JP3230344B2 - シャフリング回路 - Google Patents

シャフリング回路

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JP3230344B2
JP3230344B2 JP18502193A JP18502193A JP3230344B2 JP 3230344 B2 JP3230344 B2 JP 3230344B2 JP 18502193 A JP18502193 A JP 18502193A JP 18502193 A JP18502193 A JP 18502193A JP 3230344 B2 JP3230344 B2 JP 3230344B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ディジタルデータの
時系列変換(シャフル)をする際に適用して好適なシャ
フリング回路に関する。
【0002】
【従来の技術】オーディオ、ビデオに限らずディジタル
データを伝送または記録する場合、データの時系列をあ
る一定期間内で、しかもある規則に従って時系列変換す
る必要がある。これは、伝送路や記録再生過程で生じる
バーストエラーをランダムエラーに変えて、エラー訂正
を容易にするためである。
【0003】図6は、従来のシャフリング回路の一例を
示している。図において、1はリード・モデファイ・ラ
イト動作をするRAMである。入力データDinはラッチ
回路2を介してRAM(ランダムアクセスメモリ)1に
書き込みデータとして供給される。ラッチ回路2にはク
ロックCKが供給される。また、このラッチ回路2には
クロックCKと同様の出力イネーブル信号C1バーが供
給され、ラッチデータはクロック周期の前半では出力さ
れず、その後半で出力される。
【0004】また、3はアドレス発生カウンタである。
このカウンタ3にはクロックCKがカウントクロックと
して供給されると共に、入力データDinのシャフリング
ブロック周期毎にリセット信号SRが供給される。例え
ば、シャフリングブロックが8×4(水平×垂直)で構
成されるときは、32クロック周期毎にリセットされ
る。
【0005】カウンタ3の出力データはセレクタ4に供
給されると共に、アドレスROM5にアドレスデータと
して供給される。図8は、シャフリングブロックが8×
4で構成される場合における、アドレスROM5の内
容、つまりアドレスデータに対する出力データの一例を
示している。アドレスROM5の出力データはセレクタ
4に供給される。
【0006】セレクタ4には出力データ選択信号C2が
供給され、シャフリングブロック周期毎にアドレス発生
カウンタ3およびアドレスROM5の出力データが交互
に選択される。このセレクタ4の出力データはRAM1
にアドレスデータとして供給される。
【0007】また、RAM1より読み出されるデータは
ラッチ回路6および7を介して出力データDoutとして
出力される。ラッチ回路6にはクロックCKと反転関係
にあるクロックCKバーが供給され、ラッチ回路7には
クロックCKが供給される。
【0008】次に、図7を使用して、図6の例のシャフ
リング動作を説明する。この場合、シャフリングブロッ
クが8×4で構成され、またアドレスROM5の内容は
図8で示す通りであるとする。
【0009】図7AはクロックCK、同図Bは出力イネ
ーブル信号C1バー、同図Cは出力データ選択信号C
2、同図Eはラッチ回路2の出力データ、同図Fはカウ
ンタ3の出力データ、同図GはアドレスROM5の出力
データ、同図Hはセレクタ4の出力データ、同図Iはラ
ッチ回路7の出力データDoutを示している。T0,T1
はそれぞれシャフリングブロック周期に対応した期間を
示している。
【0010】まず、T0の期間に着目する。T0の期間で
は、図7Hに示すようにセレクタ4でカウンタ3の出力
データが選択され、これがRAM1にアドレスデータと
して供給される。そして、クロックCKの周期の前半部
ではアドレスデータで指定されるRAM1のアドレスよ
り前の期間T-1(図7には図示せず)に書き込まれたデ
ータが読み出される。また、クロックCKの周期の後半
部ではRAM1の同じアドレスにラッチ回路2より出力
されるデータが書き込まれる。したがって、このT0の
期間では、RAM1のアドレス0,1,2,・・・,3
1より、T-1の期間で書き込まれたデータD1,D30,
D27,・・・,D4が順次読み出され、図7Iに示すよ
うにラッチ回路7からは1クロック周期遅れて出力され
る。
【0011】次に、T1の期間では、図7Hに示すよう
にセレクタ4でアドレスROM5の出力データが選択さ
れ、これがRAM1にアドレスデータとして供給され
る。そして、クロックCKの周期の前半部ではアドレス
データで指定されるRAM1のアドレスより前の期間T
0に書き込まれたデータが読み出される。また、クロッ
クCKの周期の後半部ではRAM1の同じアドレスにラ
ッチ回路2より出力されるデータが書き込まれる。した
がって、このT1の期間では、RAM1のアドレス0,
21,10,・・・,11より、T0の期間で書き込ま
れたデータD1,D22,D11,・・・,D12が順次読み
出され、図7Iに示すようにラッチ回路7からは1クロ
ック周期遅れて出力される。
【0012】以下に続くシャフリングブロック周期に対
応する各期間においては、上述した期間T0およびT1に
おけると同様の動作が交互に繰り返され、シャフリング
ブロック周期でもって第1および第2のシャフリングパ
ターンによるシャフリングが交互に行なわれる。図9
A,Bは、それぞれ第1および第2のシャフリングパタ
ーンを示しいる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】このように図6の例の
シャフリング回路では、RAM1をリード・モデファイ
・ライト動作をさせているため、RAM1の必要なメモ
リ容量を減らすことが可能となるが、2種類のシャフリ
ングパターンのみしか実現することができなかった。
【0014】そこで、この発明では、アドレスROMの
容量を増やすことなく、シャフリングパターンの種類を
増加できるシャフリング回路を提供するものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】この発明に係るシャフリ
ング回路は、入力データが書き込みデータとして供給さ
れるリード・モデファイ・ライト機能を有するRAM
と、アドレス発生カウンタと、このアドレス発生カウン
タの出力データがアドレスデータとして供給されるアド
レスROMと、このアドレスROMの出力データとアド
レス発生カウンタの出力データとを入力データのシャフ
リングブロック周期毎に交互に選択すると共に、その出
力データをRAMにアドレスデータとして供給するセレ
クタと、少なくともアドレスROMにアドレスデータと
して供給されるアドレス発生カウンタの出力データある
いはアドレスROMの出力データのいずれかを、シャフ
リングブロック周期の2周期毎にバレルシフトするバレ
ルシフト回路とを備え、RAMをリード・モデファイ・
ライト動作させることで、RAMより入力データがシャ
フリング処理された出力データを得るものである。
た、この発明に係るシャフリング回路は、入力データが
書き込みデータとして供給されるリード・モデファイ・
ライト機能を有するRAMと、アドレス発生カウンタ
と、このアドレス発生カウンタの出力データがアドレス
データとして供給されるアドレスROMと、このアドレ
スROMの出力データとアドレス発生カウンタの出力デ
ータとを入力データのシャフリングブロック周期毎に交
互に選択すると共に、その出力データをRAMにアドレ
スデータとして供給するセレクタと、少なくともアドレ
スROMにアドレスデータとして供給されるアドレス発
生カウンタの出力データあるいはアドレスROMの出力
データのいずれかを、ランダムな順番に設定されたビッ
ト数でバレルシフトするバレルシフト回路とを備え、R
AMをリード・モデファイ・ライト動作させることで、
RAMより入力データがシャフリング処理された出力デ
ータを得るものである。
【0016】
【作用】この発明においては、少なくともアドレスRO
Mにアドレスデータとして供給されるアドレス発生カウ
ンタの出力データあるいはアドレスROMの出力データ
のいずれかをバレルシフトさせるものであり、このバレ
ルシフトによる巡回はアドレスデータのビット数通りあ
る。すなわち、バレルシフトによって内容を異にするア
ドレスROMを複数個設けたと同様の作用効果を得るこ
とができ、アドレスROMの容量を増やすことなく、3
種類以上のシャフリングパターンを実現することが可能
となる。ここで、RAMにはアドレスROMの出力デー
タとアドレス発生カウンタの出力データとがセレクタで
入力データのシャフリングブロック周期毎に交互に選択
されて供給されるものであり、バレルシフト回路におけ
るあるビット数のバレルシフトでは、2種類のシャフリ
ングパターンが、シャフリングブロック周期の連続した
2周期毎に実現される。そのため、バレルシフト回路で
シャフリングブロック周期の2周期毎にバレルシフトす
ることで、3周期毎にバレルシフトをする場合や、毎周
期にバレルシフトをする場合に比べて、バレルシフト回
路における各ビット数のビットシフトパターンを効率的
に活かしたシャフリングを行うことができる。また、バ
レルシフト回路で例えば1→2→3→4のような順番に
設定されたビット数ではなく、1→3→2→4のような
ランダムな順番に設定されたビット数でバレルシフトす
ることで、シャフリングブロック間でのデータのシャフ
リングの度合いを高めることができ、効果的なシャフリ
ングを行うことができる。
【0017】
【実施例】以下、図1を参照しながら、この発明の一実
施例について説明する。この図1において、図6と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略す
る。
【0018】図1において、アドレス発生カウンタ3の
出力データはバレルシフト回路8に供給され、このバレ
ルシフト回路8の出力データはアドレスROM5にアド
レスデータとして供給される。
【0019】バレルシフト回路8にはシフトタイミング
信号C3が供給され、2シャフリングブロック周期毎に
1ビットずつ順次バレルシフトされる。ここで、2シャ
フリングブロック周期を構成する前半のシャフリングブ
ロック周期部分ではセレクタ4でアドレスROM5の出
力データが選択され、後半のシャフリングブロック周期
部分ではセレクタ4でアドレス発生カウンタ3の出力デ
ータが選択される。
【0020】図2は、バレルシフト回路8の構成例を示
している。図において、アドレス発生カウンタ3の5ビ
ットの出力データADaはバレルシフタ81のデータ入
力端子DI4〜DI0に供給される。また、シフトタイミ
ング信号C3はカウンタ82にカウントクロックとして
供給され、このカウンタ82の3ビットの出力データは
バレルシフタ81の制御端子S2〜S0に供給される。
【0021】この場合、カウンタ82ではシフトタイミ
ング信号C3が供給される毎にカウントアップされ、そ
の出力データは「0」,「1」,「2」,「3」,
「4」,「0」,・・・のように順次変化する。そし
て、カウンタ82の出力データが「0」であるときは、
バレルシフタ81ではバレルシフトされず、出力端子D
O4〜DO0に得られるデータADbはデータADaと同
じものとなる。また、カウンタ82の出力データが
「1」〜「4」であるときは、バレルシフタ81ではそ
れぞれ1〜4ビットのバレルシフトが行なわれ、出力端
子DO4〜DO0に得られるデータADbはデータADa
が1〜4ビットだけバレルシフトされたものとなる。
【0022】図3は、バレルシフタ81の具体構成例を
示しており、PLD(プログラマブル・ロジック・ディ
バイス)で作成することができる。なお、図3におい
て、LA0〜LA4はラッチ回路である。
【0023】本例は以上のように構成され、その他は図
6の例と同様に構成される。
【0024】次に、図4を使用して、本例のシャフリン
グ動作を説明する。この場合、シャフリングブロックが
8×4で構成され、またアドレスROM5の内容は図8
で示す通りであるとする。
【0025】図4Aは出力データ選択信号C2、同図B
はリセット信号SR、同図Cはシフトタイミング信号C
3、同図DはクロックCK、同図Eは出力イネーブル信
号C1バー、同図Fはラッチ回路2の出力データ、同図
Gはカウンタ3の出力データ、同図Hはバレルシフト回
路8の出力データ、同図IはアドレスROM5の出力デ
ータ、同図Jはセレクタ4の出力データ、同図Kはラッ
チ回路7の出力データDoutを示している。T-1〜T9は
それぞれシャフリングブロック周期に対応した期間を示
している。
【0026】まず、T0の期間に着目する。T0の期間で
は、図4Jに示すようにセレクタ4でカウンタ3の出力
データが選択され、これがRAM1にアドレスデータと
して供給される。そして、クロックCKの周期の前半部
ではアドレスデータで指定されるRAM1のアドレスよ
り前の期間T-1に書き込まれたデータが読み出される。
また、クロックCKの周期の後半部ではRAM1の同じ
アドレスにラッチ回路2より出力されるデータが書き込
まれる。したがって、このT0の期間では、RAM1の
アドレス0,1,2,・・・,31より、T-1の期間で
書き込まれたデータD1,D30,D27,・・・,D4が順
次読み出され、図4Kに示すようにラッチ回路7からは
1クロック周期遅れて出力される。
【0027】次に、T1の期間では、その先頭でバレル
シフト回路8にシフトタイミング信号C3が供給され、
バレルシフト回路8の出力データはカウンタ3の出力デ
ータが1ビットだけバレルシフトされたものとなる(図
4Hに図示)。このT1の期間では、図4Jに示すよう
にセレクタ4でアドレスROM5の出力データが選択さ
れ、これがRAM1にアドレスデータとして供給され
る。そして、クロックCKの周期の前半部ではアドレス
データで指定されるRAM1のアドレスより前の期間T
0に書き込まれたデータが読み出される。また、クロッ
クCKの周期の後半部ではRAM1の同じアドレスにラ
ッチ回路2より出力されるデータが書き込まれる。した
がって、このT1の期間では、RAM1のアドレス0,
10,20,・・・,11より、T0の期間で書き込ま
れたデータD1,D11,D21,・・・,D12が順次読み
出され、図4Kに示すようにラッチ回路7からは1クロ
ック周期遅れて出力される。
【0028】次に、T2の期間では、セレクタ4でカウ
ンタ3の出力データが選択され、これがRAM1にアド
レスデータとして供給され、上述した各期間と同様にリ
ード・モデファイ・ライトの動作が行なわれる。そのた
め、このT2の期間では、RAM1のアドレス0,1,
2,・・・,31より、T1の期間で書き込まれたデー
タD1,D31,D14,・・・,D18が順次読み出され、
ラッチ回路7からは1クロック周期遅れて出力される。
【0029】次に、T3の期間では、その先頭でバレル
シフト回路8にシフトタイミング信号C3が供給され、
バレルシフト回路8ではカウンタ3の出力データが2ビ
ットだけバレルシフトされる。また、このT3の期間で
は、セレクタ4でアドレスROM5の出力データが選択
され、これがRAM1にアドレスデータとして供給さ
れ、上述した各期間と同様にリード・モデファイ・ライ
トの動作が行なわれる。そのため、このT3の期間で
は、RAM1のアドレス0,20,16,・・・,11
より、T2の期間で書き込まれたデータD1,D21,D1
7,・・・,D12が順次読み出され、ラッチ回路7から
は1クロック周期遅れて出力される。以下、同様に繰り
返される。
【0030】図5は、本例におけるT-1〜T5の各期間
における出力データDoutのシャフリングパターンを示
している。アドレスデータが5ビットである場合には、
バレルシフトによる巡回が5通りあることから、10
(5×2)種類のシャフリングパターンを実現すること
ができる。一般に、アドレスデータのビット数がnであ
るときは、バレルシフトによる巡回がn通りとなること
から、2n種類のシャフリングパターンを実現すること
ができる。
【0031】このように本例においては、アドレスRO
M5にアドレスデータとして供給されるアドレス発生カ
ウンタの出力データを2シャフリングブロック周期毎に
バレルシフトするものであり、このバレルシフトによっ
て内容を異にするアドレスROMを複数個設けたと同様
の効果を得ることができ、アドレスROMの容量を増や
すことなく、シャフリングパターンの増加を図ることが
できる。
【0032】なお、上述実施例において、バレルシフト
回路8では2シャフリングブロック周期毎にバレルシフ
トされるが、バレルシフトの周期はこれに限定されるも
のではない。例えば、入力データDinがビデオデータで
あるときはフィールドまたはフレーム周期でバレルシフ
トすることで、その周期でシャフリングパターンを順次
切り換えることができ、ディジタルVTRやディスク装
置におけるエラーコンシールメントを有利にできる。
【0033】また、上述実施例においては、バレルシフ
ト回路8で1ビットずつ順次バレルシフトされるものを
示したが、0ビット→3ビット→1ビット→4ビット→
・・・等のようにランダムにバレルシフトが行なわれる
ようにしてもよい。
【0034】
【発明の効果】この発明によれば、少なくともアドレス
ROMにアドレスデータとして供給されるアドレス発生
カウンタの出力データあるいはアドレスROMの出力デ
ータのいずれかをバレルシフトさせるものであり、この
バレルシフトによって内容を異にするアドレスROMを
複数個設けたと同様の作用効果を得ることができ、アド
レスROMの容量を増やすことなく、シャフリングパタ
ーンの増加を実現することができる。また、この発明に
よれば、バレルシフト回路でシャフリングブロック周期
の2周期毎にバレルシフトするものであり、3周期毎に
バレルシフトをする場合や、毎周期にバレルシフトをす
る場合に比べて、バレルシフト回路における各ビット数
のビットシフトパターンを効率的に活かしたシャフリン
グを行うことができる。また、この発明によれば、バレ
ルシフト回路で例えば1→2→3→4のような順番に設
定されたビット数ではなく、1→3→2→4のようなラ
ンダムな順番に設定されたビット数でバレルシフトする
ものであり、シャフリングブロック間でのデータのシャ
フリングの度合いを高めることができ、効果的なシャフ
リングを行うことができる。
【0035】
【発明の効果】この発明によれば、少なくともアドレス
ROMにアドレスデータとして供給されるアドレス発生
カウンタの出力データあるいはアドレスROMの出力デ
ータのいずれかをバレルシフトさせるものであり、この
バレルシフトによって内容を異にするアドレスROMを
複数個設けたと同様の作用効果を得ることができ、アド
レスROMの容量を増やすことなく、シャフリングパタ
ーンの増加を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るシャフリング回路の一実施例を
示すブロック図である。
【図2】バレルシフト回路の構成例を示すブロック図で
ある。
【図3】バレルシフタの構成例を示す回路接続図であ
る。
【図4】実施例のシャフリング動作の説明のための図で
ある。
【図5】実施例で実現されるシャフリングパターンを示
す図である。
【図6】従来のシャフリング回路の一例を示すブロック
図である。
【図7】従来例のシャフリング動作の説明のための図で
ある。
【図8】アドレスROMの内容例を示す図である。
【図9】従来例で実現されるシャフリングパターンを示
す図である。
【符号の説明】
1 RAM 2,6,7 ラッチ回路 3 アドレス発生カウンタ 4 セレクタ 5 アドレスROM 8 バレルシフト回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 11/10 H04L 1/00 H03M 13/27 G11B 20/18 JICSTファイル(JOIS)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力データが書き込みデータとして供給
    されるリード・モデファイ・ライト機能を有するRAM
    と、 アドレス発生カウンタと、 このアドレス発生カウンタの出力データがアドレスデー
    タとして供給されるアドレスROMと、 このアドレスROMの出力データと上記アドレス発生カ
    ウンタの出力データとを上記入力データのシャフリング
    ブロック周期毎に交互に選択すると共に、その出力デー
    タを上記RAMにアドレスデータとして供給するセレク
    タと、 少なくとも上記アドレスROMにアドレスデータとして
    供給される上記アドレス発生カウンタの出力データある
    いは上記アドレスROMの出力データのいずれかを、上
    記シャフリングブロック周期の2周期毎にバレルシフト
    するバレルシフト回路とを備え、 上記RAMをリード・モデファイ・ライト動作させるこ
    とで、上記RAMより上記入力データがシャフリング処
    理された出力データを得ることを特徴とするシャフリン
    グ回路。
  2. 【請求項2】 入力データが書き込みデータとして供給
    されるリード・モデファイ・ライト機能を有するRAM
    と、 アドレス発生カウンタと、 このアドレス発生カウンタの出力データがアドレスデー
    タとして供給されるアドレスROMと、 このアドレスROMの出力データと上記アドレス発生カ
    ウンタの出力データとを上記入力データのシャフリング
    ブロック周期毎に交互に選択すると共に、その出力デー
    タを上記RAMにアドレスデータとして供給するセレク
    タと、 少なくとも上記アドレスROMにアドレスデータとして
    供給される上記アドレス発生カウンタの出力データある
    いは上記アドレスROMの出力データのいずれかを、ラ
    ンダムな順番に設定されたビット数でバレルシフトする
    バレルシフト回路とを備え、 上記RAMをリード・モデファイ・ライト動作させるこ
    とで、上記RAMより 上記入力データがシャフリング処
    理された出力データを得ることを特徴とするシャフリン
    グ回路。
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