JP3180250B2 - セラミックグロープラグの通電制御装置 - Google Patents
セラミックグロープラグの通電制御装置Info
- Publication number
- JP3180250B2 JP3180250B2 JP09996590A JP9996590A JP3180250B2 JP 3180250 B2 JP3180250 B2 JP 3180250B2 JP 09996590 A JP09996590 A JP 09996590A JP 9996590 A JP9996590 A JP 9996590A JP 3180250 B2 JP3180250 B2 JP 3180250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glow plug
- temperature
- ceramic
- semiconductor switch
- switch element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Combined Controls Of Internal Combustion Engines (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ディーゼルエンジンの始動補助装置に関す
る。
る。
［従来の技術］ 第８図、第９図に示すように、グロープラグ100と温
度検出抵抗200とスイッチング素子300とを直列接続し、
素子300の導通時における抵抗200および温度検出素子40
0の各出力に基づき、グロープラグ100の温度の上限値11
0でスイッチング素子300を遮断し、温度検出素子400に
より検出される温度に対応した時間500経過後にスイッ
チング素子300を導通する処理回路600を備えるグロープ
ラグの通電制御装置が知られている（特開昭61−25971
号公報）。
度検出抵抗200とスイッチング素子300とを直列接続し、
素子300の導通時における抵抗200および温度検出素子40
0の各出力に基づき、グロープラグ100の温度の上限値11
0でスイッチング素子300を遮断し、温度検出素子400に
より検出される温度に対応した時間500経過後にスイッ
チング素子300を導通する処理回路600を備えるグロープ
ラグの通電制御装置が知られている（特開昭61−25971
号公報）。
［発明が解決しようとする課題］ しかるに、上記通電制御装置はつぎの様な欠点を有し
ている。
ている。
（ア）ランプ等がちらつく。また、昇温後の温度が数十
度変化する。
度変化する。
（イ）各気筒ごとのグロープラグの温度を個々に制御で
きない。
きない。
（ウ）スイッチング素子300のオンオフ時に高周波のノ
イズが多く発生する。
イズが多く発生する。
（エ）グロープラグ100の耐久性が悪く、消費電力も多
い。
い。
（オ）セラミックグロープラグを用い急速昇温をさせる
とクラックが発生する。
とクラックが発生する。
本発明の目的は上記欠点を解決したセラミックグロー
プラグの通電制御装置の提供にある。
プラグの通電制御装置の提供にある。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用
した。
した。
（１）セラミックグロープラグの通電制御装置は、バッ
テリーに、電気発熱体をセラミック焼結体に埋設したセ
ラミック発熱体を有するセラミックグロープラグと、温
度変化による抵抗値がほぼ一定である抵抗体と、温度制
御回路が出力する制御信号の入力により導通する半導体
スイッチ素子とを直列に電気接続し、前記半導体スイッ
チ素子の導通時における前記抵抗体の両端の電圧とグロ
ープラグの両端の電圧との比が設定値になるように、前
記制御信号のデューティを制御するセラミックグロープ
ラグの通電制御装置において、前記半導体スイッチ素子
の前記制御信号の周期を10ヘルツ以上100ヘルツ以下と
し、更に、前記半導体スイッチ素子と前記温度制御回路
との間に波形整形回路を設けて、前記半導体スイッチ素
子の立ち上がり及び立ち下がり時間を0.1ミリセカンド
以上２ミリセカンド以下とした。
テリーに、電気発熱体をセラミック焼結体に埋設したセ
ラミック発熱体を有するセラミックグロープラグと、温
度変化による抵抗値がほぼ一定である抵抗体と、温度制
御回路が出力する制御信号の入力により導通する半導体
スイッチ素子とを直列に電気接続し、前記半導体スイッ
チ素子の導通時における前記抵抗体の両端の電圧とグロ
ープラグの両端の電圧との比が設定値になるように、前
記制御信号のデューティを制御するセラミックグロープ
ラグの通電制御装置において、前記半導体スイッチ素子
の前記制御信号の周期を10ヘルツ以上100ヘルツ以下と
し、更に、前記半導体スイッチ素子と前記温度制御回路
との間に波形整形回路を設けて、前記半導体スイッチ素
子の立ち上がり及び立ち下がり時間を0.1ミリセカンド
以上２ミリセカンド以下とした。
（２）セラミックグロープラグの通電制御装置は、バッ
テリーに、電気発熱体をセラミック焼結体に埋設したセ
ラミック発熱体を有するセラミックグロープラグと、温
度変化により抵抗値がほぼ一定である抵抗体と、温度制
御回路が出力する制御信号の入力により導通する半導体
スイッチ素子とを直列に電気接続し、前記半導体スイッ
チ素子の導通時における前記抵抗体の両端の電圧とグロ
ープラグの両端の電圧との比が設定値になるように前記
制御信号のデューティを温度制御回路で制御する通電系
統を各気筒毎に装着したグロープラグに見合う数だけ用
意し、各通電系統の前記半導体スイッチ素子の前記制御
信号の周期は10ヘルツ以上100ヘルツ以下とし、更に、
前記半導体スイッチ素子と前記温度制御回路との間に波
形整形回路を設けて、前記半導体スイッチ素子の立ち上
がり及び立ち下がり時間を0.1ミリセカンド以上２ミリ
セカンド以下とし、各グロープラグへの通電を時分割し
た。
テリーに、電気発熱体をセラミック焼結体に埋設したセ
ラミック発熱体を有するセラミックグロープラグと、温
度変化により抵抗値がほぼ一定である抵抗体と、温度制
御回路が出力する制御信号の入力により導通する半導体
スイッチ素子とを直列に電気接続し、前記半導体スイッ
チ素子の導通時における前記抵抗体の両端の電圧とグロ
ープラグの両端の電圧との比が設定値になるように前記
制御信号のデューティを温度制御回路で制御する通電系
統を各気筒毎に装着したグロープラグに見合う数だけ用
意し、各通電系統の前記半導体スイッチ素子の前記制御
信号の周期は10ヘルツ以上100ヘルツ以下とし、更に、
前記半導体スイッチ素子と前記温度制御回路との間に波
形整形回路を設けて、前記半導体スイッチ素子の立ち上
がり及び立ち下がり時間を0.1ミリセカンド以上２ミリ
セカンド以下とし、各グロープラグへの通電を時分割し
た。
（３）セラミックグロープラグの通電制御装置は、上記
（１）または（２）の構成に加え、前記セラミックグロ
ープラグの温度を第１の設定温度に維持するために要す
る前記グロープラグの前記消費電力が第１の電力値以下
になったら、上記維持温度を第１の設定温度より低く設
定した第２の設定温度に変更し、この第２の設定温度状
態で前記セラミックグロープラグの通電制御を行い、維
持温度を保つために要する前記グロープラグの前記消費
電力が第２の電力値以上になったらセラミックグロープ
ラグの維持温度を再び第１の設定温度に戻す。
（１）または（２）の構成に加え、前記セラミックグロ
ープラグの温度を第１の設定温度に維持するために要す
る前記グロープラグの前記消費電力が第１の電力値以下
になったら、上記維持温度を第１の設定温度より低く設
定した第２の設定温度に変更し、この第２の設定温度状
態で前記セラミックグロープラグの通電制御を行い、維
持温度を保つために要する前記グロープラグの前記消費
電力が第２の電力値以上になったらセラミックグロープ
ラグの維持温度を再び第１の設定温度に戻す。
（４）セラミックグロープラグの通電制御装置は、上記
（１）または（２）または（３）の構成に加え、前記セ
ラミックグロープラグの急速昇温時に、前記制御信号の
デューティを制限した。
（１）または（２）または（３）の構成に加え、前記セ
ラミックグロープラグの急速昇温時に、前記制御信号の
デューティを制限した。
［作用および発明の効果］ 請求項１について 最初はセラミックグロープラグが冷えており、グロー
プラグの両端の電圧と抵抗体の両端の電圧との比が所定
値になっていないので、デューティが大きい制御信号を
温度制御回路は送出する。グロープラグが昇温するとグ
ロープラグの抵抗値は上昇し、制御信号のデューティは
小さくなる。
プラグの両端の電圧と抵抗体の両端の電圧との比が所定
値になっていないので、デューティが大きい制御信号を
温度制御回路は送出する。グロープラグが昇温するとグ
ロープラグの抵抗値は上昇し、制御信号のデューティは
小さくなる。
制御信号の周期が10ヘルツ以上100ヘルツ以下であ
り、セラミックグロープラグの熱時定数より十分小さ
い。このため、制御温度幅が殆ど無くなる。なお、周期
が10ヘルツ未満であるとバッテリー電圧が変動する。ま
た、100ヘルツを越えるとスイッチングノイズが増大す
る。
り、セラミックグロープラグの熱時定数より十分小さ
い。このため、制御温度幅が殆ど無くなる。なお、周期
が10ヘルツ未満であるとバッテリー電圧が変動する。ま
た、100ヘルツを越えるとスイッチングノイズが増大す
る。
更に、半導体スイッチ素子と温度制御回路との間に波
形整形回路を設けて、半導体スイッチ素子の立上りおよ
び立下り時間を0.1ミリセカンド以上２ミリセカンド以
下としているのでスイッチングノイズが少ない。0.1ミ
リセカンドより早くすると高周波ノイズが多くなる。２
ミリセカンドより遅くすると半導体スイッチに過大な負
担がかかる。
形整形回路を設けて、半導体スイッチ素子の立上りおよ
び立下り時間を0.1ミリセカンド以上２ミリセカンド以
下としているのでスイッチングノイズが少ない。0.1ミ
リセカンドより早くすると高周波ノイズが多くなる。２
ミリセカンドより遅くすると半導体スイッチに過大な負
担がかかる。
請求項２について 温度制御回路で制御する通電系統を各気筒毎に装着し
たグロープラグに見合う数だけ用意している。このた
め、請求項１の効果の他に、各気筒のセラミックグロー
プラグの温度制御が個別にできる。
たグロープラグに見合う数だけ用意している。このた
め、請求項１の効果の他に、各気筒のセラミックグロー
プラグの温度制御が個別にできる。
時分割でセラミックグロープラグに通電しているので
短時間に大電流が流れずバッテリーを痛め難い。
短時間に大電流が流れずバッテリーを痛め難い。
請求項３について セラミックグロープラグの消費電力を、通電時間、休
止時間、及びバッテリ電圧に基づいて検出したエンジン
運転状態を把握し、高い温度が必要でない時にはプラグ
温度を下げるため、セラミックグロープラグの耐久性の
向上が図れ、且つ消費電力の低減が図れる。
止時間、及びバッテリ電圧に基づいて検出したエンジン
運転状態を把握し、高い温度が必要でない時にはプラグ
温度を下げるため、セラミックグロープラグの耐久性の
向上が図れ、且つ消費電力の低減が図れる。
請求項４について 急速昇温時において、セラミックグロープラグにクラ
ックが発生することが防止できる。
ックが発生することが防止できる。
［実施例］ つぎに、本発明のセラミックグロープラグの通電制御
装置の第１実施例を第１図〜第４図に基づき説明する。
装置の第１実施例を第１図〜第４図に基づき説明する。
通電制御装置Ａは、バッテリー１に、セラミックグロ
ープラグ２と、抵抗体３と、FET4とを直列に電気接続し
てなる。また、FET4には温度制御回路５が接続されてい
る。
ープラグ２と、抵抗体３と、FET4とを直列に電気接続し
てなる。また、FET4には温度制御回路５が接続されてい
る。
バッテリー１は電圧24Vの鉛蓄電池である。
セラミックグロープラグ２は、電気発熱体である例え
ば、タングステンコイル或いはタングステン合金コイル
をセラミック焼結体である窒化珪素質セラミックに埋設
したセラミック発熱体を有し、急速昇温が可能なグロー
プラグである。なお、熱時定数は３秒である。
ば、タングステンコイル或いはタングステン合金コイル
をセラミック焼結体である窒化珪素質セラミックに埋設
したセラミック発熱体を有し、急速昇温が可能なグロー
プラグである。なお、熱時定数は３秒である。
抵抗体３は、常温のグロープラグ２の抵抗値の約10％
の抵抗値（0.1Ω〜0.2Ω）を有し、通電により温度が上
昇しても抵抗値がほぼ一定の抵抗である。
の抵抗値（0.1Ω〜0.2Ω）を有し、通電により温度が上
昇しても抵抗値がほぼ一定の抵抗である。
FETはMOS形であり、ゲート41には制御信号50が入力さ
れる。
れる。
温度制御回路５は、制御部51とFET駆動部52とからな
り、前記FET4の導通時における抵抗体３の両端の電圧31
とグロープラグ２の両端の電圧21との比が設定値になる
ように前記制御信号50のデューティを制御している。な
お、制御信号50の周期Ｔは33Hzで一定である。
り、前記FET4の導通時における抵抗体３の両端の電圧31
とグロープラグ２の両端の電圧21との比が設定値になる
ように前記制御信号50のデューティを制御している。な
お、制御信号50の周期Ｔは33Hzで一定である。
つぎに、通電制御装置Ａの作動を第２−ａ図および第
２−ｂ図とともに説明する。
２−ｂ図とともに説明する。
第２−ｂ図は制御信号50のパルスオン時間のバッテリ
ー電圧特性を示しており、斜線領域内でパルスのオン時
間が変化する。
ー電圧特性を示しており、斜線領域内でパルスのオン時
間が変化する。
また、MAX“ON"ラインはプラグに供給される電力の最
大値（一定）を決定しており、バッテリー電圧に依存せ
ず最大供給電力は一定値である。
大値（一定）を決定しており、バッテリー電圧に依存せ
ず最大供給電力は一定値である。
第２−ａ図、昇温過渡期（ａ）においてFET4には、MA
X“ON"ライン特性で決定されるデューティ制御信号50が
入力され、セラミックグロープラグ２は急速昇温する。
昇温時間は、バッテリー電圧に関係なく一定時間とな
る。
X“ON"ライン特性で決定されるデューティ制御信号50が
入力され、セラミックグロープラグ２は急速昇温する。
昇温時間は、バッテリー電圧に関係なく一定時間とな
る。
温度維持時間（ｂ）においてFET4には、プラグ抵抗値
が一定となるようなデューティの制御信号50が入力さ
れ、グロープラグには所定温度22（1100℃）を保つ。
が一定となるようなデューティの制御信号50が入力さ
れ、グロープラグには所定温度22（1100℃）を保つ。
更に、本実施例では、第３図及び第４図に示す様に、
温度制御回路５とFET4との間に波形整形回路54を入れて
いる。これにより、第４図の（ｄ）に示す制御信号50の
波形を（ｅ）の様に整形して、FET4の立上りおよび立下
り時間を、各々1msにしている。
温度制御回路５とFET4との間に波形整形回路54を入れて
いる。これにより、第４図の（ｄ）に示す制御信号50の
波形を（ｅ）の様に整形して、FET4の立上りおよび立下
り時間を、各々1msにしている。
本構成の採用によりスイッチングノイズの発生が著し
く減少する。このため、自動車用ラジオ等に影響を与え
たり、温度制御回路５の誤作動を招いたりすることは無
い。
く減少する。このため、自動車用ラジオ等に影響を与え
たり、温度制御回路５の誤作動を招いたりすることは無
い。
通電制御装置Ａは以下の効果を奏する。
スイッチング周期をグロープラグ２の熱時定数より十
分小さくしているので、急速昇温後、グロープラグ２の
温度は所定温度22でほぼ一定となる。
分小さくしているので、急速昇温後、グロープラグ２の
温度は所定温度22でほぼ一定となる。
ヘッドランプ、ルームランプ等にちらつきは認められ
ず、スッチングノイズは極めて少ない。
ず、スッチングノイズは極めて少ない。
つぎに、本発明のセラミックグロープラグの通電制御
装置の２実施例を第５図及び第６図に基づき説明する。
装置の２実施例を第５図及び第６図に基づき説明する。
通電制御装置Ｂは、温度制御回路５で制御する通電系
統を、各気筒（４気筒）に装着したセラミックグロープ
ラグ２に見合う数である４系統用意し、時分割ユニット
53により、第６図に示すように、各グロープラグ２への
通電を時分割にしている。なお、制御信号50の周期Ｔは
33Hzで一定である。
統を、各気筒（４気筒）に装着したセラミックグロープ
ラグ２に見合う数である４系統用意し、時分割ユニット
53により、第６図に示すように、各グロープラグ２への
通電を時分割にしている。なお、制御信号50の周期Ｔは
33Hzで一定である。
通電制御装置Ｂは以下の作用効果を奏する。
各気筒のセラミックグロープラグ２は通常、昇温特性
のばらつきや装着した気筒の状態等により各々、一定時
間経過後における温度は異なるものである。しかし、本
実施例では個々のグロープラグ２について温度制御を行
っているので、各気筒内の温度をほぼ同一的に昇温させ
たり、維持させたりすることができる。
のばらつきや装着した気筒の状態等により各々、一定時
間経過後における温度は異なるものである。しかし、本
実施例では個々のグロープラグ２について温度制御を行
っているので、各気筒内の温度をほぼ同一的に昇温させ
たり、維持させたりすることができる。
通電制御装置Ａに比べ、FET4の負担が1/4に減少す
る。
る。
グロープラグ２の断線や異常が検知し易い。
つぎに、本発明のセラミックグロープラグの通電制御
装置の第３実施例を第７図に基づき説明する。
装置の第３実施例を第７図に基づき説明する。
本実施例では、温度制御回路（図示せず）の制御はつ
ぎの様に行われる。
ぎの様に行われる。
第７図に示すように、セラミックグロープラグ２の温
度を第１の設定温度23に維持するために要するグロープ
ラグ２の消費電力が第１の電力値W1以下になったら、上
記維持温度を第１の設定温度23より低く設定した第２の
設定温度24に変更する。
度を第１の設定温度23に維持するために要するグロープ
ラグ２の消費電力が第１の電力値W1以下になったら、上
記維持温度を第１の設定温度23より低く設定した第２の
設定温度24に変更する。
この第２の設定温度状態でセラミックグロープラグ２
の通電制御を行い、維持温度を保つために要するグロー
プラグ２の消費電力が第２の電力値W2以上になったらセ
ラミックグロープラグ２の維持温度を再び第１の設定温
度23に戻す。
の通電制御を行い、維持温度を保つために要するグロー
プラグ２の消費電力が第２の電力値W2以上になったらセ
ラミックグロープラグ２の維持温度を再び第１の設定温
度23に戻す。
なお、グロープラグ２の消費電力の算出は、通電時
間、休止時間、及びバッテリー電圧に基づいて行う。
間、休止時間、及びバッテリー電圧に基づいて行う。
本実施例の構成を採用すれば、エンジン運転状態を把
握して高い温度が必要でない時はグロープラグの温度を
下げ、セラミックグロープラグ２は余裕をもって発熱
し、耐久性が向上できる。また、消費電力が低減でき
る。
握して高い温度が必要でない時はグロープラグの温度を
下げ、セラミックグロープラグ２は余裕をもって発熱
し、耐久性が向上できる。また、消費電力が低減でき
る。
つぎに、本発明のセラミックグロープラグの通電制御
装置の第４実施例を第２−ｂ図に基づき説明する。
装置の第４実施例を第２−ｂ図に基づき説明する。
本実施例では、セラミックグロープラグ２の昇温過渡
時にプラグに供給することができる電力の最大値をMAX
“ON"ライン特性に示すデューティでバッテリ電圧に依
存せず一定にしてしかも３秒間で０℃から900℃に達す
る昇温スピードを越えないような電力にする構成を採用
しており、これにより、セラミック焼結体にクラックが
入ることはない。
時にプラグに供給することができる電力の最大値をMAX
“ON"ライン特性に示すデューティでバッテリ電圧に依
存せず一定にしてしかも３秒間で０℃から900℃に達す
る昇温スピードを越えないような電力にする構成を採用
しており、これにより、セラミック焼結体にクラックが
入ることはない。
本発明は、上記実施例以外につぎの実施態様を含む。
a.半導体スイッチ素子は、MOS形FET以外に、接合形FE
T、接合形トランジスタ、サイリスタ等でも良い。
T、接合形トランジスタ、サイリスタ等でも良い。
b.半導体スイッチの立ち上りおよび立ち下り時間は範囲
内で各々異なっていても良い。
内で各々異なっていても良い。
c.全請求項において、設定値はエンジンの運転状態に応
じて変えるようにしても良い。
じて変えるようにしても良い。
d.本明細書において、電気発熱体をセラミック焼結体に
埋設したという表現は、電気発熱体がセラミック焼結体
の表面に露出している場合も含む。e.セラミックグロー
プラグの電気発熱体はモリブデン、タンタル、導電性セ
ラミック等の発熱体材料でも良く、セラミック焼結体は
窒化アルミニウム、サイアロン、アルミナ等のセラミッ
ク材料でも良い。
埋設したという表現は、電気発熱体がセラミック焼結体
の表面に露出している場合も含む。e.セラミックグロー
プラグの電気発熱体はモリブデン、タンタル、導電性セ
ラミック等の発熱体材料でも良く、セラミック焼結体は
窒化アルミニウム、サイアロン、アルミナ等のセラミッ
ク材料でも良い。
第１図乃至第４図は本発明の第１実施例を示す。 第１図は通電制御装置の簡略電気配線図、第２−ａ図は
経過時間とグロープラグ温度およびデューティ比の異な
る制御信号の様子を示し、第２−ｂ図はパルスオン時間
のバッテリ電圧特性を示す説明図である。 第３図は波形整形回路の要部説明図、第４図は制御信号
が波形整形される様子を示す説明図である。 第５図及び第６図は本発明の第２実施例を示す。 第５図は通電制御装置の簡略電気配線図、第６図は時分
割の状態を説明する説明図である。 第７図は本発明の第３実施例を示し、経過時間におけ
る、グロープラグの温度およびグロープラグ消費電力を
示すグラフである。 第８図、第９図は従来の通電制御装置の電気回路図およ
び作動説明図である。 図中 １……バッテリー、２……セラミックグロープラ
グ、３……抵抗体、４……FET（半導体スイッチ素
子）、５……温度制御回路、21、31……電圧、23……第
１の設定温度、24……第２の設定温度、50……制御信
号、54……波形整形回路、Ａ、Ｂ……通電制御装置、W1
……第１の電力値、W2……第２の電力値
経過時間とグロープラグ温度およびデューティ比の異な
る制御信号の様子を示し、第２−ｂ図はパルスオン時間
のバッテリ電圧特性を示す説明図である。 第３図は波形整形回路の要部説明図、第４図は制御信号
が波形整形される様子を示す説明図である。 第５図及び第６図は本発明の第２実施例を示す。 第５図は通電制御装置の簡略電気配線図、第６図は時分
割の状態を説明する説明図である。 第７図は本発明の第３実施例を示し、経過時間におけ
る、グロープラグの温度およびグロープラグ消費電力を
示すグラフである。 第８図、第９図は従来の通電制御装置の電気回路図およ
び作動説明図である。 図中 １……バッテリー、２……セラミックグロープラ
グ、３……抵抗体、４……FET（半導体スイッチ素
子）、５……温度制御回路、21、31……電圧、23……第
１の設定温度、24……第２の設定温度、50……制御信
号、54……波形整形回路、Ａ、Ｂ……通電制御装置、W1
……第１の電力値、W2……第２の電力値
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−105971（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−96484（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−283767（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−96486（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−57290（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】バッテリーに、電気発熱体をセラミック焼
結体に埋設したセラミック発熱体を有するセラミックグ
ロープラグと、温度変化による抵抗値がほぼ一定である
抵抗体と、温度制御回路が出力する制御信号の入力によ
り導通する半導体スイッチ素子とを直列に電気接続し、 前記半導体スイッチ素子の導通時における前記抵抗体の
両端の電圧とグロープラグの両端の電圧との比が設定値
となるように、前記制御信号のデューティを制御するセ
ラミックグロープラグの通電制御装置において、 前記半導体スイッチ素子の前記制御信号の周期を10ヘル
ツ以上100ヘルツ以下とし、 更に、前記半導体スイッチ素子と前記温度制御回路との
間に波形整形回路を設けて、前記半導体スイッチ素子の
立ち上がり及び立ち下がり時間を0.1ミリセカンド以上
２ミリセカンド以下としたことを特徴とするセラミック
グロープラグの通電制御装置。 - 【請求項２】バッテリーに、電気発熱体をセラミック焼
結体に埋設したセラミック発熱体を有するセラミックグ
ロープラグと、温度変化による抵抗値がほぼ一定である
抵抗体と、温度制御回路が出力する制御信号の入力によ
り導通する半導体スイッチ素子とを直列に電気接続し、 前記半導体スイッチ素子の導通時における前記抵抗体の
両端の電圧とグロープラグの両端の電圧との比が設定値
になるように前記制御信号のデューティを温度制御回路
で制御する通電系統を各気筒毎に装着したグロープラグ
に見合う数だけ用意し、 各通電系統の前記半導体スイッチ素子の前記制御信号の
周期は10ヘルツ以上100ヘルツ以下とし、 更に、前記半導体スイッチ素子と前記温度制御回路との
間に波形整形回路を設けて、前記半導体スイッチ素子の
立ち上がり及び立ち下がり時間を0.1ミリセカンド以上
２ミリセカンド以下とし、 各グロープラグへの通電を時分割としたことを特徴とす
るセラミックグロープラグの通電制御装置。 - 【請求項３】前記セラミックグロープラグの温度を第１
の設定温度に維持するために要する前記グロープラグの
前記消費電力が第１の電力値以下になったら、上記維持
温度を第１の設定温度より低く設定した第２の設定温度
に変更し、 この第２の設定温度状態で前記セラミックグロープラグ
の通電制御を行い、維持温度を保つために要する前記グ
ロープラグの前記消費電力が第２の電力値以上になった
らセラミックグロープラグの維持温度を再び第１の設定
温度に戻すことを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載のセラミックグロープラグの通電制御装置。 - 【請求項４】前記セラミックグロープラグの急速昇温時
に、前記制御信号のデューティを制限したことを特徴と
する請求項１乃至請求項３の何れかに記載のセラミック
グロープラグの通電制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09996590A JP3180250B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | セラミックグロープラグの通電制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09996590A JP3180250B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | セラミックグロープラグの通電制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041474A JPH041474A (ja) | 1992-01-06 |
| JP3180250B2 true JP3180250B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=14261388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09996590A Expired - Fee Related JP3180250B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | セラミックグロープラグの通電制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3180250B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4446113C5 (de) * | 1994-12-22 | 2008-08-21 | J. Eberspächer GmbH & Co. KG | Zündvorrichtung für Heizgeräte |
| FR2737259B1 (fr) * | 1995-07-27 | 1997-09-12 | Sagem | Circuit de commande de bougies de prechauffage de moteur diesel |
| DE102005052880A1 (de) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Robert Bosch Gmbh | Glühstiftkerzeneinheit und System zum Betreiben einer Mehrzahl von Glühstiftkerzen |
| DE102007031613B4 (de) * | 2007-07-06 | 2011-04-21 | Beru Ag | Verfahren zum Betreiben von Glühkerzen in Dieselmotoren |
| DE102007038131B3 (de) * | 2007-07-06 | 2008-12-24 | Beru Ag | Verfahren zum Aufheizen einer keramischen Glühkerze und Glühkerzensteuergerät |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857290U (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-18 | 新電元工業株式会社 | スイツチング回路 |
| JPS5960074A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Hino Motors Ltd | エンジンの始動補助装置 |
| JPS5996484A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-06-02 | Nippon Denso Co Ltd | グロ−プラグ通電制御装置 |
| JPS5996486A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-02 | Nippon Soken Inc | グロ−プラグ制御装置 |
| JPS59105971A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-19 | Toyota Motor Corp | デイ−ゼルエンジン用グロ−プラグの制御方法 |
| JPH068300Y2 (ja) * | 1983-11-30 | 1994-03-02 | 日本特殊陶業株式会社 | グロープラグ制御装置 |
| US4694145A (en) * | 1985-02-15 | 1987-09-15 | Allied Corporation | Electronic controller for predetermined temperature coefficient heater |
| JPS6338383U (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP09996590A patent/JP3180250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041474A (ja) | 1992-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS624700Y2 (ja) | ||
| JPS6122431B2 (ja) | ||
| US4788415A (en) | Dual bimetal power control switching arrangement for electronically controlled appliances | |
| JP3180250B2 (ja) | セラミックグロープラグの通電制御装置 | |
| US4350876A (en) | Control circuit for a glow plug assembly serving as an engine preheating means | |
| GB2049329A (en) | Electrical load control system | |
| US4320309A (en) | Oscillatory circuit utilizing PTC resistor | |
| US4360765A (en) | Control circuit for a glow plug assembly serving as an engine preheating means | |
| JPH1198683A (ja) | 負荷電流制御装置 | |
| JPS6253716B2 (ja) | ||
| JPS61268875A (ja) | デイ−ゼルエンジンの予熱制御装置 | |
| JPH064063Y2 (ja) | グロープラグ予熱制御装置 | |
| JPS5949376A (ja) | 機関予熱制御装置 | |
| JPS6355754B2 (ja) | ||
| KR870001656B1 (ko) | 온도 제어장치 | |
| JPH08203677A (ja) | 電力制御回路 | |
| JPS61268874A (ja) | デイ−ゼルエンジンの予熱制御装置 | |
| JPS62222311A (ja) | 温度制御装置 | |
| JPH0436070A (ja) | 予熱ヒータの通電制御装置 | |
| JPH01274375A (ja) | 電気温風機の制御装置 | |
| JPS58210373A (ja) | デイ−ゼルエンジンの予熱装置 | |
| JPS62287586A (ja) | 温風ヒ−タ | |
| JPH08153440A (ja) | ヒータ制御装置およびこのヒータ制御装置を利用した電気炊飯器並びに電気ポット | |
| JP2793016B2 (ja) | 加熱器具のヒーター切換装置 | |
| JPH0323804Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080420 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |