JP3193069B2 - 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法Info
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- JP3193069B2 JP3193069B2 JP13951991A JP13951991A JP3193069B2 JP 3193069 B2 JP3193069 B2 JP 3193069B2 JP 13951991 A JP13951991 A JP 13951991A JP 13951991 A JP13951991 A JP 13951991A JP 3193069 B2 JP3193069 B2 JP 3193069B2
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- foil
- electrolytic capacitor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム箔の表面
欠陥を均一にコントロールする電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔の製造方法に関する。
欠陥を均一にコントロールする電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高圧電解コンデンサの陽極アルミニウム
箔は、アルミニウム地金の溶解から始まり、鋳造、均質
化処理、熱間圧延、冷間圧延、最終焼鈍の工程で作られ
る。これらの工程のうち、最終焼鈍は（１００）面の結
晶方位を揃えるための工程であり、通常、厚い酸化皮膜
が形成されないように真空もしくは非酸化性雰囲気で行
っている。その後、必要に応じ酸化皮膜の厚みを調整す
るため、酸化処理を施す場合もある。このように、酸化
皮膜の厚みについては配慮されているが、欠陥の分布に
ついては配慮されていない。したがって、最終焼鈍時に
形成された表面の酸化皮膜又は後処理としての酸化処理
時に形成された酸化皮膜の厚みのバラツキが表面欠陥の
バラツキとなる。表面欠陥が局部的に集中するとエッチ
ング開始点は不均一なものとなり、エッチング後の静電
容量が低下することがある。
箔は、アルミニウム地金の溶解から始まり、鋳造、均質
化処理、熱間圧延、冷間圧延、最終焼鈍の工程で作られ
る。これらの工程のうち、最終焼鈍は（１００）面の結
晶方位を揃えるための工程であり、通常、厚い酸化皮膜
が形成されないように真空もしくは非酸化性雰囲気で行
っている。その後、必要に応じ酸化皮膜の厚みを調整す
るため、酸化処理を施す場合もある。このように、酸化
皮膜の厚みについては配慮されているが、欠陥の分布に
ついては配慮されていない。したがって、最終焼鈍時に
形成された表面の酸化皮膜又は後処理としての酸化処理
時に形成された酸化皮膜の厚みのバラツキが表面欠陥の
バラツキとなる。表面欠陥が局部的に集中するとエッチ
ング開始点は不均一なものとなり、エッチング後の静電
容量が低下することがある。
【０００３】陽極用のアルミニウム箔は、通常、塩素イ
オンを含む水溶液中で電気化学的に、あるいは化学的に
エッチングされ、表面積は数十倍から数百倍に拡大され
る。直流エッチングによってトンネル状のピットが形成
され、エッチング後の表面積はエッチピットの密度と分
布に関係する。したがって、高い静電容量を得るために
はエッチピットの集中部を減らし、均一に分散させる必
要がある。
オンを含む水溶液中で電気化学的に、あるいは化学的に
エッチングされ、表面積は数十倍から数百倍に拡大され
る。直流エッチングによってトンネル状のピットが形成
され、エッチング後の表面積はエッチピットの密度と分
布に関係する。したがって、高い静電容量を得るために
はエッチピットの集中部を減らし、均一に分散させる必
要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔の表面欠陥の分布を均一にコント
ロールし、エッチング時にトンネル状ピットを均一に分
散させ、高い静電容量を得んとするものである。
ンサ用アルミニウム箔の表面欠陥の分布を均一にコント
ロールし、エッチング時にトンネル状ピットを均一に分
散させ、高い静電容量を得んとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためには、最終焼鈍後の箔に伸びを与え、酸化皮膜
に欠陥を作ることにより、トンネルピットを分散させた
とき、高い静電容量が得られるという発見に基づくもの
である。
するためには、最終焼鈍後の箔に伸びを与え、酸化皮膜
に欠陥を作ることにより、トンネルピットを分散させた
とき、高い静電容量が得られるという発見に基づくもの
である。
【０００６】すなわち、本発明の構成は、アルミニウム
箔に４５０〜６００℃の最終焼鈍を行った後に、圧延方
向の引張りを伸び率が０．１〜１％となるように与える
ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法である。
箔に４５０〜６００℃の最終焼鈍を行った後に、圧延方
向の引張りを伸び率が０．１〜１％となるように与える
ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔の製
造方法である。
【０００７】上記条件について説明すると、最終焼鈍後
に圧延方向に引張りを０．１％以上与えると、アルミニ
ウム箔表面の酸化皮膜の欠陥が適度に分散し、トンネル
ピットは均一に分布する。この反面、伸び率が１％を越
えると酸化皮膜の欠陥の分布は不均一なものとなり、ト
ンネルピットの集中部が生じる。
に圧延方向に引張りを０．１％以上与えると、アルミニ
ウム箔表面の酸化皮膜の欠陥が適度に分散し、トンネル
ピットは均一に分布する。この反面、伸び率が１％を越
えると酸化皮膜の欠陥の分布は不均一なものとなり、ト
ンネルピットの集中部が生じる。
【０００８】本発明により、アルミニウム箔表面の局部
的な欠陥を少なくし、トンネルピットの集中部を抑え、
エッチング後の静電容量を高く、しかも安定したものと
することができる。
的な欠陥を少なくし、トンネルピットの集中部を抑え、
エッチング後の静電容量を高く、しかも安定したものと
することができる。
【０００９】
【実施例】以下、実施例と比較例により本発明を具体的
に説明する。９９．９９ｗｔ％のアルミニウムを通常の
製箔法にしたがって、鋳造、圧延工程を経て厚み０．１
ｍｍの高純度アルミニウム箔を作製した。
に説明する。９９．９９ｗｔ％のアルミニウムを通常の
製箔法にしたがって、鋳造、圧延工程を経て厚み０．１
ｍｍの高純度アルミニウム箔を作製した。
【００１０】得られた箔を５８０℃で５時間、アルゴン
ガス雰囲気中で焼鈍した後、アルミニウム箔を圧延方向
に伸び率が０．１〜２．０％となるように引張った。さ
らに上記の箔を１．９ｍｏｌ／リットルの塩酸と１．４
ｍｏｌ／リットルの硫酸からなる８５℃の混酸中で、電
流密度３００ｍＡ／ｃｍ2で８０ｓ直流エッチングした
後、０．６ｍｏｌ／リットルの塩酸と０．４ｍｏｌ／リ
ットルの硫酸からなる温度８５℃の混酸中で電流密度５
０ｍＡ／ｃｍ2で６００ｓの直流エッチングを行った。
ガス雰囲気中で焼鈍した後、アルミニウム箔を圧延方向
に伸び率が０．１〜２．０％となるように引張った。さ
らに上記の箔を１．９ｍｏｌ／リットルの塩酸と１．４
ｍｏｌ／リットルの硫酸からなる８５℃の混酸中で、電
流密度３００ｍＡ／ｃｍ2で８０ｓ直流エッチングした
後、０．６ｍｏｌ／リットルの塩酸と０．４ｍｏｌ／リ
ットルの硫酸からなる温度８５℃の混酸中で電流密度５
０ｍＡ／ｃｍ2で６００ｓの直流エッチングを行った。
【００１１】このようにしてエッチングされた箔を８０
℃、１００ｇ／リットルのホウ酸中で３７５Ｖに化成処
理し、ＬＣＲメーターにて静電容量を測定した。又、エ
ッチング初期のトンネルピット分布を８０℃、１．５ｍ
ｏｌ／リットルの塩酸中で２００ｍＡ／ｃｍ2で５ｓ直
流エッチングした後、レプリカＳＥＭ像により調査し
た。
℃、１００ｇ／リットルのホウ酸中で３７５Ｖに化成処
理し、ＬＣＲメーターにて静電容量を測定した。又、エ
ッチング初期のトンネルピット分布を８０℃、１．５ｍ
ｏｌ／リットルの塩酸中で２００ｍＡ／ｃｍ2で５ｓ直
流エッチングした後、レプリカＳＥＭ像により調査し
た。
【００１２】本発明の特許請求の範囲内で作製した箔
は、図１に示すように８．０μＦ／１０ｃｍ2を越える
高い静電容量を示す箔が得られることが明らかである。
は、図１に示すように８．０μＦ／１０ｃｍ2を越える
高い静電容量を示す箔が得られることが明らかである。
【００１３】８０℃、１．５ｍｏｌ／リットルの塩酸中
において、２００ｍＡ／ｃｍ2で５ｓ直流エッチング
後、４０Ｖで化成処理し、アルミニウムをヨウ素−メタ
ノールで溶解して、酸化皮膜のレプリカを４５度方向か
ら観察したＳＥＭ像（傾斜４５度）を図２〜４に示す。
図２は伸び率０％の場合で、図３は伸び率０．３％で、
図４は伸び率２．０％でそれぞれ引張った場合である。
図３の箔は、図２の箔よりもトンネルピットが均一に分
布した。しかし、図４の箔ではトンネルピットの集中部
が多くみられるようになり、トンネルピットの長さは全
体的に短かった。
において、２００ｍＡ／ｃｍ2で５ｓ直流エッチング
後、４０Ｖで化成処理し、アルミニウムをヨウ素−メタ
ノールで溶解して、酸化皮膜のレプリカを４５度方向か
ら観察したＳＥＭ像（傾斜４５度）を図２〜４に示す。
図２は伸び率０％の場合で、図３は伸び率０．３％で、
図４は伸び率２．０％でそれぞれ引張った場合である。
図３の箔は、図２の箔よりもトンネルピットが均一に分
布した。しかし、図４の箔ではトンネルピットの集中部
が多くみられるようになり、トンネルピットの長さは全
体的に短かった。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
い静電容量を有する高圧電解コンデンサの陽極箔を確実
に安定して作製することができる。
い静電容量を有する高圧電解コンデンサの陽極箔を確実
に安定して作製することができる。
【図１】アルミニウム箔のコイル圧延方向の伸び率と３
７５Ｖ化成時の静電容量との関係を示すグラフである。
７５Ｖ化成時の静電容量との関係を示すグラフである。
【図２】伸び率０％のときの箔の表面組織を示す顕微鏡
写真である。
写真である。
【図３】伸び率０．３％のときの箔の表面組織を示す顕
微鏡写真である。
微鏡写真である。
【図４】伸び率２．０％のときの箔の表面組織を示す顕
微鏡写真である。
微鏡写真である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８２ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８２ ６８５ ６８５Ｚ ６９１ ６９１Ｂ ６９４ ６９４Ａ (56)参考文献 特開 昭60−63359（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−149858（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−5102（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−20610（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−135408（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C22F 1/04 - 1/057 B21B 1/40 H01G 9/055 B21C 37/02 B21D 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウム箔に４５０〜６００℃の最
終焼鈍を行った後に、圧延方向の引張りを伸び率が０．
１〜１％となるように与えることを特徴とする電解コン
デンサ用アルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13951991A JP3193069B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13951991A JP3193069B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341545A JPH04341545A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3193069B2 true JP3193069B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=15247184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13951991A Expired - Lifetime JP3193069B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3193069B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP13951991A patent/JP3193069B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04341545A (ja) | 1992-11-27 |
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