JP3172369B2 - 集積型光起電力装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力装置に係り、
特に、透明電極の抵抗ロスを減少させて特性を高められ
るようにした光起電力装置に関するものである。
特に、透明電極の抵抗ロスを減少させて特性を高められ
るようにした光起電力装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】合金型アモルファスシリコン半導体を含
むアモルファスシリコン半導体を発電層に用いる光起電
力装置は、半導体層がガス反応で形成されること、結晶
のようにグレイダウンバウンダリングがないことなどか
ら大面積化が比較的容易である。しかし、面積が大きく
なるにつれて入射側電極、すなわち、透明電極の抵抗に
よる電力損失が主な原因となって変換効率は減少する傾
向にある。
むアモルファスシリコン半導体を発電層に用いる光起電
力装置は、半導体層がガス反応で形成されること、結晶
のようにグレイダウンバウンダリングがないことなどか
ら大面積化が比較的容易である。しかし、面積が大きく
なるにつれて入射側電極、すなわち、透明電極の抵抗に
よる電力損失が主な原因となって変換効率は減少する傾
向にある。
【０００３】一方、所定の電圧をとるため、１枚の基板
上に複数の分割線で縞状に分割された多数の光起電力素
子を形成し、相隣接する光起電力間を順次直列接続（カ
スケード接続）した集積型光起電力装置が実用化されて
いる。
上に複数の分割線で縞状に分割された多数の光起電力素
子を形成し、相隣接する光起電力間を順次直列接続（カ
スケード接続）した集積型光起電力装置が実用化されて
いる。
【０００４】図６及び図７は従来の集積型光起電力装置
を示し、図６は断面図、図７は平面図である。図６に示
すように、この集積型光起電力装置１０１は、酸化錫
（ＳｎＯ2 ）などからなる透明電極層をガラス基板１０
２に積層し、所定の分割線１０３ａに沿ってレーザ等で
除去して複数の縞状の透明電極１０４を形成した後、ｐ
ｉｎ接合の非晶質シリコンからなる発電層１０５を形成
し、分割線１０３ｂに沿ってレーザ等でこの発電層１０
５の一部分を除去し、更にこの後、加熱蒸着法により銀
からなる裏面電極層を形成してから、分割線３ｃに沿っ
てレーザ等で裏面電極１０６を形成するという手順で作
られる。尚、図中１０３は、加工部であり、分割線３
ａ，３ｂ，３ｃを含めて、ここでは分割線という。
を示し、図６は断面図、図７は平面図である。図６に示
すように、この集積型光起電力装置１０１は、酸化錫
（ＳｎＯ2 ）などからなる透明電極層をガラス基板１０
２に積層し、所定の分割線１０３ａに沿ってレーザ等で
除去して複数の縞状の透明電極１０４を形成した後、ｐ
ｉｎ接合の非晶質シリコンからなる発電層１０５を形成
し、分割線１０３ｂに沿ってレーザ等でこの発電層１０
５の一部分を除去し、更にこの後、加熱蒸着法により銀
からなる裏面電極層を形成してから、分割線３ｃに沿っ
てレーザ等で裏面電極１０６を形成するという手順で作
られる。尚、図中１０３は、加工部であり、分割線３
ａ，３ｂ，３ｃを含めて、ここでは分割線という。
【０００５】図７に示すように、この分割線１０３は光
起電力装置１０１の面に直角な方向から見て互いに平行
に配置される直線状に形成される。尚、１０８は、この
集積型光起電力の端縁部であって、最左端の光起電力素
子の透明電極１０４に連なる電極１０６に相当する部分
であり、このためプラス側電極となる。
起電力装置１０１の面に直角な方向から見て互いに平行
に配置される直線状に形成される。尚、１０８は、この
集積型光起電力の端縁部であって、最左端の光起電力素
子の透明電極１０４に連なる電極１０６に相当する部分
であり、このためプラス側電極となる。
【０００６】又、例えば図８に示すように、透明電極１
０４に接するように形成された、この透明電極１０４よ
りも低抵抗材料からなるくし型の集電電極１０７を設け
た集積型光起電力装置１１１がある。この集電電極１０
７に依り光起電力装置としての抵抗損失を低減すること
が可能となる。
０４に接するように形成された、この透明電極１０４よ
りも低抵抗材料からなるくし型の集電電極１０７を設け
た集積型光起電力装置１１１がある。この集電電極１０
７に依り光起電力装置としての抵抗損失を低減すること
が可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記透明電極１０４は
導電性が低いＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＺｎＯなどで構成され
ているが、光起電力装置の大面積化における抵抗損失増
大の主な原因になっており、集積型構造をする際の大き
な制限となっている。
導電性が低いＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＺｎＯなどで構成され
ているが、光起電力装置の大面積化における抵抗損失増
大の主な原因になっており、集積型構造をする際の大き
な制限となっている。
【０００８】又、集電電極１０７を設けた場合には、透
明電極に基づく抵抗損失は低減できるが、この集電電極
１０７が発電層への入射光を遮光することとなり、光起
電力装置の受光面積を狭くするという問題がある。
明電極に基づく抵抗損失は低減できるが、この集電電極
１０７が発電層への入射光を遮光することとなり、光起
電力装置の受光面積を狭くするという問題がある。
【０００９】本発明の第１の集積型光起電力装置は、上
記の事情を鑑みて、透明電極の抵抗損失を減少させて特
性を高められるようにした集積型光起電力装置を提供す
ることを目的とするものである。
記の事情を鑑みて、透明電極の抵抗損失を減少させて特
性を高められるようにした集積型光起電力装置を提供す
ることを目的とするものである。
【００１０】又、本発明の第２の集積型光起電力装置
は、上記の目的に加えて、集電電極による受光面積の減
少を少なくさせて更に特性を高められるようにした集積
型光起電力装置を提供することを目的とするものであ
る。
は、上記の目的に加えて、集電電極による受光面積の減
少を少なくさせて更に特性を高められるようにした集積
型光起電力装置を提供することを目的とするものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の集積型光
起電力装置は、絶縁基板上に分割線で縞状に分割されて
なる複数の光起電力素子を、直列接続した集積型光起電
力装置において、上記の目的を達成するため、上記分割
線が１本置きに、又は全て波形状に形成され、隣接する
分割線の間隔が繰り返し拡縮されることを特徴とするも
のである。
起電力装置は、絶縁基板上に分割線で縞状に分割されて
なる複数の光起電力素子を、直列接続した集積型光起電
力装置において、上記の目的を達成するため、上記分割
線が１本置きに、又は全て波形状に形成され、隣接する
分割線の間隔が繰り返し拡縮されることを特徴とするも
のである。
【００１２】又、本発明の第２の集積型光起電力装置
は、上記目的を達成するために、上記の構成に加えて、
隣接する分割線の間隔が最短間隔となる部分またはその
近傍にくし歯が位置するように光入射側電極に接して集
電電極が設けられたことを特徴とする。
は、上記目的を達成するために、上記の構成に加えて、
隣接する分割線の間隔が最短間隔となる部分またはその
近傍にくし歯が位置するように光入射側電極に接して集
電電極が設けられたことを特徴とする。
【００１３】
【作用】１本置きの分割線、又は全ての分割線を波形状
に形成し、隣接する分割線の間隔が繰り返し拡縮される
ようにすれば、分割線の間隔が縮小された部分では透明
電極の距離が短くなり、その抵抗値が分割線の間隔が拡
大された部分よりも小さくなる。これにより、電流は抵
抗値が小さい分割線の間隔が縮小された部分により多く
流れ、収集するキャリアの量が大きくなり全体的な抵抗
損失が減少することになる。
に形成し、隣接する分割線の間隔が繰り返し拡縮される
ようにすれば、分割線の間隔が縮小された部分では透明
電極の距離が短くなり、その抵抗値が分割線の間隔が拡
大された部分よりも小さくなる。これにより、電流は抵
抗値が小さい分割線の間隔が縮小された部分により多く
流れ、収集するキャリアの量が大きくなり全体的な抵抗
損失が減少することになる。
【００１４】又、集電電極を設ける場合には、この電流
が集中する分割線の間隔が縮小された部分に集電電極を
配置することにより、集電電極が占める面積を小さくす
ることができ、光起電力装置の有効面積の減少、即ち、
受光面積の減少を小さくできる。
が集中する分割線の間隔が縮小された部分に集電電極を
配置することにより、集電電極が占める面積を小さくす
ることができ、光起電力装置の有効面積の減少、即ち、
受光面積の減少を小さくできる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて具体的に説
明すれば、以下の通りである。
明すれば、以下の通りである。
【００１６】図１に示すように、本発明の一実施例に係
る集積型光起電力装置１は、１枚のガラス基板２上に分
割線３で縞状に分割された多数の光起電力素子Ｃからな
り、この光起電力素子Ｃ自体は、図２に示すように、ガ
ラス基板２上透明電極４、発電層５及び裏面電極６を順
次積層形成した点では従来の集積型光起電力装置と同様
である。
る集積型光起電力装置１は、１枚のガラス基板２上に分
割線３で縞状に分割された多数の光起電力素子Ｃからな
り、この光起電力素子Ｃ自体は、図２に示すように、ガ
ラス基板２上透明電極４、発電層５及び裏面電極６を順
次積層形成した点では従来の集積型光起電力装置と同様
である。
【００１７】この集積型光起電力装置１の製造方法とし
ては、酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなる透明電極層をガラス
基板２に積層し、この透明電極層を所定の分割線３ａに
沿ってＱスイッチ付Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（５Ｊ／ｃｍ2
のエネルギー密度）を照射することにより、その部分の
透明電極層を除去する。これにより、複数の縞状の透明
電極４を形成できる。次に、表１に示す条件で通常のプ
ラズマＣＶＤ法により、基板２上に分割された透明電極
４を覆うようにｐ／ｉ間にカーボン量をグレーデッドさ
せたｐ−ＳｉＣバッファ層を備えたｐｉｎ接合の非晶質
シリコンからなる発電層５を形成する。続いて、分割線
３ｂに沿ってＱスイッチ付Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（０．２
Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度）をこの発電層５に照射す
ることにより、その照射された領域を除去し、光起電力
素子ごとにこの発電層５を分割する。更にこの後、加熱
蒸着法により銀からなる裏面電極層を形成してから、分
割線３ｃに沿ってＱスイッチ付Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（３
Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度）を照射し、その照射され
た領域の裏面電極層と発電層５を除去して裏面電極６を
形成するという手順で作ったものである。尚、この実施
例では、上記分割線３ａ，３ｂ，３ｃを含めた部分を加
工部とし、分割線３として示している。
ては、酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなる透明電極層をガラス
基板２に積層し、この透明電極層を所定の分割線３ａに
沿ってＱスイッチ付Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（５Ｊ／ｃｍ2
のエネルギー密度）を照射することにより、その部分の
透明電極層を除去する。これにより、複数の縞状の透明
電極４を形成できる。次に、表１に示す条件で通常のプ
ラズマＣＶＤ法により、基板２上に分割された透明電極
４を覆うようにｐ／ｉ間にカーボン量をグレーデッドさ
せたｐ−ＳｉＣバッファ層を備えたｐｉｎ接合の非晶質
シリコンからなる発電層５を形成する。続いて、分割線
３ｂに沿ってＱスイッチ付Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（０．２
Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度）をこの発電層５に照射す
ることにより、その照射された領域を除去し、光起電力
素子ごとにこの発電層５を分割する。更にこの後、加熱
蒸着法により銀からなる裏面電極層を形成してから、分
割線３ｃに沿ってＱスイッチ付Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（３
Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度）を照射し、その照射され
た領域の裏面電極層と発電層５を除去して裏面電極６を
形成するという手順で作ったものである。尚、この実施
例では、上記分割線３ａ，３ｂ，３ｃを含めた部分を加
工部とし、分割線３として示している。
【００１８】
【表１】
【００１９】さて、この発明は、図１に示すように、こ
の集積型光起電力装置１の分割線３は全て三角波形状に
屈曲して形成され、かつ、隣接する分割線３を半波長ず
つずらすことにより隣接する分割線３の間隔が互いに繰
り返し拡縮されるようにしていることが従来の集積型光
起電力装置１０１・１１１と異なる。
の集積型光起電力装置１の分割線３は全て三角波形状に
屈曲して形成され、かつ、隣接する分割線３を半波長ず
つずらすことにより隣接する分割線３の間隔が互いに繰
り返し拡縮されるようにしていることが従来の集積型光
起電力装置１０１・１１１と異なる。
【００２０】各分割線３の平均間隔は特に限定されない
が、従来例との比較を容易にするため、この実施例では
隣接する分割線３の平均間隔Ｗave.を図１に破線で示す
従来例の一例としての分割線１０５の間隔と同じ間隔の
９．９ｍｍとしている。又、分割線３の最大間隔Ｗmax.
と最小間隔Ｗmin.との差は１２ｍｍとし、光起電力素子
Ｃの集積数は１０段としている。
が、従来例との比較を容易にするため、この実施例では
隣接する分割線３の平均間隔Ｗave.を図１に破線で示す
従来例の一例としての分割線１０５の間隔と同じ間隔の
９．９ｍｍとしている。又、分割線３の最大間隔Ｗmax.
と最小間隔Ｗmin.との差は１２ｍｍとし、光起電力素子
Ｃの集積数は１０段としている。
【００２１】この集積型光起電力装置１のＡＭ１．５、
１００ｍＷ／ｃｍ2 照射光下での出力電力を測定する
と、図３に示すように、約１１８５ｍＷであった。比較
のため、同様にして作られ、平行な直線状の分割線１０
３が９．９ｍｍ間隔で設けられ、セルＣの集積数が１０
である従来例のＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 照射光
下での出力電力を測定すると約１０９２ｍＷであり、分
割線３の間隔が繰り返し拡縮されるようにしたこの実施
例は、従来例を基準にすれば約８．９％出力が高められ
ていることが分かる。
１００ｍＷ／ｃｍ2 照射光下での出力電力を測定する
と、図３に示すように、約１１８５ｍＷであった。比較
のため、同様にして作られ、平行な直線状の分割線１０
３が９．９ｍｍ間隔で設けられ、セルＣの集積数が１０
である従来例のＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 照射光
下での出力電力を測定すると約１０９２ｍＷであり、分
割線３の間隔が繰り返し拡縮されるようにしたこの実施
例は、従来例を基準にすれば約８．９％出力が高められ
ていることが分かる。
【００２２】この実施例において、分割線３の最大間隔
Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差を５ｍｍ、８ｍｍ、１８
ｍｍと異ならせた各変形例につきＡＭ１．５、１００ｍ
Ｗ／ｃｍ2 照射光下での出力電力を測定したところ、図
３に示すようにそれぞれ約１１３９ｍＷ、約１１７９ｍ
Ｗ、約１１７４ｍＷであり、前記従来例に比べて出力電
力が高められていることと、上記一実施例のように分割
線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差を１２ｍ
ｍとした時が最適であることとが分かる。
Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差を５ｍｍ、８ｍｍ、１８
ｍｍと異ならせた各変形例につきＡＭ１．５、１００ｍ
Ｗ／ｃｍ2 照射光下での出力電力を測定したところ、図
３に示すようにそれぞれ約１１３９ｍＷ、約１１７９ｍ
Ｗ、約１１７４ｍＷであり、前記従来例に比べて出力電
力が高められていることと、上記一実施例のように分割
線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差を１２ｍ
ｍとした時が最適であることとが分かる。
【００２３】更に、比較のために、分割線３の最大間隔
Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差を２ｍｍとした場合につ
いて出力電力を測定したところ従来例とほとんど変わり
がないことが分かった。
Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差を２ｍｍとした場合につ
いて出力電力を測定したところ従来例とほとんど変わり
がないことが分かった。
【００２４】分割線３の平均間隔Ｗave.を９．９ｍｍと
する場合には、分割線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗ
min.との差を１９．８ｍｍ以上にすることはできないの
で、結局、分割線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.
との差が２ｍｍ以上、１９．８ｍｍ未満の範囲で出力電
力が増加する効果が得られることになり、図３によれば
特に４ｍｍから１８ｍｍの範囲で顕著な効果が得られ、
１２ｍｍで最も顕著な効果が得られることが分かる。
する場合には、分割線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗ
min.との差を１９．８ｍｍ以上にすることはできないの
で、結局、分割線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.
との差が２ｍｍ以上、１９．８ｍｍ未満の範囲で出力電
力が増加する効果が得られることになり、図３によれば
特に４ｍｍから１８ｍｍの範囲で顕著な効果が得られ、
１２ｍｍで最も顕著な効果が得られることが分かる。
【００２５】この出力電力の増大の主な原因は、分割線
３の間隔が平均間隔よりも縮小された部分では透明電極
４の距離が短くなり、透明電極４の抵抗値が分割線３の
間隔が拡大された部分よりも小さくなる結果、電流が抵
抗値が小さい分割線３の間隔が縮小された部分を通って
多く流れ、全体的な抵抗損失が減少するためであると思
われる。
３の間隔が平均間隔よりも縮小された部分では透明電極
４の距離が短くなり、透明電極４の抵抗値が分割線３の
間隔が拡大された部分よりも小さくなる結果、電流が抵
抗値が小さい分割線３の間隔が縮小された部分を通って
多く流れ、全体的な抵抗損失が減少するためであると思
われる。
【００２６】また、分割線３の最大間隔Ｗmax.と最小間
隔Ｗmin.との差が１２ｍｍの場合に比べて１８ｍｍの場
合の方が出力が低下しているのは加工精度が低下したた
めであると思われる。
隔Ｗmin.との差が１２ｍｍの場合に比べて１８ｍｍの場
合の方が出力が低下しているのは加工精度が低下したた
めであると思われる。
【００２７】本発明の又他の実施例では、例えば図４に
示すように、上記分割線３が正弦波状に形成され、隣接
する分割線３が半波長ずつずらして配置される。この分
割線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差は１２
ｍｍとしてあり、この実施例についてＡＭ１．５、１０
０ｍＷ／ｃｍ2 照射光下での出力電力を測定したとこ
ろ、表２に示すように、１１７９ｍＷであった。このこ
とから、分割線３の波形は最小間隔Ｗmin.の近傍で変化
率が急である場合の方が有利であることが分かった。
示すように、上記分割線３が正弦波状に形成され、隣接
する分割線３が半波長ずつずらして配置される。この分
割線３の最大間隔Ｗmax.と最小間隔Ｗmin.との差は１２
ｍｍとしてあり、この実施例についてＡＭ１．５、１０
０ｍＷ／ｃｍ2 照射光下での出力電力を測定したとこ
ろ、表２に示すように、１１７９ｍＷであった。このこ
とから、分割線３の波形は最小間隔Ｗmin.の近傍で変化
率が急である場合の方が有利であることが分かった。
【００２８】
【表２】
【００２９】本発明の更に他の実施例では、ＳｉＯ2 で
絶縁コートしたステンレス基板の上に銀からなる裏面電
極６が形成され、その上に表１と同じ条件で上記各実施
例とは逆にｎ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層、ｐ型ａ−
ＳｉＣ層の順に発電層５が形成され、更にその上に公知
のスパッタ法によってＩＴＯからなる透明電極４が形成
される。図５に示すように、この実施例の分割線３の形
状は上記の一実施例と同じであり、その分割線３の間隔
が最小間隔Ｗmin.となる位置にくしの歯が位置するくし
状の集電電極７が透明電極４に接して形成される。
絶縁コートしたステンレス基板の上に銀からなる裏面電
極６が形成され、その上に表１と同じ条件で上記各実施
例とは逆にｎ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層、ｐ型ａ−
ＳｉＣ層の順に発電層５が形成され、更にその上に公知
のスパッタ法によってＩＴＯからなる透明電極４が形成
される。図５に示すように、この実施例の分割線３の形
状は上記の一実施例と同じであり、その分割線３の間隔
が最小間隔Ｗmin.となる位置にくしの歯が位置するくし
状の集電電極７が透明電極４に接して形成される。
【００３０】なお、この集電電極７のくしの間隔、すな
わち、分割線３の波形の波長は３〜１５ｍｍとしてい
る。
わち、分割線３の波形の波長は３〜１５ｍｍとしてい
る。
【００３１】この実施例のＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2 照射光下での出力電力を測定したところ、表３に示
すように１１４５ｍＷであった。
ｍ2 照射光下での出力電力を測定したところ、表３に示
すように１１４５ｍＷであった。
【００３２】比較のために、同じような手順にしたがっ
て形成され、図８に示すように、９．９ｍｍ間隔で平行
な直線状に分割線１０３を配置し、透明電極１０４に接
するように、くし型の集電電極１０７を設けたセル数１
０段の他の従来例についてＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2 照射光下での出力電力を測定したところ、表３に示
すように１０２２ｍＷであった。
て形成され、図８に示すように、９．９ｍｍ間隔で平行
な直線状に分割線１０３を配置し、透明電極１０４に接
するように、くし型の集電電極１０７を設けたセル数１
０段の他の従来例についてＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2 照射光下での出力電力を測定したところ、表３に示
すように１０２２ｍＷであった。
【００３３】
【表３】
【００３４】他の従来例に出力電力が集電電極１０７を
設けない従来例に比べて出力電力が小さくなっているの
は集電電極１０７によって光起電力装置の有効面積が狭
められたためと思われる。又、この実施例の出力電圧が
上記一実施例にくらべて小さくなっているのも同じ理由
によるものと思われる。
設けない従来例に比べて出力電力が小さくなっているの
は集電電極１０７によって光起電力装置の有効面積が狭
められたためと思われる。又、この実施例の出力電圧が
上記一実施例にくらべて小さくなっているのも同じ理由
によるものと思われる。
【００３５】しかし、集電電極１０７を設けない従来例
に比べて上記一実施例の出力増加が約８．９％であるの
に対して、この実施例によれば上記他の従来例に比べ
て、他の従来例を基準にすれば約１２％の出力増加が見
られる。
に比べて上記一実施例の出力増加が約８．９％であるの
に対して、この実施例によれば上記他の従来例に比べ
て、他の従来例を基準にすれば約１２％の出力増加が見
られる。
【００３６】したがって、この出力増加は、分割線３の
間隔が縮小された部分を通ってより多くの電流が流れ、
全体的な抵抗損失が減少することと、集電電極７が分割
線３の間隔が最小間隔Ｗmin.となる位置にくしの歯が位
置するように形成されているため、上記他の従来例に比
べて集電電極７の面積が小さくなり、光起電力装置の有
効面積が狭められたこととの相乗作用の結果であると思
われる。
間隔が縮小された部分を通ってより多くの電流が流れ、
全体的な抵抗損失が減少することと、集電電極７が分割
線３の間隔が最小間隔Ｗmin.となる位置にくしの歯が位
置するように形成されているため、上記他の従来例に比
べて集電電極７の面積が小さくなり、光起電力装置の有
効面積が狭められたこととの相乗作用の結果であると思
われる。
【００３７】上記の各実施例では、全ての分割線３が波
形状に形成されているが、分割線３を１本置きに波形状
に形成しても分割線３の間隔が繰り返し拡縮されるので
同様の効果が得られる。
形状に形成されているが、分割線３を１本置きに波形状
に形成しても分割線３の間隔が繰り返し拡縮されるので
同様の効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は集積型
光起電力装置の分割線が波形状に形成され、隣接する分
割線の間隔が互いに繰り返し拡縮されるので、分割線の
間隔が平均間隔よりも縮小された部分の抵抗値が減少
し、その部分に電流が集中して全体的な抵抗損失が減少
し、特性を高めることができるという効果が得られる。
光起電力装置の分割線が波形状に形成され、隣接する分
割線の間隔が互いに繰り返し拡縮されるので、分割線の
間隔が平均間隔よりも縮小された部分の抵抗値が減少
し、その部分に電流が集中して全体的な抵抗損失が減少
し、特性を高めることができるという効果が得られる。
【００３９】また、本発明において、特に隣接する分割
線の間隔が最短間隔となる部分またはその近傍にくし歯
が位置するように光入射側電極に接して集電電極が設け
られる場合には、集電電極のくし歯が透明電極を覆う面
積が小さくなるので、集電電極による光起電力装置の有
効面積の減少、即ち、受光面積の減少を減少させること
ができ、これにより、更に特性を高めることができる。
線の間隔が最短間隔となる部分またはその近傍にくし歯
が位置するように光入射側電極に接して集電電極が設け
られる場合には、集電電極のくし歯が透明電極を覆う面
積が小さくなるので、集電電極による光起電力装置の有
効面積の減少、即ち、受光面積の減少を減少させること
ができ、これにより、更に特性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】本発明の一実施例の要部の断面模式図である。
【図３】本発明の一実施例及びその変形例並びに従来例
の特性図である。
の特性図である。
【図４】本発明の又他の実施例の平面図である。
【図５】本発明の更に他の実施例の平面図である。
【図６】従来例の要部の断面模式図である。
【図７】従来例の平面図である。
【図８】他の従来例の平面図である。
２ ガラス基板 ３ 分割線 ４ 透明電極 ５ 発電層 ６ 裏面電極 ７ 集電電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板上に分割線で縞状に分割された
光起電力素子を、直列接続した集積型光起電力装置にお
いて、 上記分割線が１本置きに、又は全て波形状に形成され、
隣接する分割線の間隔が互いに繰り返し拡縮されること
を特徴とする集積型光起電力装置。 - 【請求項２】 隣接する分割線の間隔が最短間隔となる
部分またはその近傍にくし歯が位置するように光入射側
電極に接して集電電極が設けられたことを特徴とする請
求項１に記載の集積型光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566294A JP3172369B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 集積型光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566294A JP3172369B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 集積型光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851226A JPH0851226A (ja) | 1996-02-20 |
| JP3172369B2 true JP3172369B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=16174681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18566294A Expired - Fee Related JP3172369B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 集積型光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172369B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306513B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-10-23 | Hoya Corporation | Optical element having cured film |
| WO2011061950A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| KR20140049065A (ko) * | 2011-09-19 | 2014-04-24 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 직렬 연결형 박막 태양광 모듈 및 박막 태양 전지의 직렬 연결 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5565802B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2014-08-06 | シャープ株式会社 | 光透過型太陽電池モジュール |
| JP2013243165A (ja) * | 2010-09-16 | 2013-12-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
| FR2972299B1 (fr) * | 2011-03-01 | 2016-11-25 | Commissariat Energie Atomique | Procédé pour la mise en série électrique monolithique de cellules photovoltaïques d'un module solaire et module photovoltaïque mettant en œuvre ce procédé |
| JP2013110249A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置、および光電変換装置の製造方法 |
| JP5693762B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2015-04-01 | シャープ株式会社 | 光透過型太陽電池モジュール |
| JP6203990B1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-09-27 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
| KR102408801B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2022-06-15 | 맥시온 솔라 피티이. 엘티디. | 비선형 에지들을 따라 중첩되는 슁글드 태양 전지 |
| US10741703B2 (en) | 2016-07-29 | 2020-08-11 | Sunpower Corporation | Shingled solar cells overlapping along non-linear edges |
| DE102017122530B4 (de) * | 2017-09-28 | 2023-02-23 | Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Photovoltaikmodul mit auf der Rückseite ineinandergreifenden Kontakten |
| DE102017130162B4 (de) * | 2017-12-15 | 2023-06-07 | Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Dünnschicht-Photovoltaikmodul mit zwei Ausgangsleistungen |
-
1994
- 1994-08-08 JP JP18566294A patent/JP3172369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306513B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-10-23 | Hoya Corporation | Optical element having cured film |
| WO2011061950A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP5220204B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2013-06-26 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| KR20140049065A (ko) * | 2011-09-19 | 2014-04-24 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 직렬 연결형 박막 태양광 모듈 및 박막 태양 전지의 직렬 연결 방법 |
| KR101652607B1 (ko) * | 2011-09-19 | 2016-08-30 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 직렬 연결형 박막 태양광 모듈 및 박막 태양 전지의 직렬 연결 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0851226A (ja) | 1996-02-20 |
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