JP3210769B2 - 誘電定数の測定装置及びその測定方法 - Google Patents
誘電定数の測定装置及びその測定方法Info
- Publication number
- JP3210769B2 JP3210769B2 JP10311693A JP10311693A JP3210769B2 JP 3210769 B2 JP3210769 B2 JP 3210769B2 JP 10311693 A JP10311693 A JP 10311693A JP 10311693 A JP10311693 A JP 10311693A JP 3210769 B2 JP3210769 B2 JP 3210769B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- resonator
- dielectric constant
- cavity
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波の周波数領
域で電子回路基板や電子部品として使用する各種誘電体
セラミックスの誘電定数を測定する測定方法に関するも
のである。
域で電子回路基板や電子部品として使用する各種誘電体
セラミックスの誘電定数を測定する測定方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、誘電体材料として各種誘電体
セラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用さ
れており、近年、移動体通信の発展と普及により、１〜
３ＧＨｚの周波数領域で使用する電子回路基板や電子部
品として、例えば、電極材料として使用する銀（Ａｇ）
や銅（Ｃｕ）と同時焼成可能なアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
を主成分とする低温焼成基板等に代表される、比誘電率
が５〜２０の領域の誘電体セラミックスが、積極的に利
用されるようになってきた。
セラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用さ
れており、近年、移動体通信の発展と普及により、１〜
３ＧＨｚの周波数領域で使用する電子回路基板や電子部
品として、例えば、電極材料として使用する銀（Ａｇ）
や銅（Ｃｕ）と同時焼成可能なアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
を主成分とする低温焼成基板等に代表される、比誘電率
が５〜２０の領域の誘電体セラミックスが、積極的に利
用されるようになってきた。
【０００３】そこでは、適用に際して誘電体セラミック
スの誘電体特性として、比誘電率、誘電正接、その他、
共振周波数の温度特性等の誘電定数が評価項目としてあ
げられており、実際に使用する周波数領域における前記
誘電体セラミックスの誘電体特性として、例えば、比誘
電率では測定精度が１％以下、また誘電正接では測定精
度が１×１０-5程度の精度が要求されている。
スの誘電体特性として、比誘電率、誘電正接、その他、
共振周波数の温度特性等の誘電定数が評価項目としてあ
げられており、実際に使用する周波数領域における前記
誘電体セラミックスの誘電体特性として、例えば、比誘
電率では測定精度が１％以下、また誘電正接では測定精
度が１×１０-5程度の精度が要求されている。
【０００４】従来よりマイクロ波誘電定数測定法として
最も精度が高く、かつ標準的な測定方法として、例えば
誘電体円柱試料の端面を２枚の導体板で短絡して共振器
を構成する両端短絡形誘電体円柱共振器法や、二分割し
た円筒状の空洞共振器で平板状の誘電体試料を挟んで共
振器を構成する空洞共振器法等が知られている。
最も精度が高く、かつ標準的な測定方法として、例えば
誘電体円柱試料の端面を２枚の導体板で短絡して共振器
を構成する両端短絡形誘電体円柱共振器法や、二分割し
た円筒状の空洞共振器で平板状の誘電体試料を挟んで共
振器を構成する空洞共振器法等が知られている。
【０００５】しかしながら、前記両端短絡形誘電体円柱
共振器法では、測定周波数が測定しようとする誘電体材
料の比誘電率と寸法により限定されるという問題があ
り、また前記空洞共振器法では、測定周波数が主として
共振器の寸法により限定されるため、周波数を変えて誘
電定数を測定する場合には大きさの異なる空洞共振器と
誘電体を多数製作し、各周波数ごとに測定する必要があ
るが、誘電特性の再現性を保つために製作可能な測定試
料の寸法に制限がある。
共振器法では、測定周波数が測定しようとする誘電体材
料の比誘電率と寸法により限定されるという問題があ
り、また前記空洞共振器法では、測定周波数が主として
共振器の寸法により限定されるため、周波数を変えて誘
電定数を測定する場合には大きさの異なる空洞共振器と
誘電体を多数製作し、各周波数ごとに測定する必要があ
るが、誘電特性の再現性を保つために製作可能な測定試
料の寸法に制限がある。
【０００６】よって前記方法で比誘電率が５〜２０の誘
電体試料の誘電定数を測定した場合、測定可能な周波数
領域は５〜２０ＧＨｚに制限され、要求されている１〜
３ＧＨｚの周波数領域での測定は困難であった。
電体試料の誘電定数を測定した場合、測定可能な周波数
領域は５〜２０ＧＨｚに制限され、要求されている１〜
３ＧＨｚの周波数領域での測定は困難であった。
【０００７】そこで、前記１〜３ＧＨｚの周波数領域で
誘電体特性の測定が可能な比較的簡便な方法として、従
来よりストリップライン共振器法や誘電体共振器摂動
法、反射波法等が提案されている（特開平３−５６８６
６号公報、特開平３−２８６６０１号公報参照）。
誘電体特性の測定が可能な比較的簡便な方法として、従
来よりストリップライン共振器法や誘電体共振器摂動
法、反射波法等が提案されている（特開平３−５６８６
６号公報、特開平３−２８６６０１号公報参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ス
トリップライン共振器法は、ストリップ線路１３を挟む
ように２枚の誘電体試料１４、１５を重ね合わせ、該誘
電体試料１４、１５の上下面にグランドの導体面１６、
１７を形成したトリプレート共振器の共振特性より誘電
定数を求める方法であり、前記２枚の誘電体試料１４、
１５を重ね合わせる際に、可撓性がない材料では２枚の
誘電体試料間に隙間を生じ易く、測定精度が悪くなる恐
れがあることから、誘電体セラミックスには適用困難で
あるという課題がある。
トリップライン共振器法は、ストリップ線路１３を挟む
ように２枚の誘電体試料１４、１５を重ね合わせ、該誘
電体試料１４、１５の上下面にグランドの導体面１６、
１７を形成したトリプレート共振器の共振特性より誘電
定数を求める方法であり、前記２枚の誘電体試料１４、
１５を重ね合わせる際に、可撓性がない材料では２枚の
誘電体試料間に隙間を生じ易く、測定精度が悪くなる恐
れがあることから、誘電体セラミックスには適用困難で
あるという課題がある。
【０００９】また、前記誘電体共振器摂動法は、上下に
対称に配設した２個のＴＥ01δモードの共振器１８の間
に誘電体試料１９を挿入し、挿入前後の共振特性の変化
より電磁界の摂動公式を用いて誘電体試料の誘電定数を
求める方法であり、該摂動公式自体が近似解であること
から系統的な誤差を有し、誘電正接の測定可能な範囲が
１０-4〜１０-2に制約されるという課題がある。
対称に配設した２個のＴＥ01δモードの共振器１８の間
に誘電体試料１９を挿入し、挿入前後の共振特性の変化
より電磁界の摂動公式を用いて誘電体試料の誘電定数を
求める方法であり、該摂動公式自体が近似解であること
から系統的な誤差を有し、誘電正接の測定可能な範囲が
１０-4〜１０-2に制約されるという課題がある。
【００１０】更に、前記反射波法も、伝送線路２０を誘
電体試料２１で終端し、その反射係数を測定して誘電定
数を求める方法であるため、低損失の誘電体セラミック
スを測定した場合、反射係数の大きさが極めて１に近く
なり、測定精度が低下するという課題がある。
電体試料２１で終端し、その反射係数を測定して誘電定
数を求める方法であるため、低損失の誘電体セラミック
スを測定した場合、反射係数の大きさが極めて１に近く
なり、測定精度が低下するという課題がある。
【００１１】以上詳述したように、前記各測定方法で
は、いずれも実際に使用する周波数領域における誘電定
数の測定は可能なものの、測定値の精度が前述の要求を
満足しないという課題がある。
は、いずれも実際に使用する周波数領域における誘電定
数の測定は可能なものの、測定値の精度が前述の要求を
満足しないという課題がある。
【００１２】
【発明の目的】本発明は、前記課題に鑑みてまされたも
ので、マイクロ波の周波数領域、とりわけ１〜３ＧＨｚ
の周波数領域で高損失材料は勿論、低損失材料に対して
も要求精度を満足する誘電定数が間便に測定できる誘電
定数の測定方法を提供することを目的とするものであ
る。
ので、マイクロ波の周波数領域、とりわけ１〜３ＧＨｚ
の周波数領域で高損失材料は勿論、低損失材料に対して
も要求精度を満足する誘電定数が間便に測定できる誘電
定数の測定方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００１３】
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電定数の測定
方法は、二分割した空洞共振器の空洞に、比誘電率と誘
電正接が既知である誘電体を充填し、面一致とした分割
面で平板状の誘電体試料を挟持して共振器を構成し、該
共振器の共振周波数ｆ0と無負荷Ｑを測定し、比誘電率
ε’と誘電正接ｔａｎδをそれぞれ下記式
方法は、二分割した空洞共振器の空洞に、比誘電率と誘
電正接が既知である誘電体を充填し、面一致とした分割
面で平板状の誘電体試料を挟持して共振器を構成し、該
共振器の共振周波数ｆ0と無負荷Ｑを測定し、比誘電率
ε’と誘電正接ｔａｎδをそれぞれ下記式
【数１】 及び
【数２】 より求めることを特徴とするものである。
【００１５】
【数１】
【００１６】及び
【００１７】
【数２】
【００１８】の式より求めることを特徴とするものであ
る。
る。
【００１９】前記空洞共振器の空洞に充填する誘電体
は、誘電特性の再現性を保つために製作可能な測定試料
の寸法と実用的な共振器の寸法を勘案し、マイクロ波の
周波数領域、とりわけ１〜３ＧＨｚの周波数領域での誘
電定数を測定するためには、その比誘電率は１０〜１０
０の範囲が良く、具体的な誘電体材料としては、誘電正
接の小さい、例えばサファイア等の単結晶が好適であ
る。
は、誘電特性の再現性を保つために製作可能な測定試料
の寸法と実用的な共振器の寸法を勘案し、マイクロ波の
周波数領域、とりわけ１〜３ＧＨｚの周波数領域での誘
電定数を測定するためには、その比誘電率は１０〜１０
０の範囲が良く、具体的な誘電体材料としては、誘電正
接の小さい、例えばサファイア等の単結晶が好適であ
る。
【００２０】
【作用】本発明の誘電定数の測定装置は、比誘電率と誘
電正接が既知である誘電体を充填した円筒状の空洞共振
器を中央部で分割し、その間に平板状の誘電体測定試料
を挟んで共振器を構成したことから、該共振器のＴＥ
011 モードの共振周波数、即ち誘電定数の測定周波数が
低くなるように作用する。
電正接が既知である誘電体を充填した円筒状の空洞共振
器を中央部で分割し、その間に平板状の誘電体測定試料
を挟んで共振器を構成したことから、該共振器のＴＥ
011 モードの共振周波数、即ち誘電定数の測定周波数が
低くなるように作用する。
【００２１】このことは、空洞に充填した誘電体は、そ
の比誘電率が大きくなると共振周波数を小さくするよう
に作用し、具体的には共振周波数が、従来の空洞共振器
法の測定周波数の約１／√ε' 2 となるため、前記比誘
電率の大きさと共振器の寸法を調節することによりマイ
クロ波の周波数領域、とりわけ１〜３ＧＨｚの周波数領
域の誘電定数が測定できる。
の比誘電率が大きくなると共振周波数を小さくするよう
に作用し、具体的には共振周波数が、従来の空洞共振器
法の測定周波数の約１／√ε' 2 となるため、前記比誘
電率の大きさと共振器の寸法を調節することによりマイ
クロ波の周波数領域、とりわけ１〜３ＧＨｚの周波数領
域の誘電定数が測定できる。
【００２２】また、空洞共振器の空洞に充填する誘電体
材料としては、前述のサファイア等の単結晶を使用する
ことにより、充填した誘電体に生じる誘電体損失を低く
して、誘電正接が１０-5〜１０-4の低損失の誘電体セラ
ミックスの測定にも適用可能となる。
材料としては、前述のサファイア等の単結晶を使用する
ことにより、充填した誘電体に生じる誘電体損失を低く
して、誘電正接が１０-5〜１０-4の低損失の誘電体セラ
ミックスの測定にも適用可能となる。
【００２３】また、本発明の誘電定数の測定方法は、解
析用の空洞共振器を仮定して共振電磁界の厳密解を適用
できるので、計算に含まれる誤差も極めて小さくなり、
解析用の空洞共振器を仮定することにより生じる計算上
の誤差は、比誘電率において１％以下、また誘電正接で
は１×１０-5以下となる。
析用の空洞共振器を仮定して共振電磁界の厳密解を適用
できるので、計算に含まれる誤差も極めて小さくなり、
解析用の空洞共振器を仮定することにより生じる計算上
の誤差は、比誘電率において１％以下、また誘電正接で
は１×１０-5以下となる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の誘電定数の測定装置及びその
測定方法を詳細に説明する。図１は、本発明に係る誘電
定数の測定装置の要部である共振器を示す断面図であ
り、図２は解析用に仮定した本発明に係る誘電定数の測
定装置の要部である共振器を示す断面図である。
測定方法を詳細に説明する。図１は、本発明に係る誘電
定数の測定装置の要部である共振器を示す断面図であ
り、図２は解析用に仮定した本発明に係る誘電定数の測
定装置の要部である共振器を示す断面図である。
【００２５】図において、１は二分割した左右対称の空
洞共振器２の空洞３に比誘電率と誘電正接が既知の誘電
体４を充填し、面一致とした分割面５で平板状の誘電体
試料６を挟持して構成した誘電定数の測定装置の要部を
成す誘電定数測定用共振器である。
洞共振器２の空洞３に比誘電率と誘電正接が既知の誘電
体４を充填し、面一致とした分割面５で平板状の誘電体
試料６を挟持して構成した誘電定数の測定装置の要部を
成す誘電定数測定用共振器である。
【００２６】前記共振器１においては、誘電体試料６の
周縁部７が共振器１の外に出ているため、僅かながら電
磁界が外に洩れており、電磁界の厳密解を得ることはで
きない。そこで、誘電体試料６を共振器１の中に完全に
埋設した解析用の共振器を仮定し、以下に示す諸式によ
り共振周波数ｆ0 から比誘電率ε' 1 を計算する。
周縁部７が共振器１の外に出ているため、僅かながら電
磁界が外に洩れており、電磁界の厳密解を得ることはで
きない。そこで、誘電体試料６を共振器１の中に完全に
埋設した解析用の共振器を仮定し、以下に示す諸式によ
り共振周波数ｆ0 から比誘電率ε' 1 を計算する。
【００２７】尚、図２において、１０は誘電体試料の厚
さＬであり、１１は空洞に充填した誘電体４の直径２Ｒ
であり、１２は誘電体４の高さＭである。
さＬであり、１１は空洞に充填した誘電体４の直径２Ｒ
であり、１２は誘電体４の高さＭである。
【００２８】比誘電率ε' 1 は、図に示す８の領域１及
び９の領域２の電磁界の接線成分の連続性により得られ
る下記式から算出できる。
び９の領域２の電磁界の接線成分の連続性により得られ
る下記式から算出できる。
【００２９】
【数１】
【００３０】次に、平板状の誘電体試料の誘電正接ｔａ
ｎδ1 は、図１に示す共振器のＴＥ011 モードの無負荷
Ｑ、Ｑu の測定値より求める。但し、前記誘電正接の計
算は比誘電率と同様に解析用に仮定した図２に示す本発
明に係る誘電定数の測定装置の共振器を用いて行う。
ｎδ1 は、図１に示す共振器のＴＥ011 モードの無負荷
Ｑ、Ｑu の測定値より求める。但し、前記誘電正接の計
算は比誘電率と同様に解析用に仮定した図２に示す本発
明に係る誘電定数の測定装置の共振器を用いて行う。
【００３１】図２における前記無負荷Ｑ、Ｑu は、下記
式で与えられる。
式で与えられる。
【００３２】
【数３】
【００３３】但し、Ｗ1 e 、Ｗ2 e は、それぞれ領域
１、２の電界の蓄積エネルギーであり、Ｐcy1 、Ｐcy2
はそれぞれ領域１、２の側壁における導体損であり、Ｐ
end は端板における導体損である。
１、２の電界の蓄積エネルギーであり、Ｐcy1 、Ｐcy2
はそれぞれ領域１、２の側壁における導体損であり、Ｐ
end は端板における導体損である。
【００３４】また、Ｐd1、Ｐd2はそれぞれ領域１、２に
おける誘電体損であり、領域１、２の誘電正接をｔａｎ
δ1 、ｔａｎδ2 とすると、 Ｐd1＝ωＷ1 e ｔａｎδ1 Ｐd2＝ωＷ2 e ｔａｎδ2 で示される。
おける誘電体損であり、領域１、２の誘電正接をｔａｎ
δ1 、ｔａｎδ2 とすると、 Ｐd1＝ωＷ1 e ｔａｎδ1 Ｐd2＝ωＷ2 e ｔａｎδ2 で示される。
【００３５】前記数３と誘電体損の関係より、誘電体試
料の誘電正接ｔａｎδ1 は下記式
料の誘電正接ｔａｎδ1 は下記式
【００３６】
【数２】
【００３７】で示される。
【００３８】ここで、ＴＥ011 モードのＷ1 e 、
Ｗ2 e 、Ｐcy1 、Ｐcy2 及びＰend はそれぞれ下記式で
示される。
Ｗ2 e 、Ｐcy1 、Ｐcy2 及びＰend はそれぞれ下記式で
示される。
【００３９】
【数４】
【００４０】
【数５】
【００４１】
【数６】
【００４２】
【数７】
【００４３】
【数８】
【００４４】但し、Ｒs は共振器内壁の表面抵抗であ
り、その実効導電率より計算され、ＡおよびＢは領域
１、２における電磁界の振幅係数であり、 Ｂ／Ａ＝−ｃｏｓＸ／ｓｉｎＹ の関係にある。
り、その実効導電率より計算され、ＡおよびＢは領域
１、２における電磁界の振幅係数であり、 Ｂ／Ａ＝−ｃｏｓＸ／ｓｉｎＹ の関係にある。
【００４５】次に、本発明の誘電定数の測定装置及びそ
の測定方法を具体的な実施例に基づいて説明する。測定
周波数が３ＧＨｚにおける誘電定数測定用の共振器とし
て、空洞を有する内径４０ｍｍ、高さ４０ｍｍの無酸素
銅から成る円筒状の空洞共振器を二分割し、二分割した
それぞれの空洞に誘電正接が小さい、即ち低損失材料で
あるＣ軸に垂直な端面を持つ単結晶サファイアの円柱を
嵌合し、分割面を面一致にして共振器構成部材とした。
の測定方法を具体的な実施例に基づいて説明する。測定
周波数が３ＧＨｚにおける誘電定数測定用の共振器とし
て、空洞を有する内径４０ｍｍ、高さ４０ｍｍの無酸素
銅から成る円筒状の空洞共振器を二分割し、二分割した
それぞれの空洞に誘電正接が小さい、即ち低損失材料で
あるＣ軸に垂直な端面を持つ単結晶サファイアの円柱を
嵌合し、分割面を面一致にして共振器構成部材とした。
【００４６】尚、前記サファイアのＣ軸に垂直な方向の
比誘電率は９．４であり、前記寸法の円筒状空洞共振器
に充填すると、ＴＥ011 モードの共振周波数は３．２Ｇ
Ｈｚとなる。表１に測定周波数が３ＧＨｚの共振器の定
数を示す。
比誘電率は９．４であり、前記寸法の円筒状空洞共振器
に充填すると、ＴＥ011 モードの共振周波数は３．２Ｇ
Ｈｚとなる。表１に測定周波数が３ＧＨｚの共振器の定
数を示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】次いで、前記共振器構成部材で純度９６％
と９０％のアルミナ質焼結体から成る厚さ１．０ｍｍ、
直径５０．０ｍｍの誘電体試料をそれぞれ挟持して緊締
し、誘電定数測定用の共振器を構成するとともに、該共
振器の入力側及び出力側に同軸ケーブルを配設し、その
先端にループを形成して誘電定数の測定装置を作製し
た。かくして得られた誘電定数の測定装置を用いて測定
した結果を、従来の空洞共振器法により測定した結果と
ともに表２に示す。
と９０％のアルミナ質焼結体から成る厚さ１．０ｍｍ、
直径５０．０ｍｍの誘電体試料をそれぞれ挟持して緊締
し、誘電定数測定用の共振器を構成するとともに、該共
振器の入力側及び出力側に同軸ケーブルを配設し、その
先端にループを形成して誘電定数の測定装置を作製し
た。かくして得られた誘電定数の測定装置を用いて測定
した結果を、従来の空洞共振器法により測定した結果と
ともに表２に示す。
【００４９】
【表２】
【００５０】表２の結果より、本発明の誘電定数の測定
方法では、測定精度が比誘電率においては±０．１（１
％）以下であり、誘電正接においても±０．１×１０-4
以下であった。
方法では、測定精度が比誘電率においては±０．１（１
％）以下であり、誘電正接においても±０．１×１０-4
以下であった。
【００５１】尚、本発明は前記実施例に何ら限定される
ものではない。
ものではない。
【００５２】
【発明の効果】本発明の誘電定数の測定装置及びその測
定方法は、空洞共振器の空洞に比誘電率と誘電正接が既
知である誘電体を充填し、該誘電体を充填した空洞共振
器を中央部で２つに分割してその間に平板状の誘電体測
定試料を挟んで共振器を構成し、該共振器のＴＥ011 モ
ードの共振周波数ｆ0 と無負荷Ｑを測定して前記誘電体
試料の誘電定数を求めることから、１〜３ＧＨｚの周波
数領域で、任意の形状の誘電体を高損失材料は勿論、低
損失材料に対しても高精度、かつ簡便に真値からの偏差
も極めて小さい誘電定数を測定することが可能となる。
定方法は、空洞共振器の空洞に比誘電率と誘電正接が既
知である誘電体を充填し、該誘電体を充填した空洞共振
器を中央部で２つに分割してその間に平板状の誘電体測
定試料を挟んで共振器を構成し、該共振器のＴＥ011 モ
ードの共振周波数ｆ0 と無負荷Ｑを測定して前記誘電体
試料の誘電定数を求めることから、１〜３ＧＨｚの周波
数領域で、任意の形状の誘電体を高損失材料は勿論、低
損失材料に対しても高精度、かつ簡便に真値からの偏差
も極めて小さい誘電定数を測定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る誘電定数の測定装置の要部である
共振器を示す断面図である。
共振器を示す断面図である。
【図２】解析用に仮定した本発明に係る誘電定数の測定
装置の要部である共振器を示す断面図である。
装置の要部である共振器を示す断面図である。
【図３】ストリップライン共振器の要部を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】誘電体共振器摂動法の測定装置の要部を示す断
面図である。
面図である。
【図５】反射波法の概要を説明するための回路を示す図
である。
である。
１ 誘電定数測定用共振器 ２ 空洞共振器 ３ 空洞 ４ 誘電体 ５ 分割面 ６ 誘電体試料
Claims (1)
- 【請求項１】二分割した空洞共振器の空洞に、比誘電率
と誘電正接が既知である誘電体を充填し、面一致とした
分割面で平板状の誘電体試料を挟持して共振器を構成
し、該共振器の共振周波数ｆ0と無負荷Ｑを測定し、比
誘電率ε’と誘電正接ｔａｎδをそれぞれ下記式 【数１】 及び 【数２】 より求めることを特徴とする誘電定数の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10311693A JP3210769B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 誘電定数の測定装置及びその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10311693A JP3210769B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 誘電定数の測定装置及びその測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06308177A JPH06308177A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3210769B2 true JP3210769B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=14345627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10311693A Expired - Fee Related JP3210769B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 誘電定数の測定装置及びその測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210769B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4710082B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2011-06-29 | ミクロ電子株式会社 | マイクロ波を利用した誘電率の測定方法とその測定装置 |
| JP2010535325A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | ジー．デー ソチエタ ペル アツィオニ | 繊維性材料の特性を検出するための装置 |
| JP5409500B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-02-05 | 京セラ株式会社 | 厚さ測定方法 |
| CN112051454B (zh) * | 2020-09-08 | 2023-11-07 | 中电科思仪科技股份有限公司 | 基于太赫兹波的材料高温环境下介电特性检测方法及系统 |
| CN113970670B (zh) * | 2021-09-29 | 2022-08-09 | 西安电子科技大学 | 箔条空气混合介电常数测量方法、系统、设备、介质及终端 |
| CN117347730B (zh) * | 2023-12-05 | 2024-02-20 | 电子科技大学 | 一种材料烧蚀挥发下的相对复介电常数反演方法 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10311693A patent/JP3210769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06308177A (ja) | 1994-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Krupka et al. | Measurements of the complex permittivity of microwave circuit board substrates using split dielectric resonator and reentrant cavity techniques | |
| US5990767A (en) | Dielectrically loaded cavity resonator | |
| US3534301A (en) | Temperature compensated integrated circuit type narrowband stripline filter | |
| CN112505429B (zh) | 基于同轴带状线谐振器的复介电常数测试系统及测试方法 | |
| Works | Resonant cavities for dielectric measurements | |
| JP3210769B2 (ja) | 誘電定数の測定装置及びその測定方法 | |
| JP3634966B2 (ja) | 金属層界面の導電率測定方法 | |
| Olyphant et al. | Strip-line methods for dielectric measurements at microwave frequencies | |
| JP4518680B2 (ja) | 誘電定数測定法 | |
| JP4726395B2 (ja) | 電気的物性値測定法 | |
| JP3735501B2 (ja) | 金属層の導電率測定方法 | |
| JP4035024B2 (ja) | 誘電定数測定法 | |
| JP3532069B2 (ja) | 表面抵抗の測定方法 | |
| JP4157387B2 (ja) | 電気的物性値測定法 | |
| Rajab et al. | Dielectric property measurement using a resonant nonradiative dielectric waveguide structure | |
| JP4530951B2 (ja) | 誘電定数測定方法及び両端開放形半波長コプレナーライン共振器 | |
| JP3825299B2 (ja) | 誘電定数測定法 | |
| JP3794437B2 (ja) | 導波装置、電気特性測定装置及び電気特性測定方法 | |
| Salski et al. | Characterization of Low-Loss Liquids With a Double-Concave Fabry–Perot Open Resonator in the 20–50-GHz Range | |
| JP3566238B2 (ja) | 表面抵抗測定装置および方法 | |
| Shimizu et al. | A 100GHz grooved circular empty cavity for low loss dielectric substrate measurements in W band | |
| JP4216739B2 (ja) | 電気的物性値測定方法及び測定用冶具 | |
| Weiss et al. | Dielectric constant evaluation of insulating materials: an accurate, practical measurement system | |
| JP2006177866A (ja) | 誘電定数測定方法 | |
| JPH11125606A (ja) | 導波装置及び電気特性測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |