JP3166018B2 - 四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉 - Google Patents

四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、育成時に融液面近傍で
大きな炉内温度勾配を必要とする四ホウ酸リチウム単結
晶の育成に用いられる育成炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、四ホウ酸リチウム単結晶の育成に
は、融液面近傍で大きな炉内温度勾配を必要とするの
で、高周波加熱炉を使用し育成されていたが、高周波加
熱炉はコストが高騰するという問題があった。また抵抗
加熱炉は運転コストおよび設備経費が安く量産に適すと
いう利点はあるが、融液直上の炉内温度勾配を大きくす
ることが困難であった。抵抗加熱炉で大きな温度勾配を
得る場合には多段ヒータ構造が用いられるが、このよう
な技術手段では高周波加熱炉に匹敵するような大きな温
度勾配は得られないという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は高価な高周波
加熱炉を使用することなく、従来技術では不可能であっ
た抵抗加熱炉を用いて、融液近傍で大きな温度勾配を実
現する四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉を提供すること
を課題とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するもので、抵抗加熱手段を用いた、チョクラスル
キー法による四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉に適用さ
れ、次の技術手段を採った。すなわち、該抵抗加熱手段
をルツボ上端直上で上下に分割すると共に、該上下加熱
手段間に、抜熱用離間距離ｂを設けたことを特徴とする
四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉である。
【０００５】但し、ａを下炉の内径とした場合、ｂ＝
（０．０５〜０．２５）×ａとする。
【０００６】
【作用】従来行われている抵抗加熱炉による多段ヒータ
方式は、それぞれのヒータの温度差によって温度勾配を
得ていた。しかし、この技術手段では高周波加熱炉で得
られているような高い温度勾配は得られなかった。本願
は上述のように構成したので、上下のヒータ間の離間部
分から抜熱することによって大きな炉内温度勾配を得る
ことを可能としたものである。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例の構成を図１に示す。図１は
断面の説明図である。１はヒータ、２はルツボ３中の融
液である。本発明では炉のヒータ１をルツボ３の上端直
上で上下に分割し、その離間距離をｂ、下炉の内径をａ
とした場合、 ｂ＝（０．０５〜０．２５）×ａ に構成することにより、融液面近傍における炉内温度勾
配を５０〜２００℃／ｃｍとすることができ、抵抗加熱
炉を使用する四ホウ酸リチウム単結晶の育成が可能とな
った。
【０００８】図２は本願の一実施例と従来例の温度勾配
を比較したグラフであり、従来例はｂ＝０であり、本実
施例ではｂ＝０．１５ａとしたものである。図２は、本
願の方が従来例より融液面近傍における結晶の温度勾配
を大きくすることができることを示している。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、従来高周波加熱炉を使用しな
ければ育成できなかった四ホウ酸リチウム単結晶でも抵
抗加熱炉により育成が可能となるので、四ホウ酸リチウ
ム単結晶育成の低コスト化に優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の断面の説明図である。
【図２】本発明の作用効果を示す従来例との比較グラフ
である。
【符号の説明】
１ ヒータ ２ 融液 ３ ルツボ ａ 炉の内径 ｂ 離間距離
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−80393（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−46993（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−11897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−30795（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 抵抗加熱手段を用いた、チョクラスルキ
    ー法による四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉において、 該抵抗加熱手段をルツボ上端直上で上下に分割すると共
    に、該上下加熱手段間に、抜熱用離間距離ｂを設けたこ
    とを特徴とする四ホウ酸リチウム単結晶の育成炉。但
    し、ａを下炉の内径とした場合、ｂ＝（０．０５〜０．
    ２５）×ａとする。
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