JP3215170B2 - 方向性結合器 - Google Patents
方向性結合器Info
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- JP3215170B2 JP3215170B2 JP19725192A JP19725192A JP3215170B2 JP 3215170 B2 JP3215170 B2 JP 3215170B2 JP 19725192 A JP19725192 A JP 19725192A JP 19725192 A JP19725192 A JP 19725192A JP 3215170 B2 JP3215170 B2 JP 3215170B2
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Description
【産業上の利用分野】本発明は、方向性結合器に関し、
特にマイクロストリップ線路によって形成された方向性
結合器に関するものである。
特にマイクロストリップ線路によって形成された方向性
結合器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子回路の小型化、集積化が進む
につれ、各素子部品の小型化かが望まれるようになって
きている。この様に小型化が望まれる素子部品の一つと
して、方向性結合器が知られている。
につれ、各素子部品の小型化かが望まれるようになって
きている。この様に小型化が望まれる素子部品の一つと
して、方向性結合器が知られている。
【０００３】方向性結合器は、携帯無線電話機等の送信
電力制御に用いられる電力検出器等として使用され、十
分な方向性と低歪率が要求されている。
電力制御に用いられる電力検出器等として使用され、十
分な方向性と低歪率が要求されている。
【０００４】十分な方向性、低歪率及び小型化を実現し
た方向性結合器の一例として、１９９１年電子情報通信
学会秋期大会に発表されたＣＭ型方向性結合器が知られ
ている。この方向性結合器の等価回路を図２に、また断
面構造図を図３に示す。図において、１は主線路、２は
副線路で、主線路１及び副線路２は例えば直径0.5mmの
導体線路からなり、これらは所定の間隔を開けて平行に
配置されている。また、主線路１及び副線路２の周囲
は、比誘電率が４の誘電体３によって満たされ、さらに
この周囲は外径4.0mm、内径2.0mmのカーボニル鉄ダスト
コアからなる磁性体４によって覆われている。さらにま
た、これら全体が、プリント基板に実装しやすいように
射出成形によってモールドされている。また、使用に際
しては複線路２の一端に終端抵抗器５が接続される。
た方向性結合器の一例として、１９９１年電子情報通信
学会秋期大会に発表されたＣＭ型方向性結合器が知られ
ている。この方向性結合器の等価回路を図２に、また断
面構造図を図３に示す。図において、１は主線路、２は
副線路で、主線路１及び副線路２は例えば直径0.5mmの
導体線路からなり、これらは所定の間隔を開けて平行に
配置されている。また、主線路１及び副線路２の周囲
は、比誘電率が４の誘電体３によって満たされ、さらに
この周囲は外径4.0mm、内径2.0mmのカーボニル鉄ダスト
コアからなる磁性体４によって覆われている。さらにま
た、これら全体が、プリント基板に実装しやすいように
射出成形によってモールドされている。また、使用に際
しては複線路２の一端に終端抵抗器５が接続される。
【０００５】前述の構成よりなる方向性結合器によれ
ば、１／４波長結合線路を用いた方向性結合器に比べて
実装時の占有面積を１／１０に小型化することができ
る。
ば、１／４波長結合線路を用いた方向性結合器に比べて
実装時の占有面積を１／１０に小型化することができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のダストコアを用いたＣＭ型方向性結合器におい
ては、図４に示すように周波数が高くなるにつれ挿入損
失ISN-LOSSが増加し、高周波数帯域においての使用が困
難であるという問題点があった。
た従来のダストコアを用いたＣＭ型方向性結合器におい
ては、図４に示すように周波数が高くなるにつれ挿入損
失ISN-LOSSが増加し、高周波数帯域においての使用が困
難であるという問題点があった。
【０００７】例えば、９００ＭＨｚ帯用のＣＭ型方向性
結合器の周波数特性は図４に示すものとなる。図におい
て、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失INS-LOSS進行
波Ｐｆ、反射波Ｐｒを表し、挿入損失ISN-LOSSの単位は
１ｄＢ／ＤＩＶ、進行波Ｐｆ及び反射波Ｐｒの単位は１
０ｄＢ／ＤＩＶである。
結合器の周波数特性は図４に示すものとなる。図におい
て、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失INS-LOSS進行
波Ｐｆ、反射波Ｐｒを表し、挿入損失ISN-LOSSの単位は
１ｄＢ／ＤＩＶ、進行波Ｐｆ及び反射波Ｐｒの単位は１
０ｄＢ／ＤＩＶである。
【０００８】９０１．５ＭＨｚにおける挿入損失ISN-LO
SSは−０．３４２５ｄＢと小さいが、１．５ＧＨｚ付近
では−１ｄＢ程度にまで増大している。一般に、方向性
結合器における挿入損失INS-LOSSは低いほど良いとさ
れ、実用的には−０．５ｄＢ以下が好ましい。
SSは−０．３４２５ｄＢと小さいが、１．５ＧＨｚ付近
では−１ｄＢ程度にまで増大している。一般に、方向性
結合器における挿入損失INS-LOSSは低いほど良いとさ
れ、実用的には−０．５ｄＢ以下が好ましい。
【０００９】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、小形
で、且つ広周波数帯域に亙って低い挿入損失を有する方
向性結合器を提供することにある。
で、且つ広周波数帯域に亙って低い挿入損失を有する方
向性結合器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、誘電体基板上に形成された
マイクロストリップ線路からなる主線路と少なくとも一
の副線路と、前記誘電体基板上に成膜形成され前記副線
路の一端に接続された終端抵抗器とを備え、少なくとも
前記主線路の長さ方向の中央部分と前記副線路の長さ方
向の中央部分が平行に配置されて前記主線路と副線路と
の結合部が形成されており、前記主線路の中央部分と前
記副線路の中央部分とが、前記誘電体基板の表面に対し
て平行な方向及び垂直な方向に所定距離ずらして形成さ
れていると共に、前記主線路の中央部分と前記副線路の
中央部分との間に誘電体部材が介在されている方向性結
合器を提案する。
成するために請求項１では、誘電体基板上に形成された
マイクロストリップ線路からなる主線路と少なくとも一
の副線路と、前記誘電体基板上に成膜形成され前記副線
路の一端に接続された終端抵抗器とを備え、少なくとも
前記主線路の長さ方向の中央部分と前記副線路の長さ方
向の中央部分が平行に配置されて前記主線路と副線路と
の結合部が形成されており、前記主線路の中央部分と前
記副線路の中央部分とが、前記誘電体基板の表面に対し
て平行な方向及び垂直な方向に所定距離ずらして形成さ
れていると共に、前記主線路の中央部分と前記副線路の
中央部分との間に誘電体部材が介在されている方向性結
合器を提案する。
【００１１】また、請求項２では、請求項１記載の方向
性結合器において、前記主線路と前記副線路との結合部
が磁性部材によって覆われている方向性結合器を提案す
る。
性結合器において、前記主線路と前記副線路との結合部
が磁性部材によって覆われている方向性結合器を提案す
る。
【００１２】
【作用】本発明の請求項１によれば、誘電体基板上に形
成された主線路及び副線路は、少なくとも前記主線路の
長さ方向の中央部分と前記副線路の長さ方向の中央部分
が平行に配置されて前記主線路と副線路との結合部が形
成されている。さらに、前記主線路の中央部分と前記副
線路の中央部分が、誘電体基板の表面に対して平行な方
向及び垂直な方向にずらして形成され、前記主線路の中
央部分と前記副線路の中央部分との間に誘電体部材が介
在されている。これにより、前記主線路と副線路との間
の距離が変わり、前記主線路と副線路との間の電磁結合
の状態が変化される。さらに、前記主線路と副線路との
結合面積が増大される。さらに、前記副線路の一端に
は、前記誘電体基板上に成膜形成された終端抵抗器が接
続され、該終端抵抗器の抵抗値を変えることにより整合
状態が変化される。
成された主線路及び副線路は、少なくとも前記主線路の
長さ方向の中央部分と前記副線路の長さ方向の中央部分
が平行に配置されて前記主線路と副線路との結合部が形
成されている。さらに、前記主線路の中央部分と前記副
線路の中央部分が、誘電体基板の表面に対して平行な方
向及び垂直な方向にずらして形成され、前記主線路の中
央部分と前記副線路の中央部分との間に誘電体部材が介
在されている。これにより、前記主線路と副線路との間
の距離が変わり、前記主線路と副線路との間の電磁結合
の状態が変化される。さらに、前記主線路と副線路との
結合面積が増大される。さらに、前記副線路の一端に
は、前記誘電体基板上に成膜形成された終端抵抗器が接
続され、該終端抵抗器の抵抗値を変えることにより整合
状態が変化される。
【００１３】また、請求項２によれば、前記主線路と副
線路との結合部が磁性部材により覆われているため、前
記主線路と副線路の周囲の透磁率が変わり、前記主線路
と副線路との間の電磁結合の状態が変化される。
線路との結合部が磁性部材により覆われているため、前
記主線路と副線路の周囲の透磁率が変わり、前記主線路
と副線路との間の電磁結合の状態が変化される。
【００１４】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明の第１の実施例を示す構成図で、
図１の(a)は平面図、図１の(b)は(a)におけるＡ−Ａ線
矢視方向の断面図であり、図５はその等価回路図であ
る。また、第１の実施例は、１．９ＧＨｚ程度の周波数
において用いられるように構成されている。図におい
て、１１は例えばアルミナ等の誘電体からなる基板で、
4.5mm×2.5mm×1.0mmの矩形状を有し、その上面には主
線路１２及び副線路１３が形成されている。
明する。図１は本発明の第１の実施例を示す構成図で、
図１の(a)は平面図、図１の(b)は(a)におけるＡ−Ａ線
矢視方向の断面図であり、図５はその等価回路図であ
る。また、第１の実施例は、１．９ＧＨｚ程度の周波数
において用いられるように構成されている。図におい
て、１１は例えばアルミナ等の誘電体からなる基板で、
4.5mm×2.5mm×1.0mmの矩形状を有し、その上面には主
線路１２及び副線路１３が形成されている。
【００１５】主線路１２及び副線路１３のそれぞれは、
厚膜印刷を用いて形成された所定の幅及び厚さを有する
ストリップラインからなり、副線路１３の中央部１３ａ
は直線状に形成された主線路１２に対して平行に形成さ
れている。また、副線路１３の中央部１３ａは、主線路
１２から基板表面に対して平行な方向に距離Ｌ１だけ離
れ、且つ基板表面に対して垂直な方向に距離Ｌ２だけ離
れた位置に形成されると共に、副線路１３の一端部には
厚膜印刷により７８Ωの抵抗値を有する終端抵抗器１４
が形成され、終端抵抗器１４を介して接地できるように
なっている。さらに、主線路１２と副線路１３との間に
は所定の誘電体、例えばガラス１５が介在されると共
に、主線路１２及び副線路１３の表面は両端部を除きガ
ラス１５によって覆われている。
厚膜印刷を用いて形成された所定の幅及び厚さを有する
ストリップラインからなり、副線路１３の中央部１３ａ
は直線状に形成された主線路１２に対して平行に形成さ
れている。また、副線路１３の中央部１３ａは、主線路
１２から基板表面に対して平行な方向に距離Ｌ１だけ離
れ、且つ基板表面に対して垂直な方向に距離Ｌ２だけ離
れた位置に形成されると共に、副線路１３の一端部には
厚膜印刷により７８Ωの抵抗値を有する終端抵抗器１４
が形成され、終端抵抗器１４を介して接地できるように
なっている。さらに、主線路１２と副線路１３との間に
は所定の誘電体、例えばガラス１５が介在されると共
に、主線路１２及び副線路１３の表面は両端部を除きガ
ラス１５によって覆われている。
【００１６】前述の構成によれば、主線路１２及び副線
路１３のそれぞれはインダクタを構成し、さらにこれら
の主線路１２及び副線路１３は接近して配置されると共
に、これらの間には誘電体が介在されているので、主線
路１２と副線路１３は誘導結合及び容量結合をなす。従
って、周知の容量誘導（ＣＭ）型方向性結合器が構成さ
れ、主線路１２の他端１２ｂから一端１２ｃへ向かう信
号のみが、副線路１３の他端１３ｂに出力される。
路１３のそれぞれはインダクタを構成し、さらにこれら
の主線路１２及び副線路１３は接近して配置されると共
に、これらの間には誘電体が介在されているので、主線
路１２と副線路１３は誘導結合及び容量結合をなす。従
って、周知の容量誘導（ＣＭ）型方向性結合器が構成さ
れ、主線路１２の他端１２ｂから一端１２ｃへ向かう信
号のみが、副線路１３の他端１３ｂに出力される。
【００１７】図６は、第１の実施例における特性の実測
値を示す図である。図において、横軸は周波数を、また
縦軸は挿入損失INS-LOSS、進行波Ｐｆ、及び反射波Ｐｒ
を表している。実測における周波数は０．１〜３．０Ｇ
Ｈｚとした。挿入損失INS-LOSSは周波数が変化してもほ
ぼ一定値を維持し、0.9GHz,1.2GHz,1.5GHz,1.9GHz,2.4G
Hzの５つの周波数ｆ1〜ｆ5における値はそれぞれ-0.04d
B,-0.05dB,-0.11dB,-0.13dB,-0.34dBとなり、実用上支
障の無い値となっている。また、周波数ｆ1〜ｆ5におけ
る進行波Ｐｆは-21.25dB,-19.98dB,-17.14dB,-15.13dB,
-13.45dBとなり、反射波Ｐｒは-47.24dB,-41.25dB,- 3
7.81dB,- 34.26dB,-31.50dBとなった。これにより、各
周波数ｆ1〜ｆ5における結合度は21.48dB,19.93dB,17.0
3dB,15.00dB,13.11dBとなり、また分離度は25.27dB,21.
27dB,20.67dB,19.13dB,18.05dBとなった。従って、広帯
域に亙って使用可能な小型の方向性結合器を得ることが
できた。
値を示す図である。図において、横軸は周波数を、また
縦軸は挿入損失INS-LOSS、進行波Ｐｆ、及び反射波Ｐｒ
を表している。実測における周波数は０．１〜３．０Ｇ
Ｈｚとした。挿入損失INS-LOSSは周波数が変化してもほ
ぼ一定値を維持し、0.9GHz,1.2GHz,1.5GHz,1.9GHz,2.4G
Hzの５つの周波数ｆ1〜ｆ5における値はそれぞれ-0.04d
B,-0.05dB,-0.11dB,-0.13dB,-0.34dBとなり、実用上支
障の無い値となっている。また、周波数ｆ1〜ｆ5におけ
る進行波Ｐｆは-21.25dB,-19.98dB,-17.14dB,-15.13dB,
-13.45dBとなり、反射波Ｐｒは-47.24dB,-41.25dB,- 3
7.81dB,- 34.26dB,-31.50dBとなった。これにより、各
周波数ｆ1〜ｆ5における結合度は21.48dB,19.93dB,17.0
3dB,15.00dB,13.11dBとなり、また分離度は25.27dB,21.
27dB,20.67dB,19.13dB,18.05dBとなった。従って、広帯
域に亙って使用可能な小型の方向性結合器を得ることが
できた。
【００１８】また、前述した距離Ｌ１，Ｌ２を変えて、
主線路１２と副線路１３との間の相対位置関係を変える
ことにより、結合度及び分離度を広範囲に亙って変化さ
せることができ、この場合、終端抵抗器１４の抵抗値を
変えることにより、容易に整合をとることができる。さ
らに、１／４波長結合線路を用いた方向性結合器に比べ
て実装時の占有面積を１／１０以下に小型化することが
できる。
主線路１２と副線路１３との間の相対位置関係を変える
ことにより、結合度及び分離度を広範囲に亙って変化さ
せることができ、この場合、終端抵抗器１４の抵抗値を
変えることにより、容易に整合をとることができる。さ
らに、１／４波長結合線路を用いた方向性結合器に比べ
て実装時の占有面積を１／１０以下に小型化することが
できる。
【００１９】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
図７は第２の実施例を示す構成図で、図７の(a)は平面
図、図７の(b)は(a)におけるＢ−Ｂ線矢視方向の断面図
であり、図８はその等価回路図である。また、第２の実
施例は、第１の実施例と同様に１．９ＧＨｚ程度の周波
数において用いられるように構成されている。図におい
て、２１は例えばアルミナ等の誘電体からなる基板で、
4.5mm×2.5mm×1.0mmの矩形状を有し、その上面には主
線路２２及び副線路２３が形成されている。
図７は第２の実施例を示す構成図で、図７の(a)は平面
図、図７の(b)は(a)におけるＢ−Ｂ線矢視方向の断面図
であり、図８はその等価回路図である。また、第２の実
施例は、第１の実施例と同様に１．９ＧＨｚ程度の周波
数において用いられるように構成されている。図におい
て、２１は例えばアルミナ等の誘電体からなる基板で、
4.5mm×2.5mm×1.0mmの矩形状を有し、その上面には主
線路２２及び副線路２３が形成されている。
【００２０】主線路２２及び副線路２３のそれぞれは、
厚膜印刷を用いて形成された所定の幅及び厚さを有する
ストリップラインからなり、副線路２３の中央部２３ａ
は直線状に形成された主線路２２の中央部２２ａに対し
て平行に形成されている。また、主線路２２及び副線路
２３の中央部２２ａ，２３ａは、基板表面に対して垂直
な方向に距離Ｌ３だけ離れた位置に形成されると共に、
これらの周囲はセンダスト或いは鉄等の磁性体からなる
コア２４によって囲まれている。さらに、コア２４と主
線路２２及び副線路２３との間にはガラス２５等の誘電
体が充填されると共に、コア２４の周囲はガラス２５に
よって覆われている。
厚膜印刷を用いて形成された所定の幅及び厚さを有する
ストリップラインからなり、副線路２３の中央部２３ａ
は直線状に形成された主線路２２の中央部２２ａに対し
て平行に形成されている。また、主線路２２及び副線路
２３の中央部２２ａ，２３ａは、基板表面に対して垂直
な方向に距離Ｌ３だけ離れた位置に形成されると共に、
これらの周囲はセンダスト或いは鉄等の磁性体からなる
コア２４によって囲まれている。さらに、コア２４と主
線路２２及び副線路２３との間にはガラス２５等の誘電
体が充填されると共に、コア２４の周囲はガラス２５に
よって覆われている。
【００２１】また、副線路２３の一端部には厚膜印刷に
より４３．６Ωの抵抗値を有する終端抵抗器２６が形成
され、副線路２３の一端部は終端抵抗器２６を介して接
地できるようになっている。
より４３．６Ωの抵抗値を有する終端抵抗器２６が形成
され、副線路２３の一端部は終端抵抗器２６を介して接
地できるようになっている。
【００２２】前述の構成によれば、主線路２２及び副線
路２３のそれぞれはインダクタを構成し、さらにこれら
の主線路２２及び副線路２３は接近して配置されると共
に、これらの間には誘電体が介在されているので、主線
路２２と副線路２３は誘導結合及び容量結合をなす。従
って、周知の容量誘導（ＣＭ）型方向性結合器が構成さ
れ、主線路２２の他端２２ａから一端２２ｂへ向かう信
号のみが、副線路２３の他端２３ａに出力される。
路２３のそれぞれはインダクタを構成し、さらにこれら
の主線路２２及び副線路２３は接近して配置されると共
に、これらの間には誘電体が介在されているので、主線
路２２と副線路２３は誘導結合及び容量結合をなす。従
って、周知の容量誘導（ＣＭ）型方向性結合器が構成さ
れ、主線路２２の他端２２ａから一端２２ｂへ向かう信
号のみが、副線路２３の他端２３ａに出力される。
【００２３】図９は、第２の実施例における特性の実測
値を示す図である。図において、横軸は周波数を、また
縦軸は挿入損失INS-LOSS、進行波Ｐｆ、及び反射波Ｐｒ
を表している。実測における周波数は０．１〜３．０Ｇ
Ｈｚとした。挿入損失INS-LOSSは周波数が変化してもほ
ぼ一定値を維持し、0.9GHz,1.2GHz,1.5GHz,1.9GHz,2.4G
Hzの５つの周波数ｆ1〜ｆ5における値はそれぞれ-0.11d
B,-0.18dB,-0.27dB,-0.43dB,-0.58dBとなった。また、
周波数ｆ1〜ｆ5における進行波Ｐｆは-13.26dB,-10.98d
B,-9.12dB,-7.19dB,-5.58dBとなり、反射波Ｐｒは-33.9
7dB,-28.77dB,-26.02dB,-23.10dB,-20.47dBとなった。
これにより、各周波数ｆ1〜ｆ5における結合度は13.15d
B,10.80dB,8.85dB,6.76dB,5.00dBとなり、また分離度は
20.71dB,17.79dB,16.90dB,15.91dB,14.89dBとなって、
広帯域に亙って使用可能となる。
値を示す図である。図において、横軸は周波数を、また
縦軸は挿入損失INS-LOSS、進行波Ｐｆ、及び反射波Ｐｒ
を表している。実測における周波数は０．１〜３．０Ｇ
Ｈｚとした。挿入損失INS-LOSSは周波数が変化してもほ
ぼ一定値を維持し、0.9GHz,1.2GHz,1.5GHz,1.9GHz,2.4G
Hzの５つの周波数ｆ1〜ｆ5における値はそれぞれ-0.11d
B,-0.18dB,-0.27dB,-0.43dB,-0.58dBとなった。また、
周波数ｆ1〜ｆ5における進行波Ｐｆは-13.26dB,-10.98d
B,-9.12dB,-7.19dB,-5.58dBとなり、反射波Ｐｒは-33.9
7dB,-28.77dB,-26.02dB,-23.10dB,-20.47dBとなった。
これにより、各周波数ｆ1〜ｆ5における結合度は13.15d
B,10.80dB,8.85dB,6.76dB,5.00dBとなり、また分離度は
20.71dB,17.79dB,16.90dB,15.91dB,14.89dBとなって、
広帯域に亙って使用可能となる。
【００２４】また、前述したように主線路２２と副線路
２３の中央部２２ａ，２３ａをコア２４によって囲むこ
とにより、主線路２２と副線路２３との間の結合度を高
めることができると共に、より低域での動作が可能とな
る。但し、コア２４を使用することにより挿入損失が増
大するが、低域のため問題はない。またこの場合、分離
度が若干悪化するが終端抵抗器２６の抵抗値を変えるこ
とによって調整可能である。さらに、コア２４を使用す
ることにより、見かけ上のインダクタンスが増加するた
め動作範囲が広がると共に、１／４波長結合線路を用い
た方向性結合器に比べて実装時の占有面積を１／１０以
下に小型化することができる。
２３の中央部２２ａ，２３ａをコア２４によって囲むこ
とにより、主線路２２と副線路２３との間の結合度を高
めることができると共に、より低域での動作が可能とな
る。但し、コア２４を使用することにより挿入損失が増
大するが、低域のため問題はない。またこの場合、分離
度が若干悪化するが終端抵抗器２６の抵抗値を変えるこ
とによって調整可能である。さらに、コア２４を使用す
ることにより、見かけ上のインダクタンスが増加するた
め動作範囲が広がると共に、１／４波長結合線路を用い
た方向性結合器に比べて実装時の占有面積を１／１０以
下に小型化することができる。
【００２５】尚、本実施例における構成は一例でありこ
れに限定されることはない。
れに限定されることはない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
よれば、主線路及び副線路を誘電体基板の表面に対して
平行な方向及び垂直な方向にずらして形成することによ
り、前記主線路と副線路との間の電磁結合の状態が変化
されるので、前記主線路と副線路との間の結合度の調整
範囲が広がり、挿入損失の周波数特性を所望の設計値に
容易に設定することができると共に、形状を小型に形成
することができる。さらに、副線路の一端に、誘電体基
板上に成膜形成された終端抵抗器が接続されて整合状態
が所望の値に設定されるので、使用する際に整合用の抵
抗器を負荷する必要がなくなると共に、最良の整合状態
に設定することができる。
よれば、主線路及び副線路を誘電体基板の表面に対して
平行な方向及び垂直な方向にずらして形成することによ
り、前記主線路と副線路との間の電磁結合の状態が変化
されるので、前記主線路と副線路との間の結合度の調整
範囲が広がり、挿入損失の周波数特性を所望の設計値に
容易に設定することができると共に、形状を小型に形成
することができる。さらに、副線路の一端に、誘電体基
板上に成膜形成された終端抵抗器が接続されて整合状態
が所望の値に設定されるので、使用する際に整合用の抵
抗器を負荷する必要がなくなると共に、最良の整合状態
に設定することができる。
【００２７】また、請求項２によれば、上記の効果に加
えて、主線路と副線路との結合部の周囲の透磁率が高め
られるので、前記主線路と副線路との間の結合度を高め
ることができると共に、前記主線路と副線路の抵抗値を
増大させること無くインダクタンス成分を大きくする事
ができ、前記主線路と副線路との間の結合度を増大させ
ることができる。
えて、主線路と副線路との結合部の周囲の透磁率が高め
られるので、前記主線路と副線路との間の結合度を高め
ることができると共に、前記主線路と副線路の抵抗値を
増大させること無くインダクタンス成分を大きくする事
ができ、前記主線路と副線路との間の結合度を増大させ
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図
【図２】従来例の等価回路を示す図
【図３】従来例の断面構造図
【図４】従来例の特性を示す図
【図５】第１の実施例の等価回路を示す図
【図６】第１の実施例の特性を示す図
【図７】第２の実施例を示す構成図
【図８】第２の実施例の等価回路を示す図
【図９】第２の実施例の特性を示す図
１１，２１…基板、１２，２２…主線路、１３，２３…
副線路、１４，２６…終端抵抗器、１５，２５…ガラ
ス、２４…コア。
副線路、１４，２６…終端抵抗器、１５，２５…ガラ
ス、２４…コア。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−26201（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219714（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−110089（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−40008（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭46−35635（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 5/18
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板上に形成されたマイクロスト
リップ線路からなる主線路と少なくとも一の副線路と、前記誘電体基板上に成膜形成され前記副線路の一端に接
続された終端抵抗器とを備え、 少なくとも前記主線路の長さ方向の中央部分と前記副線
路の長さ方向の中央部分が平行に配置されて前記主線路
と副線路との結合部が形成されており、 前記主線路の中央部分と前記副線路の中央部分とが、前
記誘電体基板の表面に対して平行な方向及び垂直な方向
に所定距離ずらして形成されていると共に、前記主線路の中央部分と前記副線路の中央部分との間に
誘電体部材が介在されている ことを特徴とする方向性結
合器。 - 【請求項２】 前記主線路と前記副線路との結合部が磁
性部材によって覆われていることを特徴とする請求項１
に記載の方向性結合器。 【０００１】
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|---|---|---|---|
| JP19725192A JP3215170B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 方向性結合器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19725192A JP3215170B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 方向性結合器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645811A JPH0645811A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3215170B2 true JP3215170B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=16371362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19725192A Expired - Lifetime JP3215170B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 方向性結合器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3215170B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102427576B1 (ko) * | 2020-07-16 | 2022-08-02 | 주식회사 양지사 | 모자 클린 패드 |
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| US6342681B1 (en) | 1997-10-15 | 2002-01-29 | Avx Corporation | Surface mount coupler device |
| KR100431521B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2004-05-22 | 박종국 | 불균형적인 결합구조를 통해 길이축소 및 높은 지향성을갖는 방향성 결합기 |
| WO2004097973A1 (en) | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | An improved directional coupler |
| DE10342611A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | 90° Hybrid zum Splitten oder Zusammenführen von Hochfrequenzleistung |
| KR100600823B1 (ko) * | 2004-07-06 | 2006-07-14 | 한국전자통신연구원 | 전력 가변부를 구비한 방향성 결합기 |
| JP2008060915A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッド回路 |
| JP2010081507A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 方向性結合器 |
| JP2010200110A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 方向性結合器 |
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| JP6351484B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-07-04 | 三菱電機株式会社 | 結合線路 |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP19725192A patent/JP3215170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102427576B1 (ko) * | 2020-07-16 | 2022-08-02 | 주식회사 양지사 | 모자 클린 패드 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645811A (ja) | 1994-02-18 |
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