JP3166178B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高信頼な高出力半導体
レーザに関する。
レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来普通に用いられる半導体レーザは、
電流注入型であり、活性層をそれよりも大きなエネルギ
ギャップをもつ半導体をクラッド層として挟んだダブル
ヘテロ構造をもつ。また共振器を構成する反射面や光を
とり出す出射面は、劈開またはエッチング等により形成
する。高出力化或いは高信頼化に際しては、光出射端面
に於る光吸収に基づく温度上昇による端面の劣化が問題
となる。そこで、これらの面を発振光の光子エネルギよ
りも大きなエネルギギャップをもつ半導体層により覆う
という方法が従来とられている。従来技術による構造の
一例を図２（第５１回応用物理学会学術講演会ｐ９６３
講演番号２８ｐ−Ｒ−５（１９９０））に示す。図の例
はＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザで、活性層２０３はＧ
ａＡｓ、クラッド層２０２，２０４はＡｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓから成り、レーザ光出射面２０８となる劈開面が厚
さ０．５μｍ程度のＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層２０７によ
り覆われている。この構造では、活性層よりもエネルギ
ギャップの大きなＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層でレーザ光出
射端面を覆うことにより、出射端面での光吸収を減少せ
しめて、端面の劣化を防止するものである。
電流注入型であり、活性層をそれよりも大きなエネルギ
ギャップをもつ半導体をクラッド層として挟んだダブル
ヘテロ構造をもつ。また共振器を構成する反射面や光を
とり出す出射面は、劈開またはエッチング等により形成
する。高出力化或いは高信頼化に際しては、光出射端面
に於る光吸収に基づく温度上昇による端面の劣化が問題
となる。そこで、これらの面を発振光の光子エネルギよ
りも大きなエネルギギャップをもつ半導体層により覆う
という方法が従来とられている。従来技術による構造の
一例を図２（第５１回応用物理学会学術講演会ｐ９６３
講演番号２８ｐ−Ｒ−５（１９９０））に示す。図の例
はＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザで、活性層２０３はＧ
ａＡｓ、クラッド層２０２，２０４はＡｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓから成り、レーザ光出射面２０８となる劈開面が厚
さ０．５μｍ程度のＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層２０７によ
り覆われている。この構造では、活性層よりもエネルギ
ギャップの大きなＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層でレーザ光出
射端面を覆うことにより、出射端面での光吸収を減少せ
しめて、端面の劣化を防止するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術によれ
ば、端面被覆層として高品質の高抵抗半導体層を得るこ
とが困難である。なぜならば、高抵抗半導体層を得るた
めには、酸素，クロム，鉄などキャリアを捕獲するため
に深い準位を形成する不純物を導入せねばならなく、こ
のことは、レーザ端面と端面被覆層の界面の品質を著し
く損うためである。このために、レーザ素子として高品
質を維持することが困難となる。かくして従来構造は以
上述べたような欠点を有している。
ば、端面被覆層として高品質の高抵抗半導体層を得るこ
とが困難である。なぜならば、高抵抗半導体層を得るた
めには、酸素，クロム，鉄などキャリアを捕獲するため
に深い準位を形成する不純物を導入せねばならなく、こ
のことは、レーザ端面と端面被覆層の界面の品質を著し
く損うためである。このために、レーザ素子として高品
質を維持することが困難となる。かくして従来構造は以
上述べたような欠点を有している。
【０００４】そこで、本発明の目的は、半導体多重超薄
膜層中のキャリアの性質を利用して、上述の欠点を除
き、高信頼な高出力半導体レーザを提供することにあ
る。
膜層中のキャリアの性質を利用して、上述の欠点を除
き、高信頼な高出力半導体レーザを提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の要旨とすると
ころは、共振器を構成する光反射面に、エネルギギャッ
プの異なる２種の半導体超薄膜層が交互に積層されて成
り、この超薄膜層に入射する電子と反射する電子の位相
差がπのほぼ奇数倍となるように各層の厚さを定め、且
つ、その超薄膜層の厚さの合計が電子の可干渉性が維持
される厚さ以下の多重超薄膜層を有する構造としたこと
である。多重超薄膜層の形成法は、有機金属熱分解気相
エピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ法），分子ビームエピタ
キシャル法（ＭＢＥ法）など、その方法によらない。ま
た、半導体材料としては、ＡｌＧａＡｓ系，ＧａＩｎＰ
Ａｓ系，ＡｌＧａＩｎＰ系，ＡｌＧａＩｎＡｓ系，Ａｌ
ＧａＡｓＳｂ系，ＺｎＳｅＳ系その他材料系によらずい
ずれの場合にも適用される。
ころは、共振器を構成する光反射面に、エネルギギャッ
プの異なる２種の半導体超薄膜層が交互に積層されて成
り、この超薄膜層に入射する電子と反射する電子の位相
差がπのほぼ奇数倍となるように各層の厚さを定め、且
つ、その超薄膜層の厚さの合計が電子の可干渉性が維持
される厚さ以下の多重超薄膜層を有する構造としたこと
である。多重超薄膜層の形成法は、有機金属熱分解気相
エピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ法），分子ビームエピタ
キシャル法（ＭＢＥ法）など、その方法によらない。ま
た、半導体材料としては、ＡｌＧａＡｓ系，ＧａＩｎＰ
Ａｓ系，ＡｌＧａＩｎＰ系，ＡｌＧａＩｎＡｓ系，Ａｌ
ＧａＡｓＳｂ系，ＺｎＳｅＳ系その他材料系によらずい
ずれの場合にも適用される。
【０００６】
【作用】図３に、本発明の多重超薄膜構造（以後ＭＱＢ
と略す）の例を示す。可視光レーザ材料として用いられ
るＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ／Ａｌ0.5Ｉｎ0.5ＰからなるＭＱＢ
についてその機能を示す（電子情報通信学会技術研究報
告ＯＱＥ９０（１９９０年）ｐ．３９）。図３（ａ），
（ｂ）にＭＱＢ構造に対する導伝帯のエネルギバンドダ
イヤグラムを層の積層方向に示し、それぞれＭＱＢ１，
ＭＱＢ２とする。ともにＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層３１
とＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層３２から成る。Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ層３３の上にＭＱＢを形成してある。順にＡｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層，Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層を交
互に形成する。１層目のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層は厚
さ１０ｎｍとし、他のバリア層は３ｎｍとする。ＭＱＢ
１では、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３３に近い側から順にＧａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層の幅を０．７１ｎｍ，１．２ｎ
ｍ，１．６７ｎｍ，２．１４ｎｍ，２．６２ｎｍとし、
またＭＱＢ２ではＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層の厚さをす
べて１．６７ｎｍとする。層数は、全体の厚さが電子の
コヒーレント長程度となるようにする。この時、Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３３側からみた電子の反射率の電子エネ
ルギ（Ｇａ0.5Ｉ0.5Ｐの導伝帯の底から測った値）依存
性を図３（ｃ）に示す。ＭＱＢ１に対するものを点線
で、ＭＱＢ２に対するものを実線で示す。また、矢印Ａ
はＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐの導伝帯の底のエネルギ値を示す。
この図は、ＭＱＢ層に入射する電子と反射する電子の位
相差からＭＱＢ層全体としての電子の反射率を計算し、
その値を電子反射率として電子エネルギーに対して計算
したものである。ＭＱＢ層に入射する電子と反射する電
子の位相差がπの奇数倍の時に電子反射率は１．０とな
る。この電子反射率は、入射電子のエネルギーとＭＱＢ
を構成する各層の層厚によって決まる。従って、この図
は、ＭＱＢ１のごとき層構造、或いはＭＱＢ２のごとき
層構造にしたときに、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３３からこの
ＭＱＢ層に入射した電子のうち、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐの導
伝帯の底から約３７０ｍｅＶ高いエネルギの電子までも
このＭＱＢ層で１００％の反射率をもつ。このことは、
Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層からの障壁がＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層単
独によるよりも高く、一般に（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ
0.5Ｐ（０≦ｘ＜１）に対してこのＭＱＢを電子障壁と
して用いた場合、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐよりも実効的に高い
障壁が得られる。以上は電子についての議論であるが、
正孔についても同様のことがいえる。そこで、（Ａｌy
Ｇａ1-y）0.5Ｉｎ0.5Ｐ層をｐ型及びｎ型の（ＡｌzＧａ
1-z）0.5Ｉｎ0.5Ｐ層（０≦ｙ＜ｚ＜１）で挟み込んだ
ダブルヘテロ構造の側面に各層に接するように前述のＭ
ＱＢ層を形成し、ｐ−ｎ層間に電流を注入すると、この
ＭＱＢ層には電流が注入されず、ＭＱＢ層に起因する漏
れ電流は発生しない。従ってこのようなＭＱＢ層を高抵
抗にしなくても、漏れ電流を生じない半導体被膜を得る
ことができる。また、ＭＱＢ層は、厚さの合計を電子の
可干渉性が維持される厚さ以上にしても、その部分の反
射率に対する寄与はなく、レーザ光に対する損失や端面
反射率の変化をもたらすために好ましくないので、厚さ
の合計を電子の可干渉性が維持される厚さ以下にとどめ
るべきである。
と略す）の例を示す。可視光レーザ材料として用いられ
るＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ／Ａｌ0.5Ｉｎ0.5ＰからなるＭＱＢ
についてその機能を示す（電子情報通信学会技術研究報
告ＯＱＥ９０（１９９０年）ｐ．３９）。図３（ａ），
（ｂ）にＭＱＢ構造に対する導伝帯のエネルギバンドダ
イヤグラムを層の積層方向に示し、それぞれＭＱＢ１，
ＭＱＢ２とする。ともにＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層３１
とＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層３２から成る。Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ層３３の上にＭＱＢを形成してある。順にＡｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層，Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層を交
互に形成する。１層目のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層は厚
さ１０ｎｍとし、他のバリア層は３ｎｍとする。ＭＱＢ
１では、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３３に近い側から順にＧａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層の幅を０．７１ｎｍ，１．２ｎ
ｍ，１．６７ｎｍ，２．１４ｎｍ，２．６２ｎｍとし、
またＭＱＢ２ではＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウェル層の厚さをす
べて１．６７ｎｍとする。層数は、全体の厚さが電子の
コヒーレント長程度となるようにする。この時、Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３３側からみた電子の反射率の電子エネ
ルギ（Ｇａ0.5Ｉ0.5Ｐの導伝帯の底から測った値）依存
性を図３（ｃ）に示す。ＭＱＢ１に対するものを点線
で、ＭＱＢ２に対するものを実線で示す。また、矢印Ａ
はＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐの導伝帯の底のエネルギ値を示す。
この図は、ＭＱＢ層に入射する電子と反射する電子の位
相差からＭＱＢ層全体としての電子の反射率を計算し、
その値を電子反射率として電子エネルギーに対して計算
したものである。ＭＱＢ層に入射する電子と反射する電
子の位相差がπの奇数倍の時に電子反射率は１．０とな
る。この電子反射率は、入射電子のエネルギーとＭＱＢ
を構成する各層の層厚によって決まる。従って、この図
は、ＭＱＢ１のごとき層構造、或いはＭＱＢ２のごとき
層構造にしたときに、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層３３からこの
ＭＱＢ層に入射した電子のうち、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐの導
伝帯の底から約３７０ｍｅＶ高いエネルギの電子までも
このＭＱＢ層で１００％の反射率をもつ。このことは、
Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層からの障壁がＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層単
独によるよりも高く、一般に（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ
0.5Ｐ（０≦ｘ＜１）に対してこのＭＱＢを電子障壁と
して用いた場合、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐよりも実効的に高い
障壁が得られる。以上は電子についての議論であるが、
正孔についても同様のことがいえる。そこで、（Ａｌy
Ｇａ1-y）0.5Ｉｎ0.5Ｐ層をｐ型及びｎ型の（ＡｌzＧａ
1-z）0.5Ｉｎ0.5Ｐ層（０≦ｙ＜ｚ＜１）で挟み込んだ
ダブルヘテロ構造の側面に各層に接するように前述のＭ
ＱＢ層を形成し、ｐ−ｎ層間に電流を注入すると、この
ＭＱＢ層には電流が注入されず、ＭＱＢ層に起因する漏
れ電流は発生しない。従ってこのようなＭＱＢ層を高抵
抗にしなくても、漏れ電流を生じない半導体被膜を得る
ことができる。また、ＭＱＢ層は、厚さの合計を電子の
可干渉性が維持される厚さ以上にしても、その部分の反
射率に対する寄与はなく、レーザ光に対する損失や端面
反射率の変化をもたらすために好ましくないので、厚さ
の合計を電子の可干渉性が維持される厚さ以下にとどめ
るべきである。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例である。ｎ−ＧａＡｓ
基板１上にＭＯＶＰＥ法により、厚さ１μｍのｎ−（Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２、厚さ０．１
μｍの（Ａｌ0.1Ｇａ0.9）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層３、厚さ
１μｍのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層４、厚さ１μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層５をこの
順に形成する。続いて、劈開法により、レーザ共振器と
なるレーザ出射端面９を形成する。この面に、ＭＱＢ層
８をＭＯＶＰＥ法により形成する。構造としては、作用
の項で述べたＭＱＢ１の構造とする。つまり、端面上に
１０ｎｍのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐを形成し、続いて３ｎｍ厚
さのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層を介して、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層
を順に０．７１ｎｍ，１．２ｎｍ，１．６７ｎｍ，２．
１４ｎｍ，２．６２ｎｍの厚さで形成する。このように
すると、作用の項で述べたように、活性層に注入された
電子の大部分に対し、端面におけるＭＱＢ層に入射する
電子と反射する電子の位相差がπの奇数倍になるため、
ＭＱＢ層全体としての電子の反射率が１．０になる。こ
のとき、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５上に形成されたＭ
ＱＢ層は、端面９から数μｍを残して、エッチング除去
する。塩酸系のエッチング液を用いれば、ＧａＡｓ面を
エッチングすることなく、ＭＱＢ層のみ除去できる。こ
ののち、ｐ電極６およびｎ電極７を蒸着法などにより形
成する。各層の形成は、ＭＯＶＰＥ法以外のＭＢＥ法に
よってもよく、その製法によらない。また、レーザ出射
端面の形成法は劈開法以外の、化学エッチング法，ドラ
イエッチング法などその製法によらない。
基板１上にＭＯＶＰＥ法により、厚さ１μｍのｎ−（Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２、厚さ０．１
μｍの（Ａｌ0.1Ｇａ0.9）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層３、厚さ
１μｍのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層４、厚さ１μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層５をこの
順に形成する。続いて、劈開法により、レーザ共振器と
なるレーザ出射端面９を形成する。この面に、ＭＱＢ層
８をＭＯＶＰＥ法により形成する。構造としては、作用
の項で述べたＭＱＢ１の構造とする。つまり、端面上に
１０ｎｍのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐを形成し、続いて３ｎｍ厚
さのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層を介して、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層
を順に０．７１ｎｍ，１．２ｎｍ，１．６７ｎｍ，２．
１４ｎｍ，２．６２ｎｍの厚さで形成する。このように
すると、作用の項で述べたように、活性層に注入された
電子の大部分に対し、端面におけるＭＱＢ層に入射する
電子と反射する電子の位相差がπの奇数倍になるため、
ＭＱＢ層全体としての電子の反射率が１．０になる。こ
のとき、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５上に形成されたＭ
ＱＢ層は、端面９から数μｍを残して、エッチング除去
する。塩酸系のエッチング液を用いれば、ＧａＡｓ面を
エッチングすることなく、ＭＱＢ層のみ除去できる。こ
ののち、ｐ電極６およびｎ電極７を蒸着法などにより形
成する。各層の形成は、ＭＯＶＰＥ法以外のＭＢＥ法に
よってもよく、その製法によらない。また、レーザ出射
端面の形成法は劈開法以外の、化学エッチング法，ドラ
イエッチング法などその製法によらない。
【０００８】この実施例は波長６５０ｎｍで発振する可
視光半導体レーザである。この実施例では、作用の項で
述べたように、ＭＱＢ膜への漏れ電流がなく、膜をつけ
たことによる動作電流の上昇はみられない。またＭＱＢ
中のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐは超薄膜であり、その量子効果
により、発振波長に対する吸収はない。従ってＭＱＢ膜
の窓効果により、光吸収による端面破壊レベルは十分高
い値を保っており、高出力動作が可能である。またＭＱ
Ｂ膜及び端面との界面の品質は高く維持され、また、空
気に触れるＭＱＢの最外面はＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐである
ため酸化されにくく、高信頼のものが得られる。本実施
例でＭＱＢ膜は、特定の膜組成，膜厚としたが、請求の
範囲を満たすものであれば、他の膜組成，膜厚で同様の
効果が得られる組み合わせは多く存在する。
視光半導体レーザである。この実施例では、作用の項で
述べたように、ＭＱＢ膜への漏れ電流がなく、膜をつけ
たことによる動作電流の上昇はみられない。またＭＱＢ
中のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐは超薄膜であり、その量子効果
により、発振波長に対する吸収はない。従ってＭＱＢ膜
の窓効果により、光吸収による端面破壊レベルは十分高
い値を保っており、高出力動作が可能である。またＭＱ
Ｂ膜及び端面との界面の品質は高く維持され、また、空
気に触れるＭＱＢの最外面はＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐである
ため酸化されにくく、高信頼のものが得られる。本実施
例でＭＱＢ膜は、特定の膜組成，膜厚としたが、請求の
範囲を満たすものであれば、他の膜組成，膜厚で同様の
効果が得られる組み合わせは多く存在する。
【０００９】以上ＡｌＧａＩｎＰ系材料で詳細に説明し
たが、他の半導体材料ＡｌＧａＡｓ系，ＡｌＧａＩｎＡ
ｓ系，ＧａＩｎＰＡｓ系，ＺｎＳｅＳ系、その他の材
料、或いはこれらの材料の組み合わせで、同様の効果が
得られる。
たが、他の半導体材料ＡｌＧａＡｓ系，ＡｌＧａＩｎＡ
ｓ系，ＧａＩｎＰＡｓ系，ＺｎＳｅＳ系、その他の材
料、或いはこれらの材料の組み合わせで、同様の効果が
得られる。
【００１０】
【発明の効果】この様に、本発明の構造をとることによ
り、端面の光破壊を防ぎ安定で高品質かつ、もれ電流を
生じさせない被覆膜を得ることができるため、従来より
も高信頼な高出力半導体レーザを得ることができる。
り、端面の光破壊を防ぎ安定で高品質かつ、もれ電流を
生じさせない被覆膜を得ることができるため、従来より
も高信頼な高出力半導体レーザを得ることができる。
【図１】本発明の実施例を示した高出力半導体レーザの
側面を模式的に示した図である。
側面を模式的に示した図である。
【図２】本発明を使用しない従来の高出力半導体レーザ
の側面模式図である。
の側面模式図である。
【図３】本発明の作用を記述するために用いた説明図で
ある。
ある。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 ３ （Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ４ ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 ５ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ６ ｐ−電極 ７ ｎ−電極 ８ ＭＱＢ被覆層 ９，２０８ レーザ出射端面 ３１ Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層 ３２ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐウェル層 ３３ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層 ２０２ ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 ２０３ ＧａＡｓ活性層 ２０４ ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 ２０７ Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ被覆層
ド層 ３ （Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ４ ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッ
ド層 ５ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ６ ｐ−電極 ７ ｎ−電極 ８ ＭＱＢ被覆層 ９，２０８ レーザ出射端面 ３１ Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層 ３２ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐウェル層 ３３ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層 ２０２ ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 ２０３ ＧａＡｓ活性層 ２０４ ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 ２０７ Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ被覆層
Claims (1)
- 【請求項１】 発光に与る活性層を内包した半導体多層
積層構造体を備え、この半導体多層積層構造体の互いに
対向する一対の端面を光反射面として共振器を構成した
半導体レーザにおいて、共振器を構成する光反射面に、
エネルギギャップの異なる２種の半導体超薄膜層が交互
に積層されて成り、この超薄膜層に入射する電子と反射
する電子の位相差がπのほぼ奇数倍となるように各層の
厚さを定め、且つ、その超薄膜層の厚さの合計が電子の
可干渉性が維持される厚さ以下の多重超薄膜層を有して
いることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01616691A JP3166178B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01616691A JP3166178B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621562A JPH0621562A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3166178B2 true JP3166178B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=11908927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01616691A Expired - Fee Related JP3166178B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166178B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0888434A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ，及びその製造方法 |
| DE102007059538B4 (de) * | 2007-12-11 | 2009-08-20 | Lumics Gmbh | Passivierung einer Resonator-Endfläche eines Halbleiter-Lasers mit einem Halbleiter-Übergitter |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP01616691A patent/JP3166178B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621562A (ja) | 1994-01-28 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010206 |
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