JPH0116907B2 - - Google Patents
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- JPH0116907B2 JPH0116907B2 JP29645885A JP29645885A JPH0116907B2 JP H0116907 B2 JPH0116907 B2 JP H0116907B2 JP 29645885 A JP29645885 A JP 29645885A JP 29645885 A JP29645885 A JP 29645885A JP H0116907 B2 JPH0116907 B2 JP H0116907B2
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- Metal Rolling (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電解コンデンサ陰極用アルミニウム
合金箔の製造方法に関する。
合金箔の製造方法に関する。
従来技術とその問題点
電解コンデンサ陰極用アルミニウム箔（以下単
に陰極箔という）としては、化学エツチング等の
エツチングにより表面積を容易に拡大し得るとこ
ろから、Cuを0.1〜0.5重量％添加したAl合金箔が
広く使用されている（特公昭44−25016号公報）。
近年、陽極箔の静電容量が著るしく向上するにし
たがつて、陰極箔の容量向上も必要となつてお
り、より均一で微細なエツチングが可能である
Al合金箔の出現が望まれている。この様な条件
を充足するには、Al合金箔は、エツチング操作
時のピツテイング開始点を多数有するとともに箔
強度に優れていることが必要である。更に、現行
の陰極箔においては、エツチング後に調質を行な
うと酸化皮膜が厚くなつて容量が低下することが
あるため、エツチング前に焼鈍による調質を行な
う場合が多い。しかしながら、この場合には、焼
鈍時に生成する箔表面の酸化皮膜が強固であるた
め、化学反応性が低下する。従つて、エツチング
に先立つて前処理を行ない、表面を活性化させた
後、エツチングを行なつている。このため、エツ
チングラインが複雑となり、製造コストが増大し
ている。又、製箔に際しても、酸化皮膜が均一に
できるだけ薄く形成される様に酸素濃度が最も低
い工程で焼鈍を行なうなどの煩雑な工夫を行なつ
ている。
に陰極箔という）としては、化学エツチング等の
エツチングにより表面積を容易に拡大し得るとこ
ろから、Cuを0.1〜0.5重量％添加したAl合金箔が
広く使用されている（特公昭44−25016号公報）。
近年、陽極箔の静電容量が著るしく向上するにし
たがつて、陰極箔の容量向上も必要となつてお
り、より均一で微細なエツチングが可能である
Al合金箔の出現が望まれている。この様な条件
を充足するには、Al合金箔は、エツチング操作
時のピツテイング開始点を多数有するとともに箔
強度に優れていることが必要である。更に、現行
の陰極箔においては、エツチング後に調質を行な
うと酸化皮膜が厚くなつて容量が低下することが
あるため、エツチング前に焼鈍による調質を行な
う場合が多い。しかしながら、この場合には、焼
鈍時に生成する箔表面の酸化皮膜が強固であるた
め、化学反応性が低下する。従つて、エツチング
に先立つて前処理を行ない、表面を活性化させた
後、エツチングを行なつている。このため、エツ
チングラインが複雑となり、製造コストが増大し
ている。又、製箔に際しても、酸化皮膜が均一に
できるだけ薄く形成される様に酸素濃度が最も低
い工程で焼鈍を行なうなどの煩雑な工夫を行なつ
ている。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上記の如き現行技術の問題に鑑み
て鋭意研究を重ねた結果、特定量のCuとMgを含
有するAl合金箔が陰極箔における問題点を大巾
に軽減し得ることを見出した。即ち、調質を目的
とする最終焼鈍時にMgがAl合金素材表面に拡散
して、酸化皮膜の欠陥部を増加させるため、エツ
チング液による浸食速度が早くなり、かつピツテ
イング開始点も増大する。その結果、エツチング
時の反応がスムーズに進行し、高い容量が得られ
るのである。しかしながら、Al合金箔表面の化
学反応性を十分に高めるためには、最終焼鈍時の
温度を300℃以上で行なう必要があり、この場合、
Al箔強度は10Kg/mm2以下となつてしまう。そこ
で、本発明者は、更に研究を重ねた結果、通常
300〜640℃程度で行なわれる最終焼鈍後のCu及
びMg含有Al合金箔を圧下率３〜70％の圧延に供
することにより、高い化学反応性と高い箔強度と
を兼ね備えた電解コンデンサ陰極用Al合金箔が
得られることを見出した。
て鋭意研究を重ねた結果、特定量のCuとMgを含
有するAl合金箔が陰極箔における問題点を大巾
に軽減し得ることを見出した。即ち、調質を目的
とする最終焼鈍時にMgがAl合金素材表面に拡散
して、酸化皮膜の欠陥部を増加させるため、エツ
チング液による浸食速度が早くなり、かつピツテ
イング開始点も増大する。その結果、エツチング
時の反応がスムーズに進行し、高い容量が得られ
るのである。しかしながら、Al合金箔表面の化
学反応性を十分に高めるためには、最終焼鈍時の
温度を300℃以上で行なう必要があり、この場合、
Al箔強度は10Kg/mm2以下となつてしまう。そこ
で、本発明者は、更に研究を重ねた結果、通常
300〜640℃程度で行なわれる最終焼鈍後のCu及
びMg含有Al合金箔を圧下率３〜70％の圧延に供
することにより、高い化学反応性と高い箔強度と
を兼ね備えた電解コンデンサ陰極用Al合金箔が
得られることを見出した。
本発明は、Cu0.1〜0.7重量％及びMg0.001〜1.0
重量％を含有し、残部Al及び不可避不純物から
なるアルミニウム材を最終焼鈍後、圧下率３〜70
％の圧延加工に供することを特徴とする電解コン
デンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法に係
るものである。
重量％を含有し、残部Al及び不可避不純物から
なるアルミニウム材を最終焼鈍後、圧下率３〜70
％の圧延加工に供することを特徴とする電解コン
デンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法に係
るものである。
本発明においては、焼鈍後の圧延加工とCu及
びMgの存在とが相乗的に作用して顕著な効果を
奏するので、単にCu及びMgの含有量と効果との
関係を個々に論ずることは必ずしも妥当ではない
が、両金属の含有量の規定根拠を強いて示せば以
下の通りである。先ず、Alマトリツクスの電位
を高めて、化学溶解性を著るしく促進するための
Cuの含有量は、0.1〜0.7重量％とする。Cu含有量
が0.1重量％未満の場合には、所望の効果が十分
に得れないのに対し、0.7重量％を上回る場合に
は、溶解性が過大となる。Mgが0.001〜1.0重量
％存在する場合には、箔焼鈍時にMgが表面に拡
散濃縮して酸化皮膜の耐食性を低下させるので、
エツチングに先立つて前処理を行なわなくとも、
エツチング開始点が増大する。Mgの含有量が
0.001重量％未満では、所望の効果が十分に達成
されず、一方1.0重量％を上回る場合には、箔の
巻き戻しが不可能となるまで箔が密着することが
ある。Mgの含有量は、0.02〜0.30重量％とする
ことがより好ましい。なお、焼鈍時の温度が高い
程Mgが箔表面に高度に濃縮されるとともに酸化
皮膜も厚くなるので、Mgをできるだけ濃縮させ
つつ且つ酸化皮膜の厚さをできるだけ薄くする様
に留意しつつ焼鈍を行なうことが望ましい。
びMgの存在とが相乗的に作用して顕著な効果を
奏するので、単にCu及びMgの含有量と効果との
関係を個々に論ずることは必ずしも妥当ではない
が、両金属の含有量の規定根拠を強いて示せば以
下の通りである。先ず、Alマトリツクスの電位
を高めて、化学溶解性を著るしく促進するための
Cuの含有量は、0.1〜0.7重量％とする。Cu含有量
が0.1重量％未満の場合には、所望の効果が十分
に得れないのに対し、0.7重量％を上回る場合に
は、溶解性が過大となる。Mgが0.001〜1.0重量
％存在する場合には、箔焼鈍時にMgが表面に拡
散濃縮して酸化皮膜の耐食性を低下させるので、
エツチングに先立つて前処理を行なわなくとも、
エツチング開始点が増大する。Mgの含有量が
0.001重量％未満では、所望の効果が十分に達成
されず、一方1.0重量％を上回る場合には、箔の
巻き戻しが不可能となるまで箔が密着することが
ある。Mgの含有量は、0.02〜0.30重量％とする
ことがより好ましい。なお、焼鈍時の温度が高い
程Mgが箔表面に高度に濃縮されるとともに酸化
皮膜も厚くなるので、Mgをできるだけ濃縮させ
つつ且つ酸化皮膜の厚さをできるだけ薄くする様
に留意しつつ焼鈍を行なうことが望ましい。
最終焼鈍後のAl合金素材の冷間圧延加工は、
圧下率が３〜70％より好ましくは５〜60％となる
様に行なう。圧下率が３％未満の場合には、引張
り強度の向上及び静電容量の増大が不十分となる
のに対し、70％を上回る場合には、引張り強度は
著るしく向上するが、静電容量は却つて低下する
傾向がある。
圧下率が３〜70％より好ましくは５〜60％となる
様に行なう。圧下率が３％未満の場合には、引張
り強度の向上及び静電容量の増大が不十分となる
のに対し、70％を上回る場合には、引張り強度は
著るしく向上するが、静電容量は却つて低下する
傾向がある。
なお、本発明の陰極箔は、陰極箔用合金地金に
通常含まれている不可避不純物を含んでいても良
い。例えば、通常0.05〜0.8重量％程度含まれて
いるFeは、陰極箔の性能には実質上影響せず、
むしろ箔強度を向上させ且つ化学溶解性を促進す
る。又、通常0.05〜0.5重量％程度含まれているSi
も、陰極箔の性能に影響しない。
通常含まれている不可避不純物を含んでいても良
い。例えば、通常0.05〜0.8重量％程度含まれて
いるFeは、陰極箔の性能には実質上影響せず、
むしろ箔強度を向上させ且つ化学溶解性を促進す
る。又、通常0.05〜0.5重量％程度含まれているSi
も、陰極箔の性能に影響しない。
発明の効果
本発明によるアルミニウム合金箔は、次の様な
顕著な効果を奏する。
顕著な効果を奏する。
(1) 焼鈍時にMgが箔表面に拡散濃縮して、酸化
皮膜の欠陥部を増大させるので、エツチング液
による浸食速度が大となり且つピツテイング開
始点も増大する。
皮膜の欠陥部を増大させるので、エツチング液
による浸食速度が大となり且つピツテイング開
始点も増大する。
(2) 上記の結果、エツチング時の反応が速やかに
進行して高い表面拡大率が得られるので、エツ
チング前の予備処理による表面活性化が不要と
なつた。
進行して高い表面拡大率が得られるので、エツ
チング前の予備処理による表面活性化が不要と
なつた。
(3) 陰極箔としての静電容量が大きい。
(4) 強度が大である。
実施例
以下実施例を示し、本発明の特徴とするところ
をより一層明らかにする。
をより一層明らかにする。
実施例 １
一次電解Al地金にCu及びMgを添加して得た
Al合金（Cu0.27％、Mg0.05％、Fe0.30％、
Si0.10％）鋳塊を熱間圧延及び冷間圧延により
0.50〜0.07mmのAl合金素材とした。次いで、各素
材につき400℃で６時間真空焼鈍を行なつた後、
冷間圧延を行なうことにより、厚さ0.06mmのAl合
金箔を得た。
Al合金（Cu0.27％、Mg0.05％、Fe0.30％、
Si0.10％）鋳塊を熱間圧延及び冷間圧延により
0.50〜0.07mmのAl合金素材とした。次いで、各素
材につき400℃で６時間真空焼鈍を行なつた後、
冷間圧延を行なうことにより、厚さ0.06mmのAl合
金箔を得た。
各Al合金箔を10％HCl浴に温度100℃で15秒間
浸漬して化学エツチングした後、５％ホウ酸液中
で3Vの化成を行ない、LCRメーター〔横河電機
(株)製〕により８％ホウ酸アンモニウム液中で静電
容量の測定を行なつた。
浸漬して化学エツチングした後、５％ホウ酸液中
で3Vの化成を行ない、LCRメーター〔横河電機
(株)製〕により８％ホウ酸アンモニウム液中で静電
容量の測定を行なつた。
第１図に圧下率で示される圧延加工量と静電容
量（曲線Ａ）及び箔引張強度（曲線Ｂ）との関係
を示す。
量（曲線Ａ）及び箔引張強度（曲線Ｂ）との関係
を示す。
圧下率３〜70％に相当する圧延加工により、
Al合金箔の静電容量及び引張り強度が大巾に改
善されていることが明らかである。
Al合金箔の静電容量及び引張り強度が大巾に改
善されていることが明らかである。
実施例 ２
Mgの含有量を0.003％とする以外は実施例１と
同様のAl合金鋳塊を使用して、実施例１と同様
にして熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍を行なつた。
同様のAl合金鋳塊を使用して、実施例１と同様
にして熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍を行なつた。
実施例１と同様にして測定した圧延加工量と静
電容量（曲線Ｃ）及び箔引張強度（曲線Ｄ）との
関係を第１図に併せて示す。
電容量（曲線Ｃ）及び箔引張強度（曲線Ｄ）との
関係を第１図に併せて示す。
圧下率３〜70％に相当する圧延加工により、優
れた結果が得られていることが明らかである。
れた結果が得られていることが明らかである。
第１図は、圧延加工量と静電容量及び引張強度
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ Cu0.1〜0.7％及びMg0.001〜1.0％を含有し、
残部Al及び不可避不純物からなるアルミニウム
材を最終焼鈍後、圧下率３〜70％の圧延加工に供
することを特徴とする電解コンデンサ陰極用アル
ミニウム合金箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29645885A JPS62149858A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29645885A JPS62149858A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149858A JPS62149858A (ja) | 1987-07-03 |
| JPH0116907B2 true JPH0116907B2 (ja) | 1989-03-28 |
Family
ID=17833810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29645885A Granted JPS62149858A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149858A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212733A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Toyo Alum Kk | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
| JP2572479B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-01-16 | 昭和アルミニウム株式会社内 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| US6385222B1 (en) | 1998-11-19 | 2002-05-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| US6996145B2 (en) | 1999-11-01 | 2006-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP29645885A patent/JPS62149858A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62149858A (ja) | 1987-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |