JPH07176908A - 誘電体共振部品およびその特性調整方法 - Google Patents
誘電体共振部品およびその特性調整方法Info
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- JPH07176908A JPH07176908A JP5316768A JP31676893A JPH07176908A JP H07176908 A JPH07176908 A JP H07176908A JP 5316768 A JP5316768 A JP 5316768A JP 31676893 A JP31676893 A JP 31676893A JP H07176908 A JPH07176908 A JP H07176908A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 小型、面実装可能、かつ安価で、しかも設計
期間を短縮する。 【構成】 誘電体ブロック１Ａは、端面１１ａ，１１ｂ
と、端面１１ａから端面１１ｂにわたる複数の側面１１
ｃと、その内部を貫通し端面１１ａ及び１１ｂで開口す
る内導体形成孔１２ａ，１２ｂとを有する。内導体１４
は、内導体形成孔１２ａ，１２ｂの内部に形成される。
樹脂成型体２Ａは、ピン挿入孔２２ａ，２２ｂを有し、
内導体形成孔１２ａ，１２ｂに装着される。入出力端子
２１ａ，２１ｂは、内導体１４および外導体１５と絶縁
された状態で樹脂成型体２Ａに形成される。金属ピン３
は、入出力端子２１ａ，２１ｂと導通するとともに、内
導体１４との間で外部結合容量を形成する。シールド手
段としての外導体１５は、第２の端面に形成され、電磁
波が外部に漏れるのを防止する。
期間を短縮する。 【構成】 誘電体ブロック１Ａは、端面１１ａ，１１ｂ
と、端面１１ａから端面１１ｂにわたる複数の側面１１
ｃと、その内部を貫通し端面１１ａ及び１１ｂで開口す
る内導体形成孔１２ａ，１２ｂとを有する。内導体１４
は、内導体形成孔１２ａ，１２ｂの内部に形成される。
樹脂成型体２Ａは、ピン挿入孔２２ａ，２２ｂを有し、
内導体形成孔１２ａ，１２ｂに装着される。入出力端子
２１ａ，２１ｂは、内導体１４および外導体１５と絶縁
された状態で樹脂成型体２Ａに形成される。金属ピン３
は、入出力端子２１ａ，２１ｂと導通するとともに、内
導体１４との間で外部結合容量を形成する。シールド手
段としての外導体１５は、第２の端面に形成され、電磁
波が外部に漏れるのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振部品および
その特性調整方法に関し、より特定的には、単一または
複数の誘電体同軸共振器を有する誘電体共振部品および
その特性調整方法に関する。
その特性調整方法に関し、より特定的には、単一または
複数の誘電体同軸共振器を有する誘電体共振部品および
その特性調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来の他の誘電体共振部品の構
造を示す外観図であり、図１１は図１０の誘電体共振部
品の分解斜視図である。なお、図１１においては、誘電
体ブロック１００を一部切り欠いて図示する。図１０、
図１１の誘電体共振部品は、３段の帯域通過フィルタと
して動作するよう設計されている。図１０および図１１
に示すように、誘電体共振部品は、概略的に、誘電体材
料で形成されたほぼ直方体形状の誘電体ブロック１００
と、樹脂成型体１１０と、金属ピン１２０と、磁気シー
ルドするための上金属ケース１３０および下金属ケース
１４０とを備える。
造を示す外観図であり、図１１は図１０の誘電体共振部
品の分解斜視図である。なお、図１１においては、誘電
体ブロック１００を一部切り欠いて図示する。図１０、
図１１の誘電体共振部品は、３段の帯域通過フィルタと
して動作するよう設計されている。図１０および図１１
に示すように、誘電体共振部品は、概略的に、誘電体材
料で形成されたほぼ直方体形状の誘電体ブロック１００
と、樹脂成型体１１０と、金属ピン１２０と、磁気シー
ルドするための上金属ケース１３０および下金属ケース
１４０とを備える。
【０００３】誘電体ブロック１００には、３本の内導体
形成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃが形成される。ま
た、内導体形成孔１０２ａと１０２ｂとの間には結合孔
１０３ａが形成され、内導体形成孔１０２ｂと１０２ｃ
との間には結合孔１０３ｂが形成される。内導体形成孔
１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ、結合孔１０３ａ，１０
３ｂは、それぞれ誘電体ブロック１００の内部を貫通
し、誘電体ブロック１００の第１および第２の端面１０
１ａおよび１０１ｂにおいて開口部を形成している。内
導体形成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの内周面に
は、内導体１０４が形成される。内導体１０４は、その
一方端部が内導体形成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ
の一端開口部まで延びており、その他方端部が内導体形
成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの他端開口部まで延
びている。誘電体ブロック１００の外周面には、第２の
端面１０１ｂを除く部分に外導体１０５が形成されてい
る。したがって、内導体１０４は、その一方端部（短絡
端部）が誘電体ブロック１００の第１の端面１０１ａに
おいて外導体１０５と導通し、その他方端部（開放端
部）が誘電体ブロック１００の第２の端面１０１ｂにお
いて外導体１０５と絶縁している。
形成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃが形成される。ま
た、内導体形成孔１０２ａと１０２ｂとの間には結合孔
１０３ａが形成され、内導体形成孔１０２ｂと１０２ｃ
との間には結合孔１０３ｂが形成される。内導体形成孔
１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ、結合孔１０３ａ，１０
３ｂは、それぞれ誘電体ブロック１００の内部を貫通
し、誘電体ブロック１００の第１および第２の端面１０
１ａおよび１０１ｂにおいて開口部を形成している。内
導体形成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの内周面に
は、内導体１０４が形成される。内導体１０４は、その
一方端部が内導体形成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ
の一端開口部まで延びており、その他方端部が内導体形
成孔１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの他端開口部まで延
びている。誘電体ブロック１００の外周面には、第２の
端面１０１ｂを除く部分に外導体１０５が形成されてい
る。したがって、内導体１０４は、その一方端部（短絡
端部）が誘電体ブロック１００の第１の端面１０１ａに
おいて外導体１０５と導通し、その他方端部（開放端
部）が誘電体ブロック１００の第２の端面１０１ｂにお
いて外導体１０５と絶縁している。
【０００４】樹脂成型体１１０は、樹脂製誘電体材料で
成型加工される。樹脂成型体１１０には、入出力端子１
１１がインサートモールドされる。また、樹脂成型体１
１０には、金属ピン１２０を挿入するためのピン挿入孔
１１２が設けられる。樹脂成型体１１０は、内導体形成
孔１０２ａ，１０２ｃに装着される。金属ピン１２０
は、ピン挿入孔１１２に挿入される。これにより、金属
ピン１２０は、入出力端子１１１と導通するとともに、
内導体１０４との間で外部結合容量Ｃｅを形成する。下
金属ケース１４０には、接地するための複数のタブ端子
（図示５つ）１４１と、誘電体ブロック１００を固定す
るための固定部１４２が設けられる。タブ端子１４１
は、所定の回路が形成された基板（図示せず）上におい
て、接地用のランドに半田付けされる。また、上金属ケ
ース１３０，下金属ケース１４０には、両金属ケースを
係合固定するための係合孔１３３、係合舌片１４３がそ
れぞれ設けられる。ところで、誘電体ブロック１００の
第２の端面１０１ｂには外導体１０５が形成されていな
いため、第２の端面１０１ｂから出力された電磁波が外
部に漏れるおそれがある。しかしながら、上金属ケース
１３０、下金属ケース１４０により、第２の端面から出
力された電磁波が外部に漏れるのが防止される。
成型加工される。樹脂成型体１１０には、入出力端子１
１１がインサートモールドされる。また、樹脂成型体１
１０には、金属ピン１２０を挿入するためのピン挿入孔
１１２が設けられる。樹脂成型体１１０は、内導体形成
孔１０２ａ，１０２ｃに装着される。金属ピン１２０
は、ピン挿入孔１１２に挿入される。これにより、金属
ピン１２０は、入出力端子１１１と導通するとともに、
内導体１０４との間で外部結合容量Ｃｅを形成する。下
金属ケース１４０には、接地するための複数のタブ端子
（図示５つ）１４１と、誘電体ブロック１００を固定す
るための固定部１４２が設けられる。タブ端子１４１
は、所定の回路が形成された基板（図示せず）上におい
て、接地用のランドに半田付けされる。また、上金属ケ
ース１３０，下金属ケース１４０には、両金属ケースを
係合固定するための係合孔１３３、係合舌片１４３がそ
れぞれ設けられる。ところで、誘電体ブロック１００の
第２の端面１０１ｂには外導体１０５が形成されていな
いため、第２の端面１０１ｂから出力された電磁波が外
部に漏れるおそれがある。しかしながら、上金属ケース
１３０、下金属ケース１４０により、第２の端面から出
力された電磁波が外部に漏れるのが防止される。
【０００５】上記のような構成を有する図１０および図
１１の誘電体共振部品は、単一の誘電体ブロック１の内
部に３つの誘電体同軸共振器を備える。３つの誘電体同
軸共振器は、結合孔１０３ａ，１０３ｂにより磁界結合
される。各誘電体同軸共振器間の結合度は、結合孔１０
３ａ，１０３ｂの径，長さ，位置等を変えることによっ
て調整される。また、入出力電極１１２すなわち金属ピ
ン１２０と内導体１０４との間で外部結合容量Ｃｅがそ
れぞれ形成され、内導体形成孔１０２ａ，１０２ｃの各
誘電体同軸共振器は、外部結合容量Ｃｅおよび金属ピン
１２０を介して、入出力電極２０６，２０７にそれぞれ
接続される。これにより、誘電体共振部品は、３段の帯
域通過フィルタとして動作する。なお、各外部結合容量
Ｃｅの容量値は、金属ピン１２０のピン挿入孔１１２へ
の挿入量を変えることによって調整される。
１１の誘電体共振部品は、単一の誘電体ブロック１の内
部に３つの誘電体同軸共振器を備える。３つの誘電体同
軸共振器は、結合孔１０３ａ，１０３ｂにより磁界結合
される。各誘電体同軸共振器間の結合度は、結合孔１０
３ａ，１０３ｂの径，長さ，位置等を変えることによっ
て調整される。また、入出力電極１１２すなわち金属ピ
ン１２０と内導体１０４との間で外部結合容量Ｃｅがそ
れぞれ形成され、内導体形成孔１０２ａ，１０２ｃの各
誘電体同軸共振器は、外部結合容量Ｃｅおよび金属ピン
１２０を介して、入出力電極２０６，２０７にそれぞれ
接続される。これにより、誘電体共振部品は、３段の帯
域通過フィルタとして動作する。なお、各外部結合容量
Ｃｅの容量値は、金属ピン１２０のピン挿入孔１１２へ
の挿入量を変えることによって調整される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１
０，図１１の誘電体共振部品では、上金属ケース１３
０、下金属ケース１４０を設けるようにしているため、
誘電体共振部品の厚み、幅、長さがそれぞれ大きくな
り、タブ端子１４１が上金属ケース１３０、下金属ケー
ス１４０から突出するとともに部品点数が増加する。こ
のため、誘電体共振部品が大型化し、面実装に適さず、
高価になるという問題点があった。
０，図１１の誘電体共振部品では、上金属ケース１３
０、下金属ケース１４０を設けるようにしているため、
誘電体共振部品の厚み、幅、長さがそれぞれ大きくな
り、タブ端子１４１が上金属ケース１３０、下金属ケー
ス１４０から突出するとともに部品点数が増加する。こ
のため、誘電体共振部品が大型化し、面実装に適さず、
高価になるという問題点があった。
【０００７】一方、図１０，図１１の誘電体共振部品の
問題点を解決する図１２，図１３に示す誘電体共振部品
が従来から提案されている。図１２は従来の他の誘電体
共振部品の構成を示す外観斜視図であり、図１３は図１
２の誘電体共振部品の信号入出力電極形成面を下にし、
線Ａ−Ａ’に沿って切断、分離した状態を示す分解断面
図である。図１２、図１３の誘電体共振部品は、２段の
帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）として動作するよう設計さ
れている。図１２および図１３に示すように、誘電体材
料で構成されたほぼ直方体形状の誘電体ブロック２０１
には、２本の内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂが形成さ
れる。内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂは、それぞれ誘
電体ブロック２０１の内部を貫通し、誘電体ブロック２
０１の第１および第２の端面２０１ａおよび２０１ｂに
おいて開口部を形成している。内導体形成孔２０２ａ，
２０２ｂの内周面には、内導体２０４がそれぞれ形成さ
れる。内導体２０４の一方端部は内導体形成孔２０２
ａ，２０２ｂの一端開口部まで延びており、内導体２０
４の他方端部は内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂの他端
開口部の手前まで延びている。誘電体ブロック２０１の
外周面には、第１の端面２０１ａ、第２の端面２０１ｂ
および内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂの他端開口部を
含めて、外導体２０５が形成される。したがって、内導
体２０４は、その一方端部（短絡端部）が誘電体ブロッ
ク２０１の第１の端面２０１ａにおいて外導体２０５と
導通しており、その他方端部（開放端部）が誘電体ブロ
ック２０１の内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂの他端開
口部において外導体２０５と絶縁している。すなわち、
内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂにおいて、内導体２０
４と外導体２０５との間には、導体非成形部２０８が形
成される。また、誘電体ブロック２０１の外周面には、
外導体２０５と絶縁した状態で、入出力電極２０６，２
０７が形成される。なお、外導体２０５は、基板（図示
せず）上において、接地用のランドに半田付けされる。
問題点を解決する図１２，図１３に示す誘電体共振部品
が従来から提案されている。図１２は従来の他の誘電体
共振部品の構成を示す外観斜視図であり、図１３は図１
２の誘電体共振部品の信号入出力電極形成面を下にし、
線Ａ−Ａ’に沿って切断、分離した状態を示す分解断面
図である。図１２、図１３の誘電体共振部品は、２段の
帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）として動作するよう設計さ
れている。図１２および図１３に示すように、誘電体材
料で構成されたほぼ直方体形状の誘電体ブロック２０１
には、２本の内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂが形成さ
れる。内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂは、それぞれ誘
電体ブロック２０１の内部を貫通し、誘電体ブロック２
０１の第１および第２の端面２０１ａおよび２０１ｂに
おいて開口部を形成している。内導体形成孔２０２ａ，
２０２ｂの内周面には、内導体２０４がそれぞれ形成さ
れる。内導体２０４の一方端部は内導体形成孔２０２
ａ，２０２ｂの一端開口部まで延びており、内導体２０
４の他方端部は内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂの他端
開口部の手前まで延びている。誘電体ブロック２０１の
外周面には、第１の端面２０１ａ、第２の端面２０１ｂ
および内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂの他端開口部を
含めて、外導体２０５が形成される。したがって、内導
体２０４は、その一方端部（短絡端部）が誘電体ブロッ
ク２０１の第１の端面２０１ａにおいて外導体２０５と
導通しており、その他方端部（開放端部）が誘電体ブロ
ック２０１の内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂの他端開
口部において外導体２０５と絶縁している。すなわち、
内導体形成孔２０２ａ，２０２ｂにおいて、内導体２０
４と外導体２０５との間には、導体非成形部２０８が形
成される。また、誘電体ブロック２０１の外周面には、
外導体２０５と絶縁した状態で、入出力電極２０６，２
０７が形成される。なお、外導体２０５は、基板（図示
せず）上において、接地用のランドに半田付けされる。
【０００８】上記のような構成を有する図１２および図
１３の誘電体共振部品は、単一の誘電体ブロック２０１
の内部に２つの誘電体同軸共振器を備えている。２つの
誘電体同軸共振器は、２つの導体非成形部２０８により
容量性結合される。また、入出力電極２０６と内導体２
０４との間および入出力電極２０７と内導体２０４との
間で外部結合容量Ｃｅがそれぞれ形成され、各誘電体同
軸共振器は、外部結合容量Ｃｅを介して入出力電極２０
６，２０７にそれぞれ接続される。これにより、誘電体
共振部品は、２段の帯域通過フィルタとして動作する。
なお、各外部結合容量Ｃｅの容量は、入出力電極２０
６，２０７の面積、配置位置や内導体形成孔２０２ａ，
２０２ｂの径等を変えることによって調整される。
１３の誘電体共振部品は、単一の誘電体ブロック２０１
の内部に２つの誘電体同軸共振器を備えている。２つの
誘電体同軸共振器は、２つの導体非成形部２０８により
容量性結合される。また、入出力電極２０６と内導体２
０４との間および入出力電極２０７と内導体２０４との
間で外部結合容量Ｃｅがそれぞれ形成され、各誘電体同
軸共振器は、外部結合容量Ｃｅを介して入出力電極２０
６，２０７にそれぞれ接続される。これにより、誘電体
共振部品は、２段の帯域通過フィルタとして動作する。
なお、各外部結合容量Ｃｅの容量は、入出力電極２０
６，２０７の面積、配置位置や内導体形成孔２０２ａ，
２０２ｂの径等を変えることによって調整される。
【０００９】しかしながら、図１２，図１３の誘電体共
振部品では、誘電体ブロック２０１の外周面に形成され
た入出力電極２０６，２０７と内導体２０４との間で外
部結合容量Ｃｅを形成するようにしていたので、周波数
特性等の調整や、変更等のため、外部結合容量Ｃｅの容
量値を変えるには、入出力電極２０６，２０７の面積
や、配置位置等を一から設計し直す必要がある。このた
め、誘電体共振部品の設計期間が長くなるという問題点
があった。
振部品では、誘電体ブロック２０１の外周面に形成され
た入出力電極２０６，２０７と内導体２０４との間で外
部結合容量Ｃｅを形成するようにしていたので、周波数
特性等の調整や、変更等のため、外部結合容量Ｃｅの容
量値を変えるには、入出力電極２０６，２０７の面積
や、配置位置等を一から設計し直す必要がある。このた
め、誘電体共振部品の設計期間が長くなるという問題点
があった。
【００１０】本発明は、上述の技術的課題を解決し、小
型、面実装可能、かつ安価で、しかも設計期間を短縮で
きる誘電体共振部品およびその特性調整方法を提供する
ことを目的とする。
型、面実装可能、かつ安価で、しかも設計期間を短縮で
きる誘電体共振部品およびその特性調整方法を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
誘電体同軸共振器を有する誘電体共振部品であって、誘
電体材料で形成され、第１および第２の端面と、第１の
端面から第２の端面にわたる複数の側面と、その内部を
貫通し第１および第２の端面で開口する内導体形成孔と
を有する誘電体ブロック、内導体形成孔の内部に形成さ
れた内導体、誘電体ブロックの少なくとも側面および第
１の端面に形成された外導体、樹脂製誘電体材料で成型
加工され、ピン挿入孔を有し、内導体形成孔に装着され
る樹脂成型体、内導体および外導体と絶縁された状態で
樹脂成型体に形成される入出力端子、ピン挿入孔に挿入
されることにより、入出力端子と導通するとともに、内
導体との間で外部結合容量を形成する金属ピン、および
第２の端面および樹脂成型体の少なくともいずれか一方
に形成され、電磁波が外部に漏れるのを防止するシール
ド手段を備える。
誘電体同軸共振器を有する誘電体共振部品であって、誘
電体材料で形成され、第１および第２の端面と、第１の
端面から第２の端面にわたる複数の側面と、その内部を
貫通し第１および第２の端面で開口する内導体形成孔と
を有する誘電体ブロック、内導体形成孔の内部に形成さ
れた内導体、誘電体ブロックの少なくとも側面および第
１の端面に形成された外導体、樹脂製誘電体材料で成型
加工され、ピン挿入孔を有し、内導体形成孔に装着され
る樹脂成型体、内導体および外導体と絶縁された状態で
樹脂成型体に形成される入出力端子、ピン挿入孔に挿入
されることにより、入出力端子と導通するとともに、内
導体との間で外部結合容量を形成する金属ピン、および
第２の端面および樹脂成型体の少なくともいずれか一方
に形成され、電磁波が外部に漏れるのを防止するシール
ド手段を備える。
【００１２】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
ものにおいて、シールド手段は、第２の端面に形成され
る第１の導体膜である。
ものにおいて、シールド手段は、第２の端面に形成され
る第１の導体膜である。
【００１３】請求項３に係る発明は、請求項１に記載の
ものにおいて、シールド手段は、樹脂成型体の外周面に
形成される第２の導体膜である。
ものにおいて、シールド手段は、樹脂成型体の外周面に
形成される第２の導体膜である。
【００１４】請求項４に係る発明は、誘電体同軸共振器
を有する誘電体共振部品の特性調整方法であって、誘電
体共振部品は、誘電体材料で形成され、第１および第２
の端面と、第１の端面から第２の端面にわたる複数の側
面と、その内部を貫通し第１および第２の端面で開口す
る内導体形成孔とを有する誘電体ブロック、内導体形成
孔の内部に形成された内導体、誘電体ブロックの少なく
とも側面および第１の端面に形成された外導体、樹脂製
誘電体材料で成型加工され、ピン挿入孔を有し、内導体
形成孔に装着される樹脂成型体、内導体および外導体と
絶縁された状態で樹脂成型体に形成される入出力端子、
ピン挿入孔に挿入されることにより、入出力端子と導通
するとともに、内導体との間で外部結合容量を形成する
金属ピン、および第２の端面および樹脂成型体の少なく
ともいずれか一方に形成され、電磁波が外部に漏れるの
を防止するシールド手段を備え、金属ピンのピン挿入孔
への挿入量を調節することにより外部結合容量を調整す
ることを特徴とする。
を有する誘電体共振部品の特性調整方法であって、誘電
体共振部品は、誘電体材料で形成され、第１および第２
の端面と、第１の端面から第２の端面にわたる複数の側
面と、その内部を貫通し第１および第２の端面で開口す
る内導体形成孔とを有する誘電体ブロック、内導体形成
孔の内部に形成された内導体、誘電体ブロックの少なく
とも側面および第１の端面に形成された外導体、樹脂製
誘電体材料で成型加工され、ピン挿入孔を有し、内導体
形成孔に装着される樹脂成型体、内導体および外導体と
絶縁された状態で樹脂成型体に形成される入出力端子、
ピン挿入孔に挿入されることにより、入出力端子と導通
するとともに、内導体との間で外部結合容量を形成する
金属ピン、および第２の端面および樹脂成型体の少なく
ともいずれか一方に形成され、電磁波が外部に漏れるの
を防止するシールド手段を備え、金属ピンのピン挿入孔
への挿入量を調節することにより外部結合容量を調整す
ることを特徴とする。
【００１５】
【作用】請求項１および４に係る発明においては、誘電
体ブロックの第２の端面および樹脂成型体の少なくとも
いずれか一方に、シールド手段を形成するようにしてい
る。このため、上金属ケース，下金属ケースの必要がな
いため、厚み、幅、長さのサイズをそれぞれ小型化で
き、部品点数が減少し、小型化することができ、面実装
も容易になり、しかも安価になる。また、樹脂成型体の
ピン挿入孔に金属ピンを挿入することにより、入出力端
子と導通するとともに、内導体との間で外部結合容量を
形成し、金属ピンのピン挿入孔への挿入量により外部結
合容量を調整するようにしている。このため、入出力電
極の面積や、配置位置等を一から設計し直す必要がなく
なり、誘電体共振部品の設計期間が必要ない。
体ブロックの第２の端面および樹脂成型体の少なくとも
いずれか一方に、シールド手段を形成するようにしてい
る。このため、上金属ケース，下金属ケースの必要がな
いため、厚み、幅、長さのサイズをそれぞれ小型化で
き、部品点数が減少し、小型化することができ、面実装
も容易になり、しかも安価になる。また、樹脂成型体の
ピン挿入孔に金属ピンを挿入することにより、入出力端
子と導通するとともに、内導体との間で外部結合容量を
形成し、金属ピンのピン挿入孔への挿入量により外部結
合容量を調整するようにしている。このため、入出力電
極の面積や、配置位置等を一から設計し直す必要がなく
なり、誘電体共振部品の設計期間が必要ない。
【００１６】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の第１の実施例の誘電体共振部品の
構造を示す外観図であり、図２は図１の誘電体共振部品
の分解斜視図であり、図３は図１の誘電体共振部品の線
Ａ−Ａ’に沿う断面図である。なお、図２においては、
誘電体ブロック１を一部切り欠いて図示する。図１〜図
３の誘電体共振部品は、２段の帯域通過フィルタとして
動作するよう設計されている。図１〜図３において、誘
電体共振部品は、概略的に、誘電体材料（例えば、比誘
電率εｒ＝９０程度のセラミック等）で形成されたほぼ
直方体形状の誘電体ブロック１Ａと、樹脂成型体２Ａ
と、２つの金属ピン３とを備える。
する。図１は本発明の第１の実施例の誘電体共振部品の
構造を示す外観図であり、図２は図１の誘電体共振部品
の分解斜視図であり、図３は図１の誘電体共振部品の線
Ａ−Ａ’に沿う断面図である。なお、図２においては、
誘電体ブロック１を一部切り欠いて図示する。図１〜図
３の誘電体共振部品は、２段の帯域通過フィルタとして
動作するよう設計されている。図１〜図３において、誘
電体共振部品は、概略的に、誘電体材料（例えば、比誘
電率εｒ＝９０程度のセラミック等）で形成されたほぼ
直方体形状の誘電体ブロック１Ａと、樹脂成型体２Ａ
と、２つの金属ピン３とを備える。
【００１７】誘電体ブロック１Ａには、２本の内導体形
成孔１２ａ，１２ｂが形成される。内導体形成孔１２
ａ，１２ｂは、それぞれ誘電体ブロック１Ａの内部を貫
通し、誘電体ブロック１Ａの第１および第２の端面１１
ａおよび１１ｂにおいて開口部を形成している。内導体
形成孔１２ａ，１２ｂの内周面には、内導体１４が形成
される。内導体１４は、その一方端部が内導体形成孔１
２ａ，１２ｂの一端開口部まで延びており、その他方端
部が内導体形成孔１２ａ，１２ｂの他端開口部手前まで
延びている。誘電体ブロック１の第１の端面１１ａと、
側面１１ｃとには、外導体１５が形成されている。した
がって、内導体１４の一方端部（短絡端部）は、誘電体
ブロック１Ａの第１の端面１１ａにおいて外導体１５と
導通する。また、誘電体ブロック１の第２の端面１１ｂ
には、シールド手段、特に第１の導体膜としての外導体
１５が形成されている。さらに、内導体形成孔１２ａ，
１２ｂの他端開口部には、内導体１４と所定の間隔を開
けて外導体１５が形成されている。このため、内導体１
４の他方端部（開放端部）が誘電体ブロック１Ａの内導
体形成孔１２ａ，１２ｂにおいて外導体１５と絶縁して
いる。すなわち、内導体形成孔１２ａ，１２ｂの他端開
口部近傍において、内導体１４と外導体１５との間に
は、リング状の導体非成形部１８が形成される。
成孔１２ａ，１２ｂが形成される。内導体形成孔１２
ａ，１２ｂは、それぞれ誘電体ブロック１Ａの内部を貫
通し、誘電体ブロック１Ａの第１および第２の端面１１
ａおよび１１ｂにおいて開口部を形成している。内導体
形成孔１２ａ，１２ｂの内周面には、内導体１４が形成
される。内導体１４は、その一方端部が内導体形成孔１
２ａ，１２ｂの一端開口部まで延びており、その他方端
部が内導体形成孔１２ａ，１２ｂの他端開口部手前まで
延びている。誘電体ブロック１の第１の端面１１ａと、
側面１１ｃとには、外導体１５が形成されている。した
がって、内導体１４の一方端部（短絡端部）は、誘電体
ブロック１Ａの第１の端面１１ａにおいて外導体１５と
導通する。また、誘電体ブロック１の第２の端面１１ｂ
には、シールド手段、特に第１の導体膜としての外導体
１５が形成されている。さらに、内導体形成孔１２ａ，
１２ｂの他端開口部には、内導体１４と所定の間隔を開
けて外導体１５が形成されている。このため、内導体１
４の他方端部（開放端部）が誘電体ブロック１Ａの内導
体形成孔１２ａ，１２ｂにおいて外導体１５と絶縁して
いる。すなわち、内導体形成孔１２ａ，１２ｂの他端開
口部近傍において、内導体１４と外導体１５との間に
は、リング状の導体非成形部１８が形成される。
【００１８】この誘電体ブロック１Ａでは、導体非成形
部１８を除き、誘電体ブロック１の外周、特に第２の端
面１１ｂには、外導体１５が形成されている。このた
め、第２の端面１１ｂから外部に出ようとする電磁界
は、第２の端面１１ｂに形成された外導体１５によりシ
ールドされるため、外部に漏れることはない。したがっ
て、図１０，図１１の誘電体共振部品のような上金属ケ
ース１３０，下金属ケース１４０を使用する必要がない
ため、厚み、幅、長さのサイズをそれぞれ小型化でき、
部品点数が減少し、小型化することができ、面実装も容
易になり、しかも安価になる。このような誘電体ブロッ
ク１Ａは、例えば、内導体形成孔１２ａ，１２ｂを形成
後、導体非成形部１８にメッキ不可能な樹脂等を塗布
し、誘電体ブロック１全体に銅メッキを膜状に施すこと
により形成される。なお、外導体１５は、所定の回路が
形成された基板（図示せず）上において、接地用のラン
ドに半田付けされる。
部１８を除き、誘電体ブロック１の外周、特に第２の端
面１１ｂには、外導体１５が形成されている。このた
め、第２の端面１１ｂから外部に出ようとする電磁界
は、第２の端面１１ｂに形成された外導体１５によりシ
ールドされるため、外部に漏れることはない。したがっ
て、図１０，図１１の誘電体共振部品のような上金属ケ
ース１３０，下金属ケース１４０を使用する必要がない
ため、厚み、幅、長さのサイズをそれぞれ小型化でき、
部品点数が減少し、小型化することができ、面実装も容
易になり、しかも安価になる。このような誘電体ブロッ
ク１Ａは、例えば、内導体形成孔１２ａ，１２ｂを形成
後、導体非成形部１８にメッキ不可能な樹脂等を塗布
し、誘電体ブロック１全体に銅メッキを膜状に施すこと
により形成される。なお、外導体１５は、所定の回路が
形成された基板（図示せず）上において、接地用のラン
ドに半田付けされる。
【００１９】ところで、外導体１５を銀メッキにより形
成することも考えられる。外導体１５を銀メッキにより
形成した場合には、銀が半田中にとけ込むいわゆる銀く
われが発生する。この銀くわれが発生した場合には、外
導体１５が薄くなり、外導体１５の強度が低下し、振動
等により誘電体ブロック１Ａが基板から脱落するおそれ
がある。しかしながら、この誘電体共振部品では、外導
体１５が銅メッキにより形成されているので、外導体１
５が半田中にとけ込んで外導体１５が薄くなることがな
い。このため、外導体１５の強度の低下がなく、振動等
により誘電体ブロック１Ａが基板から脱落するおそれも
ない。
成することも考えられる。外導体１５を銀メッキにより
形成した場合には、銀が半田中にとけ込むいわゆる銀く
われが発生する。この銀くわれが発生した場合には、外
導体１５が薄くなり、外導体１５の強度が低下し、振動
等により誘電体ブロック１Ａが基板から脱落するおそれ
がある。しかしながら、この誘電体共振部品では、外導
体１５が銅メッキにより形成されているので、外導体１
５が半田中にとけ込んで外導体１５が薄くなることがな
い。このため、外導体１５の強度の低下がなく、振動等
により誘電体ブロック１Ａが基板から脱落するおそれも
ない。
【００２０】樹脂成型体２Ａは、内導体形成孔１２ａ，
１２ｂとほぼ同径の２つの筒部２ａと、ヒンジ部２ｚと
を備えるように、樹脂製誘電体材料（例えば、比誘電率
εｒ＝２〜３程度の耐熱性の高い液晶ポリマー、高融点
ポリエステル、高周波特性のよいＴＰＸ（登録商標）
等）で成型加工される。樹脂成型体２のヒンジ部２ｚに
は、各筒部２ａに対応して、２つの入出力端子２１ａ，
２１ｂがインサートモールドされる。入出力端子２１
ａ，２１ｂは、図３に示すように、Ｊ型に屈曲されてい
る。このため、入出力端子２１ａ，２１ｂの突出量が少
なくなり、基板への表面実装しやすくなる。また、樹脂
成型体２Ａの各筒部２ａには、各金属ピン３をそれぞれ
挿入するため、各金属ピン３とほぼ同径のピン挿入孔２
２ａ，２２ｂがそれぞれ設けられる。樹脂成型体２Ａの
筒部２ａを内導体形成孔１２ａ，１２ｂに嵌入すること
により、樹脂成型体２Ａが誘電体ブロック１に装着され
る。ところで、筒部２ａが内導体形成孔１２ａ，１２ｂ
とほぼ同径で、しかも樹脂成型体２Ａに筒部２ａが２つ
設けられている。このため、樹脂成型体２Ａを誘電体ブ
ロック１Ａに接着しなくとも、樹脂成型体２Ａが誘電体
ブロック１Ａから脱落したり、樹脂成型体２Ａが誘電体
ブロック１Ａ上で回転するのが防止される。なお、入出
力端子２１ａ，２１ｂは、基板上において、入出力用の
ランドに半田付けされる。金属ピン３の長さ、径は、必
要な外部結合容量Ｃｅの容量値が得られるように設定さ
れる。金属ピン３は、ピン挿入孔２２ａ，２２ｂに挿入
される。これにより、各金属ピン３は、入出力端子２１
ａ，２１ｂとそれぞれ導通するとともに、内導体１４と
の間で外部結合容量Ｃｅ（図３参照）を形成する。
１２ｂとほぼ同径の２つの筒部２ａと、ヒンジ部２ｚと
を備えるように、樹脂製誘電体材料（例えば、比誘電率
εｒ＝２〜３程度の耐熱性の高い液晶ポリマー、高融点
ポリエステル、高周波特性のよいＴＰＸ（登録商標）
等）で成型加工される。樹脂成型体２のヒンジ部２ｚに
は、各筒部２ａに対応して、２つの入出力端子２１ａ，
２１ｂがインサートモールドされる。入出力端子２１
ａ，２１ｂは、図３に示すように、Ｊ型に屈曲されてい
る。このため、入出力端子２１ａ，２１ｂの突出量が少
なくなり、基板への表面実装しやすくなる。また、樹脂
成型体２Ａの各筒部２ａには、各金属ピン３をそれぞれ
挿入するため、各金属ピン３とほぼ同径のピン挿入孔２
２ａ，２２ｂがそれぞれ設けられる。樹脂成型体２Ａの
筒部２ａを内導体形成孔１２ａ，１２ｂに嵌入すること
により、樹脂成型体２Ａが誘電体ブロック１に装着され
る。ところで、筒部２ａが内導体形成孔１２ａ，１２ｂ
とほぼ同径で、しかも樹脂成型体２Ａに筒部２ａが２つ
設けられている。このため、樹脂成型体２Ａを誘電体ブ
ロック１Ａに接着しなくとも、樹脂成型体２Ａが誘電体
ブロック１Ａから脱落したり、樹脂成型体２Ａが誘電体
ブロック１Ａ上で回転するのが防止される。なお、入出
力端子２１ａ，２１ｂは、基板上において、入出力用の
ランドに半田付けされる。金属ピン３の長さ、径は、必
要な外部結合容量Ｃｅの容量値が得られるように設定さ
れる。金属ピン３は、ピン挿入孔２２ａ，２２ｂに挿入
される。これにより、各金属ピン３は、入出力端子２１
ａ，２１ｂとそれぞれ導通するとともに、内導体１４と
の間で外部結合容量Ｃｅ（図３参照）を形成する。
【００２１】上記のような構成を有する図１〜図３の誘
電体共振部品は、単一の誘電体ブロック１Ａの内部に２
つの誘電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振
器は、２つの導体非成形部１８により容量性結合され
る。また、入出力端子２１ａ，２１ｂすなわち金属ピン
３と内導体１４との間で外部結合容量Ｃｅがそれぞれ形
成され、各誘電体同軸共振器は、外部結合容量Ｃｅおよ
び金属ピン３を介して入出力端子２１ａ，２１ｂにそれ
ぞれ接続される。これにより、誘電体共振部品は、２段
の帯域通過フィルタとして動作する。なお、各外部結合
容量Ｃｅの容量値は、金属ピン３のピン挿入孔２２ａ，
２２ｂへの挿入量を変えることによって調整される。し
たがって、図１２，図１３の誘電体共振部品のように外
部結合容量Ｃｅの容量値を変えるために、入出力電極の
面積や、配置位置等を一から設計し直す必要がないた
め、誘電体共振部品の設計期間が必要なくなる。
電体共振部品は、単一の誘電体ブロック１Ａの内部に２
つの誘電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振
器は、２つの導体非成形部１８により容量性結合され
る。また、入出力端子２１ａ，２１ｂすなわち金属ピン
３と内導体１４との間で外部結合容量Ｃｅがそれぞれ形
成され、各誘電体同軸共振器は、外部結合容量Ｃｅおよ
び金属ピン３を介して入出力端子２１ａ，２１ｂにそれ
ぞれ接続される。これにより、誘電体共振部品は、２段
の帯域通過フィルタとして動作する。なお、各外部結合
容量Ｃｅの容量値は、金属ピン３のピン挿入孔２２ａ，
２２ｂへの挿入量を変えることによって調整される。し
たがって、図１２，図１３の誘電体共振部品のように外
部結合容量Ｃｅの容量値を変えるために、入出力電極の
面積や、配置位置等を一から設計し直す必要がないた
め、誘電体共振部品の設計期間が必要なくなる。
【００２２】図４は、本発明の第２の実施例の誘電体共
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図３の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図４の誘電体共振部品
は、例えば、自動車電話や、移動体通信器の１つのアン
テナを送信側と受信側とで共用できるようにしたデュー
プレクサとして動作するよう設計されている。このた
め、誘電体ブロック１Ｂには、送信側用に４本、受信側
用に５本、合計９本の内導体形成孔１２ａ〜１２ｉが形
成される。各内導体形成孔１２ａ〜１２ｉには、図１〜
図３と同様に、内導体１４、導体非成形部１８、外導体
１５が形成される。４つの内導体形成孔１２ａ〜１２ｄ
に形成される誘電体同軸共振器は、導体非成形部１８に
より順次容量性結合する。５つの内導体形成孔１２ｅ〜
１２ｉに形成される誘電体同軸共振器も、同様に導体非
成形部１８により順次容量性結合する。
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図３の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図４の誘電体共振部品
は、例えば、自動車電話や、移動体通信器の１つのアン
テナを送信側と受信側とで共用できるようにしたデュー
プレクサとして動作するよう設計されている。このた
め、誘電体ブロック１Ｂには、送信側用に４本、受信側
用に５本、合計９本の内導体形成孔１２ａ〜１２ｉが形
成される。各内導体形成孔１２ａ〜１２ｉには、図１〜
図３と同様に、内導体１４、導体非成形部１８、外導体
１５が形成される。４つの内導体形成孔１２ａ〜１２ｄ
に形成される誘電体同軸共振器は、導体非成形部１８に
より順次容量性結合する。５つの内導体形成孔１２ｅ〜
１２ｉに形成される誘電体同軸共振器も、同様に導体非
成形部１８により順次容量性結合する。
【００２３】樹脂成型体２Ｂは、内導体形成孔１２ａ〜
１２ｆ，１２ｉに対応して、内導体形成孔１２ａ〜１２
ｆ，１２ｉとほぼ同径の８つの筒部２ａと、ヒンジ部２
ｚとを備えるように、樹脂製誘電体材料で成型加工され
る。樹脂成型体２Ｂのヒンジ部２ｚには、３つの入出力
端子２１ａ，２１ｂ，２１ｃと、接続端子２３ａ〜２３
ｆとがインサートモールドされる。入出力端子２１ａと
接続端子２３ａとは、導通している。入出力端子２１ｂ
と、各接続端子２３ｂ〜２３ｄとは、相互に導通してい
る。接続端子２３ｅと２３ｆとは、導通している。入出
力端子２１ａ，２１ｃと、接続端子２３ａ〜２３ｆとの
部分には、金属ピン３とほぼ同径のピン挿入孔２２ａ〜
２２ｈが形成される。ピン挿入孔２２ａ〜２２ｈには、
金属ピン３がそれぞれ挿入される。なお、入出力端子２
１ａは、送信側端子として用いられ、基板上において送
信器用ランドに接続される。入出力端子２１ｂは、アン
テナ端子として用いられ、基板上においてアンテナ用ラ
ンドに接続される。入出力端子２１ｃは、受信側端子と
して用いられ、基板上において受信器用ランドに接続さ
れる。
１２ｆ，１２ｉに対応して、内導体形成孔１２ａ〜１２
ｆ，１２ｉとほぼ同径の８つの筒部２ａと、ヒンジ部２
ｚとを備えるように、樹脂製誘電体材料で成型加工され
る。樹脂成型体２Ｂのヒンジ部２ｚには、３つの入出力
端子２１ａ，２１ｂ，２１ｃと、接続端子２３ａ〜２３
ｆとがインサートモールドされる。入出力端子２１ａと
接続端子２３ａとは、導通している。入出力端子２１ｂ
と、各接続端子２３ｂ〜２３ｄとは、相互に導通してい
る。接続端子２３ｅと２３ｆとは、導通している。入出
力端子２１ａ，２１ｃと、接続端子２３ａ〜２３ｆとの
部分には、金属ピン３とほぼ同径のピン挿入孔２２ａ〜
２２ｈが形成される。ピン挿入孔２２ａ〜２２ｈには、
金属ピン３がそれぞれ挿入される。なお、入出力端子２
１ａは、送信側端子として用いられ、基板上において送
信器用ランドに接続される。入出力端子２１ｂは、アン
テナ端子として用いられ、基板上においてアンテナ用ラ
ンドに接続される。入出力端子２１ｃは、受信側端子と
して用いられ、基板上において受信器用ランドに接続さ
れる。
【００２４】上記のような構成を有する図４の誘電体共
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｂの内部に９つの誘
電体同軸共振器を備える。送信側の４つの誘電体同軸共
振器は、４つの導体非成形部１８により容量性結合され
る。受信側の５つの誘電体同軸共振器は、５つの導体非
成形部１８により容量性結合される。なお、接続端子２
３ａと接続端子２３ｂとの間、接続端子２３ｄと接続端
子２３ｅとの間、および接続端子２３ｆと入出力端子２
１ｃとの間は、それぞれ遮断している。これは、送信側
および受信側において、それぞれ有極性コードとし、特
定の周波数の信号を減衰させるためである。これによ
り、送信側からアンテナに送られた信号が受信側に回り
込むのが防止されるとともに、またアンテナから受信側
に送られる信号が送信側に回り込むのが防止される。こ
れにより、図４の誘電体共振部品は、入出力端子２１
ａ，２１ｂ，２１ｃ間でデュープレクサとして動作す
る。したがって、このように構成された誘電体共振部品
においても、図１〜図３の誘電体共振部品と同様の効果
を得ることができる。
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｂの内部に９つの誘
電体同軸共振器を備える。送信側の４つの誘電体同軸共
振器は、４つの導体非成形部１８により容量性結合され
る。受信側の５つの誘電体同軸共振器は、５つの導体非
成形部１８により容量性結合される。なお、接続端子２
３ａと接続端子２３ｂとの間、接続端子２３ｄと接続端
子２３ｅとの間、および接続端子２３ｆと入出力端子２
１ｃとの間は、それぞれ遮断している。これは、送信側
および受信側において、それぞれ有極性コードとし、特
定の周波数の信号を減衰させるためである。これによ
り、送信側からアンテナに送られた信号が受信側に回り
込むのが防止されるとともに、またアンテナから受信側
に送られる信号が送信側に回り込むのが防止される。こ
れにより、図４の誘電体共振部品は、入出力端子２１
ａ，２１ｂ，２１ｃ間でデュープレクサとして動作す
る。したがって、このように構成された誘電体共振部品
においても、図１〜図３の誘電体共振部品と同様の効果
を得ることができる。
【００２５】図５は、本発明の第３の実施例の誘電体共
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図４の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図５の誘電体共振部品
は、図１〜図３の誘電体共振部品と同様に、２段の帯域
通過フィルタとして動作するよう設計されている。図５
の誘電体共振部品においては、図１〜図３の誘電体共振
部品と同様の樹脂成型体２Ａ、金属ピン３が用いられ
る。図５の誘電体共振部品で注目すべき点は、誘電体ブ
ロック１Ｃの第１の端面１１ａ側の特性インピーダンス
と第２の端面１１ｂ側の特性インピーダンスとを異なら
せるために、断面半円形状の溝１７ａ，１７ｂが誘電体
ブロック１に設けられていることである。溝１７ａは、
誘電体ブロック１の上面であって内導体形成孔１２ａと
１２ｂとの間に設けられる。また、溝１７ｂは、誘電体
ブロック１の下面であって内導体形成孔１２ａと１２ｂ
との間に設けられる。各溝１７ａ，１７ｂは、それぞれ
内導体形成孔１２ａおよび１２ｂと平行に延びており、
誘電体ブロック１の第２の端面１１ｂから始まって第２
の端面１１ｂと第１の端面１１ａとの間の略中央付近で
止まっている。各溝１７ａ，１７ｂの表面は、外導体１
５によって覆われている。誘電体ブロック１Ｃの他の構
成は、誘電体ブロック１Ａと同様である。
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図４の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図５の誘電体共振部品
は、図１〜図３の誘電体共振部品と同様に、２段の帯域
通過フィルタとして動作するよう設計されている。図５
の誘電体共振部品においては、図１〜図３の誘電体共振
部品と同様の樹脂成型体２Ａ、金属ピン３が用いられ
る。図５の誘電体共振部品で注目すべき点は、誘電体ブ
ロック１Ｃの第１の端面１１ａ側の特性インピーダンス
と第２の端面１１ｂ側の特性インピーダンスとを異なら
せるために、断面半円形状の溝１７ａ，１７ｂが誘電体
ブロック１に設けられていることである。溝１７ａは、
誘電体ブロック１の上面であって内導体形成孔１２ａと
１２ｂとの間に設けられる。また、溝１７ｂは、誘電体
ブロック１の下面であって内導体形成孔１２ａと１２ｂ
との間に設けられる。各溝１７ａ，１７ｂは、それぞれ
内導体形成孔１２ａおよび１２ｂと平行に延びており、
誘電体ブロック１の第２の端面１１ｂから始まって第２
の端面１１ｂと第１の端面１１ａとの間の略中央付近で
止まっている。各溝１７ａ，１７ｂの表面は、外導体１
５によって覆われている。誘電体ブロック１Ｃの他の構
成は、誘電体ブロック１Ａと同様である。
【００２６】上記のような構成を有する図５の誘電体共
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｃの内部に２つの誘
電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振器は、
溝１７ａ，１７ｂにより誘導性結合され、誘電体共振部
品の通過帯域が広くなる。なお、溝１７ａ，１７ｂの長
さ，幅，深さ，位置，断面形状等を変えることにより、
誘電体同軸共振器間の誘導性結合の度合いを変えること
ができる。これにより、誘電体共振部品は、入出力端子
２１ａ，２１ｂ間で２段の帯域通過フィルタとして動作
する。したがって、上記のように構成された誘電体共振
部品においても、図１〜図４の誘電体共振部品と同様の
効果を得ることができる。
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｃの内部に２つの誘
電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振器は、
溝１７ａ，１７ｂにより誘導性結合され、誘電体共振部
品の通過帯域が広くなる。なお、溝１７ａ，１７ｂの長
さ，幅，深さ，位置，断面形状等を変えることにより、
誘電体同軸共振器間の誘導性結合の度合いを変えること
ができる。これにより、誘電体共振部品は、入出力端子
２１ａ，２１ｂ間で２段の帯域通過フィルタとして動作
する。したがって、上記のように構成された誘電体共振
部品においても、図１〜図４の誘電体共振部品と同様の
効果を得ることができる。
【００２７】図６は、本発明の第４の実施例の誘電体共
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図５の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図６の誘電体共振部品
は、図１〜図３，図５の誘電体共振部品と同様に、２段
の帯域通過フィルタとして動作するよう設計されてい
る。図６の誘電体共振部品で注目すべき点は、まず第１
に樹脂成型体２Ｃのヒンジ部２ｚの外面に、シールド手
段、特に第２の導体膜としての導体膜２６が形成される
ことである。これにより、誘電体ブロック１Ｃの第２の
端面１１ｂから外部に漏れる電磁波が導体膜２６により
シールドされ、電磁波が外部に漏れるのが防止される。
なお、このような樹脂成型体２Ｃは、例えば、ヒンジ部
２ｚおよび筒部２ａをメッキ不可能な樹脂性誘電体材料
で成型後、ヒンジ部２ｚの必要な部分にメッキ可能な樹
脂製誘電体材料を被せてさらに成型し、樹脂成型体２Ｃ
全体に銅メッキを膜状に施すことにより形成される。
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図５の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図６の誘電体共振部品
は、図１〜図３，図５の誘電体共振部品と同様に、２段
の帯域通過フィルタとして動作するよう設計されてい
る。図６の誘電体共振部品で注目すべき点は、まず第１
に樹脂成型体２Ｃのヒンジ部２ｚの外面に、シールド手
段、特に第２の導体膜としての導体膜２６が形成される
ことである。これにより、誘電体ブロック１Ｃの第２の
端面１１ｂから外部に漏れる電磁波が導体膜２６により
シールドされ、電磁波が外部に漏れるのが防止される。
なお、このような樹脂成型体２Ｃは、例えば、ヒンジ部
２ｚおよび筒部２ａをメッキ不可能な樹脂性誘電体材料
で成型後、ヒンジ部２ｚの必要な部分にメッキ可能な樹
脂製誘電体材料を被せてさらに成型し、樹脂成型体２Ｃ
全体に銅メッキを膜状に施すことにより形成される。
【００２８】図６の誘電体共振部品で第２に注目すべき
点は、樹脂成型体２Ｃの導体膜２６により電磁波が外部
に漏れないため、誘電体ブロック１Ｄの第２の端面１１
ｂおよび内導体形成孔１２ａ，１２ｂに外導体１５が形
成されないことである。このため、内導体形成孔１２
ａ，１２ｂに導体非成形部１８も形成されず、内導体形
成孔１２ａ，１２ｂには、第１の端面１１ａから第２の
端面１１ｂにわたって、内導体１４が形成される。ここ
で、内導体形成孔１２ａ，１２ｂには、導体非成形部１
８が形成されていない。このため、内導体形成孔１２
ａ，１２ｂ形成される同軸共振器を結合させるため、誘
電体ブロック１Ｄの内導体形成孔１２ａと１２ｂとの間
には、結合孔１３が形成される。結合孔１３は、誘電体
ブロック１Ｄの内部を貫通し、誘電体ブロック１Ｄの第
１および第２の端面１１ａおよび１１ｂにおいて開口部
を形成している。
点は、樹脂成型体２Ｃの導体膜２６により電磁波が外部
に漏れないため、誘電体ブロック１Ｄの第２の端面１１
ｂおよび内導体形成孔１２ａ，１２ｂに外導体１５が形
成されないことである。このため、内導体形成孔１２
ａ，１２ｂに導体非成形部１８も形成されず、内導体形
成孔１２ａ，１２ｂには、第１の端面１１ａから第２の
端面１１ｂにわたって、内導体１４が形成される。ここ
で、内導体形成孔１２ａ，１２ｂには、導体非成形部１
８が形成されていない。このため、内導体形成孔１２
ａ，１２ｂ形成される同軸共振器を結合させるため、誘
電体ブロック１Ｄの内導体形成孔１２ａと１２ｂとの間
には、結合孔１３が形成される。結合孔１３は、誘電体
ブロック１Ｄの内部を貫通し、誘電体ブロック１Ｄの第
１および第２の端面１１ａおよび１１ｂにおいて開口部
を形成している。
【００２９】上記のような構成を有する図６の誘電体共
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｄの内部に２つの誘
電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振器は、
結合孔１３によって磁界結合される。なお、各誘電体同
軸共振器間の結合度は、結合孔３ａの径，長さ，位置等
を変えることによって調整される。これにより、誘電体
共振部品は、入出力端子２１ａ，２１ｂ間で２段の帯域
通過フィルタとして動作する。したがって、上記のよう
に構成された誘電体共振部品においても、図１〜図５の
誘電体共振部品と同様の効果を得ることができる。
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｄの内部に２つの誘
電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振器は、
結合孔１３によって磁界結合される。なお、各誘電体同
軸共振器間の結合度は、結合孔３ａの径，長さ，位置等
を変えることによって調整される。これにより、誘電体
共振部品は、入出力端子２１ａ，２１ｂ間で２段の帯域
通過フィルタとして動作する。したがって、上記のよう
に構成された誘電体共振部品においても、図１〜図５の
誘電体共振部品と同様の効果を得ることができる。
【００３０】なお、樹脂成型体２Ｃの導体膜２６は、誘
電体ブロック１Ｄの外導体１５と同電位にする必要があ
る。このため、例えば、図６のαで示す導体膜２６の部
分と基板上の接地用のランドとを半田付けするようにす
ればよい。これにより、外導体１５が基板上で接地され
ているので、基板上の配線を介して導体膜２６と外導体
１５とを同電位にすることができる。また、図６のβで
示す導体膜２６の部分と図６のγで示す誘電体ブロック
１Ｄの部分とを直接半田付けするようにしてもよい。こ
れによっても、導体膜２６と外導体１５とを同電位にす
ることができる。
電体ブロック１Ｄの外導体１５と同電位にする必要があ
る。このため、例えば、図６のαで示す導体膜２６の部
分と基板上の接地用のランドとを半田付けするようにす
ればよい。これにより、外導体１５が基板上で接地され
ているので、基板上の配線を介して導体膜２６と外導体
１５とを同電位にすることができる。また、図６のβで
示す導体膜２６の部分と図６のγで示す誘電体ブロック
１Ｄの部分とを直接半田付けするようにしてもよい。こ
れによっても、導体膜２６と外導体１５とを同電位にす
ることができる。
【００３１】図７は、本発明の第５の実施例の誘電体共
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図６の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図７の誘電体共振部品
は、３段の帯域通過フィルタとして動作するよう設計さ
れている。このため、誘電体ブロック１Ｅには、３つの
内導体形成孔１２ａ，１２ｂ，１２ｃが設けられる。各
内導体形成孔１２ａ，１２ｂ，１２ｃには、内導体１
４、導体非成形部１８、外導体１５が形成される。図７
の誘電体共振部品で注目すべき点は、樹脂成型体２Ｄが
２つに分離されていることである。なお、樹脂成型体２
Ｄのヒンジ部２ｂには、Ｌ型に屈曲された２つの入出力
端子２１ｄ，２１ｅがインサートモールドされる。この
場合には、樹脂成型体２Ｄが誘電体ブロック１Ｅ上で回
転するおそれがある。このため、各樹脂成型体２Ｄのヒ
ンジ部２ｂに係合突起２４が設けられ、誘電体ブロック
１Ｅに係合突起２４に係合する２つの係合溝１９が設け
られる。係合突起２４と係合溝１９とを係合させること
により、樹脂成型体２Ｄが誘電体ブロック１Ｄ上で回転
するのが防止される。
振部品の構成を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
図１〜図６の誘電体共振部品と対応する部分には同一の
番号を付し、説明を省略する。図７の誘電体共振部品
は、３段の帯域通過フィルタとして動作するよう設計さ
れている。このため、誘電体ブロック１Ｅには、３つの
内導体形成孔１２ａ，１２ｂ，１２ｃが設けられる。各
内導体形成孔１２ａ，１２ｂ，１２ｃには、内導体１
４、導体非成形部１８、外導体１５が形成される。図７
の誘電体共振部品で注目すべき点は、樹脂成型体２Ｄが
２つに分離されていることである。なお、樹脂成型体２
Ｄのヒンジ部２ｂには、Ｌ型に屈曲された２つの入出力
端子２１ｄ，２１ｅがインサートモールドされる。この
場合には、樹脂成型体２Ｄが誘電体ブロック１Ｅ上で回
転するおそれがある。このため、各樹脂成型体２Ｄのヒ
ンジ部２ｂに係合突起２４が設けられ、誘電体ブロック
１Ｅに係合突起２４に係合する２つの係合溝１９が設け
られる。係合突起２４と係合溝１９とを係合させること
により、樹脂成型体２Ｄが誘電体ブロック１Ｄ上で回転
するのが防止される。
【００３２】上記のような構成を有する図７の誘電体共
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｅの内部に３つの誘
電体同軸共振器を備える。３つの誘電体同軸共振器は、
導体非成形部１８により順次容量性結合する。これによ
り、誘電体共振部品は、入出力端子２１ｄ，２１ｅ間で
３段の帯域通過フィルタとして動作する。したがって、
上記のように構成された誘電体共振部品においても、図
１〜図６の誘電体共振部品と同様の効果を得ることがで
きる。
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ｅの内部に３つの誘
電体同軸共振器を備える。３つの誘電体同軸共振器は、
導体非成形部１８により順次容量性結合する。これによ
り、誘電体共振部品は、入出力端子２１ｄ，２１ｅ間で
３段の帯域通過フィルタとして動作する。したがって、
上記のように構成された誘電体共振部品においても、図
１〜図６の誘電体共振部品と同様の効果を得ることがで
きる。
【００３３】図８は、本発明の第６の実施例の誘電体共
振部品の構成を示す外観図である。図１〜図７の誘電体
共振部品と対応する部分には同一の番号を付し、説明を
省略する。図８の誘電体共振部品は、２段の帯域通過フ
ィルタとして動作するよう設計されており、誘電体ブロ
ックとして上述した誘電体ブロック１Ａが用いられる。
一方、樹脂成型体２Ｅは、図７の誘電体共振部品の場合
と同様に、２つに分離されている。この樹脂成型体２Ｅ
のヒンジ部２ｂには係合突起２４が形成されておらず、
誘電体ブロック１Ａに係合溝１９が形成されていない。
この場合には、樹脂成型体２Ｅが誘電体ブロック１Ａ上
で回転するおそれがある。このため、例えば、図８のε
で示すヒンジ部２ｂと誘電体ブロック１Ａの当接部を接
着剤４で接着するようにしている。これにより、樹脂成
型体２Ｅが誘電体ブロック１Ａ上で回転するのを防止す
ることができる。また、接着剤４により、樹脂成型体２
Ｅが誘電体ブロック１Ａから抜け落ちるのも防止するこ
とができる。
振部品の構成を示す外観図である。図１〜図７の誘電体
共振部品と対応する部分には同一の番号を付し、説明を
省略する。図８の誘電体共振部品は、２段の帯域通過フ
ィルタとして動作するよう設計されており、誘電体ブロ
ックとして上述した誘電体ブロック１Ａが用いられる。
一方、樹脂成型体２Ｅは、図７の誘電体共振部品の場合
と同様に、２つに分離されている。この樹脂成型体２Ｅ
のヒンジ部２ｂには係合突起２４が形成されておらず、
誘電体ブロック１Ａに係合溝１９が形成されていない。
この場合には、樹脂成型体２Ｅが誘電体ブロック１Ａ上
で回転するおそれがある。このため、例えば、図８のε
で示すヒンジ部２ｂと誘電体ブロック１Ａの当接部を接
着剤４で接着するようにしている。これにより、樹脂成
型体２Ｅが誘電体ブロック１Ａ上で回転するのを防止す
ることができる。また、接着剤４により、樹脂成型体２
Ｅが誘電体ブロック１Ａから抜け落ちるのも防止するこ
とができる。
【００３４】上記のような構成を有する図８の誘電体共
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ａの内部に２つの誘
電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振器は、
導体非成形部１８により順次容量性結合する。これによ
り、誘電体共振部品は、入出力端子２１ｄ，２１ｅ間で
２段の帯域通過フィルタとして動作する。したがって、
上記のように構成された誘電体共振部品においても、図
１〜図７の誘電体共振部品と同様の効果を得ることがで
きる。
振部品は、単一の誘電体ブロック１Ａの内部に２つの誘
電体同軸共振器を備える。２つの誘電体同軸共振器は、
導体非成形部１８により順次容量性結合する。これによ
り、誘電体共振部品は、入出力端子２１ｄ，２１ｅ間で
２段の帯域通過フィルタとして動作する。したがって、
上記のように構成された誘電体共振部品においても、図
１〜図７の誘電体共振部品と同様の効果を得ることがで
きる。
【００３５】なお、図９に示すように、円筒部２ａにス
リ割り２５を形成するようにしてもよい。この場合に
は、金属ピン３をピン挿入孔２２ａ等に挿入することに
より、円筒部２ａが円周方向に押し広げられ、樹脂成型
体と誘電体ブロックとの密着性が増加する。これによ
り、樹脂成型体が誘電体ブロック上で回転するのを防止
することができるとともに、樹脂成型体が誘電体ブロッ
クから抜け落ちるのも防止することができる。なお、こ
のようなスリ割り２５を、図１〜図３，図５の樹脂成型
体２Ａ、図４の樹脂成型体２Ｂ、図６の樹脂成型体２
Ｃ、図７の樹脂成型体２Ｄ、図８の樹脂成型体２Ｅのい
ずれの円筒部２ａに形成するようにしてもよい。
リ割り２５を形成するようにしてもよい。この場合に
は、金属ピン３をピン挿入孔２２ａ等に挿入することに
より、円筒部２ａが円周方向に押し広げられ、樹脂成型
体と誘電体ブロックとの密着性が増加する。これによ
り、樹脂成型体が誘電体ブロック上で回転するのを防止
することができるとともに、樹脂成型体が誘電体ブロッ
クから抜け落ちるのも防止することができる。なお、こ
のようなスリ割り２５を、図１〜図３，図５の樹脂成型
体２Ａ、図４の樹脂成型体２Ｂ、図６の樹脂成型体２
Ｃ、図７の樹脂成型体２Ｄ、図８の樹脂成型体２Ｅのい
ずれの円筒部２ａに形成するようにしてもよい。
【００３６】また、２段、３段の帯域通過フィルタとし
て説明したが、４段以上の帯域通過フィルタについて実
施するようにしてもよく、複数段の帯域除去フィルタに
ついて実施するようにしてもよい。また、単一の誘電体
共振器として実施するようにしてもよい。さらに、樹脂
成型体２Ａ〜２ＥにＪ型およびＬ型に屈曲された入出力
端子２１ａ，２１ｂ，２１ｃ、２１ｄ，２１ｅをインサ
ートモールドするようにしたが、他の形状の入出力端子
をインサートモールドするようにしてもよく、樹脂成型
体２Ａ〜２Ｅに部分立体メッキすることにより入出力端
子を形成するようにしてもよい。さらに、第２の端面１
１ｂに外導体１５を形成することによりシールドする
か、ヒンジ部２ｚに導体膜２６を形成することによりシ
ールドするかのいずれか一方で実施するようにしたが、
この両方で実施するようにしてもよい。
て説明したが、４段以上の帯域通過フィルタについて実
施するようにしてもよく、複数段の帯域除去フィルタに
ついて実施するようにしてもよい。また、単一の誘電体
共振器として実施するようにしてもよい。さらに、樹脂
成型体２Ａ〜２ＥにＪ型およびＬ型に屈曲された入出力
端子２１ａ，２１ｂ，２１ｃ、２１ｄ，２１ｅをインサ
ートモールドするようにしたが、他の形状の入出力端子
をインサートモールドするようにしてもよく、樹脂成型
体２Ａ〜２Ｅに部分立体メッキすることにより入出力端
子を形成するようにしてもよい。さらに、第２の端面１
１ｂに外導体１５を形成することによりシールドする
か、ヒンジ部２ｚに導体膜２６を形成することによりシ
ールドするかのいずれか一方で実施するようにしたが、
この両方で実施するようにしてもよい。
【００３７】
【発明の効果】請求項１および４に係る発明にあって
は、誘電体ブロックの第２の端面および樹脂成型体の少
なくともいずれか一方に、シールド手段を形成するよう
にしているので、上金属ケース，下金属ケースの必要が
ないため、厚み、幅、長さのサイズをそれぞれ小型化で
き、部品点数が減少し、小型化することができ、面実装
も容易になり、しかも安価にすることができる。また、
樹脂成型体のピン挿入孔に金属ピンを挿入することによ
り、入出力端子と導通するとともに、内導体との間で外
部結合容量を形成し、金属ピンのピン挿入孔への挿入量
により外部結合容量を調整するようにしているので、入
出力電極の面積や、配置位置等を一から設計し直す必要
がなくなり、誘電体共振部品の設計期間が必要なくな
る。
は、誘電体ブロックの第２の端面および樹脂成型体の少
なくともいずれか一方に、シールド手段を形成するよう
にしているので、上金属ケース，下金属ケースの必要が
ないため、厚み、幅、長さのサイズをそれぞれ小型化で
き、部品点数が減少し、小型化することができ、面実装
も容易になり、しかも安価にすることができる。また、
樹脂成型体のピン挿入孔に金属ピンを挿入することによ
り、入出力端子と導通するとともに、内導体との間で外
部結合容量を形成し、金属ピンのピン挿入孔への挿入量
により外部結合容量を調整するようにしているので、入
出力電極の面積や、配置位置等を一から設計し直す必要
がなくなり、誘電体共振部品の設計期間が必要なくな
る。
【図１】本発明の第１の実施例の誘電体共振部品の構造
を示す外観図である。
を示す外観図である。
【図２】図１の誘電体共振部品の分解斜視図である。
【図３】図１の誘電体共振部品の線Ａ−Ａ’に沿う断面
図である。
図である。
【図４】本発明の第２の実施例の誘電体共振部品の構成
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施例の誘電体共振部品の構成
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
【図６】本発明の第４の実施例の誘電体共振部品の構成
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
【図７】本発明の第５の実施例の誘電体共振部品の構成
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
を一部切り欠いて示す分解斜視図である。
【図８】本発明の第６の実施例の誘電体共振部品の構成
を示す外観図である。
を示す外観図である。
【図９】本発明の第７の実施例の円筒部２ａの構造を示
す外観図である。
す外観図である。
【図１０】従来の誘電体共振部品の構造を示す外観図で
ある。
ある。
【図１１】図１０の誘電体共振部品の分解斜視図であ
る。
る。
【図１２】従来の他の誘電体共振部品の構成を示す外観
斜視図である。
斜視図である。
【図１３】図１２の誘電体共振部品の信号入出力電極形
成面を下にし、線Ａ−Ａ’に沿って切断、分離した状態
を示す分解断面図である。
成面を下にし、線Ａ−Ａ’に沿って切断、分離した状態
を示す分解断面図である。
１Ａ〜１Ｅ…誘電体ブロック ２Ａ〜２Ｅ…樹脂成型体 ３…金属ピン １１ａ…第１の端面 １１ｂ…第２の端面 １２ａ〜１２ｈ…内導体形成孔 １４…内導体 １５…外導体 ２１ａ〜２１ｅ…入出力端子 ２２ａ〜２２ｈ…ピン挿入孔 ２６…導体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 7/04
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体同軸共振器を有する誘電体共振部
品であって、 誘電体材料で形成され、第１および第２の端面と、第１
の端面から第２の端面にわたる複数の側面と、その内部
を貫通し第１および第２の端面で開口する内導体形成孔
とを有する誘電体ブロック、 前記内導体形成孔の内部に形成された内導体、 前記誘電体ブロックの少なくとも前記側面および前記第
１の端面に形成された外導体、 樹脂製誘電体材料で成型加工され、ピン挿入孔を有し、
前記内導体形成孔に装着される樹脂成型体、 前記内導体および前記外導体と絶縁された状態で前記樹
脂成型体に形成される入出力端子、 前記ピン挿入孔に挿入されることにより、前記入出力端
子と導通するとともに、前記内導体との間で外部結合容
量を形成する金属ピン、および前記第２の端面および前
記樹脂成型体の少なくともいずれか一方に形成され、電
磁波が外部に漏れるのを防止するシールド手段を備え
る、誘電体共振部品。 - 【請求項２】 前記シールド手段は、前記第２の端面に
形成される第１の導体膜であることを特徴とする請求項
１に記載の誘電体共振部品。 - 【請求項３】 前記シールド手段は、前記樹脂成型体の
外周面に形成される第２の導体膜であることを特徴とす
る請求項１に記載の誘電体共振部品。 - 【請求項４】 誘電体同軸共振器を有する誘電体共振部
品の特性調整方法であって、 前記誘電体共振部品は、 誘電体材料で形成され、第１および第２の端面と、第１
の端面から第２の端面にわたる複数の側面と、その内部
を貫通し第１および第２の端面で開口する内導体形成孔
とを有する誘電体ブロック、 前記内導体形成孔の内部に形成された内導体、 前記誘電体ブロックの少なくとも前記側面および前記第
１の端面に形成された外導体、 樹脂製誘電体材料で成型加工され、ピン挿入孔を有し、
前記内導体形成孔に装着される樹脂成型体、 前記内導体および前記外導体と絶縁された状態で前記樹
脂成型体に形成される入出力端子、 前記ピン挿入孔に挿入されることにより、前記入出力端
子と導通するとともに、前記内導体との間で外部結合容
量を形成する金属ピン、および前記第２の端面および前
記樹脂成型体の少なくともいずれか一方に形成され、電
磁波が外部に漏れるのを防止するシールド手段を備え、 前記金属ピンの前記ピン挿入孔への挿入量を調節するこ
とにより外部結合容量を調整することを特徴とする、誘
電体共振部品の特性調整方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316768A JPH07176908A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 誘電体共振部品およびその特性調整方法 |
| US08/357,945 US5539363A (en) | 1993-12-16 | 1994-12-15 | Dielectric resonator apparatus having adjustable external structure and method of adjusting same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316768A JPH07176908A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 誘電体共振部品およびその特性調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176908A true JPH07176908A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18080714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5316768A Pending JPH07176908A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 誘電体共振部品およびその特性調整方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5539363A (ja) |
| JP (1) | JPH07176908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012514954A (ja) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | シーティーエス・コーポレーション | 凹型上部パターンとキャビティを具備した複式フィルタ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786807A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-03-31 | Sony Chem Corp | 誘電体フィルタ |
| JP3243595B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2002-01-07 | 株式会社トーキン | マルチバンドアンテナ及びそれを用いたマルチバンド携帯無線機 |
| US6515559B1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-02-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | In-band-flat-group-delay type dielectric filter and linearized amplifier using the same |
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