JP3206308B2 - プログラマブル素子の製造方法 - Google Patents

プログラマブル素子の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
組み込まれた電気的にプログラム可能なプログラマブル
素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置のうち、使用者が購
入した後に内容を電気的に書き込むことのできる、いわ
ゆるPROM(Programmable ROM)は、望む内容のRO
M(Read Only Memory)がただちに得られるためにひろ
く用いられている。
【0003】また論理回路の分野においても、やはり使
用者が購入した後に内容を電気的に書き込むことのでき
る、いわゆるPLD(Programmable Logic Device)
が類似の目的で用いられている。PROMやPLDを構
成するためには、外部から記憶内容が電気的に書き込
め、かつ電源を切ってもその記憶内容が保持されるよう
なプログラマブル素子を用いる必要がある。
【0004】従来、このようなプログラマブル素子の製
造方法は、たとえば以下のようなものであった。図2
(a)〜(d)は従来例のプログラマブル素子の製造方
法を示す図であり、これを参照して説明する。
【0005】まず、図2(a)に示すように、シリコン
酸化膜1上に位置する配線層2上に、既存の減圧気相成
長法によりプログラム用絶縁膜3を形成した後、フォト
レジスト層4を形成し、既存のリソグラフィー技術およ
びドライエッチング技術を用いてプログラム用絶縁膜3
および配線層2をパターンニングする。
【0006】続いて、図2(b)に示すように、フォト
レジスト層4を除去し、既存の気相成長技術を用いて層
間絶縁膜5を形成した後、フォトレジスト層6を形成
し、同じく既存のリソグラフィー技術およびドライエッ
チング技術を用いてプログラマブル素子を作製する窓領
域7の窓エッチングを行う。
【0007】そして、図2(c)に示すように、フォト
レジスト層6を除去し、既存のスパッタ技術を用いて配
線層8を形成した後、フォトレジスト層9を形成し、同
じく既存のリソグラフィー技術およびドライエッチング
技術を用いて配線層8をパターンニングする。
【0008】最後に、図2(d)に示すように、フォト
レジスト層9を除去することによって、配線層2を下部
電極、配線層8を上部電極とするプログラマブル素子を
作製する。
【0009】プログラミングは、下部電極と上部電極と
の間に15〜20Vの電圧を印加し、プログラム用絶縁
膜3の絶縁を破壊することによって行われる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来例のプログラマブル素子の製造方法において
は、プログラマブル素子を作製する窓領域7の部分のエ
ッチングをドライエッチング法のみで行うため、層間絶
縁膜5の直下に位置するプログラム用絶縁膜3がドライ
エッチングの後半にエッチングされて薄くなり、その電
気的特性が劣化するという欠点を有していた。
【0011】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、プログラム用絶縁膜の電気的特性劣化を防止し
た、より高品質なるプログラマブル素子を提供すること
を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するための本発明のプログラマブル素子の製造方法は、
半導体基板上もしくは配線上に形成されたプログラム用
絶縁膜を電気的に破壊させて書き込みを行うプログラマ
ブル素子の製造方法において、プログラマブル素子を作
製する窓領域内でかつプログラム用絶縁膜上に位置する
絶縁膜を、最初にドライエッチング法で途中までエッチ
ングし、残りをウエットエッチング法でエッチングする
工程を有する。
【0013】また、絶縁膜は、プログラム用絶縁膜の上
面部に接して形成された非晶質シリコン層と、非晶質シ
リコン層上に形成されたシリコン酸化膜とからなり、シ
リコン酸化膜をドライエッチング法でエッチングした
後、非晶質シリコン層をウエットエッチング法でエッチ
ングする。
【0014】
【作用】上記本発明の構成によれば、プログラマブル素
子を作製する窓領域内でかつプログラム用絶縁膜上に位
置する絶縁膜を、最初にドライエッチング法で途中まで
エッチングし、残りをウエットエッチング法でエッチン
グすることより、プログラム用絶縁膜の選択比はドライ
エッチング法よりウエットエッチング法の方が大きくと
れるので、窓領域底部の径の広がりを抑えつつ下地のプ
ログラム用絶縁膜のドライエッチングによる薄膜化を防
止することができ、プログラム用絶縁膜の耐圧低下等の
電気的特性劣化を抑えることができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
【0016】図1(a)〜(f)は、本発明の実施例に
おけるプログラマブル素子の製造方法を示すものであ
る。
【0017】絶縁膜として、ここではシリコン酸化膜ま
たは非晶質シリコンを用いる。まず、図1(a)に示す
ように、たとえば既存の気相成長法により形成された約
600nmの第1のシリコン酸化膜11上に、アルミニ
ウム層と、その上に窒化チタン層が積層された厚さ約7
00nmの配線層12が形成されている。その上に、既
存の気相成長法によりシリコン窒化膜、非晶質シリコン
膜、およびシリコン窒化膜が順次積層された構造の、厚
さ約90nm程度のプログラム用絶縁膜13を形成す
る。さらにプログラム用絶縁膜13の上に同じく既存の
気相成長法により別の非晶質シリコン層14を約10n
m形成する。その後、非晶質シリコン層14上に第1の
フォトレジスト層15を形成し、既存のリソグラフィー
技術およびドライエッチング技術を用いて、非晶質シリ
コン層14、プログラム用絶縁膜13、および配線層1
2をパターンニングする。
【0018】次に、図1(b)に示すように、フォトレ
ジスト層15を除去した後、たとえばプラズマ気相成長
法によって第2のシリコン酸化膜16を約650nmの
厚さに成長させ、さらに第2のシリコン酸化膜16上に
第2のフォトレジスト層17を形成し、既存のリソグラ
フィー技術を用いてプログラマブル素子を作製する窓領
域18をパターンニングする。
【0019】続いて、図1(c)に示すように、プログ
ラマブル素子を作製する窓領域18内でかつプログラム
用絶縁膜13の上に位置する絶縁膜である非晶質シリコ
ン層14と第2のシリコン酸化膜16のうち、第2のシ
リコン酸化膜16をドライエッチング法を用いてエッチ
ングする。本実施例では、このとき、非晶質シリコン層
14はドライエッチング時のエッチングストップ層とし
て作用する。
【0020】そして、図1(d)に示すように、ウエッ
トエッチング法を用いて残った絶縁膜である非晶質シリ
コン層14をエッチングして、プログラマブル素子を作
製する窓領域18の窓エッチングを完了する。本実施例
では、このとき、ウエットエッチング液に対する非晶質
シリコン層14とプログラム用絶縁膜13との選択比は
十分に大きいので、プログラム用絶縁膜13はほとんど
エッチングされない。
【0021】その後、図1(e)に示すように、第2の
フォトレジスト層17を除去し、既存のスパッタ技術を
用いてたとえば窒化チタン層上にアルミニウム層が積層
された厚さ約600nmの第二の配線層19を形成した
後、第3のフォトレジスト層20を形成し、同じく既存
のリソグラフィー技術およびドライエッチング技術を用
いて第2の配線層19をパターンニングする。
【0022】最後に、図1(f)に示すように、第3の
フォトレジスト層20を除去することによって、配線層
12を下部電極、第2の配線層19を上部電極とするプ
ログラマブル素子を作製する。
【0023】以上のような方法で作製されたプログラマ
ブル素子は、先に述べたように窓エッチング時のドライ
エッチングによりプログラム用絶縁膜13が直接エッチ
ングされることがないので、プログラム用絶縁膜13の
薄膜化を防止することができ、その結果、10〜15V
程度の安定した耐圧を持つプログラマブル素子を作製す
ることができるようになる。
【0024】なお、上記の実施例で用いたシリコン酸化
膜11、プログラマブル素子の配線層12、プログラム
用絶縁膜13、非晶質シリコン層14、第2のシリコン
酸化膜16、および第2の配線層19の具体的膜厚ある
いは形成方法、配線層12、および第2の配線層19の
材質は必ずしも実施例の構成に従う必要はない。また、
非晶質シリコン層14も必ずしも実施例のように形成す
る必要はなく、形成しなくてもよい。またさらに、プロ
グラム用絶縁膜13も必ずしも実施例の構成のように配
線層12上に形成する必要はなく、半導体基板上に形成
された拡散層上に形成してもよい。
【0025】
【発明の効果】本発明は、プログラマブル素子を作製す
る窓領域内でかつプログラム用絶縁膜上に位置する絶縁
膜を、最初にドライエッチング法で途中までエッチング
し、残りをウエットエッチング法でエッチングすること
により、下地のプログラム用絶縁膜のドライエッチング
による薄膜化を防止した結果、プログラム用絶縁膜の電
気的特性劣化を防止した、より高品質なるプログラマブ
ル素子の製造方法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプログラマブル素子の製造方法の一実
施例を示す断面図
【図2】従来例のプログラマブル素子の製造方法を示す
断面図
【符号の説明】
1 シリコン酸化膜 2 配線層 3 プログラム用絶縁膜 4 フォトレジスト層 5 層間絶縁膜 6 フォトレジスト層 7 窓領域 8 配線層 9 フォトレジスト層 11 シリコン酸化膜 12 配線層 13 プログラム用絶縁膜 14 非晶質シリコン層 15 フォトレジスト層 16 シリコン酸化膜 17 フォトレジスト層 18 窓領域 19 配線層 20 フォトレジスト層

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上もしくは配線上に形成され
    たプログラム用絶縁膜を電気的に破壊させて書き込みを
    行うプログラマブル素子の製造方法であって、前記プロ
    グラマブル素子を作製する窓領域内でかつ前記プログラ
    ム用絶縁膜上に位置する絶縁膜を、最初にドライエッチ
    ング法で途中までエッチングし、残りをウエットエッチ
    ング法でエッチングする工程を有することを特徴とする
    プログラマブル素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記絶縁膜は、前記プログラム用絶縁膜
    の上面部に接して形成された非晶質シリコン層と、前記
    非晶質シリコン層上に形成されたシリコン酸化膜とから
    なり、 前記シリコン酸化膜を前記ドライエッチング法で
    エッチングした後、前記非晶質シリコン層を前記ウエッ
    トエッチング法でエッチングすることを特徴とする請求
    項1記載のプログラマブル素子の製造方法。
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