JP3210071B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子（以下
ＬＥＤと称す）に係わり、特に、ＩｎＧａＡｌＰ系半導
体材料を用いたＬＥＤに関する。
ＬＥＤと称す）に係わり、特に、ＩｎＧａＡｌＰ系半導
体材料を用いたＬＥＤに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎＧａＡｌＰ系材料は、窒化物を除く
３−５族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型バンド
ギャップを有し、０．５〜０．６ミクロン帯の発光素子
材料として注目されている。特に、ＧａＡｓを基板と
し、これに格子整合するＩｎＧａＡｌＰによる発光部を
持つｐｎ接合型ＬＥＤは、従来のＧａＰやＧａＡｓＰ等
の間接遷移型の材料を用いたものに比べ、赤色から緑色
の高輝度の発光が可能である。高輝度のＬＥＤを形成す
るには、発光効率を高めることはもとより、素子内部で
の光吸収や、活性部と電極の相対的位置関係等により、
外部への有効な光取り出しを実現することが重要であ
る。図３は、従来のｎ型ＩｎＧａＡｌＰＬＥＤについて
説明する。
３−５族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型バンド
ギャップを有し、０．５〜０．６ミクロン帯の発光素子
材料として注目されている。特に、ＧａＡｓを基板と
し、これに格子整合するＩｎＧａＡｌＰによる発光部を
持つｐｎ接合型ＬＥＤは、従来のＧａＰやＧａＡｓＰ等
の間接遷移型の材料を用いたものに比べ、赤色から緑色
の高輝度の発光が可能である。高輝度のＬＥＤを形成す
るには、発光効率を高めることはもとより、素子内部で
の光吸収や、活性部と電極の相対的位置関係等により、
外部への有効な光取り出しを実現することが重要であ
る。図３は、従来のｎ型ＩｎＧａＡｌＰＬＥＤについて
説明する。
【０００３】図３は、ＬＥＤの断面図で、ｎ型ＧａＡｓ
基板２０１の一主面上にｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
２０２、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ活性層２０３、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｌＰクラッド層２０４、ｐ型ＧａＡｌＡｓ電流拡散
層２０５が順次積層形成され、このｐ型ＧａＡｌＡｓ電
流拡散層２０５にはｐ側電極２０６、またｎ型ＧａＡｓ
基板２０１の他方の主面にはｎ側電極２０７が形成され
た構造になっている。
基板２０１の一主面上にｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
２０２、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ活性層２０３、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｌＰクラッド層２０４、ｐ型ＧａＡｌＡｓ電流拡散
層２０５が順次積層形成され、このｐ型ＧａＡｌＡｓ電
流拡散層２０５にはｐ側電極２０６、またｎ型ＧａＡｓ
基板２０１の他方の主面にはｎ側電極２０７が形成され
た構造になっている。
【０００４】そして、各層のＡｌ組成は高い発光効率が
得られるように設定され、発光部となる活性層２３のバ
ンドギャップは二つのクラッド層２０２、２０４より小
さいダブルヘテロ接合が形成されている。
得られるように設定され、発光部となる活性層２３のバ
ンドギャップは二つのクラッド層２０２、２０４より小
さいダブルヘテロ接合が形成されている。
【０００５】なお、以下ではこのようなダブルヘテロ接
合構造を持つＬＥＤについて記すが、以下で問題とする
光の取り出し効率を考える上では、活性層部の層構造
は、本質ではなく、シングルヘテロ接合構造やホモ接合
構造でも同様に考えることができる。
合構造を持つＬＥＤについて記すが、以下で問題とする
光の取り出し効率を考える上では、活性層部の層構造
は、本質ではなく、シングルヘテロ接合構造やホモ接合
構造でも同様に考えることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＬＥＤにお
いて、活性層で生じた光の内、側面に向かった光は、活
性層中で吸収をうけ長波長化する。活性層中央部近傍で
発生し、側面方向に発した光は活性層中を進むうちにほ
とんど吸収されるのでここでは問題にならないが、側面
近傍で発生しすぐ近くの側面方向に進む光は、ＬＥＤの
側面から出ることになり、上面からでる光よりも波長の
長い光が観測される。また、側面近傍ではダイシング工
程のため結晶性が大きく損なわれておりこの結晶性の悪
さも光が長波長化する一因であると考えられる。このた
め、ＬＥＤ側面から放射される光とＬＥＤ上面から放射
される光とでは、波長が異なり、このＬＥＤに外囲器を
形成し製品化した際、光の単色性を著しく損なう等の弊
害を及ぼしていた。特に、赤色等の長波長ＬＥＤにおい
ては、長波長化した光はヒトの目に認識されることがあ
まりないので問題とされなかったが、黄色から緑色等の
短波長ＬＥＤにおいては、長波長化した光は可視の領域
になってしまい、色を誤認してしまう等の大きな問題と
なっていた。そこで本発明は、上記欠点を除去し活性層
側面からの光の放射を抑制することによって、光の単色
性の向上を図り得るＬＥＤを提供することを目的とす
る。
いて、活性層で生じた光の内、側面に向かった光は、活
性層中で吸収をうけ長波長化する。活性層中央部近傍で
発生し、側面方向に発した光は活性層中を進むうちにほ
とんど吸収されるのでここでは問題にならないが、側面
近傍で発生しすぐ近くの側面方向に進む光は、ＬＥＤの
側面から出ることになり、上面からでる光よりも波長の
長い光が観測される。また、側面近傍ではダイシング工
程のため結晶性が大きく損なわれておりこの結晶性の悪
さも光が長波長化する一因であると考えられる。このた
め、ＬＥＤ側面から放射される光とＬＥＤ上面から放射
される光とでは、波長が異なり、このＬＥＤに外囲器を
形成し製品化した際、光の単色性を著しく損なう等の弊
害を及ぼしていた。特に、赤色等の長波長ＬＥＤにおい
ては、長波長化した光はヒトの目に認識されることがあ
まりないので問題とされなかったが、黄色から緑色等の
短波長ＬＥＤにおいては、長波長化した光は可視の領域
になってしまい、色を誤認してしまう等の大きな問題と
なっていた。そこで本発明は、上記欠点を除去し活性層
側面からの光の放射を抑制することによって、光の単色
性の向上を図り得るＬＥＤを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明では、キャリアが再結合して発光する活性
層と、前記活性層の上面に形成された一導電型の第一の
半導体層と、前記活性層の下面に形成され、前記第一の
半導体層と逆導電型の第二の半導体層と、少なくとも前
記活性層の側面近傍に形成され、前記活性層のバンドギ
ャップよりも小さなバンドギャップを有する結晶材料
と、前記第一の半導体層表面上に電気的に接続された第
一の電極と、前記第二の半導体層表面に電気的に接続さ
れた第二の電極とを具備することを特徴としている。ま
た、少なくとも前記結晶材料上に形成され、且つ、この
結晶材料と接し、前記活性層と逆導電型の電流ブロック
層を含むことを特徴としている。また、前記結晶材料の
バンドギャップが１．７５ｅＶ以下であることを特徴と
している。また、前記活性層がＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌ
x ）0.5 Ｐでかつ、前記結晶材料がＧａＡｓであること
を特徴としている。
に、この発明では、キャリアが再結合して発光する活性
層と、前記活性層の上面に形成された一導電型の第一の
半導体層と、前記活性層の下面に形成され、前記第一の
半導体層と逆導電型の第二の半導体層と、少なくとも前
記活性層の側面近傍に形成され、前記活性層のバンドギ
ャップよりも小さなバンドギャップを有する結晶材料
と、前記第一の半導体層表面上に電気的に接続された第
一の電極と、前記第二の半導体層表面に電気的に接続さ
れた第二の電極とを具備することを特徴としている。ま
た、少なくとも前記結晶材料上に形成され、且つ、この
結晶材料と接し、前記活性層と逆導電型の電流ブロック
層を含むことを特徴としている。また、前記結晶材料の
バンドギャップが１．７５ｅＶ以下であることを特徴と
している。また、前記活性層がＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌ
x ）0.5 Ｐでかつ、前記結晶材料がＧａＡｓであること
を特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明によると、活性層の側面近傍に活性層の
バンドギャップよりも小さなバンドギャップを有する結
晶材料を形成することによって、側面方向に放射される
光を吸収し外部へ取り出さないようにする。したがっ
て、側面から取り出される光、即ち長波長化される光が
低減し、ＬＥＤから取り出される光の波長の単色化を格
段に向上させることができる。
バンドギャップよりも小さなバンドギャップを有する結
晶材料を形成することによって、側面方向に放射される
光を吸収し外部へ取り出さないようにする。したがっ
て、側面から取り出される光、即ち長波長化される光が
低減し、ＬＥＤから取り出される光の波長の単色化を格
段に向上させることができる。
【０００９】
（実施例１）この発明の第一の実施例を図１を参照し、
詳細に説明する。図１は、本発明のｎ型ＩｎＧａＡｌＰ
ＬＥＤの概略構成を示す断面図である。
詳細に説明する。図１は、本発明のｎ型ＩｎＧａＡｌＰ
ＬＥＤの概略構成を示す断面図である。
【００１０】中央に厚さ０．３ミクロンのアンド−プの
Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ活性層１０３（キャ
リア濃度１０17≦１）を形成し、この活性層１０３の表
面に厚さ０．６ミクロンのｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-y Ａｌ
y ）0.5 Ｐクラッド層１０４（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｐ型クラッド層１０４上
に厚さ７ミクロンのｐ型Ｇａ1-p Ａｌp Ａｓ電流拡散層
１０５（キャリア濃度２．５×１０18）を積層形成し、
第一の半導体層１０９とする。また、この活性層１０３
の裏面に厚さ０．６ミクロンのｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-z
Ａｌz ）0.5 Ｐクラッド層１０２（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｎ型クラッド層１０２裏
面上に厚さ２４０ミクロンのｎ型ＧａＡｓ基板１０１
（キャリア濃度２×１０18）を積層形成し、第二の半導
体層１１０とする。そして、少なくとも、活性層１０３
の側面近傍に活性層１０３のバンドギャップよりも小さ
な例えば１．７５ｅＶ以下バンドギャップを有する結晶
材料１０８を形成する。更に、第一の半導体層１０９の
表面の中央部近傍上に厚さ１．５ミクロンの第一の電極
例えばｐ型ＡｕＢｅ電極１０６を形成する。また、厚さ
１．５ミクロンの第二の半導体層１１０の裏面に第二の
電極例えばｎ型ＡｕＧｅ電極１０７を形成する。ＩｎＧ
ａＡｌＰ各層のＡｌ組成ｘ、ｙ、ｚは高い発光効率が得
られるように、ｘ≦ｚ、ｘ≦ｙで満たす。例えば、ｙ＝
ｚ＝０．７、ｙ＝０．３とする。即ち、発光部となる活
性層１０３のバンドギャップは、ｐ、ｎの隣接する二つ
のクラッド層１０４、１０２よりも小さいダブルヘテロ
接合が形成されている。
Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ活性層１０３（キャ
リア濃度１０17≦１）を形成し、この活性層１０３の表
面に厚さ０．６ミクロンのｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-y Ａｌ
y ）0.5 Ｐクラッド層１０４（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｐ型クラッド層１０４上
に厚さ７ミクロンのｐ型Ｇａ1-p Ａｌp Ａｓ電流拡散層
１０５（キャリア濃度２．５×１０18）を積層形成し、
第一の半導体層１０９とする。また、この活性層１０３
の裏面に厚さ０．６ミクロンのｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-z
Ａｌz ）0.5 Ｐクラッド層１０２（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｎ型クラッド層１０２裏
面上に厚さ２４０ミクロンのｎ型ＧａＡｓ基板１０１
（キャリア濃度２×１０18）を積層形成し、第二の半導
体層１１０とする。そして、少なくとも、活性層１０３
の側面近傍に活性層１０３のバンドギャップよりも小さ
な例えば１．７５ｅＶ以下バンドギャップを有する結晶
材料１０８を形成する。更に、第一の半導体層１０９の
表面の中央部近傍上に厚さ１．５ミクロンの第一の電極
例えばｐ型ＡｕＢｅ電極１０６を形成する。また、厚さ
１．５ミクロンの第二の半導体層１１０の裏面に第二の
電極例えばｎ型ＡｕＧｅ電極１０７を形成する。ＩｎＧ
ａＡｌＰ各層のＡｌ組成ｘ、ｙ、ｚは高い発光効率が得
られるように、ｘ≦ｚ、ｘ≦ｙで満たす。例えば、ｙ＝
ｚ＝０．７、ｙ＝０．３とする。即ち、発光部となる活
性層１０３のバンドギャップは、ｐ、ｎの隣接する二つ
のクラッド層１０４、１０２よりも小さいダブルヘテロ
接合が形成されている。
【００１１】前記活性層及び前記結晶材料は、周知のリ
ソグラフィ−技術により形成する。前記第一の電極１０
６は、通常レジスト等を用いたリフトオフ法またはリソ
グラフィ−技術により、第一の半導体層１０９の表面の
中央部近傍上に選択的に形成する。また、各層の成長に
は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）法等の気相成長法によって成長してい
る。
ソグラフィ−技術により形成する。前記第一の電極１０
６は、通常レジスト等を用いたリフトオフ法またはリソ
グラフィ−技術により、第一の半導体層１０９の表面の
中央部近傍上に選択的に形成する。また、各層の成長に
は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）法等の気相成長法によって成長してい
る。
【００１２】なお、上記ではこのようなダブルヘテロ接
合構造を持つＬＥＤについて記すが、上記で問題とする
光の取り出し効率を考える上では、活性層部の層構造
は、本質ではなく、シングルヘテロ接合構造やホモ接合
構造でも同様に考えることができる。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。 （実施例２）この発明の第二の実施例を図２を参照し、
詳細に説明する。図２は、本発明のｎ型ＩｎＧａＡｌＰ
ＬＥＤの概略構成を示す断面図である。
合構造を持つＬＥＤについて記すが、上記で問題とする
光の取り出し効率を考える上では、活性層部の層構造
は、本質ではなく、シングルヘテロ接合構造やホモ接合
構造でも同様に考えることができる。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。 （実施例２）この発明の第二の実施例を図２を参照し、
詳細に説明する。図２は、本発明のｎ型ＩｎＧａＡｌＰ
ＬＥＤの概略構成を示す断面図である。
【００１３】中央に厚さ０．３ミクロンのアンド−プの
Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ活性層１０３（キャ
リア濃度１０17≦１）を形成し、この活性層１０３の表
面に厚さ０．６ミクロンのｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-y Ａｌ
y ）0.5 Ｐクラッド層１０４（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｐ型クラッド層１０４上
に厚さ７ミクロンのｐ型Ｇａ1-p Ａｌp Ａｓ電流拡散層
１０５（キャリア濃度２．５×１０18）を積層形成し、
第一の半導体層１０９とする。また、この活性層１０３
の裏面に厚さ０．６ミクロンのｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-z
Ａｌz ）0.5 Ｐクラッド層１０２（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｎ型クラッド層１０２裏
面上に厚さ２４０ミクロンのｎ型ＧａＡｓ基板１０１
（キャリア濃度２×１０18）を積層形成し、第二の半導
体層１１０とする。そして、少なくとも、活性層１０３
の側面近傍に活性層１０３のバンドギャップよりも小さ
な例えば１．７５ｅＶ以下バンドギャップを有する結晶
材料１０８を形成する。更に、少なくとも結晶材料１０
８上にこの結晶材料１０８と接し、活性層１０３と逆導
電型の電流ブロック層１１１を形成する。更に、第一の
半導体層１０９の表面近傍上に厚さ１．５ミクロンの第
一の電極例えばｐ型ＡｕＢｅ電極１０７を形成する。す
なわち、第一の電極１０７直下部に間接的に電流ブロッ
ク層１１１を設けた構造になる。電流をｐ型Ｇａ1-p Ａ
ｌp Ａｓ電流拡散層１０５内で広く拡散させるために
は、電極を直下に設けることが必要である。また、活性
層中央部近傍で発生し活性層側面に向かった光は長波長
化してしまう。そのため、第一の半導体層１０９の表面
の側面近傍上に第一の電極１０７を形成しこの直下部に
間接的に電流ブロック層１１１を設けている。また、厚
さ１．５ミクロンの第二の半導体層１１０の裏面に第二
の電極例えばｎ型ＡｕＧｅ電極１０７を形成する。ま
た、活性層及び結晶材料と同様に電流ブロック層も周知
のリソグラフィ−技術により形成する。
Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ活性層１０３（キャ
リア濃度１０17≦１）を形成し、この活性層１０３の表
面に厚さ０．６ミクロンのｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-y Ａｌ
y ）0.5 Ｐクラッド層１０４（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｐ型クラッド層１０４上
に厚さ７ミクロンのｐ型Ｇａ1-p Ａｌp Ａｓ電流拡散層
１０５（キャリア濃度２．５×１０18）を積層形成し、
第一の半導体層１０９とする。また、この活性層１０３
の裏面に厚さ０．６ミクロンのｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-z
Ａｌz ）0.5 Ｐクラッド層１０２（キャリア濃度３×１
０17）を形成する。更に、このｎ型クラッド層１０２裏
面上に厚さ２４０ミクロンのｎ型ＧａＡｓ基板１０１
（キャリア濃度２×１０18）を積層形成し、第二の半導
体層１１０とする。そして、少なくとも、活性層１０３
の側面近傍に活性層１０３のバンドギャップよりも小さ
な例えば１．７５ｅＶ以下バンドギャップを有する結晶
材料１０８を形成する。更に、少なくとも結晶材料１０
８上にこの結晶材料１０８と接し、活性層１０３と逆導
電型の電流ブロック層１１１を形成する。更に、第一の
半導体層１０９の表面近傍上に厚さ１．５ミクロンの第
一の電極例えばｐ型ＡｕＢｅ電極１０７を形成する。す
なわち、第一の電極１０７直下部に間接的に電流ブロッ
ク層１１１を設けた構造になる。電流をｐ型Ｇａ1-p Ａ
ｌp Ａｓ電流拡散層１０５内で広く拡散させるために
は、電極を直下に設けることが必要である。また、活性
層中央部近傍で発生し活性層側面に向かった光は長波長
化してしまう。そのため、第一の半導体層１０９の表面
の側面近傍上に第一の電極１０７を形成しこの直下部に
間接的に電流ブロック層１１１を設けている。また、厚
さ１．５ミクロンの第二の半導体層１１０の裏面に第二
の電極例えばｎ型ＡｕＧｅ電極１０７を形成する。ま
た、活性層及び結晶材料と同様に電流ブロック層も周知
のリソグラフィ−技術により形成する。
【００１４】この構造にすれば、第一の電極直下と側面
近傍以外の広域に発光領域をとることができるので、高
い光の取り出し効率を保ったまま側面より取り出される
長波長の光を低減することができる。
近傍以外の広域に発光領域をとることができるので、高
い光の取り出し効率を保ったまま側面より取り出される
長波長の光を低減することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、活
性層の側面近傍に活性層のバンドギャップよりも小さな
バンドギャップを有する結晶材料を形成することによっ
て、側面方向に放射される光を吸収し外部へ取り出さな
いようにする。したがって、活性層側面からの光の放射
を抑制することになり、光の単色性の向上を図り得るＬ
ＥＤを提供することができる。
性層の側面近傍に活性層のバンドギャップよりも小さな
バンドギャップを有する結晶材料を形成することによっ
て、側面方向に放射される光を吸収し外部へ取り出さな
いようにする。したがって、活性層側面からの光の放射
を抑制することになり、光の単色性の向上を図り得るＬ
ＥＤを提供することができる。
【図１】本発明の第一の実施例における半導体発光素子
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２】本発明の第二の実施例における半導体発光素子
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図３】従来における半導体発光素子の概略断面図であ
る。
る。
１０１、２０１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２、２０２ ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-z Ａｌz ）0.5
Ｐクラッド層 １０３、２０３ Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ活
性層 １０４、２０４ ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-y Ａｌy ）0.5
Ｐクラッド層 １０５、２０５ ｐ型Ｇａ1-p Ａｌp Ａｓ電流拡散層 １０６、２０６ 第一の電極 １０７、２０７ 第二の電極 １０８、 結晶材料 １０９、２０９ 第一の半導体層 １１０、２１０ 第二の半導体層 １１１ 電流ブロック層
Ｐクラッド層 １０３、２０３ Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ活
性層 １０４、２０４ ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-y Ａｌy ）0.5
Ｐクラッド層 １０５、２０５ ｐ型Ｇａ1-p Ａｌp Ａｓ電流拡散層 １０６、２０６ 第一の電極 １０７、２０７ 第二の電極 １０８、 結晶材料 １０９、２０９ 第一の半導体層 １１０、２１０ 第二の半導体層 １１１ 電流ブロック層
Claims (4)
- 【請求項１】 キャリアが再結合して発光するＩｎ 0.5
（Ｇａ1-ｘＡｌｘ） 0.5 Ｐからなる活性層と、 前記活性層の上面に形成された一導電型の第一の半導体
層と、 前記活性層の下面に形成され、前記第一の半導体層と逆
導電型の第二の半導体層と、 前記活性層の側面近傍に形成され、前記活性層から側面
方向に放射される光を吸収し外部へ取り出さないように
する、前記活性層のバンドギャップよりも小さなバンド
ギャップを有する結晶材料と、 前記第一の半導体層表面上に選択的に形成された第一の
電極と、 前記第二の半導体層表面に電気的に接続された第二の電
極とを具備することを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】少なくとも前記結晶材料上に形成され、且
つ、この結晶材料と接し、前記活性層と逆導電型の電流
ブロック層を含むことを特徴とする請求項１記載の半導
体発光素子。 - 【請求項３】前記結晶材料のバンドギャップが１．７５
ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１及び請求項２
記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】前記結晶材料がＧａＡｓであることを特徴
とする請求項１及び請求項２記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13029692A JP3210071B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13029692A JP3210071B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327011A JPH05327011A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3210071B2 true JP3210071B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=15030927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13029692A Expired - Lifetime JP3210071B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210071B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13029692A patent/JP3210071B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05327011A (ja) | 1993-12-10 |
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