JP3159883B2 - 電気信号を伝達するための電気的装置および電気信号からの無線周波電磁放射を低減する方法 - Google Patents
電気信号を伝達するための電気的装置および電気信号からの無線周波電磁放射を低減する方法Info
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- H01R13/7197—Structural association with built-in electrical component specially adapted for high frequency, e.g. with filters with filters integral with or fitted onto contacts, e.g. tubular filters
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無線周波数（ＲＦ）エ
ネルギーの減衰方法に係り、特に、ＲＦエネルギー干渉
および入出力（Ｉ／Ｏ）からのＲＦエネルギー放出の低
減方法に関する。
ネルギーの減衰方法に係り、特に、ＲＦエネルギー干渉
および入出力（Ｉ／Ｏ）からのＲＦエネルギー放出の低
減方法に関する。
【０００２】
【従来技術の説明】無線周波数のような高周波信号を利
用する線形増幅器のような電子機器内で受ける干渉およ
び電子機器からの放出は、非常に重要な問題である。し
ばしば、第１の電子機器内のＲＦ電磁信号（以下、単に
「信号」と称する。）は、第２の信号と結合することが
ある。ここで、第２の信号は、第１の電子機器の内部の
信号または外部の信号である。このような結合は、重大
な混線または外部干渉を起こすことになる。
用する線形増幅器のような電子機器内で受ける干渉およ
び電子機器からの放出は、非常に重要な問題である。し
ばしば、第１の電子機器内のＲＦ電磁信号（以下、単に
「信号」と称する。）は、第２の信号と結合することが
ある。ここで、第２の信号は、第１の電子機器の内部の
信号または外部の信号である。このような結合は、重大
な混線または外部干渉を起こすことになる。
【０００３】「混線」とは、近接した電線を通る信号
間、例えば１つのコネクタ内の電線を通る信号間のよう
に同じシステム内の意図しない電磁的結合をいう。一
方、「外部干渉」とは、内部の電線を通る信号と外部の
電磁エネルギー源との間の電磁的結合をいう。そのよう
な外部の電磁エネルギー源の例は、後述する。一般的な
用語「干渉」は、「混線」および「外部干渉」を指す。
本願において、「放出」とは、第１の電子機器内の信号
から放出されるＲＦ電磁エネルギーをいう。第１の電子
機器とは、その放出および干渉を最小化されるべき電子
機器である。
間、例えば１つのコネクタ内の電線を通る信号間のよう
に同じシステム内の意図しない電磁的結合をいう。一
方、「外部干渉」とは、内部の電線を通る信号と外部の
電磁エネルギー源との間の電磁的結合をいう。そのよう
な外部の電磁エネルギー源の例は、後述する。一般的な
用語「干渉」は、「混線」および「外部干渉」を指す。
本願において、「放出」とは、第１の電子機器内の信号
から放出されるＲＦ電磁エネルギーをいう。第１の電子
機器とは、その放出および干渉を最小化されるべき電子
機器である。
【０００４】干渉を起こす信号は、電源または信号入出
力（Ｉ／Ｏ）線を通って、第１の電子機器に入る。信号
は、第１の電子機器中の閉じたループに磁気的に結合さ
れることがある。また、信号は、電磁的放出に対する小
さなアンテナとして働くワイヤに電磁的に結合されるこ
ともある。これらはいずれも、第１の電子機器の一部か
ら他の部分へ信号を結合させるメカニズムとなり得る。
力（Ｉ／Ｏ）線を通って、第１の電子機器に入る。信号
は、第１の電子機器中の閉じたループに磁気的に結合さ
れることがある。また、信号は、電磁的放出に対する小
さなアンテナとして働くワイヤに電磁的に結合されるこ
ともある。これらはいずれも、第１の電子機器の一部か
ら他の部分へ信号を結合させるメカニズムとなり得る。
【０００５】電子機器を設計、製造する際には、ＲＦ干
渉を減少させることが重要である。他の電子機器と近接
させて使用される電子機器を設計するときには、ＲＦ干
渉を減少させることが絶対に必要である。これが、他の
電子機器を近接させることなく、第１の電子機器を最初
に試験する理由である。しかし、第１の電子機器がその
使用される場所に設置されると、他の機器からの干渉が
第１の機器の性能をかなり低下させることがある。
渉を減少させることが重要である。他の電子機器と近接
させて使用される電子機器を設計するときには、ＲＦ干
渉を減少させることが絶対に必要である。これが、他の
電子機器を近接させることなく、第１の電子機器を最初
に試験する理由である。しかし、第１の電子機器がその
使用される場所に設置されると、他の機器からの干渉が
第１の機器の性能をかなり低下させることがある。
【０００６】干渉を最小化させるために、多くの方法が
使用されているが、これらの方法は、ほとんど干渉を除
去することができない。その代わりに、これらの方法
は、第１の機器の内部信号から受ける干渉のレベルを低
減させる。外部干渉を低減させる１つの方法は、第１の
機器を外部干渉のレベルが低い環境に移動させることで
ある。
使用されているが、これらの方法は、ほとんど干渉を除
去することができない。その代わりに、これらの方法
は、第１の機器の内部信号から受ける干渉のレベルを低
減させる。外部干渉を低減させる１つの方法は、第１の
機器を外部干渉のレベルが低い環境に移動させることで
ある。
【０００７】外部干渉に関して、他の環境に比べて悪い
環境がある。「ベンチ」において所望の放出範囲内で動
作する第１の機器は、異なる場所におかれた場合、所望
の放出範囲外で働くことがある。これは、外部干渉が内
部の信号と結合することがあり、第１の機器からの放出
が増加する結果となる理由である。ａ）ラジオ局または
テレビ局の近く、ｂ）地下鉄の近く、ｃ）高圧線の近
く、ｄ）モーター、エレベータの近く、およびｄ）大き
な変圧器を有する機器の近くのような環境は、避けられ
るべきである。しかし、機器の動作場所を変更すること
は、一般に実行可能な選択ではない。そこで、外部干渉
を低減する他の方法によらなければならない。
環境がある。「ベンチ」において所望の放出範囲内で動
作する第１の機器は、異なる場所におかれた場合、所望
の放出範囲外で働くことがある。これは、外部干渉が内
部の信号と結合することがあり、第１の機器からの放出
が増加する結果となる理由である。ａ）ラジオ局または
テレビ局の近く、ｂ）地下鉄の近く、ｃ）高圧線の近
く、ｄ）モーター、エレベータの近く、およびｄ）大き
な変圧器を有する機器の近くのような環境は、避けられ
るべきである。しかし、機器の動作場所を変更すること
は、一般に実行可能な選択ではない。そこで、外部干渉
を低減する他の方法によらなければならない。
【０００８】もう１つの設計上の問題は、混線の低減で
ある。混線の低減は、ＡＣ電源ライン上にＲＦラインフ
ィルタおよび過渡電流サプレッサの組み合わせを使用す
ることにより達成できる。信号の減衰はこの方法によ
り、実質的に達成できる。しかし、第１の機器がＲＦに
おいて動作する場合、そのようなフィルタには、信号に
より運ばれる必要な情報まで除去してしまうという欠点
がある。
ある。混線の低減は、ＡＣ電源ライン上にＲＦラインフ
ィルタおよび過渡電流サプレッサの組み合わせを使用す
ることにより達成できる。信号の減衰はこの方法によ
り、実質的に達成できる。しかし、第１の機器がＲＦに
おいて動作する場合、そのようなフィルタには、信号に
より運ばれる必要な情報まで除去してしまうという欠点
がある。
【０００９】第１の機器内における干渉は、ＲＦ結合が
生じるときには重大な問題となる。コネクタのワイヤま
たはピンのような機器の無害に見える部分が共振回路と
して働き得るので、この問題は特に深刻となる。そのよ
うな部分は、ＲＦ干渉に対して大きな有効断面を示すこ
とになる。このタイプのＲＦ結合を減少させるために、
機器設計者は、リードを短くし、共振しうるループをな
くすように試みる。しかし、そのように機器を設計する
ことは、実際的、技術的な制約のためにしばしば困難で
ある。
生じるときには重大な問題となる。コネクタのワイヤま
たはピンのような機器の無害に見える部分が共振回路と
して働き得るので、この問題は特に深刻となる。そのよ
うな部分は、ＲＦ干渉に対して大きな有効断面を示すこ
とになる。このタイプのＲＦ結合を減少させるために、
機器設計者は、リードを短くし、共振しうるループをな
くすように試みる。しかし、そのように機器を設計する
ことは、実際的、技術的な制約のためにしばしば困難で
ある。
【００１０】「フェライト・ビーズ」の使用は、ＲＦ結
合を減少させることができる。フェライトビーズは、フ
ェライト材であり、高透磁率の磁性材料である。このフ
ェライト材は、信号を運ぶコネクタのワイヤまたはピン
のような導体にはめられる。フェライト材は、ＲＬロー
パス・フィルタとして有効に働く。このフェライト材
は、これを通過しようとするＲＦ放出を減少させる。基
本的に、フェライト材は、ライン・インピーダンスを変
化させ、高周波エネルギーが放射されないように、高い
周波数に対するインピーダンスを提供する。
合を減少させることができる。フェライトビーズは、フ
ェライト材であり、高透磁率の磁性材料である。このフ
ェライト材は、信号を運ぶコネクタのワイヤまたはピン
のような導体にはめられる。フェライト材は、ＲＬロー
パス・フィルタとして有効に働く。このフェライト材
は、これを通過しようとするＲＦ放出を減少させる。基
本的に、フェライト材は、ライン・インピーダンスを変
化させ、高周波エネルギーが放射されないように、高い
周波数に対するインピーダンスを提供する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、第１の機器内
のワイヤに正確にフェライトビーズを取り付けるよう
に、導体を製造することは困難かつ高価であるので、こ
れは理想的な解決ではない。また、フェライトビーズに
取り巻かれたワイヤのインピーダンスおよびインダクタ
ンスを正確に決定することは困難である。結果として、
第１の機器の性能を正確にモデル化することが困難であ
る。第１の機器の設計における他の重要なことは、第１
の機器からのＲＦエネルギー放出のレベルである。
のワイヤに正確にフェライトビーズを取り付けるよう
に、導体を製造することは困難かつ高価であるので、こ
れは理想的な解決ではない。また、フェライトビーズに
取り巻かれたワイヤのインピーダンスおよびインダクタ
ンスを正確に決定することは困難である。結果として、
第１の機器の性能を正確にモデル化することが困難であ
る。第１の機器の設計における他の重要なことは、第１
の機器からのＲＦエネルギー放出のレベルである。
【００１２】各国政府は、その地域内で使用される電子
機器の許容できる放出レベルを規制する組織を作ってい
る。これらの組織の例としては、欧州における無線干渉
についての国際特別委員会（ＣＩＳＰＥＲ）、および米
国における連邦通信委員会（ＦＣＣ）である。このよう
な組織によって設定された条件を満たすために、電子機
器からのＲＦ放出は最小化されなければならない。
機器の許容できる放出レベルを規制する組織を作ってい
る。これらの組織の例としては、欧州における無線干渉
についての国際特別委員会（ＣＩＳＰＥＲ）、および米
国における連邦通信委員会（ＦＣＣ）である。このよう
な組織によって設定された条件を満たすために、電子機
器からのＲＦ放出は最小化されなければならない。
【００１３】従って、本発明は、コネクタにおけるＲＦ
放出およびＲＦ干渉の低減を可能にする、信頼性があ
り、かつ正確にモデル化できる方法および装置を提供す
ることを目的とする。
放出およびＲＦ干渉の低減を可能にする、信頼性があ
り、かつ正確にモデル化できる方法および装置を提供す
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によるコネクタで
は、低い周波数においてコネクタのピンを短くすること
なく、コネクタのソケットおよびピンを減衰誘電体材料
で取り巻いて、望ましくない無線周波数（ＲＦ）信号を
減衰誘電体材料内に放射させる。減衰誘電体材料は、コ
ネクタピンと伝導された放出の形の外部ＲＦ信号との間
の干渉を減少させる。
は、低い周波数においてコネクタのピンを短くすること
なく、コネクタのソケットおよびピンを減衰誘電体材料
で取り巻いて、望ましくない無線周波数（ＲＦ）信号を
減衰誘電体材料内に放射させる。減衰誘電体材料は、コ
ネクタピンと伝導された放出の形の外部ＲＦ信号との間
の干渉を減少させる。
【００１５】また、本発明は、無線周波数の電磁エネル
ギーを放出する電気信号を伝達する電気的デバイスであ
り、電気信号を伝達するための媒体、およびこの媒体の
一部を放射状に取り巻く無線周波数の電磁エネルギー吸
収材を有し、信号により生成された無線周波数の電磁エ
ネルギー放出を減衰させる、
ギーを放出する電気信号を伝達する電気的デバイスであ
り、電気信号を伝達するための媒体、およびこの媒体の
一部を放射状に取り巻く無線周波数の電磁エネルギー吸
収材を有し、信号により生成された無線周波数の電磁エ
ネルギー放出を減衰させる、
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。なお、図中の参照符号の左の桁は、その
符号が最初に使用される図の番号に対応する。本発明の
電気コネクタ（以下、単にコネクタと称する。）では、
低い周波数においてコネクタのピンを短くすることな
く、コネクタのソケットおよびピンを減衰誘電体材料で
取り巻いて、望ましくない無線周波数（ＲＦ）信号を減
衰誘電体材料内に放射させる。この減衰誘電体材料は、
コネクタピンと伝導された放出の形の外部ＲＦ信号との
間の干渉を減少させる。
して説明する。なお、図中の参照符号の左の桁は、その
符号が最初に使用される図の番号に対応する。本発明の
電気コネクタ（以下、単にコネクタと称する。）では、
低い周波数においてコネクタのピンを短くすることな
く、コネクタのソケットおよびピンを減衰誘電体材料で
取り巻いて、望ましくない無線周波数（ＲＦ）信号を減
衰誘電体材料内に放射させる。この減衰誘電体材料は、
コネクタピンと伝導された放出の形の外部ＲＦ信号との
間の干渉を減少させる。
【００１７】本実施例では、Ｄタイプ超小型電気コネク
タ（以下、Ｄサブ・コネクタと称する。）について説明
する。しかし、本発明は、Ｄサブ・コネクタを他のタイ
プのコネクタに置き換えた場合にも適用可能である。図
１は、本発明の一実施例によるＤサブ・コネクタの雄部
１００を示している。このようなＤサブ・コネクタは、
線形増幅器のような多くのタイプの電子機器の一部であ
る。Ｄサブ・コネクタは、マルチピン・コネクタであ
り、１つの電子機器から他の電子機器へ多数の信号を伝
送できる。
タ（以下、Ｄサブ・コネクタと称する。）について説明
する。しかし、本発明は、Ｄサブ・コネクタを他のタイ
プのコネクタに置き換えた場合にも適用可能である。図
１は、本発明の一実施例によるＤサブ・コネクタの雄部
１００を示している。このようなＤサブ・コネクタは、
線形増幅器のような多くのタイプの電子機器の一部であ
る。Ｄサブ・コネクタは、マルチピン・コネクタであ
り、１つの電子機器から他の電子機器へ多数の信号を伝
送できる。
【００１８】Ｄサブ・コネクタは、雄部１００および雌
部２００を有する。図２は、対応するＤサブ・コネクタ
の雌部２００を示している。雄部１００のピンは、雌部
２００中のソケット２０２、２０４と合致するように設
計される。雄部１００の小コネクタピン１０２は、電子
機器間の制御／データ信号を伝える。大コネクタピン１
０４は、電子機器間の電力信号、および／またはＲＦ入
出力（Ｉ／Ｏ）信号を伝達する。なお、図示されたもの
と異なるピンのデザインも可能である。
部２００を有する。図２は、対応するＤサブ・コネクタ
の雌部２００を示している。雄部１００のピンは、雌部
２００中のソケット２０２、２０４と合致するように設
計される。雄部１００の小コネクタピン１０２は、電子
機器間の制御／データ信号を伝える。大コネクタピン１
０４は、電子機器間の電力信号、および／またはＲＦ入
出力（Ｉ／Ｏ）信号を伝達する。なお、図示されたもの
と異なるピンのデザインも可能である。
【００１９】上述したように、Ｄサブ・コネクタの雌部
２００は、Ｄサブ・コネクタの雄部１００のピン１０
２、１０４を受け入れる、すなわちピン１０２、１０４
と合致するソケット２０２、２０４を有する。ソケット
２０２、２０４は、代表的には、高導電率を有する材料
でコートされている。ピン１０２、１０４はソケットの
コーティングと接触している。ピン１０２、１０４とソ
ケット２０２、２０４との間の接触により、Ｄサブ・コ
ネクタの雄部１００とＤサブ・コネクタの雌部２００と
の間を信号が通ることが可能となる。
２００は、Ｄサブ・コネクタの雄部１００のピン１０
２、１０４を受け入れる、すなわちピン１０２、１０４
と合致するソケット２０２、２０４を有する。ソケット
２０２、２０４は、代表的には、高導電率を有する材料
でコートされている。ピン１０２、１０４はソケットの
コーティングと接触している。ピン１０２、１０４とソ
ケット２０２、２０４との間の接触により、Ｄサブ・コ
ネクタの雄部１００とＤサブ・コネクタの雌部２００と
の間を信号が通ることが可能となる。
【００２０】代表的には、雄部１００の小コネクタピン
１０２および大コネクタピン１０４は、硬化プラスチッ
ク材により部分的に取り巻かれる。プラスチック材は、
コネクタ・ハウジング１０８内に置かれる。フェースプ
レート１１０が、コネクタ・ハウジング１０８に接続さ
れる。フェースプレート１１０は、コネクタピン１０
２、１０４が突き出る端部のプラスチック材と交差する
ようにしてもよい。また、フェースプレート１１０は、
プラスチック材によりつくられる平面の両側にプラスチ
ック材が延びるように、プラスチック材と交差するよう
にしてもよい。
１０２および大コネクタピン１０４は、硬化プラスチッ
ク材により部分的に取り巻かれる。プラスチック材は、
コネクタ・ハウジング１０８内に置かれる。フェースプ
レート１１０が、コネクタ・ハウジング１０８に接続さ
れる。フェースプレート１１０は、コネクタピン１０
２、１０４が突き出る端部のプラスチック材と交差する
ようにしてもよい。また、フェースプレート１１０は、
プラスチック材によりつくられる平面の両側にプラスチ
ック材が延びるように、プラスチック材と交差するよう
にしてもよい。
【００２１】硬化プラスチック材は、コネクタピン１０
２、１０４を雄部のコネクタハウジング１０８内に固定
し、コネクタピン１０２、１０４が曲がったり、整列が
乱れることを防止する。コネクタピン１０２、１０４の
整列を維持することは、非常に重要である。コネクタピ
ン１０２、１０４の整列が変わると、コネクタピン１０
２、１０４は、Ｄサブ・コネクタの雌部２００と合致し
なくなる。
２、１０４を雄部のコネクタハウジング１０８内に固定
し、コネクタピン１０２、１０４が曲がったり、整列が
乱れることを防止する。コネクタピン１０２、１０４の
整列を維持することは、非常に重要である。コネクタピ
ン１０２、１０４の整列が変わると、コネクタピン１０
２、１０４は、Ｄサブ・コネクタの雌部２００と合致し
なくなる。
【００２２】上述したように、コネクタピン１０２、１
０４を固定するために使用される材料は、代表的には、
硬化プラスチック材である。しかし、そのような硬化プ
ラスチック材は、それを通過するＲＦ放出を減衰させな
い。本発明の重要な特徴は、この硬化プラスチック材を
ＲＦエネルギー吸収材１０６に置き換えて、ＲＦ放出お
よび電気的コネクタ間のＲＦ結合を著しく減少させるこ
とである。ＲＦエネルギー吸収材１０６は、上述したプ
ラスチック材と同じ位置に配置される。
０４を固定するために使用される材料は、代表的には、
硬化プラスチック材である。しかし、そのような硬化プ
ラスチック材は、それを通過するＲＦ放出を減衰させな
い。本発明の重要な特徴は、この硬化プラスチック材を
ＲＦエネルギー吸収材１０６に置き換えて、ＲＦ放出お
よび電気的コネクタ間のＲＦ結合を著しく減少させるこ
とである。ＲＦエネルギー吸収材１０６は、上述したプ
ラスチック材と同じ位置に配置される。
【００２３】同様に、Ｄサブ・コネクタの雌部２００
は、代表的には、雌部のコネクタ・ハウジング２０８内
にソケット２０２、２０４を配置するように成型された
プラスチック材を含む。本発明のもう１つの重要な特徴
は、Ｄサブ・コネクタの雌部２００中にＲＦエネルギー
吸収材２０６を用いて、ＲＦ放出およびＲＦ結合を著し
く減少させることである。なお、Ｄサブ・コネクタの雄
部１００および雌部２００には、同じＲＦエネルギー吸
収材１０６、２０６が使用できる。
は、代表的には、雌部のコネクタ・ハウジング２０８内
にソケット２０２、２０４を配置するように成型された
プラスチック材を含む。本発明のもう１つの重要な特徴
は、Ｄサブ・コネクタの雌部２００中にＲＦエネルギー
吸収材２０６を用いて、ＲＦ放出およびＲＦ結合を著し
く減少させることである。なお、Ｄサブ・コネクタの雄
部１００および雌部２００には、同じＲＦエネルギー吸
収材１０６、２０６が使用できる。
【００２４】次に図３を参照して、ＲＦエネルギー吸収
材１０６、２０６として使用する材料を決定する好まし
い方法を説明する。ステップ３０２において、機器設計
者によって、減衰されるべきＲＦが決定される。選ばれ
た周波数は、ＲＦエネルギーを吸収するために、ステッ
プ３０６において、設計者によってどのＲＦエネルギー
吸収材１０６、２０６が選択されるかに影響を与える。
なお、上述したように、ＲＦエネルギー吸収材１０６、
２０６の必要な幅は、選ばれた周波数に関連づけられ
る。
材１０６、２０６として使用する材料を決定する好まし
い方法を説明する。ステップ３０２において、機器設計
者によって、減衰されるべきＲＦが決定される。選ばれ
た周波数は、ＲＦエネルギーを吸収するために、ステッ
プ３０６において、設計者によってどのＲＦエネルギー
吸収材１０６、２０６が選択されるかに影響を与える。
なお、上述したように、ＲＦエネルギー吸収材１０６、
２０６の必要な幅は、選ばれた周波数に関連づけられ
る。
【００２５】電子機器は、しばしば、特定の周波数で動
作するように設計される。第１の機器からのＲＦ放出
は、代表的には、この周波数およびその第１次、第３次
など奇数次高調波において生じる。これらの高調波周波
数における見せかけの放射は、上述した政府規制の放出
基準により望ましくない。これらの周波数は、ＲＦが減
衰されるように、ステップ３０２において、機器設計者
によって選ばれる。
作するように設計される。第１の機器からのＲＦ放出
は、代表的には、この周波数およびその第１次、第３次
など奇数次高調波において生じる。これらの高調波周波
数における見せかけの放射は、上述した政府規制の放出
基準により望ましくない。これらの周波数は、ＲＦが減
衰されるように、ステップ３０２において、機器設計者
によって選ばれる。
【００２６】ステップ３０４において、設計者は、コネ
クタに印可され得る最大電圧すなわち、コネクタの定格
電圧を決定する。ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６
を選ぶ場合、コネクタ１００、２００の最大定格電圧は
非常に重要である。ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０
６に過電圧が印可されると、飽和が起こる。飽和が起こ
ると、ＲＦエネルギーを吸収するＲＦエネルギー吸収材
１０６、２０６の能力は著しく低下する。種々の材料に
ついてのＲＦ定格電圧および最大直流（ＤＣ）電圧は、
「Ｓｈａｃｋｅｌｆｏｒｄ＆Ａｌｅｘａｎｄｅｒ，Ｍａ
ｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，ＣＲ
Ｃ Ｐｒｅｓｓ １９９２」のような種々の文献により
知ることができる。
クタに印可され得る最大電圧すなわち、コネクタの定格
電圧を決定する。ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６
を選ぶ場合、コネクタ１００、２００の最大定格電圧は
非常に重要である。ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０
６に過電圧が印可されると、飽和が起こる。飽和が起こ
ると、ＲＦエネルギーを吸収するＲＦエネルギー吸収材
１０６、２０６の能力は著しく低下する。種々の材料に
ついてのＲＦ定格電圧および最大直流（ＤＣ）電圧は、
「Ｓｈａｃｋｅｌｆｏｒｄ＆Ａｌｅｘａｎｄｅｒ，Ｍａ
ｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，ＣＲ
Ｃ Ｐｒｅｓｓ １９９２」のような種々の文献により
知ることができる。
【００２７】ステップ３０６において、設計者は、ステ
ップ３０２において決定した減衰されるべきＲＦ、ステ
ップ３０４において決定したＲＦエネルギー吸収材１０
６、２０６に印可されるべき最大電圧、ＲＦエネルギー
吸収材、すなわちポリマー１０６、２０６の導電率レベ
ルを含むいくつかの考慮に基づいて、ＲＦエネルギー吸
収材１０６、２０６、すなわち例えばポリマーのような
材料の組み合わせを選ぶ。
ップ３０２において決定した減衰されるべきＲＦ、ステ
ップ３０４において決定したＲＦエネルギー吸収材１０
６、２０６に印可されるべき最大電圧、ＲＦエネルギー
吸収材、すなわちポリマー１０６、２０６の導電率レベ
ルを含むいくつかの考慮に基づいて、ＲＦエネルギー吸
収材１０６、２０６、すなわち例えばポリマーのような
材料の組み合わせを選ぶ。
【００２８】導電率は、ＲＦエネルギー吸収材１０６、
２０６がＤサブ・コネクタの雄部１００のピン１０２、
１０４間、またはＤサブ・コネクタの雌部２００のソケ
ット２０２、２０４間の短絡を防止するために十分に低
くなければならない。また、導電率は、ＲＦエネルギー
吸収材１０６、２０６がそれを通過する信号を減衰させ
ることを確実にするために十分高くなければならない。
すなわちステップ３０６において、ＲＦエネルギー吸収
材１０６、２０６は、損失が大きく、かつ大きな誘電正
接を有しなければならない。
２０６がＤサブ・コネクタの雄部１００のピン１０２、
１０４間、またはＤサブ・コネクタの雌部２００のソケ
ット２０２、２０４間の短絡を防止するために十分に低
くなければならない。また、導電率は、ＲＦエネルギー
吸収材１０６、２０６がそれを通過する信号を減衰させ
ることを確実にするために十分高くなければならない。
すなわちステップ３０６において、ＲＦエネルギー吸収
材１０６、２０６は、損失が大きく、かつ大きな誘電正
接を有しなければならない。
【００２９】好ましい実施例において、例えば鉄含有シ
リコンのような減衰誘電体材料が、ステップ３０６にお
いて、ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６として選択
される。減衰材は、零でない導電率σを有する。減衰材
すなわちＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６による信
号の減衰量は、信号の周波数に依存する。一般に、選ば
れたＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６は、ステップ
３０２において減衰されるべきとして選ばれた周波数、
例えばＲＦにおいて、高いインピーダンスを有すること
になる。しかし、低い周波数において、インピーダンス
は低くなる。
リコンのような減衰誘電体材料が、ステップ３０６にお
いて、ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６として選択
される。減衰材は、零でない導電率σを有する。減衰材
すなわちＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６による信
号の減衰量は、信号の周波数に依存する。一般に、選ば
れたＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６は、ステップ
３０２において減衰されるべきとして選ばれた周波数、
例えばＲＦにおいて、高いインピーダンスを有すること
になる。しかし、低い周波数において、インピーダンス
は低くなる。
【００３０】上述したように、コネクタの雄部１００
は、多数のピンを有する。低周波信号または直流（Ｄ
Ｃ）信号は、これらのコネクタピン１０２、１０４のう
ちの１つまたは２つ以上に存在し得る。従って、ＲＦエ
ネルギー吸収材１０６、２０６は、低い周波数における
ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６のインピーダンス
が、低周波信号が存在する場合に、コネクタピン１０
２、１０４間の短絡を防止するために十分に高くなるよ
うに選ばれる。減衰誘電体材料は、高いインピーダンス
を有し、直流に対し良くない導体である。本実施例で
は、そのような減衰誘電体材料がＲＦエネルギー吸収材
１０６、２０６として選ばれる。
は、多数のピンを有する。低周波信号または直流（Ｄ
Ｃ）信号は、これらのコネクタピン１０２、１０４のう
ちの１つまたは２つ以上に存在し得る。従って、ＲＦエ
ネルギー吸収材１０６、２０６は、低い周波数における
ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６のインピーダンス
が、低周波信号が存在する場合に、コネクタピン１０
２、１０４間の短絡を防止するために十分に高くなるよ
うに選ばれる。減衰誘電体材料は、高いインピーダンス
を有し、直流に対し良くない導体である。本実施例で
は、そのような減衰誘電体材料がＲＦエネルギー吸収材
１０６、２０６として選ばれる。
【００３１】ステップ３０８において、ＲＦエネルギー
吸収材１０６、２０６の誘電率εが決定される。材料の
誘電率とは、電気的エネルギーを蓄える能力の尺度であ
る。多くの材料についての誘電率の値は、良く知られて
おり、様々な文献に示されている。例えば、多くの材料
についての誘電率の値を含む表が、「Ｈａｙｔ，Ｅｎｇ
ｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ
ｓ，５０８頁（第４版、１９８１）」に示されている。
材料の誘電率を決定する方法は、当業者であれば理解で
きるであろう。
吸収材１０６、２０６の誘電率εが決定される。材料の
誘電率とは、電気的エネルギーを蓄える能力の尺度であ
る。多くの材料についての誘電率の値は、良く知られて
おり、様々な文献に示されている。例えば、多くの材料
についての誘電率の値を含む表が、「Ｈａｙｔ，Ｅｎｇ
ｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ
ｓ，５０８頁（第４版、１９８１）」に示されている。
材料の誘電率を決定する方法は、当業者であれば理解で
きるであろう。
【００３２】ステップ３１０において、コネクタピン１
０２、１０４間のＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６
の幅が決定される。信号がＲＦエネルギー吸収材１０
６、２０６を通過するとき、信号がＲＦエネルギー吸収
材１０６、２０６を通過するにつれて、その大きさが減
少する。最大の浸透厚は、コネクタピン１０２、１０４
間の距離およびコネクタ１００、２００の物理的サイズ
によって制限される。ＲＦエネルギー吸収材に関する詳
細は、米国特許第４，９４８，９２２号、第４，８８
９，７５０号、および第４，３７１，７３２号公報に示
されている。
０２、１０４間のＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６
の幅が決定される。信号がＲＦエネルギー吸収材１０
６、２０６を通過するとき、信号がＲＦエネルギー吸収
材１０６、２０６を通過するにつれて、その大きさが減
少する。最大の浸透厚は、コネクタピン１０２、１０４
間の距離およびコネクタ１００、２００の物理的サイズ
によって制限される。ＲＦエネルギー吸収材に関する詳
細は、米国特許第４，９４８，９２２号、第４，８８
９，７５０号、および第４，３７１，７３２号公報に示
されている。
【００３３】ステップ３１２において、ＲＦ放出の理想
的な減少が決定される。ＲＦエネルギー吸収材１０６、
２０６が電子機器中の信号を減衰させるために適切であ
るかどうかを決定する方法を、以下に説明する。ＲＦエ
ネルギー吸収材１０６、２０６の減衰レベルを決定する
ために、所定の材料特性が、以下の式（１）〜（１９）
中で使用される。
的な減少が決定される。ＲＦエネルギー吸収材１０６、
２０６が電子機器中の信号を減衰させるために適切であ
るかどうかを決定する方法を、以下に説明する。ＲＦエ
ネルギー吸収材１０６、２０６の減衰レベルを決定する
ために、所定の材料特性が、以下の式（１）〜（１９）
中で使用される。
【００３４】ここで、式（１）〜（１９）中で使用され
る変数を定義する。「Ｈ」は磁界の強さであり、その単
位はアンペア／メーター（Ａ／ｍ）である。「σ」は材
料の導電率であり、モー／メーターの単位を有する。
「ω」は信号の角周波数であり、ラジアン／秒（ｒａｄ
／ｓ）の単位を有する。「ε」は材料の誘電率であり、
ファラッド／メーター（Ｆ／ｍ）の単位を有する。
「μ」は材料の透磁率であり、ヘンリー／メーター（Ｈ
／ｍ）の単位を有する。
る変数を定義する。「Ｈ」は磁界の強さであり、その単
位はアンペア／メーター（Ａ／ｍ）である。「σ」は材
料の導電率であり、モー／メーターの単位を有する。
「ω」は信号の角周波数であり、ラジアン／秒（ｒａｄ
／ｓ）の単位を有する。「ε」は材料の誘電率であり、
ファラッド／メーター（Ｆ／ｍ）の単位を有する。
「μ」は材料の透磁率であり、ヘンリー／メーター（Ｈ
／ｍ）の単位を有する。
【００３５】「Ｅ」は電界強度であり、ボルト／メータ
ー（Ｖ／ｍ）の単位を有する。「ｚ」はｚ軸方向の距離
であり、メーター（ｍ）の単位を有する。「α」は材料
の減衰定数であり、ネーパー／メーター（Ｎｐ／ｍ）の
単位を有する。「γ」は伝播定数であり、ネーパー／メ
ーター（ｍ-1）の複合単位を有する。「ｆ」は信号の周
波数であり、ヘルツ（Ｈｚ）の単位を有する。「δ」は
材料の浸透厚であり、メーター（ｍ）の単位を有する。
ー（Ｖ／ｍ）の単位を有する。「ｚ」はｚ軸方向の距離
であり、メーター（ｍ）の単位を有する。「α」は材料
の減衰定数であり、ネーパー／メーター（Ｎｐ／ｍ）の
単位を有する。「γ」は伝播定数であり、ネーパー／メ
ーター（ｍ-1）の複合単位を有する。「ｆ」は信号の周
波数であり、ヘルツ（Ｈｚ）の単位を有する。「δ」は
材料の浸透厚であり、メーター（ｍ）の単位を有する。
【００３６】以下の式において使用される値は、近似値
であり、ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６を通過す
る信号のＲＦ減衰を決定する方法を示している。本発明
によるＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６の必要条件
は、信号がＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６を通っ
て伝播するときに、信号の大きさが減少すること、すな
わちＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６が信号を減衰
させることである。上述したように、減衰材は、それを
通過する信号の大きさを減少させる材料である。減衰材
は、零でない導電率σを有する。信号が減衰材を通過す
るとき、信号は、式（１）で示されるように、アンペー
ルの法則による。
であり、ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６を通過す
る信号のＲＦ減衰を決定する方法を示している。本発明
によるＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６の必要条件
は、信号がＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６を通っ
て伝播するときに、信号の大きさが減少すること、すな
わちＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６が信号を減衰
させることである。上述したように、減衰材は、それを
通過する信号の大きさを減少させる材料である。減衰材
は、零でない導電率σを有する。信号が減衰材を通過す
るとき、信号は、式（１）で示されるように、アンペー
ルの法則による。
【数１】
【００３７】式（１）中のσ／ωεは、材料の誘電正接
と呼ばれる。誘電正接は、周波数の関数である。誘電正
接の値は、「Ｓｈａｃｋｅｌｆｏｒｄ＆Ａｌｅｘａｎｄ
ｅｒ，Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｈａｎｄｂ
ｏｏｋ，ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ１９９２」のような種々の
材料ハンドブック中の表から計算される。
と呼ばれる。誘電正接は、周波数の関数である。誘電正
接の値は、「Ｓｈａｃｋｅｌｆｏｒｄ＆Ａｌｅｘａｎｄ
ｅｒ，Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｈａｎｄｂ
ｏｏｋ，ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ１９９２」のような種々の
材料ハンドブック中の表から計算される。
【００３８】材料は、誘電正接が１よりも著しく大きい
か著しく小さいかによって、次式のように分類される。
か著しく小さいかによって、次式のように分類される。
【数２】
【００３９】上述したように、減衰誘電体材料がＲＦエ
ネルギー吸収材１０６、２０６として選ばれる。ＲＦエ
ネルギー吸収材１０６、２０６すなわち減衰材が、Ｄサ
ブ・コネクタのコネクタピン１０２、１０４およびソケ
ット２０２、２０４を取り巻く。信号がコネクタピン１
０２、１０４およびソケット２０２、２０４を通って伝
達されると、ＲＦ電磁エネルギーがＲＦエネルギー吸収
材１０６、２０６中に放射状に放出される。ＲＦエネル
ギー吸収材１０６、２０６は、誘電率（ε）、透磁率
（μ）、および導電率（σ）に対応する材料定数を有す
る。信号により生じる電界は式（４）で表される。
ネルギー吸収材１０６、２０６として選ばれる。ＲＦエ
ネルギー吸収材１０６、２０６すなわち減衰材が、Ｄサ
ブ・コネクタのコネクタピン１０２、１０４およびソケ
ット２０２、２０４を取り巻く。信号がコネクタピン１
０２、１０４およびソケット２０２、２０４を通って伝
達されると、ＲＦ電磁エネルギーがＲＦエネルギー吸収
材１０６、２０６中に放射状に放出される。ＲＦエネル
ギー吸収材１０６、２０６は、誘電率（ε）、透磁率
（μ）、および導電率（σ）に対応する材料定数を有す
る。信号により生じる電界は式（４）で表される。
【数３】
【００４０】ここで、Ｅmは電界の振幅である。信号が
ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６を通って伝播する
とき、その振幅はファクターｅ-azで減衰する。従っ
て、大きな距離について、信号の振幅は１／ｅに減少
し、最初の振幅の約３７％になる。
ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６を通って伝播する
とき、その振幅はファクターｅ-azで減衰する。従っ
て、大きな距離について、信号の振幅は１／ｅに減少
し、最初の振幅の約３７％になる。
【数４】 δは、ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６の浸透厚、
すなわち浸透の深さである。
すなわち浸透の深さである。
【００４１】良い減衰誘電体材料の場合、信号周波数が
高くなると、浸透厚が非常に小さくなる。ＲＦエネルギ
ー吸収材１０６、２０６の幅を少なくとも浸透厚δの数
倍に等しくすることにより、有効な電磁シールドが提供
できる。すなわち、信号が正常にＲＦエネルギー吸収材
１０６、２０６の表面に入射された場合、ＲＦエネルギ
ー吸収材１０６、２０６の一方の側にある電子機器を他
の側にある信号の影響から有効にシールドするために、
ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６の厚さは、浸透厚
の２、３倍だけ必要となる。これは、コネクタピン１０
２、１０４およびソケット２０２、２０４のような導体
からＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６中へ放射され
る波の急速な減衰による。
高くなると、浸透厚が非常に小さくなる。ＲＦエネルギ
ー吸収材１０６、２０６の幅を少なくとも浸透厚δの数
倍に等しくすることにより、有効な電磁シールドが提供
できる。すなわち、信号が正常にＲＦエネルギー吸収材
１０６、２０６の表面に入射された場合、ＲＦエネルギ
ー吸収材１０６、２０６の一方の側にある電子機器を他
の側にある信号の影響から有効にシールドするために、
ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６の厚さは、浸透厚
の２、３倍だけ必要となる。これは、コネクタピン１０
２、１０４およびソケット２０２、２０４のような導体
からＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６中へ放射され
る波の急速な減衰による。
【００４２】例えば、ステップ３０２において、減衰さ
れるべき周波数は１ギガヘルツ（ＧＨｚ）に選ばれ、Ｒ
Ｆエネルギー吸収材１０６、２０６は鉄含有シリコンで
ある場合、鉄含有シリコンを１ミリメーター（ｍｍ）通
過する信号の減衰量は、以下の計算で示される。ω＝２
πｆであり、信号の角周波数ωは６．２８（１０9）ラ
ジアンである。
れるべき周波数は１ギガヘルツ（ＧＨｚ）に選ばれ、Ｒ
Ｆエネルギー吸収材１０６、２０６は鉄含有シリコンで
ある場合、鉄含有シリコンを１ミリメーター（ｍｍ）通
過する信号の減衰量は、以下の計算で示される。ω＝２
πｆであり、信号の角周波数ωは６．２８（１０9）ラ
ジアンである。
【００４３】透磁率μは、真空の透磁率μ0および鉄含
有シリコンの比透磁率μrの積に等しく、式（６）で表
される。
有シリコンの比透磁率μrの積に等しく、式（６）で表
される。
【数５】 誘電率εは、真空の誘電率ε0および鉄含有シリコンの
比誘電率εrの積に等しく、式（７）で表される。
比誘電率εrの積に等しく、式（７）で表される。
【数６】
【００４４】例えば、「Ｈａｙｔ，Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉ
ｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｓ」の第５０８
頁〜第５０９頁の材料特性の表に基づいて、式（８）、
式（９）に示すように、鉄含有シリコンの透磁率および
誘電率が計算される。
ｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｓ」の第５０８
頁〜第５０９頁の材料特性の表に基づいて、式（８）、
式（９）に示すように、鉄含有シリコンの透磁率および
誘電率が計算される。
【数７】
【００４５】伝播定数γは、式（１１）で表される。鉄
含有シリコンについての伝播定数γは、式（１２）〜式
（１６）で示されるように計算される。
含有シリコンについての伝播定数γは、式（１２）〜式
（１６）で示されるように計算される。
【数８】
【００４６】浸透厚δは、１／α、すなわち７．７５
（１０-6）である。上述したように、信号は、材料の浸
透厚δを移動した後に、その振幅が最初の値の約３７
％、すなわちｅ-1に減少するように、減衰される。各浸
透厚についての信号のデシベル（ｄＢ）低下は、式（１
７）で表される。
（１０-6）である。上述したように、信号は、材料の浸
透厚δを移動した後に、その振幅が最初の値の約３７
％、すなわちｅ-1に減少するように、減衰される。各浸
透厚についての信号のデシベル（ｄＢ）低下は、式（１
７）で表される。
【数９】
【００４７】信号出力が信号入力の３６．７％、すなわ
ちｅ-1だけである場合、デシベル減少は式（１８）で表
される。
ちｅ-1だけである場合、デシベル減少は式（１８）で表
される。
【数１０】 すなわち、信号は、通過する各浸透厚について約８．７
ｄＢだけ減少させられる。鉄含有シリコンが１ｍｍの厚
さである場合、信号が通過する浸透厚の数は、式（１
９）で示される。
ｄＢだけ減少させられる。鉄含有シリコンが１ｍｍの厚
さである場合、信号が通過する浸透厚の数は、式（１
９）で示される。
【数１１】
【００４８】すなわち、１ＧＨｚの信号が１ｍｍの鉄含
有シリコンを通過すると、１２９個の浸透厚を通過する
ことになる。これらの計算は、理想的な減衰を示してい
る。従って理想的には、信号は１１００ｄＢ（８．７ｄ
Ｂの１２９倍）以上低減されることになる。現実の信号
の低減は、この理想的な場合よりも小さくなるが、注目
に値するものとなる。
有シリコンを通過すると、１２９個の浸透厚を通過する
ことになる。これらの計算は、理想的な減衰を示してい
る。従って理想的には、信号は１１００ｄＢ（８．７ｄ
Ｂの１２９倍）以上低減されることになる。現実の信号
の低減は、この理想的な場合よりも小さくなるが、注目
に値するものとなる。
【００４９】ステップ３１４において、ユーザは、選ん
だ材料１０６、２０６のＲＦ減衰が十分であるかどうか
を決定する。ＲＦ減衰が十分である場合、ステップ３１
６に示すように、材料の選択は完了する。ＲＦ減衰が十
分でない場合、新しい材料が選ばれて、ステップ３０６
〜３１４が反復される。ＲＦエネルギー吸収材１０６、
２０６の最適な導電率、すなわち高い誘電正接と低周波
信号での絶縁とは、微妙な交換条件である。なお、他の
適切なＲＦエネルギー吸収材料を決定する方法も、本発
明に適用可能である。
だ材料１０６、２０６のＲＦ減衰が十分であるかどうか
を決定する。ＲＦ減衰が十分である場合、ステップ３１
６に示すように、材料の選択は完了する。ＲＦ減衰が十
分でない場合、新しい材料が選ばれて、ステップ３０６
〜３１４が反復される。ＲＦエネルギー吸収材１０６、
２０６の最適な導電率、すなわち高い誘電正接と低周波
信号での絶縁とは、微妙な交換条件である。なお、他の
適切なＲＦエネルギー吸収材料を決定する方法も、本発
明に適用可能である。
【００５０】ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６をコ
ネクタピン１０２、１０４またはコネクタソケット２０
２、２０４とコネクタハウジング１０８、２０８との間
に設けることに関して、図４および図５に示すような、
信号をさらに減衰させる方法が利用できる。図４は、本
発明の第２の実施例によるＤサブ・コネクタの雌部４０
０を示す透視図である。図４において、同軸フェライト
・スリーブ４０２、４０４が各ソケット２０２、２０４
のソケットコーティング２１０を取り巻いている。同軸
フェライト・スリーブ４０２、４０４は、同軸部品であ
り、その外側層としてのフェライト材料の薄い層を有し
ている。同軸フェライト・スリーブ４０２、４０４は、
ＲＦエネルギー吸収材２０６によって取り囲まれてい
る。同軸フェライト・スリーブ４０２、４０４は、コネ
クタソケット２０２、２０４をシールドし、コネクタピ
ン１０２、１０４およびコネクタソケット２０２、２０
４により形成される導電性パスから放射される信号をさ
らに減衰させる。
ネクタピン１０２、１０４またはコネクタソケット２０
２、２０４とコネクタハウジング１０８、２０８との間
に設けることに関して、図４および図５に示すような、
信号をさらに減衰させる方法が利用できる。図４は、本
発明の第２の実施例によるＤサブ・コネクタの雌部４０
０を示す透視図である。図４において、同軸フェライト
・スリーブ４０２、４０４が各ソケット２０２、２０４
のソケットコーティング２１０を取り巻いている。同軸
フェライト・スリーブ４０２、４０４は、同軸部品であ
り、その外側層としてのフェライト材料の薄い層を有し
ている。同軸フェライト・スリーブ４０２、４０４は、
ＲＦエネルギー吸収材２０６によって取り囲まれてい
る。同軸フェライト・スリーブ４０２、４０４は、コネ
クタソケット２０２、２０４をシールドし、コネクタピ
ン１０２、１０４およびコネクタソケット２０２、２０
４により形成される導電性パスから放射される信号をさ
らに減衰させる。
【００５１】同軸フェライト・スリーブ４０２、４０４
は、ＲＦエネルギーの減衰を向上させる。同軸フェライ
ト・スリーブ４０２、４０４とＲＦエネルギー吸収材１
０６、２０６との組み合わせは、制御可能かつ予測可能
なＬＣローパス・フィルタとして働く。同軸フェライト
・スリーブ４０２、４０４は、フィルタのインダクタン
スを提供し、ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６は、
フィルタのキャパシタンスを提供する。同軸フェライト
・スリーブ４０２、４０４とＲＦエネルギー吸収材１０
６、２０６との組み合わせは、ＲＦにおいて高い直列イ
ンピーダンスを形成し、ＤＣにおいて低い直列インピー
ダンスを形成する。この同軸フェライト・スリーブの詳
細な動作は、当業者であれば理解できるであろう。
は、ＲＦエネルギーの減衰を向上させる。同軸フェライ
ト・スリーブ４０２、４０４とＲＦエネルギー吸収材１
０６、２０６との組み合わせは、制御可能かつ予測可能
なＬＣローパス・フィルタとして働く。同軸フェライト
・スリーブ４０２、４０４は、フィルタのインダクタン
スを提供し、ＲＦエネルギー吸収材１０６、２０６は、
フィルタのキャパシタンスを提供する。同軸フェライト
・スリーブ４０２、４０４とＲＦエネルギー吸収材１０
６、２０６との組み合わせは、ＲＦにおいて高い直列イ
ンピーダンスを形成し、ＤＣにおいて低い直列インピー
ダンスを形成する。この同軸フェライト・スリーブの詳
細な動作は、当業者であれば理解できるであろう。
【００５２】図５は、本発明の第３の実施例によるＤサ
ブ・コネクタの雌部５００を示す透視図である。図５に
おいて、信号の減衰をさらに増大させるために、同軸フ
ェライト・スリーブ４０２、４０４が各ソケットのソケ
ットコーティングを取り巻いている。同軸フェライト・
スリーブ４０４は、バイパス・フィルタキャパシタ５０
２を介してコネクタハウジング２０８に物理的に接続さ
れている。
ブ・コネクタの雌部５００を示す透視図である。図５に
おいて、信号の減衰をさらに増大させるために、同軸フ
ェライト・スリーブ４０２、４０４が各ソケットのソケ
ットコーティングを取り巻いている。同軸フェライト・
スリーブ４０４は、バイパス・フィルタキャパシタ５０
２を介してコネクタハウジング２０８に物理的に接続さ
れている。
【００５３】図５においては、１つのバイパス・フィル
タキャパシタ５０２が示されているが、ＲＦ放射を低減
させるために、各同軸フェライト・スリーブ４０２、４
０４と物理的に結合されるようにしてもよい。代表的に
は、コネクタハウジング２０８は、接地されている。本
発明の他の一実施例においては、バイパス・フィルタキ
ャパシタ５０２が、同軸フェライト・スリーブ４０２、
４０４をコネクタハウジング２０８に接続して、同軸フ
ェライト・スリーブ４０２、４０４上のＲＦ放射を接地
する。接地された同軸フェライト・スリーブ４０２、４
０４は、同軸フェライト・スリーブ４０２、４０４上の
外来の信号に対するＲＦ分路を提供することにより、一
般にＲＦの減衰を増大させる。このＲＦバイパスキャパ
シタの詳細な動作は、当業者であれば理解できるであろ
う。
タキャパシタ５０２が示されているが、ＲＦ放射を低減
させるために、各同軸フェライト・スリーブ４０２、４
０４と物理的に結合されるようにしてもよい。代表的に
は、コネクタハウジング２０８は、接地されている。本
発明の他の一実施例においては、バイパス・フィルタキ
ャパシタ５０２が、同軸フェライト・スリーブ４０２、
４０４をコネクタハウジング２０８に接続して、同軸フ
ェライト・スリーブ４０２、４０４上のＲＦ放射を接地
する。接地された同軸フェライト・スリーブ４０２、４
０４は、同軸フェライト・スリーブ４０２、４０４上の
外来の信号に対するＲＦ分路を提供することにより、一
般にＲＦの減衰を増大させる。このＲＦバイパスキャパ
シタの詳細な動作は、当業者であれば理解できるであろ
う。
【００５４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、コ
ネクタにおけるＲＦ放出およびＲＦ干渉の低減を可能に
する、信頼性があり、かつ正確にモデル化できる方法お
よび装置を提供することができる。
ネクタにおけるＲＦ放出およびＲＦ干渉の低減を可能に
する、信頼性があり、かつ正確にモデル化できる方法お
よび装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例によるＤサブ・コネクタ
の雄部の構成を示す透視図。
の雄部の構成を示す透視図。
【図２】本発明の第１の実施例によるＤサブ・コネクタ
の雌部の構成を示す透視図。
の雌部の構成を示す透視図。
【図３】本発明の一実施例によるＲＦエネルギー吸収材
を選択する方法を示すフローチャート。
を選択する方法を示すフローチャート。
【図４】本発明の第２の実施例によるＤサブ・コネクタ
の雌部の構成を示す透視図。
の雌部の構成を示す透視図。
【図５】本発明の第３の実施例によるＤサブ・コネクタ
の雌部の構成を示す透視図。
の雌部の構成を示す透視図。
１００ 雄部 １０２ 小コネクタピン １０４ 大コネクタピン １０６ ＲＦエネルギー吸収材 １０８ コネクタハウジング １１０ フェースプレート ２００ 雌部 ２０２・２０４ ソケット ２０６ ＲＦエネルギー吸収材 ２０８ コネクタハウジング ２１０ フェースプレート ４０２・４０４ 同軸フェライト・スリーブ ５０２ バイパス・フィルタキャパシタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−274073（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29043（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29042（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−19686（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−133509（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−92979（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−130114（ＪＰ，Ｕ) 欧州特許569917（ＥＰ，Ｂ１) 米国特許5257950（ＵＳ，Ａ) 米国特許5236376（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01R 13/66 - 13/719
Claims (11)
- 【請求項１】 無線周波電磁エネルギーを放出する電気
信号を伝達するための電気的装置において、該電気的装
置は、 導電性ピンおよび導電性ソケットを有し、電気信号を伝
達するための電気的パスを構成する媒体と、 前記媒体の一部を放射状に包囲し、キャパシタンスＣを
有する損失性誘電体材料と、 前記媒体と前記損失性誘電体材料の間に配置され、イン
ダクタンスＬを有する同軸フェライトスリーブとを有
し、 前記損失性誘電体材料と前記同軸フェライトスリーブの
組合せがＬＣローパスフィルタを形成して、前記電気信
号によって発生する無線周波電磁エネルギーの放射を減
衰させることを特徴とする、電気信号を伝達するための
電気的装置。 - 【請求項２】 電子機器用コネクタであることを特徴と
する請求項１に記載の電気的装置。 - 【請求項３】 Ｄ−ｓｕｂコネクタであることを特徴と
する請求項１に記載の電気的装置。 - 【請求項４】 前記損失性誘電体材料はポリマーである
ことを特徴とする請求項１に記載の電気的装置。 - 【請求項５】 前記媒体は、複数の導電性ピンおよび複
数の導電性ソケットを有し、前記損失性誘電体材料は、
前記複数の導電性ピンを互いに絶縁し、かつ、前記複数
の導電性ソケットを互いに絶縁することを特徴とする請
求項１に記載の電気的装置。 - 【請求項６】 無線周波電磁エネルギーを放出する電気
信号を伝達するための電気的装置において、該電気的装
置は、 導電性ピンおよび導電性ソケットを有し、電気信号を伝
達するための電気的パスを構成する媒体と、 前記媒体の一部を放射状に包囲し、キャパシタンスＣを
有する損失性誘電体材料と、 前記媒体と前記損失性誘電体材料の間に配置され、イン
ダクタンスＬを有する同軸フェライトスリーブと、 前記媒体、前記損失性誘電体材料および前記同軸フェラ
イトスリーブを包囲するハウジングとを有し、 前記損失性誘電体材料と前記同軸フェライトスリーブの
組合せがＬＣローパスフィルタを形成して、前記電気信
号によって発生する無線周波電磁エネルギーの放射を減
衰させることを特徴とする、電気信号を伝達するための
電気的装置。 - 【請求項７】 前記ハウジングは電気的に接地され、 前記電気的装置は、 前記ハウジングを前記同軸フェライトスリーブに結合し
て前記同軸フェライトスリーブを接地することにより無
線周波電磁エネルギーを減衰させるバイパスフィルタキ
ャパシタをさらに有することを特徴とする請求項６に記
載の電気的装置。 - 【請求項８】 電子機器用コネクタであることを特徴と
する請求項７に記載の電気的装置。 - 【請求項９】 Ｄ−ｓｕｂコネクタであることを特徴と
する請求項７に記載の電気的装置。 - 【請求項１０】 前記損失性誘電体材料はポリマーであ
ることを特徴とする請求項７に記載の電気的装置。 - 【請求項１１】 前記媒体は、複数の導電性ピンおよび
複数の導電性ソケットを有し、前記損失性誘電体材料
は、前記複数の導電性ピンを互いに絶縁し、かつ、前記
複数の導電性ソケットを互いに絶縁することを特徴とす
る請求項７に記載の電気的装置。
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|---|---|
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| EP (2) | EP0661776B1 (ja) |
| JP (1) | JP3159883B2 (ja) |
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Families Citing this family (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5833496A (en) * | 1996-02-22 | 1998-11-10 | Omega Engineering, Inc. | Connector with protection from electromagnetic emissions |
| US6235985B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-05-22 | Lucent Technologies, Inc. | Low profile printed circuit board RF shield for radiating pin |
| FR2801433B1 (fr) | 1999-11-18 | 2002-05-31 | Cit Alcatel | Connecteur attenuateur d'hyperfrequences pour equipement loge dans un boitier electromagnetiquement blinde et ensemble incluant un boitier equipe d'un tel connecteur |
| JP4434422B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-03-17 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 高周波電流抑制型コネクタ |
| DE10102456C1 (de) * | 2001-01-15 | 2002-05-23 | Infineon Technologies Ag | Gehäuseförmiges Schirmblech zur Abschirmung eines elektrischen Bauteils |
| DE10114143C2 (de) * | 2001-03-16 | 2003-05-22 | Infineon Technologies Ag | opto-elektronisches Sende- und/oder Empfangsbauteil |
| DE10349301A1 (de) * | 2002-10-23 | 2004-06-03 | Spectrum Control Inc. | Anordnung dielektrischer Bauteile |
| US7295086B2 (en) * | 2002-10-23 | 2007-11-13 | Spectrum Control Inc. | Dielectric component array with failsafe link |
| US20090291593A1 (en) * | 2005-06-30 | 2009-11-26 | Prescott Atkinson | High frequency broadside-coupled electrical connector |
| US20070268085A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-22 | X-Emi, Inc. | Method and system for designing shielded interconnects |
| US20080281390A1 (en) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Marshall Mark T | Magnetostrictive electrical stimulation leads |
| JP5006140B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2012-08-22 | 日本航空電子工業株式会社 | コネクタ及びコネクタユニット |
| US9124009B2 (en) * | 2008-09-29 | 2015-09-01 | Amphenol Corporation | Ground sleeve having improved impedance control and high frequency performance |
| DE102008062190A1 (de) * | 2008-12-13 | 2010-06-17 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Steckerverbindungen an Radarsensoren und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN102714363B (zh) | 2009-11-13 | 2015-11-25 | 安费诺有限公司 | 高性能小形状因数的连接器 |
| WO2011106572A2 (en) | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Amphenol Corporation | High bandwidth connector |
| CN107069274B (zh) | 2010-05-07 | 2020-08-18 | 安费诺有限公司 | 高性能线缆连接器 |
| WO2012106554A2 (en) | 2011-02-02 | 2012-08-09 | Amphenol Corporation | Mezzanine connector |
| US8764483B2 (en) | 2011-05-26 | 2014-07-01 | Fci Americas Technology Llc | Electrical connector |
| CN103931057B (zh) | 2011-10-17 | 2017-05-17 | 安费诺有限公司 | 具有混合屏蔽件的电连接器 |
| US9022806B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-05-05 | Amphenol Corporation | Printed circuit board for RF connector mounting |
| CN104704682B (zh) | 2012-08-22 | 2017-03-22 | 安费诺有限公司 | 高频电连接器 |
| US9940884B1 (en) * | 2012-08-31 | 2018-04-10 | Sergey Musolin | Automated dimmer wall switch with a color multi-touch LCD/LED display |
| US9326407B1 (en) * | 2012-08-31 | 2016-04-26 | Alexander Uchenov | Automated dimmer wall switch with a color multi-touch LCD/LED display |
| US9520689B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-12-13 | Amphenol Corporation | Housing for a high speed electrical connector |
| US9270071B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-02-23 | International Business Machines Corporation | Microwave connector with filtering properties |
| US9484674B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-11-01 | Amphenol Corporation | Differential electrical connector with improved skew control |
| US9300029B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Coaxial transmission line slot filter with absorptive matrix |
| CN106463859B (zh) | 2014-01-22 | 2019-05-17 | 安费诺有限公司 | 具有边缘至宽边过渡的超高速高密度电互连系统 |
| US9685736B2 (en) | 2014-11-12 | 2017-06-20 | Amphenol Corporation | Very high speed, high density electrical interconnection system with impedance control in mating region |
| CN114552261A (zh) | 2015-07-07 | 2022-05-27 | 安费诺富加宜（亚洲）私人有限公司 | 电连接器 |
| TWI754439B (zh) | 2015-07-23 | 2022-02-01 | 美商安芬諾Ｔｃｓ公司 | 連接器、製造連接器方法、用於連接器的擴充器模組以及電子系統 |
| CN105811179B (zh) * | 2016-03-08 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 终端设备外置元件的插拔口结构以及终端设备 |
| US10312638B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-06-04 | Amphenol Corporation | High performance cable termination |
| WO2017209694A1 (en) | 2016-06-01 | 2017-12-07 | Amphenol Fci Connectors Singapore Pte. Ltd. | High speed electrical connector |
| US9887497B1 (en) * | 2016-06-10 | 2018-02-06 | Amazon Technologies, Inc. | Device connector with reduced electromagnetic noise |
| WO2018039164A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Amphenol Corporation | Connector configurable for high performance |
| TWI797094B (zh) | 2016-10-19 | 2023-04-01 | 美商安芬諾股份有限公司 | 用於非常高速、高密度電性互連的順應性屏蔽件 |
| JP6912196B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-08-04 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ及び該真空ポンプに適用されるコネクタ、制御装置 |
| CN111164836B (zh) | 2017-08-03 | 2023-05-12 | 安费诺有限公司 | 用于低损耗互连系统的连接器 |
| CN111512499B (zh) | 2017-10-30 | 2022-03-08 | 安费诺富加宜（亚洲）私人有限公司 | 低串扰卡缘连接器 |
| US10601181B2 (en) | 2017-12-01 | 2020-03-24 | Amphenol East Asia Ltd. | Compact electrical connector |
| US10777921B2 (en) | 2017-12-06 | 2020-09-15 | Amphenol East Asia Ltd. | High speed card edge connector |
| US10665973B2 (en) | 2018-03-22 | 2020-05-26 | Amphenol Corporation | High density electrical connector |
| CN115632285A (zh) | 2018-04-02 | 2023-01-20 | 安达概念股份有限公司 | 受控阻抗线缆连接器以及与其耦接的装置 |
| CN208862209U (zh) | 2018-09-26 | 2019-05-14 | 安费诺东亚电子科技(深圳)有限公司 | 一种连接器及其应用的pcb板 |
| WO2020073460A1 (en) | 2018-10-09 | 2020-04-16 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co. Ltd. | High-density edge connector |
| TWM576774U (zh) | 2018-11-15 | 2019-04-11 | 香港商安費諾（東亞）有限公司 | 具有防位移結構之金屬殼體及其連接器 |
| US10931062B2 (en) | 2018-11-21 | 2021-02-23 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| US11381015B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-07-05 | Amphenol East Asia Ltd. | Robust, miniaturized card edge connector |
| CN113557459B (zh) | 2019-01-25 | 2023-10-20 | 富加宜（美国）有限责任公司 | 被配置用于线缆连接到中板的i/o连接器 |
| WO2020154507A1 (en) | 2019-01-25 | 2020-07-30 | Fci Usa Llc | I/o connector configured for cable connection to a midboard |
| US11189971B2 (en) | 2019-02-14 | 2021-11-30 | Amphenol East Asia Ltd. | Robust, high-frequency electrical connector |
| WO2020172395A1 (en) | 2019-02-22 | 2020-08-27 | Amphenol Corporation | High performance cable connector assembly |
| TWM582251U (zh) | 2019-04-22 | 2019-08-11 | 香港商安費諾（東亞）有限公司 | Connector set with built-in locking mechanism and socket connector thereof |
| CN114128053A (zh) | 2019-05-20 | 2022-03-01 | 安费诺有限公司 | 高密度高速电连接器 |
| WO2021055584A1 (en) | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Amphenol Corporation | High speed electronic system with midboard cable connector |
| TW202127754A (zh) | 2019-11-06 | 2021-07-16 | 香港商安費諾（東亞）有限公司 | 具有互鎖段之高頻率電連接器 |
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| US11728585B2 (en) | 2020-06-17 | 2023-08-15 | Amphenol East Asia Ltd. | Compact electrical connector with shell bounding spaces for receiving mating protrusions |
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| US11652307B2 (en) | 2020-08-20 | 2023-05-16 | Amphenol East Asia Electronic Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | High speed connector |
| CN212874843U (zh) | 2020-08-31 | 2021-04-02 | 安费诺商用电子产品(成都)有限公司 | 电连接器 |
| CN215816516U (zh) | 2020-09-22 | 2022-02-11 | 安费诺商用电子产品(成都)有限公司 | 电连接器 |
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| US11569613B2 (en) | 2021-04-19 | 2023-01-31 | Amphenol East Asia Ltd. | Electrical connector having symmetrical docking holes |
| USD1002553S1 (en) | 2021-11-03 | 2023-10-24 | Amphenol Corporation | Gasket for connector |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3134950A (en) * | 1961-03-24 | 1964-05-26 | Gen Electric | Radio frequency attenuator |
| GB1520419A (en) * | 1974-10-10 | 1978-08-09 | Post Office | Electromagnetic waveguide |
| US4371742A (en) * | 1977-12-20 | 1983-02-01 | Graham Magnetics, Inc. | EMI-Suppression from transmission lines |
| US4539433A (en) * | 1982-11-24 | 1985-09-03 | Tdk Corporation | Electromagnetic shield |
| US4889750A (en) * | 1985-07-19 | 1989-12-26 | Acheson Industries, Inc. | Conductive coatings and foams for anti-static protection, energy absorption, and electromagnetic compatibility |
| US4761147A (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-02 | I.G.G. Electronics Canada Inc. | Multipin connector with filtering |
| US4948922A (en) * | 1988-09-15 | 1990-08-14 | The Pennsylvania State University | Electromagnetic shielding and absorptive materials |
| JPH02103882A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | コネクタ |
| US5266055A (en) * | 1988-10-11 | 1993-11-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Connector |
| IL97425A (en) * | 1991-03-04 | 1995-01-24 | Cohen Amir | author |
| US5257950A (en) * | 1991-07-17 | 1993-11-02 | The Whitaker Corporation | Filtered electrical connector |
| JP2592561Y2 (ja) * | 1992-05-11 | 1999-03-24 | 日本エー・エム・ピー株式会社 | フィルタコネクタ |
-
1993
- 1993-12-30 US US08/176,374 patent/US5499935A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-09 DE DE69425039T patent/DE69425039T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-09 EP EP94309196A patent/EP0661776B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-09 DE DE69432088T patent/DE69432088D1/de not_active Expired - Lifetime
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-
1995
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