JP3197397B2 - 多層セラミック回路基板の作成方法 - Google Patents
多層セラミック回路基板の作成方法Info
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Description
【０００１】 （目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術（図５，図６） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 (1) 本発明の第１の実施例（図１，図２） (2) 本発明の第２の実施例（図３，図４） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、多層セラミック回路基
板の作成方法に関し、更に詳しく言えば、ビアホールに
導電性充填材が充填された基板を作成し、更にこの基板
上に配線層が形成される多層セラミック回路基板の作成
方法に関する。
板の作成方法に関し、更に詳しく言えば、ビアホールに
導電性充填材が充填された基板を作成し、更にこの基板
上に配線層が形成される多層セラミック回路基板の作成
方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】近年のコンピュータ等に搭載される回路
基板として、低誘電率，高密度実装が可能な多層セラミ
ック回路基板が用いられている。多層セラミック回路基
板は、セラミック基板中に複数の層状に埋め込まれた回
路配線と、該回路配線を相互に接続する導電性充填材が
充填されたビアホールと、基板上に形成された配線層等
とから構成される。
基板として、低誘電率，高密度実装が可能な多層セラミ
ック回路基板が用いられている。多層セラミック回路基
板は、セラミック基板中に複数の層状に埋め込まれた回
路配線と、該回路配線を相互に接続する導電性充填材が
充填されたビアホールと、基板上に形成された配線層等
とから構成される。
【０００４】図５（ａ）〜（ｄ），図６は、従来例に係
る上記の多層セラミック回路基板の作成方法について説
明する断面図である。図５（ａ）は、複数のグリーンシ
ート１ａ〜１ｃが積層された状態を示し、各グリーンシ
ート１ａ〜１ｃの表面に形成された回路配線を電気的に
接続するため、ビアホール２ａ〜２ｃ，３ａ〜３ｃに例
えば粉末状の銅充填材４ａ〜４ｃ，５ａ〜５ｃが充填さ
れている。
る上記の多層セラミック回路基板の作成方法について説
明する断面図である。図５（ａ）は、複数のグリーンシ
ート１ａ〜１ｃが積層された状態を示し、各グリーンシ
ート１ａ〜１ｃの表面に形成された回路配線を電気的に
接続するため、ビアホール２ａ〜２ｃ，３ａ〜３ｃに例
えば粉末状の銅充填材４ａ〜４ｃ，５ａ〜５ｃが充填さ
れている。
【０００５】このような状態で、図５（ｂ）に示すよう
に、加熱し、焼成する。焼成した後の銅充填材４，５の
表面には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では
ビアホール２，３の銅充填材４，５上に配線層等を形成
することは難しい。次いで、図５（ｃ）に示すように、
焼成後の基板６表面を平滑にするため、湿式研磨法によ
り研磨する。このとき、研磨材や水などを使用するた
め、研磨後に基板６に砥粒がめり込んだり、ビアホール
２，３の銅充填材４，５の表面が酸化してしまう。
に、加熱し、焼成する。焼成した後の銅充填材４，５の
表面には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では
ビアホール２，３の銅充填材４，５上に配線層等を形成
することは難しい。次いで、図５（ｃ）に示すように、
焼成後の基板６表面を平滑にするため、湿式研磨法によ
り研磨する。このとき、研磨材や水などを使用するた
め、研磨後に基板６に砥粒がめり込んだり、ビアホール
２，３の銅充填材４，５の表面が酸化してしまう。
【０００６】次に、図５（ｄ）に示すように、上記研磨
により生じた基板６表面の加工層を除去するため、Ａｒ
プラズマなどでドライエッチングする。次いで、基板６
表面に金属膜を形成した後、図６に示すように、パター
ニングし、配線層８を形成すると、多層セラミック回路
基板９が完成する。なお、必要があれば、更に絶縁膜で
第１層目の配線層を被覆し、第２層目以上の配線層を形
成する。
により生じた基板６表面の加工層を除去するため、Ａｒ
プラズマなどでドライエッチングする。次いで、基板６
表面に金属膜を形成した後、図６に示すように、パター
ニングし、配線層８を形成すると、多層セラミック回路
基板９が完成する。なお、必要があれば、更に絶縁膜で
第１層目の配線層を被覆し、第２層目以上の配線層を形
成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法によれば、基板６の焼成後にビアホール２，３内に
充填された銅充填材４，５内部に気泡（空隙）が生じる
場合がある。従って、基板６表面を研磨した場合、図５
（ｃ）に示すように、気泡を覆う銅が研磨されて気泡が
現れ、そこに凹部が形成される。このような基板６表面
に配線層８を形成する場合、図６に示すように、凹部に
は配線層８が形成されにくく、配線層８にピンホールが
生じることがある。また、その気泡の存在により、後の
工程で加熱処理を加えると銅充填材２，３や配線層８に
クラックが生じることがある。これらの現象が生ずる
と、配線抵抗が高くなったり、導通不良が起こったりす
るという問題がある。
方法によれば、基板６の焼成後にビアホール２，３内に
充填された銅充填材４，５内部に気泡（空隙）が生じる
場合がある。従って、基板６表面を研磨した場合、図５
（ｃ）に示すように、気泡を覆う銅が研磨されて気泡が
現れ、そこに凹部が形成される。このような基板６表面
に配線層８を形成する場合、図６に示すように、凹部に
は配線層８が形成されにくく、配線層８にピンホールが
生じることがある。また、その気泡の存在により、後の
工程で加熱処理を加えると銅充填材２，３や配線層８に
クラックが生じることがある。これらの現象が生ずる
と、配線抵抗が高くなったり、導通不良が起こったりす
るという問題がある。
【０００８】また、図５（ｄ）に示すように、Ａｒによ
るドライエッチング時のイオン衝突のため、ビアホール
２，３の銅充填材４，５表面には激しく凹凸が生じる。
このような表面状態を有する銅充填材４，５上に配線層
８となる金属膜等を形成すると、凸部等を核として柱状
結晶が生じたり、部分的に異常成長が起こったりする。
このような基板６に加熱処理を加えると、配線層８の剥
離やクラック等が生じ、配線層８の断線や高抵抗化の原
因になるという問題がある。
るドライエッチング時のイオン衝突のため、ビアホール
２，３の銅充填材４，５表面には激しく凹凸が生じる。
このような表面状態を有する銅充填材４，５上に配線層
８となる金属膜等を形成すると、凸部等を核として柱状
結晶が生じたり、部分的に異常成長が起こったりする。
このような基板６に加熱処理を加えると、配線層８の剥
離やクラック等が生じ、配線層８の断線や高抵抗化の原
因になるという問題がある。
【０００９】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
て創作されたものであり、ビアホール内の銅表面を平滑
化することにより、銅等のクラックが防止されるととも
に、銅上に形成される配線層の断線や高抵抗化が防止さ
れる多層セラミック回路基板の製造方法の提供を目的と
する。
て創作されたものであり、ビアホール内の銅表面を平滑
化することにより、銅等のクラックが防止されるととも
に、銅上に形成される配線層の断線や高抵抗化が防止さ
れる多層セラミック回路基板の製造方法の提供を目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、ビ
アホールに導電性充填材が充填された複数のグリーンシ
ートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成し
た後、前記基板上に配線層を形成する前に高エネルギ光
を照射して前記導電性充填材を溶融・流動し、前記導電
性充填材の表面を平滑化することを特徴とする多層セラ
ミック回路基板の作成方法によって達成され、第２に、
ビアホールに導電性充填材が充填された複数のグリーン
シートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成
する工程と、前記基板の表面を研磨する工程と、前記ビ
アホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射して該導
電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の表面を
平滑化する工程と、前記基板表面を研磨して仕上げる工
程とを有する多層セラミック回路基板の作成方法によっ
て達成され、第３に、ビアホールに導電性充填材が充填
された複数のグリーンシートを積層し、焼成して一体成
形し、基板を作成する工程と、前記基板の表面を研磨す
る工程と、前記基板の表面をドライエッチングし、前記
研磨により生じた前記基板の表面の加工層を除去する工
程と、前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を
照射して該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充
填材の表面を平滑化する工程とを有する多層セラミック
回路基板の作成方法によって達成され、第４に、前記高
エネルギ光はレーザ光であることを特徴とする第１乃至
第３の発明のいずれかに記載の多層セラミック回路基板
の作成方法によって達成され、第５に、前記導電性充填
材の表面を平滑化する工程、又は前記基板表面を研磨し
て仕上げる工程の後、前記基板上に配線層を形成する工
程を有する第１乃至第４の発明のいずれかに記載の多層
セラミック回路基板の作成方法によって達成される。
アホールに導電性充填材が充填された複数のグリーンシ
ートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成し
た後、前記基板上に配線層を形成する前に高エネルギ光
を照射して前記導電性充填材を溶融・流動し、前記導電
性充填材の表面を平滑化することを特徴とする多層セラ
ミック回路基板の作成方法によって達成され、第２に、
ビアホールに導電性充填材が充填された複数のグリーン
シートを積層し、焼成して、一体成形された基板を作成
する工程と、前記基板の表面を研磨する工程と、前記ビ
アホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射して該導
電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の表面を
平滑化する工程と、前記基板表面を研磨して仕上げる工
程とを有する多層セラミック回路基板の作成方法によっ
て達成され、第３に、ビアホールに導電性充填材が充填
された複数のグリーンシートを積層し、焼成して一体成
形し、基板を作成する工程と、前記基板の表面を研磨す
る工程と、前記基板の表面をドライエッチングし、前記
研磨により生じた前記基板の表面の加工層を除去する工
程と、前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を
照射して該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充
填材の表面を平滑化する工程とを有する多層セラミック
回路基板の作成方法によって達成され、第４に、前記高
エネルギ光はレーザ光であることを特徴とする第１乃至
第３の発明のいずれかに記載の多層セラミック回路基板
の作成方法によって達成され、第５に、前記導電性充填
材の表面を平滑化する工程、又は前記基板表面を研磨し
て仕上げる工程の後、前記基板上に配線層を形成する工
程を有する第１乃至第４の発明のいずれかに記載の多層
セラミック回路基板の作成方法によって達成される。
【００１１】
【作 用】本発明の多層セラミック回路基板の作成方法
によれば、グリーンシートを焼成し、基板を作成した
後、基板表面に配線層を形成する前に、ビアホール内の
導電性充填材を高エネルギ光、例えばレーザ光により溶
融・流動し、導電性充填材の表面を平滑化している。
によれば、グリーンシートを焼成し、基板を作成した
後、基板表面に配線層を形成する前に、ビアホール内の
導電性充填材を高エネルギ光、例えばレーザ光により溶
融・流動し、導電性充填材の表面を平滑化している。
【００１２】従って、導電性充填材上に配線層となる金
属膜等を形成する場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。特
に、焼成により空隙が含まれるようになった導電性充填
材の研磨により導電性充填材の表面に凹部が生じた場合
や、ドライエッチング時のイオン衝突により導電性充填
材の表面に凹凸が生じた場合でも、配線層の形成前に高
エネルギ光により導電性充填材を溶融・流動することに
より、上記凹凸が均され、導電性充填材の表面が平滑化
する。これにより、均一な膜厚の配線層を形成するため
に好ましい基板表面が得られる。
属膜等を形成する場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。特
に、焼成により空隙が含まれるようになった導電性充填
材の研磨により導電性充填材の表面に凹部が生じた場合
や、ドライエッチング時のイオン衝突により導電性充填
材の表面に凹凸が生じた場合でも、配線層の形成前に高
エネルギ光により導電性充填材を溶融・流動することに
より、上記凹凸が均され、導電性充填材の表面が平滑化
する。これにより、均一な膜厚の配線層を形成するため
に好ましい基板表面が得られる。
【００１３】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例 図１（ａ）〜（ｄ），図２（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例 図１（ａ）〜（ｄ），図２（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
【００１４】まず、所定量のアルミナ，ホウケイ酸ガラ
ス及び石英ガラスに溶剤としてアセトン，可塑剤及びバ
インダを加えて混練したスラリーを脱泡処理した後、ド
クターブレードにより成形して厚さ約３００μｍのグリ
ーンシート11ａを形成する。次いで、打ち抜きによりグ
リーンシート11ａにビアホール12ａ，13ａを形成した
後、このビアホール12ａ，13ａに粉末状の銅充填材（導
電性充填材）14ａ，15ａを充填する。続いて、銅ペース
トで不図示の配線パターンをスクリーン印刷する。
ス及び石英ガラスに溶剤としてアセトン，可塑剤及びバ
インダを加えて混練したスラリーを脱泡処理した後、ド
クターブレードにより成形して厚さ約３００μｍのグリ
ーンシート11ａを形成する。次いで、打ち抜きによりグ
リーンシート11ａにビアホール12ａ，13ａを形成した
後、このビアホール12ａ，13ａに粉末状の銅充填材（導
電性充填材）14ａ，15ａを充填する。続いて、銅ペース
トで不図示の配線パターンをスクリーン印刷する。
【００１５】次に、図１（ａ）に示すように、上記のグ
リーンシート11ａと、上記と同じようにして作成された
他のグリーンシート11ｂ，11ｃを３枚重ね、プレスして
一体化する。このとき、各グリーンシート11ａ〜11ｃに
ついて、上下の回路配線が接続されるように、銅充填材
（導電性充填材）14ａ〜14ｃ，15ａ〜15ｃが充填された
ビアホール12ａ〜12ｃ，13ａ〜13ｃの位置を揃える。
リーンシート11ａと、上記と同じようにして作成された
他のグリーンシート11ｂ，11ｃを３枚重ね、プレスして
一体化する。このとき、各グリーンシート11ａ〜11ｃに
ついて、上下の回路配線が接続されるように、銅充填材
（導電性充填材）14ａ〜14ｃ，15ａ〜15ｃが充填された
ビアホール12ａ〜12ｃ，13ａ〜13ｃの位置を揃える。
【００１６】次いで、図１（ｂ）に示すように、加熱
し、焼成する。焼成した後の銅充填材１４，１５の表面
には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では銅充
填材１４，１５上に配線層等を形成することは難しい。
また、焼成した後の銅充填材１４，１５の内部には、空
気が閉じ込められて気泡（空隙）が生じているとする。
次いで、図１（ｃ）に示すように、焼成後の基板１６表
面を平滑にするため、湿式研磨法により研磨する。この
とき、研磨により、気泡を覆っていた銅が除去されて、
気泡が現れると、そこが凹部になる。このままの状態で
は、配線層を形成することが難しい。
し、焼成する。焼成した後の銅充填材１４，１５の表面
には凹凸が生じることが多く、そのままの状態では銅充
填材１４，１５上に配線層等を形成することは難しい。
また、焼成した後の銅充填材１４，１５の内部には、空
気が閉じ込められて気泡（空隙）が生じているとする。
次いで、図１（ｃ）に示すように、焼成後の基板１６表
面を平滑にするため、湿式研磨法により研磨する。この
とき、研磨により、気泡を覆っていた銅が除去されて、
気泡が現れると、そこが凹部になる。このままの状態で
は、配線層を形成することが難しい。
【００１７】次に、図１（ｄ）に示すように、上記研磨
により生じた凹部を均し、ビアホール１２，１３内の銅
充填材１４，１５の表面を平滑化するため、Ａｒガスを
補助ガスとしてエネルギ強度５００ｍＪでエキシマレー
ザ光を銅充填材１４，１５に照射する。これにより、銅
充填材１４，１５は溶融・流動して凹部が均され、銅充
填材１４，１５の表面が平滑化される。
により生じた凹部を均し、ビアホール１２，１３内の銅
充填材１４，１５の表面を平滑化するため、Ａｒガスを
補助ガスとしてエネルギ強度５００ｍＪでエキシマレー
ザ光を銅充填材１４，１５に照射する。これにより、銅
充填材１４，１５は溶融・流動して凹部が均され、銅充
填材１４，１５の表面が平滑化される。
【００１８】次いで、図２（ａ）に示すように、基板１
６表面に対して仕上げの研磨を行った後、この基板１６
上に金属膜を形成する。このとき、ビアホール１２，１
３内の銅充填材１４，１５の表面は平滑化されているの
で、銅充填材１４，１５上に金属膜を形成した場合、表
面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が防止されるとと
もに、膜厚の均一な金属膜が形成される。
６表面に対して仕上げの研磨を行った後、この基板１６
上に金属膜を形成する。このとき、ビアホール１２，１
３内の銅充填材１４，１５の表面は平滑化されているの
で、銅充填材１４，１５上に金属膜を形成した場合、表
面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が防止されるとと
もに、膜厚の均一な金属膜が形成される。
【００１９】その後、図２（ｂ）に示すように、金属膜
をパターニングし、配線層１８を形成すると、多層セラ
ミック回路基板１９が完成する。なお、必要があれば、
更に絶縁膜で第１層目の配線層を被覆し、第２層目以上
の配線層を形成する。以上のように、本発明の第１の実
施例によれば、焼成により気泡が含まれた銅充填材１
４，１５が研磨され、銅充填材１４，１５の表面に凹部
が生じた場合でも、基板１６表面に配線層１８を形成す
る前に、ビアホール１２，１３内の銅充填材１４，１５
をレーザ光により溶融・流動し、銅充填材１４，１５の
表面を平滑化しているので、銅充填材１４，１５上に配
線層１８となる金属膜等を形成した場合、膜厚の均一な
金属膜等が形成される。これにより、不均一な膜厚に起
因する配線層１８の断線や高抵抗化が防止される。ま
た、銅充填材１４，１５内の凹部の存在による銅充填材
１４，１５のクラックの発生が防止され、配線の高抵抗
化や信頼性の低下が防止される。 （２）本発明の第２の実施例 図３（ａ）〜（ｄ），図４（ａ），（ｂ）は、本発明の
第２の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
をパターニングし、配線層１８を形成すると、多層セラ
ミック回路基板１９が完成する。なお、必要があれば、
更に絶縁膜で第１層目の配線層を被覆し、第２層目以上
の配線層を形成する。以上のように、本発明の第１の実
施例によれば、焼成により気泡が含まれた銅充填材１
４，１５が研磨され、銅充填材１４，１５の表面に凹部
が生じた場合でも、基板１６表面に配線層１８を形成す
る前に、ビアホール１２，１３内の銅充填材１４，１５
をレーザ光により溶融・流動し、銅充填材１４，１５の
表面を平滑化しているので、銅充填材１４，１５上に配
線層１８となる金属膜等を形成した場合、膜厚の均一な
金属膜等が形成される。これにより、不均一な膜厚に起
因する配線層１８の断線や高抵抗化が防止される。ま
た、銅充填材１４，１５内の凹部の存在による銅充填材
１４，１５のクラックの発生が防止され、配線の高抵抗
化や信頼性の低下が防止される。 （２）本発明の第２の実施例 図３（ａ）〜（ｄ），図４（ａ），（ｂ）は、本発明の
第２の実施例の多層セラミック回路基板の作成方法につ
いて説明する断面図である。
【００２０】図３（ａ）は、複数のグリーンシート21ａ
〜21ｃが積層された状態を示し、各グリーンシート21ａ
〜21ｃの表面に形成された回路配線を電気的に接続する
ため、ビアホール22ａ〜22ｃ，23ａ〜23ｃに例えば粉末
状の銅充填材24ａ〜24ｃ，25ａ〜25ｃが充填されてい
る。このような状態で、図３（ｂ）に示すように、グリ
ーンシート21ａ〜21ｃを加熱し、焼成する。焼成した後
の銅充填材２４，２５の表面には凹凸が生じることが多
く、そのままの状態ではビアホール２２，２３の銅充填
材２４，２５上に配線層等を形成することは難しい。
〜21ｃが積層された状態を示し、各グリーンシート21ａ
〜21ｃの表面に形成された回路配線を電気的に接続する
ため、ビアホール22ａ〜22ｃ，23ａ〜23ｃに例えば粉末
状の銅充填材24ａ〜24ｃ，25ａ〜25ｃが充填されてい
る。このような状態で、図３（ｂ）に示すように、グリ
ーンシート21ａ〜21ｃを加熱し、焼成する。焼成した後
の銅充填材２４，２５の表面には凹凸が生じることが多
く、そのままの状態ではビアホール２２，２３の銅充填
材２４，２５上に配線層等を形成することは難しい。
【００２１】次いで、図３（ｃ）に示すように、焼成後
の基板２６表面を平滑にするため、湿式研磨法により研
磨する。このとき、研磨材や水などを使用するため、研
磨後に基板２６に砥粒がめり込んだり、ビアホール２
２，２３の銅充填材２４，２５の表面が酸化してしま
う。次に、上記研磨により生じた基板２６表面の加工層
を除去するため、図３（ｄ）に示すように、Ａｒプラズ
マなどでドライエッチングする。このとき、Ａｒイオン
の衝突により銅充填材２４，２５の表面には激しく凹凸
が生じる。
の基板２６表面を平滑にするため、湿式研磨法により研
磨する。このとき、研磨材や水などを使用するため、研
磨後に基板２６に砥粒がめり込んだり、ビアホール２
２，２３の銅充填材２４，２５の表面が酸化してしま
う。次に、上記研磨により生じた基板２６表面の加工層
を除去するため、図３（ｄ）に示すように、Ａｒプラズ
マなどでドライエッチングする。このとき、Ａｒイオン
の衝突により銅充填材２４，２５の表面には激しく凹凸
が生じる。
【００２２】次に、上記凹凸を均し、ビアホール２２，
２３内の銅充填材２４，２５の表面を平滑化するため、
図４（ａ）に示すように、エネルギ強度５００ｍＪでエ
キシマレーザ光を銅充填材２４，２５に照射する。これ
により、銅充填材２４，２５は溶融・流動して凹凸が均
され、銅充填材２４，２５の表面が平滑化される。次い
で、基板２６表面に金属膜を形成する。このとき、ビア
ホール２２，２３内の銅充填材２４，２５の表面は平滑
化されているので、銅充填材２４，２５上に金属膜を形
成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が
防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜が形成され
る。
２３内の銅充填材２４，２５の表面を平滑化するため、
図４（ａ）に示すように、エネルギ強度５００ｍＪでエ
キシマレーザ光を銅充填材２４，２５に照射する。これ
により、銅充填材２４，２５は溶融・流動して凹凸が均
され、銅充填材２４，２５の表面が平滑化される。次い
で、基板２６表面に金属膜を形成する。このとき、ビア
ホール２２，２３内の銅充填材２４，２５の表面は平滑
化されているので、銅充填材２４，２５上に金属膜を形
成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜の異常成長が
防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜が形成され
る。
【００２３】その後、図４（ｂ）に示すように、金属膜
をパターニングし、配線層２８を形成すると、多層セラ
ミック回路基板２９が完成する。次に、上記のようにし
て作成された多層セラミック回路基板２９を、−６０℃
〜４５０℃の温度サイクルを一サイクルとする熱衝撃試
験を行った。なお、比較のため、従来の方法により作成
された多層セラミック回路基板についても同様な試験を
行った。
をパターニングし、配線層２８を形成すると、多層セラ
ミック回路基板２９が完成する。次に、上記のようにし
て作成された多層セラミック回路基板２９を、−６０℃
〜４５０℃の温度サイクルを一サイクルとする熱衝撃試
験を行った。なお、比較のため、従来の方法により作成
された多層セラミック回路基板についても同様な試験を
行った。
【００２４】その結果によれば、第２の実施例に係る多
層セラミック回路基板２９は数十回のサイクルでも配線
層２８の剥離は生じなかったが、従来例に係る多層セラ
ミック回路基板は十数回のサイクルで、配線層の剥離に
よる抵抗増加や断線が生じた。以上のように、本発明の
第２の実施例によれば、ドライエッチング時のイオン衝
突により銅充填材２４，２５の表面に凹凸が生じた場合
でも、基板２６表面に配線層２８を形成する前に、ビア
ホール２２，２３内の銅充填材２４，２５をレーザ光に
より溶融・流動し、銅充填材２４，２５の表面を平滑化
しているので、均一な膜厚の配線層２８を形成するため
に好ましい基板２６表面が得られる。従って、銅充填材
２４，２５上に配線層２８となる金属膜等を形成した場
合、表面の凹凸に起因する金属膜等の異常成長が防止さ
れるとともに、膜厚の均一な金属膜等が形成される。こ
れにより、配線層２８の断線や高抵抗化が防止される。
層セラミック回路基板２９は数十回のサイクルでも配線
層２８の剥離は生じなかったが、従来例に係る多層セラ
ミック回路基板は十数回のサイクルで、配線層の剥離に
よる抵抗増加や断線が生じた。以上のように、本発明の
第２の実施例によれば、ドライエッチング時のイオン衝
突により銅充填材２４，２５の表面に凹凸が生じた場合
でも、基板２６表面に配線層２８を形成する前に、ビア
ホール２２，２３内の銅充填材２４，２５をレーザ光に
より溶融・流動し、銅充填材２４，２５の表面を平滑化
しているので、均一な膜厚の配線層２８を形成するため
に好ましい基板２６表面が得られる。従って、銅充填材
２４，２５上に配線層２８となる金属膜等を形成した場
合、表面の凹凸に起因する金属膜等の異常成長が防止さ
れるとともに、膜厚の均一な金属膜等が形成される。こ
れにより、配線層２８の断線や高抵抗化が防止される。
【００２５】なお、第１及び第２の実施例では、高エネ
ルギ光としてエキシマレーザ光を用いているが、ＹＡＧ
レーザ光やＣＯ2 レーザ光等を用いてもよい。
ルギ光としてエキシマレーザ光を用いているが、ＹＡＧ
レーザ光やＣＯ2 レーザ光等を用いてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明の多層セラミック
回路基板の作成方法によれば、グリーンシートを焼成
し、基板を作成した後、基板表面に配線層を形成する前
に、ビアホール内の導電性充填材を高エネルギ光、例え
ばレーザ光により溶融・流動し、導電性充填材の表面を
平滑化している。
回路基板の作成方法によれば、グリーンシートを焼成
し、基板を作成した後、基板表面に配線層を形成する前
に、ビアホール内の導電性充填材を高エネルギ光、例え
ばレーザ光により溶融・流動し、導電性充填材の表面を
平滑化している。
【００２７】従って、導電性充填材上に配線層となる金
属膜等を形成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。
属膜等を形成した場合、表面の凹凸に起因する金属膜等
の異常成長が防止されるとともに、膜厚の均一な金属膜
等が形成される。これにより、導電性充填材内の凹部の
存在による導電性充填材のクラックの発生が防止される
とともに、配線層の断線や高抵抗化が防止される。
【図１】本発明の第１の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図（その１）で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図（その１）で
ある。
【図２】本発明の第１の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図（その２）で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図（その２）で
ある。
【図３】本発明の第２の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図（その１）で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図（その１）で
ある。
【図４】本発明の第２の実施例に係る多層セラミック回
路基板の作成方法について説明する断面図（その２）で
ある。
路基板の作成方法について説明する断面図（その２）で
ある。
【図５】従来例に係る多層セラミック回路基板の作成方
法について説明する断面図（その１）である。
法について説明する断面図（その１）である。
【図６】従来例に係る多層セラミック回路基板の作成方
法について説明する断面図（その２）である。
法について説明する断面図（その２）である。
11ａ〜11ｃ，21ａ〜21ｃ グリーンシート、 12ａ〜12ｃ，13ａ〜13ｃ，22ａ〜22ｃ，23ａ〜23ｃ ビ
アホール、 14ａ〜14ｃ，15ａ〜15ｃ，24ａ〜24ｃ，25ａ〜25ｃ 銅
充填材（導電性充填材）、 １６，２６ 基板、 １７，２７ 研磨板、 １８，２８ 配線層、 １９，２９ 多層セラミック回路基板。
アホール、 14ａ〜14ｃ，15ａ〜15ｃ，24ａ〜24ｃ，25ａ〜25ｃ 銅
充填材（導電性充填材）、 １６，２６ 基板、 １７，２７ 研磨板、 １８，２８ 配線層、 １９，２９ 多層セラミック回路基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−286190（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−67874（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−246831（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46
Claims (5)
- 【請求項１】 ビアホールに導電性充填材が充填された
複数のグリーンシートを積層し、焼成して、一体成形さ
れた基板を作成した後、前記基板上に配線層を形成する
前に高エネルギ光を照射して前記導電性充填材を溶融・
流動し、前記導電性充填材の表面を平滑化することを特
徴とする多層セラミック回路基板の作成方法。 - 【請求項２】 ビアホールに導電性充填材が充填された
複数のグリーンシートを積層し、焼成して、一体成形さ
れた基板を作成する工程と、 前記基板の表面を研磨する工程と、 前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射し
て該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の
表面を平滑化する工程と、 前記基板表面を研磨して仕上げる工程とを有する多層セ
ラミック回路基板の作成方法。 - 【請求項３】 ビアホールに導電性充填材が充填された
複数のグリーンシートを積層し、焼成して一体成形し、
基板を作成する工程と、 前記基板の表面を研磨する工程と、 前記基板の表面をドライエッチングし、前記研磨により
生じた前記基板の表面の加工層を除去する工程と、 前記ビアホールの導電性充填材に高エネルギ光を照射し
て該導電性充填材を溶融・流動し、前記導電性充填材の
表面を平滑化する工程とを有する多層セラミック回路基
板の作成方法。 - 【請求項４】 前記高エネルギ光はレーザ光であること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
多層セラミック回路基板の作成方法。 - 【請求項５】 前記導電性充填材の表面を平滑化する工
程、又は前記基板表面を研磨して仕上げる工程の後、前
記基板上に配線層を形成する工程を有する請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載の多層セラミック回路基板の
作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19956793A JP3197397B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 多層セラミック回路基板の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19956793A JP3197397B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 多層セラミック回路基板の作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758455A JPH0758455A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3197397B2 true JP3197397B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=16409981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19956793A Expired - Fee Related JP3197397B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 多層セラミック回路基板の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3197397B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7172211B2 (ja) | 2017-07-28 | 2022-11-16 | Tdk株式会社 | 導電性基板、電子装置及び表示装置 |
| JP7034645B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2022-03-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19956793A patent/JP3197397B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0758455A (ja) | 1995-03-03 |
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