JP3206427B2 - 焦電センサの製造方法及び焦電センサの製造装置 - Google Patents
焦電センサの製造方法及び焦電センサの製造装置Info
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は焦電センサの製造方
法及び焦電センサの製造装置に関する。
法及び焦電センサの製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線等の光パワーを検出するセンサと
してはＴＧＳ(Tri-Glycine Sulfate)系単結晶を用いた
高感度の焦電センサがある。このＴＧＳ系単結晶におい
ては結晶特性を改善・向上させるためにアミノ酸、金属
イオンあるいは他種の酸等をドープすることが行われて
いる。
してはＴＧＳ(Tri-Glycine Sulfate)系単結晶を用いた
高感度の焦電センサがある。このＴＧＳ系単結晶におい
ては結晶特性を改善・向上させるためにアミノ酸、金属
イオンあるいは他種の酸等をドープすることが行われて
いる。
【０００３】例えば、アミノ酸をドープすると素子が内
部電界を持ち、自発分極が安定になるとともに比誘電体
が小さくなり、金属イオンのドープによっても比誘電体
が小さくなる。また弗化ベリリウム酸やリン酸をドープ
することによってキュリー温度を制御することができ
る。
部電界を持ち、自発分極が安定になるとともに比誘電体
が小さくなり、金属イオンのドープによっても比誘電体
が小さくなる。また弗化ベリリウム酸やリン酸をドープ
することによってキュリー温度を制御することができ
る。
【０００４】このような不純物ドープのＴＧＳ系単結晶
は、一般に、結晶となるべき成分（原料）と不純物を含
む溶液からの成長によって作製されている。また、この
種の結晶成長では、結晶成長時に温度降下速度あるいは
原料供給速度などを一定として溶液の過飽和度を一定に
保つといった制御が従来行われている。
は、一般に、結晶となるべき成分（原料）と不純物を含
む溶液からの成長によって作製されている。また、この
種の結晶成長では、結晶成長時に温度降下速度あるいは
原料供給速度などを一定として溶液の過飽和度を一定に
保つといった制御が従来行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＴＧＳ系単
結晶の成長においては、目的とする結晶方位（焦電セン
サでは一般にｂ軸方向）に単結晶を成長させるのが一般
的で、その成長方向における結晶特性の均一性が焦電セ
ンサを作製する上で重要なポイントとなる。
結晶の成長においては、目的とする結晶方位（焦電セン
サでは一般にｂ軸方向）に単結晶を成長させるのが一般
的で、その成長方向における結晶特性の均一性が焦電セ
ンサを作製する上で重要なポイントとなる。
【０００６】しかし、従来の成長方法では、成長方向の
結晶特性（内部電界等）が不均一になることが多く、こ
のため焦電センサを製作するにあたり、結晶内の使用可
能な領域が少なくなり、結果として歩留りが悪くなると
いう問題があった。
結晶特性（内部電界等）が不均一になることが多く、こ
のため焦電センサを製作するにあたり、結晶内の使用可
能な領域が少なくなり、結果として歩留りが悪くなると
いう問題があった。
【０００７】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、成長方向の特性が均一なＴＧＳ系単結晶を得る
ことができ、もって焦電センサの歩留りを向上させるこ
とのできる方法と、このような方法を実施するのに適し
た装置を提供することを目的とする。
もので、成長方向の特性が均一なＴＧＳ系単結晶を得る
ことができ、もって焦電センサの歩留りを向上させるこ
とのできる方法と、このような方法を実施するのに適し
た装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】まず、従来の成長方法に
おいて、成長方向の結晶特性が不均一になるのは、結晶
成長時に溶液の過飽和度を一定に制御していることか
ら、目的とする結晶軸方向（ｂ軸方向）の成長速度が一
定にならず、そのため不純物のドープ量が均一にならな
いことに起因すると考えられる。
おいて、成長方向の結晶特性が不均一になるのは、結晶
成長時に溶液の過飽和度を一定に制御していることか
ら、目的とする結晶軸方向（ｂ軸方向）の成長速度が一
定にならず、そのため不純物のドープ量が均一にならな
いことに起因すると考えられる。
【０００９】そこで、本発明では、ＴＧＳ系単結晶を溶
液中で成長させるときに、結晶の特定軸方向への成長速
度を測定し、その測定値に基づいて溶液の過飽和度を制
御して、結晶の特定軸方向の成長速度を所定の範囲内に
保つといった方法を採用することで、ＴＧＳ系単結晶の
特定軸方向（ｂ軸方向）における不純物のドープ量を均
一にすることにより所期の目的を達成する。
液中で成長させるときに、結晶の特定軸方向への成長速
度を測定し、その測定値に基づいて溶液の過飽和度を制
御して、結晶の特定軸方向の成長速度を所定の範囲内に
保つといった方法を採用することで、ＴＧＳ系単結晶の
特定軸方向（ｂ軸方向）における不純物のドープ量を均
一にすることにより所期の目的を達成する。
【００１０】また、このような方法を実施するのに適し
た装置は、例えば図１に示すようにＴＧＳ系単結晶Ｃを
成長する溶液Ｌを収容する恒温槽１と、この恒温槽１内
での結晶成長時に、結晶Ｃの特定軸方向の成長速度を測
定する手段（レーザ光源３ａ及びＣＣＤセンサ３ｂ等）
と、その測定値に基づいて、結晶の特定軸方向の成長速
度が所定の範囲内に入るように恒温槽内の溶液Ｌの過飽
和度をフィードバック制御する手段（徐冷制御手段４）
を備えた構成とすればよい。
た装置は、例えば図１に示すようにＴＧＳ系単結晶Ｃを
成長する溶液Ｌを収容する恒温槽１と、この恒温槽１内
での結晶成長時に、結晶Ｃの特定軸方向の成長速度を測
定する手段（レーザ光源３ａ及びＣＣＤセンサ３ｂ等）
と、その測定値に基づいて、結晶の特定軸方向の成長速
度が所定の範囲内に入るように恒温槽内の溶液Ｌの過飽
和度をフィードバック制御する手段（徐冷制御手段４）
を備えた構成とすればよい。
【００１１】ここで、本発明において、結晶成長時に特
定軸（ｂ軸）の成長速度は、結晶に不純物が均一にドー
プされること、また成長速度が遅すぎると良質な結晶が
得られない等の点を考慮すると、 0.6mm/day〜1.5mm/da
y が適当で、好ましくは 1.0mm/day〜1.2mm/day が良
い。
定軸（ｂ軸）の成長速度は、結晶に不純物が均一にドー
プされること、また成長速度が遅すぎると良質な結晶が
得られない等の点を考慮すると、 0.6mm/day〜1.5mm/da
y が適当で、好ましくは 1.0mm/day〜1.2mm/day が良
い。
【００１２】また、溶液の過飽和度を制御する方法とし
ては、溶液の温度降下速度を調整する溶液徐冷方式、ま
たは、結晶成長を行う溶液よりも高い濃度の溶液を足し
てゆく原料供給方式が挙げられる。
ては、溶液の温度降下速度を調整する溶液徐冷方式、ま
たは、結晶成長を行う溶液よりも高い濃度の溶液を足し
てゆく原料供給方式が挙げられる。
【００１３】その溶液徐冷方式を採用する場合、結晶の
成長速度が上記した規定値よりも大きいときには温度降
下速度を小さくし、逆に成長速度が規定値よりも小さい
ときには温度降下速度を大きくするような制御を行えば
よい。
成長速度が上記した規定値よりも大きいときには温度降
下速度を小さくし、逆に成長速度が規定値よりも小さい
ときには温度降下速度を大きくするような制御を行えば
よい。
【００１４】一方、原料供給方式を採用する場合、成長
速度が規定値よりも大きいときには原料供給速度を大き
くするか原料供給量を多くし、成長速度が規定値よりも
小さいときには原料供給速度を小さくするか原料供給量
を少なくするといった制御を行えばよい。
速度が規定値よりも大きいときには原料供給速度を大き
くするか原料供給量を多くし、成長速度が規定値よりも
小さいときには原料供給速度を小さくするか原料供給量
を少なくするといった制御を行えばよい。
【００１５】なお、本発明は、結晶のｂ軸方向への成長
の場合に限られることなく、結晶のａ軸方向またはｃ軸
方向への成長の際にも適用可能である。
の場合に限られることなく、結晶のａ軸方向またはｃ軸
方向への成長の際にも適用可能である。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、以下、図
面に基づいて説明する。まず、この実施の形態は、図１
に示すように、結晶となるべき成分及びアミノ酸等の不
純物を含んだ溶液Ｌを恒温槽１内に入れ、その溶液Ｌ中
でＴＧＳ系単結晶Ｃの成長を行う結晶成長装置を使用し
て焦電センサを製造する場合の例を示している。
面に基づいて説明する。まず、この実施の形態は、図１
に示すように、結晶となるべき成分及びアミノ酸等の不
純物を含んだ溶液Ｌを恒温槽１内に入れ、その溶液Ｌ中
でＴＧＳ系単結晶Ｃの成長を行う結晶成長装置を使用し
て焦電センサを製造する場合の例を示している。
【００１７】この図１に示す装置において、結晶成長
は、図２(A),(B) に示すように、目的の結晶方位（ｂ
軸）の種結晶Ｃ′を支持部材２の下端に装着して槽内の
溶液Ｌ中に浸し、その種結晶Ｃ′を基にしてＴＧＳ系単
結晶Ｃをｂ軸方向つまり恒温槽１の下方向へと成長させ
るという操作によって行われる。そして、このような結
晶成長で作製したＴＧＳ系単結晶に所定の加工、例えば
結晶からのセンサ素子の切り出し・電極形成等の加工を
行うことによって焦電センサを得ることができる。
は、図２(A),(B) に示すように、目的の結晶方位（ｂ
軸）の種結晶Ｃ′を支持部材２の下端に装着して槽内の
溶液Ｌ中に浸し、その種結晶Ｃ′を基にしてＴＧＳ系単
結晶Ｃをｂ軸方向つまり恒温槽１の下方向へと成長させ
るという操作によって行われる。そして、このような結
晶成長で作製したＴＧＳ系単結晶に所定の加工、例えば
結晶からのセンサ素子の切り出し・電極形成等の加工を
行うことによって焦電センサを得ることができる。
【００１８】さて、この実施の形態では、図１に示すよ
うに成長速度測定手段３及び徐冷制御手段４を設け、溶
液徐冷方式に基づく制御により、単結晶Ｃのｂ軸方向の
成長速度を所定の範囲内に保つようにしたところに特徴
がある。
うに成長速度測定手段３及び徐冷制御手段４を設け、溶
液徐冷方式に基づく制御により、単結晶Ｃのｂ軸方向の
成長速度を所定の範囲内に保つようにしたところに特徴
がある。
【００１９】成長速度測定手段３は、恒温槽１内で成長
する結晶Ｃに平行レーザ光を照射するレーザ光源３ａ
と、恒温槽１を挟んでレーザ光源３ａと対向する位置に
配置されるＣＣＤセンサ３ｂなどを備え、レーザ光源３
ａから出力された平行レーザ光のうち、成長結晶Ｃで遮
られた部分の大きさ、つまり成長結晶Ｃのｂ軸方向の長
さをＣＣＤセンサ３ｂで検出し、その成長結晶Ｃの長さ
の単位時間(day) あたりの変化を求めるように構成され
ている。なお、この測定系において、レーザ光源３ａか
らＣＣＤセンサ３ｂへの平行レーザ光の進行を妨げない
ため、恒温槽１の壁体の一部もしくは全部は透明材料で
構成されていることは言うまでもない。
する結晶Ｃに平行レーザ光を照射するレーザ光源３ａ
と、恒温槽１を挟んでレーザ光源３ａと対向する位置に
配置されるＣＣＤセンサ３ｂなどを備え、レーザ光源３
ａから出力された平行レーザ光のうち、成長結晶Ｃで遮
られた部分の大きさ、つまり成長結晶Ｃのｂ軸方向の長
さをＣＣＤセンサ３ｂで検出し、その成長結晶Ｃの長さ
の単位時間(day) あたりの変化を求めるように構成され
ている。なお、この測定系において、レーザ光源３ａか
らＣＣＤセンサ３ｂへの平行レーザ光の進行を妨げない
ため、恒温槽１の壁体の一部もしくは全部は透明材料で
構成されていることは言うまでもない。
【００２０】そして、徐冷制御手段４は、成長速度測定
手段３の測定値を採り込み、その測定値に基づいて、結
晶の成長速度が規定範囲(0.6mm/day〜1.5mm/day)の範囲
内に入るように、恒温槽１内の溶液Ｌの温度降下速度を
フィードバック制御する。
手段３の測定値を採り込み、その測定値に基づいて、結
晶の成長速度が規定範囲(0.6mm/day〜1.5mm/day)の範囲
内に入るように、恒温槽１内の溶液Ｌの温度降下速度を
フィードバック制御する。
【００２１】その制御は、成長速度が規定範囲の上限値
よりも大きいときには温度降下速度を小さくし、逆に成
長速度が規定範囲の下限値よりも小さいときには温度降
下速度を大きくするといった動作で行われ、このような
制御によって恒温槽１内での結晶成長の速度を一定に保
つことができる結果、成長方向の特性が均一なＴＧＳ系
単結晶を得ることができる。
よりも大きいときには温度降下速度を小さくし、逆に成
長速度が規定範囲の下限値よりも小さいときには温度降
下速度を大きくするといった動作で行われ、このような
制御によって恒温槽１内での結晶成長の速度を一定に保
つことができる結果、成長方向の特性が均一なＴＧＳ系
単結晶を得ることができる。
【００２２】その具体的な実施例を述べると、図１の結
晶成長装置を使用し、ＴＧＳ系単結晶にアミノ酸Ｌアラ
ニンをドープした結晶を、ｂ軸方向の成長速度を 0.8mm
/day〜1.2mm/day の値に保った状態で成長させたとこ
ろ、均一な内部電界2.5kV/cm〜5kV/cmを持つ単結晶を得
ることができた。
晶成長装置を使用し、ＴＧＳ系単結晶にアミノ酸Ｌアラ
ニンをドープした結晶を、ｂ軸方向の成長速度を 0.8mm
/day〜1.2mm/day の値に保った状態で成長させたとこ
ろ、均一な内部電界2.5kV/cm〜5kV/cmを持つ単結晶を得
ることができた。
【００２３】以上の実施の形態では、溶液徐冷方式によ
る結晶成長の場合の例を示したが、成長方式として原料
供給方式を採用する場合、図３または図４に示すような
形態を採ることによって本発明を実施できる。
る結晶成長の場合の例を示したが、成長方式として原料
供給方式を採用する場合、図３または図４に示すような
形態を採ることによって本発明を実施できる。
【００２４】まず、図３の実施の形態では、恒温槽１内
の溶液Ｌよりも高い濃度の溶液Ｌ′を収容する原料供給
槽１１と、その供給用のポンプ１２及び駆動制御手段１
３を設け、成長速度測定手段３からの測定値に基づいて
ポンプ１２の吐出量をフィードバック制御することで、
恒温槽１内への溶液Ｌ′の流入量つまり原料供給速度を
調整するようにしている。この例の場合、成長速度が規
定範囲の上限値よりも大きいときには、ポンプ１２の吐
出量を大として原料供給速度を大きくし、逆に成長速度
が規定範囲の上限値よりも小さいときには、ポンプ１２
の吐出量を小として原料供給速度を小さくするといった
制御を行う。
の溶液Ｌよりも高い濃度の溶液Ｌ′を収容する原料供給
槽１１と、その供給用のポンプ１２及び駆動制御手段１
３を設け、成長速度測定手段３からの測定値に基づいて
ポンプ１２の吐出量をフィードバック制御することで、
恒温槽１内への溶液Ｌ′の流入量つまり原料供給速度を
調整するようにしている。この例の場合、成長速度が規
定範囲の上限値よりも大きいときには、ポンプ１２の吐
出量を大として原料供給速度を大きくし、逆に成長速度
が規定範囲の上限値よりも小さいときには、ポンプ１２
の吐出量を小として原料供給速度を小さくするといった
制御を行う。
【００２５】一方、図４の実施の形態においては、ポン
プ１２の吐出量は一定とし、恒温槽１に供給する溶液
Ｌ′の濃度を調整することによって原料の供給量を制御
するようにしている。
プ１２の吐出量は一定とし、恒温槽１に供給する溶液
Ｌ′の濃度を調整することによって原料の供給量を制御
するようにしている。
【００２６】すなわち、図４の実施の形態では、成長速
度測定手段３の測定値に基づいて原料供給槽１１内の溶
液Ｌ′の温度をフィードバック制御する温度制御手段１
４を設け、成長速度が規定範囲の上限値よりも大きいと
きには、原料供給槽１１内の溶液Ｌ′の温度を高くし
て、濃度を高めた溶液Ｌ′を恒温槽１に供給することで
原料の供給量を多くし、逆に、成長速度が規定範囲の上
限値よりも大きいときには、原料供給槽１１内の溶液
Ｌ′の温度を低くして原料の供給量を少なくするといっ
た制御を行う。
度測定手段３の測定値に基づいて原料供給槽１１内の溶
液Ｌ′の温度をフィードバック制御する温度制御手段１
４を設け、成長速度が規定範囲の上限値よりも大きいと
きには、原料供給槽１１内の溶液Ｌ′の温度を高くし
て、濃度を高めた溶液Ｌ′を恒温槽１に供給することで
原料の供給量を多くし、逆に、成長速度が規定範囲の上
限値よりも大きいときには、原料供給槽１１内の溶液
Ｌ′の温度を低くして原料の供給量を少なくするといっ
た制御を行う。
【００２７】なお、本発明で用いる成長速度測定手段と
しては、図１に示したような平行レーザ光をＣＣＤセン
サで捉える方式のほか、例えば読み取り望遠鏡で結晶の
成長を捉える方式、またはＣＣＤカメラ等で結晶成長を
撮影しその画像処理により成長速度を求める方式であっ
てもよい。また、このような光学的な方式に代えて、例
えば超音波を用いた測定法を採用してもよい。
しては、図１に示したような平行レーザ光をＣＣＤセン
サで捉える方式のほか、例えば読み取り望遠鏡で結晶の
成長を捉える方式、またはＣＣＤカメラ等で結晶成長を
撮影しその画像処理により成長速度を求める方式であっ
てもよい。また、このような光学的な方式に代えて、例
えば超音波を用いた測定法を採用してもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
焦電センサに用いるＴＧＳ系単結晶を成長する際に、結
晶の成長速度を速度を所定の範囲に保つことで、結晶の
特定軸方向における不純物のドープ量が均一となるよう
にしたから、均一な特性を持つ単結晶を得ることができ
る。これにより、結晶内の使用可能な領域が大きくなる
結果、焦電センサの歩留りが従来に比して向上する。
焦電センサに用いるＴＧＳ系単結晶を成長する際に、結
晶の成長速度を速度を所定の範囲に保つことで、結晶の
特定軸方向における不純物のドープ量が均一となるよう
にしたから、均一な特性を持つ単結晶を得ることができ
る。これにより、結晶内の使用可能な領域が大きくなる
結果、焦電センサの歩留りが従来に比して向上する。
【図１】本発明の実施の形態の構成図
【図２】ＴＧＳ系単結晶の成長状態を示す図
【図３】本発明の他の実施の形態の構成図
【図４】本発明の更に別の実施の形態の構成図
１ 恒温槽 ２ 支持部材 ３ 成長速度測定手段 ３ａ レーザ光源 ３ｂ ＣＣＤセンサ ４ 徐冷制御手段 １１ 原料供給槽 １２ 供給ポンプ １３ 駆動制御手段 １４ 温度制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 37/02 C30B 7/00 G01J 1/02
Claims (3)
- 【請求項１】 溶液中での結晶成長によりＴＧＳ系単結
晶を作製し、その単結晶から焦電センサを得る方法にお
いて、ＴＧＳ系単結晶を溶液中で成長させるときに、結
晶の特定軸方向への成長速度を測定し、その測定値に基
づいて溶液の過飽和度を制御して結晶の特定軸方向の成
長速度を所定の範囲内に保つことを特徴とする焦電セン
サの製造方法。 - 【請求項２】 上記ＴＧＳ系単結晶の成長において、目
的の結晶方位における成長速度を 0.6mm/day〜1.5mm/da
y の範囲に保つことを特徴とする請求項１に記載の焦電
センサの製造方法。 - 【請求項３】 ＴＧＳ系単結晶の成長に用いる溶液を収
容する恒温槽と、この恒温槽内での結晶成長時に結晶の
特定軸方向の成長速度を測定する手段と、その測定値に
基づいて、結晶の特定軸方向の成長速度が所定の範囲内
に入るように恒温槽内の溶液の過飽和度をフィードバッ
ク制御する手段を備えてなる焦電センサの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08514296A JP3206427B2 (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 焦電センサの製造方法及び焦電センサの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08514296A JP3206427B2 (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 焦電センサの製造方法及び焦電センサの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283811A JPH09283811A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3206427B2 true JP3206427B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=13850420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08514296A Expired - Fee Related JP3206427B2 (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 焦電センサの製造方法及び焦電センサの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3206427B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333806B1 (en) | 1996-03-01 | 2001-12-25 | Fujitsu Limited | Variable optical attenuator which applies a magnetic field to a Faraday element to rotate the polarization of a light signal |
| US6369938B1 (en) | 1996-05-28 | 2002-04-09 | Fujitsu Limited | Multi-wavelength light amplifier |
| US6377395B2 (en) | 1996-05-02 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Controller which controls a variable optical attenuator to control the power level of a wavelength-multiplexed optical signal when the number of channels are varied |
| US6441955B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-08-27 | Fujitsu Limited | Light wavelength-multiplexing systems |
| US6496300B2 (en) | 1998-02-27 | 2002-12-17 | Fujitsu Limited | Optical amplifier |
| US7924499B2 (en) | 1998-03-19 | 2011-04-12 | Fujitsu Limited | Gain and signal level adjustments of cascaded optical amplifiers |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4548031B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-09-22 | 株式会社島津製作所 | 結晶製造方法および結晶製造装置 |
-
1996
- 1996-04-08 JP JP08514296A patent/JP3206427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333806B1 (en) | 1996-03-01 | 2001-12-25 | Fujitsu Limited | Variable optical attenuator which applies a magnetic field to a Faraday element to rotate the polarization of a light signal |
| US6570699B2 (en) | 1996-03-01 | 2003-05-27 | Fujitsu Limited | Variable optical attenuator which applies a magnetic field to a Faraday element to rotate the polarization of a light signal |
| US6717713B2 (en) | 1996-03-01 | 2004-04-06 | Fujitsu Limited | Variable optical attenuator which applies a magnetic field to a faraday element to rotate the polarization of a light signal |
| US6377395B2 (en) | 1996-05-02 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Controller which controls a variable optical attenuator to control the power level of a wavelength-multiplexed optical signal when the number of channels are varied |
| US6646791B2 (en) | 1996-05-02 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Controller which controls a variable optical attenuator to control the power level of a wavelength-multiplexed optical signal when the number of channels are varied |
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