JP3201008B2 - セラミック多層配線基板 - Google Patents
セラミック多層配線基板Info
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- JP3201008B2 JP3201008B2 JP27405192A JP27405192A JP3201008B2 JP 3201008 B2 JP3201008 B2 JP 3201008B2 JP 27405192 A JP27405192 A JP 27405192A JP 27405192 A JP27405192 A JP 27405192A JP 3201008 B2 JP3201008 B2 JP 3201008B2
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- Japan
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- capacitor
- wiring board
- multilayer wiring
- dielectric
- ceramic multilayer
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサを内蔵する
セラミック多層配線基板に関するものであり、特にコン
デンサの誘電体ペーストに用いる誘電体組成物を改善す
ることにより、高誘電率で誘電損失の低いコンデンサ内
蔵のセラミック多層配線基板を提供するものである。
セラミック多層配線基板に関するものであり、特にコン
デンサの誘電体ペーストに用いる誘電体組成物を改善す
ることにより、高誘電率で誘電損失の低いコンデンサ内
蔵のセラミック多層配線基板を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサ内蔵のセラミック多層配線基
板は、比較的占有面積の大きいコンデンサを基板上に半
田付けしたものに比べて小型高密度化が可能なため、電
子機器の小型化に貢献するものとして期待されている。
板は、比較的占有面積の大きいコンデンサを基板上に半
田付けしたものに比べて小型高密度化が可能なため、電
子機器の小型化に貢献するものとして期待されている。
【０００３】従来、コンデンサ内蔵のセラミック多層配
線基板においては、そのコンデンサに用いる材料とし
て、低温焼成可能な鉛ペロブスカイト系複合材料を主成
分としたものについての数々の研究が行なわれている。
その一つに、焼成後に基板の反りや膨れ等の外観不良が
生じないよう、焼成時の絶縁体層と誘電体層の収縮の整
合性を図るために、誘電体に焼結助剤として酸化鉛を添
加すると有効であることが明らかにされている。
線基板においては、そのコンデンサに用いる材料とし
て、低温焼成可能な鉛ペロブスカイト系複合材料を主成
分としたものについての数々の研究が行なわれている。
その一つに、焼成後に基板の反りや膨れ等の外観不良が
生じないよう、焼成時の絶縁体層と誘電体層の収縮の整
合性を図るために、誘電体に焼結助剤として酸化鉛を添
加すると有効であることが明らかにされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の鉛ペロブスカイト系複合材料を用いたものにおいて
は、焼成時にアルミナ、シリカ等の絶縁体材料成分の誘
電体層中への拡散が充分に抑制されず、焼成後のコンデ
ンサが所望の誘電特性を満たさないことがあった。
の鉛ペロブスカイト系複合材料を用いたものにおいて
は、焼成時にアルミナ、シリカ等の絶縁体材料成分の誘
電体層中への拡散が充分に抑制されず、焼成後のコンデ
ンサが所望の誘電特性を満たさないことがあった。
【０００５】そこで本発明は、焼成時に絶縁体材料成分
の誘電体層中への拡散を抑制する焼結助剤を添加するこ
とによって、高誘電率で誘電損失の少ないコンデンサ内
蔵のセラミック多層配線基板を提供することを目的とす
る。
の誘電体層中への拡散を抑制する焼結助剤を添加するこ
とによって、高誘電率で誘電損失の少ないコンデンサ内
蔵のセラミック多層配線基板を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明のセラミック多層配線基板は、重量比で、鉛ペロ
ブスカイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ 1/3 Ｎｂ 2/3 ）Ｏ 3 を７
２．２５〜７６．７８重量％、酸化鉛を１８．７５〜１
９．９３重量％、チタン酸鉛を３．００〜３．１９重量
％、酸化鉄を０．１〜６．０重量％含む誘電体組成物を
内蔵するものである。
本発明のセラミック多層配線基板は、重量比で、鉛ペロ
ブスカイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ 1/3 Ｎｂ 2/3 ）Ｏ 3 を７
２．２５〜７６．７８重量％、酸化鉛を１８．７５〜１
９．９３重量％、チタン酸鉛を３．００〜３．１９重量
％、酸化鉄を０．１〜６．０重量％含む誘電体組成物を
内蔵するものである。
【０００７】
【作用】上記セラミック多層配線基板では、鉛ペロブス
カイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ1/ 3Ｎｂ2/3）Ｏ3に、上記
重量比の酸化鉄を焼結助剤として添加した誘電体組成物
を用い、これにバインダーを混練して誘電体ペーストを
作成する。焼成時には絶縁体材料成分のコンデンサ層中
への拡散が抑制され、コンデンサの誘電特性を高誘電率
で誘電損失の少ないものにできる。
カイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ1/ 3Ｎｂ2/3）Ｏ3に、上記
重量比の酸化鉄を焼結助剤として添加した誘電体組成物
を用い、これにバインダーを混練して誘電体ペーストを
作成する。焼成時には絶縁体材料成分のコンデンサ層中
への拡散が抑制され、コンデンサの誘電特性を高誘電率
で誘電損失の少ないものにできる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例におけるセラミック
多層配線基板について説明する。図１は焼成後のセラミ
ック多層配線基板の断面図を示したものであり、１はガ
ラスセラミックより成る絶縁体層であり、２は導体パタ
ーンであり、３はコンデンサ用電極であり、４は電極３
に挟まれたコンデンサであり、５はビア導体である。
多層配線基板について説明する。図１は焼成後のセラミ
ック多層配線基板の断面図を示したものであり、１はガ
ラスセラミックより成る絶縁体層であり、２は導体パタ
ーンであり、３はコンデンサ用電極であり、４は電極３
に挟まれたコンデンサであり、５はビア導体である。
【０００９】次に上記セラミック多層配線基板の作成過
程を説明する。絶縁層１を構成する複数枚の各セラミッ
クグリーンシートにおいて、ビア導体５はビア孔を形成
した後に導体を充填し、導体パターン２は印刷法により
形成する。コンデンサは、セラミックグリーンシート上
に電極３を印刷した後に、その上部にコンデンサ４とな
る誘電体ペーストを印刷し、さらにその上部から電極３
を印刷して形成する。積層したときにコンデンサ４と対
向するセラミックグリーンシートの位置には、予め透孔
を形成しておくことにより、積層時にコンデンサが透孔
内に格納されるようにする。以上のようにして作成した
グリーンシートを複数枚積層して多層化し、脱バインダ
ーの後９００℃の空気中で１０分間焼成を行って作成す
る。
程を説明する。絶縁層１を構成する複数枚の各セラミッ
クグリーンシートにおいて、ビア導体５はビア孔を形成
した後に導体を充填し、導体パターン２は印刷法により
形成する。コンデンサは、セラミックグリーンシート上
に電極３を印刷した後に、その上部にコンデンサ４とな
る誘電体ペーストを印刷し、さらにその上部から電極３
を印刷して形成する。積層したときにコンデンサ４と対
向するセラミックグリーンシートの位置には、予め透孔
を形成しておくことにより、積層時にコンデンサが透孔
内に格納されるようにする。以上のようにして作成した
グリーンシートを複数枚積層して多層化し、脱バインダ
ーの後９００℃の空気中で１０分間焼成を行って作成す
る。
【００１０】上記コンデンサ４に使用する誘電体ペース
トについて説明する。誘電特性を向上させるために主成
分とする鉛ペロブスカイト系材料Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎ
ｂ2/3）に焼結助剤として添加するものとして、酸化
鉄、酸化銅、酸化タングステン、酸化ニッケル等の材料
をそれぞれ添加した磁器組成物にて誘電体ペーストを作
成した。そしてこれらの誘電体ペーストを用いて複数の
コンデンサ内蔵のセラミック多層配線基板を作成し、誘
電特性の検討を行なった。各セラミック多層配線基板の
コンデンサをＸ線マイクロアナライザにより分析を行っ
た結果、酸化銅、酸化タングステン、酸化ニッケル等を
添加したものは、酸化鉄を添加したコンデンサに比べＳ
ｉ、Ａｌ等の絶縁体材料成分が多く拡散しており誘電率
を下げていることが分かった。そこで絶縁体層とコンデ
ンサとの接触界面において、絶縁体材料の拡散成分であ
るＳｉ，Ａｌのコンデンサ内部への拡散の抑制に最も優
れている酸化鉄を使用したコンデンサの誘電特性につい
てさらに詳しく調べた。
トについて説明する。誘電特性を向上させるために主成
分とする鉛ペロブスカイト系材料Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎ
ｂ2/3）に焼結助剤として添加するものとして、酸化
鉄、酸化銅、酸化タングステン、酸化ニッケル等の材料
をそれぞれ添加した磁器組成物にて誘電体ペーストを作
成した。そしてこれらの誘電体ペーストを用いて複数の
コンデンサ内蔵のセラミック多層配線基板を作成し、誘
電特性の検討を行なった。各セラミック多層配線基板の
コンデンサをＸ線マイクロアナライザにより分析を行っ
た結果、酸化銅、酸化タングステン、酸化ニッケル等を
添加したものは、酸化鉄を添加したコンデンサに比べＳ
ｉ、Ａｌ等の絶縁体材料成分が多く拡散しており誘電率
を下げていることが分かった。そこで絶縁体層とコンデ
ンサとの接触界面において、絶縁体材料の拡散成分であ
るＳｉ，Ａｌのコンデンサ内部への拡散の抑制に最も優
れている酸化鉄を使用したコンデンサの誘電特性につい
てさらに詳しく調べた。
【００１１】誘電体ペーストとして、鉛ペロブスカイト
複合材料にＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3を主成分とし、
酸化鉛ＰｂＯ，チタン酸鉛ＰｂＴｉＯ3，酸化鉄Ｆｅ2Ｏ
3を以下の重量比で添加したものを作成して検討を行な
ったものを示す。試料は重量比で５４．９０〜８２．３
５重量％のＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3と、１４．２３
〜３３．２９重量％の酸化鉛と、２．２８〜３．４２重
量％のチタン酸鉛と、０．０〜２０．０重量％の酸化鉄
から成るセラミック粉に有機ビヒクルを混練したものに
てセラミック多層配線基板を複数作成し、コンデンサの
誘電特性を調べた。その結果を（表１）に示す。ここ
で、誘電率ε及び誘電損失tanδは１ｋＨｚ、２０℃の
測定値である。なお、誘電率εは（数１）により算出し
た。
複合材料にＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3を主成分とし、
酸化鉛ＰｂＯ，チタン酸鉛ＰｂＴｉＯ3，酸化鉄Ｆｅ2Ｏ
3を以下の重量比で添加したものを作成して検討を行な
ったものを示す。試料は重量比で５４．９０〜８２．３
５重量％のＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3と、１４．２３
〜３３．２９重量％の酸化鉛と、２．２８〜３．４２重
量％のチタン酸鉛と、０．０〜２０．０重量％の酸化鉄
から成るセラミック粉に有機ビヒクルを混練したものに
てセラミック多層配線基板を複数作成し、コンデンサの
誘電特性を調べた。その結果を（表１）に示す。ここ
で、誘電率ε及び誘電損失tanδは１ｋＨｚ、２０℃の
測定値である。なお、誘電率εは（数１）により算出し
た。
【００１２】
【数１】
【００１３】
【表１】
【００１４】（表１）に示した結果から、試料Ｎｏ．５
〜１１で示す酸化鉄の含有率が０．１〜６．０重量％の
ものは誘電率が１００εを超えた高い値になっており、
誘電損失も０．１ｔａｎδ以下と小さいため、良好な誘
電特性が得られている。しかし酸化鉄を含まない場合に
は、絶縁体材料の拡散があるために誘電率が低い。試料
Ｎｏ．１２，１３で示すものは、誘電損失が０．１ｔａ
ｎδを超えるため実用に適しない。また試料Ｎｏ．１４
のように酸化鉄が過剰になると、焼成時の絶縁体層と誘
電体層の収縮の整合性が異なり焼成時に割れてしまうた
め誘電率が測定できなかった。
〜１１で示す酸化鉄の含有率が０．１〜６．０重量％の
ものは誘電率が１００εを超えた高い値になっており、
誘電損失も０．１ｔａｎδ以下と小さいため、良好な誘
電特性が得られている。しかし酸化鉄を含まない場合に
は、絶縁体材料の拡散があるために誘電率が低い。試料
Ｎｏ．１２，１３で示すものは、誘電損失が０．１ｔａ
ｎδを超えるため実用に適しない。また試料Ｎｏ．１４
のように酸化鉄が過剰になると、焼成時の絶縁体層と誘
電体層の収縮の整合性が異なり焼成時に割れてしまうた
め誘電率が測定できなかった。
【００１５】また（表１）において試料Ｎｏ．４のよう
に酸化鉛が少ないときには焼成時の絶縁体層と誘電体層
の収縮が異なるため焼成時に基板の反りが発生した。試
料Ｎｏ．１２のように酸化鉛が１８．６７重量％以上の
ものは焼成後も反り等がなかった（試料Ｎｏ．１４は除
く）。またＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3のキュリー点が
−１０℃であるため室温付近でのコンデンサの誘電特性
を最もよくするためにはキュリー点を４３０℃にもつＰ
ｂＴｉＯ3を２〜３重量％前後添加するのが望ましい。
に酸化鉛が少ないときには焼成時の絶縁体層と誘電体層
の収縮が異なるため焼成時に基板の反りが発生した。試
料Ｎｏ．１２のように酸化鉛が１８．６７重量％以上の
ものは焼成後も反り等がなかった（試料Ｎｏ．１４は除
く）。またＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3のキュリー点が
−１０℃であるため室温付近でのコンデンサの誘電特性
を最もよくするためにはキュリー点を４３０℃にもつＰ
ｂＴｉＯ3を２〜３重量％前後添加するのが望ましい。
【００１６】次に（表１）中の試料Ｎｏ．８で使用した
誘電体ペーストを使用し、上記の方法により作成したセ
ラミック多層配線基板に内蔵されたコンデンサの静電容
（Ｃａｐ）及び誘電損失（ｔａｎδ）の温度特性を図２
に示す。図はコンデンサの静電容量の変化率（△Ｃ／
Ｃ）を−２５℃〜＋８５℃の範囲において２０℃を基準
として示しており、静電容量の変化率は±２０％を満足
し、ｔａｎδの値も３％以下である。
誘電体ペーストを使用し、上記の方法により作成したセ
ラミック多層配線基板に内蔵されたコンデンサの静電容
（Ｃａｐ）及び誘電損失（ｔａｎδ）の温度特性を図２
に示す。図はコンデンサの静電容量の変化率（△Ｃ／
Ｃ）を−２５℃〜＋８５℃の範囲において２０℃を基準
として示しており、静電容量の変化率は±２０％を満足
し、ｔａｎδの値も３％以下である。
【００１７】図３〜図７は上記試料Ｎｏ．８におけるセ
ラミック配線基板に内蔵したコンデンサと、市販されて
いるＦ特性セラミックチップコンデンサの信頼性試験を
行った結果を示すものであり、（表２）にはその試験項
目と試験条件を示してある。
ラミック配線基板に内蔵したコンデンサと、市販されて
いるＦ特性セラミックチップコンデンサの信頼性試験を
行った結果を示すものであり、（表２）にはその試験項
目と試験条件を示してある。
【００１８】
【表２】
【００１９】図３は試料Ｎｏ．８の内蔵コンデンサの８
５℃、８５％ＲＨ、１００Ｖ印加、１０００ｈｒ耐湿負
荷試験の結果（Ａ）と、市販のセラミックチップコンデ
ンサの４０℃、９０〜９５％ＲＨ、１６Ｖ印加、１００
０ｈｒ耐湿負荷試験の結果（Ｂ）とを示す図であり、内
蔵コンデンサの静電容量の変化率が２％以下で非常に優
れているのに対し、セラミックチップコンデンサは５０
０時間までは変化率が−３〜−４％だが、５００時間を
越えたあたりから急激に変化し１０００時間後には−１
８％に達している。
５℃、８５％ＲＨ、１００Ｖ印加、１０００ｈｒ耐湿負
荷試験の結果（Ａ）と、市販のセラミックチップコンデ
ンサの４０℃、９０〜９５％ＲＨ、１６Ｖ印加、１００
０ｈｒ耐湿負荷試験の結果（Ｂ）とを示す図であり、内
蔵コンデンサの静電容量の変化率が２％以下で非常に優
れているのに対し、セラミックチップコンデンサは５０
０時間までは変化率が−３〜−４％だが、５００時間を
越えたあたりから急激に変化し１０００時間後には−１
８％に達している。
【００２０】図４は試料Ｎｏ．８の内蔵コンデンサの１
５０℃、１００Ｖ印加、１０００ｈｒ高温負荷試験の結
果（Ａ）と、セラミックチップコンデンサの８５℃、３
２Ｖ印加、１０００ｈｒ高湿負荷試験の結果（Ｂ）とを
示す図であり、内蔵コンデンサの静電容量の変化率（△
Ｃ／Ｃ）が１％以下であるのに対し、セラミックチップ
コンデンサは変化率が−１５％である。
５０℃、１００Ｖ印加、１０００ｈｒ高温負荷試験の結
果（Ａ）と、セラミックチップコンデンサの８５℃、３
２Ｖ印加、１０００ｈｒ高湿負荷試験の結果（Ｂ）とを
示す図であり、内蔵コンデンサの静電容量の変化率（△
Ｃ／Ｃ）が１％以下であるのに対し、セラミックチップ
コンデンサは変化率が−１５％である。
【００２１】図５は内蔵コンデンサの−５５℃／５０分
〜１２５℃／５０分の温度サイクル２００サイクル後の
試験結果（Ａ）と、セラミックチップコンデンサの−２
５℃／３０分〜８５℃／３０分の温度サイクル１００サ
イクル後の試験結果（Ｂ）とを示す図であり、内蔵コン
デンサの静電容量の変化率（△Ｃ／Ｃ）が２００サイク
ル後で３％以下であるのに対し、セラミックチップコン
デンサは変化率が１００サイクル後で３％である。
〜１２５℃／５０分の温度サイクル２００サイクル後の
試験結果（Ａ）と、セラミックチップコンデンサの−２
５℃／３０分〜８５℃／３０分の温度サイクル１００サ
イクル後の試験結果（Ｂ）とを示す図であり、内蔵コン
デンサの静電容量の変化率（△Ｃ／Ｃ）が２００サイク
ル後で３％以下であるのに対し、セラミックチップコン
デンサは変化率が１００サイクル後で３％である。
【００２２】図６は内蔵コンデンサの８５℃、８５％Ｒ
Ｈ、１０００ｈｒ耐湿試験の結果（Ａ）と、セラミック
チップコンデンサの４０℃、９０〜９５％ＲＨ、１００
０ｈｒ耐湿試験の結果（Ｂ）とを示す図であり、内蔵コ
ンデンサの静電容量の変化率（△Ｃ／Ｃ）が１％以下で
あるのに対し、セラミックチップコンデンサは変化率が
−１０％である。
Ｈ、１０００ｈｒ耐湿試験の結果（Ａ）と、セラミック
チップコンデンサの４０℃、９０〜９５％ＲＨ、１００
０ｈｒ耐湿試験の結果（Ｂ）とを示す図であり、内蔵コ
ンデンサの静電容量の変化率（△Ｃ／Ｃ）が１％以下で
あるのに対し、セラミックチップコンデンサは変化率が
−１０％である。
【００２３】図７は内蔵コンデンサの１２１℃、２ａｔ
ｍ、２００ｈｒプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）の
結果（Ａ）を示す図であり、静電容量の変化率（△Ｃ／
Ｃ）は１％以下である。
ｍ、２００ｈｒプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）の
結果（Ａ）を示す図であり、静電容量の変化率（△Ｃ／
Ｃ）は１％以下である。
【００２４】以上の信頼性試験で示したように本実施例
におけるセラミック多層配線基板に内蔵されたコンデン
サは非常に信頼性が高いものである。
におけるセラミック多層配線基板に内蔵されたコンデン
サは非常に信頼性が高いものである。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、低温焼成可能な
鉛ペロブスカイト複合材料Ｐｂ（Ｍｇ 1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
を主成分とし、酸化鉄を焼結助剤として含む誘電体組成
物にて作成した誘電体ペーストにより、基板内に内蔵す
るコンデンサを形成するようにしたものであり、焼結時
に絶縁体材料成分の誘電体層中への拡散を抑制すること
ができ、誘電率が高くかつ誘電損失の少ないコンデンサ
にすることができる。また、酸化鉛やチタン酸鉛等の添
加剤によって、収縮率の制御を行い焼成時の絶縁体層と
誘電体層の収縮過程を近似させたり、室温付近でのコン
デンサの誘電特性を高めたりすることにより、誘電特性
のよい高品質のセラミック多層配線基板を提供すること
ができる。
鉛ペロブスカイト複合材料Ｐｂ（Ｍｇ 1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
を主成分とし、酸化鉄を焼結助剤として含む誘電体組成
物にて作成した誘電体ペーストにより、基板内に内蔵す
るコンデンサを形成するようにしたものであり、焼結時
に絶縁体材料成分の誘電体層中への拡散を抑制すること
ができ、誘電率が高くかつ誘電損失の少ないコンデンサ
にすることができる。また、酸化鉛やチタン酸鉛等の添
加剤によって、収縮率の制御を行い焼成時の絶縁体層と
誘電体層の収縮過程を近似させたり、室温付近でのコン
デンサの誘電特性を高めたりすることにより、誘電特性
のよい高品質のセラミック多層配線基板を提供すること
ができる。
【図１】本発明のセラミック多層配線基板の一実施例を
示す断面図
示す断面図
【図２】同セラミック多層配線基板に内蔵されたコンデ
ンサの温度特性を示す説明図
ンサの温度特性を示す説明図
【図３】同セラミック多層配線基板に内蔵されたコンデ
ンサと、市販のセラミックチップコンデンサの耐湿負荷
試験の結果を示す説明図
ンサと、市販のセラミックチップコンデンサの耐湿負荷
試験の結果を示す説明図
【図４】同セラミック多層配線基板に内蔵されたコンデ
ンサと、市販のセラミックチップコンデンサの高温負荷
試験の結果を示す説明図
ンサと、市販のセラミックチップコンデンサの高温負荷
試験の結果を示す説明図
【図５】同セラミック多層配線基板に内蔵されたコンデ
ンサと市販のセラミックチップコンデンサの温度サイク
ル試験の結果を示す説明図
ンサと市販のセラミックチップコンデンサの温度サイク
ル試験の結果を示す説明図
【図６】同セラミック多層配線基板に内蔵されたコンデ
ンサと、市販のセラミックチップコンデンサの耐湿試験
の結果を示す説明図
ンサと、市販のセラミックチップコンデンサの耐湿試験
の結果を示す説明図
【図７】同セラミック多層配線基板に内蔵されたコンデ
ンサのプレッシャークッカー試験の結果を示す説明図
ンサのプレッシャークッカー試験の結果を示す説明図
１ 絶縁体層 ２ 導体パターン ３ コンデンサ用電極 ４ コンデンサ ５ ビア導体
フロントページの続き (72)発明者 福永 靖一 香川県高松市寿町２丁目２番10号 松下 寿電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−82296（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−134399（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46
Claims (1)
- 【請求項１】 重量比で、鉛ペロブスカイト系複合材料
Ｐｂ（Ｍｇ 1/3 Ｎｂ 2/3 ）Ｏ 3 を７２．２５〜７６．７８
重量％、酸化鉛を１８．７５〜１９．９３重量％、チタ
ン酸鉛を３．００〜３．１９重量％、酸化鉄を０．１〜
６．０重量％含む誘電体組成物を内蔵するセラミック多
層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27405192A JP3201008B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | セラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27405192A JP3201008B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | セラミック多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125177A JPH06125177A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3201008B2 true JP3201008B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17536288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27405192A Expired - Fee Related JP3201008B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | セラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201008B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-13 JP JP27405192A patent/JP3201008B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06125177A (ja) | 1994-05-06 |
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