JP3233893B2 - 遅延ロックド回路 - Google Patents

遅延ロックド回路

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JP3233893B2
JP3233893B2 JP00063398A JP63398A JP3233893B2 JP 3233893 B2 JP3233893 B2 JP 3233893B2 JP 00063398 A JP00063398 A JP 00063398A JP 63398 A JP63398 A JP 63398A JP 3233893 B2 JP3233893 B2 JP 3233893B2
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iclk
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  • Pulse Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、遅延ロックド回路
(delay locked loop)に係るもので、詳しくは、位相検
出器を用いて所定時間の幅(skew)を有する位相検出範
囲を確保して、入力クロック信号と内部クロック信号と
の位相差が前記所定時間の幅よりも小さいときロック状
態を維持し得るようにした遅延ロックド回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、遅延ロックド回路においては、図
3に示すように、入力クロック信号RCLKの位相と内
部クロック信号ICLKの位相とを比較する位相検出器
1と、該位相検出器1の比較結果により前記入力クロッ
ク信号RCLKの遅延幅を決定すべき2個の制御信号V
p、Vnを出力する遅延制御器2と、それらの制御信号
Vp,Vnにより前記入力クロック信号RCLKを遅延
して内部クロック信号ICLKを出力する可変遅延器3
と、から構成されていた。ここで、前記位相検出器1は
Dフリップフロップであって、入力端CLKにクロック
信号RCLKが印加され、入力端Dには内部クロック信
号ICLKが印加されるようになっていた。
【0003】そして、前記位相検出器1、遅延制御器
2、及び可変制御器3は、図5−図7に示したように、
通常の回路が用いられ、詳細な回路の構成は以下説明す
る動作の項で詳しく説明する。このように構成された従
来の遅延ロックド回路の動作に対し図4乃至図7を用い
て説明する。
【0004】外部から入力クロック信号RCLKが位相
検出器1のクロック端子CLK及び可変遅延器3に夫々
入力されると、該可変遅延器3は、遅延制御器2からの
制御信号Vp、Vnにより前記入力クロック信号RCL
Kを略該入力クロック信号RCLKの1周期に該当する
時間だけ遅延させて内部クロック信号ICLKとして出
力する。
【0005】この場合、前記位相検出器1は入力クロッ
ク信号RCLKの上昇エッジで前記内部クロック信号I
CLKの論理状態により出力信号の論理状態を決定し、
ロー状態の入力クロック信号RCLKが前記位相検出器
1に入力されると、前記入力クロック信号RCLKは図
4に示したように2個のインバータI1,I2を通って
所定時間だけ遅延された後伝送ゲートT1をターンオン
させ、内部クロック信号ICLKは2個のインバータI
4,I5を通って遅延され各伝送ゲートT1、T2を経
た後インバータI6,I7でラッチされる。
【0006】その後、前記入力クロック信号RCLKが
ハイ状態に転換されると、前記伝送ゲートT1はターン
オフされ、伝送ゲートT3がターンオンされて、前記イ
ンバータI6,I7でラッチされた内部クロック信号I
CLKは前記伝送ゲートT3を通過し、インバータI8
で反転された後出力端Qに出力され、且つインバータI
10で再び反転されて出力端QBに出力される。このよ
うに、入力クロック信号RCLKの上昇エッジで内部ク
ロック信号ICLKがハイ状態であると、出力端Qから
出力される信号の論理状態はハイになり、出力端QBか
ら出力される出力信号の論理状態はローになる。この時
のタイミング図は図5(A)のようである。図5(A)
は、内部クロック信号(ICLK)の位相が入力クロッ
ク信号(RCLK)の位相より先立つとき、出力端
(Q)、(Qb)にそれぞれ出力される信号のタイミン
グ図である。
【0007】その後、図6に示したように、前記遅延制
御器2のバイアス発生器41がバイアス電圧を出力しイ
ネーブル信号PWRONがハイ状態であると、前記位相
検出器1の出力端Qの信号はハイ状態で、出力端QBの
信号がロー状態である時、PMOSトランジスタP42
はターンオフされ、NMOSトランジスタN41はター
ンオンされて、コンデンサCに充填された電荷が抵抗R
及び各トランジスタN41,N42,N43を通って放
電される。
【0008】よって、出力端Vnのレベルは低くなり、
出力端Vpのレベルは高くなって、図7に示した可変遅
延器3の複数のPMOSトランジスタP51,P5
3...の抵抗は増加し、複数のNMOSトランジスタ
N51,N53...の抵抗も増加する。
【0009】その結果、前記入力クロック信号RCLK
が2個のトランジスタ(P52,N52)(P54,N
54)からなる各インバータI51,I52を通過する
時間が増加して、前記入力クロック信号RCLKが上昇
エッジになると、該入力クロック信号RCLKと前記内
部クロック信号ICLKとの位相差が減少する。
【0010】そして、図5(B)は、内部クロック信号
(ICLK)の位相が入力クロック信号(RCLK)の
位相よりも遅れる(late state)とき、出力端Q,QB
で夫々出力される信号のタイミング図であって、図示さ
れたように、出力端Q,QBから出力する信号の論理状
態が図5(A)と反対になると、前記遅延制御器2及び
可変遅延器3の動作も反対になる。
【0011】即ち、図6に示した前記遅延制御器2のP
MOSトランジスタP42がターンオンされ、NMOS
トランジスタN41がターンオフされて電源電圧VDD
によりコンデンサCが充填されることにより、出力端V
nのレベルは上昇し、出力端Vpのレベルは下降して前
記可変遅延器3は前記入力クロック信号RCLKの遅延
時間を減少させる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来遅延ロックド回路においては、入力クロック信号RC
LKを基準にして内部クロック信号ICLKの位相が入
力クロック信号RCLKの位相よりも先立つか又は後れ
るかを判断して、先立っていると内部クロック信号IC
LKの遅延を増大させ、後れると内部クロックICLK
の遅延を減少させる二つの動作を行い、若し、内部クロ
ック信号ICLKの位相が前記入力クロック信号RCL
Kの位相よりも少しだけ先立つと、次の段階で内部クロ
ック信号ICLKの位相が入力クロック信号ICLKの
位相よりも遅くなって、このような二つの状態を継続し
て反復する。
【0013】したがって、遅延ロックド回路が閉じてい
る限り、内部クロック信号の位相は通常、入力クロック
信号RCLKの位相よりも速いか遅くなり、図(C)
に示したように、二つのクロック信号の位相は通常、所
定時間だけ差が発生し、内部ステップジッタ(internal
step jitter)が発生して正確なロックが行われないと
いう問題点があった。
【0014】それで、このような問題点を解決するため
本発明の目的は、入力クロック信号RCLKと内部クロ
ック信号ICLKとの位相差が所定時間(前述の内部ス
テップジッタが発生する最大時間)以下になると、その
状態を検出して正確なロックが行われるようにし、それ
以上遅延の調整を行わずに済むようにした遅延ロックド
回路を提供しようとするものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため本発明に係る遅延ロックド回路においては、入力
するクロック信号RCLKを所定時間の間遅延し、該遅
延された入力クロック信号RCLKの位相と内部クロッ
ク信号ICLKの位相とを比較する早い状態検出部10
と、内部のクロック信号ICLKを所定時間の間遅延
し、該遅延された内部クロック信号ICLKの位相と入
力クロック信号RCLKの位相とを比較する遅い状態検
出部20と、前記早い状態検出部10及び遅い状態検出
部20の比較結果に従い前記入力クロック信号RCLK
の遅延程度を決定すべき制御信号を出力する遅延制御器
2と、該遅延制御器2の制御信号により前記入力クロッ
ク信号RCLKを所定時間の間遅延して内部クロック信
号ICLKを出力する可変遅延器3と、から構成されて
いる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対し
図面を用いて説明する。本発明に係る遅延ロックド回路
においては、図1に示すように、入力クロック信号RC
LKの位相よりも内部クロック信号ICLKの位相が先
立つかを判断してそれに従う信号Q_Eを出力する早い
状態検出部10と、入力クロック信号RCLKの位相よ
りも内部クロック信号ICLKの位相が遅れるかを判断
してそれに従う信号QB_Lを出力する遅い状態検出部
20と、前記二つの信号Q_E、QB_Lを受けて前記
入力クロック信号RCLKの遅延幅を決定する2個の制
御信号Vp,Vnを出力する遅延制御器2と、それら2
個の制御信号Vp,Vnにより前記入力クロック信号R
CLKを遅延して内部クロック信号ICLKに出力する
可変遅延器3と、から構成されている。
【0017】前記早い状態検出部10においては、前記
入力クロック信号RCLKを所定時間の間遅延させる第
1遅延器11と、該遅延器11の出力信号の位相と前記
内部クロック信号ICLKの位相とを比較する第1位相
検出器12と、を備えている。
【0018】前記遅い状態検出部20においては、前記
内部クロック信号ICLKを所定時間の間遅延させる第
2遅延器21と、該第2遅延器21の出力信号の位相と
前記入力クロック信号RCLKの位相とを比較する第2
位相検出器22と、を備えている。ここで、前記第1、
第2遅延器11、21は夫々二つのインバータ(I6
1,I62)(I63,I64)からなり、前記第1、
第2位相検出器21、22はDフリップフロップであ
る。
【0019】そして、前記遅延制御器2及び可変遅延器
3は従来技術の構成及び動作と同様である。
【0020】このように構成された本発明に係る遅延ロ
ックド回路の動作に対し図1、図2、図6、及び図7を
用いて説明する。
【0021】入力クロック信号RCLKは第1遅延器1
1で遅延されて新しい信号RCLK_Eに出力され、第
1位相検出器12は該信号RCLK_Eの位相と内部ク
ロック信号ICLKの位相とを比較して信号Q_Eを出
力する。且つ、内部クロック信号ICLKは第2遅延器
21で遅延されて新しい信号ICLK_Lに出力され、
第2位相検出器22は該信号ICLK_Lの位相と前記
入力クロック信号RCLKの位相とを比較して信号QB
_Lを出力する。
【0022】このとき、入力クロック信号RCLKが上
昇エッジであり、内部クロック信号ICLKの位相が入
力クロック信号RCLKの位相よりも所定区間Tだけ先
立つと、前記信号Q_Eはハイ状態になり、前記信号Q
B_Lはロー状態になって、この状態を早い状態とい
い、このときのタイミング図は図2(A)に示したよう
である。ここで、所定区間Tは前記第1、第2遅延器1
1、21に設定された遅延時間であって、従来回路で問
題になったステップジッタと同様に設定される。即ち、
前記所定時間Tは前記可変遅延器3が入力クロック信号
RCLKを遅延させるに最小遅延時間と最大遅延時間と
の差に該当する。反対に、入力クロック信号RCLKが
上昇エッジであるときに内部クロック信号ICLKの位
相が入力クロック信号RCLKの位相よりも所定区間T
よりも遅いと、信号Q_Eはロー状態になり、信号QB
_Lはハイ状態になって、この状態を遅い状態といい、
この時のタイミング図は図2(B)に示したようであ
る。
【0023】以下、入力クロック信号RCLKの位相と
内部クロック信号ICLKの 位相との差が前記区間T
よりも小さいときに対し図2(C)を用いて説明する。
【0024】前記第1位相検出器12は入力クロック信
号RCLKの位相と内部クロック信号ICLKの位相と
を比較して信号Q_Eをハイ状態に出力し、前記第2位
相検出器22は内部クロック信号ICLKの位相と入力
クロック信号RCLKの位相とを比較して信号QB_L
をハイ状態に出力する。
【0025】このように二つの出力信号Q_E、QB_
Lの全てがハイになる状態をロック状態というい、この
ようなハイ状態の信号Q_E及びハイ状態の信号QB_
Lが前記遅延制御器2に入力するとき、ハイ状態の信号
Q_EによりNMOSトランジスタN41はターンオン
され、ハイ状態の信号QB_LはインバータI41で反
転されてPMOSトランジスタP42のゲートに印加さ
れて、該PMOSトランジスタP42もターンオンされ
る。
【0026】よって、前記PMOSトランジスタP42
に流れる電源電圧VDDの電流の全ては前記NMOSト
ランジスタN41を通って流れ、残りの素子である抵抗
R、コンデンサC、NMOSトランジスタN44、及び
PMOSトランジスタP44の電流、電圧は以前の状態
を継続して維持する。これは、各出力端Vn,Vpのレ
ベルの変化が起こっていないことを意味し、よって、可
変遅延器3の各トランジスタ(P51、P53...)
(N51,N53....)の抵抗値も変化しない。
【0027】したがって、前記可変遅延器3の遅延時間
は、以前周期の遅延時間を継続して維持し、入力クロッ
ク信号RCLKの位相と内部クロック信号ICLKの位
相との差が設定された所定時間よりも短いロック状態に
なると、前記可変遅延器3はそれ以上遅延程度を調整し
ない。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る遅延
ロックド回路においては、入力クロック信号RCLKの
位相と内部クロック信号ICLKの位相との差を既設定
された所定時間と比較した結果、大きいと遅延時間を調
整し、小さいとそれ以上の遅延時間を調整しないように
なっているため、ロック状態を継続維持するようになっ
てステップジッタが発生しないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る遅延ロックド回路を示したブロッ
ク図である。
【図2】図2(A)は、図1の位相検出器の入出力信号
のタイミング図である。図2(B)は、図1の位相検出
器の入出力信号のタイミング図である。図2(C)は、
図1の位相検出器の入出力信号のタイミング図である。
【図3】従来遅延ロックド回路を示した構成図である。
【図4】図3の位相検出器を示した回路図である。
【図5】図5(A)は、図3の位相検出器の入出力信号
のタイミング図である。図5(B)は、図3の位相検出
器の入出力信号のタイミング図である。図5(C)は、
図3の位相検出器の入出力信号のタイミング図である。
【図6】図3の遅延制御器を示した回路図である。
【図7】図3の可変遅延器を示した回路図である。
【符号の説明】
2:遅延制御器 3:可変遅延器 10:早い状態検出部 11:第1遅延器 12:第1位相検出器 20:遅い状態検出部 21:第2遅延器 22:第2位相検出器 I61−I64:インバータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−289813(JP,A) 特開 平1−305614(JP,A) 特開 昭50−156969(JP,A) 特開 昭56−169931(JP,A) 特開 平6−164386(JP,A)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力クロック信号(RCLK)を遅延し
    て内部クロック信号(ICLK)を発生する可変遅延器
    (3)と、前記入力クロック信号(RCLK)と前記内
    部クロック信号(ICLK)との位相を比較する位相検
    出器(12)と、前記位相検出器の比較結果に従って前
    記可変遅延器(3)の遅延量を調節する遅延制御器
    (2)と、を備えた遅延ロックド回路(DLL)におい
    て、 前記位相検出器は、内部クロック信号(ICLK)の位
    相が前記可変遅延器(3)のステップジッターだけ遅延
    された入力クロック信号(RCLK)の位相よりも先立
    つ状態を検出する早い状態検出部(10)と、 前記可変遅延器(3)のステップジッターだけ遅延され
    た内部クロック信号(ICLK)の位相が入力クロック
    信号(RCLK)の位相よりも遅れる状態を検出する遅
    い状態検出部(20)と、を備えて構成され、 前記内部クロック信号(ICLK)入力クロック信号
    (RCLK)との位相差が前記可変遅延器(3)のステ
    ップジッターより小さいとき、前記早い状態検出部(1
    0)及び遅い状態検出部(20)から同時に検出信号が
    出力されるようにして、前記可変遅延器(3)の遅延量
    調節動作を停止させることを特徴とする遅延ロックド回
    路。
  2. 【請求項2】 前記早い状態検出部(10)は、 入力クロック信号(RCLK)を前記可変遅延器(3)
    ステップジッターだけ遅延させる第1遅延器(11)
    と、 該第1遅延器(11)から遅延された入力クロック信号
    (RCLK_E)を端子(CLK)から受け、内部クロ
    ック信号(ICLK)を端子(D)から受けて、出力端
    子(Q)を通って早い状態信号(Q_E)を出力するD
    フリップフロップ(12)と、 から構成されたことを特徴とする請求項1記載の遅延ロ
    ックド回路。
  3. 【請求項3】 前記遅い状態検出部(20)は、 内部クロック信号(ICLK)を可変遅延器(3)の
    テップジッターだけ遅延させる第2遅延器(21)と、 該第2遅延器(21)から遅延された入力クロック信号
    (ICLK_I)を端子(D)から受け、入力クロック
    信号(RCLK)を端子(CLK)から受けて、出力端
    子(QB)を通って遅い状態信号(QB_L)を出力す
    るDフリップフロップ(22)と、 から構成されたことを特徴とする請求項1記載の遅延ロ
    ックド回路。
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