JP3197397B2 - 多層セラミック回路基板の作成方法 - Google Patents
多層セラミック回路基板の作成方法Info
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Description
【0001】 (目次) ・産業上の利用分野 ・従来の技術(図5,図6) ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 (1) 本発明の第1の実施例(図1,図2) (2) 本発明の第2の実施例(図3,図4) ・発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は、多層セラミック回路基
板の作成方法に関し、更に詳しく言えば、ビアホールに
導電性充填材が充填された基板を作成し、更にこの基板
上に配線層が形成される多層セラミック回路基板の作成
方法に関する。
板の作成方法に関し、更に詳しく言えば、ビアホールに
導電性充填材が充填された基板を作成し、更にこの基板
上に配線層が形成される多層セラミック回路基板の作成
方法に関する。
【0003】
【従来の技術】近年のコンピュータ等に搭載される回路
基板として、低誘電率,高密度実装が可能な多層セラミ
ック回路基板が用いられている。多層セラミック回路基
板は、セラミック基板中に複数の層状に埋め込まれた回
路配線と、該回路配線を相互に接続する導電性充填材が
充填されたビアホールと、基板上に形成された配線層等
とから構成される。
基板として、低誘電率,高密度実装が可能な多層セラミ
ック回路基板が用いられている。多層セラミック回路基
板は、セラミック基板中に複数の層状に埋め込まれた回
路配線と、該回路配線を相互に接続する導電性充填材が
充填されたビアホールと、基板上に形成された配線層等
とから構成される。
【0004】図5(a)〜(d),図6は、従来例に係
る上記の多層セラミック回路基板の作成方法について説
明する断面図である。図5(a)は、複数のグリーンシ
ート1a〜1cが積層された状態を示し、各グリーンシ
ート1a〜1cの表面に形成された回路配線を電気的に
接続するため、ビアホール2a〜2c,3a〜3cに例
えば粉末状の銅充填材4a〜4c,5a〜5cが充填さ
れている。
る上記の多層セラミック回路基板の作成方法について説
明する断面図である。図5(a)は、複数のグリーンシ
ート1a〜1cが積層された状態を示し、各グリーンシ
ート1a〜1cの表面に形成された回路配線を電気的に
接続するため、ビアホール2a〜2c,3a〜3cに例
えば粉末状の銅充填材4a〜4c,5a〜5cが充填さ
れている。
【0005】このような状態で、図5(b)に示すよう
に、加熱し、焼成する。焼成した後の銅充填材4,5の
表面には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では
ビアホール2,3の銅充填材4,5上に配線層等を形成
することは難しい。次いで、図5(c)に示すように、
焼成後の基板6表面を平滑にするため、湿式研磨法によ
り研磨する。このとき、研磨材や水などを使用するた
め、研磨後に基板6に砥粒がめり込んだり、ビアホール
2,3の銅充填材4,5の表面が酸化してしまう。
に、加熱し、焼成する。焼成した後の銅充填材4,5の
表面には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では
ビアホール2,3の銅充填材4,5上に配線層等を形成
することは難しい。次いで、図5(c)に示すように、
焼成後の基板6表面を平滑にするため、湿式研磨法によ
り研磨する。このとき、研磨材や水などを使用するた
め、研磨後に基板6に砥粒がめり込んだり、ビアホール
2,3の銅充填材4,5の表面が酸化してしまう。
【0006】次に、図5(d)に示すように、上記研磨
により生じた基板6表面の加工層を除去するため、Ar
プラズマなどでドライエッチングする。次いで、基板6
表面に金属膜を形成した後、図6に示すように、パター
ニングし、配線層8を形成すると、多層セラミック回路
基板9が完成する。なお、必要があれば、更に絶縁膜で
第1層目の配線層を被覆し、第2層目以上の配線層を形
成する。
により生じた基板6表面の加工層を除去するため、Ar
プラズマなどでドライエッチングする。次いで、基板6
表面に金属膜を形成した後、図6に示すように、パター
ニングし、配線層8を形成すると、多層セラミック回路
基板9が完成する。なお、必要があれば、更に絶縁膜で
第1層目の配線層を被覆し、第2層目以上の配線層を形
成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法によれば、基板6の焼成後にビアホール2,3内に
充填された銅充填材4,5内部に気泡(空隙)が生じる
場合がある。従って、基板6表面を研磨した場合、図5
(c)に示すように、気泡を覆う銅が研磨されて気泡が
現れ、そこに凹部が形成される。このような基板6表面
に配線層8を形成する場合、図6に示すように、凹部に
は配線層8が形成されにくく、配線層8にピンホールが
生じることがある。また、その気泡の存在により、後の
工程で加熱処理を加えると銅充填材2,3や配線層8に
クラックが生じることがある。これらの現象が生ずる
と、配線抵抗が高くなったり、導通不良が起こったりす
るという問題がある。
方法によれば、基板6の焼成後にビアホール2,3内に
充填された銅充填材4,5内部に気泡(空隙)が生じる
場合がある。従って、基板6表面を研磨した場合、図5
(c)に示すように、気泡を覆う銅が研磨されて気泡が
現れ、そこに凹部が形成される。このような基板6表面
に配線層8を形成する場合、図6に示すように、凹部に
は配線層8が形成されにくく、配線層8にピンホールが
生じることがある。また、その気泡の存在により、後の
工程で加熱処理を加えると銅充填材2,3や配線層8に
クラックが生じることがある。これらの現象が生ずる
と、配線抵抗が高くなったり、導通不良が起こったりす
るという問題がある。
【0008】また、図5(d)に示すように、Arによ
るドライエッチング時のイオン衝突のため、ビアホール
2,3の銅充填材4,5表面には激しく凹凸が生じる。
このような表面状態を有する銅充填材4,5上に配線層
8となる金属膜等を形成すると、凸部等を核として柱状
結晶が生じたり、部分的に異常成長が起こったりする。
このような基板6に加熱処理を加えると、配線層8の剥
離やクラック等が生じ、配線層8の断線や高抵抗化の原
因になるという問題がある。
るドライエッチング時のイオン衝突のため、ビアホール
2,3の銅充填材4,5表面には激しく凹凸が生じる。
このような表面状態を有する銅充填材4,5上に配線層
8となる金属膜等を形成すると、凸部等を核として柱状
結晶が生じたり、部分的に異常成長が起こったりする。
このような基板6に加熱処理を加えると、配線層8の剥
離やクラック等が生じ、配線層8の断線や高抵抗化の原
因になるという問題がある。
【0009】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
て創作されたものであり、ビアホール内の銅表面を平滑
化することにより、銅等のクラックが防止されるととも
に、銅上に形成される配線層の断線や高抵抗化が防止さ
れる多層セラミック回路基板の製造方法の提供を目的と
する。
て創作されたものであり、ビアホール内の銅表面を平滑
化することにより、銅等のクラックが防止されるととも
に、銅上に形成される配線層の断線や高抵抗化が防止さ
れる多層セラミック回路基板の製造方法の提供を目的と
する。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第1に、ビ
アホールに導電性充填材が充填された複数のグリーンシ
ートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成し
た後、前記基板上に配線層を形成する前に高エネルギ光
を照射して前記導電性充填材を溶融・流動し、前記導電
性充填材の表面を平滑化することを特徴とする多層セラ
ミック回路基板の作成方法によって達成され、第2に、
ビアホールに導電性充填材が充填された複数のグリーン
シートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成
する工程と、前記基板の表面を研磨する工程と、前記ビ
アホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射して該導
電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の表面を
平滑化する工程と、前記基板表面を研磨して仕上げる工
程とを有する多層セラミック回路基板の作成方法によっ
て達成され、第3に、ビアホールに導電性充填材が充填
された複数のグリーンシートを積層し、焼成して一体成
形し、基板を作成する工程と、前記基板の表面を研磨す
る工程と、前記基板の表面をドライエッチングし、前記
研磨により生じた前記基板の表面の加工層を除去する工
程と、前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を
照射して該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充
填材の表面を平滑化する工程とを有する多層セラミック
回路基板の作成方法によって達成され、第4に、前記高
エネルギ光はレーザ光であることを特徴とする第1乃至
第3の発明のいずれかに記載の多層セラミック回路基板
の作成方法によって達成され、第5に、前記導電性充填
材の表面を平滑化する工程、又は前記基板表面を研磨し
て仕上げる工程の後、前記基板上に配線層を形成する工
程を有する第1乃至第4の発明のいずれかに記載の多層
セラミック回路基板の作成方法によって達成される。
アホールに導電性充填材が充填された複数のグリーンシ
ートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成し
た後、前記基板上に配線層を形成する前に高エネルギ光
を照射して前記導電性充填材を溶融・流動し、前記導電
性充填材の表面を平滑化することを特徴とする多層セラ
ミック回路基板の作成方法によって達成され、第2に、
ビアホールに導電性充填材が充填された複数のグリーン
シートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成
する工程と、前記基板の表面を研磨する工程と、前記ビ
アホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射して該導
電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の表面を
平滑化する工程と、前記基板表面を研磨して仕上げる工
程とを有する多層セラミック回路基板の作成方法によっ
て達成され、第3に、ビアホールに導電性充填材が充填
された複数のグリーンシートを積層し、焼成して一体成
形し、基板を作成する工程と、前記基板の表面を研磨す
る工程と、前記基板の表面をドライエッチングし、前記
研磨により生じた前記基板の表面の加工層を除去する工
程と、前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を
照射して該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充
填材の表面を平滑化する工程とを有する多層セラミック
回路基板の作成方法によって達成され、第4に、前記高
エネルギ光はレーザ光であることを特徴とする第1乃至
第3の発明のいずれかに記載の多層セラミック回路基板
の作成方法によって達成され、第5に、前記導電性充填
材の表面を平滑化する工程、又は前記基板表面を研磨し
て仕上げる工程の後、前記基板上に配線層を形成する工
程を有する第1乃至第4の発明のいずれかに記載の多層
セラミック回路基板の作成方法によって達成される。
【0011】
【作 用】本発明の多層セラミック回路基板の作成方法
によれば、グリーンシートを焼成し、基板を作成した
後、基板表面に配線層を形成する前に、ビアホール内の
導電性充填材を高エネルギ光、例えばレーザ光により溶
融・流動し、導電性充填材の表面を平滑化している。
によれば、グリーンシートを焼成し、基板を作成した
後、基板表面に配線層を形成する前に、ビアホール内の
導電性充填材を高エネルギ光、例えばレーザ光により溶
融・流動し、導電性充填材の表面を平滑化している。
【0012】従って、導電性充填材上に配線層となる金
属膜等を形成する場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。特
に、焼成により空隙が含まれるようになった導電性充填
材の研磨により導電性充填材の表面に凹部が生じた場合
や、ドライエッチング時のイオン衝突により導電性充填
材の表面に凹凸が生じた場合でも、配線層の形成前に高
エネルギ光により導電性充填材を溶融・流動することに
より、上記凹凸が均され、導電性充填材の表面が平滑化
する。これにより、均一な膜厚の配線層を形成するため
に好ましい基板表面が得られる。
属膜等を形成する場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。特
に、焼成により空隙が含まれるようになった導電性充填
材の研磨により導電性充填材の表面に凹部が生じた場合
や、ドライエッチング時のイオン衝突により導電性充填
材の表面に凹凸が生じた場合でも、配線層の形成前に高
エネルギ光により導電性充填材を溶融・流動することに
より、上記凹凸が均され、導電性充填材の表面が平滑化
する。これにより、均一な膜厚の配線層を形成するため
に好ましい基板表面が得られる。
【0013】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 (1)本発明の第1の実施例 図1(a)〜(d),図2(a),(b)は、本発明の
第1の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
ついて説明する。 (1)本発明の第1の実施例 図1(a)〜(d),図2(a),(b)は、本発明の
第1の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
【0014】まず、所定量のアルミナ,ホウケイ酸ガラ
ス及び石英ガラスに溶剤としてアセトン,可塑剤及びバ
インダを加えて混練したスラリーを脱泡処理した後、ド
クターブレードにより成形して厚さ約300μmのグリ
ーンシート11aを形成する。次いで、打ち抜きによりグ
リーンシート11aにビアホール12a,13aを形成した
後、このビアホール12a,13aに粉末状の銅充填材(導
電性充填材)14a,15aを充填する。続いて、銅ペース
トで不図示の配線パターンをスクリーン印刷する。
ス及び石英ガラスに溶剤としてアセトン,可塑剤及びバ
インダを加えて混練したスラリーを脱泡処理した後、ド
クターブレードにより成形して厚さ約300μmのグリ
ーンシート11aを形成する。次いで、打ち抜きによりグ
リーンシート11aにビアホール12a,13aを形成した
後、このビアホール12a,13aに粉末状の銅充填材(導
電性充填材)14a,15aを充填する。続いて、銅ペース
トで不図示の配線パターンをスクリーン印刷する。
【0015】次に、図1(a)に示すように、上記のグ
リーンシート11aと、上記と同じようにして作成された
他のグリーンシート11b,11cを3枚重ね、プレスして
一体化する。このとき、各グリーンシート11a〜11cに
ついて、上下の回路配線が接続されるように、銅充填材
(導電性充填材)14a〜14c,15a〜15cが充填された
ビアホール12a〜12c,13a〜13cの位置を揃える。
リーンシート11aと、上記と同じようにして作成された
他のグリーンシート11b,11cを3枚重ね、プレスして
一体化する。このとき、各グリーンシート11a〜11cに
ついて、上下の回路配線が接続されるように、銅充填材
(導電性充填材)14a〜14c,15a〜15cが充填された
ビアホール12a〜12c,13a〜13cの位置を揃える。
【0016】次いで、図1(b)に示すように、加熱
し、焼成する。焼成した後の銅充填材14,15の表面
には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では銅充
填材14,15上に配線層等を形成することは難しい。
また、焼成した後の銅充填材14,15の内部には、空
気が閉じ込められて気泡(空隙)が生じているとする。
次いで、図1(c)に示すように、焼成後の基板16表
面を平滑にするため、湿式研磨法により研磨する。この
とき、研磨により、気泡を覆っていた銅が除去されて、
気泡が現れると、そこが凹部になる。このままの状態で
は、配線層を形成することが難しい。
し、焼成する。焼成した後の銅充填材14,15の表面
には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では銅充
填材14,15上に配線層等を形成することは難しい。
また、焼成した後の銅充填材14,15の内部には、空
気が閉じ込められて気泡(空隙)が生じているとする。
次いで、図1(c)に示すように、焼成後の基板16表
面を平滑にするため、湿式研磨法により研磨する。この
とき、研磨により、気泡を覆っていた銅が除去されて、
気泡が現れると、そこが凹部になる。このままの状態で
は、配線層を形成することが難しい。
【0017】次に、図1(d)に示すように、上記研磨
により生じた凹部を均し、ビアホール12,13内の銅
充填材14,15の表面を平滑化するため、Arガスを
補助ガスとしてエネルギ強度500mJでエキシマレー
ザ光を銅充填材14,15に照射する。これにより、銅
充填材14,15は溶融・流動して凹部が均され、銅充
填材14,15の表面が平滑化される。
により生じた凹部を均し、ビアホール12,13内の銅
充填材14,15の表面を平滑化するため、Arガスを
補助ガスとしてエネルギ強度500mJでエキシマレー
ザ光を銅充填材14,15に照射する。これにより、銅
充填材14,15は溶融・流動して凹部が均され、銅充
填材14,15の表面が平滑化される。
【0018】次いで、図2(a)に示すように、基板1
6表面に対して仕上げの研磨を行った後、この基板16
上に金属膜を形成する。このとき、ビアホール12,1
3内の銅充填材14,15の表面は平滑化されているの
で、銅充填材14,15上に金属膜を形成した場合、表
面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が防止されるとと
もに、膜厚の均一な金属膜が形成される。
6表面に対して仕上げの研磨を行った後、この基板16
上に金属膜を形成する。このとき、ビアホール12,1
3内の銅充填材14,15の表面は平滑化されているの
で、銅充填材14,15上に金属膜を形成した場合、表
面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が防止されるとと
もに、膜厚の均一な金属膜が形成される。
【0019】その後、図2(b)に示すように、金属膜
をパターニングし、配線層18を形成すると、多層セラ
ミック回路基板19が完成する。なお、必要があれば、
更に絶縁膜で第1層目の配線層を被覆し、第2層目以上
の配線層を形成する。以上のように、本発明の第1の実
施例によれば、焼成により気泡が含まれた銅充填材1
4,15が研磨され、銅充填材14,15の表面に凹部
が生じた場合でも、基板16表面に配線層18を形成す
る前に、ビアホール12,13内の銅充填材14,15
をレーザ光により溶融・流動し、銅充填材14,15の
表面を平滑化しているので、銅充填材14,15上に配
線層18となる金属膜等を形成した場合、膜厚の均一な
金属膜等が形成される。これにより、不均一な膜厚に起
因する配線層18の断線や高抵抗化が防止される。ま
た、銅充填材14,15内の凹部の存在による銅充填材
14,15のクラックの発生が防止され、配線の高抵抗
化や信頼性の低下が防止される。 (2)本発明の第2の実施例 図3(a)〜(d),図4(a),(b)は、本発明の
第2の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
をパターニングし、配線層18を形成すると、多層セラ
ミック回路基板19が完成する。なお、必要があれば、
更に絶縁膜で第1層目の配線層を被覆し、第2層目以上
の配線層を形成する。以上のように、本発明の第1の実
施例によれば、焼成により気泡が含まれた銅充填材1
4,15が研磨され、銅充填材14,15の表面に凹部
が生じた場合でも、基板16表面に配線層18を形成す
る前に、ビアホール12,13内の銅充填材14,15
をレーザ光により溶融・流動し、銅充填材14,15の
表面を平滑化しているので、銅充填材14,15上に配
線層18となる金属膜等を形成した場合、膜厚の均一な
金属膜等が形成される。これにより、不均一な膜厚に起
因する配線層18の断線や高抵抗化が防止される。ま
た、銅充填材14,15内の凹部の存在による銅充填材
14,15のクラックの発生が防止され、配線の高抵抗
化や信頼性の低下が防止される。 (2)本発明の第2の実施例 図3(a)〜(d),図4(a),(b)は、本発明の
第2の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
【0020】図3(a)は、複数のグリーンシート21a
〜21cが積層された状態を示し、各グリーンシート21a
〜21cの表面に形成された回路配線を電気的に接続する
ため、ビアホール22a〜22c,23a〜23cに例えば粉末
状の銅充填材24a〜24c,25a〜25cが充填されてい
る。このような状態で、図3(b)に示すように、グリ
ーンシート21a〜21cを加熱し、焼成する。焼成した後
の銅充填材24,25の表面には凹凸が生じることが多
く、そのままの状態ではビアホール22,23の銅充填
材24,25上に配線層等を形成することは難しい。
〜21cが積層された状態を示し、各グリーンシート21a
〜21cの表面に形成された回路配線を電気的に接続する
ため、ビアホール22a〜22c,23a〜23cに例えば粉末
状の銅充填材24a〜24c,25a〜25cが充填されてい
る。このような状態で、図3(b)に示すように、グリ
ーンシート21a〜21cを加熱し、焼成する。焼成した後
の銅充填材24,25の表面には凹凸が生じることが多
く、そのままの状態ではビアホール22,23の銅充填
材24,25上に配線層等を形成することは難しい。
【0021】次いで、図3(c)に示すように、焼成後
の基板26表面を平滑にするため、湿式研磨法により研
磨する。このとき、研磨材や水などを使用するため、研
磨後に基板26に砥粒がめり込んだり、ビアホール2
2,23の銅充填材24,25の表面が酸化してしま
う。次に、上記研磨により生じた基板26表面の加工層
を除去するため、図3(d)に示すように、Arプラズ
マなどでドライエッチングする。このとき、Arイオン
の衝突により銅充填材24,25の表面には激しく凹凸
が生じる。
の基板26表面を平滑にするため、湿式研磨法により研
磨する。このとき、研磨材や水などを使用するため、研
磨後に基板26に砥粒がめり込んだり、ビアホール2
2,23の銅充填材24,25の表面が酸化してしま
う。次に、上記研磨により生じた基板26表面の加工層
を除去するため、図3(d)に示すように、Arプラズ
マなどでドライエッチングする。このとき、Arイオン
の衝突により銅充填材24,25の表面には激しく凹凸
が生じる。
【0022】次に、上記凹凸を均し、ビアホール22,
23内の銅充填材24,25の表面を平滑化するため、
図4(a)に示すように、エネルギ強度500mJでエ
キシマレーザ光を銅充填材24,25に照射する。これ
により、銅充填材24,25は溶融・流動して凹凸が均
され、銅充填材24,25の表面が平滑化される。次い
で、基板26表面に金属膜を形成する。このとき、ビア
ホール22,23内の銅充填材24,25の表面は平滑
化されているので、銅充填材24,25上に金属膜を形
成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が
防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜が形成され
る。
23内の銅充填材24,25の表面を平滑化するため、
図4(a)に示すように、エネルギ強度500mJでエ
キシマレーザ光を銅充填材24,25に照射する。これ
により、銅充填材24,25は溶融・流動して凹凸が均
され、銅充填材24,25の表面が平滑化される。次い
で、基板26表面に金属膜を形成する。このとき、ビア
ホール22,23内の銅充填材24,25の表面は平滑
化されているので、銅充填材24,25上に金属膜を形
成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が
防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜が形成され
る。
【0023】その後、図4(b)に示すように、金属膜
をパターニングし、配線層28を形成すると、多層セラ
ミック回路基板29が完成する。次に、上記のようにし
て作成された多層セラミック回路基板29を、−60℃
〜450℃の温度サイクルを一サイクルとする熱衝撃試
験を行った。なお、比較のため、従来の方法により作成
された多層セラミック回路基板についても同様な試験を
行った。
をパターニングし、配線層28を形成すると、多層セラ
ミック回路基板29が完成する。次に、上記のようにし
て作成された多層セラミック回路基板29を、−60℃
〜450℃の温度サイクルを一サイクルとする熱衝撃試
験を行った。なお、比較のため、従来の方法により作成
された多層セラミック回路基板についても同様な試験を
行った。
【0024】その結果によれば、第2の実施例に係る多
層セラミック回路基板29は数十回のサイクルでも配線
層28の剥離は生じなかったが、従来例に係る多層セラ
ミック回路基板は十数回のサイクルで、配線層の剥離に
よる抵抗増加や断線が生じた。以上のように、本発明の
第2の実施例によれば、ドライエッチング時のイオン衝
突により銅充填材24,25の表面に凹凸が生じた場合
でも、基板26表面に配線層28を形成する前に、ビア
ホール22,23内の銅充填材24,25をレーザ光に
より溶融・流動し、銅充填材24,25の表面を平滑化
しているので、均一な膜厚の配線層28を形成するため
に好ましい基板26表面が得られる。従って、銅充填材
24,25上に配線層28となる金属膜等を形成した場
合、表面の凹凸に起因する金属膜等の異常成長が防止さ
れるとともに、膜厚の均一な金属膜等が形成される。こ
れにより、配線層28の断線や高抵抗化が防止される。
層セラミック回路基板29は数十回のサイクルでも配線
層28の剥離は生じなかったが、従来例に係る多層セラ
ミック回路基板は十数回のサイクルで、配線層の剥離に
よる抵抗増加や断線が生じた。以上のように、本発明の
第2の実施例によれば、ドライエッチング時のイオン衝
突により銅充填材24,25の表面に凹凸が生じた場合
でも、基板26表面に配線層28を形成する前に、ビア
ホール22,23内の銅充填材24,25をレーザ光に
より溶融・流動し、銅充填材24,25の表面を平滑化
しているので、均一な膜厚の配線層28を形成するため
に好ましい基板26表面が得られる。従って、銅充填材
24,25上に配線層28となる金属膜等を形成した場
合、表面の凹凸に起因する金属膜等の異常成長が防止さ
れるとともに、膜厚の均一な金属膜等が形成される。こ
れにより、配線層28の断線や高抵抗化が防止される。
【0025】なお、第1及び第2の実施例では、高エネ
ルギ光としてエキシマレーザ光を用いているが、YAG
レーザ光やCO2 レーザ光等を用いてもよい。
ルギ光としてエキシマレーザ光を用いているが、YAG
レーザ光やCO2 レーザ光等を用いてもよい。
【0026】
【発明の効果】以上のように、本発明の多層セラミック
回路基板の作成方法によれば、グリーンシートを焼成
し、基板を作成した後、基板表面に配線層を形成する前
に、ビアホール内の導電性充填材を高エネルギ光、例え
ばレーザ光により溶融・流動し、導電性充填材の表面を
平滑化している。
回路基板の作成方法によれば、グリーンシートを焼成
し、基板を作成した後、基板表面に配線層を形成する前
に、ビアホール内の導電性充填材を高エネルギ光、例え
ばレーザ光により溶融・流動し、導電性充填材の表面を
平滑化している。
【0027】従って、導電性充填材上に配線層となる金
属膜等を形成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。
属膜等を形成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。
【図1】本発明の第1の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図(その1)で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図(その1)で
ある。
【図2】本発明の第1の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図(その2)で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図(その2)で
ある。
【図3】本発明の第2の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図(その1)で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図(その1)で
ある。
【図4】本発明の第2の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図(その2)で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図(その2)で
ある。
【図5】従来例に係る多層セラミック回路基板の作成方
法について説明する断面図(その1)である。
法について説明する断面図(その1)である。
【図6】従来例に係る多層セラミック回路基板の作成方
法について説明する断面図(その2)である。
法について説明する断面図(その2)である。
11a〜11c,21a〜21c グリーンシート、 12a〜12c,13a〜13c,22a〜22c,23a〜23c ビ
アホール、 14a〜14c,15a〜15c,24a〜24c,25a〜25c 銅
充填材(導電性充填材)、 16,26 基板、 17,27 研磨板、 18,28 配線層、 19,29 多層セラミック回路基板。
アホール、 14a〜14c,15a〜15c,24a〜24c,25a〜25c 銅
充填材(導電性充填材)、 16,26 基板、 17,27 研磨板、 18,28 配線層、 19,29 多層セラミック回路基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−286190(JP,A) 特開 平5−67874(JP,A) 特開 平1−246831(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/46
Claims (5)
- 【請求項1】 ビアホールに導電性充填材が充填された
複数のグリーンシートを積層し、焼成して、一体成形さ
れた基板を作成した後、前記基板上に配線層を形成する
前に高エネルギ光を照射して前記導電性充填材を溶融・
流動し、前記導電性充填材の表面を平滑化することを特
徴とする多層セラミック回路基板の作成方法。 - 【請求項2】 ビアホールに導電性充填材が充填された
複数のグリーンシートを積層し、焼成して、一体成形さ
れた基板を作成する工程と、 前記基板の表面を研磨する工程と、 前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射し
て該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の
表面を平滑化する工程と、 前記基板表面を研磨して仕上げる工程とを有する多層セ
ラミック回路基板の作成方法。 - 【請求項3】 ビアホールに導電性充填材が充填された
複数のグリーンシートを積層し、焼成して一体成形し、
基板を作成する工程と、 前記基板の表面を研磨する工程と、 前記基板の表面をドライエッチングし、前記研磨により
生じた前記基板の表面の加工層を除去する工程と、 前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射し
て該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の
表面を平滑化する工程とを有する多層セラミック回路基
板の作成方法。 - 【請求項4】 前記高エネルギ光はレーザ光であること
を特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の
多層セラミック回路基板の作成方法。 - 【請求項5】 前記導電性充填材の表面を平滑化する工
程、又は前記基板表面を研磨して仕上げる工程の後、前
記基板上に配線層を形成する工程を有する請求項1乃至
請求項4のいずれかに記載の多層セラミック回路基板の
作成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19956793A JP3197397B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 多層セラミック回路基板の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19956793A JP3197397B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 多層セラミック回路基板の作成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758455A JPH0758455A (ja) | 1995-03-03 |
JP3197397B2 true JP3197397B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=16409981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19956793A Expired - Fee Related JP3197397B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 多層セラミック回路基板の作成方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3197397B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7172211B2 (ja) | 2017-07-28 | 2022-11-16 | Tdk株式会社 | 導電性基板、電子装置及び表示装置 |
JP7034645B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2022-03-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19956793A patent/JP3197397B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH0758455A (ja) | 1995-03-03 |
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