JP3175361B2 - ジアミノ化合物およびその中間体 - Google Patents
ジアミノ化合物およびその中間体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なジアミノ化合物
およびその中間体に関する。さらに詳しくは、高いプレ
チルト角を必要とする液晶表示素子用配向膜の原料とし
て有用な新規なジアミノ化合物およびその中間体である
ジニトロ化合物、ジオール化合物に関する。
およびその中間体に関する。さらに詳しくは、高いプレ
チルト角を必要とする液晶表示素子用配向膜の原料とし
て有用な新規なジアミノ化合物およびその中間体である
ジニトロ化合物、ジオール化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】時計や電卓に用いられてる液晶表示素子
には、上、下２枚で一対をなす電極基板の間でネマチッ
ク液晶分子の配列方向を９０度に捻った構造のツイスト
・ネマチック（以下、ＴＮと略す。）モードが主に採用
されている。しかし、ＴＮモードは、高デューティー駆
動した場合、コントラストが低く、視野角が狭いため、
表示品質、表示面積の向上を計るには十分なものではな
かった。一方、超捻れ複屈折効果（super twisted bire
fringence effect）（T.J.Scheffer and J.Nethriug,Ap
pl.phys.Lett.45(10),1021(1984)）を利用した液晶表示
装置が発表されて以来、上、下電極基板の間でネマチッ
ク液晶分子の配列方向を１８０〜３００度捻ったスーパ
ーツイスト・ネマチック（以下ＳＴＮと略す）モードを
利用した液晶表示素子が開発され、大画面液晶表示素子
でも表示品位の良好なものが得られるようになってき
た。
には、上、下２枚で一対をなす電極基板の間でネマチッ
ク液晶分子の配列方向を９０度に捻った構造のツイスト
・ネマチック（以下、ＴＮと略す。）モードが主に採用
されている。しかし、ＴＮモードは、高デューティー駆
動した場合、コントラストが低く、視野角が狭いため、
表示品質、表示面積の向上を計るには十分なものではな
かった。一方、超捻れ複屈折効果（super twisted bire
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装置が発表されて以来、上、下電極基板の間でネマチッ
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ーツイスト・ネマチック（以下ＳＴＮと略す）モードを
利用した液晶表示素子が開発され、大画面液晶表示素子
でも表示品位の良好なものが得られるようになってき
た。
【０００３】このような液晶表示素子に使用される配向
膜は、単に液晶分子を配列させるだけでは不十分であ
り、応答性を良くし双安定性を確実にするために、基板
面と液晶分子の間に所定の角度、いわゆるプレチルト角
をもたせるものでなければならない。また、捻り角を大
きくするにつれて、プレチルト角も大きくすることが望
ましく、捻れ角の比較的小さいもの（１８０〜２００度
ツイスト）は、プレチルト角が３度以下の配向膜で十分
であるが、表示品質を良くするために２００〜３００度
の捻れ角を有するものにあっては、広い表示面積の基板
全域にわたり均一でかつより高いプレチルト角（５度＜
θ≦１０度）を持つ配向膜を使用する必要がある。
膜は、単に液晶分子を配列させるだけでは不十分であ
り、応答性を良くし双安定性を確実にするために、基板
面と液晶分子の間に所定の角度、いわゆるプレチルト角
をもたせるものでなければならない。また、捻り角を大
きくするにつれて、プレチルト角も大きくすることが望
ましく、捻れ角の比較的小さいもの（１８０〜２００度
ツイスト）は、プレチルト角が３度以下の配向膜で十分
であるが、表示品質を良くするために２００〜３００度
の捻れ角を有するものにあっては、広い表示面積の基板
全域にわたり均一でかつより高いプレチルト角（５度＜
θ≦１０度）を持つ配向膜を使用する必要がある。
【０００４】ＳＴＮモード用として高いプレチルト角を
持ったポリイミド配向膜も存在しているが、それらは広
い表示面積の基板全域にわたるプレチルト角の均一性お
よび再現性に問題を残している。確実に、高いプレチル
ト角を得るためには、ＳｉＯ等の真空斜方蒸着による薄
膜形成が、現在行われている最良の方法である。しか
し、真空斜方蒸着による薄膜の形成は工業的に大量生産
する場合、その製造装置の面からコスト的に不利であ
る。
持ったポリイミド配向膜も存在しているが、それらは広
い表示面積の基板全域にわたるプレチルト角の均一性お
よび再現性に問題を残している。確実に、高いプレチル
ト角を得るためには、ＳｉＯ等の真空斜方蒸着による薄
膜形成が、現在行われている最良の方法である。しか
し、真空斜方蒸着による薄膜の形成は工業的に大量生産
する場合、その製造装置の面からコスト的に不利であ
る。
【０００５】また、液晶表示素子の同一場面を長時間点
灯すると、その場面を消灯した後も、前の画像が残像と
して残る現象が見られることがある。残像の原因は、液
晶表示素子にＤＣ成分が印加されるために、配向膜表面
に液晶中に含まれる不純物のイオン成分による電気二重
層が生じ、上下の基板の間で電荷の偏りが生じ、その偏
りが安定に保たれることによる電位差が原因であると考
えられる。特に、ＴＦＴ素子においては、素子の特性
上、ＤＣ成分を除去することができないので、残像現象
は、ＴＮ、ＳＴＮよりも目だちやすく深刻である。よっ
て、従来のＴＮモードに使用されている配向膜同様、簡
便な方法すなわち有機質薄膜のラビングによる界面処理
で、残像現象がなく、配向性がよく、均一性および再現
性のある高いプレチルト角を実現することが切望されて
いる。
灯すると、その場面を消灯した後も、前の画像が残像と
して残る現象が見られることがある。残像の原因は、液
晶表示素子にＤＣ成分が印加されるために、配向膜表面
に液晶中に含まれる不純物のイオン成分による電気二重
層が生じ、上下の基板の間で電荷の偏りが生じ、その偏
りが安定に保たれることによる電位差が原因であると考
えられる。特に、ＴＦＴ素子においては、素子の特性
上、ＤＣ成分を除去することができないので、残像現象
は、ＴＮ、ＳＴＮよりも目だちやすく深刻である。よっ
て、従来のＴＮモードに使用されている配向膜同様、簡
便な方法すなわち有機質薄膜のラビングによる界面処理
で、残像現象がなく、配向性がよく、均一性および再現
性のある高いプレチルト角を実現することが切望されて
いる。
【０００６】特開昭６１−２４０２２３号公報には、式
【０００７】
【化４】
【０００８】にて表される反復単位を有するポリイミド
樹脂を用いた液晶配向膜を備えた液晶表示素子が開示さ
れている。このポリイミドの原料として、式
樹脂を用いた液晶配向膜を備えた液晶表示素子が開示さ
れている。このポリイミドの原料として、式
【０００９】
【化５】
【００１０】で表されるジアミンを用いた具体例が示さ
れている。しかし、このジアミノ化合物を用いて得られ
るポリイミド配向膜では、後記する比較例に示すように
高いプレチルト角が得られないばかりでなく、残像現象
が発生するという難点がある。
れている。しかし、このジアミノ化合物を用いて得られ
るポリイミド配向膜では、後記する比較例に示すように
高いプレチルト角が得られないばかりでなく、残像現象
が発生するという難点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の問題点を解決することであり、ラビング処理すること
により簡単に得られ、かつ残像現象がなく、配向性が良
く、さらに広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高
いプレチルト角を持つ液晶配向膜を得るための原料とし
て有用な新規なジアミノ化合物およびその中間体である
ジニトロ化合物、ジオール化合物を提供することにあ
る。
の問題点を解決することであり、ラビング処理すること
により簡単に得られ、かつ残像現象がなく、配向性が良
く、さらに広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高
いプレチルト角を持つ液晶配向膜を得るための原料とし
て有用な新規なジアミノ化合物およびその中間体である
ジニトロ化合物、ジオール化合物を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
開発を進めた結果、ある特定の構造を有するジアミノ化
合物を使用した液晶配向膜は、残像現象がなく、配向性
が良く、広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高い
プレチルト角を持つことを見いだし、本発明を完成させ
た。
開発を進めた結果、ある特定の構造を有するジアミノ化
合物を使用した液晶配向膜は、残像現象がなく、配向性
が良く、広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高い
プレチルト角を持つことを見いだし、本発明を完成させ
た。
【００１３】本願発明のジアミノ化合物は一般式（Ｉ）
【００１４】
【化６】
【００１５】で表されることを特徴とする。本願発明の
ジニトロ化合物は一般式（ＩＩ）
ジニトロ化合物は一般式（ＩＩ）
【００１６】
【化７】
【００１７】で表されることを特徴とする。本願発明の
ジオール化合物は一般式（ＩＩＩ）
ジオール化合物は一般式（ＩＩＩ）
【００１８】
【化８】
【００１９】で表されることを特徴とする。ここで一般
式（I）、（II）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立
して水素または炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ6
およびＲ8はそれぞれ独立して水素、フッ素、トリフル
オロメチル基またはメチル基であり、Ｒ4、Ｒ7およびＲ
10はそれぞれ独立して水素またはメチル基であり、Ｒ
5、Ｒ9およびＲ11は水素である。また、一般式（III）
において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立して水素または炭
素数１〜８のアルキル基であるが、同時に水素であるこ
とはなく、Ｒ6は水素、フッ素、トリフルオロメチル基
またはメチル基であり、Ｒ4およびＲ7はそれぞれ独立し
て水素またはメチル基であり、Ｒ5は水素である。
式（I）、（II）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立
して水素または炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ6
およびＲ8はそれぞれ独立して水素、フッ素、トリフル
オロメチル基またはメチル基であり、Ｒ4、Ｒ7およびＲ
10はそれぞれ独立して水素またはメチル基であり、Ｒ
5、Ｒ9およびＲ11は水素である。また、一般式（III）
において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立して水素または炭
素数１〜８のアルキル基であるが、同時に水素であるこ
とはなく、Ｒ6は水素、フッ素、トリフルオロメチル基
またはメチル基であり、Ｒ4およびＲ7はそれぞれ独立し
て水素またはメチル基であり、Ｒ5は水素である。
【００２０】本発明のジアミノ化合物の具体例を示す
と、 １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン
と、 １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン
【００２１】 １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン
ル］−４−（３−メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン
【００２２】 １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シク
ロヘキサン
シ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シク
ロヘキサン
【００２３】 １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シク
ロヘキサン
シ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シク
ロヘキサン
【００２４】 １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−メチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−エチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎプロピルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シク
ロヘキサン
シ）フェニル］−４−（３−メチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−エチルフェニル）シクロヘ
キサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎプロピルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シク
ロヘキサン
【００２５】 １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎプロピルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎブチルフェ
ニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘキシルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘプチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎオクチルフ
ェニル）シクロヘキサン
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎプロピルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎブチルフェ
ニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘキシルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘプチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎオクチルフ
ェニル）シクロヘキサン
【００２６】 １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン
キシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン
【００２７】 １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェ
ニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフ
ェニル）シクロヘキサン
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェ
ニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフ
ェニル）シクロヘキサン
【００２８】 １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン
キシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シク
ロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン １，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン
【００２９】 １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェ
ニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフ
ェニル）シクロヘキサン などが挙げられる。
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェ
ニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフ
ェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフ
ェニル）シクロヘキサン などが挙げられる。
【００３０】本発明のジニトロ化合物の具体例を示す
と、 １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン などが挙げられる。
と、 １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−フェニルシクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス［４−（４−ニトロフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン などが挙げられる。
【００３１】本発明のジオール化合物の具体例を示す
と、 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン などが挙げられる。
と、 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
メチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
エチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎブチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎペンチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−
ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン などが挙げられる。
【００３２】本発明のジアミノ化合物（Ｉ）は、次の反
応工程で製造され、本発明のジオール化合物（ＩＩ）と
ジニトロ化合物（ＩＩＩ）はその中間体である。
応工程で製造され、本発明のジオール化合物（ＩＩ）と
ジニトロ化合物（ＩＩＩ）はその中間体である。
【００３３】
【化９】
【００３４】ここで、一般式（I）、（II）および（II
I）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立して水素また
は炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ6およびＲ8はそ
れぞれ独立して水素、フッ素、トリフルオロメチル基ま
たはメチル基であり、Ｒ4、Ｒ7およびＲ10はそれぞれ独
立して水素またはメチル基であり、Ｒ5、Ｒ9およびＲ11
は水素である。
I）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立して水素また
は炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ6およびＲ8はそ
れぞれ独立して水素、フッ素、トリフルオロメチル基ま
たはメチル基であり、Ｒ4、Ｒ7およびＲ10はそれぞれ独
立して水素またはメチル基であり、Ｒ5、Ｒ9およびＲ11
は水素である。
【００３５】本発明のジアミノ化合物について、更に、
その製造法を具体的に説明する。 （第一段） ４−フェニルシクロヘキサノンもしくはそ
の誘導体（ａ）とフェノールもしくはその誘導体（ｂ）
〔例えばｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、２，６−ジ
メチルフェノール〕とを無溶媒または適当な溶媒（例え
ばトルエン、キシレン）中濃塩酸を０〜７０℃で作用さ
せ、ジオール化合物（ＩＩＩ）を得る。 （第二段） ジオール化合物（ＩＩＩ）とｐ−クロロニ
トロベンゼンもしくはその誘導体（ｃ）（例えば、５−
クロロ−２−ニトロトルエン）をジメチルスルホキシド
（以下、ＤＭＳＯと略す）溶媒中でＫＯＨまたはＮａＯ
Ｈを用いて４０〜８０℃で縮合させジニトロ化合物（Ｉ
Ｉ）を得る。 （第三段） ジニトロ化合物（ＩＩ）を適当な溶媒（例
えばトルエン、キシレン、ベンゼン、エタノール、メタ
ノール）中で、パラジウム・カーボン（以下Ｐｄ−Ｃと
略す）触媒を用い３０〜８０℃で水素還元することによ
りジアミノ化合物（Ｉ）が得られる。 この反応工程に示されるように、第一段において（ａ）
および（ｂ）の置換基Ｒ1〜Ｒ7を適宜選択する事によ
り、各種のジーオル化合物が得られ、第二段において
（ｃ）の置換基Ｒ8〜Ｒ11を適宜選択する事により、各
種のジニトロ化合物が得られる。また、第三段におい
て、第二段で得られたジニトロ化合物を水素還元するこ
とにより、本願発明の最終目的物である新規なジアミノ
化合物を製造することができる。
その製造法を具体的に説明する。 （第一段） ４−フェニルシクロヘキサノンもしくはそ
の誘導体（ａ）とフェノールもしくはその誘導体（ｂ）
〔例えばｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、２，６−ジ
メチルフェノール〕とを無溶媒または適当な溶媒（例え
ばトルエン、キシレン）中濃塩酸を０〜７０℃で作用さ
せ、ジオール化合物（ＩＩＩ）を得る。 （第二段） ジオール化合物（ＩＩＩ）とｐ−クロロニ
トロベンゼンもしくはその誘導体（ｃ）（例えば、５−
クロロ−２−ニトロトルエン）をジメチルスルホキシド
（以下、ＤＭＳＯと略す）溶媒中でＫＯＨまたはＮａＯ
Ｈを用いて４０〜８０℃で縮合させジニトロ化合物（Ｉ
Ｉ）を得る。 （第三段） ジニトロ化合物（ＩＩ）を適当な溶媒（例
えばトルエン、キシレン、ベンゼン、エタノール、メタ
ノール）中で、パラジウム・カーボン（以下Ｐｄ−Ｃと
略す）触媒を用い３０〜８０℃で水素還元することによ
りジアミノ化合物（Ｉ）が得られる。 この反応工程に示されるように、第一段において（ａ）
および（ｂ）の置換基Ｒ1〜Ｒ7を適宜選択する事によ
り、各種のジーオル化合物が得られ、第二段において
（ｃ）の置換基Ｒ8〜Ｒ11を適宜選択する事により、各
種のジニトロ化合物が得られる。また、第三段におい
て、第二段で得られたジニトロ化合物を水素還元するこ
とにより、本願発明の最終目的物である新規なジアミノ
化合物を製造することができる。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の化合物に関して、より詳細に
例示するとともに、本発明のジアミノ化合物を原料とし
て用いた製品すなわち液晶配向膜を応用例として記載
し、本発明のジアミノ化合物の有する性能を示す。 実施例１ （第一段）：４−フェニルシクロヘキサノン５１．６ｇ
とフェノール１１１．５ｇおよび塩化カルシウム６５．
７ｇを混合し、室温で激しく攪拌しながら濃塩酸２４．
７ミリリットルを徐々に滴下した。滴下終了後、攪拌を
８時間行い、さらに１６８時間室温で放置した。これに
温水０．３リットル、酢酸エチル１リットルを加え加熱
溶解し、飽和食塩水（４０〜５０℃の温水使用）で洗浄
した。ＭｇＳＯ4 にて乾燥後、濾過濃縮し、濃縮物をト
ルエン溶媒で再結晶することにより、白色の１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−４−フェニルシクロヘ
キサンの結晶を６４．９ｇ得た。融点は２６２．１〜２
６３．３℃であった。 （第二段）：第一段で得られた１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン３０．
０ｇとＤＭＳＯ２００ミリリットルおよびＫＯＨ１２．
７ｇを混合し、攪拌下、６５℃で加熱溶解した。これに
ｐ−クロロニトロベンゼン２６．１ｇのＤＭＳＯ５０ミ
リリットル溶液を６５℃で滴下反応し、９時間熟成し
た。反応終了後、室温に冷却し、ジクロロメタンで抽出
した後、１Ｎ−ＨＣｌ水溶液で洗浄した。その後、１Ｎ
−ＮａＯＨ水溶液、さらに飽和食塩水で中性になるまで
洗浄し、ＭｇＳＯ4 にて乾燥させ、アルミナカラム処理
を行い、その溶出液を留去した。濃縮物をトルエン溶媒
で再結晶することにより、淡黄色の１，１−ビス〔４−
（４−ニトロフェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシ
クロヘキサン結晶を４１．６ｇ得た。融点は２１５．９
〜２１７．６℃であった。 （第三段）：第二段で得られた１，１−ビス〔４−（４
−ニトロフェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシクロ
ヘキサン４１．０ｇをトルエン３００ミリリットル、ソ
ルミックス８０ミリリットルの混合溶媒に溶解し、Ｐｄ
−Ｃ触媒（５％品、水分５５．９％含）３．０ｇを加
え、常圧にて水冷、攪拌しながら水素ガスと接触させ
た。水素の吸収が停止した後に、触媒を濾別し、溶媒を
濃縮した。濃縮物をトルエン溶媒で再結晶することによ
り、本発明のジアミノ化合物である１，１−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシ
クロヘキサンを２６．５ｇ得た。 融点は９０．７〜９
２．２℃であった。 この化合物のプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ-ＮＭ
Ｒ）を第１図に示す。
例示するとともに、本発明のジアミノ化合物を原料とし
て用いた製品すなわち液晶配向膜を応用例として記載
し、本発明のジアミノ化合物の有する性能を示す。 実施例１ （第一段）：４−フェニルシクロヘキサノン５１．６ｇ
とフェノール１１１．５ｇおよび塩化カルシウム６５．
７ｇを混合し、室温で激しく攪拌しながら濃塩酸２４．
７ミリリットルを徐々に滴下した。滴下終了後、攪拌を
８時間行い、さらに１６８時間室温で放置した。これに
温水０．３リットル、酢酸エチル１リットルを加え加熱
溶解し、飽和食塩水（４０〜５０℃の温水使用）で洗浄
した。ＭｇＳＯ4 にて乾燥後、濾過濃縮し、濃縮物をト
ルエン溶媒で再結晶することにより、白色の１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−４−フェニルシクロヘ
キサンの結晶を６４．９ｇ得た。融点は２６２．１〜２
６３．３℃であった。 （第二段）：第一段で得られた１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン３０．
０ｇとＤＭＳＯ２００ミリリットルおよびＫＯＨ１２．
７ｇを混合し、攪拌下、６５℃で加熱溶解した。これに
ｐ−クロロニトロベンゼン２６．１ｇのＤＭＳＯ５０ミ
リリットル溶液を６５℃で滴下反応し、９時間熟成し
た。反応終了後、室温に冷却し、ジクロロメタンで抽出
した後、１Ｎ−ＨＣｌ水溶液で洗浄した。その後、１Ｎ
−ＮａＯＨ水溶液、さらに飽和食塩水で中性になるまで
洗浄し、ＭｇＳＯ4 にて乾燥させ、アルミナカラム処理
を行い、その溶出液を留去した。濃縮物をトルエン溶媒
で再結晶することにより、淡黄色の１，１−ビス〔４−
（４−ニトロフェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシ
クロヘキサン結晶を４１．６ｇ得た。融点は２１５．９
〜２１７．６℃であった。 （第三段）：第二段で得られた１，１−ビス〔４−（４
−ニトロフェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシクロ
ヘキサン４１．０ｇをトルエン３００ミリリットル、ソ
ルミックス８０ミリリットルの混合溶媒に溶解し、Ｐｄ
−Ｃ触媒（５％品、水分５５．９％含）３．０ｇを加
え、常圧にて水冷、攪拌しながら水素ガスと接触させ
た。水素の吸収が停止した後に、触媒を濾別し、溶媒を
濃縮した。濃縮物をトルエン溶媒で再結晶することによ
り、本発明のジアミノ化合物である１，１−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシ
クロヘキサンを２６．５ｇ得た。 融点は９０．７〜９
２．２℃であった。 この化合物のプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ-ＮＭ
Ｒ）を第１図に示す。
【００３７】実施例２ 実施例１において、４−フェニルシクロヘキサノンを４
−（４−エチルフェニル）シクロヘキサノンに置き変え
た以外は実施例１に準じた操作を行った。第一段におい
て、白色結晶の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−（４−エチルフェニル）シクロヘキサンを得
た。融点は、１８７．３〜１８７．７℃であった。第二
段において、淡黄色結晶の１，１−ビス〔４−（４−ニ
トロフェノキシ）フェニル〕−４−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサンを得た。融点は、２０４．５〜２０
５．０℃であった。第三段において、１，１−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキサンを得た。このものは常温
で薄褐色の液体であった。この化合物の1Ｈ-ＮＭＲを第
２図に示す。
−（４−エチルフェニル）シクロヘキサノンに置き変え
た以外は実施例１に準じた操作を行った。第一段におい
て、白色結晶の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−（４−エチルフェニル）シクロヘキサンを得
た。融点は、１８７．３〜１８７．７℃であった。第二
段において、淡黄色結晶の１，１−ビス〔４−（４−ニ
トロフェノキシ）フェニル〕−４−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサンを得た。融点は、２０４．５〜２０
５．０℃であった。第三段において、１，１−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキサンを得た。このものは常温
で薄褐色の液体であった。この化合物の1Ｈ-ＮＭＲを第
２図に示す。
【００３８】応用例１ 各応用例において、残像現象の度合は、Ｃ−Ｖカーブ法
を用いて測定した。Ｃ−Ｖカーブ法は、液晶セルに２５
ｍＶ、１ｋＨｚの交流を印加し、さらに周波数０．００
３６Ｈｚの直流の三角波（以下、ＤＣ電圧という。）を
重たんさせ、ＤＣ電圧を−１０Ｖから１０Ｖの範囲で掃
引することにより変化する容量Ｃを記録する方法であ
る。ＤＣ電圧を正側（０→１０Ｖ）に掃引すると、容量
は大きくなる。次に負側（１０→０Ｖ）に掃引すると、
容量は小さくなる。同様に、０より負側（０→−１０
Ｖ）に掃引すると、容量は大きくなり、正側（−１０→
０Ｖ）に掃引すると小さくなる。これを数サイクル繰り
返すと図１のような波形が得られる。液晶配向膜表面に
電荷の偏りが生じ、この偏りが安定すると、電圧が正
側、負側両方において図１のようなヒステリシスカーブ
を描く。この図１をもとに、各Ｃ−Ｖ曲線に対し接線を
ひき、またＤＣ電圧が０のときの容量（Ｃ0 ）を示す直
線をひく、そして、それら各々の交点（α1〜α4）を求
め、正側は｜α1−α2｜、負側は｜α3−α4｜の各２点
間の電圧差を求めた後、これらの平均の電圧差、すなわ
ち（｜α1−α2｜＋｜α3−α4｜）／２を求め、得られ
た値を残留電荷とした。残留電荷は、液晶セルの膜厚及
び配向膜の膜厚が同じであれば、電荷の偏りと、そして
その安定化を示すパラメーターとして用いることができ
る。すなわち残留電荷の小さい配向膜を用いれば、液晶
表示素子の残像現象を緩和できるということが分かる。
実施例１で製造された１，１−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシクロヘキサン
１２．９１ｇと無水ピロメリット酸６．１１ｇおよびパ
ラアミノフェニルトリメトキシシラン１．３５ｇをＮ−
メチル−２−ピロリドン１６５．００ｇとブチルセルソ
ルブ１８．３３ｇの混合溶媒中で５℃〜１０℃で重合
し、ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20＝１２０ｃ
ｐｓ）を得た。この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドン
２倍量、ブチルセルソルブ２倍量で希釈した後、片面に
透明電極を設けたガラス基板上に、回転塗布法（スピナ
ー法）で塗布した。塗布条件は回転数２０００ｒｐｍ，
２０秒であった。塗布後、１００℃で１０分間予備加熱
を行った後、２００℃で１時間加熱処理を行い、膜厚６
０ｎｍのポリイミド膜を得た。続いて、２枚の基板の膜
面をそれぞれラビング処理を施し、ラビング方向が平行
でかつ互いに対向するようにセル厚２０μｍの液晶セル
を組立、メルク（株）製液晶ZLI-1132を封入した、その
後液晶を１３０℃、３０分加熱処理を行った。この液晶
表示素子は配向が良好であり、クリスタルローテーショ
ン法からプレチルト角を求めると５度であった。同じ方
法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電荷を測
定したところ、２５℃で０．０２Ｖであった。次に前記
と同じ方法で、６４０×２００ドットになるように、Ｉ
ＴＯ透明基板を設けたガラス基板上にポリイミド膜を
得、液晶がセル内で２４０度ツイストになるようにポリ
イミド膜表面をラビング処理し、セルを組み立て、液晶
ＬＩＸＯＮ−４０１１（チッソ（株）製）を注入し、液
晶表示素子を得た。この液晶表示素子の駆動実験をした
ところ、ドメインや残像現象の発生はなく良好なもので
あった。
を用いて測定した。Ｃ−Ｖカーブ法は、液晶セルに２５
ｍＶ、１ｋＨｚの交流を印加し、さらに周波数０．００
３６Ｈｚの直流の三角波（以下、ＤＣ電圧という。）を
重たんさせ、ＤＣ電圧を−１０Ｖから１０Ｖの範囲で掃
引することにより変化する容量Ｃを記録する方法であ
る。ＤＣ電圧を正側（０→１０Ｖ）に掃引すると、容量
は大きくなる。次に負側（１０→０Ｖ）に掃引すると、
容量は小さくなる。同様に、０より負側（０→−１０
Ｖ）に掃引すると、容量は大きくなり、正側（−１０→
０Ｖ）に掃引すると小さくなる。これを数サイクル繰り
返すと図１のような波形が得られる。液晶配向膜表面に
電荷の偏りが生じ、この偏りが安定すると、電圧が正
側、負側両方において図１のようなヒステリシスカーブ
を描く。この図１をもとに、各Ｃ−Ｖ曲線に対し接線を
ひき、またＤＣ電圧が０のときの容量（Ｃ0 ）を示す直
線をひく、そして、それら各々の交点（α1〜α4）を求
め、正側は｜α1−α2｜、負側は｜α3−α4｜の各２点
間の電圧差を求めた後、これらの平均の電圧差、すなわ
ち（｜α1−α2｜＋｜α3−α4｜）／２を求め、得られ
た値を残留電荷とした。残留電荷は、液晶セルの膜厚及
び配向膜の膜厚が同じであれば、電荷の偏りと、そして
その安定化を示すパラメーターとして用いることができ
る。すなわち残留電荷の小さい配向膜を用いれば、液晶
表示素子の残像現象を緩和できるということが分かる。
実施例１で製造された１，１−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕−４−フェニルシクロヘキサン
１２．９１ｇと無水ピロメリット酸６．１１ｇおよびパ
ラアミノフェニルトリメトキシシラン１．３５ｇをＮ−
メチル−２−ピロリドン１６５．００ｇとブチルセルソ
ルブ１８．３３ｇの混合溶媒中で５℃〜１０℃で重合
し、ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20＝１２０ｃ
ｐｓ）を得た。この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドン
２倍量、ブチルセルソルブ２倍量で希釈した後、片面に
透明電極を設けたガラス基板上に、回転塗布法（スピナ
ー法）で塗布した。塗布条件は回転数２０００ｒｐｍ，
２０秒であった。塗布後、１００℃で１０分間予備加熱
を行った後、２００℃で１時間加熱処理を行い、膜厚６
０ｎｍのポリイミド膜を得た。続いて、２枚の基板の膜
面をそれぞれラビング処理を施し、ラビング方向が平行
でかつ互いに対向するようにセル厚２０μｍの液晶セル
を組立、メルク（株）製液晶ZLI-1132を封入した、その
後液晶を１３０℃、３０分加熱処理を行った。この液晶
表示素子は配向が良好であり、クリスタルローテーショ
ン法からプレチルト角を求めると５度であった。同じ方
法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電荷を測
定したところ、２５℃で０．０２Ｖであった。次に前記
と同じ方法で、６４０×２００ドットになるように、Ｉ
ＴＯ透明基板を設けたガラス基板上にポリイミド膜を
得、液晶がセル内で２４０度ツイストになるようにポリ
イミド膜表面をラビング処理し、セルを組み立て、液晶
ＬＩＸＯＮ−４０１１（チッソ（株）製）を注入し、液
晶表示素子を得た。この液晶表示素子の駆動実験をした
ところ、ドメインや残像現象の発生はなく良好なもので
あった。
【００３９】応用例２ 応用例１の１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕−４−フェニルシクロヘキサンを１，１
−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４
−（４−エチルフェニル）シクロヘキサンに置き換えた
以外は、応用例１に準じた操作で、粘度１２０ｃｐｓの
ポリアミック酸溶液１０重量％を得た。この溶液を用い
て、応用例１と同様の操作で得られた液晶表示素子の液
晶配向性は良好であり、プレチルト角は６度であった。
同じ方法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電
荷を測定したところ、２５℃で０．０２Ｖであった。ま
た、応用例１と同様の駆動実験の結果は、ドメインや残
像現象の発生はなく良好なものであった。
シ）フェニル〕−４−フェニルシクロヘキサンを１，１
−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４
−（４−エチルフェニル）シクロヘキサンに置き換えた
以外は、応用例１に準じた操作で、粘度１２０ｃｐｓの
ポリアミック酸溶液１０重量％を得た。この溶液を用い
て、応用例１と同様の操作で得られた液晶表示素子の液
晶配向性は良好であり、プレチルト角は６度であった。
同じ方法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電
荷を測定したところ、２５℃で０．０２Ｖであった。ま
た、応用例１と同様の駆動実験の結果は、ドメインや残
像現象の発生はなく良好なものであった。
【００４０】応用比較例 応用例１に準じた操作によって、２，２−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンのジアミ
ノ化合物から、ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20
＝１１３ｃｐｓ）を得た。この溶液を用いて、応用例１
と同様の操作で得られた液晶表示素子のプレチルト角は
３度であった。同じ方法でセル厚６μｍの液晶セルを組
み立て、残留電荷を測定したところ、２５℃で０．３０
Ｖであった。また、応用例１と同様の駆動実験の結果
は、ドメインや残像現象の発生が見られた。
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンのジアミ
ノ化合物から、ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20
＝１１３ｃｐｓ）を得た。この溶液を用いて、応用例１
と同様の操作で得られた液晶表示素子のプレチルト角は
３度であった。同じ方法でセル厚６μｍの液晶セルを組
み立て、残留電荷を測定したところ、２５℃で０．３０
Ｖであった。また、応用例１と同様の駆動実験の結果
は、ドメインや残像現象の発生が見られた。
【００４１】この結果から１，１−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕−４−（４−アルキルフェ
ニル）シクロヘキサンを原料として用いたものは、広い
表示面積の基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト
角を有する液晶配向膜が得られ、さらに、該配向膜を用
いて得られる液晶表示素子は、ドメインおよび残像現象
の発生のない高品位なものであった。また、原料中のフ
ェニルシクロヘキサンに結合しているアルキル鎖長を長
くするとプレチルト角を大きくすることができ、適当な
鎖長を選択することにより、液晶表示素子を製造する際
に必要なもっとも最適なプレチルト角を得ることができ
る。
ミノフェノキシ）フェニル〕−４−（４−アルキルフェ
ニル）シクロヘキサンを原料として用いたものは、広い
表示面積の基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト
角を有する液晶配向膜が得られ、さらに、該配向膜を用
いて得られる液晶表示素子は、ドメインおよび残像現象
の発生のない高品位なものであった。また、原料中のフ
ェニルシクロヘキサンに結合しているアルキル鎖長を長
くするとプレチルト角を大きくすることができ、適当な
鎖長を選択することにより、液晶表示素子を製造する際
に必要なもっとも最適なプレチルト角を得ることができ
る。
【００４２】
【発明の効果】本発明のジアミノ化合物およびその中間
体であるジニトロ化合物、ジオール化合物は従来存在し
なかった新規な化合物である。該ジアミノ化合物を原料
として用いたポリイミド化合物は、液晶配向膜として優
れた効果を有する。例えば、該ポリイミド化合物は、通
常のラビング処理によって、ＳＴＮ液晶表示素子に要求
されている広い表示面積の基板全域にわたり均一でかつ
高いプレチルト角を有する液晶配向膜となる。また、該
液晶配向膜を用いた液晶表示素子は、ドメインや残像現
象の発生しない高品位なものである。これは、原料のジ
アミノ化合物のもつフェニルシクロヘキサン環とそれに
結合するアルキル基によってもたらされるものと考えら
れる。このような特徴をもつ本発明のジアミノ化合物
は、ＳＴＮ用液晶配向膜の原料中間体を主目的としてデ
ザインされたが、その他のポリイミド、ポリアミド等の
高分子化合物およびその改質にも使用可能であり、エポ
キシ架橋材等の他の目的に使用し、また高分子化合物に
新しい特性を導入することが期待できる。
体であるジニトロ化合物、ジオール化合物は従来存在し
なかった新規な化合物である。該ジアミノ化合物を原料
として用いたポリイミド化合物は、液晶配向膜として優
れた効果を有する。例えば、該ポリイミド化合物は、通
常のラビング処理によって、ＳＴＮ液晶表示素子に要求
されている広い表示面積の基板全域にわたり均一でかつ
高いプレチルト角を有する液晶配向膜となる。また、該
液晶配向膜を用いた液晶表示素子は、ドメインや残像現
象の発生しない高品位なものである。これは、原料のジ
アミノ化合物のもつフェニルシクロヘキサン環とそれに
結合するアルキル基によってもたらされるものと考えら
れる。このような特徴をもつ本発明のジアミノ化合物
は、ＳＴＮ用液晶配向膜の原料中間体を主目的としてデ
ザインされたが、その他のポリイミド、ポリアミド等の
高分子化合物およびその改質にも使用可能であり、エポ
キシ架橋材等の他の目的に使用し、また高分子化合物に
新しい特性を導入することが期待できる。
【００４３】
【図１】実施例１で得られたジアミノ化合物の1Ｈ-ＮＭ
Ｒスペクトル図である。
Ｒスペクトル図である。
【図２】実施例２で得られたジアミノ化合物の1Ｈ-ＮＭ
Ｒスペクトル図である。
Ｒスペクトル図である。
【図３】Ｃ−Ｖヒステリシス曲線を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 217/00 C07C 39/00 C07C 205/00 C09K 19/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】一般式（I） 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立して水素または炭素
数１〜８のアルキル基であり、Ｒ6およびＲ8はそれぞれ
独立して水素、フッ素、トリフルオロメチル基またはメ
チル基であり、Ｒ4、Ｒ7およびＲ10はそれぞれ独立して
水素またはメチル基であり、Ｒ5、Ｒ9およびＲ11は水素
である）で示されるジアミノ化合物。 - 【請求項２】一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立して水素または炭素
数１〜８のアルキル基であり、Ｒ6およびＲ8はそれぞれ
独立して水素、フッ素、トリフルオロメチル基またはメ
チル基であり、Ｒ4、Ｒ7およびＲ10はそれぞれ独立して
水素またはメチル 基であり、Ｒ5、Ｒ9およびＲ11は水素
である）で示されるジニトロ化合物。 - 【請求項３】一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立して水素または炭素
数１〜８のアルキル基であるが、同時に水素であること
はなく、Ｒ6は水素、フッ素、トリフルオロメチル基ま
たはメチル基であり、Ｒ4およびＲ7はそれぞれ独立して
水素またはメチル基であり、Ｒ5は水素である）で示さ
れるジオール化合物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33672892A JP3175361B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | ジアミノ化合物およびその中間体 |
| US08/141,600 US5414126A (en) | 1992-10-29 | 1993-10-27 | Diamino compounds and liquid crystal aligning films |
| US08/328,463 US5430195A (en) | 1992-10-29 | 1994-10-25 | Diamino compounds and liquid crystal aligning films |
| US08/471,184 US5545444A (en) | 1992-10-29 | 1995-06-06 | Diamino compounds and liquid crystal aligning films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33672892A JP3175361B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | ジアミノ化合物およびその中間体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06157434A JPH06157434A (ja) | 1994-06-03 |
| JP3175361B2 true JP3175361B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=18302173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33672892A Expired - Lifetime JP3175361B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-11-24 | ジアミノ化合物およびその中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175361B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6080832A (en) * | 1998-09-10 | 2000-06-27 | Industrial Technology Research Institute | Low-pretilt alignment layer material |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP33672892A patent/JP3175361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06157434A (ja) | 1994-06-03 |
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