JP3168579B2 - レーザーアブレーション装置 - Google Patents
レーザーアブレーション装置Info
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- JP3168579B2 JP3168579B2 JP31724290A JP31724290A JP3168579B2 JP 3168579 B2 JP3168579 B2 JP 3168579B2 JP 31724290 A JP31724290 A JP 31724290A JP 31724290 A JP31724290 A JP 31724290A JP 3168579 B2 JP3168579 B2 JP 3168579B2
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- laser ablation
- ablation apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜デバイスに利用される超伝導体や強誘電
体等の膜形成に用いるレーザーアブレーション装置に関
するものである。
体等の膜形成に用いるレーザーアブレーション装置に関
するものである。
従来の技術 以下に、従来のレーザーアブレーション装置(ドイツ
特許DE3800680 A1)について説明する。
特許DE3800680 A1)について説明する。
第6図は従来のレーザーアブレーション装置の構成図
であり、レーザー光1は真空封じ用窓2を通過して、真
空槽3に入射される。真空槽3には真空排気用ポンプ4
がつけてある。窓2の真空槽3側にはレーザー光1の出
口が設けられたガス室5がはめ込んである。ガス室5に
はガス導入口6が付けてある。カス室5から出たレーザ
ー光1は真空槽3内に設置されたターゲット7に照射さ
れる。ターゲット7の上には基板ホルダー8が設置され
ている。
であり、レーザー光1は真空封じ用窓2を通過して、真
空槽3に入射される。真空槽3には真空排気用ポンプ4
がつけてある。窓2の真空槽3側にはレーザー光1の出
口が設けられたガス室5がはめ込んである。ガス室5に
はガス導入口6が付けてある。カス室5から出たレーザ
ー光1は真空槽3内に設置されたターゲット7に照射さ
れる。ターゲット7の上には基板ホルダー8が設置され
ている。
以上のように構成されたレーザーアブレーション装置
について、以下その動作を説明する。
について、以下その動作を説明する。
ガス導入口6から窒素を流すとガス室5は窒素ガスで
充満され、ターゲット7からの飛来物質はガス室5でカ
ットされ、窓2に付着しない。そのために、窓の曇によ
るレーザー光強度の減衰が起こらないで、安定な成膜が
できる。
充満され、ターゲット7からの飛来物質はガス室5でカ
ットされ、窓2に付着しない。そのために、窓の曇によ
るレーザー光強度の減衰が起こらないで、安定な成膜が
できる。
発明が解決しようとする課題 しかし、このような構造のものではガスは加工室に流
されていくので、加工室を高真空に維持するのは困難で
あるという課題があった。
されていくので、加工室を高真空に維持するのは困難で
あるという課題があった。
そこで本発明は、上記課題に鑑み、レーザー光をシー
ト状にし、窓とターゲットの間にガスカーテンを発生す
ることができるレーザーアブレーション装置の提供を目
的とする。
ト状にし、窓とターゲットの間にガスカーテンを発生す
ることができるレーザーアブレーション装置の提供を目
的とする。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明は、レーザー発振
器と、レーザー光をシート状にするレンズと、真空槽
と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真
空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、前記
ターゲット上にある基板ホルダーとを備え、前記窓とタ
ーゲット間にありレーザー光を挟んでガス導入ノズルと
排気口が対向して設けられたものである。
器と、レーザー光をシート状にするレンズと、真空槽
と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真
空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、前記
ターゲット上にある基板ホルダーとを備え、前記窓とタ
ーゲット間にありレーザー光を挟んでガス導入ノズルと
排気口が対向して設けられたものである。
作用 本発明のレーザーアブレーション装置によれば、ガス
導入ノズルから噴射されたガスにより、ターゲットから
の噴射物質が遮蔽され窓に付着しなくなる。また、ガス
は排気口によって、すぐに排気される。
導入ノズルから噴射されたガスにより、ターゲットから
の噴射物質が遮蔽され窓に付着しなくなる。また、ガス
は排気口によって、すぐに排気される。
この結果、高真空で安定した成膜をおこなうことがで
きる。
きる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとずいて説明
する。
する。
第1図において、例えば、エキシマレーザー11から発
振されたレーザー光12は、真空封じ用窓13を通過して、
真空槽14に入射される。真空槽14には、真空排気用ポン
プ15が付けてある。レーザー光12は、真空槽14内に設置
されたターゲット16に照射される。窓13とターゲット16
の間には、レーザー光12の進行方向に直行する短冊状の
出口を有するガス導入ノズル17と、ガス導入ノズル17に
対向した短冊状の入口を有する排気口18が設置されてい
る。排気口18には真空排気用ンプ19が付けてある。レー
ザー光12はシリンドリカルレンズ20によって、シート状
になり、第2図に示したように、ガス導入ノズル17と排
気口18の間を通過する。また、ターゲット16の上には、
基板ホルダー21か設置されている。
振されたレーザー光12は、真空封じ用窓13を通過して、
真空槽14に入射される。真空槽14には、真空排気用ポン
プ15が付けてある。レーザー光12は、真空槽14内に設置
されたターゲット16に照射される。窓13とターゲット16
の間には、レーザー光12の進行方向に直行する短冊状の
出口を有するガス導入ノズル17と、ガス導入ノズル17に
対向した短冊状の入口を有する排気口18が設置されてい
る。排気口18には真空排気用ンプ19が付けてある。レー
ザー光12はシリンドリカルレンズ20によって、シート状
になり、第2図に示したように、ガス導入ノズル17と排
気口18の間を通過する。また、ターゲット16の上には、
基板ホルダー21か設置されている。
このような構造において、レーザー光12によりターゲ
ット16の物質はたたき出され、基板22に薄膜が形成され
る。このとき、たたき出された物質は窓13の方向にも飛
んでくるが、ガス導入ノズル17から、例えば、窒素ガス
をながすと、短冊状の出口(例えば0.5mm×40mm)から
噴射されたガスは、出口から、例えば3mm離れた排気口1
8(例えば5mm×60mm)に入射し、ガス導入ノズル17と排
気口18の間にガスカーテンができ、飛来物質はカットさ
れる。また、第3図に示したように、ガスカーテンの間
でレーザー光12を横方向に古ことにより、大面積の成膜
が可能になる。また、第4図に示したように、排気口18
にクライオジャケット23を付けることにより、排気口18
を低温に保ち、排気効率を向上させることもできる。
ット16の物質はたたき出され、基板22に薄膜が形成され
る。このとき、たたき出された物質は窓13の方向にも飛
んでくるが、ガス導入ノズル17から、例えば、窒素ガス
をながすと、短冊状の出口(例えば0.5mm×40mm)から
噴射されたガスは、出口から、例えば3mm離れた排気口1
8(例えば5mm×60mm)に入射し、ガス導入ノズル17と排
気口18の間にガスカーテンができ、飛来物質はカットさ
れる。また、第3図に示したように、ガスカーテンの間
でレーザー光12を横方向に古ことにより、大面積の成膜
が可能になる。また、第4図に示したように、排気口18
にクライオジャケット23を付けることにより、排気口18
を低温に保ち、排気効率を向上させることもできる。
なお、ガス導入ノズル17の出口は短冊状としてが、第
5図に示すような多孔にしても同じ効果を奏する。
5図に示すような多孔にしても同じ効果を奏する。
発明の効果 本発明のレーザーアブレーション装置によれば、ガス
導入ノズルから噴射されたガスにより、多からの噴射物
質が遮蔽され窓に付着しなくなり、100時間以上安定に
成膜できる。また、動作ガス圧力も1×10-5Torr以下に
維持することができた。
導入ノズルから噴射されたガスにより、多からの噴射物
質が遮蔽され窓に付着しなくなり、100時間以上安定に
成膜できる。また、動作ガス圧力も1×10-5Torr以下に
維持することができた。
第1図は本発明の実施例のレーザーアブレーション装置
の断面図、第2図は同動作説明図、第3図は同動作説明
図、第4図は同部分斜視図、第5図は同部分斜視図、第
6図は従来のレーザーアブレーション装置の構成図であ
る。 11……エキシマレーザー、12……レーザー光、13……
窓、14……真空槽、16……ターゲット、17……ガス導入
ノズル、18……排気口、20……シリンドリカルレンズ。
の断面図、第2図は同動作説明図、第3図は同動作説明
図、第4図は同部分斜視図、第5図は同部分斜視図、第
6図は従来のレーザーアブレーション装置の構成図であ
る。 11……エキシマレーザー、12……レーザー光、13……
窓、14……真空槽、16……ターゲット、17……ガス導入
ノズル、18……排気口、20……シリンドリカルレンズ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−93062(JP,A) 特開 昭61−84376(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (8)
- 【請求項1】レーザー発振器と、レーザー光をシート状
にするレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレ
ーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射さ
れるターゲットと、前記ターゲット上にある基板ホルダ
ーとを備え、前記窓とターゲットの間にありレーザー光
を挟んでガス導入ノズルと排気口が対向して設けられた
レーザーアブレーション装置。 - 【請求項2】レーザー発振器はエキシマレーザーである
請求項1記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項3】レンズはシリンドリカルレンズである請求
項1記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項4】ガス導入ノズルは出口が短冊状である請求
項1記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項5】ガス導入ノズルは出口が多孔である請求項
1記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項6】排気口は入口がガス導入ノズルの出口の断
面積よりも大きな断面積を持つ短冊状である請求項1記
載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項7】ガス導入ノズルと排気口との空隙の横幅は
レーザー光の断面の横幅よりも大きく縦幅はレーザーの
縦幅と同じかそれ以下である請求項1記載のレーザーア
ブレーション装置。 - 【請求項8】排気口に冷却手段を備えた請求項1記載の
レーザーアブレーション装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31724290A JP3168579B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レーザーアブレーション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31724290A JP3168579B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レーザーアブレーション装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04187761A JPH04187761A (ja) | 1992-07-06 |
JP3168579B2 true JP3168579B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=18086068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31724290A Expired - Fee Related JP3168579B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | レーザーアブレーション装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3168579B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102222257B1 (ko) * | 2019-02-21 | 2021-03-04 | 김규석 | 전지가위의 가위날 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2800365B1 (fr) * | 1999-10-28 | 2003-09-26 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'obtention de nanostructures a partir de composes ayant une forme cristalline hexagonale |
JP2005089793A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜の製造方法ならびに薄膜線材の製造方法およびパルスレーザ蒸着装置 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP31724290A patent/JP3168579B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102222257B1 (ko) * | 2019-02-21 | 2021-03-04 | 김규석 | 전지가위의 가위날 |
Also Published As
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---|---|
JPH04187761A (ja) | 1992-07-06 |
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