50518 号公報）を設けるの
が有効である。しかし、このオン保持回路５は過電流検
出回路２の動作に追従させるが、従来のように動作遅延
回路６を設けない場合には、次のような不具合が生じる
ことが判った。
【００４１】（ｂ）図は、動作遅延回路６がある場合と
無い場合との比較である。制御信号のオン期間が更に短
く（ノイズ信号含む）なると、オン動作が定常状態にな
る前にオン信号が無くなる場合が生じてくる。この場
合、過電流検出信号が出力されているので、動作遅延回
路６が無い場合はオン保持回路５が動作し、破線で示す
如くオン期間を広げてしまう。インバータの対アームは
反転した制御信号で動作してるので、このためにアーム
短絡が生じてこれを保護する不要な動作が行われ、イン
バータ停止の原因となる。
無い場合との比較である。制御信号のオン期間が更に短
く（ノイズ信号含む）なると、オン動作が定常状態にな
る前にオン信号が無くなる場合が生じてくる。この場
合、過電流検出信号が出力されているので、動作遅延回
路６が無い場合はオン保持回路５が動作し、破線で示す
如くオン期間を広げてしまう。インバータの対アームは
反転した制御信号で動作してるので、このためにアーム
短絡が生じてこれを保護する不要な動作が行われ、イン
バータ停止の原因となる。
【００４２】この対策として設けたのが動作遅延回路６
である。これにより、ＩＧＢＴの過電流保護が不要な期
間だけ、オン保持回路の動作をマスクしている。このた
め、最小のオン期間を管理しなくてもよくなると共に、
ＩＧＢＴにダメージを与えない僅かなノイズでのインバ
ータの動作停止を防止することが出来る。
である。これにより、ＩＧＢＴの過電流保護が不要な期
間だけ、オン保持回路の動作をマスクしている。このた
め、最小のオン期間を管理しなくてもよくなると共に、
ＩＧＢＴにダメージを与えない僅かなノイズでのインバ
ータの動作停止を防止することが出来る。
【００４３】次に、図８に本発明に係る図６に示したＩ
ＧＢＴの過電流保護装置の具体的構成を示す。これは本
発明の図３の実施例に、動作遅延回路６とオン保持回路
５の具体的回路を付加したものである。同図においてオ
ン保持回路５はコンデンサ５１と、抵抗５２と、ＮＰＮ
トランジスタ５３とからなり、動作遅延回路６は、抵抗
６１と、コンデンサ６２とから構成されている。ここで
コンデンサ５１とコンデンサ６２の容量の大きさはＣ６
２≫Ｃ５１の関係にある。
ＧＢＴの過電流保護装置の具体的構成を示す。これは本
発明の図３の実施例に、動作遅延回路６とオン保持回路
５の具体的回路を付加したものである。同図においてオ
ン保持回路５はコンデンサ５１と、抵抗５２と、ＮＰＮ
トランジスタ５３とからなり、動作遅延回路６は、抵抗
６１と、コンデンサ６２とから構成されている。ここで
コンデンサ５１とコンデンサ６２の容量の大きさはＣ６
２≫Ｃ５１の関係にある。
【００４４】同図において、ＩＧＢＴ１０の過電流状態
が検出され、過電流検出信号がハイレベルになると、す
なわちツェナーダイオード２４を介してトランジスタ３
１にベース電流が供給されるとトランジスタ３１はオン
状態となる。この結果、コンデンサＣ３３に充電されて
いた充電電荷は、トランジスタ３１を介して放電され、
トランジスタ５３のベース・エミッタ間電圧がトランジ
スタ５３がオン状態となる閾値電圧に達するまで抵抗６
１、コンデンサ５１、６２により定まる分流比でコンデ
ンサ５１、６２が充電されることとなる。
が検出され、過電流検出信号がハイレベルになると、す
なわちツェナーダイオード２４を介してトランジスタ３
１にベース電流が供給されるとトランジスタ３１はオン
状態となる。この結果、コンデンサＣ３３に充電されて
いた充電電荷は、トランジスタ３１を介して放電され、
トランジスタ５３のベース・エミッタ間電圧がトランジ
スタ５３がオン状態となる閾値電圧に達するまで抵抗６
１、コンデンサ５１、６２により定まる分流比でコンデ
ンサ５１、６２が充電されることとなる。
【００４５】ここでオン保持回路５のオン保持時間、す
なわち、ＩＧＢＴ１０の過電流状態が検出された後、駆
動回路１の出力電圧が所定値まで低下する動作遅延回路
６により得られる、所定時間（遅延時間）経過時点から
トランジスタ５３がオン状態になるまでの時間は、抵抗
３２とコンデンサ５１により定まる時定数により決定さ
れ、動作遅延回路６の遅延時間（マスク時間）は抵抗３
２と、コンデンサ６２により定まる時定数で決定され
る。
なわち、ＩＧＢＴ１０の過電流状態が検出された後、駆
動回路１の出力電圧が所定値まで低下する動作遅延回路
６により得られる、所定時間（遅延時間）経過時点から
トランジスタ５３がオン状態になるまでの時間は、抵抗
３２とコンデンサ５１により定まる時定数により決定さ
れ、動作遅延回路６の遅延時間（マスク時間）は抵抗３
２と、コンデンサ６２により定まる時定数で決定され
る。
【００４６】したがって、ＩＧＢＴ１０の過電流状態が
検出された後、動作遅延回路６のコンデンサ６２の充電
が完了する時点までの遅延時間経過時点からオン保持回
路６のコンデンサ５１がトランジスタ５３の上記閾値電
圧に達するまでの所定時間（オン保持時間）だけ充電さ
れ続ける。この結果、ホトカプラ１１に制御信号がオフ
状態の（制御信号がローレベル状態の）期間であっても
オン保持時間の間、トランジスタ１２、２１はオン状態
となり、制御信号がオン状態にある（制御信号がハイレ
ベル状態）のと等価な状態となる。
検出された後、動作遅延回路６のコンデンサ６２の充電
が完了する時点までの遅延時間経過時点からオン保持回
路６のコンデンサ５１がトランジスタ５３の上記閾値電
圧に達するまでの所定時間（オン保持時間）だけ充電さ
れ続ける。この結果、ホトカプラ１１に制御信号がオフ
状態の（制御信号がローレベル状態の）期間であっても
オン保持時間の間、トランジスタ１２、２１はオン状態
となり、制御信号がオン状態にある（制御信号がハイレ
ベル状態）のと等価な状態となる。
【００４７】このように本実施例によればＩＧＢＴの最
小のオン期間を管理しなくてもよくなると共に、ＩＧＢ
Ｔにダメージを与えない僅かなノイズでのインバータの
動作停止を防止することができる。
小のオン期間を管理しなくてもよくなると共に、ＩＧＢ
Ｔにダメージを与えない僅かなノイズでのインバータの
動作停止を防止することができる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、過電流検出手段に検出
遅れを設けていないので、従来に比較して事故時のコレ
クタ電流を大幅に低減したところで保護動作に入り、Ｉ
ＧＢＴを確実に保護することが出来る。
遅れを設けていないので、従来に比較して事故時のコレ
クタ電流を大幅に低減したところで保護動作に入り、Ｉ
ＧＢＴを確実に保護することが出来る。
【００４９】また、過電流検出手段の検出遅れを無くし
たことによりターンオン時の遅延による過渡現象を検出
するが、電圧可変手段で駆動手段の出力を徐々に降下し
始めている間に過渡現象が終了してしまう。そして上記
過渡現象が終了した時点で、電圧可変手段が駆動手段か
ら切り離されるので、過渡現象を検出したことによるＩ
ＧＢＴのターンオン動作への影響が小さく、高速スイッ
チング素子であるＩＧＢＴの特徴を損なうこともない。
たことによりターンオン時の遅延による過渡現象を検出
するが、電圧可変手段で駆動手段の出力を徐々に降下し
始めている間に過渡現象が終了してしまう。そして上記
過渡現象が終了した時点で、電圧可変手段が駆動手段か
ら切り離されるので、過渡現象を検出したことによるＩ
ＧＢＴのターンオン動作への影響が小さく、高速スイッ
チング素子であるＩＧＢＴの特徴を損なうこともない。
【００５０】さらに、オン期間が短いときの過電流保護
のためにオン保持回路を設けているが、ＩＧＢＴの過電
流保護が不要な期間だけはオン保持回路の動作をマスク
する動作遅延回路を設けている。これにより、最小のオ
ン期間を管理しなくてもよくなると共に、ＩＧＢＴにダ
メージを与えない僅かなノイズでのインバータ停止を防
止することが出来る。
のためにオン保持回路を設けているが、ＩＧＢＴの過電
流保護が不要な期間だけはオン保持回路の動作をマスク
する動作遅延回路を設けている。これにより、最小のオ
ン期間を管理しなくてもよくなると共に、ＩＧＢＴにダ
メージを与えない僅かなノイズでのインバータ停止を防
止することが出来る。
【図１】本発明に係るＩＧＢＴの過電流保護装置の基本
的構成を示すブロック図である。
的構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した本発明に係るＩＧＢＴの過電流保
護装置の動作説明をするための波形図である。
護装置の動作説明をするための波形図である。
【図３】本発明に係るＩＧＢＴの過電流保護装置の一実
施例の構成を示す回路図である。
施例の構成を示す回路図である。
【図４】本発明に係るＩＧＢＴの過電流保護装置の他の
実施例の構成を示す回路図である。
実施例の構成を示す回路図である。
【図５】ＩＧＢＴの出力特性を示す特性図である。
【図６】本発明に係るＩＧＢＴの過電流保護装置の他の
実施例の構成を示すブロック図である。
実施例の構成を示すブロック図である。
【図７】図６に示した本発明に係るＩＧＢＴの過電流保
護装置の動作説明をするための波形図である。
護装置の動作説明をするための波形図である。
【図８】図６に示した本発明に係るＩＧＢＴの過電流保
護装置の具体的構成を示す回路図である。
護装置の具体的構成を示す回路図である。
１ 駆動回路 ２ 過電流検出回路 ３ 電圧可変回路 ４ 切換回路 ５ オン保持回路 ６ 動作遅延回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/00 - 17/70
Claims (7)
- 【請求項１】 ＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミン
グを制御する制御信号を増幅する駆動手段と、 ＩＧＢＴのコレクタ電流が所定値以上であるとき過電流
であると判別する過電流検出手段と、 該過電流検出手段が過電流を検出している間、前記駆動
手段の出力電圧を時間経過に伴って徐々に降下させる電
圧可変手段と、 前記過電流検出手段により過電流が検出されたときに前
記電圧可変手段の出力を前記駆動手段に伝達し前記過電
流検出手段により過電流が検出されないときには前記電
圧可変手段の出力を前記駆動手段から切り離す切換手段
とを有することを特徴とするＩＧＢＴの過電流保護装
置。 - 【請求項２】 前記切換手段はＰＮＰトランジスタを含
んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＩＧ
ＢＴの過電流保護装置。 - 【請求項３】 前記駆動手段は、共通接続されたベース
と共通接続されたエミッタを有するコンプリメンタリト
ランジスタを有し、該コンプリメンタリトランジスタを
構成する各トランジスタのコレクタにＩＧＢＴをオン動
作またはオフ動作させるための抵抗が接続されているこ
とを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記
載のＩＧＢＴの過電流保護装置。 - 【請求項４】 前記駆動手段の出力端子にＩＧＢＴをオ
ン動作またはオフ動作させるための抵抗の一端が接続さ
れ、該抵抗の他端がＩＧＢＴのゲート及びダイオードの
アノードに接続され、該ダイオードのカソードが前記切
換手段の内部回路に接続されることを特徴とする請求項
１または請求項２のいずれかに記載のＩＧＢＴの過電流
保護装置。 - 【請求項５】 前記電圧可変手段は、コンデンサ、抵抗
及びスイッチング素子を含んで構成されることを特徴と
する請求項１乃至４のいずれかに記載のＩＧＢＴの過電
流保護装置。 - 【請求項６】 前記過電流手段が動作してから所定時
間、前記制御信号がオフ状態になっても前記駆動手段の
出力電圧を出力しつづける状態に維持するオン保持手段
と、 ターンオンしたＩＧＢＴに供給される前記駆動手段の出
力電圧が所定値にまで低下する所定時間、前記オン保持
手段の動作を遅延させる動作遅延手段とを有することを
特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のＩＧＢＴ
の過電流保護装置。 - 【請求項７】 ＩＧＢＴのスイッチング動作のタイミン
グを制御する制御信号を増幅する駆動手段と、 ＩＧＢＴのターンオン時における過渡現象を検出する過
渡現象検出手段と、 該過渡現象検出手段が過渡現象を検出している間、前記
駆動手段の出力を時間経過に伴って徐々に降下させる出
力可変手段と、 前記過渡現象検出手段により過渡現象が検出されたとき
に前記出力可変手段の出力を前記駆動手段に伝達し前記
過渡現象検出手段により過渡現象が検出されないときに
は前記出力可変手段の出力を前記駆動手段から切り離す
切換手段とを有することを特徴とするＩＧＢＴの保護装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13559293A JP3240489B2 (ja) | 1993-01-21 | 1993-06-07 | Ｉｇｂｔの過電流保護装置及びｉｇｂｔの保護装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-8370 | 1993-01-21 | ||
| JP837093 | 1993-01-21 | ||
| JP13559293A JP3240489B2 (ja) | 1993-01-21 | 1993-06-07 | Ｉｇｂｔの過電流保護装置及びｉｇｂｔの保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06276073A JPH06276073A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3240489B2 true JP3240489B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=26342881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13559293A Expired - Fee Related JP3240489B2 (ja) | 1993-01-21 | 1993-06-07 | Ｉｇｂｔの過電流保護装置及びｉｇｂｔの保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240489B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361978B1 (en) | 1996-05-06 | 2002-03-26 | Roche Vitamins, Inc. | Production of biotin |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11112313A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路及びパワートランジスタ保護回路 |
| KR100768913B1 (ko) | 2004-08-04 | 2007-10-19 | 삼성전자주식회사 | 통신케이블로 연결된 외부장치의 이상여부를 감지하는호스트장치 및 그 방법 |
| KR101452071B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2014-10-16 | 삼성전기주식회사 | 구동 회로, 구동 모듈 및 모터 구동 장치 |
| CN108011622B (zh) * | 2018-01-31 | 2021-04-09 | 广东美的制冷设备有限公司 | Igbt过流保护方法、电路及用电设备 |
| CN112290920B (zh) * | 2020-09-23 | 2021-12-28 | 上海儒竞智控技术有限公司 | 动态调整门极电压的驱动系统及方法 |
| JP7254111B2 (ja) * | 2021-03-11 | 2023-04-07 | 株式会社タムラ製作所 | 駆動回路 |
| WO2023119574A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の駆動装置及び駆動方法 |
-
1993
- 1993-06-07 JP JP13559293A patent/JP3240489B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361978B1 (en) | 1996-05-06 | 2002-03-26 | Roche Vitamins, Inc. | Production of biotin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06276073A (ja) | 1994-09-30 |
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