JP3182173B2 - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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- JP3182173B2 JP3182173B2 JP23810591A JP23810591A JP3182173B2 JP 3182173 B2 JP3182173 B2 JP 3182173B2 JP 23810591 A JP23810591 A JP 23810591A JP 23810591 A JP23810591 A JP 23810591A JP 3182173 B2 JP3182173 B2 JP 3182173B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合
物半導体からなる半導体レーザ素子の製造方法に関す
る。
物半導体からなる半導体レーザ素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体レーザ素
子は、従来のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体レーザ装置に
比べて発振波長が約１００ｎｍ短いため、光ディスクの
高密度化、レーザプリンターの高速化など光情報処理装
置の高性能化に必要な光源として注目されている。
子は、従来のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体レーザ装置に
比べて発振波長が約１００ｎｍ短いため、光ディスクの
高密度化、レーザプリンターの高速化など光情報処理装
置の高性能化に必要な光源として注目されている。
【０００３】一方、書き替え型光ディスク用光源として
使用するためには２０ｍＷ以上の高い光出力が必要であ
る。このため、光出力の急激な減少を引き起こす瞬時光
学損傷（ＣＯＤ）の発生を防止する種々の構造のＡｌＧ
ａＩｎＰ系化合物半導体レーザ装置が提案されている。
使用するためには２０ｍＷ以上の高い光出力が必要であ
る。このため、光出力の急激な減少を引き起こす瞬時光
学損傷（ＣＯＤ）の発生を防止する種々の構造のＡｌＧ
ａＩｎＰ系化合物半導体レーザ装置が提案されている。
【０００４】図８は、例えば ELECTRONICS LETTERSVol.
27,No.8 (1991),P661-P662 に記載されている従来の高
い光出力を得る横モード制御型可視光半導体レーザ素子
の要部断面を示す斜視図である。
27,No.8 (1991),P661-P662 に記載されている従来の高
い光出力を得る横モード制御型可視光半導体レーザ素子
の要部断面を示す斜視図である。
【０００５】図中、３１はｎ形ＧａＡｓ基板であり、こ
の基板３１の上面には、ｎ形ＧａＩｎＰバッファ層３２
が設けられており、該ｎ形ＧａＩｎＰバッファ層３２上
にはｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、アンドープ形
ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、及びリッジ部１３５を有す
るｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５が順次形成されて
ダブルヘテロ構造が作成されている。前記ｐ形ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５のリッジ部１３５上面には、ｐ形
ＧａＩｎＰコンタクト層３６、ｐ形ＧａＡｓ層３７がこ
の順に形成されている。
の基板３１の上面には、ｎ形ＧａＩｎＰバッファ層３２
が設けられており、該ｎ形ＧａＩｎＰバッファ層３２上
にはｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、アンドープ形
ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、及びリッジ部１３５を有す
るｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５が順次形成されて
ダブルヘテロ構造が作成されている。前記ｐ形ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３５のリッジ部１３５上面には、ｐ形
ＧａＩｎＰコンタクト層３６、ｐ形ＧａＡｓ層３７がこ
の順に形成されている。
【０００６】前記ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５の
うちリッジ部１３５を除く上面及び光放出を行う端面付
近のｐ形ＧａＡｓ層３７上には、リッジ部１３５に電流
を狭窄し、前記端面付近の電流を遮断するためのｎ形Ｇ
ａＡｓブロック層３８が形成されている。このｎ形Ｇａ
Ａｓブロック層３８及びｐ形ＧａＡｓ層３７上には、ｐ
形ＧａＡｓキャップ層３９が形成されている。
うちリッジ部１３５を除く上面及び光放出を行う端面付
近のｐ形ＧａＡｓ層３７上には、リッジ部１３５に電流
を狭窄し、前記端面付近の電流を遮断するためのｎ形Ｇ
ａＡｓブロック層３８が形成されている。このｎ形Ｇａ
Ａｓブロック層３８及びｐ形ＧａＡｓ層３７上には、ｐ
形ＧａＡｓキャップ層３９が形成されている。
【０００７】前記ｐ形ＧａＡｓキャップ層３９上面、ｎ
形ＧａＡｓ基板３１下面には、それぞれＡｕ−Ｃｒから
なるｐ形電極４１、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ形電極
４２が形成されている。
形ＧａＡｓ基板３１下面には、それぞれＡｕ−Ｃｒから
なるｐ形電極４１、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ形電極
４２が形成されている。
【０００８】図９を参照しつつこの半導体レーザ装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【０００９】まず、図９(ａ）に示すように、１回目の
結晶成長で、ｎ形ＧａＡｓ基板３１上にｎ形ＧａＩｎＰ
バッファ層３２、 ｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３
３、アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、ｐ形Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層３５、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト
層３６、ｐ形ＧａＡｓ層３７を順次形成する。
結晶成長で、ｎ形ＧａＡｓ基板３１上にｎ形ＧａＩｎＰ
バッファ層３２、 ｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３
３、アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層３４、ｐ形Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層３５、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト
層３６、ｐ形ＧａＡｓ層３７を順次形成する。
【００１０】次に、図９（ｂ)に示すように、上記ｐ形
ＧａＡｓ層３７にストライプ状に形成したＳｉＯ2層を
マスクとし、エッチングによりｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３５、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層３６、及びｐ
形ＧａＡｓ層３７をリッジ状に作成してｐ形ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層３５にリッジ部１３５を形成する。その
後、前記ＳｉＯ2層のうち光放出を行う端面付近の部分
をエッチングにより除去して、ｎ形ＧａＡｓブロック層
３８形成用のＳｉＯ2マスク４０を作成する。次に、２
回目の結晶成長により、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３５及びｐ形ＧａＡｓ層３７上にｎ形ＧａＡｓブロック
層３８を形成した後、該ＳｉＯ2マスク４０をフッ酸に
より除去して、該ＳｉＯ2マスク４０を除去した部分に
ｐ形ＧａＡｓ層３７を露出させる。
ＧａＡｓ層３７にストライプ状に形成したＳｉＯ2層を
マスクとし、エッチングによりｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３５、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層３６、及びｐ
形ＧａＡｓ層３７をリッジ状に作成してｐ形ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層３５にリッジ部１３５を形成する。その
後、前記ＳｉＯ2層のうち光放出を行う端面付近の部分
をエッチングにより除去して、ｎ形ＧａＡｓブロック層
３８形成用のＳｉＯ2マスク４０を作成する。次に、２
回目の結晶成長により、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３５及びｐ形ＧａＡｓ層３７上にｎ形ＧａＡｓブロック
層３８を形成した後、該ＳｉＯ2マスク４０をフッ酸に
より除去して、該ＳｉＯ2マスク４０を除去した部分に
ｐ形ＧａＡｓ層３７を露出させる。
【００１１】次に、図９（ｃ）に示すように、３回目の
結晶成長により、ｐ形ＧａＡｓ層３７及びｎ形ＧａＡｓ
ブロック層３８上にｐ形ＧａＡｓキャップ層３９を形成
する。
結晶成長により、ｐ形ＧａＡｓ層３７及びｎ形ＧａＡｓ
ブロック層３８上にｐ形ＧａＡｓキャップ層３９を形成
する。
【００１２】最後に、図示しないがｐ形ＧａＡｓキャッ
プ層３９上面、ｎ形ＧａＡｓ基板３１下面に、それぞれ
Ａｕ−Ｃｒからなるｐ形電極、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからな
るｎ形電極が真空蒸着法により形成して、図８に示す半
導体レーザ装置を完成する。
プ層３９上面、ｎ形ＧａＡｓ基板３１下面に、それぞれ
Ａｕ−Ｃｒからなるｐ形電極、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒからな
るｎ形電極が真空蒸着法により形成して、図８に示す半
導体レーザ装置を完成する。
【００１３】又、図１０は、JAPANESE JOURNAL OF APPL
IED PHYSICS ,Vol.29,No.9(1990),L1666-L1668 に記載
されている他の高い光出力を得るＡｌＧａＩｎＰ系化合
物半導体レーザ装置である。
IED PHYSICS ,Vol.29,No.9(1990),L1666-L1668 に記載
されている他の高い光出力を得るＡｌＧａＩｎＰ系化合
物半導体レーザ装置である。
【００１４】図中、５１はｎ形ＧａＡｓ基板であり、こ
の基板５１の上面には、ｎ形ＧａＡｓバッファ層５２が
設けられており、該ｎ形ＧａＡｓバッファ層５２上には
ｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５３、アンドープ形Ｇａ
ＩｎＰ活性層５４、及びリッジ部１５５を有するｐ形Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層５５が順次形成されてダブルヘ
テロ構造が作成されている。前記ｐ形ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層５５のリッジ部１５５上面には、ｐ形ＧａＩｎ
Ｐコンタクト層５６及びｐ形ＧａＡｓ層５７がこの順に
形成されている。
の基板５１の上面には、ｎ形ＧａＡｓバッファ層５２が
設けられており、該ｎ形ＧａＡｓバッファ層５２上には
ｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５３、アンドープ形Ｇａ
ＩｎＰ活性層５４、及びリッジ部１５５を有するｐ形Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層５５が順次形成されてダブルヘ
テロ構造が作成されている。前記ｐ形ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層５５のリッジ部１５５上面には、ｐ形ＧａＩｎ
Ｐコンタクト層５６及びｐ形ＧａＡｓ層５７がこの順に
形成されている。
【００１５】前記ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５５の
うちリッジ部１５５を除く上面には、リッジ部１５５に
電流を狭窄するためのｎ形ＧａＡｓブロック層５８が形
成されている。前記ｐ形ＧａＡｓ層５７及びｎ形ＧａＡ
ｓブロック層５８上には、ｐ形ＧａＡｓキャップ層５９
が形成されている。
うちリッジ部１５５を除く上面には、リッジ部１５５に
電流を狭窄するためのｎ形ＧａＡｓブロック層５８が形
成されている。前記ｐ形ＧａＡｓ層５７及びｎ形ＧａＡ
ｓブロック層５８上には、ｐ形ＧａＡｓキャップ層５９
が形成されている。
【００１６】前記ｐ形ＧａＡｓキャップ層５９上面、ｎ
形ＧａＡｓ基板５１下面には、それぞれｐ形電極６１、
ｎ形電極６２が形成されている。
形ＧａＡｓ基板５１下面には、それぞれｐ形電極６１、
ｎ形電極６２が形成されている。
【００１７】更に、上記ＧａＩｎＰ活性層５４のうち光
放出を行う端面付近６３にはマスクを介してイオン注入
法によりＺｎが注入されており、この領域のバンドギャ
ップエネルギーを広げている。
放出を行う端面付近６３にはマスクを介してイオン注入
法によりＺｎが注入されており、この領域のバンドギャ
ップエネルギーを広げている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】一般に、半導体レーザ
装置において、光出力の急激な減少となる瞬時光学損傷
（ＣＯＤ）は、活性層のうち光放出を行う端面付近での
注入キャリア密度が低く、反転分布状態に達していない
ため、該端面付近が活性層の中央部で放出される光を吸
収して発熱するのに加えて、光出力を行うために印加す
る電流により活性層が発熱するため、前記端面付近が溶
融して発生すると考えられている。
装置において、光出力の急激な減少となる瞬時光学損傷
（ＣＯＤ）は、活性層のうち光放出を行う端面付近での
注入キャリア密度が低く、反転分布状態に達していない
ため、該端面付近が活性層の中央部で放出される光を吸
収して発熱するのに加えて、光出力を行うために印加す
る電流により活性層が発熱するため、前記端面付近が溶
融して発生すると考えられている。
【００１９】従って、従来は、図８に示すように、光放
出を行う端面付近のＡｌＧａＩｎＰ活性層３４に電流が
注入されないような構造のｎ形ＧａＡｓブロック層３８
を形成して該活性層３４に電流非注入領域を設けたり、
又図１０に示すように、光放出を行う端面付近６３のＧ
ａＩｎＰ活性層５４のバンドギャップエネルギーを広げ
て光吸収を起こさない窓を設けるために、該端面付近の
ＧａＩｎＰ活性層５４にマスクを介してイオン注入法に
よりＺｎを注入させる必要があった。
出を行う端面付近のＡｌＧａＩｎＰ活性層３４に電流が
注入されないような構造のｎ形ＧａＡｓブロック層３８
を形成して該活性層３４に電流非注入領域を設けたり、
又図１０に示すように、光放出を行う端面付近６３のＧ
ａＩｎＰ活性層５４のバンドギャップエネルギーを広げ
て光吸収を起こさない窓を設けるために、該端面付近の
ＧａＩｎＰ活性層５４にマスクを介してイオン注入法に
よりＺｎを注入させる必要があった。
【００２０】従って、従来の図８及び図１０に示すよう
な半導体レーザ装置はその構造が複雑であるため、製造
プロセスも繁雑になり、歩留まりが悪いといった問題が
あった。
な半導体レーザ装置はその構造が複雑であるため、製造
プロセスも繁雑になり、歩留まりが悪いといった問題が
あった。
【００２１】又、図８の半導体レーザ素子では電流注入
領域から電流非注入領域への電流の拡散を阻止するため
に、ｎ形ＧａＡｓブロック層３８の長さを光放出を行う
端面から２０μｍ程度にする必要があり、可飽和吸収体
となる電流非注入領域が大きくなる。このため、図１１
に示す電流−光出力特性のように発振値付近で出力の立
ち上がりが急となり、低出力での制御が困難であった。
領域から電流非注入領域への電流の拡散を阻止するため
に、ｎ形ＧａＡｓブロック層３８の長さを光放出を行う
端面から２０μｍ程度にする必要があり、可飽和吸収体
となる電流非注入領域が大きくなる。このため、図１１
に示す電流−光出力特性のように発振値付近で出力の立
ち上がりが急となり、低出力での制御が困難であった。
【００２２】本発明は従来の問題を鑑みなされたもので
あり、光出力の大きい構造の簡単な半導体レーザ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
あり、光出力の大きい構造の簡単な半導体レーザ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【課題を解決するための手段】 本発明のｎ形クラッド層
とｐ形クラッド層間に活性層が形成されるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ素子の製造方法は、該ｐ形クラッド層
の端面を（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液で処理した後、熱処理を
行うことを特徴とする。
とｐ形クラッド層間に活性層が形成されるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ素子の製造方法は、該ｐ形クラッド層
の端面を（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液で処理した後、熱処理を
行うことを特徴とする。
【００２６】
【作用】ｎ形クラッド層とｐ形クラッド層の間に活性層
が形成される半導体レーザ素子を構成する層の端面付近
部のキャリア濃度を該層内部のキャリア濃度より低くす
ることにより、該層の端面付近部の抵抗が内部の抵抗よ
り大きくなるため、活性層の端面付近に電流が流れなく
なり、ＣＯＤの発生を防止できる。
が形成される半導体レーザ素子を構成する層の端面付近
部のキャリア濃度を該層内部のキャリア濃度より低くす
ることにより、該層の端面付近部の抵抗が内部の抵抗よ
り大きくなるため、活性層の端面付近に電流が流れなく
なり、ＣＯＤの発生を防止できる。
【００２７】特に、ｐ形クラッド層の端面付近のｐキャ
リア濃度を該層内部のｐキャリア濃度より低くすると、
更に活性層の端面付近に電流が流れないようになるので
望ましく、上記半導体レーザ素子がＡｌＧａＩｎＰ系半
導体から構成されると特に効果がある。
リア濃度を該層内部のｐキャリア濃度より低くすると、
更に活性層の端面付近に電流が流れないようになるので
望ましく、上記半導体レーザ素子がＡｌＧａＩｎＰ系半
導体から構成されると特に効果がある。
【００２８】又、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の
ｐ形クラッド層の端面を（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液で処理し
た後、熱処理を行うと、ｐ形クラッド層の端面付近のｐ
キャリア濃度を容易に低減できる。
ｐ形クラッド層の端面を（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液で処理し
た後、熱処理を行うと、ｐ形クラッド層の端面付近のｐ
キャリア濃度を容易に低減できる。
【００２９】
【実施例】本発明に係る実施例を図面を参照しつつ詳細
に説明する。図１（ａ）と図１（ｂ）はそれぞれＡｌＧ
ａＩｎＰ系半導体レーザ装置を示す斜視図と破線ｅ−
ｅ’における断面図である。
に説明する。図１（ａ）と図１（ｂ）はそれぞれＡｌＧ
ａＩｎＰ系半導体レーザ装置を示す斜視図と破線ｅ−
ｅ’における断面図である。
【００３０】図中、１は例えば約１５０μｍ厚、共振器
長さ約５００μｍのｎ形ＧａＡｓ基板であり、該ｎ形Ｇ
ａＡｓ基板１上には、ｎ形ＧａＡｓバッファー層２が形
成されている。
長さ約５００μｍのｎ形ＧａＡｓ基板であり、該ｎ形Ｇ
ａＡｓ基板１上には、ｎ形ＧａＡｓバッファー層２が形
成されている。
【００３１】前記ｎ形ＧａＡｓバッファー層２上には、
ｎ形（ＡｌyＧａ1-y）uＩｎ1-uＰクラッド層（一般には
０．５≦ｙ≦０．７，ｕ＝０．５；以下、ｎ形ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層）３、アンドープ形（ＡｌxＧａ1-x）
tＩｎ1-tＰ活性層（一般には０≦ｘ≦０．１５，ｔ＝
０．５；以下、アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層）
４、及びリッジ部１５を有するｐ形（ＡｌyＧａ1-y）u
Ｉｎ1-uＰクラッド層（一般には０．５≦ｙ≦０．７，
ｕ＝０．５；以下、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層）５
が形成されて、ダブルヘテロ構造が作成されている。
ｎ形（ＡｌyＧａ1-y）uＩｎ1-uＰクラッド層（一般には
０．５≦ｙ≦０．７，ｕ＝０．５；以下、ｎ形ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層）３、アンドープ形（ＡｌxＧａ1-x）
tＩｎ1-tＰ活性層（一般には０≦ｘ≦０．１５，ｔ＝
０．５；以下、アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層）
４、及びリッジ部１５を有するｐ形（ＡｌyＧａ1-y）u
Ｉｎ1-uＰクラッド層（一般には０．５≦ｙ≦０．７，
ｕ＝０．５；以下、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層）５
が形成されて、ダブルヘテロ構造が作成されている。
【００３２】前記ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５は、
光放出を行う端面付近のｐキャリア濃度が低く、内部の
ｐキャリア濃度が高くなっており、例えば図２に示すよ
うに、光放出を行う端面から約５μｍ程度までの端面付
近部２５のｐキャリアー濃度は、２×１０16ｃｍ-3、残
余部は１×１０18ｃｍ-3である。ｐキャリアー濃度と抵
抗は比例関係にあるので、前記端面付近部２５は高抵抗
となり、所謂電流ブロック層として作用するのである。
光放出を行う端面付近のｐキャリア濃度が低く、内部の
ｐキャリア濃度が高くなっており、例えば図２に示すよ
うに、光放出を行う端面から約５μｍ程度までの端面付
近部２５のｐキャリアー濃度は、２×１０16ｃｍ-3、残
余部は１×１０18ｃｍ-3である。ｐキャリアー濃度と抵
抗は比例関係にあるので、前記端面付近部２５は高抵抗
となり、所謂電流ブロック層として作用するのである。
【００３３】前記ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５のう
ち、リッジ部１５上面には、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト
層６とｐ形ＧａＡｓ層７がこの順に形成され、残余上面
には、ｎ形ＧａＡｓブロック層８が形成されている。
ち、リッジ部１５上面には、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト
層６とｐ形ＧａＡｓ層７がこの順に形成され、残余上面
には、ｎ形ＧａＡｓブロック層８が形成されている。
【００３４】前記ｐ形ＧａＡｓ層７及びｎ形ＧａＡｓブ
ロック層８上にｐ形ＧａＡｓキャップ層９が形成されて
いる。
ロック層８上にｐ形ＧａＡｓキャップ層９が形成されて
いる。
【００３５】図示しないが、ｐ形ＧａＡｓキャップ層９
上面、ｎ形ＧａＡｓ基板１下面には、それぞれｐ、ｎ形
電極が形成されている。
上面、ｎ形ＧａＡｓ基板１下面には、それぞれｐ、ｎ形
電極が形成されている。
【００３６】次に、図３を参照してこの半導体レーザ装
置の製造方法について説明する。
置の製造方法について説明する。
【００３７】最初に、図３（ａ）に示すように、Ｓｉが
ドープされてｎキャリアー濃度が１．５×１０18〜２．
０×１０18ｃｍ-3程度で約３００〜４００μｍ厚のｎ形
ＧａＡｓ基板１を用意する。次に、Ｇａ（ＣＨ3）3及び
ＡｓＨ3からなる第１原材料ガスとＳｉＨ4ガス（ドーパ
ント用ガス）を用いて有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）により、成長温度６５０℃〜７００℃、成長圧力７
０Ｔｏｒｒの条件でｎ形ＧａＡｓ基板１上にキャリア濃
度が５×１０17ｃｍ-3程度で約０．３μｍ厚のｎ形Ｇａ
Ａｓバッファー層２を形成する。
ドープされてｎキャリアー濃度が１．５×１０18〜２．
０×１０18ｃｍ-3程度で約３００〜４００μｍ厚のｎ形
ＧａＡｓ基板１を用意する。次に、Ｇａ（ＣＨ3）3及び
ＡｓＨ3からなる第１原材料ガスとＳｉＨ4ガス（ドーパ
ント用ガス）を用いて有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）により、成長温度６５０℃〜７００℃、成長圧力７
０Ｔｏｒｒの条件でｎ形ＧａＡｓ基板１上にキャリア濃
度が５×１０17ｃｍ-3程度で約０．３μｍ厚のｎ形Ｇａ
Ａｓバッファー層２を形成する。
【００３８】続いて、Ａｌ（ＣＨ3）3 、Ｇａ（ＣＨ3）
3、Ｉｎ（ＣＨ3）3、及びＰＨ3からなる第２原材料ガス
とＳｉＨ4ガス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶ
Ｄ法により、上記条件下でｎ形ＧａＡｓバッファー層２
上に、ｎキャリア濃度が３×１０17〜４×１０17ｃｍ-3
程度の約０．８μｍ厚のｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３を形成する。
3、Ｉｎ（ＣＨ3）3、及びＰＨ3からなる第２原材料ガス
とＳｉＨ4ガス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶ
Ｄ法により、上記条件下でｎ形ＧａＡｓバッファー層２
上に、ｎキャリア濃度が３×１０17〜４×１０17ｃｍ-3
程度の約０．８μｍ厚のｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３を形成する。
【００３９】次に、第２原材料ガスを用いてＭＯＣＶＤ
法により、上記条件でｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３
上に、不純物がドープされていない約０．０７μｍ厚の
アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層４を形成する。
法により、上記条件でｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３
上に、不純物がドープされていない約０．０７μｍ厚の
アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層４を形成する。
【００４０】次に、第２原材料ガスとＺｎ（ＣＨ3）2ガ
ス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法により、
上記条件で、アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層４上に
ｐキャリア濃度が４×１０17ｃｍ-3程度の約０．８μｍ
厚のｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を形成する。尚、
Ｚｎ（ＣＨ3）2ガス中Ｚｎ／第２原材料ガス中のIII族
のモル比は例えば０．５とする。
ス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法により、
上記条件で、アンドープ形ＡｌＧａＩｎＰ活性層４上に
ｐキャリア濃度が４×１０17ｃｍ-3程度の約０．８μｍ
厚のｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を形成する。尚、
Ｚｎ（ＣＨ3）2ガス中Ｚｎ／第２原材料ガス中のIII族
のモル比は例えば０．５とする。
【００４１】次に、Ｇａ（ＣＨ3）3、Ｉｎ（ＣＨ3）3、
及び、ＰＨ3からなる第３原材料ガスとＺｎ（ＣＨ3）2
ガス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法によ
り、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５上に上記条件下
で、ｐキャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3程度の０．１μ
ｍ厚以下のｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６を作成する。
及び、ＰＨ3からなる第３原材料ガスとＺｎ（ＣＨ3）2
ガス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法によ
り、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５上に上記条件下
で、ｐキャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3程度の０．１μ
ｍ厚以下のｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６を作成する。
【００４２】次に、第１原材料ガスとＺｎ（ＣＨ3）2ガ
ス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法により、
ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６上に上記条件下で、ｐキ
ャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3程度の約０．３μｍ厚の
ｐ形ＧａＡｓ層７を作成する。
ス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法により、
ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６上に上記条件下で、ｐキ
ャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3程度の約０．３μｍ厚の
ｐ形ＧａＡｓ層７を作成する。
【００４３】続いて、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＨ
4ガスとＯ2ガスを用いてＣＶＤ法により、ｐ形ＧａＡｓ
層７上に膜厚０．４〜０．６μｍのＳｉＯ2膜を形成し
た後、幅約４μｍのストライプ状のＳｉＯ2層２０にパ
ターンニングする。
4ガスとＯ2ガスを用いてＣＶＤ法により、ｐ形ＧａＡｓ
層７上に膜厚０．４〜０．６μｍのＳｉＯ2膜を形成し
た後、幅約４μｍのストライプ状のＳｉＯ2層２０にパ
ターンニングする。
【００４４】次に、前記ＳｉＯ2層２０をマスクとし
て、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ形ＧａＩｎＰ
コンタクト層６、及びｐ形ＧａＡｓ層７をリン酸系エッ
チング液とハロゲン化水素酸系エッチング液によりエッ
チングして、該ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ形
ＧａＩｎＰコンタクト層６、及びｐ形ＧａＡｓ層７をリ
ッジ状に形成する。従って、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層５にリッジ部１５が形成されるのである。
て、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ形ＧａＩｎＰ
コンタクト層６、及びｐ形ＧａＡｓ層７をリン酸系エッ
チング液とハロゲン化水素酸系エッチング液によりエッ
チングして、該ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ形
ＧａＩｎＰコンタクト層６、及びｐ形ＧａＡｓ層７をリ
ッジ状に形成する。従って、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層５にリッジ部１５が形成されるのである。
【００４５】次に、図３（ｃ）に示すように、第１原材
料ガスとＨ2Ｓｅガス（ドーパント用ガス）を用いてＭ
ＯＣＶＤ法により、成長温度６００℃、成長圧力７０Ｔ
ｏｒｒの条件下でｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５上
に、ｎキャリア濃度が１×１０ 18ｃｍ-3程度の約１μｍ
厚のｎ形ＧａＡｓブロック層８を形成した後、ＳｉＯ2
層２０をフッ酸により除去して、該除去部にｐ形ＧａＡ
ｓ層７を露出する。
料ガスとＨ2Ｓｅガス（ドーパント用ガス）を用いてＭ
ＯＣＶＤ法により、成長温度６００℃、成長圧力７０Ｔ
ｏｒｒの条件下でｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５上
に、ｎキャリア濃度が１×１０ 18ｃｍ-3程度の約１μｍ
厚のｎ形ＧａＡｓブロック層８を形成した後、ＳｉＯ2
層２０をフッ酸により除去して、該除去部にｐ形ＧａＡ
ｓ層７を露出する。
【００４６】次に、第１原材料ガスとＺｎ（ＣＨ3）2ガ
ス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法により、
ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５及びｐ形ＧａＡｓ層７
上にｐ形キャリア濃度が２×１０19ｃｍ-3程度の約３μ
ｍ厚のｐ形ＧａＡｓキャップ層９を形成する。
ス（ドーパント用ガス）を用いてＭＯＣＶＤ法により、
ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５及びｐ形ＧａＡｓ層７
上にｐ形キャリア濃度が２×１０19ｃｍ-3程度の約３μ
ｍ厚のｐ形ＧａＡｓキャップ層９を形成する。
【００４７】次に、ｎ形ＧａＡｓ基板１下面をラッピン
グした後、ｐ形ＧａＡｓキャップ層９上面、ｎ形ＧａＡ
ｓ基板１下面にそれぞれＡｕ−Ｃｒ層等からなるｐ形電
極、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒ層等からなるｎ形電極を真空蒸着
法等により形成する。
グした後、ｐ形ＧａＡｓキャップ層９上面、ｎ形ＧａＡ
ｓ基板１下面にそれぞれＡｕ−Ｃｒ層等からなるｐ形電
極、Ａｕ−Ｓｎ−Ｃｒ層等からなるｎ形電極を真空蒸着
法等により形成する。
【００４８】次に、ＮＨ4ＯＨ液に（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6を
溶解した（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液（例えば、重量濃度：１
０％）を準備し、光を放出する両端面をこの（ＮＨ4）2
Ｃ4Ｏ6溶液に浸漬（数秒間）、水洗して処理した後、Ｈ
2ガスとＮ2ガスかるなる混合ガス（例えば、Ｎ2ガス／
Ｈ2ガスのモル比＝９、略１ａｔｏｍ）雰囲気中におい
て、熱処理を行うことにより、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層５中のＺｎの活性化率を変化させて、ｐ形ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５のうち、前記光を放出する端面か
ら約５μｍ程度までの端面付近部２５のｐキャリアー濃
度を低減し、また残余部のｐキャリアー濃度を増加させ
て、図１に示す半導体レーザ素子を完成する。
溶解した（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液（例えば、重量濃度：１
０％）を準備し、光を放出する両端面をこの（ＮＨ4）2
Ｃ4Ｏ6溶液に浸漬（数秒間）、水洗して処理した後、Ｈ
2ガスとＮ2ガスかるなる混合ガス（例えば、Ｎ2ガス／
Ｈ2ガスのモル比＝９、略１ａｔｏｍ）雰囲気中におい
て、熱処理を行うことにより、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層５中のＺｎの活性化率を変化させて、ｐ形ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５のうち、前記光を放出する端面か
ら約５μｍ程度までの端面付近部２５のｐキャリアー濃
度を低減し、また残余部のｐキャリアー濃度を増加させ
て、図１に示す半導体レーザ素子を完成する。
【００４９】図４に上述と同様に作成したｐ形ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層（ｙ＝０．７，ｕ＝０．５）５のｐキ
ャリアー濃度と熱処理温度（保持時間：１０分）の関係
を示す。図４中、白丸は（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行
ったものを示し、黒丸は（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行
わないものを示す。
ＩｎＰクラッド層（ｙ＝０．７，ｕ＝０．５）５のｐキ
ャリアー濃度と熱処理温度（保持時間：１０分）の関係
を示す。図４中、白丸は（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行
ったものを示し、黒丸は（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行
わないものを示す。
【００５０】図４から、熱処理温度の上昇とともに前記
残余部はｐキャリアー濃度が顕著に増加し、略４５０℃
〜６２０℃範囲で１×１０18ｃｍ-3に飽和し、一方、前
記端面付近部は４００℃で３×１０17ｃｍ-3であり、５
００℃では１×１０17ｃｍ-3と温度上昇とともに減少す
ることが判る。尚、上記（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行
ったｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のｐキャリアー濃度
は熱処理の保持時間とともに減少し、例えば熱処理温度
５００℃で保持時間２０分とした場合、２×１０16ｃｍ
-3である。
残余部はｐキャリアー濃度が顕著に増加し、略４５０℃
〜６２０℃範囲で１×１０18ｃｍ-3に飽和し、一方、前
記端面付近部は４００℃で３×１０17ｃｍ-3であり、５
００℃では１×１０17ｃｍ-3と温度上昇とともに減少す
ることが判る。尚、上記（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行
ったｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のｐキャリアー濃度
は熱処理の保持時間とともに減少し、例えば熱処理温度
５００℃で保持時間２０分とした場合、２×１０16ｃｍ
-3である。
【００５１】表１に上述と同様に作成したｐ形ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層（ｙ＝０．７，ｕ＝０．５）５の活性
化率を示す。
ＩｎＰクラッド層（ｙ＝０．７，ｕ＝０．５）５の活性
化率を示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】この表から、ｐキャリアー濃度が１×１０
18ｃｍ-3である残余部の活性化率が１００％であること
が判る。
18ｃｍ-3である残余部の活性化率が１００％であること
が判る。
【００５４】前記ｐキャリアー濃度と比抵抗の測定値に
は図５に示す関係があるので、前記熱処理（１０分間保
持）を行った端面領域部の比抵抗は、室温で約１．２Ω
・ｃｍ、４００℃で約１．４Ω・ｃｍ、５００℃で約
１．８Ω・ｃｍと熱処理温度を上げることにより上昇
し、又５００℃で２０分保持して熱処理を行ったものは
約３Ω・ｃｍとなり、熱処理の保持時間を長くすること
により比抵抗を顕著に低減できることが判る。一方、前
記熱処理を行った前記残余部の比抵抗は、室温で約１．
２Ω・ｃｍ、４００℃で約１．１Ω・ｃｍと低くなり、
特に略４５０℃〜６２０℃で約０．５Ω・ｃｍと非常に
低くなることが判る。
は図５に示す関係があるので、前記熱処理（１０分間保
持）を行った端面領域部の比抵抗は、室温で約１．２Ω
・ｃｍ、４００℃で約１．４Ω・ｃｍ、５００℃で約
１．８Ω・ｃｍと熱処理温度を上げることにより上昇
し、又５００℃で２０分保持して熱処理を行ったものは
約３Ω・ｃｍとなり、熱処理の保持時間を長くすること
により比抵抗を顕著に低減できることが判る。一方、前
記熱処理を行った前記残余部の比抵抗は、室温で約１．
２Ω・ｃｍ、４００℃で約１．１Ω・ｃｍと低くなり、
特に略４５０℃〜６２０℃で約０．５Ω・ｃｍと非常に
低くなることが判る。
【００５５】図６に、表１に示す特性をもつ本発明の半
導体レーザ素子とｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５に高
抵抗な端面付近部２５を持たないことを除いて同じ半導
体レーザ素子（比較例）をそれぞれ銅からなるパッケー
ジ上に配設されたＳｉヒートシンクに融着した状態で、
パルス光出力が２０ｍＷ、該Ｓｉヒートシンクの温度が
０℃の条件のもと室温中でのＡｌＧａＩｎＰ活性層４に
おける温度分布のシュミレーション結果を示す。
導体レーザ素子とｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５に高
抵抗な端面付近部２５を持たないことを除いて同じ半導
体レーザ素子（比較例）をそれぞれ銅からなるパッケー
ジ上に配設されたＳｉヒートシンクに融着した状態で、
パルス光出力が２０ｍＷ、該Ｓｉヒートシンクの温度が
０℃の条件のもと室温中でのＡｌＧａＩｎＰ活性層４に
おける温度分布のシュミレーション結果を示す。
【００５６】この結果から、比較例では端面付近部２５
と残余部の温度が略同じであるのに対して、本発明では
端面付近部２５の温度が残余部の温度に比べて、２０℃
以上低くなることが判る。
と残余部の温度が略同じであるのに対して、本発明では
端面付近部２５の温度が残余部の温度に比べて、２０℃
以上低くなることが判る。
【００５７】上記本発明の半導体レーザ素子と上記比較
例の半導体レーザ素子の電流−光出力特性を測定した。
図７にこの結果を示す。
例の半導体レーザ素子の電流−光出力特性を測定した。
図７にこの結果を示す。
【００５８】図７から、本発明の半導体レーザ素子は、
比較例のものに比べて最高光出力が４倍以上の４５ｍＷ
であり、且つ直線性のよい電流−光出力関係が得られる
ことが判る。又、図示はしていないが、４５０℃（保持
時間：１０分）で熱処理した本発明の半導体レーザ素子
も上記と略同等の特性が得られる。この場合、熱処理温
度が低いので電極等が劣化する恐れがないのでより望ま
しい。
比較例のものに比べて最高光出力が４倍以上の４５ｍＷ
であり、且つ直線性のよい電流−光出力関係が得られる
ことが判る。又、図示はしていないが、４５０℃（保持
時間：１０分）で熱処理した本発明の半導体レーザ素子
も上記と略同等の特性が得られる。この場合、熱処理温
度が低いので電極等が劣化する恐れがないのでより望ま
しい。
【００５９】上述のように、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層の端面付近部のｐキャリア濃度を小さくすると、該
端面付近部の抵抗を大きくすることができ、且つｐ形Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層がＡｌＧａＩｎＰ活性層に近接
しているので、端面付近部の長さを従来のように２０μ
ｍと大きくせずとも、ＡｌＧａＩｎＰ活性層の端面付近
に電流が流れる惧れがないため、ＡｌＧａＩｎＰ活性層
の端面付近の温度上昇を低減でき、ＣＯＤの発生を防止
し、高光出力が可能となるとともに良好な直線関係をも
つ光出力−電流特性が得られる。特に、ｐ形ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層の端面付近部のｐ形キャリア濃度が内部
に比べて約１／１０以下であると、非常に高光出力が可
能となる。
ド層の端面付近部のｐキャリア濃度を小さくすると、該
端面付近部の抵抗を大きくすることができ、且つｐ形Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層がＡｌＧａＩｎＰ活性層に近接
しているので、端面付近部の長さを従来のように２０μ
ｍと大きくせずとも、ＡｌＧａＩｎＰ活性層の端面付近
に電流が流れる惧れがないため、ＡｌＧａＩｎＰ活性層
の端面付近の温度上昇を低減でき、ＣＯＤの発生を防止
し、高光出力が可能となるとともに良好な直線関係をも
つ光出力−電流特性が得られる。特に、ｐ形ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層の端面付近部のｐ形キャリア濃度が内部
に比べて約１／１０以下であると、非常に高光出力が可
能となる。
【００６０】又、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の光放
出を行う端面に（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液の処理を行った
後、熱処理を行うことにより、簡単に前記端面付近のｐ
キャリア濃度を低くでき、残余部分のｐキャリア濃度を
高くできるので、製造プロセスが容易であり、歩留まり
が向上する。特に、前記残余部分のｐキャリアー濃度が
略１０18ｃｍになるように熱処理を行うと、該残余部分
の活性化率が略１００％となり望ましい。
出を行う端面に（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液の処理を行った
後、熱処理を行うことにより、簡単に前記端面付近のｐ
キャリア濃度を低くでき、残余部分のｐキャリア濃度を
高くできるので、製造プロセスが容易であり、歩留まり
が向上する。特に、前記残余部分のｐキャリアー濃度が
略１０18ｃｍになるように熱処理を行うと、該残余部分
の活性化率が略１００％となり望ましい。
【００６１】上記実施例では、ｐ、ｎ形電極形成後
（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行ったが、ｐ形ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層５、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６、及
びｐ形ＧａＡｓ層７をリッジ状に形成した後、マスクと
したＳｉＯ2層２０、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６、
及びｐ形ＧａＡｓ層７の光放出する端面に対応する部分
を除去して （ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行ってもよ
く、適宜変更可能である。
（ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行ったが、ｐ形ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層５、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６、及
びｐ形ＧａＡｓ層７をリッジ状に形成した後、マスクと
したＳｉＯ2層２０、ｐ形ＧａＩｎＰコンタクト層６、
及びｐ形ＧａＡｓ層７の光放出する端面に対応する部分
を除去して （ＮＨ4）2Ｃ4Ｏ6溶液処理を行ってもよ
く、適宜変更可能である。
【００６２】又、上記実施例では、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層の両端面付近にｐキャリア濃度が低い部分を
形成したが、一方の端面付近のみに形成しても効果があ
る。更に、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層に代えて、ｎ
形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の端面領域部のｎキャリア
濃度低くしても効果がある。
クラッド層の両端面付近にｐキャリア濃度が低い部分を
形成したが、一方の端面付近のみに形成しても効果があ
る。更に、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層に代えて、ｎ
形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の端面領域部のｎキャリア
濃度低くしても効果がある。
【００６３】又、側方側の端面付近のキャリア濃度を低
くするようにしてもよい。
くするようにしてもよい。
【００６４】又、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層及びｎ
形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層以外の他の層の端面付近の
キャリア濃度を低くするようにしても効果がある。
形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層以外の他の層の端面付近の
キャリア濃度を低くするようにしても効果がある。
【００６５】
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザ装置を構
成する少なくとも１つの層の端面付近のキャリア濃度を
該層の内部のキャリア濃度より低くすることにより、端
面付近の抵抗を内部の抵抗より大きくできるため、活性
層の端面付近に電流が流れるのを防止できるので、簡単
な構造で端面付近の温度上昇を低減してＣＯＤの発生を
防止し、高光出力が得られる。
成する少なくとも１つの層の端面付近のキャリア濃度を
該層の内部のキャリア濃度より低くすることにより、端
面付近の抵抗を内部の抵抗より大きくできるため、活性
層の端面付近に電流が流れるのを防止できるので、簡単
な構造で端面付近の温度上昇を低減してＣＯＤの発生を
防止し、高光出力が得られる。
【００６７】又、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体のｐ形ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層の光放出を行う端面に（ＮＨ4）2Ｃ
4Ｏ6溶液の処理を行った後、熱処理を行うことにより、
容易に端面領域部のｐキャリア濃度を容易に小さくでき
るので、端面付近の温度上昇を低減してＣＯＤの発生が
防止し得る高光出力のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素
子が提供できる。
ａＩｎＰクラッド層の光放出を行う端面に（ＮＨ4）2Ｃ
4Ｏ6溶液の処理を行った後、熱処理を行うことにより、
容易に端面領域部のｐキャリア濃度を容易に小さくでき
るので、端面付近の温度上昇を低減してＣＯＤの発生が
防止し得る高光出力のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素
子が提供できる。
【図１】本発明に係る一実施例の半導体レーザ素子を示
す斜視図及び断面図である。
す斜視図及び断面図である。
【図２】上記半導体レーザ素子のｐ形ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層内部のｐキャリア濃度分布の概略を示す図であ
る。
ラッド層内部のｐキャリア濃度分布の概略を示す図であ
る。
【図３】上記半導体レーザ素子の製造工程を示す工程図
である。
である。
【図４】ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のｐキャリア濃
度と熱処理温度の関係を示す曲線図である。
度と熱処理温度の関係を示す曲線図である。
【図５】ｐキャリア濃度と比抵抗の関係を示す図であ
る。
る。
【図６】上記半導体レーザ素子内部の温度分布を示す図
である。
である。
【図７】上記半導体レーザ素子の光出力−電流特性を示
す図である。
す図である。
【図８】従来の半導体レーザ素子の断面を示す斜視図で
ある。
ある。
【図９】上記半導体レーザ素子の製造工程を示す工程図
である。
である。
【図１０】他の従来の半導体レーザ素子の断面を示す斜
視図である。
視図である。
【図１１】従来の半導体レーザ素子の光出力−電流の関
係を示す図である。
係を示す図である。
１ ｎ形ＧａＡｓ層 ３ ｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４ ＡｌＧａＩｎＰ活性層 ５ ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ２５ 端面付近部
Claims (1)
- 【請求項１】 ｎ形クラッド層とｐ形クラッド層間に活
性層が形成されるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の
製造方法において、該ｐ形クラッド層の端面を（Ｎ
Ｈ 4 ） 2 Ｃ 4 Ｏ 6 溶液で処理した後、熱処理を行うことを特
徴とするＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23810591A JP3182173B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23810591A JP3182173B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575206A JPH0575206A (ja) | 1993-03-26 |
| JP3182173B2 true JP3182173B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=17025255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23810591A Expired - Fee Related JP3182173B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3182173B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23810591A patent/JP3182173B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0575206A (ja) | 1993-03-26 |
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Legal Events
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