JP3152296B2 - 選択的atmセル廃棄方法及び装置 - Google Patents

選択的atmセル廃棄方法及び装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ATM(Asynchro
nous Transfer Mode:非同期転送モード)通信装置に関
し、特に、輻輳状態等によるATMセルの紛失に基づく
ネットワークの混乱を防止するようにしたATMセル廃
棄技術に関する。
【0002】
【従来の技術】ATMプロトコルでは、送信端末装置に
おいてパケットデータ(データ+制御情報)を分割し
(必要に応じて制御情報を付加して)48バイトのペイ
ロードに格納し5バイトのヘッダを付加してATMセル
を構成し、ATMセル単位で転送する。受信端末装置に
おいては受信したATMセルからパケットデータを再生
する。図6には、このようなパケットデータとATMセ
ルとの関係を示している。
【0003】図7は、ATM装置におけるATMプロト
コル構造を示す図である。同図に示すように、送信端末
装置及び受信端末装置は、物理レイヤとATMレイヤと
ATMアダプテーションレイヤ(AAL)とを備え、A
TMスイッチは物理レイヤとATMレイヤとを備える。
物理レイヤはATMセルと回線の電気信号等との間の変
換機能を有し、ATMレイヤはATMセルの転送制御機
能(VPI/VCIの翻訳機能等)を有する。また、A
ALアダプテーションレイヤは、パケットデータとAT
Mセル間の変換制御機能を有する。
【0004】送信端末装置、受信端末装置及びATMス
イッチ等の各装置は、少なくとも物理レイヤとATMレ
イヤを共通に備えているものの、装置構成としては、各
レイヤ対応のそれぞれ独立したLSI回路ブロック等の
装置が用いられ互いに組み合わせて構成されている。例
えば、ATMスイッチは、独立した物理LSI装置とス
イッチ(ATMレイヤとスイッチ機能)装置とからな
り、各端末装置は物理LSI装置とSAR(ATMレイ
ヤとAALとその他の機能)装置とを有する。
【0005】ATMセルの制御はATMレイヤ又はその
上位レイヤにおいて行われ、物理レイヤにおいてはAT
Mセルの転送制御及び送信するATMセル数の不足を補
い帯域制御を行う空セル(アイドルセル)の生成、送
出、伝送路からのセルの受信及び前記アイドルセルの廃
棄機能等を有する。アイドルセルか否かはATMセルの
ヘッダ情報により判断する。
【0006】以上のように、ATM通信においては送信
すべきパケットデータはATMセルとして分割して伝送
し、受信側においては分割したATMセルから元のパケ
ット再生して受信する。このため、送受信間においてパ
ケットを構成するセルの一つでも失われると元のパケッ
トを再生することは不可能になる。パケットが届かなか
った場合、ATMプロトコルにおいてはパケットデータ
の再送を要求することはないものの、その上で動作して
いるソフトウエアは当該パケットの再送を要求する。こ
のため、例えば、ATM上のTCP/IPのように、A
TMを利用してIPパケットを伝送する場合、通常のパ
ケット単位でのIP転送よりも転送速度が遅くなること
があることが報告されている。
【0007】これは、ネットワーク上で輻輳が発生し、
いくつかのセルが消失すると失われたセルのパケットに
ついての再送要求が行われ、再送が開始されるとさらに
ネットワークが混雑することによる。つまり、再送の開
始は一層セルを紛失する機会を増加させ、更に多くのパ
ケットの再生を不可能とし、更なる再送要求が開始され
ネットワークが混雑してシステムの有効転送能力はゼロ
に近づくことによる。情報をいくつものセルに分割して
転送する結果、情報の転送が困難になるという危険性を
増加させている。このようなセルの紛失によるネットワ
ークの混乱を防止するために、ATMセルの紛失時にパ
ケット単位でのセル廃棄(Packet Discard)を行う方法
が提案されている。
【0008】図8は、パケット単位でのセル廃棄の概念
図を示す図である。物理レイヤは、全てのパケットに属
するセルを受信してATMレイヤに送出する。ATMレ
イヤは、輻輳時には率先してパケット単位でセルを廃棄
し輻輳制御を行い再生可能なパケット数を増やし有効転
送能力を向上させ再送の発生を抑えるように輻輳制御を
行う。
【0009】このようなATMレイヤ等の上位レイヤに
おけるパケット単位でのセル廃棄(Packet Discard)に
は、PPD(Partial Packet Discard)とEPD(Earl
y Packet Discard)とが提案されている。PPDは、一
つでもセルが紛失されたパケットが発見された場合、以
降そのパケットに属するセルを廃棄する方法である。ま
た、EPDは、受信FIFOに受信セルの書込における
閾値を設けその閾値を超えた場合、その時点で受信して
いるパケットもしくは以降あらたに受信されるパケット
に属するセルを廃棄する方法である。このようなパケッ
ト単位の廃棄は上位LSIもしくはソフトウエアにimpl
ementされている。
【0010】ところが、パケット単位でのセル廃棄は、
セルの紛失がパケット単位で生じる場合は効果的である
が、物理レイヤやATMレイヤ等でのセル受信処理にお
ける単なるオーバーフロー等によるセルの紛失のよう
に、セルの紛失がランダムに生じる場合はセルの紛失数
は同じでもパケットの廃棄数が増大する。図9は、パケ
ット単位での廃棄の概念を表す図でありセルの紛失の態
様により、パケット単位の廃棄数が異なることを示して
いる。図9(a)は同一パケットに属するセルが複数紛
失する場合を示しており、廃棄パケットは1パケットと
なるが、図9(b)のように異なるパケットに属するセ
ルがランダムに紛失する場合は複数のパケットが廃棄さ
れることになる。
【0011】従来、セルの選択的廃棄制御をATMスイ
ッチ間で統一的に行うようにしたATM通信網が例えば
特開平9−261244号公報に記載されている。
【0012】図10は、同公報記載のATM通信網の構
成を示す図である。同通信網は物理レイヤとATMレイ
ヤとからなる複数のATMスイッチが縦続接続された通
信網が開示されている。セル流の下流にあるATMスイ
ッチにおいて輻輳のためにセル廃棄が行われると、その
上流にあるATMスイッチが転送するセルは一部無効と
なる。このような無駄なセルの転送はATMスイッチの
スループットを低下させるので、同通信網においては、
セル流の下流にあるATMスイッチ3はセル廃棄の発生
を上流のATMスイッチ1、2に通知し、通知を受けた
上流のATMスイッチ1、2は下流の前記ATMスイッ
チ3に対する当該セルの転送を停止するようにしたもの
である。
【0013】また、ATMスイッチ等の物理レイヤにお
いてセル廃棄制御を行うようにしたバッファ管理方法が
特開平7−327038号公報に記載されている。この
バッファ管理方法は、物理レイヤにおいてオーバーフロ
ーが起った場合に、従来行われていたように回路を初期
化するとFIFOメモリのデータが失われてしまうの
で、とりあえずFIFOメモリに入っていたデータだけ
は保証するようにしたものであり、ATMレイヤ処理部
にデータを転送する前段階でデータの重要度を判断する
ことなく、FIFOメモリのライトアドレスを現在書込
中の受信セルデータの先頭アドレスに更新し、物理レイ
ヤのFIFOメモリへの書込を行うデータのみを廃棄す
るようにしたものである。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにATMレ
イヤもしくはその上位レイヤにおいては、輻輳等により
いくつかのセルが紛失した場合は、受信セルに基づく転
送制御乃至パケットデータの再生等の正常な処理が不可
能になる。このような不具合を防止するために、ATM
レイヤにおいて率先してパケット単位でセルを廃棄し受
信できるパケットを保護するという選択的セル廃棄制御
を行い、セル紛失数は同じでも再生可能なパケット数を
増やし有効転送能力を向上させ再送を抑えることが従来
より提案されている。この従来の選択的なセル廃棄の手
法は、プロトコル上ATMレイヤ以上の上位レイヤの機
能とされている。
【0015】しかし、セルの紛失には、物理レイヤ及び
ATMレイヤにおけるFIFOメモリ等のバッファ回路
でのオーバーフローに起因するものがある。一般的に
は、物理レイヤは回線から信号をATMセルに復元する
のみであるため高速処理が可能であるのに対し、ATM
レイヤは転送制御等を行うため動作速度は比較的低速と
なりATMレイヤがボトルネックとなりセル紛失が生じ
ると考えられている。しかし、FIFOメモリ容量等の
関係から物理レイヤがボトルネックとなり物理レイヤに
おけるセル紛失も生じうる。例えば、物理レイヤにおい
てセルの受信処理が追いつかずオーバーフローを起こす
場合、ATMレイヤの処理速度が充分でなく、ATMレ
イヤが物理レイヤに対しセルの送出の停止を要求するた
めに、物理レイヤがATMレイヤにセルを送ることがで
きずオーバーフローを起こす場合等が原因となりうる。
このようなセル紛失は、ランダムに生じることからAT
Mレイヤ等での選択的セル廃棄制御に拘わらず上述のよ
うな重大なネットワークの混乱を起こす原因となる。
【0016】特開平9−261244号公報記載のAT
M通信網は、物理レイヤとATMレイヤとからなる複数
のATMスイッチにおいてセル廃棄制御を行いATMス
イッチのスループットの低下を防止するものであるが、
同通信網におけるATMスイッチは、ATMレイヤにお
いてセル廃棄制御を行うものである点でセル廃棄方法は
従来のものと同様であるのみならず、セル流の上流にお
いてセル廃棄を行うことにより下流の全てのATMスイ
ッチに対して一律にセル流を停止することになり、結果
的にATM通信網全体としてみるとスループットの向上
には必ずしも寄与しない。
【0017】また、特開平7−327038号公報記載
のバッファ管理方法は、ATMスイッチ等の物理レイヤ
においてセル廃棄制御を行うようにしたものであるが、
このバッファ管理方法は、物理レイヤにおいてオーバー
フローが起こった場合に、とりあえずFIFOメモリに
入っていたデータだけは保証するものであり、パケット
単位でセルを廃棄するものでもないので、上述のような
輻輳によるネットワークの混乱を未然に防止することは
不可能である。
【0018】(発明の目的)本発明の目的は、セル紛失
のランダム性を抑制し、ネットワークの混乱を防止する
ことを可能にした選択的セル廃棄制御方法及び装置を提
供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の選択的ATMセ
ル廃棄方法は、受信バッファを有する物理レイヤとその
上位レイヤにおけるATMプロトコル上の選択的ATM
セル廃棄方法において、物理レイヤは、上位レイヤから
通知された廃棄パケットに対応する選択的セル廃棄情報
に基づき、受信ATMセルから当該廃棄パケットに属す
るATMセルを廃棄することを特徴とする。
【0020】また、前記発明の前記上位レイヤは、前記
物理レイヤの受信バッファの蓄積量が閾値を超えた場合
又は当該上位レイヤにおいて処理が間に合わなくなった
場合に、物理レイヤに前記選択的セル廃棄情報の通知制
御を開始することを特徴とする。そして、前記選択的セ
ル廃棄情報としては、上位レイヤでの再生不可能なパケ
ットに属するATMセルのVPI/VCI情報、又は前
記上位レイヤにおける受信バッファのATMセルの蓄積
量が閾値を超えた場合のその時点もしくはその後受信さ
れるパケットに属するATMセルのVPI/VCI情報
とすることを特徴とする。
【0021】更に、物理レイヤが上位レイヤから通知さ
れた廃棄パケットに対応する選択的セル廃棄情報に基づ
き、受信ATMセルから当該廃棄パケットに属するAT
Mセルを廃棄する選択的ATMセル廃棄方法において、
前記選択的セル廃棄情報としては前記上位レイヤにおけ
るソフトウエア上の不要なパケットが発生した場合に、
当該パケットに属するATMセルのVPI/VCI情報
とすることを特徴とする。
【0022】本発明の物理レイヤ装置は、回線から受信
したATMセルをATMレイヤ装置に送出するためのバ
ッファを備える物理レイヤ装置において、ATMレイヤ
装置又は該ATMレイヤ装置の上位レイヤ装置から通知
された廃棄パケットに対応する選択的セル廃棄情報に基
づいて当該パケットに属するATMセルを廃棄すること
を特徴とする。
【0023】また、前記物理レイヤ装置は、前記選択的
セル廃棄情報を記憶するパターンテーブルを備え、AT
Mセルの廃棄は前記バッファへの書込時に前記パターン
テーブル参照して行うことを特徴とする。
【0024】更に、前記物理レイヤ装置は、ATMセル
の廃棄を前記バッファの読出時にも前記パターンテーブ
ルを参照して行うこと、また、前記選択的セル廃棄情報
はVPI/VCIとすることを特徴とする。
【0025】(作用)従来、ATMレイヤにおいて行っ
ていた輻輳制御のためのセル廃棄を物理レイヤにおいて
も行うことで、物理レイヤ及びATMレイヤ等における
バッファ溢れを防止し、また、セル紛失のランダム性を
抑制してネットワーク全体のパフォーマンスを向上さ
せ、ネットワークの混乱を未然に防止する。
【0026】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて図面を用いて詳細に説明する。
【0027】図1は、本実施の形態の選択的ATMセル
廃棄方法及び装置を示す図である。本実施の形態は、物
理レイヤとATMレイヤとからなり、ATMレイヤは選
択的セル廃棄情報を廃棄セルのヘッダ情報として物理レ
イヤに通知する構成を有する。
【0028】ATMレイヤ1においては、複数のパケッ
ト1〜パケット4に属するATMセルの受信に対し特定
のパケットに属するATMセルを廃棄することを決定
し、当該パケットに対応するATMセルに格納されてい
るヘッダ情報を物理レイヤに通知する。物理レイヤ2に
おいては、ATMレイヤから通知されたヘッダ情報と受
信セルのヘッダを逐一照合し、通知されている前記ヘッ
ダ情報を有するセルは物理レイヤ2において廃棄する。
【0029】ATMレイヤにおけるヘッダ情報の決定
は、PPD、EPDといったセル廃棄アルゴリズムによ
り行うようにすることができる。例えば、ATMレイヤ
でのバッファ溢れ等が起こった場合に特定のパケットに
属するATMセルのみを優先的に廃棄したり、既に一部
が失われていることが判明したパケットに属するATM
セルを廃棄するように当該ヘッダ情報を決定する。ま
た、前記ヘッダ情報としては、廃棄するパケットに属す
るセルか否かはそのVPI/VCIにより判別すること
が可能であるから、物理レイヤに対し廃棄するパケット
に属するセルのVPI/VCIパターンを指示するよう
に構成する。
【0030】次に、本発明のより具体的な実現例を説明
する。図2は、物理レイヤに設けられるバッファとして
のFIFOメモリ及び該セルの書込及び読出制御の内容
を示す図である。FIFOメモリは、図2(a)に示す
ように全記憶容量より少ない記憶容量値が設定され、例
えば記憶量が当該記憶容量値に達した際にこれを認識可
能な閾値としての機能を有する。そして、受信セルの記
憶量が前記閾値を超えると輻輳状態等として判断しオー
バーフロー状態として表示するとともに、オーバーオー
バーフローが起こっても捨てる必要のないセルを引き続
き格納できるように少し余裕を持たせた構成とする。
【0031】また、図2(b)は、FIFOメモリにお
けるセル廃棄の動作を示す図である。同図(1)に示す
ように、セル廃棄をFIFOメモリへのライト動作にお
いてのみ行うか、又は同図(2)に示すように、FIF
Oメモリからのリード動作においても行うように構成す
る。セル廃棄の動作は、VPI/VCI判別回路を設
け、ライト動作でのセルの廃棄は、データを受信したと
きそのVPI/VCIをATMレイヤから通知された廃
棄すべきセルのVPI/VCIと照合し一致したときは
FIFOメモリへの格納を行わず、不一致のときFIF
Oメモリに格納するように構成する。FIFOメモリか
らのリード動作はATMレイヤの動作タイミングに応じ
て行う。ここで、ライト動作におけるセル廃棄動作は必
須であり、また、FIFOからのセルのリード動作にお
けるセル廃棄は、このように構成するか否かは何れを選
択することも可能である。
【0032】リード動作においてセル廃棄を行う場合
は、FIFOメモリからデータを読み出し、そのVPI
/VCIをATMレイヤから通知された廃棄すべきセル
のVPI/VCIと照合し、一致したときは当該セルを
読み飛ばしてATMレイヤには送らず、不一致のときは
ATMレイヤに当該セルを送るように構成する。
【0033】図3は、物理レイヤにおける主にFIFO
メモリのライト及びリード動作に関連する構成を示す図
である。回線からのセルを書き込む書込回路10と、F
IFOメモリ11と、ATMレイヤへセルを送る読出回
路12と、からなるFIFOメモリ書込、読出回路と、
ATMレイヤからの廃棄セルのVPI/VCIを保持す
るパターンテーブル13とセルのヘッダを検出してパタ
ーンテーブルのVPI/VCIパターンと照合し、FI
FOメモリの書込、読出回路を制御するヘッダ判別制御
回路14、15とから構成される。
【0034】パターンテーブル13は、ATMレイヤか
ら通知されたVPI/VCIを単にパターンとして保持
しており、ヘッダ判別制御回路14、15は、書込回路
10において回線から受信したセルを書き込む際、及び
FIFOメモリ11からセルを読み出す際に、そのセル
のヘッダのVPI/VCIのパターンをパターンテーブ
ル13に保持しているパターンと照合して、上述のよう
なFIFOメモリにおける書込及び読出制御を実行す
る。物理レイヤにおけるこのような単なるヘッダのパタ
ーン照合によるセル廃棄は、物理レイヤ本来の機能であ
るアイドルセルの廃棄動作と同様なものと位置付けるこ
ともできる。この結果、ATMレイヤの負担は軽減され
る。
【0035】このようにして、FIFOメモリの状態、
或いは処理の負担が軽減されたと判断されたならば、A
TMレイヤもしくは上位レイヤは、通知したVPI/V
CIの解除信号(あるいは解除コマンド)を送出し、物
理レイヤは前記解除信号等によりパターンテーブルから
そのVPI/VCIを取り除く。
【0036】セルの廃棄動作をライト及びリード動作の
何れにおいても行うように構成することにより、ATM
レイヤ等におけるセル紛失により決定された廃棄パケッ
トに属するセルの廃棄をFIFOメモリに記憶されてい
るセルにも行うことが可能となり、セル廃棄動作をより
迅速に行えるというメリットがある。
【0037】図4、図5は、廃棄セルのヘッダ情報を設
定する一実施の形態を示す図である。図4は、輻輳状態
と判断された場合にATMレイヤにおいてヘッダ情報を
生成するように構成したものである。物理レイヤ2は、
FIFOメモリ21、パターンテーブル22、セル廃棄
制御部23及び閾値検出部24とを有し、ATMレイヤ
1は、セル制御部25内にセル廃棄アルゴリズム制御部
26を有する。
【0038】FIFOメモリ21は、受信セルを順次書
き込むとともに、書き込んだ順にセルを読み出しATM
レイヤ1にセルを送出する。閾値検出部24は、FIF
Oメモリへ記憶したセルの記憶量が所定の値に達したこ
とを検出するとセル廃棄アルゴリズム制御部26に通知
する。セル廃棄アルゴリズム制御部26は、閾値検出部
24からの前記通知により選択的セル廃棄制御のアルゴ
リズムを起動する。廃棄セルヘッダ検出部26は、閾値
検出部24からの通知を受けるとEPD、PPDといっ
たセル廃棄アルゴリズムにより予め分かっている重要で
ないパケットのVPI/VCI等を出力し、そのVPI
/VCIをパターンテーブル22に指定する。セル廃棄
制御部23は、上述のように受信セルのヘッダをパター
ンテーブル22に記憶されているヘッダ情報と照合しな
がら受信すべきセルのFIFOメモリへの書込及び読出
を行い不要なセルの廃棄制御を行う。また、FIFOメ
モリの記憶量が前記閾値を下回った場合には閾値検出部
24からの通知信号により廃棄セル決定部26を介して
又は直接にパターンテーブル22における前記VPI/
VCIを取り除くように制御する。
【0039】図5は、ATMレイヤ或いはその上位レイ
ヤにおいてEPD、PPDといったセル廃棄アルゴリズ
ムに基づいて物理レイヤのパターンテーブル32の設定
を行うように構成した例を示す図である。ATMレイヤ
1又はその上位レイヤ3のそれぞれセル制御部34、パ
ケット制御部36にセルヘッダ情報検出部35、37を
設け、該セルヘッダ情報検出部35、37の両方又は一
方のセルヘッダ検出部の廃棄セルヘッダ情報を出力する
ように構成する。
【0040】物理レイヤにおけるFIFOメモリのセル
記憶量に拘わらず、ATMレイヤ及び/又はその上位レ
イヤにおけるEPD又はPPDにより検出された紛失セ
ル、再生不可能なパケットに基づいてそのヘッダ情報
(VPI/VCI)をセルヘッダ情報検出部において検
出して物理レイヤ2のパターンテーブル32に設定す
る。
【0041】物理レイヤ2は、FIFOメモリにおける
セル書込及び読出時にパターンテーブル32内のATM
レイヤ以上のレイヤから通知されたヘッダ情報(VPI
/VCI)に基づいてセル廃棄制御を行う。
【0042】以上説明した実施の形態においては、セル
廃棄制御を物理レイヤにおいて行うことを説明したが、
従来技術と同様にATMレイヤにおいてもEPD又はP
PD等によりセル廃棄制御を行うように構成することが
できることは云うまでもない。
【0043】
【発明の効果】従来は物理レイヤやATMレイヤにおけ
るバッファ(FIFO)のオーバーフロー等のためにセ
ルの廃棄/紛失についてはランダム性が介在していた
が、本発明によれば、セルの廃棄をコントロールし、廃
棄されるデータ、再送されるデータを最小限に抑制する
ことができるから、ネットワーク全体のパフォーマンス
を向上させ、ネットワークが混乱することを未然に防ぐ
ことができる。
【0044】また、本発明によれば、輻輳制御のための
選択的パケット廃棄機能をATM物理レイヤに備えてい
るので、物理レイヤにおけるバッファ溢れ等の事態を回
避することができ各レイヤの処理に余裕を確保すること
が可能となる。
【0045】特に、ATMレイヤは、セルヘッダの内容
を解析して転送制御を行うため処理負担が大きいが、物
理レイヤに通知したセルヘッダ情報(VPI/VCI)
を有する不要なATMセルはATMレイヤに送られるこ
とが防止されるので、ATMレイヤでの負担が軽減され
る。また、物理レイヤ及びATMレイヤでのオーバーフ
ローが防止される。また、この効果はその上位レイヤに
おいても同様である。また、有効なセルのみをATMレ
イヤに送ることによってATMレイヤのパフォォーマン
スを向上させることが可能となる。
【0046】また、本発明によれば、ATMスイッチ等
の自装置内でセル廃棄を行うものであり、ATMセル流
の上流のATMスイッチにおいてまでセル廃棄制御を行
うことがないので、ATMレイヤにおいて行われる従来
のEPD、PPDといったセル廃棄アルゴリズムに基づ
くセル廃棄制御と同様に、ATM通信網における他のA
TMスイッチ等に対するセル廃棄の影響を最小限に抑制
することが可能である。
【0047】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の選択的セル廃棄方法及び装置の一実施
の形態を示す図である。
【図2】本実施の形態の実現例を示す図である。
【図3】本実施の形態の物理レイヤの具体的構成を示す
図である。
【図4】本実施の形態の物理レイヤ及びATMレイヤ間
におけるATMセル廃棄制御を示す図である。
【図5】本実施の形態における物理レイヤ、ATMレイ
ヤ及び上位レイヤ間のセル廃棄制御を示す図である。
【図6】ATM通信におけるパケットデータとATMセ
ルの関係を示す図である。
【図7】ATMプロトコル構造を示す図である。
【図8】従来のパケット単位でのATMセル廃棄制御を
示す図である。
【図9】ATMセルの紛失とパケットの廃棄の関係を示
す図である。
【図10】従来のATM通信網を示す図である。
【符号の説明】
1 ATMレイヤ 2 物理レイヤ 3 上位レイヤ 10 書込回路 11、21 FIFOメモリ 12 読出回路 13、22、32 パターンテーブル 14、15、33 ヘッダ制御回路 23、33 セル廃棄制御部 24 閾値検出部 25、34 セル制御部 26 セル廃棄アルゴリズム制御部 35、37 セルヘッダ情報検出部 36 パケット制御部

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受信バッファを有する物理レイヤとその
    上位レイヤにおけるATMプロトコル上の選択的ATM
    セル廃棄方法において、 物理レイヤは、上位レイヤから通知された廃棄パケット
    に対応する選択的セル廃棄情報に基づき、受信ATMセ
    ルから当該廃棄パケットに属するATMセルを廃棄する
    ことを特徴とする選択的ATMセル廃棄方法。
  2. 【請求項2】 前記上位レイヤは、前記物理レイヤの受
    信バッファの蓄積量が閾値を超えた場合又は当該上位レ
    イヤにおいて処理が間に合わなくなった場合に、物理レ
    イヤに前記選択的セル廃棄情報の通知制御を開始するこ
    とを特徴とする請求項1記載の選択的ATMセル廃棄方
    法。
  3. 【請求項3】 前記選択的セル廃棄情報は、上位レイヤ
    での再生不可能なパケットに属するATMセルのVPI
    /VCI情報とすることを特徴とする請求項2記載の選
    択的ATMセル廃棄方法。
  4. 【請求項4】 前記選択的セル廃棄情報は、前記上位レ
    イヤにおける受信バッファのATMセルの蓄積量が閾値
    を超えた場合に、その時点でもしくはその後受信される
    パケットに属するATMセルのVPI/VCI情報とす
    ることを特徴とする請求項2記載の選択的ATMセル廃
    棄方法。
  5. 【請求項5】 前記選択的セル廃棄情報は、前記上位レ
    イヤにおけるソフトウエア上の不要なパケットが発生し
    た場合に、当該パケットに属するATMセルのVPI/
    VCI情報とすることを特徴とする請求項1記載の選択
    的ATMセル廃棄方法。
  6. 【請求項6】 回線から受信したATMセルをATMレ
    イヤ装置に送出するためのバッファを備える物理レイヤ
    装置において、ATMレイヤ装置又は該ATMレイヤ装
    置の上位レイヤ装置から通知された廃棄パケットに対応
    する選択的セル廃棄情報に基づいて当該パケットに属す
    るATMセルを廃棄することを特徴とする物理レイヤ装
    置。
  7. 【請求項7】 前記選択的セル廃棄情報を記憶するパタ
    ーンテーブルを備え、ATMセルの廃棄は前記バッファ
    への書込時に前記パターンテーブル参照して行うことを
    特徴とする請求項6記載の物理レイヤ装置。
  8. 【請求項8】 ATMセルの廃棄は前記バッファの読出
    時に前記パターンテーブルを参照して行うことを特徴と
    する請求項7記載の物理レイヤ装置。
  9. 【請求項9】 前記選択的セル廃棄情報をVPI/VC
    Iとすることを特徴とする請求項6、7又は8記載の物
    理レイヤ装置。
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