JP3161399B2 - 磁気再生装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の磁気再生装置に関し、特に、磁気抵抗効果素子を磁
気記録媒体に対向させて情報を読み取る形式の磁気再生
装置に関する。
等の磁気再生装置に関し、特に、磁気抵抗効果素子を磁
気記録媒体に対向させて情報を読み取る形式の磁気再生
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置には、磁気抵抗効果を
利用し、媒体相対速度に依存せずに大きな再生出力を得
ることができる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを備えたもの
がある。この磁気ディスク装置では、磁気ディスクが回
転すると、スライダがディスク面に対して浮上し、キャ
リッジの回動によって再生ヘッドが磁気ディスクの所要
の位置に移動し、再生ヘッド内の磁気抵抗効果素子を介
して磁気ディスクから情報を読み取る。つまり、一定の
センス電流が供給される磁気抵抗効果素子を磁気ディス
クに対向させると、磁気ディスク側の磁界（媒体磁界）
の変化、即ち磁化方向の変化により素子抵抗が変化す
る。このため、磁化方向の変化を素子両端の電圧変化に
変換し、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率に対応した再生
出力電圧を得ることにより、磁気ディスクに記録された
情報を再生出力電圧に基づいて再生することができる。
利用し、媒体相対速度に依存せずに大きな再生出力を得
ることができる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを備えたもの
がある。この磁気ディスク装置では、磁気ディスクが回
転すると、スライダがディスク面に対して浮上し、キャ
リッジの回動によって再生ヘッドが磁気ディスクの所要
の位置に移動し、再生ヘッド内の磁気抵抗効果素子を介
して磁気ディスクから情報を読み取る。つまり、一定の
センス電流が供給される磁気抵抗効果素子を磁気ディス
クに対向させると、磁気ディスク側の磁界（媒体磁界）
の変化、即ち磁化方向の変化により素子抵抗が変化す
る。このため、磁化方向の変化を素子両端の電圧変化に
変換し、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率に対応した再生
出力電圧を得ることにより、磁気ディスクに記録された
情報を再生出力電圧に基づいて再生することができる。
【０００３】上記再生方式では、再生ヘッドのディスク
対向面と磁気ディスクとの間の距離を可能な限り小さく
し、磁気抵抗効果素子が感知できる磁界を増大して再生
出力を高めるため、以下のような問題が顕在化する。す
なわち、磁気ディスク装置では、磁気抵抗効果素子又は
この素子以外のヘッド部分が磁気ディスクに接触して摩
擦熱が生じたとき、この熱を受けた磁気抵抗効果素子は
温度変化によりその抵抗値が変化する。この場合に、磁
化方向の変化による正規の電圧変化と共に、温度変化に
よる電圧変化も再生出力電圧の変化値に重畳される。
対向面と磁気ディスクとの間の距離を可能な限り小さく
し、磁気抵抗効果素子が感知できる磁界を増大して再生
出力を高めるため、以下のような問題が顕在化する。す
なわち、磁気ディスク装置では、磁気抵抗効果素子又は
この素子以外のヘッド部分が磁気ディスクに接触して摩
擦熱が生じたとき、この熱を受けた磁気抵抗効果素子は
温度変化によりその抵抗値が変化する。この場合に、磁
化方向の変化による正規の電圧変化と共に、温度変化に
よる電圧変化も再生出力電圧の変化値に重畳される。
【０００４】また、磁気抵抗効果素子と磁気ディスクと
が接触した際に、双方が相互に導通し、磁気抵抗効果素
子に供給されるセンス電流が磁気ディスク側に一時的に
分流することがある。この場合に、磁気抵抗効果素子の
両端電圧が変化しこの電圧変化が再生電圧の変化値に重
畳されるため、再生出力に異常波形が生じる。これによ
り、再生エラーを起こす頻度が増え、状況によっては再
生が不能になる等、装置の信頼性を損なうことがある。
が接触した際に、双方が相互に導通し、磁気抵抗効果素
子に供給されるセンス電流が磁気ディスク側に一時的に
分流することがある。この場合に、磁気抵抗効果素子の
両端電圧が変化しこの電圧変化が再生電圧の変化値に重
畳されるため、再生出力に異常波形が生じる。これによ
り、再生エラーを起こす頻度が増え、状況によっては再
生が不能になる等、装置の信頼性を損なうことがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、磁気抵
抗効果素子と磁気ディスクとが接触したときに生じる異
常波形の主な要因は、温度変化によるものとセンス電流
の分流によるものとがある。温度変化による要因は、微
小な突起等を無くして磁気ディスク表面を平滑化し、磁
気抵抗効果素子との摩擦状態を緩和することによって抑
制することが可能である。
抗効果素子と磁気ディスクとが接触したときに生じる異
常波形の主な要因は、温度変化によるものとセンス電流
の分流によるものとがある。温度変化による要因は、微
小な突起等を無くして磁気ディスク表面を平滑化し、磁
気抵抗効果素子との摩擦状態を緩和することによって抑
制することが可能である。
【０００６】しかし、センス電流の分流による要因に関
しての有効な対処手段は特に提案されていない。例え
ば、磁気抵抗効果素子の磁気ディスクに対向する部分に
は、摩耗に対処する保護層が形成されており、磁気抵抗
効果素子はこの保護層により電気的にもある程度絶縁さ
れる。しかし、保護層が薄い場合や摩耗によって十分な
絶縁が得られなくなった場合には、磁気抵抗効果素子か
ら磁気ディスクにセンス電流が分流し、結果的に異常波
形を生じる。
しての有効な対処手段は特に提案されていない。例え
ば、磁気抵抗効果素子の磁気ディスクに対向する部分に
は、摩耗に対処する保護層が形成されており、磁気抵抗
効果素子はこの保護層により電気的にもある程度絶縁さ
れる。しかし、保護層が薄い場合や摩耗によって十分な
絶縁が得られなくなった場合には、磁気抵抗効果素子か
ら磁気ディスクにセンス電流が分流し、結果的に異常波
形を生じる。
【０００７】本発明は、上記に鑑み、磁気抵抗効果素子
と磁気記録媒体とが接触した場合にセンス電流が磁気記
録媒体側に分流する現象を抑止することにより、再生出
力に異常波形が生じる不具合を防止できる磁気再生装置
を提供することを目的とする。
と磁気記録媒体とが接触した場合にセンス電流が磁気記
録媒体側に分流する現象を抑止することにより、再生出
力に異常波形が生じる不具合を防止できる磁気再生装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、該磁気
記録媒体に対向する磁気抵抗効果素子とを有し、前記磁
気記録媒体に記録された情報を前記磁気抵抗効果素子を
介して再生する磁気再生装置において、前記磁気抵抗効
果素子の表面抵抗率をρｓ、前記磁気記録媒体の表面抵
抗率をρｓ’、前記磁気記録媒体の媒体磁界による抵抗
変化率をＰとするとき、前記ρｓ、ρｓ’及びＰが、次
式 ρｓ’＞ρｓ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする。
に、本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、該磁気
記録媒体に対向する磁気抵抗効果素子とを有し、前記磁
気記録媒体に記録された情報を前記磁気抵抗効果素子を
介して再生する磁気再生装置において、前記磁気抵抗効
果素子の表面抵抗率をρｓ、前記磁気記録媒体の表面抵
抗率をρｓ’、前記磁気記録媒体の媒体磁界による抵抗
変化率をＰとするとき、前記ρｓ、ρｓ’及びＰが、次
式 ρｓ’＞ρｓ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする。
【０００９】本発明の磁気ディスク装置では、磁気記録
媒体の絶縁性を高めることにより、磁気抵抗効果素子と
磁気記録媒体との接触時に磁気記録媒体側にセンス電流
が分流することを抑止できる。また、磁気抵抗効果素子
と磁気記録媒体との境界に特に絶縁層等を設ける必要が
ないので、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との間の空
隙を絶縁層等の厚み分だけ狭めることができ、磁気抵抗
効果素子が感知できる磁界を増大して再生出力を高める
ことが可能になる。
媒体の絶縁性を高めることにより、磁気抵抗効果素子と
磁気記録媒体との接触時に磁気記録媒体側にセンス電流
が分流することを抑止できる。また、磁気抵抗効果素子
と磁気記録媒体との境界に特に絶縁層等を設ける必要が
ないので、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との間の空
隙を絶縁層等の厚み分だけ狭めることができ、磁気抵抗
効果素子が感知できる磁界を増大して再生出力を高める
ことが可能になる。
【００１０】ここで、前記磁気抵抗効果素子による再生
トラック幅をＷ、前記磁気記録媒体上の任意の位置にお
ける前記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、前記磁気
抵抗効果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端における電
気抵抗をＲ、前記磁気記録媒体の幅Ｗ’の両端における
電気抵抗をＲ’とするとき、前記Ｒ’、Ｒ及びＰが、次
式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることが好ましい。この場
合、センス電流の分流抑止効果を高めることができる。
トラック幅をＷ、前記磁気記録媒体上の任意の位置にお
ける前記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、前記磁気
抵抗効果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端における電
気抵抗をＲ、前記磁気記録媒体の幅Ｗ’の両端における
電気抵抗をＲ’とするとき、前記Ｒ’、Ｒ及びＰが、次
式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることが好ましい。この場
合、センス電流の分流抑止効果を高めることができる。
【００１１】或いは、上記に代えて、前記磁気記録媒体
の磁性膜と前記磁気抵抗効果素子との接触抵抗をＣＲ1
とするとき、前記Ｒ’、Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 を満たす値に夫々設定されることも好ましい態様であ
る。この態様は、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
間にある程度の絶縁性が存在する場合に有効である。
の磁性膜と前記磁気抵抗効果素子との接触抵抗をＣＲ1
とするとき、前記Ｒ’、Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 を満たす値に夫々設定されることも好ましい態様であ
る。この態様は、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
間にある程度の絶縁性が存在する場合に有効である。
【００１２】また、前記磁気記録媒体の磁性膜上に保護
膜が積層されており、該保護膜の表面抵抗率をρpとす
るとき、前記ρp、ρｓ及びＰが、次式 ρp＞ρｓ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることが好ましい。この場
合、保護膜の絶縁性を高めることにより、センス電流の
分流抑止効果を得ることができる。
膜が積層されており、該保護膜の表面抵抗率をρpとす
るとき、前記ρp、ρｓ及びＰが、次式 ρp＞ρｓ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることが好ましい。この場
合、保護膜の絶縁性を高めることにより、センス電流の
分流抑止効果を得ることができる。
【００１３】更に好ましくは、前記磁気抵抗効果素子に
よる再生トラック幅をＷ、前記保護膜上の任意の位置に
おける前記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ”、前記磁
気抵抗効果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端における
電気抵抗をＲ、前記保護膜上の幅Ｗ”の両端における電
気抵抗をＲ”とするとき、Ｒ”、Ｒ及びＰが、次式 Ｒ”＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定される。この場合、センス電流の
分流抑止効果を高めることができる。
よる再生トラック幅をＷ、前記保護膜上の任意の位置に
おける前記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ”、前記磁
気抵抗効果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端における
電気抵抗をＲ、前記保護膜上の幅Ｗ”の両端における電
気抵抗をＲ”とするとき、Ｒ”、Ｒ及びＰが、次式 Ｒ”＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定される。この場合、センス電流の
分流抑止効果を高めることができる。
【００１４】或いは、上記に代えて、前記保護膜と前記
磁気抵抗効果素子との接触抵抗をＣＲ2とするとき、前
記Ｒ”、Ｒ、Ｐ及びＣＲ2が、次式 Ｒ”＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ2 を満たす値に夫々設定されることも好ましい態様であ
る。この態様は、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
間に、保護膜以外の絶縁効果が期待できる場合に有効で
ある。
磁気抵抗効果素子との接触抵抗をＣＲ2とするとき、前
記Ｒ”、Ｒ、Ｐ及びＣＲ2が、次式 Ｒ”＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ2 を満たす値に夫々設定されることも好ましい態様であ
る。この態様は、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
間に、保護膜以外の絶縁効果が期待できる場合に有効で
ある。
【００１５】本発明の磁気再生装置は、別の態様による
と、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対向する磁気抵
抗効果素子とを有し、前記磁気記録媒体に記録された情
報を前記磁気抵抗効果素子を介して再生する磁気再生装
置において、前記磁気抵抗効果素子の体積抵抗率をρ
ｖ、前記磁気記録媒体の体積抵抗率をρｖ’、前記磁気
記録媒体の媒体磁界による抵抗変化率をＰとするとき、
前記ρｖ’、ρｖ及びＰが、次式 ρｖ’＞ρｖ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする。
と、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対向する磁気抵
抗効果素子とを有し、前記磁気記録媒体に記録された情
報を前記磁気抵抗効果素子を介して再生する磁気再生装
置において、前記磁気抵抗効果素子の体積抵抗率をρ
ｖ、前記磁気記録媒体の体積抵抗率をρｖ’、前記磁気
記録媒体の媒体磁界による抵抗変化率をＰとするとき、
前記ρｖ’、ρｖ及びＰが、次式 ρｖ’＞ρｖ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする。
【００１６】上記構成によっても、磁気記録媒体に対す
る絶縁性を高め、センス電流の分流抑止効果を得ること
ができると共に、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
境界の絶縁層等を不要にし、磁気抵抗効果素子が感知で
きる磁界を増大させることが可能になる。
る絶縁性を高め、センス電流の分流抑止効果を得ること
ができると共に、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
境界の絶縁層等を不要にし、磁気抵抗効果素子が感知で
きる磁界を増大させることが可能になる。
【００１７】好ましくは、前記磁気抵抗効果素子による
再生トラック幅をＷ、前記磁気記録媒体上の任意の位置
における前記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、前記
磁気抵抗効果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端におけ
る電気抵抗をＲ、前記磁気記録媒体の幅Ｗ’の両端にお
ける電気抵抗をＲ’とするとき、前記Ｒ’、Ｒ及びＰ
が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定される。この場合、センス電流の
分流抑止効果を高めることができる。
再生トラック幅をＷ、前記磁気記録媒体上の任意の位置
における前記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、前記
磁気抵抗効果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端におけ
る電気抵抗をＲ、前記磁気記録媒体の幅Ｗ’の両端にお
ける電気抵抗をＲ’とするとき、前記Ｒ’、Ｒ及びＰ
が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定される。この場合、センス電流の
分流抑止効果を高めることができる。
【００１８】或いは、上記に代えて、前記磁気記録媒体
の磁性膜と前記磁気抵抗効果素子との接触抵抗をＣＲ1
とするとき、前記Ｒ’、Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 を満たす値に夫々設定されることも好ましい態様であ
る。この態様は、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
間に、保護膜以外の絶縁効果が期待できる場合に有効で
ある。
の磁性膜と前記磁気抵抗効果素子との接触抵抗をＣＲ1
とするとき、前記Ｒ’、Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 を満たす値に夫々設定されることも好ましい態様であ
る。この態様は、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体との
間に、保護膜以外の絶縁効果が期待できる場合に有効で
ある。
【００１９】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明を更に詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施形態例に係る磁気
ディスク装置（磁気再生装置）の要部を示す斜視図であ
る。磁気ディスク装置は、図示しない装置本体に軸Ａで
回転自在に支持された磁気ディスク（磁気記録媒体）１
１と、磁気ディスク１１の略半径方向に移動して記録面
から情報を読み出す再生ヘッド１２とを備える。磁気デ
ィスク装置は更に、取付けアーム１３とキャリッジ１４
とから成るアクチュエータ１５と、再生ヘッド１２を支
持するスライダ１６と、取付けアーム１３の先端に固定
され再生ヘッド１２及びスライダ１６を支持するサスペ
ンション１７とを備える。
に説明する。図１は、本発明の一実施形態例に係る磁気
ディスク装置（磁気再生装置）の要部を示す斜視図であ
る。磁気ディスク装置は、図示しない装置本体に軸Ａで
回転自在に支持された磁気ディスク（磁気記録媒体）１
１と、磁気ディスク１１の略半径方向に移動して記録面
から情報を読み出す再生ヘッド１２とを備える。磁気デ
ィスク装置は更に、取付けアーム１３とキャリッジ１４
とから成るアクチュエータ１５と、再生ヘッド１２を支
持するスライダ１６と、取付けアーム１３の先端に固定
され再生ヘッド１２及びスライダ１６を支持するサスペ
ンション１７とを備える。
【００２０】本磁気ディスク装置では、磁気ディスク１
１が回転すると、スライダ１６がディスク面に対して僅
かに浮上し、キャリッジ１７の回動によって再生ヘッド
１２が磁気ディスク１１の所要の位置に移動する。これ
により、磁気ディスク１１の記録面から再生ヘッド１２
を介して情報が読み取られる。
１が回転すると、スライダ１６がディスク面に対して僅
かに浮上し、キャリッジ１７の回動によって再生ヘッド
１２が磁気ディスク１１の所要の位置に移動する。これ
により、磁気ディスク１１の記録面から再生ヘッド１２
を介して情報が読み取られる。
【００２１】図２は、再生ヘッド１２の要部を模式的に
示す断面図である。再生ヘッド１２は、スライダ１６上
に薄膜形成プロセスを用いて形成されたもので、スライ
ダ１６側から、絶縁層１８、下部磁気シールド層１９、
絶縁層２０、上部磁気シールド層２１及び絶縁層２２を
この順に備える。下部磁気シールド層１９と上部磁気シ
ールド層２１との間には、磁気ディスク１１に対向する
対向面１２ａ側に磁気抵抗効果素子２３が形成される。
磁気抵抗効果素子２３には、図示しないリードパターン
が接続されており、このリードパターンは、磁気抵抗効
果素子２３にセンス電流を供給し、磁気抵抗効果素子２
３の抵抗変化率に対応した再生出力電圧を再生部（図示
せず）に出力する。
示す断面図である。再生ヘッド１２は、スライダ１６上
に薄膜形成プロセスを用いて形成されたもので、スライ
ダ１６側から、絶縁層１８、下部磁気シールド層１９、
絶縁層２０、上部磁気シールド層２１及び絶縁層２２を
この順に備える。下部磁気シールド層１９と上部磁気シ
ールド層２１との間には、磁気ディスク１１に対向する
対向面１２ａ側に磁気抵抗効果素子２３が形成される。
磁気抵抗効果素子２３には、図示しないリードパターン
が接続されており、このリードパターンは、磁気抵抗効
果素子２３にセンス電流を供給し、磁気抵抗効果素子２
３の抵抗変化率に対応した再生出力電圧を再生部（図示
せず）に出力する。
【００２２】ここで、磁気抵抗効果素子２３及び磁気デ
ィスク１１双方の電気抵抗の設定によって異常波形の発
生を抑制する原理を説明する。図３は、センス電流の分
流を説明するための等価回路図である。磁気抵抗効果素
子２３による再生トラック幅（図２の紙面手前〜奥方
向）をＷ、磁気ディスク１１上の任意の位置における再
生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、磁気抵抗効果素子２
３の再生トラック幅Ｗの両端における電気抵抗をＲ、磁
気ディスク１１上の任意の位置の幅Ｗ’の両端における
電気抵抗をＲ’とする。この際に、磁気抵抗効果素子２
３と磁気ディスク１１とが完全に接触したとき、磁気抵
抗効果素子２３の電気抵抗Ｒに加え、並列抵抗としての
電気抵抗Ｒ’が生じたことになる。
ィスク１１双方の電気抵抗の設定によって異常波形の発
生を抑制する原理を説明する。図３は、センス電流の分
流を説明するための等価回路図である。磁気抵抗効果素
子２３による再生トラック幅（図２の紙面手前〜奥方
向）をＷ、磁気ディスク１１上の任意の位置における再
生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、磁気抵抗効果素子２
３の再生トラック幅Ｗの両端における電気抵抗をＲ、磁
気ディスク１１上の任意の位置の幅Ｗ’の両端における
電気抵抗をＲ’とする。この際に、磁気抵抗効果素子２
３と磁気ディスク１１とが完全に接触したとき、磁気抵
抗効果素子２３の電気抵抗Ｒに加え、並列抵抗としての
電気抵抗Ｒ’が生じたことになる。
【００２３】上記の場合に、磁気抵抗効果素子２３に供
給されるセンス電流の減少分はＩＲ／（Ｒ＋Ｒ’）にな
り、電気抵抗Ｒ’が生じたことによる磁気抵抗効果素子
２３の両端の電圧変化分はＩＲ2／（Ｒ＋Ｒ’）にな
る。これはベースライン変動と呼ばれ、媒体磁界による
磁気抵抗効果素子２３の電圧変化（信号振幅）に比較し
てベースライン変動幅が無視できる程度に小さければ、
再生時のエラー発生の確率が小さくなる。センス電流の
減少分は、磁気ディスク１１の無信号部を再生した場合
においても、最大で上記電圧変化分が生じる。
給されるセンス電流の減少分はＩＲ／（Ｒ＋Ｒ’）にな
り、電気抵抗Ｒ’が生じたことによる磁気抵抗効果素子
２３の両端の電圧変化分はＩＲ2／（Ｒ＋Ｒ’）にな
る。これはベースライン変動と呼ばれ、媒体磁界による
磁気抵抗効果素子２３の電圧変化（信号振幅）に比較し
てベースライン変動幅が無視できる程度に小さければ、
再生時のエラー発生の確率が小さくなる。センス電流の
減少分は、磁気ディスク１１の無信号部を再生した場合
においても、最大で上記電圧変化分が生じる。
【００２４】すなわち、磁気抵抗効果素子２３の電気抵
抗Ｒ、媒体磁界による抵抗変化量ΔＲ、及びセンス電流
Ｉが定まっている場合に、次式 Ｉ×ΔＲ ≫ ＩＲ2／（Ｒ＋Ｒ’） …… の関係を満足する値の電気抵抗Ｒ’を有する磁気ディス
ク１１を用いれば、センス電流が磁気ディスク１１に分
流する不具合を抑止することが可能になる。上記式
は、整理すると次式 Ｒ’≫ Ｒ（Ｒ−ΔＲ）／ΔＲ …… として表すことができる。また、抵抗変化量ΔＲが電気
抵抗Ｒに比較して小さいことを考慮すると、上記式
は、次式 Ｒ’≫ Ｒ2／ΔＲ …… で表すことができる。更に、一般に用いられる抵抗変化
率Ｐ（＝ΔＲ／Ｒ）を適用すると、上記式は、次式 Ｒ’≫ Ｒ／Ｐ …… で表すことができる。従って、磁気ディスク１１が、磁
気抵抗効果素子２３の電気抵抗Ｒを媒体磁界による抵抗
変化率Ｐで除した値より十分に大きな電気抵抗を有する
場合に、磁気ディスク１１にセンス電流が分流する不具
合が抑止できる。
抗Ｒ、媒体磁界による抵抗変化量ΔＲ、及びセンス電流
Ｉが定まっている場合に、次式 Ｉ×ΔＲ ≫ ＩＲ2／（Ｒ＋Ｒ’） …… の関係を満足する値の電気抵抗Ｒ’を有する磁気ディス
ク１１を用いれば、センス電流が磁気ディスク１１に分
流する不具合を抑止することが可能になる。上記式
は、整理すると次式 Ｒ’≫ Ｒ（Ｒ−ΔＲ）／ΔＲ …… として表すことができる。また、抵抗変化量ΔＲが電気
抵抗Ｒに比較して小さいことを考慮すると、上記式
は、次式 Ｒ’≫ Ｒ2／ΔＲ …… で表すことができる。更に、一般に用いられる抵抗変化
率Ｐ（＝ΔＲ／Ｒ）を適用すると、上記式は、次式 Ｒ’≫ Ｒ／Ｐ …… で表すことができる。従って、磁気ディスク１１が、磁
気抵抗効果素子２３の電気抵抗Ｒを媒体磁界による抵抗
変化率Ｐで除した値より十分に大きな電気抵抗を有する
場合に、磁気ディスク１１にセンス電流が分流する不具
合が抑止できる。
【００２５】上記関係は、許容されるベースライン変動
幅の信号振幅に対する比Ｆによって厳密に規定できるの
で、次式 Ｒ’＞ Ｒ／（ＰＦ） …… と定義することもできる。ベースライン変動幅は、通
常、信号振幅の１／１０以下に抑えることができれば十
分であることが多く、その場合には、 Ｒ’＞ １０×Ｒ／Ｐ の関係になる。
幅の信号振幅に対する比Ｆによって厳密に規定できるの
で、次式 Ｒ’＞ Ｒ／（ＰＦ） …… と定義することもできる。ベースライン変動幅は、通
常、信号振幅の１／１０以下に抑えることができれば十
分であることが多く、その場合には、 Ｒ’＞ １０×Ｒ／Ｐ の関係になる。
【００２６】例えば、再生トラック幅Ｗの両端における
電気抵抗Ｒが３０Ω、抵抗変化率Ｐが０．０２である場
合に、Ｒ’＞ Ｒ／Ｐの条件を満たし、ベースラインの
変動幅が少なくとも信号振幅に対して同等以下になるた
めには、磁気ディスク１１上の幅Ｗ’の両端における電
気抵抗Ｒ’が１５ｋΩ以上であることが必要である。こ
の場合に、センス電流の分流によるベースラインの変動
を、再生エラーが生じないレベルに抑え込むことができ
る。
電気抵抗Ｒが３０Ω、抵抗変化率Ｐが０．０２である場
合に、Ｒ’＞ Ｒ／Ｐの条件を満たし、ベースラインの
変動幅が少なくとも信号振幅に対して同等以下になるた
めには、磁気ディスク１１上の幅Ｗ’の両端における電
気抵抗Ｒ’が１５ｋΩ以上であることが必要である。こ
の場合に、センス電流の分流によるベースラインの変動
を、再生エラーが生じないレベルに抑え込むことができ
る。
【００２７】以上のことから、Ｒ’、Ｒ及びＰが、少な
くとも次式（１） Ｒ’＞Ｒ／Ｐ ……（１） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましいことが分かる。
くとも次式（１） Ｒ’＞Ｒ／Ｐ ……（１） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましいことが分かる。
【００２８】前述した磁気抵抗効果素子２３及び磁気デ
ィスク１１双方の電気抵抗の関係を、抵抗率を用いてよ
り一般的に規定する。つまり、磁気抵抗効果素子２３の
表面抵抗率をρｓ［Ω／□］、磁気ディスク１１の磁性
膜の表面抵抗率をρｓ’［Ω／□］、磁気ディスク１１
の媒体磁界による抵抗変化率をＰとするとき、双方の表
面抵抗率と抵抗変化率とは、 ρｓ’≫ ρｓ／Ｐ 満たす値に夫々設定される必要があり、少なくとも次式
（２） ρｓ’＞ ρｓ／Ｐ ……（２） を満足することが必要である。
ィスク１１双方の電気抵抗の関係を、抵抗率を用いてよ
り一般的に規定する。つまり、磁気抵抗効果素子２３の
表面抵抗率をρｓ［Ω／□］、磁気ディスク１１の磁性
膜の表面抵抗率をρｓ’［Ω／□］、磁気ディスク１１
の媒体磁界による抵抗変化率をＰとするとき、双方の表
面抵抗率と抵抗変化率とは、 ρｓ’≫ ρｓ／Ｐ 満たす値に夫々設定される必要があり、少なくとも次式
（２） ρｓ’＞ ρｓ／Ｐ ……（２） を満足することが必要である。
【００２９】同様に、磁気抵抗効果素子２３の体積抵抗
率をρｖ［Ωｃｍ］とし、磁気ディスク１１の体積抵抗
率をρｖ［Ωｃｍ］とするとき、双方の体積抵抗率と抵
抗変化率とは、 ρｖ’≫ ρｖ／Ｐ を満たす値に夫々設定される必要があり、少なくとも次
式（３） ρｖ’＞ ρｖ／Ｐ ……（３） を満足することが必要である。
率をρｖ［Ωｃｍ］とし、磁気ディスク１１の体積抵抗
率をρｖ［Ωｃｍ］とするとき、双方の体積抵抗率と抵
抗変化率とは、 ρｖ’≫ ρｖ／Ｐ を満たす値に夫々設定される必要があり、少なくとも次
式（３） ρｖ’＞ ρｖ／Ｐ ……（３） を満足することが必要である。
【００３０】上記式（２）又は（３）における関係を維
持する限り、磁気抵抗効果素子２３と磁気ディスク１１
との間に絶縁層等を設けなくても、磁気ディスク１１側
にセンス電流が分流する不具合を抑止することができ
る。この場合に、磁気抵抗効果素子２３と磁気ディスク
１１との間の空隙を絶縁層等の厚み分だけ狭めることが
できるので、磁気抵抗効果素子２３が感知できる磁界を
増大して再生出力を高めることができる。
持する限り、磁気抵抗効果素子２３と磁気ディスク１１
との間に絶縁層等を設けなくても、磁気ディスク１１側
にセンス電流が分流する不具合を抑止することができ
る。この場合に、磁気抵抗効果素子２３と磁気ディスク
１１との間の空隙を絶縁層等の厚み分だけ狭めることが
できるので、磁気抵抗効果素子２３が感知できる磁界を
増大して再生出力を高めることができる。
【００３１】また、磁気抵抗効果素子１１の磁性膜上に
非磁性の保護膜が積層されている場合には、この保護膜
上における抵抗率をρpとするとき、ρp、ρ及びＰが、
次式（４） ρp＞ρ／Ｐ ……（４） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
をより効果的に抑止する上で望ましい。
非磁性の保護膜が積層されている場合には、この保護膜
上における抵抗率をρpとするとき、ρp、ρ及びＰが、
次式（４） ρp＞ρ／Ｐ ……（４） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
をより効果的に抑止する上で望ましい。
【００３２】
【実施例】次に、本発明による実施例について述べる。
【００３３】実施例１ 表面抵抗率ρｓが８０［Ω／□］、磁気ディスク１１の
媒体磁界による抵抗変化率Ｐが０．０２である磁気抵抗
効果素子２３と、表面抵抗率ρｓ’が夫々１０［Ω／
□］、３０［Ω／□］、５０［Ω／□］及び１５０［Ω
／□］である４枚の磁気ディスク１１とを用意し、各磁
気ディスク１１上で磁気抵抗効果素子２３を摺動させ
た。磁気抵抗効果素子２３としては、絶縁効果を有する
厚み約１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）膜で磁気ディスク１１との対向部分を覆ったものを
用いた。
媒体磁界による抵抗変化率Ｐが０．０２である磁気抵抗
効果素子２３と、表面抵抗率ρｓ’が夫々１０［Ω／
□］、３０［Ω／□］、５０［Ω／□］及び１５０［Ω
／□］である４枚の磁気ディスク１１とを用意し、各磁
気ディスク１１上で磁気抵抗効果素子２３を摺動させ
た。磁気抵抗効果素子２３としては、絶縁効果を有する
厚み約１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）膜で磁気ディスク１１との対向部分を覆ったものを
用いた。
【００３４】磁気ディスク１１としては、ガラス基板上
にＣｒ膜が形成され、Ｃｒ膜上に約２２００［Ｏｅ］の
保磁力を有するＣｏＣｒ系磁性膜が形成され、ＣｏＣｒ
系磁性膜上に約１０ｎｍの厚みカーボン保護膜が形成さ
れたものを用いた。上記のように、磁気抵抗効果素子２
３にＤＬＣ膜が形成されているので、磁気抵抗効果素子
２３と磁気ディスク１１とは接触しても完全に導通する
ことはなく、薄いＤＬＣ膜の電気抵抗と磁気ディスク１
１の電気抵抗との直列抵抗分が、磁気抵抗効果素子２３
の並列抵抗である電気抵抗Ｒ’として生じる。
にＣｒ膜が形成され、Ｃｒ膜上に約２２００［Ｏｅ］の
保磁力を有するＣｏＣｒ系磁性膜が形成され、ＣｏＣｒ
系磁性膜上に約１０ｎｍの厚みカーボン保護膜が形成さ
れたものを用いた。上記のように、磁気抵抗効果素子２
３にＤＬＣ膜が形成されているので、磁気抵抗効果素子
２３と磁気ディスク１１とは接触しても完全に導通する
ことはなく、薄いＤＬＣ膜の電気抵抗と磁気ディスク１
１の電気抵抗との直列抵抗分が、磁気抵抗効果素子２３
の並列抵抗である電気抵抗Ｒ’として生じる。
【００３５】図４及び図５は、各磁気ディスク１１のＤ
Ｃ消去トラック上から再生された出力波形を夫々示す。
図４（ａ）は表面抵抗率が１０［Ω／□］、（ｂ）は表
面抵抗率が３０［Ω／□］の磁気ディスク１１を用いた
場合を夫々示す。また、図５（ａ）は表面抵抗率が５０
［Ω／□］、（ｂ）は表面抵抗率が１５０［Ω／□］の
磁気ディスク１１を用いた場合を夫々示す。
Ｃ消去トラック上から再生された出力波形を夫々示す。
図４（ａ）は表面抵抗率が１０［Ω／□］、（ｂ）は表
面抵抗率が３０［Ω／□］の磁気ディスク１１を用いた
場合を夫々示す。また、図５（ａ）は表面抵抗率が５０
［Ω／□］、（ｂ）は表面抵抗率が１５０［Ω／□］の
磁気ディスク１１を用いた場合を夫々示す。
【００３６】本実施例における測定は、磁気ディスク１
１の周速を約４．７ｍ／ｓ、センス電流を約１０ｍＡと
した条件下で行った。無信号部のトラックを再生したの
で、波形は０レベルで一定でありベースラインの変動は
無いはずであるが、図４（ａ）、（ｂ）及び図５
（ａ）、（ｂ）に見られるように、ベースラインの変動
が顕著であった。各図から、磁気ディスク１１の表面抵
抗率が大きくなるに従って、ベースラインの変動が小さ
くなると評価できる。
１の周速を約４．７ｍ／ｓ、センス電流を約１０ｍＡと
した条件下で行った。無信号部のトラックを再生したの
で、波形は０レベルで一定でありベースラインの変動は
無いはずであるが、図４（ａ）、（ｂ）及び図５
（ａ）、（ｂ）に見られるように、ベースラインの変動
が顕著であった。各図から、磁気ディスク１１の表面抵
抗率が大きくなるに従って、ベースラインの変動が小さ
くなると評価できる。
【００３７】ここで、媒体磁界による磁気抵抗効果素子
２３の抵抗変化に基づく再生出力が例えば、図４（ａ）
におけるベースライン変動の振幅である２００μＶより
十分に大きければ、変動に起因する再生エラーが生じる
可能性は低い。しかし、再生出力がベースライン変動の
振幅より小さい場合には、再生エラーが生じる頻度が極
めて高くなる。このため、ベースライン変動の振幅が２
００μＶである際には、再生出力は少なくとも２００μ
Ｖ以上であることが望ましい。
２３の抵抗変化に基づく再生出力が例えば、図４（ａ）
におけるベースライン変動の振幅である２００μＶより
十分に大きければ、変動に起因する再生エラーが生じる
可能性は低い。しかし、再生出力がベースライン変動の
振幅より小さい場合には、再生エラーが生じる頻度が極
めて高くなる。このため、ベースライン変動の振幅が２
００μＶである際には、再生出力は少なくとも２００μ
Ｖ以上であることが望ましい。
【００３８】磁気抵抗効果素子２３の磁気ディスク１１
と対向する部分の絶縁が十分ではなく、双方が導通する
可能性がある場合には、磁気ディスク１１の磁性膜の表
面抵抗率ρｓ’は、磁気抵抗効果素子２３の表面抵抗率
ρｓである８０［Ω／□］を媒体磁界による抵抗変化率
Ｐで除した値より大きく設定することが必要である。一
方、磁気抵抗効果素子２３と磁気ディスク１１との間に
ある程度の絶縁効果が期待できる場合には、磁気抵抗効
果素子２３と磁性膜又は保護膜との接触抵抗を、抵抗変
化率Ｐで除した値から減じた抵抗値を磁気ディスク１１
が備えれば良い。
と対向する部分の絶縁が十分ではなく、双方が導通する
可能性がある場合には、磁気ディスク１１の磁性膜の表
面抵抗率ρｓ’は、磁気抵抗効果素子２３の表面抵抗率
ρｓである８０［Ω／□］を媒体磁界による抵抗変化率
Ｐで除した値より大きく設定することが必要である。一
方、磁気抵抗効果素子２３と磁気ディスク１１との間に
ある程度の絶縁効果が期待できる場合には、磁気抵抗効
果素子２３と磁性膜又は保護膜との接触抵抗を、抵抗変
化率Ｐで除した値から減じた抵抗値を磁気ディスク１１
が備えれば良い。
【００３９】以上のことから、磁気抵抗効果素子２３と
磁気ディスク１１との間にある程度の絶縁効果が期待で
きる場合には、磁気ディスク１１の磁性膜と磁気抵抗効
果素子２３との接触抵抗をＣＲ1とするとき、Ｒ’、
Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式（５） Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 ……（５） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましいことが分かる。
磁気ディスク１１との間にある程度の絶縁効果が期待で
きる場合には、磁気ディスク１１の磁性膜と磁気抵抗効
果素子２３との接触抵抗をＣＲ1とするとき、Ｒ’、
Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式（５） Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 ……（５） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましいことが分かる。
【００４０】また、磁気抵抗効果素子２３及び磁気ディ
スク１１の対向部分の絶縁が十分でない場合には、保護
膜上の任意の位置における再生トラック幅Ｗと同等の幅
をＷ”、保護膜上の幅Ｗ”の両端における電気抵抗を
Ｒ”とするとき、Ｒ”、Ｒ及びＰが、次式（６） Ｒ”＞Ｒ／Ｐ ……（６） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましい。更に、磁気抵抗効果素子２３
及び磁気ディスク１１間にある程度の絶縁効果が期待で
きる場合には、保護膜と磁気抵抗効果素子２３との接触
抵抗をＣＲ2とするとき、Ｒ”、Ｒ、Ｐ及びＣＲ2が、次
式（７） Ｒ”＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ2 ……（７） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましいことが分かる。
スク１１の対向部分の絶縁が十分でない場合には、保護
膜上の任意の位置における再生トラック幅Ｗと同等の幅
をＷ”、保護膜上の幅Ｗ”の両端における電気抵抗を
Ｒ”とするとき、Ｒ”、Ｒ及びＰが、次式（６） Ｒ”＞Ｒ／Ｐ ……（６） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましい。更に、磁気抵抗効果素子２３
及び磁気ディスク１１間にある程度の絶縁効果が期待で
きる場合には、保護膜と磁気抵抗効果素子２３との接触
抵抗をＣＲ2とするとき、Ｒ”、Ｒ、Ｐ及びＣＲ2が、次
式（７） Ｒ”＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ2 ……（７） を満たす値に夫々設定されることが、センス電流の分流
を抑止する上で望ましいことが分かる。
【００４１】上記内容を、抵抗率に代えて電気抵抗で述
べると以下のようになる。例えば、再生トラック幅Ｗが
約１μｍ、幅Ｗの両端における磁気抵抗効果素子２３の
電気抵抗が約２０Ωの条件下で約１０ｍＡのセンス電流
を供給したとき、約２００μＶのベースライン変動が生
じた場合には、再生出力は少なくとも２００μＶ以上で
あることが望ましい。これを満足するには、磁気抵抗効
果素子２３の抵抗変化量として約２０ｍΩが必要であ
る。この場合に、抵抗変化率は約０．００１であるた
め、磁気ディスク１１の任意の位置で、磁性膜或いは保
護膜上における約１μｍ間隔での電気抵抗が約２０ｋΩ
以上必要である。しかし、磁気抵抗効果素子２３の磁気
ディスク１１との対向部分に絶縁膜が形成され、磁気抵
抗効果素子２３と絶縁膜表面との間に約１８ｋΩの電気
抵抗がある場合には、磁気ディスク１１の任意の位置
で、磁性膜上或いは保護膜上における約１μｍ間隔での
電気抵抗が約２ｋΩ程度あれば十分である。
べると以下のようになる。例えば、再生トラック幅Ｗが
約１μｍ、幅Ｗの両端における磁気抵抗効果素子２３の
電気抵抗が約２０Ωの条件下で約１０ｍＡのセンス電流
を供給したとき、約２００μＶのベースライン変動が生
じた場合には、再生出力は少なくとも２００μＶ以上で
あることが望ましい。これを満足するには、磁気抵抗効
果素子２３の抵抗変化量として約２０ｍΩが必要であ
る。この場合に、抵抗変化率は約０．００１であるた
め、磁気ディスク１１の任意の位置で、磁性膜或いは保
護膜上における約１μｍ間隔での電気抵抗が約２０ｋΩ
以上必要である。しかし、磁気抵抗効果素子２３の磁気
ディスク１１との対向部分に絶縁膜が形成され、磁気抵
抗効果素子２３と絶縁膜表面との間に約１８ｋΩの電気
抵抗がある場合には、磁気ディスク１１の任意の位置
で、磁性膜上或いは保護膜上における約１μｍ間隔での
電気抵抗が約２ｋΩ程度あれば十分である。
【００４２】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の磁気ディスク装置等の磁気
再生装置は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるも
のではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び
変更を施した磁気再生装置も、本発明の範囲に含まれ
る。
づいて説明したが、本発明の磁気ディスク装置等の磁気
再生装置は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるも
のではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び
変更を施した磁気再生装置も、本発明の範囲に含まれ
る。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気再生
装置によると、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体とが接
触した場合にセンス電流が磁気記録媒体側に分流する現
象を抑止することができ、再生出力に異常波形が生じる
不具合を防止できる。
装置によると、磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体とが接
触した場合にセンス電流が磁気記録媒体側に分流する現
象を抑止することができ、再生出力に異常波形が生じる
不具合を防止できる。
【図１】本発明の一実施形態例に係る磁気ディスク装置
の要部を示す斜視図である。
の要部を示す斜視図である。
【図２】図１の磁気ディスク装置における再生ヘッドの
要部を模式的に示す断面図である。
要部を模式的に示す断面図である。
【図３】センス電流の分流を説明するための等価回路図
である。
である。
【図４】再生された出力波形を示すグラフであり、
（ａ）は表面抵抗率が１０Ω／□、（ｂ）は表面抵抗率
が３０Ω／□の磁気ディスクを用いた場合を夫々示す。
（ａ）は表面抵抗率が１０Ω／□、（ｂ）は表面抵抗率
が３０Ω／□の磁気ディスクを用いた場合を夫々示す。
【図５】再生された出力波形を示すグラフであり、
（ａ）は表面抵抗率が５０Ω／□、（ｂ）は表面抵抗率
が１５０Ω／□の磁気ディスクを用いた場合を夫々示
す。
（ａ）は表面抵抗率が５０Ω／□、（ｂ）は表面抵抗率
が１５０Ω／□の磁気ディスクを用いた場合を夫々示
す。
１１ 磁気ディスク １２ 再生ヘッド １２ａ 対向面 ２３ 磁気抵抗効果素子
Claims (9)
- 【請求項１】 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対向
する磁気抵抗効果素子とを有し、前記磁気記録媒体に記
録された情報を前記磁気抵抗効果素子を介して再生する
磁気再生装置において、 前記磁気抵抗効果素子の表面抵抗率をρｓ、前記磁気記
録媒体の表面抵抗率をρｓ’、前記磁気記録媒体の媒体
磁界による抵抗変化率をＰとするとき、前記ρｓ、ρ
ｓ’及びＰが、次式 ρｓ’＞ρｓ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする磁気再生
装置。 - 【請求項２】 前記磁気抵抗効果素子による再生トラッ
ク幅をＷ、前記磁気記録媒体上の任意の位置における前
記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、前記磁気抵抗効
果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端における電気抵抗
をＲ、前記磁気記録媒体の幅Ｗ’の両端における電気抵
抗をＲ’とするとき、前記Ｒ’、Ｒ及びＰが、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする請求項１
に記載の磁気再生装置。 - 【請求項３】 前記磁気記録媒体の磁性膜と前記磁気抵
抗効果素子との接触抵抗をＣＲ1とするとき、前記
Ｒ’、Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 を満たす値に夫々設定されることを特徴とする請求項１
又は２に記載の磁気再生装置。 - 【請求項４】 前記磁気記録媒体の磁性膜上に保護膜が
積層されており、該保護膜の表面抵抗率をρpとすると
き、前記ρp、ρｓ及びＰが、次式 ρp＞ρｓ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする請求項１
に記載の磁気再生装置。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗効果素子による再生トラッ
ク幅をＷ、前記保護膜上の任意の位置における前記再生
トラック幅Ｗと同等の幅をＷ”、前記磁気抵抗効果素子
の前記再生トラック幅Ｗの両端における電気抵抗をＲ、
前記保護膜上の幅Ｗ”の両端における電気抵抗をＲ”と
するとき、Ｒ”、Ｒ及びＰが、次式 Ｒ”＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする請求項４
に記載の磁気再生装置。 - 【請求項６】 前記保護膜と前記磁気抵抗効果素子との
接触抵抗をＣＲ2とするとき、前記Ｒ”、Ｒ、Ｐ及びＣ
Ｒ2が、次式 Ｒ”＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ2 を満たす値に夫々設定されることを特徴とする請求項４
に記載の磁気再生装置。 - 【請求項７】 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対向
する磁気抵抗効果素子とを有し、前記磁気記録媒体に記
録された情報を前記磁気抵抗効果素子を介して再生する
磁気再生装置において、 前記磁気抵抗効果素子の体積抵抗率をρｖ、前記磁気記
録媒体の体積抵抗率をρｖ’、前記磁気記録媒体の媒体
磁界による抵抗変化率をＰとするとき、前記ρｖ’、ρ
ｖ及びＰが、次式 ρｖ’＞ρｖ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする磁気再生
装置。 - 【請求項８】 前記磁気抵抗効果素子による再生トラッ
ク幅をＷ、前記磁気記録媒体上の任意の位置における前
記再生トラック幅Ｗと同等の幅をＷ’、前記磁気抵抗効
果素子の前記再生トラック幅Ｗの両端における電気抵抗
をＲ、前記磁気記録媒体の幅Ｗ’の両端における電気抵
抗をＲ’とするとき、前記Ｒ’、Ｒ及びＰが、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ を満たす値に夫々設定されることを特徴とする請求項７
に記載の磁気再生装置。 - 【請求項９】 前記磁気記録媒体の磁性膜と前記磁気抵
抗効果素子との接触抵抗をＣＲ1とするとき、前記
Ｒ’、Ｒ、Ｐ及びＣＲ1が、次式 Ｒ’＞Ｒ／Ｐ−ＣＲ1 を満たす値に夫々設定されることを特徴とする請求項７
に記載の磁気再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34913597A JP3161399B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 磁気再生装置 |
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