JP3168830B2 - 半導体型圧力センサ - Google Patents

半導体型圧力センサ

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂容器内に収容され
た圧力センサチップの端子が、外部電気信号を入出力す
るコネクタと接触できる外部端子と接続された半導体型
圧力センサに関する。
【0002】
【従来の技術】気体あるいは液体等の流体の圧力を検出
するのに用いる半導体型圧力センサは、小型化傾向によ
り歪ゲージが形成される薄肉のダイヤフラムを有するシ
リコンチップに、信号増幅回路、特性調整回路を集積化
する技術が開発されている。それと共に、外部コネクタ
と接触できる外部端子を有するパッケージも小型化され
ている。
【0003】図1、図2にそのような半導体型圧力セン
サのパッケージの平面断面図および側面断面図を示し、
図示しないガラス製の台座に固定されたシリコンチップ
1はPPS樹脂よりなる内部ケース2の底面上に固着さ
れ、内部ケースおよび内部貫通コンデンサ3を貫通する
内部端子4とアルミニウム線5のボンディングによって
接続されている。ケース2は樹脂容器61とキャップ6
2に囲まれ、キャップ62の導圧管63から導かれる圧
力がチップ1のダイヤフラム部の面に加わる構造となっ
ている。外部コネクタと接続できる外部端子7は、容器
61の壁を貫通している。いずれも無酸素銅よりなる外
部端子7と内部端子4の先端部41とは、圧力センサの
小型化に対応するため、はんだ付けに代わって微細接合
可能なYAGレーザによる溶接によって接続される。符
号8はその溶接部を示す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の内部端
子4と外部端子7の溶接部8は接合面積が小さく、溶接
強度が低いという問題があった。極端な場合には接合し
ないことがある。本発明の目的は、この問題を解決し、
内部端子と外部端子とのレーザ溶接による溶接強度が大
きく、信頼性の高い半導体型圧力センサを提供すること
にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、半導体チップ上の端子と導線によって
接続される内部端子が、端部が容器外に露出する外部端
子とレーザ溶接によって結合される半導体型圧力センサ
において、内部端子および外部端子がそれぞれ熱伝導率
が0.3cal/cm・sec・K以下で熱膨張係数が1
7.5×10-6〜18.0×10-6/Kの範囲にある銅合金
よりなるものとする。そして、内部端子あるいは外部端
子がりん青銅よりなること、けい素青銅よりなること、
あるいはアルミニウム青銅からなることが有効である。
【0006】
【作用】市場で入手しやすく、電気伝導率の高い銅 (無
酸素銅) よりなる端子相互をレーザ光により溶接する場
合、レーザ光より与えられる熱が放散しやすく、溶接部
の中心にエネルギーが集中し、溶融点に達する面積が小
さくなる。このため接合面積が小さくなり、溶接強度が
不足する。外部端子には銅を用い、内部端子に銅より熱
伝導率の小さい銅合金を用いると、熱伝導率の大きい外
部端子は溶融しにくく、熱伝導率の小さい内部端子のみ
溶融し、接合部に割れ、ブローホール等の溶接欠陥が生
じやすい。また熱伝導率の小さい銅合金は銅より熱膨張
係数が1×10-6以上大きいことも欠陥の生ずる原因と
なる。そのため、溶接時のレーザパワーの最適条件が極
めて狭く、その管理が難しい。これに対し、内部端子、
外部端子いずれも熱伝導率が0.3cal/cm・sec
・K以下での材料を用いると、熱が放散しにくいため両
端子共溶融しやすく、さらにいずれも熱膨張係数が17.
5×10-6〜18.0×10-6/Kの材料を用いることに
より、熱膨張係数が近いので、レーザ接合特有の急熱、
急冷による割れ等の溶接欠陥が発生することがない。図
3に銅(無酸素銅)同志をレーザ溶接した場合をA、銅
と銅より熱伝導度の小さい銅合金をレーザ溶接した場合
をB、銅より熱伝導度の小さい銅合金同志をレーザ溶接
した場合をCで溶接強度の相対値を示す。
【0007】
【実施例】本発明の一実施例の半導体型圧力センサの構
造は図1、図2と同一である。先ず、半導体式歪ゲージ
を持つシリコンチップ1の台座は、PPS樹脂よりなる
内部ケース2の底面上に接着剤により固定した。内部ケ
ース2を、Cu94.75%、Sn5.0%、P0.25%の
組成をもつりん青銅よりなる3本の内部端子4が貫通し
ている。内部ケース2の内側で、各内部端子4をシリコ
ンチップ1上の端子とそれぞれ直径50μmのアルミニ
ウム線5によって接続した。内部ケース2の外側で、内
部端子4に電磁波防止用の貫通コンデンサ3が取り付け
られている。内部端子4の先端を用いて、測定される内
部ケース2に組み込まれた状態でのシリコンチップ1の
特性を調整した。特性調整の終了した内部ケース2を樹
脂容器61に組み込み、Cu95%、Al5%の組成を
もつアルミニウム青銅よりなり、樹脂容器61を貫通し
た3本の外部端子7を、内部端子4の先端41とそれぞ
れ重ね合わせ、YAGレーザを用いて接合した。これに
より、Vout 、Vcc、G ndの三つの外部端子7が形成さ
れ、樹脂キャップ62を容器61上に取り付けたのち最
終試験を行って完成品を得た。
【0008】図4は、Cu94.45%、Sn5.5%、P
0.05%の組成をもつりん青銅からなる端子と、種々の
銅系材料からなる端子とをレーザ溶接したときの溶接強
度を、無酸素銅よりなる端子同志の場合の溶接強度を1
とした相対値で示す。Pはけい素青銅端子、Qはりん青
銅端子、Rは黄銅端子、Sは無酸素銅端子と溶接したと
きの値である。図4より、熱伝導率0.3cal/cm・
sec・K以下で熱膨張係数が17.5×10-6〜18.0
×10-6/Kの範囲の銅合金を組み合わせると、銅同志
の場合の3.5倍以上の溶接強度が得られることがわか
る。
【0009】表1はこの範囲に入る銅合金の熱伝導率お
よび熱膨張係数を示す。
【0010】
【表1】
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、半導体型圧力センサの
金属端子の材料として、熱伝導率0.3cal/cm・s
ec・K以下の銅合金で熱膨張係数が17.5×10-6
18.0×10-6/Kの範囲のものを組み合わせ、レーザ
溶接により接合することで接合強度を上げ、かつ溶接欠
陥のない接合を実現でき、電子部品として要求される高
信頼性を確保できた。銅合金であるため、外部コネクタ
との接触性も良好であり、市場入手性の良い安価な材料
を使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施される半導体型圧力センサの平面
断面図
【図2】同じく側面断面図
【図3】銅系材料の組み合わせと溶接強度との関係を示
す図
【図4】りん青銅端子と各種銅系材料端子のレーザ溶接
強度と銅系材料の熱伝導率との関係線図
【符号の説明】
1 シリコンチップ 2 内部ケース 3 貫通コンデンサ 4 内部端子 5 アルミニウム線 61 樹脂容器 62 樹脂チップ 63 導圧管 7 外部端子 8 溶接部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 9/04 H05K 3/34 B23K 15/00 B23K 26/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップ上の端子と導線によって接続
    される内部端子が、端部が容器外に露出する外部端子と
    レーザ溶接によって結合されるものにおいて、内部端子
    および外部端子がそれぞれ熱伝導率が0.3cal/cm
    ・sec・K以下で熱膨張係数が17.5×10-6〜18.
    0×10-6/Kの範囲にある銅合金よりなることを特徴
    とする半導体型圧力センサ。
  2. 【請求項2】内部端子あるいは外部端子がりん青銅より
    なる請求項1記載の半導体型圧力センサ。
  3. 【請求項3】内部端子あるいは外部端子がけい素青銅よ
    りなる請求項1あるいは2記載の半導体型圧力センサ。
  4. 【請求項4】内部端子あるいは外部端子がアルミニウム
    青銅よりなる請求項1、2あるいは3記載の半導体型圧
    力センサ。
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