JP3163703U - Semiconductor light source - Google Patents
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Abstract
【課題】広範囲に照射可能な半導体発光素子からなる光源を提供する。【解決手段】半導体光源100は、内部に金属配線を持ち、複数の異なる方向を向いた側面を有する台座11と、前記台座の複数の側面にフリップチップ実装される複数の半導体発光素子10と、前記半導体発光素子を覆い、前記台座の複数の側面上に平行に形成される封止部材12と、前記半導体発光素子の実装された位置より下側、かつ、前記封止部材の表面に、前記台座と異なる材質を有する反射部材13と、を備える。【選択図】図2A light source including a semiconductor light emitting element capable of irradiating a wide range is provided. A semiconductor light source includes a pedestal having metal wiring therein and having a plurality of side surfaces facing different directions, and a plurality of semiconductor light emitting elements that are flip-chip mounted on the plurality of side surfaces of the pedestal. The sealing member 12 that covers the semiconductor light emitting element and is formed in parallel on a plurality of side surfaces of the pedestal, and below the position where the semiconductor light emitting element is mounted, and on the surface of the sealing member, And a reflecting member 13 having a material different from that of the base. [Selection] Figure 2
Description
本考案は、半導体光源に関するものであり、特に、台座に実装された半導体発光素子を有する半導体光源に関する。 The present invention relates to a semiconductor light source, and more particularly to a semiconductor light source having a semiconductor light emitting element mounted on a pedestal.
半導体光源装置として、半導体発光素子が実装基板に平面状に複数配設され、半導体発光素子の配設面から所定の距離を隔てた位置に、半導体発光素子から放射される光を波長変換する蛍光部材を設けた波長変換カバーを備える構造が知られている(例えば、特許文献1参照)。半導体発光素子を複数配設することにより発光強度は大きくなる。さらに、波長変換カバーによって、半導体発光素子単体では発光させることが困難な色や、微妙な色相の光を発光させることができる。 As a semiconductor light source device, a plurality of semiconductor light emitting elements are arranged in a planar shape on a mounting substrate, and fluorescence that converts the wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting element at a predetermined distance from the surface of the semiconductor light emitting element. A structure including a wavelength conversion cover provided with a member is known (for example, see Patent Document 1). By providing a plurality of semiconductor light emitting elements, the emission intensity is increased. Furthermore, the wavelength conversion cover can emit light of a color that is difficult to emit light alone or a subtle hue.
しかしながら、半導体発光素子は実装面に対して鉛直方向へは高い配光特性を示すが、半導体発光素子の側面方向への配光特性は低く、光出力が小さい。そのため、実装基板に平面状に配設された従来の半導体光源においては照射方向が限定され、電球などのように広範囲に照射することができない。 However, although the semiconductor light emitting element exhibits high light distribution characteristics in the vertical direction with respect to the mounting surface, the light distribution characteristics in the side surface direction of the semiconductor light emitting elements are low and the light output is small. Therefore, the irradiation direction is limited in the conventional semiconductor light source arranged on the mounting substrate in a planar shape, and it cannot be irradiated over a wide range like a light bulb.
そこで、本考案はかかる事情に鑑みてなされたものであり、広範囲に照射可能な半導体発光素子からなる光源を提供することを課題とする。 Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a light source composed of a semiconductor light emitting element that can irradiate a wide range.
本考案によれば、前記課題は次の手段により解決される。 According to the present invention, the above problem is solved by the following means.
本考案の半導体光源は、内部に金属配線を持ち、複数の異なる方向を向いた側面を有する台座と、前記台座の複数の側面にフリップチップ実装される複数の半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆い、前記台座の複数の側面上に平行に形成される封止部材と、前記半導体発光素子の実装された位置より下側、かつ、前記封止部材の表面に、前記台座と異なる材質を有する反射部材と、を備える。
これにより、発光強度を大きくするとともに、広範囲の方向へ光を放射することができる。さらに、半導体発光素子を平面状に配設するよりも小さい空間に半導体発光素子を配置することができ、半導体光源の小型化が可能となる。
A semiconductor light source of the present invention includes a pedestal having metal wiring inside and having a plurality of side faces facing different directions, a plurality of semiconductor light emitting elements mounted on a plurality of side faces of the pedestal, and the semiconductor light emitting elements A sealing member formed in parallel on a plurality of side surfaces of the pedestal, and a material different from the pedestal on the lower side of the mounting position of the semiconductor light emitting element and on the surface of the sealing member And a reflective member.
As a result, the emission intensity can be increased and light can be emitted in a wide range of directions. Furthermore, the semiconductor light-emitting element can be arranged in a space smaller than that in which the semiconductor light-emitting element is arranged in a planar shape, and the semiconductor light source can be downsized.
また、前記台座は、正極又は負極の配線を構成する金属材料からなり、前記台座と前記金属配線の間に絶縁層を備えることが好ましい。
これにより、台座自体が配線の役割を有し、新たな配線材料が不要となる。また、台座が金属材料からなるため放熱性に優れるとともに、半導体発光素子からの光を反射してより広範囲の方向へ光を放射することができる。
Moreover, it is preferable that the said base consists of a metal material which comprises the wiring of a positive electrode or a negative electrode, and is provided with an insulating layer between the said base and the said metal wiring.
As a result, the pedestal itself has the role of wiring, and no new wiring material is required. Further, since the pedestal is made of a metal material, the heat dissipation is excellent, and light from the semiconductor light emitting element can be reflected to emit light in a wider range.
また、前記台座は、表面に凹凸を有することが好ましい。
これにより、半導体発光素子の発光により発生した熱を効率良く放射させることができる。
Moreover, it is preferable that the said base has an unevenness | corrugation on the surface.
Thereby, the heat generated by the light emission of the semiconductor light emitting element can be radiated efficiently.
また、前記半導体光源が、複数備えられている発光装置とすることが好ましい。
これにより、光を広範囲の方向へ放射可能で、小型化した発光装置とすることができる。
Moreover, it is preferable that the semiconductor light source is a light emitting device provided with a plurality.
Thus, a light emitting device that can emit light in a wide range of directions and can be downsized can be obtained.
本考案の半導体光源によれば、広範囲に照射可能な半導体発光素子からなる光源を提供することができる。 According to the semiconductor light source of the present invention, it is possible to provide a light source including a semiconductor light emitting element that can irradiate a wide range.
<第一の実施形態>
第一の実施形態について図面を用いて詳述する。図1は、第一の実施形態に係る半導体光源を示す概略斜視図である。図2は、第一の実施形態に係る半導体光源の封止部材の内部を示す概略斜視図である。図3は、第一の実施形態に係る半導体光源の封止部材の内部を示す概略上面図である。図4は、第一の実施形態に係る半導体光源の台座の内部を示す概略斜視図であり、半導体発光素子、封止部材、反射部材を省略している。
<First embodiment>
The first embodiment will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view showing a semiconductor light source according to the first embodiment. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the inside of the sealing member of the semiconductor light source according to the first embodiment. FIG. 3 is a schematic top view showing the inside of the sealing member of the semiconductor light source according to the first embodiment. FIG. 4 is a schematic perspective view showing the inside of the base of the semiconductor light source according to the first embodiment, in which the semiconductor light emitting element, the sealing member, and the reflecting member are omitted.
第一の実施形態に係る半導体光源100は、半導体発光素子10と、貫通孔14を内部に備える台座11と、封止部材12と、反射部材13と、を少なくとも有する。
台座11は複数の異なる方向を向いた側面を有するAlNやセラミックス等の高熱伝導材料からなり、側面には半導体発光素子10を載置・導通させるための電極(図示せず)を具備する。また、台座11の内部に貫通孔14を有し、半導体発光素子10に通電するための金属配線(図示せず)が貫通孔14を通して台座11の側面の電極と接続される。台座11の側面には複数の半導体発光素子10が多方面を向くように、金属などの導電バンプを介して電極部分と接続されるようフリップチップ実装される。台座11の上面に電極を設けて半導体発光素子10を実装することもでき、側面の一つ又は上面に複数の半導体発光素子10を実装してもよい。半導体発光素子10は封止部材12で覆われ、且つ封止部材12は半導体発光素子10が実装された台座11の複数の側面や上面上にも平行して形成される。特許請求の範囲及び明細書に記載されている「平行」とは、寸分違わずに平行という意味ではなく、外見上、おおよそ平行と思われる程度を意味する。例えば、台座11の側面と封止部材12の表面との角度が10度以内であればよい。また、封止部材12の表面に凹凸があっても構わない。封止部材12に、半導体発光素子10の光を波長変換可能な蛍光体や拡散剤等を含有させてもよい。さらに、半導体発光素子10が実装された位置より下側の封止部材12の表面には台座11と異なる材質の反射部材13が設けられ、反射部材13は台座11にも接している。反射部材13としてAl、Au等の金属、若しくはフィラー、拡散剤、蛍光体、反射性物質等を含有する樹脂成形体を使用することができる。
The
The
これにより、半導体発光素子10の発光による発熱はバンプを介して台座11へ放射される。また、半導体発光素子10の実装位置よりも下側に反射部材13を有するため、下方向すなわち台座11の設置面方向へ抜ける光を抑制する。さらに、複数の半導体発光素子10が、平面状に配設されるよりも小さい空間で配設でき、多方面へ光放射することが可能である。したがって、放熱性に優れ、発光強度が向上するとともに広範囲へ照射することができ、且つ半導体光源の小型化が可能である。
Thereby, the heat generated by the light emission of the semiconductor
<第二の実施形態>
次に、第二の実施形態に係る半導体光源について説明する。図5は、第二の実施形態に係る半導体光源の台座の内部を示す概略斜視図である。第二の実施形態に係る半導体光源は、台座11が正極又は負極の配線を構成する金属材料からなり、貫通孔14内の金属配線と台座11との間に絶縁層15を有する以外は、第一の実施形態と実質的に同様である。
<Second Embodiment>
Next, a semiconductor light source according to the second embodiment will be described. FIG. 5 is a schematic perspective view showing the inside of the base of the semiconductor light source according to the second embodiment. The semiconductor light source according to the second embodiment is the same as the semiconductor light source except that the
第二の実施形態に係る半導体光源は、台座11が金属材料からなるため、台座11自体が電極の役割を併せ持つ。したがって、台座11の側面は電極が不要となる。また、貫通孔14内の金属配線と台座11は絶縁層15で電気的に絶縁される。
これにより、台座11は放熱性に優れるとともに、半導体発光素子10からの発光が台座11で反射されることができる。
In the semiconductor light source according to the second embodiment, since the
Thereby, the
<第三の実施形態>
次に、第三の実施形態に係る半導体光源について説明する。図6は、第三の実施形態に係る半導体光源を示す概略斜視図である。第三の実施形態に係る半導体光源は、台座11の形状が異なる以外は、第一又は第二の実施形態と実質的に同様である。
<Third embodiment>
Next, a semiconductor light source according to the third embodiment will be described. FIG. 6 is a schematic perspective view showing a semiconductor light source according to the third embodiment. The semiconductor light source according to the third embodiment is substantially the same as the first or second embodiment except that the shape of the
第三の実施形態に係る半導体光源は、台座11が、表面に凹凸を有する。
これにより、半導体発光素子10の発光により発した熱を、効率よく放射させることが出来る。
As for the semiconductor light source which concerns on 3rd embodiment, the
Thereby, the heat generated by the light emission of the semiconductor
<第四の実施形態>
次に、第四の実施形態に係る半導体光源について説明する。図7は、第四の実施形態に係る半導体光源の概略斜視図である。第四の実施形態に係る半導体光源は、第一乃至第三の実施形態に係る半導体光源100を複数個配列させており、後述する説明のため封止部材12と反射部材13と貫通孔14を省略している。
<Fourth embodiment>
Next, a semiconductor light source according to the fourth embodiment will be described. FIG. 7 is a schematic perspective view of a semiconductor light source according to the fourth embodiment. In the semiconductor light source according to the fourth embodiment, a plurality of
半導体光源100を複数個配列する場合、隣り合う半導体光源100について、半導体発光素子10は各々向かい合わないように台座11に実装する。
これにより、台座11に実装された全ての半導体発光素子10は発光面側に光を遮るものがないため、半導体発光素子10の発光を効率良く利用することができる。
When a plurality of
Thereby, since all the semiconductor
<第五の実施形態>
次に、第五の実施形態に係る発光装置について説明する。図8は、第五の実施形態に係る発光装置を示す概略斜視図である。図9は、第五の実施形態に係る発光装置を示し、図8のA−A’での概略断面図である。
<Fifth embodiment>
Next, a light emitting device according to a fifth embodiment will be described. FIG. 8 is a schematic perspective view showing a light emitting device according to the fifth embodiment. FIG. 9 shows a light emitting device according to the fifth embodiment, and is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
第五の実施形態に係る発光装置200は、半導体光源100と、透光性カバー101と、半導体光源実装基板102と、収納部材103と、口金104と、を少なくとも有する。
半導体光源実装基板102に複数の半導体光源100が実装される。第五の実施形態に係る発光装置200において、半導体光源100は第一乃至第三の実施形態と実質的に同様であり、半導体発光素子10の実装形態は第四の実施形態と実質的に同様である。各々の半導体光源100の内部は金属配線を具備し、金属配線は半導体光源実装基板102を貫通して収納部材103で収納される。収納部材103を介して、電源が給電される口金104を備え、収納部材103の大径開口部に半球状の透光性カバー101を配置する。透光性カバー101として、ガラスや、シリコーン樹脂を圧縮成型したキャスティングケース等を使用することができる。透光性カバー101の内部や内外表面には蛍光体、フィラー、拡散剤等を具備することも可能である。
The
A plurality of
これにより、放熱性に優れ、発光強度が大きく、広範囲へ照射可能な発光装置を得ることができる。また、外部から埃などが半導体光源100に付着するのを防止することができるとともに、半導体光源100に直接触れることがないため、ユーザーにとって感電の恐れもない。
As a result, a light-emitting device that has excellent heat dissipation, high emission intensity, and can be irradiated over a wide range can be obtained. Further, dust and the like can be prevented from adhering to the
実施例の発光装置として、図8及び図9に基づいて説明する。図8は、第五の実施形態に係る発光装置を示す概略斜視図である。図9は、第五の実施形態に係る発光装置を示し、図8のA−A’での概略断面図である。 The light emitting device of the embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic perspective view showing a light emitting device according to the fifth embodiment. FIG. 9 shows a light emitting device according to the fifth embodiment, and is a schematic sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 8.
実施例の発光装置200は、半導体発光素子10と、貫通孔14を内部に備える台座11と、封止部材12と、反射部材13と、を備える半導体光源100を有し、また、透光性カバー101と、半導体光源実装基板102と、収納部材103と、口金104と、を有する。
The
実施例の半導体発光素子10は、平面視形状が略正方形の素子であり、GaN系半導体層積層構造からなる。この半導体発光素子10がAlNからなる台座11の側面と上面に複数個フリップチップ実装され、半導体発光素子10の発光を波長変換する蛍光体を含有する封止部材12で封止される。封止部材12は半導体発光素子10を覆い、台座11の複数の側面と上面上にも平行して形成される。さらに、半導体発光素子10が実装された位置より下側の封止部材12の表面には反射部材13としてTiO2を混合したシリコーン樹脂を配置し、半導体光源100とする。
The semiconductor
半導体光源100は台座11の内部に金属配線を有し、半導体光源実装基板102に配設される。金属配線は半導体光源実装基板102を貫通して収納部材103に収納される。収納部材103を介して、電源が給電される口金104を備え、収納部材103の大径開口部に透光性カバー101として、シリコーン樹脂を圧縮成型した半球状のキャスティングケースを配置する。
The
本考案の半導体光源及び発光装置は、一般照明等に好適に利用することができる。 The semiconductor light source and the light emitting device of the present invention can be suitably used for general illumination or the like.
10 半導体発光素子
11 台座
12 封止部材
13 反射部材
14 貫通孔
15 絶縁層
100 半導体光源
101 透光性カバー
102 半導体光源実装基板
103 収納部材(ハウジング)
104 口金
200 発光装置
DESCRIPTION OF
104
Claims (4)
前記台座の複数の側面にフリップチップ実装される複数の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆い、前記台座の複数の側面上に平行に形成される封止部材と、
前記半導体発光素子の実装された位置より下側、かつ、前記封止部材の表面に、前記台座と異なる材質を有する反射部材と、
を備えることを特徴とする半導体光源。 A pedestal having metal wiring inside and having side surfaces facing different directions;
A plurality of semiconductor light emitting elements flip-chip mounted on a plurality of side surfaces of the pedestal;
A sealing member that covers the semiconductor light emitting element and is formed in parallel on a plurality of side surfaces of the pedestal;
A reflective member having a material different from that of the pedestal on the lower side of the position where the semiconductor light emitting element is mounted and on the surface of the sealing member;
A semiconductor light source comprising:
前記台座と前記金属配線の間に絶縁層を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体光源。 The pedestal is made of a metal material constituting the positive or negative wiring,
The semiconductor light source according to claim 1, further comprising an insulating layer between the pedestal and the metal wiring.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010005468U JP3163703U (en) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Semiconductor light source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010005468U JP3163703U (en) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Semiconductor light source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP3163703U true JP3163703U (en) | 2010-10-28 |
Family
ID=54875182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010005468U Expired - Lifetime JP3163703U (en) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Semiconductor light source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3163703U (en) |
-
2010
- 2010-08-16 JP JP2010005468U patent/JP3163703U/en not_active Expired - Lifetime
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