JP3196966B2 - 炭化珪素被覆黒鉛部材 - Google Patents
炭化珪素被覆黒鉛部材Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化学気相蒸着（以下ＣＶ
Ｄという）炭化珪素被覆黒鉛部材に関し、更に詳しくは
半導体製造用材料、金属溶解用耐火物、発熱体、均熱
板、レーザーミラー等の熱処理炉用に使用されるＣＶＤ
炭化珪素被覆黒鉛部材に関する。
Ｄという）炭化珪素被覆黒鉛部材に関し、更に詳しくは
半導体製造用材料、金属溶解用耐火物、発熱体、均熱
板、レーザーミラー等の熱処理炉用に使用されるＣＶＤ
炭化珪素被覆黒鉛部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法により炭化珪素を被覆した黒鉛
部材は、従来から半導体製造用材料、金属溶解用耐火
物、発熱体、均熱板、レーザーミラー等に使用されて来
た。これらの用途に於いて、黒鉛にＣＶＤで炭化珪素を
被覆する理由としては、
部材は、従来から半導体製造用材料、金属溶解用耐火
物、発熱体、均熱板、レーザーミラー等に使用されて来
た。これらの用途に於いて、黒鉛にＣＶＤで炭化珪素を
被覆する理由としては、
【０００３】黒鉛基材からの脱ガス防止、
【０００４】黒鉛基材の消耗による汚染の防止、及び
【０００５】酸化雰囲気中に於ける黒鉛基材の酸化防
止
止
【０００６】等が挙げられる。
【０００７】しかしこれらの用途に於いては、急熱・急
冷を必要とする場合が多く、このような場合には、この
黒鉛部材に熱衝撃が発生する。また、温度勾配が大きい
場合に熱応力が発生する。
冷を必要とする場合が多く、このような場合には、この
黒鉛部材に熱衝撃が発生する。また、温度勾配が大きい
場合に熱応力が発生する。
【０００８】また一方、自重等による荷重が集中する場
合には機械的応力が発生する。これ等各種応力の１つ又
は２つ以上が発生すると、炭化珪素膜にクラックが発生
してしまうことがあった。そのため、炭化珪素被覆の利
点を充分に生かしきれないという問題があった。
合には機械的応力が発生する。これ等各種応力の１つ又
は２つ以上が発生すると、炭化珪素膜にクラックが発生
してしまうことがあった。そのため、炭化珪素被覆の利
点を充分に生かしきれないという問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明が解決し
ようとする課題は、上記の問題を克服し、ひいてはＣＶ
Ｄ炭化珪素被覆黒鉛部材の長ライフ化を目的とする。
ようとする課題は、上記の問題を克服し、ひいてはＣＶ
Ｄ炭化珪素被覆黒鉛部材の長ライフ化を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題は、この種ＣＶ
Ｄ炭化珪素被覆黒鉛部材のクラックの発生し易い部分
を、部分的に薄膜化することにより解決される。クラッ
クの発生し易い部分とは、急熱・急冷や大きな温度勾配
を生じる部分ばかりでなく、構造の面から機械的応力を
受ける部分も含まれる。
Ｄ炭化珪素被覆黒鉛部材のクラックの発生し易い部分
を、部分的に薄膜化することにより解決される。クラッ
クの発生し易い部分とは、急熱・急冷や大きな温度勾配
を生じる部分ばかりでなく、構造の面から機械的応力を
受ける部分も含まれる。
【００１１】
【発明の構成並びに作用】本発明に於いては、クラック
の生じ易い部分のＣＶＤ炭化珪素被覆を、他の部分より
薄くすることにより、クラックの発生が著しく減少する
か、全く生じなくなる。このことは、本発明者の長年の
研究により、初めて見出された新しい事実である。
の生じ易い部分のＣＶＤ炭化珪素被覆を、他の部分より
薄くすることにより、クラックの発生が著しく減少する
か、全く生じなくなる。このことは、本発明者の長年の
研究により、初めて見出された新しい事実である。
【００１２】本発明に於いてクラックの生じやすい部分
とは、大別して次の２つに別けることが出来る。
とは、大別して次の２つに別けることが出来る。
【００１３】（Ａ）構造上大きな機械的応力を受ける、
又は受け易い部分。
又は受け易い部分。
【００１４】（Ｂ）急熱・急冷や、大きな温度勾配を受
け、又は受け易い部分。
け、又は受け易い部分。
【００１５】上記（Ａ）の場合について先ず説明する。
【００１６】大きな機械的応力を受ける部分、又は受け
易い部分については、支持方法等の構造上の違いによっ
て変わってくる。その代表例を示せば、例えば、ドーナ
ッツ状円盤を図１〜図３に示す方法で支持した場合であ
る。
易い部分については、支持方法等の構造上の違いによっ
て変わってくる。その代表例を示せば、例えば、ドーナ
ッツ状円盤を図１〜図３に示す方法で支持した場合であ
る。
【００１７】図１のような内径支持では、機械的応力を
受ける部分は（Ａ）部であり、図２のような中央支持で
は、機械的応力を受ける部分は（Ｂ）部であり、図３の
ような外径支持では、機械的応力を受ける部分は（Ｃ）
部である。
受ける部分は（Ａ）部であり、図２のような中央支持で
は、機械的応力を受ける部分は（Ｂ）部であり、図３の
ような外径支持では、機械的応力を受ける部分は（Ｃ）
部である。
【００１８】次いで上記（Ｂ）の場合について説明する
と、急熱・急冷とは原則的には温度勾配（△Ｔ）が約３
００℃以上の場合である。
と、急熱・急冷とは原則的には温度勾配（△Ｔ）が約３
００℃以上の場合である。
【００１９】具体的な用途例での箇所を例示すると以下
の通りである。図４に示されるボートに於ける４０の部
分。尚、同図４中４１は溶湯を示す。また図５に示すル
ツボの５０の部分。同図中５１は溶湯であり、ルツボ５
２の上部５３は冷部、５４は熱部となっている。また図
６はヒーターの例示であり、６０の部分である。尚６１
は冷部、６２は熱部となる。更に図７の発熱体の場合で
は、７０の部分であり、７１は冷部を、７２は熱部とな
る。
の通りである。図４に示されるボートに於ける４０の部
分。尚、同図４中４１は溶湯を示す。また図５に示すル
ツボの５０の部分。同図中５１は溶湯であり、ルツボ５
２の上部５３は冷部、５４は熱部となっている。また図
６はヒーターの例示であり、６０の部分である。尚６１
は冷部、６２は熱部となる。更に図７の発熱体の場合で
は、７０の部分であり、７１は冷部を、７２は熱部とな
る。
【００２０】本発明に於いては、この部分の炭化珪素被
覆を他の部分より薄くすることをその要旨としている。
この炭化珪素の薄膜化する部分の膜厚は、全体の平均膜
厚の５０〜７５％好ましくは６０〜７０％で、且つ６０
〜９０μｍとすることが望ましい。この際平均膜厚が５
０％未満ではピンホールが生じ易く、また７５％を超え
るとクラックが発生し易くなる。また、膜厚自体が６０
μｍ未満ではピンホールが生じ、９０μｍより厚くなる
とクラックが発生し易くなる。
覆を他の部分より薄くすることをその要旨としている。
この炭化珪素の薄膜化する部分の膜厚は、全体の平均膜
厚の５０〜７５％好ましくは６０〜７０％で、且つ６０
〜９０μｍとすることが望ましい。この際平均膜厚が５
０％未満ではピンホールが生じ易く、また７５％を超え
るとクラックが発生し易くなる。また、膜厚自体が６０
μｍ未満ではピンホールが生じ、９０μｍより厚くなる
とクラックが発生し易くなる。
【００２１】この薄膜化する手段自体は何等限定されな
いが、代表的な手段を例示すると、特願平３−２８９１
９９号に記載の方法を例示することが出来る。更に詳し
くは、この方法は高純度等方性黒鉛に、その内径部付近
の膜厚を薄くするため、部分的に反応ガス量を抑制する
方法である。この方法の好ましい具体例は次の通りであ
る。
いが、代表的な手段を例示すると、特願平３−２８９１
９９号に記載の方法を例示することが出来る。更に詳し
くは、この方法は高純度等方性黒鉛に、その内径部付近
の膜厚を薄くするため、部分的に反応ガス量を抑制する
方法である。この方法の好ましい具体例は次の通りであ
る。
【００２２】（イ）部分的に反応ガスを抑制する手段と
して、ロート型治具を使用すること。
して、ロート型治具を使用すること。
【００２３】（ロ）部分的に反応ガスを抑制する手段と
して、発泡体から成る治具を使用すること。
して、発泡体から成る治具を使用すること。
【００２４】（ハ）部分的に反応ガスを抑制する手段と
して、円盤型治具を使用すること。
して、円盤型治具を使用すること。
【００２５】（ニ）部分的に反応ガスを抑制する手段と
して、多孔円盤型治具を使用すること。
して、多孔円盤型治具を使用すること。
【００２６】（ホ）上記治具として黒鉛製治具を使用す
ること。
ること。
【００２７】（ヘ）上記治具が炭化珪素被覆した治具で
あること。
あること。
【００２８】例えば、図８のように凹部に嵌合できる別
の凸状のブロック（１２）を挿入し、炭化珪素膜を全体
に形成せしめた後、凸状のブロックを取り外した状態で
凹状物（１１）のみを更に炭化珪素膜を付与すると、内
面のみに薄い膜が形成される。このような方法で図９の
ルツボ形状、ボート形状の金属溶解用、蒸発用皿等が製
作され得る。
の凸状のブロック（１２）を挿入し、炭化珪素膜を全体
に形成せしめた後、凸状のブロックを取り外した状態で
凹状物（１１）のみを更に炭化珪素膜を付与すると、内
面のみに薄い膜が形成される。このような方法で図９の
ルツボ形状、ボート形状の金属溶解用、蒸発用皿等が製
作され得る。
【００２９】また別なる形状としては、図７又は図１０
に示す発熱体において（１７）に相当する部分に、図１
１に示すように（１６）の抑え板を用いて、一旦炭化珪
素膜を形成せしめた後、抑え板（１６）を外し、更に再
度発熱体（１５）の全体に炭化珪素膜を形成させると、
膜厚が制御された製品を得ることが出来、温度勾配が大
きい部位の膜のクラック、剥離等を保護することが出来
る。
に示す発熱体において（１７）に相当する部分に、図１
１に示すように（１６）の抑え板を用いて、一旦炭化珪
素膜を形成せしめた後、抑え板（１６）を外し、更に再
度発熱体（１５）の全体に炭化珪素膜を形成させると、
膜厚が制御された製品を得ることが出来、温度勾配が大
きい部位の膜のクラック、剥離等を保護することが出来
る。
【００３０】また平板（円板又は角状板）の縁部、又は
平坦部等において大きな荷重のかかる部分（例えば図１
２のＡに示す部分）等については、図１３に示すように
抑え治具（黒鉛又はこれに炭化珪素を被覆したもの）を
用いて覆い、膜を形成せしめた後、これを取り外し、更
に再度全体に膜を形成させると、図１４に示すように厚
みが制御された製品を得ることが出来る。
平坦部等において大きな荷重のかかる部分（例えば図１
２のＡに示す部分）等については、図１３に示すように
抑え治具（黒鉛又はこれに炭化珪素を被覆したもの）を
用いて覆い、膜を形成せしめた後、これを取り外し、更
に再度全体に膜を形成させると、図１４に示すように厚
みが制御された製品を得ることが出来る。
【００３１】本発明に於いて、炭化珪素被膜を薄くする
手段自体は何等上記（イ）〜（ヘ）の手段に限定され
ず、薄くすることが出来る手段で、特に基材の本来の特
性を損なうものでない限り、特に限定されない。
手段自体は何等上記（イ）〜（ヘ）の手段に限定され
ず、薄くすることが出来る手段で、特に基材の本来の特
性を損なうものでない限り、特に限定されない。
【００３２】本発明に於いて、使用する黒鉛基材及び炭
化珪素被膜自体は、従来のものと同じもので良く、また
炭化珪素被覆を形成する手段としては特に限定されず、
公知の方法、特にＣＶＤ法を例示することが出来る。
化珪素被膜自体は、従来のものと同じもので良く、また
炭化珪素被覆を形成する手段としては特に限定されず、
公知の方法、特にＣＶＤ法を例示することが出来る。
【００３３】以下に本発明の特徴とする所をより明らか
とするための実験例を示す。
とするための実験例を示す。
【００３４】
【００３５】
【実験例１】高純度等方性黒鉛（東洋炭素製「ＩＧ−６
１０」、φ１００×５（ｍｍ））の全面に、ＣＶＤ法で
厚みＬ1の炭化珪素を被覆する。この試料を１２００
℃、２４時間大気中にさらした。
１０」、φ１００×５（ｍｍ））の全面に、ＣＶＤ法で
厚みＬ1の炭化珪素を被覆する。この試料を１２００
℃、２４時間大気中にさらした。
【００３６】この時、試料に現れたピンホール（φ０．
１ｍｍ以上）の１ｃｍ2面積当たりの数量を表１に示
す。
１ｍｍ以上）の１ｃｍ2面積当たりの数量を表１に示
す。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【実験例２】高純度等方性黒鉛（東洋炭素製「ＩＧ−６
１０」、φ１００×φ１５×５（ｍｍ））に、ＣＶＤ法
で炭化珪素を被覆する。この時、内径部（φ４０×φ１
５ｍｍ）の膜厚はＬ２で全体の平均膜厚は１２０μmと
する。この試料を電気炉に入れ、５００℃に保った後、
２０℃の水中へ投入した。この動作を繰り返し、内径の
クラック発生に至った回数を調査した。
１０」、φ１００×φ１５×５（ｍｍ））に、ＣＶＤ法
で炭化珪素を被覆する。この時、内径部（φ４０×φ１
５ｍｍ）の膜厚はＬ２で全体の平均膜厚は１２０μmと
する。この試料を電気炉に入れ、５００℃に保った後、
２０℃の水中へ投入した。この動作を繰り返し、内径の
クラック発生に至った回数を調査した。
【００３９】その結果を表２に示す。
【００４０】
【表２】
【００４１】但し、表２中＊Ｎは熱衝撃試験を１００回
繰り返したが、クラックは発生しなかったことを示す。
繰り返したが、クラックは発生しなかったことを示す。
【００４２】ＣＶＤ法により炭化珪素被覆を施した黒鉛
部材に、急熱・急冷等による熱的応力や自重等による機
械的応力を加えた場合、黒鉛と炭化珪素の熱膨張差や弾
性率差によりクラックが生じる。この時、表１及び表２
から明らかな通り、炭化珪素膜厚が所定の範囲内（９０
μｍ以下）で薄いと、耐クラック性が向上し、またこれ
が薄すぎると（５０μｍ以下）、ピンホールが発生し、
被覆膜による保護効果が低下することが判明した。
部材に、急熱・急冷等による熱的応力や自重等による機
械的応力を加えた場合、黒鉛と炭化珪素の熱膨張差や弾
性率差によりクラックが生じる。この時、表１及び表２
から明らかな通り、炭化珪素膜厚が所定の範囲内（９０
μｍ以下）で薄いと、耐クラック性が向上し、またこれ
が薄すぎると（５０μｍ以下）、ピンホールが発生し、
被覆膜による保護効果が低下することが判明した。
【００４３】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示す。
【００４４】
【実施例１】図１２に示すチョクラルスキー法によるＳ
ｉ単結晶引き上げ装置に於いて、単結晶欠陥発生の抑
制、不純物混入の防止のために、炭化珪素被覆黒鉛部材
１が設置されている。この設置方法は受台２の上端に炭
化珪素被覆黒鉛部材１をのせる構造であるため、接触部
８に自重がかかる。
ｉ単結晶引き上げ装置に於いて、単結晶欠陥発生の抑
制、不純物混入の防止のために、炭化珪素被覆黒鉛部材
１が設置されている。この設置方法は受台２の上端に炭
化珪素被覆黒鉛部材１をのせる構造であるため、接触部
８に自重がかかる。
【００４５】そのためクラックが生じやすくなる接触部
８付近を、図１３に示すように、高純度等方性黒鉛治具
９で覆い、一度ＣＶＤ炭化珪素を被覆し、続いてこの治
具を取り外し、再度ＣＶＤ炭化珪素を被覆した炭化珪素
被覆黒鉛部材１（全体の平均膜厚をＴ1（μｍ）とし、
接触部８付近の膜厚をＴ2（μｍ）とする）を設置し
て、Ｓｉ単結晶引き上げ工程を繰り返し行った。
８付近を、図１３に示すように、高純度等方性黒鉛治具
９で覆い、一度ＣＶＤ炭化珪素を被覆し、続いてこの治
具を取り外し、再度ＣＶＤ炭化珪素を被覆した炭化珪素
被覆黒鉛部材１（全体の平均膜厚をＴ1（μｍ）とし、
接触部８付近の膜厚をＴ2（μｍ）とする）を設置し
て、Ｓｉ単結晶引き上げ工程を繰り返し行った。
【００４６】その結果を表３に示す。
【００４７】
【比較例１】実施例１と同様の装置に於いて、全体の平
均膜厚をＴ1（μｍ）とし、接触部８付近の膜厚をＴ
2（μｍ）とした炭化珪素被覆黒鉛部材１を設置して、
Ｓｉ単結晶引き上げ工程を繰り返し行った。
均膜厚をＴ1（μｍ）とし、接触部８付近の膜厚をＴ
2（μｍ）とした炭化珪素被覆黒鉛部材１を設置して、
Ｓｉ単結晶引き上げ工程を繰り返し行った。
【００４８】その結果を表３に示す。
【００４９】
【表３】
【００５０】以上の結果より、クラックの生じやすい部
分の炭化珪素膜厚が平均膜厚の５０〜７５％である炭化
珪素被覆黒鉛部材について、クラック、ピンホールの発
生がなく、長ライフであったが、それ以外の炭化珪素被
覆黒鉛部材については、クラック、ピンホールが発生
し、短ライフとなった。
分の炭化珪素膜厚が平均膜厚の５０〜７５％である炭化
珪素被覆黒鉛部材について、クラック、ピンホールの発
生がなく、長ライフであったが、それ以外の炭化珪素被
覆黒鉛部材については、クラック、ピンホールが発生
し、短ライフとなった。
【００５１】
【実施例２】金溶解用鋳型に使用した実施例を以下に示
す。
す。
【００５２】図９に示すように、溶融金１３が注ぎ込ま
れる部分１４を、高純度等方性黒鉛治具１２で覆い、一
度ＣＶＤ炭化珪素を被覆し、続いてこの治具を取り外
し、再度ＣＶＤ炭化珪素を被覆した金溶解用鋳型１１
（全体の平均膜厚をＴ3（μｍ）とし、溶融金１３が注
ぎ込まれる部分１４の膜厚をＴ4（μｍ）とする）を設
置して金のインゴット作成（図９）を繰り返し行った。
れる部分１４を、高純度等方性黒鉛治具１２で覆い、一
度ＣＶＤ炭化珪素を被覆し、続いてこの治具を取り外
し、再度ＣＶＤ炭化珪素を被覆した金溶解用鋳型１１
（全体の平均膜厚をＴ3（μｍ）とし、溶融金１３が注
ぎ込まれる部分１４の膜厚をＴ4（μｍ）とする）を設
置して金のインゴット作成（図９）を繰り返し行った。
【００５３】その結果を表４に示す。
【００５４】
【比較例２】実施例２と同様に全体の平均膜厚をＴ
3（μｍ）とし、溶融金１３が注ぎ込まれる部分１４の
膜厚をＴ4の（μｍ）とした金溶解用鋳型１１を用いて
金のインゴット作成を繰り返し行った。
3（μｍ）とし、溶融金１３が注ぎ込まれる部分１４の
膜厚をＴ4の（μｍ）とした金溶解用鋳型１１を用いて
金のインゴット作成を繰り返し行った。
【００５５】その結果を表４に示す。
【００５６】
【表４】
【００５７】以上の結果より、熱衝撃によりクラックの
生じやすい部分の炭化珪素膜厚が平均膜厚の５０〜７５
％である金溶解用鋳型についてクラック、ピンホールの
発生がなく長ライフにつながったが、それ以外の金溶解
用鋳型については、クラック、ピンホールが発生し短ラ
イフとなった。
生じやすい部分の炭化珪素膜厚が平均膜厚の５０〜７５
％である金溶解用鋳型についてクラック、ピンホールの
発生がなく長ライフにつながったが、それ以外の金溶解
用鋳型については、クラック、ピンホールが発生し短ラ
イフとなった。
【００５８】
【実施例３】ＣＶＤ−Ｓｉ蒸着用発熱体に使用した実施
例を以下に示す。
例を以下に示す。
【００５９】図１０に示すように、高温域になる部分１
７を高純度等方性黒鉛治具１６で覆い、一度ＣＶＤ炭化
珪素を被覆し、続いてこの治具を取り外し、再度ＣＶＤ
炭化珪素を被覆した発熱体１５（全体の平均膜厚をＴ5
（μｍ）とし、高温域になる部分１７の膜厚をＴ6（μ
ｍ）とする）を設置し昇降温を繰り返し行った。
７を高純度等方性黒鉛治具１６で覆い、一度ＣＶＤ炭化
珪素を被覆し、続いてこの治具を取り外し、再度ＣＶＤ
炭化珪素を被覆した発熱体１５（全体の平均膜厚をＴ5
（μｍ）とし、高温域になる部分１７の膜厚をＴ6（μ
ｍ）とする）を設置し昇降温を繰り返し行った。
【００６０】その結果を表５に示す。
【００６１】
【比較例３】実施例３と同様に全体の平均膜厚をＴ
5（μｍ）とし、高温域になる部分１７の膜厚をＴ6（μ
ｍ）とした発熱体１５に於いて昇降温を繰り返し行っ
た。
5（μｍ）とし、高温域になる部分１７の膜厚をＴ6（μ
ｍ）とした発熱体１５に於いて昇降温を繰り返し行っ
た。
【００６２】その結果を表５に示す。
【００６３】
【表５】
【００６４】以上の結果より、熱衝撃によりクラックが
生じやすい部分の炭化珪素膜厚が平均膜厚の５０〜７５
％である発熱体についてクラック、ピンホールの発生が
なく長ライフであったが、それ以外の発熱体について
は、クラック、ピンホールが発生し短ライフとなった。
生じやすい部分の炭化珪素膜厚が平均膜厚の５０〜７５
％である発熱体についてクラック、ピンホールの発生が
なく長ライフであったが、それ以外の発熱体について
は、クラック、ピンホールが発生し短ライフとなった。
【００６５】
【発明の効果】以上の結果よりＣＶＤ炭化珪素被覆黒鉛
部材に於いてクラックが生じ易い位置の膜厚を平均膜厚
の５０〜７５％且つ６０μｍ〜９０μｍとすることによ
って炭化珪素を被覆する効果を保ちながらクラックの発
生も抑制することが出来た。
部材に於いてクラックが生じ易い位置の膜厚を平均膜厚
の５０〜７５％且つ６０μｍ〜９０μｍとすることによ
って炭化珪素を被覆する効果を保ちながらクラックの発
生も抑制することが出来た。
【００６４】
【００６５】図１は機械的応力を受け、又は受け易い部
分を具体的に示す説明図である。
分を具体的に示す説明図である。
【００６６】図２は機械的応力を受け、又は受け易い部
分を具体的に示す説明図である。
分を具体的に示す説明図である。
【００６７】図３は機械的応力を受け、又は受け易い部
分を具体的に示す説明図である。
分を具体的に示す説明図である。
【００６８】図４は大きな温度勾配を受ける部分を具体
的に示す説明図である。
的に示す説明図である。
【００６９】図５は大きな温度勾配を受ける部分を具体
的に示す説明図である。
的に示す説明図である。
【００７０】図６は大きな温度勾配を受ける部分を具体
的に示す説明図である。
的に示す説明図である。
【００７１】図７は大きな温度勾配を受ける部分を具体
的に示す説明図である。
的に示す説明図である。
【００７２】図８は金溶解用鋳型１１の製造方法であ
る。
る。
【００７３】図９は金インゴット作成の概略図である。
【００７４】図１０は発熱体１５を示したものである。
【００７５】図１１は発熱体１５の製造方法を示したも
のである。
のである。
【００７６】図１２はチョクラルスキー法によるＳｉ単
結晶引き上げ装置である。
結晶引き上げ装置である。
【００７７】図１３は図３に於ける炭化珪素被覆黒鉛部
材１の製造方法である。
材１の製造方法である。
【００７１】図１４は図３に於ける炭化珪素被覆黒鉛部
材１と受台２の接触部８の詳細を示すものである。
材１と受台２の接触部８の詳細を示すものである。
【００７２】１・・・炭化珪素被覆黒鉛部材 ２・・・受台 ３・・・発熱体 ４・・・黒鉛ルツボ ５・・・石英ルツボ ６・・・Ｓｉ単結晶 ７・・・種結晶 ８・・・接触部 ９・・・高純度等方性黒鉛治具 １０・・炭化珪素 １１・・金溶解用鋳型 １２・・高純度等方性黒鉛治具 １３・・溶融金 １４・・溶融金が注ぎ込まれる部分 １５・・発熱体 １６・・高純度等方性黒鉛治具 １７・・高温域になる部分
Claims (7)
- 【請求項１】化学気相蒸着炭化珪素被覆黒鉛部材に於い
て、クラックが生じ易い部分の膜厚を、全体の平均膜厚
の５０〜７５％の炭化珪素膜厚とし、且つそのうち薄膜
化した部分の炭化珪素膜厚が、６０μｍ〜９０μｍであ
ることを特徴とする、炭化珪素被覆黒鉛部材。 - 【請求項２】上記クラックが生じ易い部分が、機械的応
力を受ける部分である、請求項１に記載の炭化珪素被覆
黒鉛部材。 - 【請求項３】上記クラックが生じ易い部分が、急熱、急
冷等による大きな温度勾配を受ける部分である、請求項
１に記載の炭化珪素被覆黒鉛部材。 - 【請求項４】薄膜化する部分を、治具を用いて、一度Ｃ
ＶＤ炭化珪素被覆した後、治具を取り外し、再度ＣＶＤ
炭化珪素被覆することを特徴とする、請求項１に記載の
炭化珪素被覆黒鉛部材の製造方法。 - 【請求項５】Ｓｉ単結晶引き上げ用に使用される、請求
項１に記載の炭化珪素被覆黒鉛部材。 - 【請求項６】金属溶解用鋳型に使用される、請求項１に
記載の炭化珪素被覆黒鉛部材。 - 【請求項７】発熱体用に使用される、請求項１に記載の
炭化珪素被覆黒鉛部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05746592A JP3196966B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 炭化珪素被覆黒鉛部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05746592A JP3196966B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 炭化珪素被覆黒鉛部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05221758A JPH05221758A (ja) | 1993-08-31 |
| JP3196966B2 true JP3196966B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=13056437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05746592A Expired - Lifetime JP3196966B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 炭化珪素被覆黒鉛部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196966B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000319080A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素被覆黒鉛部材 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP05746592A patent/JP3196966B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05221758A (ja) | 1993-08-31 |
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