JP3168579B2 - レーザーアブレーション装置 - Google Patents
レーザーアブレーション装置Info
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- JP3168579B2 JP3168579B2 JP31724290A JP31724290A JP3168579B2 JP 3168579 B2 JP3168579 B2 JP 3168579B2 JP 31724290 A JP31724290 A JP 31724290A JP 31724290 A JP31724290 A JP 31724290A JP 3168579 B2 JP3168579 B2 JP 3168579B2
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- laser
- laser ablation
- ablation apparatus
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- introduction nozzle
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜デバイスに利用される超伝導体や強誘電
体等の膜形成に用いるレーザーアブレーション装置に関
するものである。
体等の膜形成に用いるレーザーアブレーション装置に関
するものである。
従来の技術 以下に、従来のレーザーアブレーション装置（ドイツ
特許DE3800680 A1）について説明する。
特許DE3800680 A1）について説明する。
第６図は従来のレーザーアブレーション装置の構成図
であり、レーザー光１は真空封じ用窓２を通過して、真
空槽３に入射される。真空槽３には真空排気用ポンプ４
がつけてある。窓２の真空槽３側にはレーザー光１の出
口が設けられたガス室５がはめ込んである。ガス室５に
はガス導入口６が付けてある。カス室５から出たレーザ
ー光１は真空槽３内に設置されたターゲット７に照射さ
れる。ターゲット７の上には基板ホルダー８が設置され
ている。
であり、レーザー光１は真空封じ用窓２を通過して、真
空槽３に入射される。真空槽３には真空排気用ポンプ４
がつけてある。窓２の真空槽３側にはレーザー光１の出
口が設けられたガス室５がはめ込んである。ガス室５に
はガス導入口６が付けてある。カス室５から出たレーザ
ー光１は真空槽３内に設置されたターゲット７に照射さ
れる。ターゲット７の上には基板ホルダー８が設置され
ている。
以上のように構成されたレーザーアブレーション装置
について、以下その動作を説明する。
について、以下その動作を説明する。
ガス導入口６から窒素を流すとガス室５は窒素ガスで
充満され、ターゲット７からの飛来物質はガス室５でカ
ットされ、窓２に付着しない。そのために、窓の曇によ
るレーザー光強度の減衰が起こらないで、安定な成膜が
できる。
充満され、ターゲット７からの飛来物質はガス室５でカ
ットされ、窓２に付着しない。そのために、窓の曇によ
るレーザー光強度の減衰が起こらないで、安定な成膜が
できる。
発明が解決しようとする課題 しかし、このような構造のものではガスは加工室に流
されていくので、加工室を高真空に維持するのは困難で
あるという課題があった。
されていくので、加工室を高真空に維持するのは困難で
あるという課題があった。
そこで本発明は、上記課題に鑑み、レーザー光をシー
ト状にし、窓とターゲットの間にガスカーテンを発生す
ることができるレーザーアブレーション装置の提供を目
的とする。
ト状にし、窓とターゲットの間にガスカーテンを発生す
ることができるレーザーアブレーション装置の提供を目
的とする。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明は、レーザー発振
器と、レーザー光をシート状にするレンズと、真空槽
と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真
空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、前記
ターゲット上にある基板ホルダーとを備え、前記窓とタ
ーゲット間にありレーザー光を挟んでガス導入ノズルと
排気口が対向して設けられたものである。
器と、レーザー光をシート状にするレンズと、真空槽
と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真
空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、前記
ターゲット上にある基板ホルダーとを備え、前記窓とタ
ーゲット間にありレーザー光を挟んでガス導入ノズルと
排気口が対向して設けられたものである。
作用 本発明のレーザーアブレーション装置によれば、ガス
導入ノズルから噴射されたガスにより、ターゲットから
の噴射物質が遮蔽され窓に付着しなくなる。また、ガス
は排気口によって、すぐに排気される。
導入ノズルから噴射されたガスにより、ターゲットから
の噴射物質が遮蔽され窓に付着しなくなる。また、ガス
は排気口によって、すぐに排気される。
この結果、高真空で安定した成膜をおこなうことがで
きる。
きる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとずいて説明
する。
する。
第１図において、例えば、エキシマレーザー11から発
振されたレーザー光12は、真空封じ用窓13を通過して、
真空槽14に入射される。真空槽14には、真空排気用ポン
プ15が付けてある。レーザー光12は、真空槽14内に設置
されたターゲット16に照射される。窓13とターゲット16
の間には、レーザー光12の進行方向に直行する短冊状の
出口を有するガス導入ノズル17と、ガス導入ノズル17に
対向した短冊状の入口を有する排気口18が設置されてい
る。排気口18には真空排気用ンプ19が付けてある。レー
ザー光12はシリンドリカルレンズ20によって、シート状
になり、第２図に示したように、ガス導入ノズル17と排
気口18の間を通過する。また、ターゲット16の上には、
基板ホルダー21か設置されている。
振されたレーザー光12は、真空封じ用窓13を通過して、
真空槽14に入射される。真空槽14には、真空排気用ポン
プ15が付けてある。レーザー光12は、真空槽14内に設置
されたターゲット16に照射される。窓13とターゲット16
の間には、レーザー光12の進行方向に直行する短冊状の
出口を有するガス導入ノズル17と、ガス導入ノズル17に
対向した短冊状の入口を有する排気口18が設置されてい
る。排気口18には真空排気用ンプ19が付けてある。レー
ザー光12はシリンドリカルレンズ20によって、シート状
になり、第２図に示したように、ガス導入ノズル17と排
気口18の間を通過する。また、ターゲット16の上には、
基板ホルダー21か設置されている。
このような構造において、レーザー光12によりターゲ
ット16の物質はたたき出され、基板22に薄膜が形成され
る。このとき、たたき出された物質は窓13の方向にも飛
んでくるが、ガス導入ノズル17から、例えば、窒素ガス
をながすと、短冊状の出口（例えば0.5mm×40mm）から
噴射されたガスは、出口から、例えば3mm離れた排気口1
8（例えば5mm×60mm）に入射し、ガス導入ノズル17と排
気口18の間にガスカーテンができ、飛来物質はカットさ
れる。また、第３図に示したように、ガスカーテンの間
でレーザー光12を横方向に古ことにより、大面積の成膜
が可能になる。また、第４図に示したように、排気口18
にクライオジャケット23を付けることにより、排気口18
を低温に保ち、排気効率を向上させることもできる。
ット16の物質はたたき出され、基板22に薄膜が形成され
る。このとき、たたき出された物質は窓13の方向にも飛
んでくるが、ガス導入ノズル17から、例えば、窒素ガス
をながすと、短冊状の出口（例えば0.5mm×40mm）から
噴射されたガスは、出口から、例えば3mm離れた排気口1
8（例えば5mm×60mm）に入射し、ガス導入ノズル17と排
気口18の間にガスカーテンができ、飛来物質はカットさ
れる。また、第３図に示したように、ガスカーテンの間
でレーザー光12を横方向に古ことにより、大面積の成膜
が可能になる。また、第４図に示したように、排気口18
にクライオジャケット23を付けることにより、排気口18
を低温に保ち、排気効率を向上させることもできる。
なお、ガス導入ノズル17の出口は短冊状としてが、第
５図に示すような多孔にしても同じ効果を奏する。
５図に示すような多孔にしても同じ効果を奏する。
発明の効果 本発明のレーザーアブレーション装置によれば、ガス
導入ノズルから噴射されたガスにより、多からの噴射物
質が遮蔽され窓に付着しなくなり、100時間以上安定に
成膜できる。また、動作ガス圧力も１×10-5Torr以下に
維持することができた。
導入ノズルから噴射されたガスにより、多からの噴射物
質が遮蔽され窓に付着しなくなり、100時間以上安定に
成膜できる。また、動作ガス圧力も１×10-5Torr以下に
維持することができた。
第１図は本発明の実施例のレーザーアブレーション装置
の断面図、第２図は同動作説明図、第３図は同動作説明
図、第４図は同部分斜視図、第５図は同部分斜視図、第
６図は従来のレーザーアブレーション装置の構成図であ
る。 11……エキシマレーザー、12……レーザー光、13……
窓、14……真空槽、16……ターゲット、17……ガス導入
ノズル、18……排気口、20……シリンドリカルレンズ。
の断面図、第２図は同動作説明図、第３図は同動作説明
図、第４図は同部分斜視図、第５図は同部分斜視図、第
６図は従来のレーザーアブレーション装置の構成図であ
る。 11……エキシマレーザー、12……レーザー光、13……
窓、14……真空槽、16……ターゲット、17……ガス導入
ノズル、18……排気口、20……シリンドリカルレンズ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−93062（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−84376（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (8)
- 【請求項１】レーザー発振器と、レーザー光をシート状
にするレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレ
ーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射さ
れるターゲットと、前記ターゲット上にある基板ホルダ
ーとを備え、前記窓とターゲットの間にありレーザー光
を挟んでガス導入ノズルと排気口が対向して設けられた
レーザーアブレーション装置。 - 【請求項２】レーザー発振器はエキシマレーザーである
請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項３】レンズはシリンドリカルレンズである請求
項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項４】ガス導入ノズルは出口が短冊状である請求
項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項５】ガス導入ノズルは出口が多孔である請求項
１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項６】排気口は入口がガス導入ノズルの出口の断
面積よりも大きな断面積を持つ短冊状である請求項１記
載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項７】ガス導入ノズルと排気口との空隙の横幅は
レーザー光の断面の横幅よりも大きく縦幅はレーザーの
縦幅と同じかそれ以下である請求項１記載のレーザーア
ブレーション装置。 - 【請求項８】排気口に冷却手段を備えた請求項１記載の
レーザーアブレーション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31724290A JP3168579B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レーザーアブレーション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31724290A JP3168579B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レーザーアブレーション装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04187761A JPH04187761A (ja) | 1992-07-06 |
| JP3168579B2 true JP3168579B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=18086068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31724290A Expired - Fee Related JP3168579B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レーザーアブレーション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3168579B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102222257B1 (ko) * | 2019-02-21 | 2021-03-04 | 김규석 | 전지가위의 가위날 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2800365B1 (fr) * | 1999-10-28 | 2003-09-26 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'obtention de nanostructures a partir de composes ayant une forme cristalline hexagonale |
| JP2005089793A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜の製造方法ならびに薄膜線材の製造方法およびパルスレーザ蒸着装置 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP31724290A patent/JP3168579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102222257B1 (ko) * | 2019-02-21 | 2021-03-04 | 김규석 | 전지가위의 가위날 |
Also Published As
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|---|---|
| JPH04187761A (ja) | 1992-07-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |