JP3160575B2 - 冷陰極発光素子 - Google Patents
冷陰極発光素子Info
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- JP3160575B2 JP3160575B2 JP20524798A JP20524798A JP3160575B2 JP 3160575 B2 JP3160575 B2 JP 3160575B2 JP 20524798 A JP20524798 A JP 20524798A JP 20524798 A JP20524798 A JP 20524798A JP 3160575 B2 JP3160575 B2 JP 3160575B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出形発光素
子(FED, Field Emission Display) 、表面伝導素子（SE
C, Service Conductive Electron) 、ＭＩＭ（メタル−
インシュレータ−メタル）等のような冷陰極発光素子に
関する。本発明は特に、水素吸蔵金属の粉末を陽極の蛍
光体層に添加して発光駆動時に水素を放出させることに
より、冷陰極のエミッションや蛍光体の発光効率の改善
を図ったものである。
子(FED, Field Emission Display) 、表面伝導素子（SE
C, Service Conductive Electron) 、ＭＩＭ（メタル−
インシュレータ−メタル）等のような冷陰極発光素子に
関する。本発明は特に、水素吸蔵金属の粉末を陽極の蛍
光体層に添加して発光駆動時に水素を放出させることに
より、冷陰極のエミッションや蛍光体の発光効率の改善
を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】前記ＦＥＤは、一般に密閉気密容器内に
おいて、電界放出素子(FEC, FieldEmission Cathode)
と、蛍光体層を備えた陽極導体とを対面させて配置した
構造を有している。ＦＥＣの構造を説明する。まず、密
閉気密容器の一部を構成する陰極基板の内面に陰極導体
を形成する。この陰極導体の上に絶縁層を形成し、絶縁
層の上にゲートを形成する。絶縁層とゲートに通孔を形
成し、通孔内に露出した陰極導体の上にコーン形状のエ
ミッタを形成する。このＦＥＣに対面する陽極の構造を
説明する。密閉気密容器の一部を構成する陽極基板の内
面に透光性の陽極導体を形成し、その上に蛍光体層を形
成する。このような構造のＦＥＤにおいて、陰極に対し
てゲートと陽極導体に適当な電圧を印加すると、エミッ
タの先端から電子が電界放出され、陽極の蛍光体層に射
突してこれを発光させる。蛍光体層の発光は、透光性の
陽極導体と陽極基板を介して陽極基板の外側から観察さ
れる。
おいて、電界放出素子(FEC, FieldEmission Cathode)
と、蛍光体層を備えた陽極導体とを対面させて配置した
構造を有している。ＦＥＣの構造を説明する。まず、密
閉気密容器の一部を構成する陰極基板の内面に陰極導体
を形成する。この陰極導体の上に絶縁層を形成し、絶縁
層の上にゲートを形成する。絶縁層とゲートに通孔を形
成し、通孔内に露出した陰極導体の上にコーン形状のエ
ミッタを形成する。このＦＥＣに対面する陽極の構造を
説明する。密閉気密容器の一部を構成する陽極基板の内
面に透光性の陽極導体を形成し、その上に蛍光体層を形
成する。このような構造のＦＥＤにおいて、陰極に対し
てゲートと陽極導体に適当な電圧を印加すると、エミッ
タの先端から電子が電界放出され、陽極の蛍光体層に射
突してこれを発光させる。蛍光体層の発光は、透光性の
陽極導体と陽極基板を介して陽極基板の外側から観察さ
れる。
【０００３】前記従来のＦＥＤによれば、ＦＥＣを気密
容器内に実装する工程で、エミッタが汚染してしまい、
エミッション放出しきい値が高くなってしまうという問
題があった。
容器内に実装する工程で、エミッタが汚染してしまい、
エミッション放出しきい値が高くなってしまうという問
題があった。
【０００４】そこで、本出願人は、特許第２６３４２９
５号において、電子線の照射によってエミッタのクリー
ニングを行う発明を提案した。この発明によれば、エミ
ッタから放出された電子の一部を、エミッション状態に
ない他のエミッタに射突させてこれをクリーニングす
る。そのために、エミッタを対になるように電気的に複
数の群に分割し、一方の群のエミッタが正規の条件で電
子を放出した時に、これと対をなす他方の群のエミッタ
には、一方の群のエミッタのゲートと同電位以上の正電
位を与える。このような駆動状態を対になるエミッタの
群ごとに切り換えて行えば、一方のエミッタ群からでた
電子の一部が他方のエミッタ群に射突してこれをクリー
ニングし、また他方のエミッタからの電子が一方のエミ
ッタをクリ−ニングする。
５号において、電子線の照射によってエミッタのクリー
ニングを行う発明を提案した。この発明によれば、エミ
ッタから放出された電子の一部を、エミッション状態に
ない他のエミッタに射突させてこれをクリーニングす
る。そのために、エミッタを対になるように電気的に複
数の群に分割し、一方の群のエミッタが正規の条件で電
子を放出した時に、これと対をなす他方の群のエミッタ
には、一方の群のエミッタのゲートと同電位以上の正電
位を与える。このような駆動状態を対になるエミッタの
群ごとに切り換えて行えば、一方のエミッタ群からでた
電子の一部が他方のエミッタ群に射突してこれをクリー
ニングし、また他方のエミッタからの電子が一方のエミ
ッタをクリ−ニングする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した電子線の照射
によってエミッタのクリーニングを行う発明では、狭ギ
ャップのＦＥＤ等のエミッションや蛍光体の発光効率に
ついては満足な効果が得られない場合がある。また、エ
ミッタを分割して駆動するために陰極導体を電気的に分
けて形成しなければならず、また分割して駆動するため
の駆動回路が必要とされた。
によってエミッタのクリーニングを行う発明では、狭ギ
ャップのＦＥＤ等のエミッションや蛍光体の発光効率に
ついては満足な効果が得られない場合がある。また、エ
ミッタを分割して駆動するために陰極導体を電気的に分
けて形成しなければならず、また分割して駆動するため
の駆動回路が必要とされた。
【０００６】本発明は、上述したような陰極ないしエミ
ッタ側に分割駆動のための構成を設けることなく、エミ
ッタのエミッション特性の低下や蛍光体の発光効率の低
下をより簡単な構造で改善することを目的としている。
ッタ側に分割駆動のための構成を設けることなく、エミ
ッタのエミッション特性の低下や蛍光体の発光効率の低
下をより簡単な構造で改善することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された冷
陰極発光素子（ＦＥＤ１）は、冷陰極から放出された電
子を陽極導体（５）に設けられた蛍光体層（１１，１１
ａ，１１ｂ）に射突させて発光を得る冷陰極発光素子に
おいて、前記蛍光体層に、水素吸蔵物質の粉末（２０）
を添加することを特徴としている。
陰極発光素子（ＦＥＤ１）は、冷陰極から放出された電
子を陽極導体（５）に設けられた蛍光体層（１１，１１
ａ，１１ｂ）に射突させて発光を得る冷陰極発光素子に
おいて、前記蛍光体層に、水素吸蔵物質の粉末（２０）
を添加することを特徴としている。
【０００８】請求項２に記載された冷陰極発光素子は、
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
前記蛍光体層を構成する蛍光体の粒子（２１）の表面に
水素吸蔵物質の粉末（２０）を付着させることを特徴と
している。
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
前記蛍光体層を構成する蛍光体の粒子（２１）の表面に
水素吸蔵物質の粉末（２０）を付着させることを特徴と
している。
【０００９】請求項３に記載された冷陰極発光素子は、
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
蛍光体層（１１ａ）の表面に水素吸蔵物質の粉末（２
０）を付着させることを特徴としている。
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
蛍光体層（１１ａ）の表面に水素吸蔵物質の粉末（２
０）を付着させることを特徴としている。
【００１０】請求項４に記載された冷陰極発光素子は、
請求項１記載の冷陰極発光素子において、前記蛍光体層
（１１ｂ）が、蛍光体の粒子（２１）と水素吸蔵物質の
粉末（２０）を混合してなるペーストから形成されたこ
とを特徴としている。
請求項１記載の冷陰極発光素子において、前記蛍光体層
（１１ｂ）が、蛍光体の粒子（２１）と水素吸蔵物質の
粉末（２０）を混合してなるペーストから形成されたこ
とを特徴としている。
【００１１】請求項５に記載された冷陰極発光素子は、
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
前記蛍光体層（１１，１１ａ，１１ｂ）を構成する蛍光
体の粒子（２１）の粒度が１〜１０μｍの範囲であり、
前記水素吸蔵物質の粉末（２０）の粒度が０．０１〜数
μｍの範囲であることを特徴としている。
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
前記蛍光体層（１１，１１ａ，１１ｂ）を構成する蛍光
体の粒子（２１）の粒度が１〜１０μｍの範囲であり、
前記水素吸蔵物質の粉末（２０）の粒度が０．０１〜数
μｍの範囲であることを特徴としている。
【００１２】請求項６に記載された冷陰極発光素子は、
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
前記水素吸蔵物質の母体元素がＺｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｔａ、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｈ又はそれらの組み合わせ
から選択されたことを特徴としている。
請求項１記載の冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、
前記水素吸蔵物質の母体元素がＺｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｔａ、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｈ又はそれらの組み合わせ
から選択されたことを特徴としている。
【００１３】請求項７に記載された冷陰極発光素子（Ｆ
ＥＤ１）は、電子を放出する冷陰極と、陽極導体（５）
と前記陽極導体に設けられて前記冷陰極から放出された
電子が射突して発光する蛍光体層（１１，１１ａ，１１
ｂ）とを有する陽極とが、気密外囲器（４）内に設けら
れた冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、前記外囲器
の内部に封入された水素ガスと、前記蛍光体層に添加さ
れた水素吸蔵物質の粉末（２０）を有することを特徴と
している。
ＥＤ１）は、電子を放出する冷陰極と、陽極導体（５）
と前記陽極導体に設けられて前記冷陰極から放出された
電子が射突して発光する蛍光体層（１１，１１ａ，１１
ｂ）とを有する陽極とが、気密外囲器（４）内に設けら
れた冷陰極発光素子（ＦＥＤ１）において、前記外囲器
の内部に封入された水素ガスと、前記蛍光体層に添加さ
れた水素吸蔵物質の粉末（２０）を有することを特徴と
している。
【００１４】以上の構成によれば、素子の発光駆動時
に、電子は陽極の蛍光体に射突してこれを発光させると
ともに、蛍光体層に添加された水素吸蔵物質に射突して
水素を放出させる。放出された水素は、冷陰極のエミッ
タのエミッション特性を改善し、又は陽極の蛍光体の発
光効率を改善する。
に、電子は陽極の蛍光体に射突してこれを発光させると
ともに、蛍光体層に添加された水素吸蔵物質に射突して
水素を放出させる。放出された水素は、冷陰極のエミッ
タのエミッション特性を改善し、又は陽極の蛍光体の発
光効率を改善する。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明における冷陰極発光素子と
は、電界放出形発光素子(FED, FieldEmission Display)
、表面伝導素子（SEC, Service Conductive Electron)
、ＭＩＭ（メタル−インシュレータ−メタル）等のよ
うに、冷陰極の電子源を有するとともに、蛍光体を有す
る発光部としての陽極を備えた電子素子を意味してい
る。本例においてはＦＥＤを例にとり、水素吸蔵金属の
粉末を陽極の蛍光体層に添加して発光駆動時に水素を放
出させ、ＦＥＣのエミッションと、蛍光体層の発光効率
の改善を図ったものである。水素吸蔵金属の粉末の添加
の態様に応じた３つの例を説明する。
は、電界放出形発光素子(FED, FieldEmission Display)
、表面伝導素子（SEC, Service Conductive Electron)
、ＭＩＭ（メタル−インシュレータ−メタル）等のよ
うに、冷陰極の電子源を有するとともに、蛍光体を有す
る発光部としての陽極を備えた電子素子を意味してい
る。本例においてはＦＥＤを例にとり、水素吸蔵金属の
粉末を陽極の蛍光体層に添加して発光駆動時に水素を放
出させ、ＦＥＣのエミッションと、蛍光体層の発光効率
の改善を図ったものである。水素吸蔵金属の粉末の添加
の態様に応じた３つの例を説明する。
【００１６】(1) 第１の例 図１〜図３を参照して説明する。図１は本例のＦＥＤ１
の断面図である。ＦＥＤ１は、透光性かつ絶縁性の陽極
基板２と、絶縁性の陰極基板３と、両基板の外周部の間
に設けられた図示しないスペーサ部材とによって構成さ
れた外囲器４を有している。外囲器４は気密構造であ
る。外囲器４の陰極基板３の内面には陰極導体５があ
る。この陰極導体５の上には絶縁層６が形成されてい
る。絶縁層６の上にはゲート７が形成されている。絶縁
層６とゲート７には空孔８が形成されており、空孔８内
に露出した陰極導体５の上にはコーン形状のエミッタ９
が形成されている。
の断面図である。ＦＥＤ１は、透光性かつ絶縁性の陽極
基板２と、絶縁性の陰極基板３と、両基板の外周部の間
に設けられた図示しないスペーサ部材とによって構成さ
れた外囲器４を有している。外囲器４は気密構造であ
る。外囲器４の陰極基板３の内面には陰極導体５があ
る。この陰極導体５の上には絶縁層６が形成されてい
る。絶縁層６の上にはゲート７が形成されている。絶縁
層６とゲート７には空孔８が形成されており、空孔８内
に露出した陰極導体５の上にはコーン形状のエミッタ９
が形成されている。
【００１７】外囲器４の陽極基板２の内面には、透光性
の陽極導体１０が形成され、その上には蛍光体層１１が
形成されている。蛍光体層１１の発光は、透光性の陽極
導体１０と陽極基板２を介して陽極基板２の外側から観
察される。
の陽極導体１０が形成され、その上には蛍光体層１１が
形成されている。蛍光体層１１の発光は、透光性の陽極
導体１０と陽極基板２を介して陽極基板２の外側から観
察される。
【００１８】図２に示すように、前記蛍光体層１１は、
水素吸蔵物質の粉末２０が付着した蛍光体の粒子２１を
原料として形成されている。水素吸蔵物質としては、母
体元素がＺｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍ
ｇ、Ｔｈ又はそれらの組み合わせから選択されたもの
で、水素化ジルコンや水素化バナジウムが利用できる。
また、蛍光体の粒子２１の粒度は１〜１０μｍの範囲で
あり、水素吸蔵物質の粉末２０の粒度は０．０１〜数μ
ｍの範囲である。ＺｒやＶは非発光物質なので、Ｚｒが
蛍光体の粒子２１の全表面を覆わないようにする。即
ち、蛍光体粒子２１の表面にＺｒを膜状に形成するので
なく、蛍光体粒子２１の回りに水素吸蔵物質を粒子状に
付着させることが必要である。このように、蛍光体粒子
２１の表面における発光が十分に視認できるように、水
素吸蔵物質の添加量を調整する。
水素吸蔵物質の粉末２０が付着した蛍光体の粒子２１を
原料として形成されている。水素吸蔵物質としては、母
体元素がＺｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍ
ｇ、Ｔｈ又はそれらの組み合わせから選択されたもの
で、水素化ジルコンや水素化バナジウムが利用できる。
また、蛍光体の粒子２１の粒度は１〜１０μｍの範囲で
あり、水素吸蔵物質の粉末２０の粒度は０．０１〜数μ
ｍの範囲である。ＺｒやＶは非発光物質なので、Ｚｒが
蛍光体の粒子２１の全表面を覆わないようにする。即
ち、蛍光体粒子２１の表面にＺｒを膜状に形成するので
なく、蛍光体粒子２１の回りに水素吸蔵物質を粒子状に
付着させることが必要である。このように、蛍光体粒子
２１の表面における発光が十分に視認できるように、水
素吸蔵物質の添加量を調整する。
【００１９】このような構造のＦＥＤ１において、陰極
に対してゲート７と陽極導体１０に適当な１０9 ／Ｖ・
ｍ以上の電圧を印加すると、エミッタ９の先端から電子
が電界放出され、陽極に射突して蛍光体層１１を発光さ
せる。蛍光体層１１の発光は、透光性の陽極導体１０と
陽極基板２を介して陽極基板２の外側から観察される。
に対してゲート７と陽極導体１０に適当な１０9 ／Ｖ・
ｍ以上の電圧を印加すると、エミッタ９の先端から電子
が電界放出され、陽極に射突して蛍光体層１１を発光さ
せる。蛍光体層１１の発光は、透光性の陽極導体１０と
陽極基板２を介して陽極基板２の外側から観察される。
【００２０】電子は、蛍光体に添加された水素吸蔵物質
にも射突する。電子が射突した水素吸蔵物質からは水素
が放出される。放出された水素は、近傍にある蛍光体の
発光効率を改善する。また、水素はエミッタ９にも影響
を与え、電界放出の場合、エミッタ先端に仕事関数を高
くするＯやＣを除去クリーニングしてエミッション特性
を改善する。
にも射突する。電子が射突した水素吸蔵物質からは水素
が放出される。放出された水素は、近傍にある蛍光体の
発光効率を改善する。また、水素はエミッタ９にも影響
を与え、電界放出の場合、エミッタ先端に仕事関数を高
くするＯやＣを除去クリーニングしてエミッション特性
を改善する。
【００２１】図３は、本例（実施例）と、従来例を比較
した寿命試験の結果を示す図である。従来例は連続点灯
１００時間を越えたあたりで初期値の８０％を割ってい
る。これに対し、本例は初期値が従来より７０％も高
く、また時間に対する低減率が小さく、１００００時間
経過しても１０％程度しか減少せず、長寿命である。
した寿命試験の結果を示す図である。従来例は連続点灯
１００時間を越えたあたりで初期値の８０％を割ってい
る。これに対し、本例は初期値が従来より７０％も高
く、また時間に対する低減率が小さく、１００００時間
経過しても１０％程度しか減少せず、長寿命である。
【００２２】(2) 第２の例 図４に示すように、本例の蛍光体層１１ａは、蛍光体層
１１ａを形成し、その表面に水素吸蔵物質の粒子２０を
付着させている。水素吸蔵物質は非発光物質であるが、
本例では蛍光体層を形成してから、その表面に水素吸蔵
物質の粒子２０を付着させているので、蛍光体の発光を
観察する側である陽極導体１０の側には水素吸蔵物質の
粒子２０はなく、表示の妨げになることはない。その外
の構成と、効果は第１の例と同様である。
１１ａを形成し、その表面に水素吸蔵物質の粒子２０を
付着させている。水素吸蔵物質は非発光物質であるが、
本例では蛍光体層を形成してから、その表面に水素吸蔵
物質の粒子２０を付着させているので、蛍光体の発光を
観察する側である陽極導体１０の側には水素吸蔵物質の
粒子２０はなく、表示の妨げになることはない。その外
の構成と、効果は第１の例と同様である。
【００２３】蛍光体層１１ａの表面に水素吸蔵物質の粒
子２０を付着させる方法としては、例えばＺｒを有機溶
剤等の溶剤に分散し、スプレーで蛍光体層の上に噴霧す
る方法がある。
子２０を付着させる方法としては、例えばＺｒを有機溶
剤等の溶剤に分散し、スプレーで蛍光体層の上に噴霧す
る方法がある。
【００２４】(3) 第３の例 図５に示すように、本例の蛍光体層１１ｂは、蛍光体の
粒子２１と水素吸蔵物質の粒子２０を混合したもので蛍
光体層を形成する。即ち、例えばＺｒ又はＺｒＨ2 を溶
剤に十分分散させ、これに蛍光体粉末を入れて分散し、
ペースト化して印刷法又はスラリー法又は電着法等によ
って所望のパターンの蛍光体層１１ｂを形成する。水素
吸蔵物質は非発光物質なので、Ｚｒが蛍光体の粒子の全
表面を覆わないように混合量や分散性を調整することは
他の例と同様である。その外の構成と効果についても第
１の例と同様である。
粒子２１と水素吸蔵物質の粒子２０を混合したもので蛍
光体層を形成する。即ち、例えばＺｒ又はＺｒＨ2 を溶
剤に十分分散させ、これに蛍光体粉末を入れて分散し、
ペースト化して印刷法又はスラリー法又は電着法等によ
って所望のパターンの蛍光体層１１ｂを形成する。水素
吸蔵物質は非発光物質なので、Ｚｒが蛍光体の粒子の全
表面を覆わないように混合量や分散性を調整することは
他の例と同様である。その外の構成と効果についても第
１の例と同様である。
【００２５】水素吸蔵物質であるＺｒやＶにはＨ2 が含
まれているが、ＦＥＤ１の製造工程においてＨ2 が抜け
てしまうことを考慮し、最終的にＦＥＤ１の外囲器４を
封着する際に外囲器４内に適当な分圧のＨ2 を封入封止
してもよい。封入されたＨ2は蛍光体層１１，１１ａ，
１１ｂの水素吸蔵物質（粒子又は粉末２０）に吸蔵さ
れ、使用時に電子の射突を受けて再び外囲器４内に放出
される。
まれているが、ＦＥＤ１の製造工程においてＨ2 が抜け
てしまうことを考慮し、最終的にＦＥＤ１の外囲器４を
封着する際に外囲器４内に適当な分圧のＨ2 を封入封止
してもよい。封入されたＨ2は蛍光体層１１，１１ａ，
１１ｂの水素吸蔵物質（粒子又は粉末２０）に吸蔵さ
れ、使用時に電子の射突を受けて再び外囲器４内に放出
される。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、冷陰極から放出された
電子を陽極導体に設けられた蛍光体層に射突させて発光
させる冷陰極発光素子において、蛍光体層に水素吸蔵物
質の粉末を添加したので、発光駆動中に水素が放出され
て冷陰極や蛍光体層の特性が向上し、素子としての寿命
が長くなるという効果が得られる。
電子を陽極導体に設けられた蛍光体層に射突させて発光
させる冷陰極発光素子において、蛍光体層に水素吸蔵物
質の粉末を添加したので、発光駆動中に水素が放出され
て冷陰極や蛍光体層の特性が向上し、素子としての寿命
が長くなるという効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態の第１の例の断面図であ
る。
る。
【図２】図１の部分断面図である。
【図３】第１の例（実施例）と従来例の寿命試験の結果
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の第２の例の断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施の形態の第３の例の断面図であ
る。
る。
１ 冷陰極発光素子としてのＦＥＤ ４ 外囲器 ５ 陰極導体 ９ エミッタ １０ 陽極導体 １１，１１ａ，１１ｂ 蛍光体層 ２０ 水素吸蔵物質の粉末（粒子） ２１ 蛍光体の粒子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−55770（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−96744（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−306336（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 31/12
Claims (7)
- 【請求項１】 冷陰極から放出された電子を陽極導体に
設けられた蛍光体層に射突させて発光を得る冷陰極発光
素子において、 前記蛍光体層に、水素吸蔵物質の粉末を添加することを
特徴とする冷陰極発光素子。 - 【請求項２】 前記蛍光体層を構成する蛍光体の粒子の
表面に水素吸蔵物質の粉末を付着させる請求項１記載の
冷陰極発光素子。 - 【請求項３】 蛍光体層の表面に水素吸蔵物質の粉末を
付着させる請求項１記載の冷陰極発光素子。 - 【請求項４】 前記蛍光体層が、蛍光体の粒子と水素吸
蔵物質の粉末を混合してなるペーストから形成された請
求項１記載の冷陰極発光素子。 - 【請求項５】 前記蛍光体層を構成する蛍光体の粒子の
粒度が１〜１０μｍの範囲であり、前記水素吸蔵物質の
粉末の粒度が０．０１〜数μｍの範囲である請求項１記
載の冷陰極発光素子。 - 【請求項６】 前記水素吸蔵物質の母体元素がＺｒ、
Ｖ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｔｈ又はそ
れらの組み合わせから選択された請求項１記載の冷陰極
発光素子。 - 【請求項７】 電子を放出する冷陰極と、陽極導体と前
記陽極導体に設けられて前記冷陰極から放出された電子
が射突して発光する蛍光体層とを有する陽極とが、気密
外囲器内に設けられた冷陰極発光素子において、 前記外囲器の内部に封入された水素ガスと、 前記蛍光体層に添加された水素吸蔵物質の粉末とを有す
ることを特徴とする冷陰極発光素子。
Priority Applications (4)
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| JP20524798A JP3160575B2 (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 冷陰極発光素子 |
| US09/357,651 US6495965B1 (en) | 1998-07-21 | 1999-07-20 | Cold cathode electronic device |
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| JP20524798A JP3160575B2 (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 冷陰極発光素子 |
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