JPH05140754A - 光cvd装置 - Google Patents
光cvd装置Info
- Publication number
- JPH05140754A JPH05140754A JP29886891A JP29886891A JPH05140754A JP H05140754 A JPH05140754 A JP H05140754A JP 29886891 A JP29886891 A JP 29886891A JP 29886891 A JP29886891 A JP 29886891A JP H05140754 A JPH05140754 A JP H05140754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film forming
- forming chamber
- light beam
- laser oscillator
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光CVD法による薄膜の形成に於てエネルギ
ー効率を良くする。 【構成】 膜形成室3内の原料ガス4に光エネルギーを
与えて前記膜形成室3内の基板1面上に薄膜を形成する
光源5に、赤外線レーザー発振器を設ける。
ー効率を良くする。 【構成】 膜形成室3内の原料ガス4に光エネルギーを
与えて前記膜形成室3内の基板1面上に薄膜を形成する
光源5に、赤外線レーザー発振器を設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、膜形成室内の原料ガス
に光エネルギーを与えて前記膜形成室内の基板面上に薄
膜を形成する光源を設けた光CVD装置に関する。
に光エネルギーを与えて前記膜形成室内の基板面上に薄
膜を形成する光源を設けた光CVD装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、基板上に薄膜を形成する装置とし
て、原料ガスを熱的に励起して化学反応を起こさせ固相
を析出する熱CVD装置があったが、この装置によれ
ば、膜形成室内を高温に保つために基板の付近以外にも
反応領域が広がって、成膜効率が悪いものであった。そ
こで、反応領域を膜形成室内の目的部分に絞った成膜が
可能なものとしては、レーザーを光源とした光CVD装
置があった。
て、原料ガスを熱的に励起して化学反応を起こさせ固相
を析出する熱CVD装置があったが、この装置によれ
ば、膜形成室内を高温に保つために基板の付近以外にも
反応領域が広がって、成膜効率が悪いものであった。そ
こで、反応領域を膜形成室内の目的部分に絞った成膜が
可能なものとしては、レーザーを光源とした光CVD装
置があった。
【0003】この種の光CVD装置としては、その光源
に紫外線レーザー発振器を設けたものがあった。
に紫外線レーザー発振器を設けたものがあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述の光CVD装置に
おいては、光の発振効率(レーザー光強度を消費電力で
割って求まる)が悪いという欠点があり、例えば紫外線
レーザーの一例であるエキシマレーザーに関して見た場
合、発振効率が、0,5〜2%と低い値を示す。従っ
て、高いエネルギーを出力するためにはレーザー発振部
の大型化を図る必要があるが、レーザー発振部を大型化
すれば、装置コストが上がると共に、運転に伴う消費電
力も高くなるという問題が発生し、産業上のデメリット
が大きくなる。そこで、本発明の目的は、上述の欠点に
鑑み、エネルギー効率の良い光CVD装置を提供すると
ころにある。
おいては、光の発振効率(レーザー光強度を消費電力で
割って求まる)が悪いという欠点があり、例えば紫外線
レーザーの一例であるエキシマレーザーに関して見た場
合、発振効率が、0,5〜2%と低い値を示す。従っ
て、高いエネルギーを出力するためにはレーザー発振部
の大型化を図る必要があるが、レーザー発振部を大型化
すれば、装置コストが上がると共に、運転に伴う消費電
力も高くなるという問題が発生し、産業上のデメリット
が大きくなる。そこで、本発明の目的は、上述の欠点に
鑑み、エネルギー効率の良い光CVD装置を提供すると
ころにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明の第1の特徴構成は、膜形成室内の原料ガスに
光エネルギーを与えて前記膜形成室内の基板面上に薄膜
を形成する光源に、赤外線レーザー発振器を設けたとこ
ろにある。
の本発明の第1の特徴構成は、膜形成室内の原料ガスに
光エネルギーを与えて前記膜形成室内の基板面上に薄膜
を形成する光源に、赤外線レーザー発振器を設けたとこ
ろにある。
【0006】また、第2の特徴構成は、前記光源からの
光線を前記膜形成室内に通す照射窓を赤外線透過性結晶
塩材によって形成すると共に、その照射窓を乾燥した不
活性ガスで覆わせるガス供給装置を設けたところにあ
る。
光線を前記膜形成室内に通す照射窓を赤外線透過性結晶
塩材によって形成すると共に、その照射窓を乾燥した不
活性ガスで覆わせるガス供給装置を設けたところにあ
る。
【0007】
【作用】本発明の第1の特徴構成によれば、光源に赤外
線レーザー発振器を設けてあるので、エネルギー効率の
良い状態で、薄膜の形成が可能となる。例えば、赤外線
レーザーの一例であるCOレーザーに関して発振効率を
見た場合、その値は、44%と極めて高い値を示す。
線レーザー発振器を設けてあるので、エネルギー効率の
良い状態で、薄膜の形成が可能となる。例えば、赤外線
レーザーの一例であるCOレーザーに関して発振効率を
見た場合、その値は、44%と極めて高い値を示す。
【0008】また、レーザー発振部からレーザー光を出
射するためには、レーザー発振時に消費する発振用ガス
をレーザー発振部に供給する必要があり、従来の紫外線
レーザー発振器の場合は、その発振用ガスの消費率が高
く、しかも、その発振用ガスがNe,Ar,F等のコス
トの高いガスであるのに対して、赤外線レーザー発振器
の場合は、発振用ガスの消費率が低いと共に、その発振
用ガスにコストの低いCO,CO2を用いるので、レー
ザー光を経済効率よく出射することが可能となる。
射するためには、レーザー発振時に消費する発振用ガス
をレーザー発振部に供給する必要があり、従来の紫外線
レーザー発振器の場合は、その発振用ガスの消費率が高
く、しかも、その発振用ガスがNe,Ar,F等のコス
トの高いガスであるのに対して、赤外線レーザー発振器
の場合は、発振用ガスの消費率が低いと共に、その発振
用ガスにコストの低いCO,CO2を用いるので、レー
ザー光を経済効率よく出射することが可能となる。
【0009】次に、本発明の第2の特徴構成によれば、
光源からの光線を膜形成室内に通す照射窓を赤外線透過
性結晶塩材によって形成してあるので、従来の照射窓材
料のように赤外線レーザー発振器からの光線に対して、
そのエネルギーを吸収して成膜効率を低下させるという
事がない状態で照射窓を透過させることが可能となり、
膜形成室内での薄膜形成を効率よく実施することが出来
る。さらに、前記照射窓を乾燥した不活性ガスで覆わせ
るガス供給装置を設けてあるので、前記照射窓が吸湿す
ることで前記光線の透過を阻害することを防止し、照射
する光線のエネルギー損失を少ない状態で維持すること
が可能となる。
光源からの光線を膜形成室内に通す照射窓を赤外線透過
性結晶塩材によって形成してあるので、従来の照射窓材
料のように赤外線レーザー発振器からの光線に対して、
そのエネルギーを吸収して成膜効率を低下させるという
事がない状態で照射窓を透過させることが可能となり、
膜形成室内での薄膜形成を効率よく実施することが出来
る。さらに、前記照射窓を乾燥した不活性ガスで覆わせ
るガス供給装置を設けてあるので、前記照射窓が吸湿す
ることで前記光線の透過を阻害することを防止し、照射
する光線のエネルギー損失を少ない状態で維持すること
が可能となる。
【0010】
【発明の効果】従って、薄膜の形成を、エネルギー効率
のよい状態で実施することが可能となったことで、装置
の小型化及び消費電力の低減を実現できるようになり、
成膜に関する経済性を向上させることが出来るようにな
った。
のよい状態で実施することが可能となったことで、装置
の小型化及び消費電力の低減を実現できるようになり、
成膜に関する経済性を向上させることが出来るようにな
った。
【0011】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【0012】図1は、本発明の光CVD装置の実施例を
示す概念図であり、その構成は、薄膜を形成する対象で
ある基板1、及び、その基板1を保持する保持具2を備
えた膜形成室3と、その膜形成室3内の原料ガス4に成
膜のための光エネルギーを与える赤外線レーザー発振器
の一例であるCOレーザー発振器5と、そのCOレーザ
ー発振器5と膜形成室3の間にあってCOレーザー発振
器5からの光線6を膜形成室3に導く導入容器7とで形
成してある。
示す概念図であり、その構成は、薄膜を形成する対象で
ある基板1、及び、その基板1を保持する保持具2を備
えた膜形成室3と、その膜形成室3内の原料ガス4に成
膜のための光エネルギーを与える赤外線レーザー発振器
の一例であるCOレーザー発振器5と、そのCOレーザ
ー発振器5と膜形成室3の間にあってCOレーザー発振
器5からの光線6を膜形成室3に導く導入容器7とで形
成してある。
【0013】前記膜形成室3には、前記COレーザー発
振器5からの光線6を内部に通すための照射窓8と、そ
の照射窓8から入射した光線を膜形成室3外で確認する
ための確認窓9を設けてある。前記照射窓8は、COレ
ーザー発振器5からの光線6をエネルギー損失が無い状
態で膜形成室3内に入射させるために赤外線透過性結晶
塩材の一例であるNaClによって、形成してある。ま
た、前記膜形成室3には、その内部に原料ガス4を供給
するための原料ガス供給手段10につながり、上方から
基板1の方向に原料ガス4を供給する供給口を設け、成
膜によって消費した原料ガス4または成膜開始前に膜形
成室3内に溜っている気体等を膜形成室3外に排気する
ための原料ガス排気手段11につながる排気口を下部に
設けてある。さらに、前記膜形成室3及び隣接する導入
容器7には、前記照射窓8に近接する位置に、前記照射
窓8に向けて乾燥した不活性ガスの一例である乾燥窒素
ガス12を吹き付けて照射窓を覆わせるための不活性ガ
ス供給装置13と、吹き付けられた窒素ガス12を排除
する不活性ガス排除手段14をそれぞれ各別に設けてあ
る。
振器5からの光線6を内部に通すための照射窓8と、そ
の照射窓8から入射した光線を膜形成室3外で確認する
ための確認窓9を設けてある。前記照射窓8は、COレ
ーザー発振器5からの光線6をエネルギー損失が無い状
態で膜形成室3内に入射させるために赤外線透過性結晶
塩材の一例であるNaClによって、形成してある。ま
た、前記膜形成室3には、その内部に原料ガス4を供給
するための原料ガス供給手段10につながり、上方から
基板1の方向に原料ガス4を供給する供給口を設け、成
膜によって消費した原料ガス4または成膜開始前に膜形
成室3内に溜っている気体等を膜形成室3外に排気する
ための原料ガス排気手段11につながる排気口を下部に
設けてある。さらに、前記膜形成室3及び隣接する導入
容器7には、前記照射窓8に近接する位置に、前記照射
窓8に向けて乾燥した不活性ガスの一例である乾燥窒素
ガス12を吹き付けて照射窓を覆わせるための不活性ガ
ス供給装置13と、吹き付けられた窒素ガス12を排除
する不活性ガス排除手段14をそれぞれ各別に設けてあ
る。
【0014】また、前記導入容器7には、COレーザー
発振器5からの光線6を膜形成室3内の目的とする範囲
に照射するための調整を行う光学系15を設けてある。
発振器5からの光線6を膜形成室3内の目的とする範囲
に照射するための調整を行う光学系15を設けてある。
【0015】一方、COレーザー発振器5には、光線6
を発振するために消費する発振用ガスの一例であるCO
ガス16を供給する発振用ガス供給手段17と、光線6
の出射によって消費されたガスを排気する発振用ガス排
気手段18を設けてある。
を発振するために消費する発振用ガスの一例であるCO
ガス16を供給する発振用ガス供給手段17と、光線6
の出射によって消費されたガスを排気する発振用ガス排
気手段18を設けてある。
【0016】前記原料ガス排気手段11にて真空維持さ
れた前記膜形成室3内に前記原料ガス4を流入させ、C
Oレーザー発振器5からの光線6を照射すると、原料ガ
ス4は前記光線6からエネルギーを受けて励起し、基板
1上に薄膜が形成される。
れた前記膜形成室3内に前記原料ガス4を流入させ、C
Oレーザー発振器5からの光線6を照射すると、原料ガ
ス4は前記光線6からエネルギーを受けて励起し、基板
1上に薄膜が形成される。
【0017】〔別実施例〕以下に別実施例を説明する。
【0018】先の実施例で説明したCOレーザー発振器
5は、光源としての赤外線レーザー発振器の一例であっ
て、これに限定されるものではなく、例えばCO2レー
ザー発振器であってもよい。ただし、光源を変えること
によって、原料ガスも変えることが必要となることもあ
る。
5は、光源としての赤外線レーザー発振器の一例であっ
て、これに限定されるものではなく、例えばCO2レー
ザー発振器であってもよい。ただし、光源を変えること
によって、原料ガスも変えることが必要となることもあ
る。
【0019】又、前記照射窓8については、その材質を
NaClに限るものではなく、例えば、KBrであって
もよい。要するに、赤外線レーザー発振器5からの光線
を透過すると共に、その光線に対するエネルギー損失が
無いものであればよい。
NaClに限るものではなく、例えば、KBrであって
もよい。要するに、赤外線レーザー発振器5からの光線
を透過すると共に、その光線に対するエネルギー損失が
無いものであればよい。
【0020】さらに、先の実施例で上げた前記照射窓8
の吸湿を防止する為に使用する窒素ガスについては、こ
れに限定されるものではなく、赤外線レーザー発振器5
からの光線を受けても影響の無い不活性な気体であれば
よい。
の吸湿を防止する為に使用する窒素ガスについては、こ
れに限定されるものではなく、赤外線レーザー発振器5
からの光線を受けても影響の無い不活性な気体であれば
よい。
【0021】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
【図1】装置を表す概念図
1 基板 3 膜形成室 4 原料ガス 5 光源 6 光線 8 照射窓 12 不活性ガス 13 ガス供給装置
フロントページの続き (72)発明者 森川 茂 京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会 社関西新技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項1】 膜形成室(3)内の原料ガス(4)に光
エネルギーを与えて前記膜形成室(3)内の基板(1)
面上に薄膜を形成する光源(5)を設けた光CVD装置
であって、前記光源に赤外線レーザー発振器を設けた光
CVD装置。 - 【請求項2】 前記光源(5)からの光線(6)を前記
膜形成室(3)内に通す照射窓(8)を赤外線透過性結
晶塩材によって形成すると共に、その照射窓(8)を乾
燥した不活性ガス(12)で覆わせるガス供給装置(1
3)を設けた請求項第1に記載の光CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29886891A JPH05140754A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 光cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29886891A JPH05140754A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 光cvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05140754A true JPH05140754A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=17865230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29886891A Pending JPH05140754A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 光cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05140754A (ja) |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP29886891A patent/JPH05140754A/ja active Pending
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