JPH06124586A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH06124586A
JPH06124586A JP4270079A JP27007992A JPH06124586A JP H06124586 A JPH06124586 A JP H06124586A JP 4270079 A JP4270079 A JP 4270079A JP 27007992 A JP27007992 A JP 27007992A JP H06124586 A JPH06124586 A JP H06124586A
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JP
Japan
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Withdrawn
Application number
JP4270079A
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Inventor
Yoshio Matsuda
欣雄 松田
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】シリアル出力データバスに対するデータ転送レ
ートを高速化する半導体記憶装置の提供。 【構成】ロウアドレス104とカラムアドレス103で
データの読み書きするメモリセル・アレイ1と、モリセ
ル・アレイ1のデータ201格納用データ・レジスタ2
と、転送開始アドレス105をロードして出力するアド
レス・レジスタ3と、カウンタイネーブル304/30
5が許可状態の時のシフトクロック信号303のアクテ
ィブ・エッジでインクリメントするアドレス・カウンタ
9/10と、メモリセル・アレイ1内のカラム・アドレ
スが偶数のデータから、1データを出力するセレクタ7
と、メモリセル・アレイ1内のカラム・アドレスが奇数
のデータから、1データを出力するセレクタ8と、分周
回路6より出力されるカウンタイネーブル304によ
り、セレクタ7,8の出力を交互にシリアル出力データ
バス102に出力するセレクタ11とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体記憶装置に関し、
特にシリアルデータ端子を有し、ランダムアクセス・メ
モリとして機能する画像用の半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、この種の画像用の半導体記憶装
置は、図4に一例のブロック図が示されるように、ロウ
アドレス104により特定されたデータ列から、カラム
アドレス103により特定されたメモリセルのデータ
を、ランダムアクセス・データバース101より読み書
きを行うメモリセル・アレイ1と、ロウアドレス104
により特定されたメモリセル・アレイ1のデータ列のデ
ータを、データ転送ストローブ302によりロードする
データ・レジスタ2と、転送開始アドレス105をロー
ドイネーブル301によりロードして格納するアドレス
・レジスタ3と、データ転送ストローブ302により、
アドレス・レジスタ3に設定されている転送開始アドレ
スをロードし、シフトクロック303によりインクリメ
ントするアドレス・カウンタ4と、アドレス・カウンタ
4の出力アドレス204により、データ・レジスタ2に
格納されているデータを特定してシリアル出力データバ
ス102に出力するセレクタ5とを備えて構成される。
また、図5(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、
(f)、(g)、(h)、(i)、(j)、(k)およ
び(l)は、従来の半導体記憶装置において、ロウアド
レス104により特定されたメモリセル・アレイ1の任
意のデータ列をデータ・レジスタ2に転送し、シリアル
出力データバス102より出力する場合の動作を示すタ
イミング図である。
【0003】次に、図4および図5を参照して動作につ
いて説明する。図5において、時刻T0 でデータ転送ス
トローブ302をアクティブとした後に、時刻T1 にお
いてロウアドレス104が確定されると、転送バス20
1に特定されたデータ列のデタが出力され、時刻T2
おいてデータ転送ストローブ302をインアクティブに
変化させると、データ・レジスタ2に特定されたメモリ
セル・アレイ1のデータ列が転送される。次に時刻T3
において、シフトクロック303がアクティブになる
と、アドレス・カウンタ4に、アドレス・レジスタ3に
保持されていた転送開始アドレスnがロードされ、セレ
クタ5においては、データ・レジスタ2に格納されてい
るデータから、アドレス・カウンタ4より出力されるア
ドレスnのデータDn+0 が選択されて、シリアル出力デ
ータバス102上に出力される。
【0004】時刻T4 においてシフト・クロック303
がアクティブになると、アドレス・カウンタ4はインク
リメントされ、アドレス・カウンタ4の出力はn+1と
なり、セレクタ5においては、データ・レジスタ2に格
納されているデータからアドレスn+1のデータDn+1
が選択されて、シリアル出力データバス102上に出力
される。時刻T5 においてシフトクロック303がアク
ティブになると、時刻T4 における場合と同様に、アド
レス・カウンタ4はインクリメントされ、アドレス・カ
ウンタ4の出力はn+2となり、セレクタ5において
は、アドレスn+2のデータDn+2 が選択されて、シリ
アル出力データバス102上に出力される。そして時刻
5 以降においては、シフトクロック303のアクティ
ブ・エッジごとに、前述の動作が繰返して行われること
により、メモリセル・アレイ1より出力されるデータ
が、順次シフトクロック303の1周期ごとにシリアル
出力データバス102上に出力される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
記憶装置においては、単一のアドレス・カウンタの出力
アドレスから、データ・レジスタのデータを選択してシ
リアル出力データバス上に出力しているために、シフト
クロック1周期内の時間でデータ・レジスタに格納され
ているデータ列から1データを選択し、シリアル出力デ
ータバス上に出力する必要があるため、シフトクロック
周波数の高速化が困難になるという欠点がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体記憶装置
は、ロウアドレスを入力して、内蔵されるメモリセル・
アレイにおける複数のデータ列の内より、当該ロウアド
レスに対応する1データ列を特定し、更にカラム・アド
レスを入力して、前記1データ列における任意の1デー
タを特定することにより、前記メモリセル・アレイ内に
格納されている任意のデータ列を特定して、ランダムア
クセス・データバスから読出しならびに書込みを行う画
像用の半導体記憶装置において、前記ロウアドレスを介
して特定され、前記メモリセル・アレイより出力される
データ列を、データ転送ストローブ信号入力により一時
的に格納するデータ・レジスタと、前記データ・レジス
タに格納されているデータ列の内、前記メモリセル・ア
レイ内における奇数のカラム・アドレスならびに偶数の
カラム・アドレスのそれぞれに対応する1データを特定
する第1のセレクタと、前記第1のセレクタより出力さ
れるデータを選択して、所定のシリアル出力データバス
上に出力する第2のセレクタと、前記データ転送ストロ
ーブ信号を介して、シフトクロック信号入力に同期して
カウンタの初期値をロードし、イネーブル信号が許可状
態にある時に、シフトクロック信号入力に同期してイン
クリメントし、前記第1のセレクタにおいて特定される
データのアドレスを出力するアドレス・カウンタと、前
記シフトクロック信号を2分周することにより、前記ア
ドレス・カウンタを、シフトクロック信号に同期して交
互にインクリメントさせるための二つのイネーブル信号
を生成して出力する分周回路と、前記第1および第2の
アドレス・カウンタにロードされるアドレスを格納する
アドレス・レジスタとを備えて構成され、前記データ・
レジスタに格納されているデータ列を、前記第1のセレ
クタにより、前記シフトクロック信号の2周期の時間で
読出しを行うとともに、前記シフトクロック信号の2周
期でインクリメントするアドレス・カウンタと、前記シ
フトクロック信号1周期ごとに第1のセレクタの出力デ
ータを選択する第2のセレクタにより、前記データ・レ
ジスタに格納されているデータ列を、スタート・アドレ
ス・レジスタに設定されたアドレスから、1シフトクロ
ックごとに順次前記シリアル出力データバスより出力さ
せるように機能することを特徴としている。
【0007】なお、前記第1のセレクタは、前記データ
・レジスタに格納されているデータ列の内、前記メモリ
セル・アレイ内におけるカラム・アドレスが偶数アドレ
スであるデータから1データを特定する第3のセレクタ
と、前記メモリセル・アレイ内におけるカラム・アドレ
スが奇数アドレスであるデータから1データを特定する
第4のセレクタとにより構成してもよく、また前記アド
レス・カウンタは、前記第3のセレクタにおいて特定さ
れるデータのアドレスを出力する第1のアドレス・カウ
ンタと、前記第4のセレクタにおいて特定されるデータ
のアドレスを出力する第2のアドレス・カウンタとによ
り構成してもよい。
【0008】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0009】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。図1に示されるように、本実施例は、ロウアド
レス104により特定されたデータ列から、カラムアド
レス103により特定されたメモリセルのデータを、ラ
ンダムアクセス・データバース101より読み書きを行
うメモリセル・アレイ1と、ロウアドレス104により
特定されたメモリセル・アレイ1のデータ列のデータ2
01を、データ転送ストローブ信号302により一時的
に格納するデータ・レジスタ2と、データ・レジスタ2
に格納されているデータ列の転送開始アドレス105
を、ロードイネーブル301によりロードして出力する
アドレス・レジスタ3と、データ転送ストローブ信号3
02がアクティブからインアクティブに変化した直後の
シフトクロック信号303のアクティブ・エッジにおけ
るアドレス・レジスタ3の出力アドレス203の最下位
ビットの値により、1シフトクロックごとに交互に有効
となる2本のカウンタイネーブル304および305
を、シフトクロック303を2分周することにより生成
する分周回路6と、データ転送ストローブ信号302が
インアクティブになった直後のシフトクロック信号30
3のアクティブ・エッジにおけるアドレス・レジスタ3
の出力アドレス203の最下位ビットを除いたアドレス
をロードし、カウンタイネーブル304が許可状態の時
のシフトクロック信号303のアクティブ・エッジでイ
ンクリメントするアドレス・カウンタ9と、データ転送
ストローブ信号302がインアクティブになった直後の
シフトクロック信号303のアクティブ・エッジにおけ
るアドレス・レジスタ3の出力アドレス203の最下位
ビットを除いたアドレスをロードし、カウンタイネーブ
ル305が許可状態の時のシフトクロック信号303の
アクティブ・エッジでインクリメントするアドレス・カ
ウンタ10と、データ・レジスタ2に格納されたデータ
列の内、メモリセル・アレイ1内におけるカラム・アド
レスが偶数のデータから、アドレス・カウンタ10の出
力アドレス206により、1データを選択して出力する
セレクタ7と、データ・レジスタ2に格納されたデータ
列の内、メモリセル・アレイ1内におけるカラム・アド
レスが奇数のデータから、アドレス・カウンタ9の出力
アドレス205により、1データを選択して出力するセ
レクタ8と、分周回路6より出力されるカウンタイネー
ブル304により、セレクタ7の出力207と、セレク
タ8の出力208を交互に選択して、シリアル出力デー
タバス102に出力するセレクタ11とを備えて構成さ
れる。
【0010】また、図2(a)、(b)、(c)、
(d)、(e)、(f)、(g)、(h)、(i)、
(j)、(k)および(l)と、図3(a)、(b)、
(c)、(d)、(e)、(f)、(g)、(h)、
(i)、(j)、(k)および(l)は、本実施例にお
いて、メモリセル・アレイ1から出力され、データ・レ
ジスタ2に格納されているデータ列を、シリアル出力デ
ータバス102上に出力する際の動作を示すタイミング
図である。この内、図2は、アドレス・レジスタ3に設
定されている転送開始アドレス105が偶数の場合にお
ける動作を示すタイミング図であり、図3は、アドレス
・レジスタ3に設定されている転送開始アドレス105
が偶数の場合における動作を示すタイミング図である。
【0011】次に、図1、図2および図3の参照して本
実施例の動作について説明する。アドレス・レジスタ3
に偶数アドレスが設定された場合、図2のタイミング図
に示されるように、時刻T0 において、データ転送スト
ローブ信号302をアクティブにした後に、時刻T1
おいてロウアドレス104をメモリセル・アレイ1に入
力すると、メモリセル・アレイ1におけるデータ列が特
定され、転送バス201上に出力される。時刻T2 にお
いてデータ転送ストローブ信号302をインアクティブ
にすると、転送バス201に出力されたデータがデータ
・レジスタ2に設定される。時刻T3 においてシフトク
ロック信号303がアクティブになると、アドレス・カ
ウンタ9およびアドレス・カウンタ10には、それぞれ
アドレス・レジスタ3に設定されていた転送開始アドレ
スnがロードされ、分周回路6より出力されるカウンタ
・イネーブル304および305が、共に禁止状態に設
定される。
【0012】セレクタ7においては、データ・レジスタ
2に格納されているデータの内、メモリセル・アレイ1
内におけるカラム・アドレス103が偶数のデータか
ら、カラム・アドレスの最下位ビットを除いたアドレス
が、アドレス・カウンタ10の出力アドレスnと一致す
るデータD2nが選択されて出力される。またセレクタ8
においては、データ・レジスタ2に格納されているデー
タの内、メモリセル・アレイ1内におけるカラム・アド
レス103が奇数のデータから、カラム・アドレスの最
下位ビットを除いたアドレスが、アドレス・カウンタ9
の出力アドレスnと一致するデータD2n+1が選択されて
出力される。セレクタ11においては、分周回路6より
出力されるカウンタイネーブル304が禁止状態にある
ため、セレクタ7の出力データD2nが選択されて、シリ
アル出力データバス102上に出力される。
【0013】時刻T4 においては、シフトクロック信号
303がアクティブになるが、カウンタイネーブル30
4および305が禁止状態にあるため、アドレス・カウ
ンタ9および10はインクリメントせず、これによりカ
ウンタの出力アドレス205および206が変化しない
ため、セレクタ7および8において選択されるデータ
は、時刻T3 において選択されたデータのまま変化する
ことがない。分周回路6より出力されるカウンタイネー
ブル304は禁止状態のまま変化せず、他方カウンタイ
ネーブル305は、時刻T4 直後に禁止状態から許可状
態に変化する。カウンタイネーブル304が禁止状態に
あるため、セレクタ11においては、セレクタ7の出力
データ207が、セレクタ11を介してシリアル出力デ
ータバス上に出力される。
【0014】時刻T5 においてシフトクロック信号30
3がアクティブになると、カウンタイネーブル305が
許可状態にあるため、アドレスカウンタ10はnからn
+1にインクリメントする。アドレス・カウンタ9にお
いては、カウンタイネーブル304が禁止状態にあるた
め変化しない。セレクタ7においては、アドレス・カウ
ンタ10の出力アドレス206がインクリメントするた
め、データ・レジスタ1に格納されているデータから、
アドレスカウンタ10の出力アドレス206に対応する
データD2n+2が選択されて出力される。時刻T5 の直後
においては、カウンタイネーブル304は禁止状態から
許可状態に反転し、またカウンタイネーブル305は許
可状態から禁止状態に反転する。この状態においては、
カウンタイネーブル304が許可状態に変化するため、
セレクタ11においては、セレクタ8の出力データD
2n+1が選択されて、シリアルデータ出力バス102上に
出力される。
【0015】以降、シフトクロック303のアクティブ
・エッジにおいて、カウントアップ・イネーブル304
および305を反転させることにより、データ・レジス
タ2に格納されているデータを、シフトクロック303
に同期させてシリアル出力データバス102に出力す
る。アドレス・レジスタ3に奇数アドレスが設定された
場合には、図3のタイミング図に示されるように、時刻
3 において、アドレス・カウンタ9およびアドレス・
カウンタ10には、アドレス・レジスタ3に設定されて
いた転送開始アドレスnがロードされ、分周回路6より
出力されるカウンタイネーブル304は禁止状態とな
り、またカウンタイネーブル305は許可状態に設定さ
れる。
【0016】これにより、図2に示される偶数アドレス
が設定された場合のタイミング図としては、時刻T4
降と同様の動作を行う。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、メモリ
セル・アレイから転送されてデータ・レジスタに格納さ
れているデータより、カラム・アドレスが奇数アドレス
のデータの中から1データを選択するセレクタと、カラ
ム・アドレスが偶数アドレスのデータの中から1データ
を選択するセレクタと、これらの二つのセレクタにより
選択されるカラム・アドレスを出力する二つのロード・
イネーブル付2進カウンタと、転送開始アドレスの最下
位ビットにより初期化され、前記二つのロード・イネー
ブル付2進カウンタと、転送開始アドレスの最下位ビッ
トにより初期化され、前記二つのカウンタのイネーブル
信号をシフトレジスタを2分周することにより生成する
分周回路と、前記二つのセレクタの出力を交互に選択す
る第3のセレクタを備えることにより、データ・レジス
タからのデータ選択を、シフトクロック信号の2周期で
2データをインターリーブさせて行い、データ読出し周
期を、シフトクロック信号の2倍の周期で行うことを可
能とすることにより、シフトクロック信号の高速化を容
易に達成することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。
【図2】本実施例における動作を示すタイミング図であ
る。
【図3】本実施例における動作を示すタイミング図であ
る。
【図4】従来例を示すブロック図である。
【図5】従来例における動作を示すタイミング図であ
る。
【符号の説明】
1 メモリセル・アレイ 2 データ・レジスタ 3 アドレス・レジスタ 4、9、10 アドレス・カウンタ 5、7、8、11 セレクタ 6 分周回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ロウアドレスを入力して、内蔵されるメ
    モリセル・アレイにおける複数のデータ列の内より、当
    該ロウアドレスに対応する1データ列を特定し、更にカ
    ラム・アドレスを入力して、前記1データ列における任
    意の1データを特定することにより、前記メモリセル・
    アレイ内に格納されている任意のデータ列を特定して、
    ランダムアクセス・データバスから読出しならびに書込
    みを行う画像用の半導体記憶装置において、 前記ロウアドレスを介して特定され、前記メモリセル・
    アレイより出力されるデータ列を、データ転送ストロー
    ブ信号入力により一時的に格納するデータ・レジスタ
    と、 前記データ・レジスタに格納されているデータ列の内、
    前記メモリセル・アレイ内における奇数のカラム・アド
    レスならびに偶数のカラム・アドレスのそれぞれに対応
    する1データを特定する第1のセレクタと、 前記第1のセレクタより出力されるデータを選択して、
    所定のシリアル出力データバス上に出力する第2のセレ
    クタと、 前記データ転送ストローブ信号を介して、シフトクロッ
    ク信号入力に同期してカウンタの初期値をロードし、イ
    ネーブル信号が許可状態にある時に、シフトクロック信
    号入力に同期してインクリメントし、前記第1のセレク
    タにおいて特定されるデータのアドレスを出力するアド
    レス・カウンタと、 前記シフトクロック信号を2分周することにより、前記
    アドレス・カウンタを、シフトクロック信号に同期して
    交互にインクリメントさせるための二つのイネーブル信
    号を生成して出力する分周回路と、 前記第1および第2のアドレス・カウンタにロードされ
    るアドレスを格納するアドレス・レジスタと、 を備えて構成され、前記データ・レジスタに格納されて
    いるデータ列を、前記第1のセレクタにより、前記シフ
    トクロック信号の2周期の時間で読出しを行うととも
    に、前記シフトクロック信号の2周期でインクリメント
    するアドレス・カウンタと、前記シフトクロック信号1
    周期ごとに第1のセレクタの出力データを選択する第2
    のセレクタにより、前記データ・レジスタに格納されて
    いるデータ列を、スタート・アドレス・レジスタに設定
    されたアドレスから、1シフトクロックごとに順次前記
    シリアル出力データバスより出力させるように機能する
    ことを特徴とする半導体記憶装置。
  2. 【請求項2】 前記第1のセレクタが、前記データ・レ
    ジスタに格納されているデータ列の内、前記メモリセル
    ・アレイ内におけるカラム・アドレスが偶数アドレスで
    あるデータから1データを特定する第3のセレクタと、
    前記メモリセル・アレイ内におけるカラム・アドレスが
    奇数アドレスであるデータから1データを特定する第4
    のセレクタとにより構成されるとともに、前記アドレス
    ・カウンタが、前記第3のセレクタにおいて特定される
    データのアドレスを出力する第1のアドレス・カウンタ
    と、前記第4のセレクタにおいて特定されるデータのア
    ドレスを出力する第2のアドレス・カウンタとにより構
    成される請求項1記載の半導体記憶装置。
JP4270079A 1992-10-08 1992-10-08 半導体記憶装置 Withdrawn JPH06124586A (ja)

Priority Applications (1)

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JP4270079A JPH06124586A (ja) 1992-10-08 1992-10-08 半導体記憶装置

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JP4270079A JPH06124586A (ja) 1992-10-08 1992-10-08 半導体記憶装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6118729A (en) * 1997-10-28 2000-09-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Synchronous semiconductor memory device
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