JP3237049B2 - 半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法 - Google Patents

半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法

Info

Publication number
JP3237049B2
JP3237049B2 JP30746495A JP30746495A JP3237049B2 JP 3237049 B2 JP3237049 B2 JP 3237049B2 JP 30746495 A JP30746495 A JP 30746495A JP 30746495 A JP30746495 A JP 30746495A JP 3237049 B2 JP3237049 B2 JP 3237049B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
gold
semiconductor device
wires
gold alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30746495A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09148356A (ja
Inventor
豪政 大村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP30746495A priority Critical patent/JP3237049B2/ja
Publication of JPH09148356A publication Critical patent/JPH09148356A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3237049B2 publication Critical patent/JP3237049B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/745Apparatus for manufacturing wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/4569Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/745Apparatus for manufacturing wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、金または金合金
細線の表面に均一でむらの無いコーティング層を形成し
てなる半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置のボンディングワイヤ
として金または金合金細線が使用されることは知られて
おり、これら金または金合金細線はスプール上に多層巻
きに巻かれた状態で運搬または貯蔵されている。上記ス
プール上に多層巻きに巻かれた金または金合金細線は、
細線同士が密着すると、スプールから巻き戻してワイヤ
・ボンディング機に送給する際に折れ不良が発生するこ
とがある。これら金または金合金細線の密着による折れ
不良発生を防止するために、金または金合金細線の表面
に厚さ:5〜5000オングストロームの潤滑防止剤、
界面活性剤、鉱油、油脂等からなるコーティング層を形
成し、このコーティング層を形成した金または金合金細
線をスプールに多層巻きに巻き取っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】かかるコーティング層
を有する金または金合金細線は、スプールから繰り出す
に際し折れ不良が発生することはないが、ワイヤボンデ
ィング機のキャピラリーやクランパーを通過する際にコ
ーティング剤がキャピラリーやクランパーに付着転写し
汚染する。
【0004】キャピラリーやクランパーにコーティング
剤が付着し、汚れが溜まると、金または金合金細線のス
ムーズな供給が阻害され、ワイヤボンディング作業中に
ワイヤ切れまたはループ異常が発生する。汚れが溜った
キャピラリーやクランパーは洗浄したり新品と交換して
ワイヤボンディング作業を継続するが、キャピラリーや
クランパーの洗浄または交換にはワイヤボンディング作
業を一時停止しなければならず、作業効率の低下の原因
となっていた。
【0005】キャピラリーやクランパーにコーティング
剤が付着するのを防止方法として、コーティング層の平
均膜厚を3〜30μmに限定する方法(特開平2−12
935号公報参照)が提案されているが、コーティング
層の平均膜厚を3〜30μmに限定しても、キャピラリ
ーやクランパーにコーティング剤が付着するのを十分に
防止することはできなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる観点から、金または金合金細線のコーティング剤
が付着転写してキャピラリーやクランパーの汚染を減少
させるべく研究を行っていたところ、(1)従来の平均
膜厚:3〜30μmのコーティング層であっても、この
コーティング層をオージェ分析によりミクロに調査する
と、部分的には膜厚が数百オングストロームにもなる厚
い部分が存在し、この膜厚の厚い部分が剥離してキャピ
ラリーやクランパーに付着転写してキャピラリーやクラ
ンパーを汚染する、(2)このコーティング層の部分的
な膜厚が数百オングストロームにもなる膜厚のむらは、
金または金合金細線の焼鈍上がりの伸線油の焼鈍残渣膜
厚が大きく影響を及ぼし、焼鈍残渣膜厚が10オングス
トローム程度を境にして表面状態が変化し、10オング
ストローム未満では金または金合金自体の表面性質であ
る親水性が現れ、一方、焼鈍上がりの伸線油の焼鈍残渣
膜厚が10オングストローム以上では伸線油膜の自由表
面側の表面性質である親油性が現れる、(3)そのため
に、焼鈍上がりの金または金合金細線に親水性のコーテ
ィング液を塗布すると、伸線油の焼鈍残渣膜厚が10オ
ングストローム未満の親水性部分にコーティング液が凝
集してコーティング液が厚く塗布され、一方、伸線油の
焼鈍残渣膜厚が10オングストローム以上の親油性部分
にはコーティング液が薄く塗布され、コーティング層の
厚い部分と薄い部分が生じ、コーティング層の厚さにむ
らが発生する、(4)上記コーティング層のむらを解消
するためには、伸線油の分解ガス化を抑える非酸化性雰
囲気で金線または金合金細線の焼鈍を行うことにより、
金または金合金細線の全ての部分において焼鈍上がりの
伸線油の焼鈍残渣膜厚を10オングストローム以上にす
ることができ、この非酸化性雰囲気で焼鈍した金線また
は金合金細線を、コーティング剤を水にエマルジョン分
散させた液に通すと、コーティング液は金または金合金
細線全体に亘って均一に薄く塗布され、均一でむらの無
いコーティング層を形成することができる、などの研究
結果が得られたのである。
【0007】この発明は、かかる研究結果に基づいてな
されたものであって、通常の伸線油で伸線して得られた
金または金合金細線を焼鈍した後ポリオキシエチレンア
ルキルアミンの水エマルジョンに通す半導体装置用表面
被覆ボンディングワイヤの製造方法において、前記金ま
たは金合金細線の焼鈍を非酸化性ガス雰囲気中で行う半
導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法に特
徴を有するものである。
【0008】この発明の半導体装置用表面被覆ボンディ
ングワイヤの製造方法の焼鈍工程で使用する非酸化性ガ
スは、金または金合金細線表面に化学吸着している伸線
油の高級脂肪酸エステルの分解ガス化を抑制するガスで
あれば良く、その中でも特に窒素、アルゴン、水素の内
のいずれかのガスまたはこれら2種のガスを混合した混
合ガスが好ましい。また、この発明の半導体装置用表面
被覆ボンディングワイヤに形成される有機化合物コーテ
ィング層の厚さは10〜50オングストロームが好まし
い。
【0009】この発明の半導体装置用表面被覆ボンディ
ングワイヤの製造方法を図面にもとづいて説明する。伸
線された金または金合金線をC,H,Oで構成される高
級脂肪酸エステルを主成分とする伸線油を用いて直径:
25μmの金または金合金線を作製し、この金または金
合金細線をスプールに巻き取る。このスプールに巻き取
られた金または金合金細線1を巻き戻して図1に示され
るようにテンショナー2を通し、さらに温度:300〜
750℃に加熱されている管状炉3を通して焼鈍する。
【0010】焼鈍に際し、管状炉3のガス流入口6から
非酸化性ガスを供給し、ガス流出口7から非酸化性ガス
を排出しながら焼鈍する。この管状炉3を通して焼鈍し
た金または金合金細線をコーティング槽4のポリオキシ
エチレンアルキルアミンを水に分散させたエマルジョン
に通し、スプール5に巻き取ることにより製造する。
【0011】
【発明の実施の形態】さらにこの発明の半導体装置用表
面被覆ボンディングワイヤの製造方法を実施例により具
体的に説明する。鋳造した4N金インゴットを市販の脂
肪酸エステルを主成分とする伸線油を用いてダイヤモン
ドダイスにより伸線し、直径:25μmの4N金極細線
を作製した。この4N金極細線には平均厚さ:15オン
グストロームの脂肪酸エステル被膜が形成されていた。
【0012】上記伸線した脂肪酸エステル被膜が形成さ
れている4N金極細線を、表1〜表2に示される成分組
成の非酸化性ガスを5L/min流しながら温度:54
0℃に保持された管状炉を通して焼鈍し、さらに、表1
〜表2に示されるポリオキシエチレンアルキルアミンの
水エマルジョン中を通すことにより、表1〜表2に示さ
れる膜厚のコーティング層を有する本発明半導体装置用
表面被覆ボンディングワイヤ(以下、本発明ワイヤとい
う)1〜15を作製した。
【0013】一方、比較のために、伸線した直径:25
μmの4N金極細線を通常の大気雰囲気中の温度:54
0℃に保持された管状炉を通して焼鈍した後、さらに、
表2に示されるポリオキシエチレンアルキルアミンの水
エマルジョン中を通し、表2に示される膜厚のコーティ
ング層を有する従来半導体装置用表面被覆ボンディング
ワイヤ(以下、従来ワイヤという)1〜5を作製した。
【0014】このようにして得られた本発明ワイヤ1〜
15および従来ワイヤ1〜5をそれぞれ1gずつ燃焼助
剤のW,Fe,Sn粉末と共に磁性坩堝に入れ、酸素気
流中で高周波を用いて2000℃に加熱し、発生するC
O,CO2 を赤外線吸収率から測定してワイヤ表面に含
まれるC重量を計算し、このC重量を基に有機化合物コ
ーティング層の膜厚を計算により求め、その結果を表1
〜表2に示した。
【0015】次に、本発明ワイヤ1〜15および従来ワ
イヤ1〜5を圧力:3gfでクランパーに押し付けなが
ら1m/min の速度でワイヤボンディング用SiC製ク
ランパー表面を滑らせ、10,000mの長さを滑らせ
た後、EPMAによるCの面分析を行ない、SiC製ク
ランパーにワイヤのコーティング層が付着転写している
か否かを検査し、その結果を表1〜表2に示した。
【0016】さらに、本発明ワイヤ1〜15および従来
ワイヤ1〜5をそれぞれスプールに巻取ったものを80
℃に50時間保持し、ついで常温に戻し、巻き取った本
発明ワイヤ1〜15および従来ワイヤ1〜5を1mたら
したワイヤの自重で巻き戻し、巻き戻し中にワイヤの密
着した所があると巻き戻し中のワイヤがスプールから離
れる位置が変化し、スプールの離れる位置の変化によっ
てワイヤ同士の密着の有無を判断し、その結果を表1〜
表2に示した。
【0017】また、本発明ワイヤ1〜15および従来ワ
イヤ1〜5をそれぞれオージェ分析装置でCのマップを
2000倍で撮影し、ミクロでの表面被膜の膜厚分布を
検査し、有機表面被膜のむらの有無を判断し、その結果
を表1〜表2に示した。この場合、Cのマップに筋状ま
たは斑状のむらが見られる状態をむら「有り」とし、均
一なCの強度を示す場合をむら「無し」として示した。
【0018】
【表1】
【0019】
【表2】
【0020】
【発明の効果】表1〜表2に示される結果から、非酸化
性ガスを流しながら雰囲気制御している管状炉を通して
焼鈍した本発明ワイヤ1〜15は、大気雰囲気の管状炉
を通して焼鈍した従来ワイヤ1〜5に比べて、スプール
に巻かれたワイヤ同士の密着がなく、さらにコーティン
グ層のむらが無いところから、クランパーの表面を圧力
をかけながら滑らせても、コーティング層の付着転写が
なく、クランパーに汚れが溜ることはないことがわか
る。
【0021】上述のように、この発明の半導体装置用表
面被覆ボンディングワイヤは、ワイヤボンディング機の
ワイヤ通過部品(例えば、キャピラリーやクランパーな
ど)を汚染することがなく、したがってこれらワイヤ通
過部品の交換回数も少なくなるところから、生産効率が
向上するという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の半導体装置用表面被覆ボンディング
ワイヤを製造するための工程を示す説明図である。
【符号の説明】
1 金または金合金細線 2 テンショナー 3 管状炉 4 コーティング槽 5 スプール 6 ガス導入口 7 ガス流出口

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】通常の伸線油で伸線して得られた金または
    金合金細線を焼鈍した後ポリオキシエチレンアルキルア
    ミンの水エマルジョンに通す半導体装置用表面被覆ボン
    ディングワイヤの製造方法において、 前記金または金合金細線の焼鈍を非酸化性ガス雰囲気中
    で行うことを特徴とする半導体装置用表面被覆ボンディ
    ングワイヤの製造方法。
JP30746495A 1995-11-27 1995-11-27 半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法 Expired - Fee Related JP3237049B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30746495A JP3237049B2 (ja) 1995-11-27 1995-11-27 半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30746495A JP3237049B2 (ja) 1995-11-27 1995-11-27 半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09148356A JPH09148356A (ja) 1997-06-06
JP3237049B2 true JP3237049B2 (ja) 2001-12-10

Family

ID=17969393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30746495A Expired - Fee Related JP3237049B2 (ja) 1995-11-27 1995-11-27 半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3237049B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070107818A (ko) * 2006-05-04 2007-11-08 한화석유화학 주식회사 고분자 막으로 코팅된 구리 와이어를 갖는 반도체 패키지및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09148356A (ja) 1997-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5546670B1 (ja) 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造
TW201603220A (zh) 半導體裝置用接合導線
CA2049553C (en) Process for non-destructive heat treatment of spooled silver coated high temperature superconductor
JP3237049B2 (ja) 半導体装置用表面被覆ボンディングワイヤの製造方法
TWI553130B (zh) Copper wire for ball bonding and palladium plating
JP2002361566A (ja) ダイヤモンドソーワイヤ及びその製造方法
US3807041A (en) Method of fabricating a composite superconductor
WO2017123153A2 (en) Coated wire
CN105321917A (zh) 表面改质银钯合金线的结构
SG191705A1 (en) High purity copper wire for connecting semiconductor apparatuses
US3710844A (en) Method of producing superconducting strips
JP3230141B2 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
KR102595696B1 (ko) 코팅 와이어
TWI589713B (zh) 具埃(å)級表面氧化層厚度之銅接合線
WO2012117636A1 (ja) ボンディングワイヤ及びその製造方法
TW201633479A (zh) 塗覆焊料線及其製造方法
JP3830010B2 (ja) ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤの製造方法
JPS58128294A (ja) 溶接用細径鋼ワイヤ
JP2822107B2 (ja) 疲労性の良好な亜鉛−アルミニウム合金めっき鉄鋼線状材及びその製造法
JP2717920B2 (ja) 錫めっき銅合金ばね線の製造方法
JPH04363036A (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤおよびその製造方法
JPH0617217A (ja) 溶融めっき線材の製造方法
JPS59177809A (ja) デイツプフオ−ミングによる銅荒引線
JPS6236785B2 (ja)
JPH01201453A (ja) 無酸素銅被覆ジルコニウム銅線の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010828

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071005

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005

Year of fee payment: 7

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091005

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees