JP3149940B2

JP3149940B2 - 集積回路における垂直方向に伝搬した欠陥を検知する装置及び方法

Info

Publication number: JP3149940B2
Application number: JP13427890A
Authority: JP
Inventors: マリーウオジシエッチ; イー．トーマスマイケル
Original assignee: フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション
Priority date: 1989-05-26
Filing date: 1990-05-25
Publication date: 2001-03-26
Anticipated expiration: 2016-03-26
Also published as: JPH0329337A

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は、集積回路を製造する場合に使用する装置に
関するものであって、更に詳細には、この様な回路にお
ける欠陥を検知する装置及び方法に関するものである。

従来技術集積回路設計及び処理の開発において、歩留り予測及
び歩留り推定は非常に重要な検討事項である。歩留り予
測及び推定を改善するためにスポット欠陥に関連する歩
留り損失のモデル化が研究されており、且つその結果と
して種々の歩留りモデルが提案されている。しかしなが
ら、これらのモデルのほとんどのものは、集積回路ダイ
の表面上の全てのスポット欠陥が機能障害を発生するも
のと仮定している。この様な仮定は不正確なものであ
り、且つ集積回路の表面上に観測されるスポット欠陥が
必ずしも機能障害を発生させるものではない超大規模集
積回路の場合においては特に誤った結果を発生させる蓋
然性が高い。

例えば、集積回路表面の密集した領域にこの様な欠陥
が発生する場合には、小さな欠陥であっても回路接続部
を変形させる場合もある。しかしながら、その様な欠陥
が、同一の集積回路の密集度がそれほど高くない領域に
位置されている場合には、回路の性能に影響を与えるこ
とはない。従って、集積回路レイアウトの詳細に関して
欠陥寸法と欠陥位置との間の実際的な関係を考慮に入れ
ることのないモデルは誤った結果を与える可能性があ
る。

1987年２月６日に出願した米国特許出願第11,729号
「集積回路においてスポット欠陥を検知する装置及び方
法（Apparatus and Method For Detecting Spot
Defects In Integrated Circuits）」は、集積回路
における欠陥の寸法分布及び密度を正確に決定する方法
及び装置を開示している。この方法及び装置は、集積回
路のメタル層においてスポット欠陥のタイプを決定し、
且つそれがオープン又はショートであるか否かを決定す
る。前掲した特許出願に記載されている方法及び装置
は、相互接続処理に関連する欠陥寸法分布を決定する上
で著しい改良を与えるものではあるが、垂直方向に伝搬
する欠陥によって発生される相互接続欠陥の割合に関す
る情報を与えるものではない。この様な情報は、完全な
歩留り解析を行なうために必要である。

目的本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上
述した如き従来技術の欠点を解消し、集積回路における
欠陥を検知する方法及び装置を提供することを目的とす
る。本発明の別の目的とするところは、垂直方向に伝搬
する欠陥を検知する方法及び装置を提供することであ
る。本発明の更に別の目的とするところは、平面状欠陥
から垂直欠陥を区別する方法及び装置を提供することで
ある。本発明の更に別の目的とするところは、スタンダ
ードなMOS又はBICMOS技術の実際の処理の流れの中に容
易に組込むことの可能な方法及び装置を提供することで
ある。

構成本発明によれば、単結晶シリコン基板の内部又は上部
に高電気固有抵抗物質からなる第一蛇行部を形成する。
この第一蛇行部は、所定数の中間セグメントを有してお
り、該中間セグメントの端部は、折曲セグメントによっ
て相互接続されており、従って第一蛇行部の端部間には
電気抵抗R₁を持った電気回路が形成されている。第一蛇
行部は、例えば、単結晶シリコンからなる基板の表面上
に注入マスクを形成することによって形成される。その
注入マスクに蛇行部パターンを形成し、そのパターンを
使用して、イオン注入によってその下側に存在する単結
晶シリコンを所定の蛇行パターンでドープする。ドープ
した蛇行パターンは、残部の単結晶シリコンの固有抵抗
よりも実質的に低い固有抵抗を有している。

この単結晶シリコン基板の表面上に例えば二酸化シリ
コンからなる電気的絶縁性物質の第一層を形成する。次
いで、その第一絶縁層上にポリシリコン層を形成する。
このポリシリコン層を、好適には、イオン注入によって
シート形状にドープさせ、次いで、次いで加熱して注入
領域を活性化させる。次いで、ドープしたポリシリコン
層を、所定数の中間セグメントを有しており該中間セグ
メントの端部が折曲セグメントによって相互接続されて
いる第二蛇行部の形状にパターン形成する。第二蛇行部
の相互接続した中間セグメント及び折曲セグメントは、
その端部間に電気抵抗R₂を持った電気回路を形成する。
好適実施例においては、第二蛇行部の中間セグメント
は、第一蛇行部の中間セグメントの上側に存在しており
且つそれらに対して実質的に直交している。

次いで、第二蛇行部の上方に電気的絶縁物質からなる
第二層を形成し且つ平坦化させる。次いで、これらの第
二及び第一絶縁層を介してコンタクト孔を画定し且つエ
ッチング形成し、第一蛇行部の所定の部分を露出させ
る。次いで、例えばメタル（金属）などのような導電性
物質からなる第一層を前記絶縁物質からなる平坦化した
第二層上及びコンタクト孔内に付着形成し、第一蛇行部
の所定の露出部分と電気的にコンタクトさせる。次い
で、第一導電層をパターニングし且つエッチングして第
一組のストリップを形成する。第一組のストリップの各
々は、第一蛇行部の対応する中間セグメントの端部間に
直接的電気接続を与えることにより、第一蛇行部の対応
する中間セグメントを電気的にショート即ち短絡してい
る。好適実施例においては、各ストリップは、第一蛇行
部の対応する中間セグメントと実質的に整合した状態で
位置されている。第一蛇行部及びそれに対して電気的に
接続されている第一組の導電性ストリップは、第一テス
ト構成体を構成している。この第一テスト構成体は、前
掲した米国特許出願第11,729号におけるブリッジ構成体
と実質的に均等である。

次いで、第一導電ストリップ上に電気的絶縁物質から
なる第三層を形成し且つ平坦化させる。次いで、この第
三絶縁層及び第二絶縁層を介してコンタクト孔を画定し
且つエッチング形成し、下側に存在するポリシリコン第
二蛇行部の所定の領域を露出させる。次いで、例えばメ
タルなどのような導電性物質からなる第二層を第三絶縁
層及びコンタクト孔内に形成し、下側に存在する第二ポ
リシリコン蛇行部の所定の露出領域とコンタクトさせ
る。次いで、第二導電層をパターニングし且つエッチン
グして、第二組のストリップを形成し、第二組のストリ
ップの各々は、第二蛇行部の対応する中間セグメントの
端部間に直接的電気接続を与えることにより、第二蛇行
部の対応する中間セグメントを電気的にショートさせ
る。この第二組の導電性ストリップは、該第二組の少な
くとも一部が第一組の導電性ストリップの少なくとも一
部と重畳するように配向されている。

好適実施例においては、第二導電性ストリップの各々
が、第二蛇行部の対応する中間セグメントと実質的に整
合して位置されている。第二蛇行部及びそれに電気的に
接続されている第二組の導電性ストリップは、第二テス
ト構成体を構成している。この第二テスト構成体は、第
一組の導電性ストリップの少なくとも一部が第二組の導
電性ストリップの下側に存在しており且つそれから電気
的に絶縁されているという点を除いて、前掲した米国特
許出願における構成と実質的に同一である。その結果得
られる構成は、第一及び第二テスト構成体を有してお
り、第二テスト構成体の一組の導電性ストリップの少な
くとも一部が、第一テスト構成体の一組の導電性ストリ
ップの少なくとも一部の上側に存在しており且つそれか
ら電気的に絶縁されており、製造ウェハを同一の処理が
行なわれるテストウェハの表面上に複数個のテスト対が
分布されている。テストウェハ上にテスト対が分布され
ているので、第一導電性ストリップが形成されるメタリ
ゼーションに対応するメタリゼーションにおいてのみな
らず、第二導電性ストリップが形成されるメタリゼーシ
ョンに対応するメタリゼーションにおいても、ショート
（短絡）又は破壊の密度分布の測定を行なうことが可能
である。これらのテスト対は、又、どの欠陥が平面状で
あり且つどの欠陥が垂直状であるかを決定することを可
能とする。このことは、第一テスト構成体における欠陥
を検知し且つ第二テスト構成体における欠陥を検知する
ことによって達成することが可能である。１個のテスト
対のテスト構成体の一つのみの中に欠陥が検知される場
合には、その欠陥が検知されたテスト構成体のレベルに
対応する集積回路のレベルの処理にのみ関連する平面状
の欠陥である。垂直状の欠陥は、１個のテスト対の両方
のテスト構成体内に平面状の欠陥が検知されることによ
って検知される。単一のテスト構成体内に２個以上の欠
陥が存在すること又は１個のテスト対の各々のテスト構
成体内に１個の平面状欠陥が存在する蓋然性は低いの
で、テスト対内の両方のテスト構成体に共通する欠陥は
垂直的なものであるということを高い統計的確率を持っ
て推測することが可能である。

実施例以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態
様について詳細に説明する。

第1A図を参照すると、単結晶シリコン物質からなる基
板10の表面上にスクリーン酸化物層11が形成されてい
る。このスクリーン酸化物層11は、好適には、約500−1
000Åの厚さに熱成長させた二酸化シリコンである。ス
クリーン酸化物層11の上にホトレジスト物質層12を形成
する。ホトレジスト層12は、従来公知のホトリソグラフ
ィ技術を使用して所定の蛇行パターンに形成する。パタ
ーン形成したホトレジスト層12は、下側に存在する単結
晶シリコン基板をドープするためのマスクとして作用す
る。次いで、単結晶シリコン基板10を所定の蛇行パター
ンでドープして、第1B図に参照番号14で示しており、且
つ好適には第２図に示した形状を有している第一蛇行部
を従来公知のイオン注入技術によって形成する。注意す
べきことであるが、第一蛇行部14は、例えば、シリコン
基板上方に形成しており且つそれから絶縁されているポ
リシリコン層をパターニングするその他の技術によって
形成することも可能であり、この様な技術も本発明の技
術的範囲内のものである。

ドーピングの後に、第1B図に示した如く、ホトレジス
ト層12を除去する。第２図に示した如く、蛇行パターン
14は、複数個の中間セグメント16を有しており、それら
は折曲セグメント18によって相互接続されている。相互
接続された中間セグメント及び折曲セグメント16及び18
は、周囲の単結晶シリコンの抵抗よりも実質的に低い電
気抵抗を持った低導電性経路を形成している。中間セグ
メント16は、好適には、実質的に直線形状をしている
が、例えば、鋸歯状又は正弦波形状などのようなその他
のパターンを使用することも可能である。

第1C図に示した如く、絶縁物質からなる第一層20が、
単結晶基板10及び注入した第一蛇行部14の表面上に形成
する。好適実施例においては、第一絶縁層20は、２層構
成を有しており、それは約1000Åの厚さへ熱成長させた
二酸化シリコンからなる第一層を有している。次いで、
該第一層の上に従来公知の低圧力CVD（LPCVD）を使用し
て約3000Åの厚さに二酸化シリコンからなる第二層を付
着形成する。次いで、第一絶縁層20の上にポリシリコン
層22を形成する。次いで、例えばイオン注入によって、
層全体に亘りポリシリコン層24をドープする。このイオ
ン注入を従来公知の如く加熱により活性化させる。その
ようにして処理したポリシリコン層22は、所定の電気的
抵抗を有している。

次いで、従来公知のホトリソグラフィ及びエッチング
技術によって、ポリシリコン層22を第二蛇行部24（第３
図参照）に形成する。第二蛇行部24は、複数個の中間セ
グメント26を有しており、中間セグメント26の端部は折
曲セグメント28によって相互接続されている。このよう
にして相互接続された中間セグメント及び折曲セグメン
ト26及び28は、低導電性経路を形成している。第二蛇行
部24の中間セグメント26は、好適には、第３図に概略示
した如く、下側に存在する第一蛇行部14の中間セグメン
ト16と実質的に直交関係で位置されている。しかしなが
ら、本発明の実施上、これらの第一蛇行部及び第二蛇行
部の間に何ら所定の位置関係を与えることが必要なもの
ではない。

第1E図を参照すると、第二蛇行部24の上に絶縁物質か
らなる第二層29を形成し次いで平坦化する。好適実施例
においては、この第二絶縁層29は二酸化シリコンであ
り、これは従来公知のLPCVD技術を使用して、約7000Å
の厚さに付着形成する。第二絶縁層29及び第一絶縁層20
を介してコンタクト孔30をエッチング形成し、下側に存
在する第一蛇行部14における所定領域を露出させる。こ
れらの領域は、第一蛇行部14の中間セグメント16の端部
近傍に位置している。第一蛇行部14の中間セグメント16
及び折曲セグメント18に関するコンタクト孔30の好適な
関係は第３図に示してある。

第1F図を参照すると、高導電性物質からなる第一層32
を第二絶縁層29及びコンタクト孔30内に付着形成し、コ
ンタクト孔30によって露出されている所定領域において
下側に存在する第一蛇行部14と電気的コンタクトを形成
する。好適実施例においては、第一高導電性層32は、例
えばアルミニウムなどのようなメタルを有している。高
導電性（低固有抵抗）、及び低導電性（高固有抵抗）と
いう用語は、本明細書においては、高導電性物質が低導
電性物質の電気的導電度の少なくとも１桁大きい電気的
導電度を有するような関係であることを意味している。
好適実施例においては、高導電性物質の導電度は、低導
電性物質の導電度の約5000倍である。

次いで、第一高導電性層32をパターン形成し且つエッ
チングして第一組のストリップ35を形成する複数個のス
トリップ34（第４図参照）を形成する。各ストリップ34
は、好適には、対応する下側に存在する中間セグメント
16に関して実質的に一致する重畳する離隔関係で位置さ
れており、且つ対応する下側に存在する中間セグメント
の幅及び長さとそれぞれ実質的に等しい幅及び長さを有
している。注意すべきことであるが、好適なものである
としても、ストリップ34と対応する中間セグメント16と
の間のこの様な空間的整合及び寸法上の等価性は、各導
電性ストリップ34が対応する中間セグメント16の端部間
に電気的に接続されている限り、本発明の実施上必ずし
も必要なものではない。

各ストリップ34の端部は、絶縁層29及び20を介して形
成されているコンタクト孔30内のビア即ち貫通導体31に
よって、第一蛇行部14の対応する下側に存在する中間セ
グメント16へ電気的に接続されている。従って、各導電
性ストリップ34は、対応する下側に存在する中間セグメ
ント16の端部間に電気的に接続されている。

第一、第二、第三、第四端コンタクト端子36,38,40,4
2及び第一、第二、第三、第四中間コンタクト端子37,3
9,41,43のそれぞれは、第４図に示した如く、第一高導
電性層32内に形成されている。本実施例においては４個
の端部コンタクト端子及び４個の中間コンタクト端子を
使用しているが、蛇行部の数及び寸法及びテスト構成体
へ分割すべきセクションの数に依存して、付加的な端部
及び中間コンタクト端子を使用することが可能である。
この様な、付加的なコンタクト端子を使用する別の実施
例も本発明の技術的範囲に属するものである。

第一端コンタクト端子36は、第一蛇行部14の第一セク
ション44の一端において、ビア即ち貫通導体31へ電気的
に接続されている。第二端コンタクト端子38は、第一蛇
行部14の第一セクション44の他端においてビア即ち貫通
導体31へ電気的に接続されている。第三端部コンタクト
端子40は、第一蛇行部14の第二セクション46の一端にお
いてビア即ち貫通導体31へ電気的に接続されており、且
つ第四端部コンタクト端子42は、第一蛇行部14の第二セ
クション46の第二端においてビア即ち貫通導体31へ電気
的に接続されている。第一蛇行部14及びそれから電気的
に絶縁されている上側に存在するメタルストリップ34
は、第一テスト構成体48を構成しており、それは第一36
及び第二38端部コンタクト端子間に電気的に接続されて
いる第一セクション50と、第三40及び第四42端部コンタ
クト端子間に電気的に接続されている第二セクション52
を有している。第一37及び第二39中間コンタクト端子
は、第一テスト構成体48の第一セクション50の第一折曲
セグメント45（その一部は第４図に示した図面において
中間コンタクト端子37及び39の電気的接続リードによっ
て隠されている）の端部へ電気的に接続されている。第
三41及び第四43中間コンタクト端子は、第一テスト構成
体48の第二セクション52の第一折曲セグメント47（その
一部は第４図に示した図面中の中間コンタクト端子37及
び39の電気的接続リードによって隠されている）の端部
へ電気的に接続されている。

第1F図及び第４図から理解される如く、第一テスト構
成体48は、前掲した米国特許出願に記載したテスト構成
体と類似している。これら二つのテスト構成体の顕著な
相違点は、第４図に示した如く本発明の好適実施例にお
いては、第二蛇行部24の複数個の直交して位置させた中
間セグメント26が単結晶シリコン基板10内の下側の蛇行
部14と上側のメタルストリップ34との間に配設されてい
る点である。

第1G図を参照すると、メタルストリップ34上に絶縁物
質からなる第三層54を形成し且つ平坦化させる。好適実
施例においては、この第三絶縁層54は約7000Åの厚さに
熱成長させた二酸化シリコンである。第三絶縁層54及び
第二絶縁層29を介してコンタクト孔56をエッチング形成
し、下側に存在する第二蛇行部24における所定領域を露
出させる。これらの領域は、第二蛇行部29の中間セグメ
ント26の端部近くに位置されている。第二蛇行部24の中
間セグメント26及び折曲セグメント28に関するコンタク
ト孔56の好適な関係は第５図に示してある。注意すべき
ことであるが、コンタクト孔56は、好適には、第一テス
ト構成体48の外側に形成され、従って第一テスト構成体
48の部分を露出することはない。

高導電性物質からなる第二層58を第三絶縁層54及びコ
ンタクト孔56内に付着形成し、コンタクト孔56によって
露出される所定領域において下側に存在する第二蛇行部
24と電気的コンタクトを形成するビア即ち貫通導体60を
形成する。好適実施例においては、この第二高導電性層
58は例えばアルミニウムなどのようなメタルを有してい
る。

次いで、この第二高導電性層58をパターン形成して、
第二組のストリップ63を形成する複数個のストリップ62
（第1H図及び第５図参照）を形成する。各ストリップ62
は、好適には、対応する下側に存在する中間セグメント
26に関して実質的に一致し且つ重畳する離隔した関係で
位置されており、且つ下側に存在する中間セグメント26
のそれぞれの幅及び長さと実質的に等しい幅及び長さを
有している。好適なものではあるが、ストリップ62と中
間セグメント26との間のこの様の特別の整合状態及び寸
法均等性は、各導電性ストリップ62が対応する中間セグ
メント26の端部間に電気的に接続されている限り、本発
明の実施上必ずしも必要なものではない。しかしなが
ら、第二組のストリップ63の少なくとも一部が第一組の
ストリップ35の少なくとも一部と重畳関係にあることが
必要である。

各ストリップ62の端部は、第三54及び第二29絶縁層を
介して形成したコンタクト孔56におけるビア即ち貫通導
体60によって、下側に存在する第二蛇行部24の対応する
中間セグメント26の端部へ電気的に接続されている。従
って、各導電性ストリップ62は、下側に存在する対応す
る中間セグメント26の端部間に電気的に接続されてい
る。第五、第六、第七、第八端部コンタクト端子64,66,
68,70及び第五、第六、第七、第八中間コンタクト端子6
5,67,69,71のそれぞれは、第５図に示した如く、第二の
高導電性層58内に形成されている。本実施例において
は、４個の端部コンタクト端子及び４個の中間コンタク
ト端子を使用しているが、蛇行部の数及び寸法及びテス
ト構成体を分割すべきセクションの数に依存して、付加
的な端部及び中間コンタクト端子を使用することが可能
である。この様な変形例も、本発明の技術的範囲内に包
含されるものである。

第五端部コンタクト端子64は、第二蛇行部24の第一セ
クション72の一端においてビア即ち貫通導体60へ電気的
に接続されている。第六端部コンタクト端子66は、第二
蛇行部24の第一セクション72の他端においてビア即ち貫
通導体60へ電気的に接続されている。第七端部コンタク
ト端子68は、第二蛇行部24の第二セクション74の一端に
おいてビア即ち貫通導体60へ電気的に接続されており、
且つ第八端部コンタクト端子70は、第二蛇行部24の第二
セクション74の他端においてビア即ち貫通導体60へ電気
的に接続されている。第二蛇行部24、及び下側に存在す
る第二蛇行部24から電気的に絶縁されている上側に存在
するメタルストリップ62は、第二テスト構成体76を形成
しており、その第二テスト構成体76は、第五64及び第六
66端部コンタクト端子の間に電気的に接続されている第
一セクション78と、第七68及び第八70端部コンタクト端
子の間に電気的に接続されている第二セクション80とを
有している。第五65及び第六67中間コンタクト端子は、
第二テスト構成体76の第一セクション78の第一折曲セグ
メント73の端部へ電気的に接続されている。第七69及び
第八71中間コンタクト端子は、第二テスト構成体76の第
二セクション80の第一折曲セグメント75の端部へ電気的
に接続されている。第1H図及び第５図から理解される如
く、第二テスト構成体76は、前掲した特許出願に記載さ
れているテスト構成体と類似しているが、その主要な差
異は、第1H図及び第５図に示した本発明の好適実施例に
おいては、下側に存在する第二蛇行部24と上側に存在す
るメタルストリップ62との間に第一テスト構成体48の複
数個の直交して位置したメタルストリップ34が配設され
ている点である。

第５図においては、個々のテスト構成体48及び76が各
々二つのセクションへ分割されて示されているが、各テ
スト構成体は、使用されるテスト構成体の寸法に依存し
て、単一のセクションを有する構成とするか、又は二つ
以上のセクションへ分割した構成とすることが可能であ
り、これらの変形例は本発明の技術的範囲内のものであ
る。テスト対は、第二テスト構成体の、又は二つ以上の
セクションを有している場合には第二テスト構成体の一
つのセクションの一組の導電性ストリップの少なくとも
一部が対応する第一テスト構成体又はそのセクションの
一組の導電性ストリップの少なくとも一部と重畳する構
成として画定されている。

第５図に示した好適実施例においては、これらのテス
ト対は以下の如くである。第一セクション78の導電性ス
トリップ62が第５図において点線で囲った区域200にお
いて第一セクション50の導電性ストリップ34と重畳即ち
上下関係にあるので、第一テスト構成対48の第一セクシ
ョン50と第二テスト構成体76の第一セクション78であ
る。第二セクション80のストリップ62が点線で囲った区
域202において第一セクション50のストリップ34と重畳
関係にあるので、第一テスト構成体48の第一セクション
50と第二テスト構成体76の第二セクション80とである。
第一セクション78のストリップ62が点線で囲った区域20
4内において第二セクション52のストリップ34と重畳関
係にあるので、第一テスト構成体48の第二セクション52
と第二テスト構成体76の第一セクション78とである。最
後に、第二セクション80のストリップ62が点線で囲った
区域206内において第二セクション52のストリップ34と
重畳関係にあるので、第一テスト構成体48の第二セクシ
ョン52と第二テスト構成体76の第二セクション80とであ
る。

上述した集積回路の垂直方向に伝搬した欠陥を検知す
る装置は以下の如くに使用される。第６図を参照する
と、例示的なテスト構成体の代表的部分の等価回路を概
略示している。T_nは、テスト構成体の一つのセクション
と一端における端部コンタクト端子を表わしている（例
えば、第一端コンタクト端子36、第三端コンタクト端子
40、第五端コンタクト端子64、又は第七端コンタクト端
子68）。T_n+1は、テスト構成体のそのセクションの他端
における端部コンタクト端子を表わしている（例えば、
第二端コンタクト端子38、第四端コンタクト端子42、第
六端コンタクト端子66、又は第八端コンタクト端子7
0）。T_Iは、テスト構成体の中間コンタクト端子を表わ
している（例えば、第一37、第三41、第五65、又は第七
69中間コンタクト端子）。T_I+1は、そのテスト構成体の
別の中間コンタクト端子を表わしている（例えば、第二
39、第四43、第六67、又は第八71中間コンタクト端
子）。R_Iは、端子T_nとT_n+1との間の各中間セグメントの
抵抗を表わしている（例えば、第一蛇行部14の中間セグ
メント16、又は第二蛇行部24の中間セグメント26）。

R_Fは、端子T_nとT_n+1との間の各折曲セグメントの抵抗
を表わしている（例えば、第一蛇行部14の折曲セグメン
ト18、又は第二蛇行部24の折曲セグメント28）。注意す
べきことであるが、図示した実施例においては、折曲セ
グメントの抵抗R_Fは、第一及び第二中間コンタクト端子
37及び39の間、第三及び第四中間コンタクト端子41及び
43の間、第五及び第六中間コンタクト端子65及び67の
間、及び第七及び第八中間コンタクト端子69及び71の間
の抵抗を測定することによって決定することが可能であ
る。更に注意すべきことであるが、折曲セグメントの抵
抗R_Fは、又、T_nを折曲セグメントへ接続しているメタル
ストリップが不変のままである限り、T_nとT_I+1との間の
抵抗を測定することによって決定することも可能であ
る。例えば、第６図を参照すると、T_nとT_I+1との間の抵
抗は、R_Fと等しい。なぜならば、短絡回路82によって示
されているメタルストリップは、抵抗R_Iをショート即ち
短絡しているからである。各中間セグメントは、中間セ
グメントの各端部へ電気的に接続されているメタルスト
リップ（例えば、第一テスト構成体48のメタルストリッ
プ32、又は第二テスト構成体76のメタルストリップ62）
によって電気的に短絡されている。このことは、各抵抗
R_Iを横断する短絡回路82によって第６図中に概略的に示
されている。端子T_nとT_n+1との間の抵抗R_Tは、欠陥のな
いテスト構成体においてはNR_Fと等しい。尚、Ｎは端子T
_nとT_n+1との間の折曲セグメントの数に等しい。

第５図に示した例示的なテスト構成体においては、各
テスト構成体の各セクション内に７個の折曲セグメント
が存在している。即ち、第一36及び第二38端部コンタク
ト端子間と、第三40及び第四42端子コンタクト端子間
と、第五64及び第六66端部コンタクト端子間と、第七68
及び第八70端部コンタクト端子間との間に７個の折曲セ
グメントが存在している。従って、第５図に示した例示
的テスト構成体の各セクションに対しては、Ｎ＝７及び
R_T＝7R_Fである。

第５図に示した第二テスト構成体76の第一セクション
78の２個のメタルストリップ62内に開回路を発生するメ
タルの不存在によって特性付けられるメタリゼーション
層内に欠陥が存在するものと仮定すると、端子T₅とT
₆（端部コンタクト端子64及び66）の間の抵抗R_Tは、7R_F
＋2R_Iと等しい。なぜならば、二つの抵抗R_Iを横断して
二つの短絡回路82が対応するメタルストリップ62内の開
回路に起因して開状態であるからである。

第７図を参照すると、第５図に示した二つのテスト構
成体48及び76が示されている。第一テスト構成体48の第
一セクション50において第二、第三及び第四のメタルス
トリップ34を短絡させる過剰なメタルによって特性付け
られる欠陥83が存在しており、且つ第二テスト構成体76
の第一セクション78の第三及び第四メタルストリップ62
において破断を発生させるメタルの不存在によって特性
付けられる欠陥85が存在しているものと仮定する。これ
らの欠陥は概略第８図に示してある。

第一テスト構成体48の第一セクション50において第
二、第三、第四メタルストリップ34を短絡する過剰なメ
タルの欠陥83は、短絡回路84で表わしており、それは第
一蛇行部14の第二、第三、第四中間セグメント16を表わ
す第二、第三、第四抵抗R_Iを横断する短絡回路82間に接
続されている。この欠陥の結果、第一テスト構成体48の
第一セクション50の端子T₁とT₂（端部コンタクト端子36
及び38）の間の抵抗R₁は5R_Fと等しい。なぜならば、こ
の欠陥は、第一蛇行部14の第二及び第三折曲セグメント
18を短絡しており、第一端部コンタクト端子36（T₁）と
第二端部コンタクト端子38（T₂）との間の回路内に五つ
の折曲セグメント残存させているからである。5R_Fの大
きさは7R_Fの大きさよりも小さいので、欠陥は、第一テ
スト構成体48の第一セクション50内に発生したものとし
て表示される。

第二テスト構成体76の第一セクション78におけるメタ
ルの不存在による欠陥85は、第二蛇行部24の第三及び第
四中間セグメント26を表わす第三及び第四抵抗R_Iを横断
する短絡回路82における開放部分によって表わされてい
る。この欠陥の結果として、第二テスト構成体76の第一
セクション78の端子T₅とT₆（端部コンタクト端子64及び
66）の間の抵抗R₂は、7R_F＋2R_Iと等しい。なぜならば、
その欠陥が、第二蛇行部24における２個の中間セグメン
ト26を横断する短絡回路を開放しているからである。7R
_F＋2R_I＞7R_Fであるから、欠陥は、第二テスト構成体76
の第一セクション78において発生したものとして表示さ
れる。最後に、両方の欠陥は一つのテスト対内において
発生したものであるから、即ち区域200においてオーバ
ーラップ即ち重畳するメタルストリップ34と62とを夫々
有するテスト構成体48及び76の垂直方向に隣接する第一
セクション50及び78内において発生しているので、垂直
欠陥が発生したものと考えられる。更に、それは、区域
200によって画定される区域内において発生したものと
考えられる。

第９図を参照すると、第７図に示した欠陥83及び85の
両方ともが過剰メタル欠陥であると仮定する。更に、こ
の実施例の場合、過剰メタル欠陥83が、第一テスト構成
体48の第一セクション50における第二、第三、第四メタ
ルストリップ34を短絡し、且つ過剰メタル欠陥85が第二
テスト構成体76の第一セクション78の第二、第三、第
四、第五メタルストリップ62を短絡するものと仮定す
る。更に、これらの過剰メタル欠陥83及び85は互いに短
絡されているものと仮定する。このことは、模式的に短
絡回路88によって表わされており、それは第二、第三、
第四メタルストリップ34を短絡する第一テスト構成体48
における過剰メタル欠陥83によって発生される短絡回路
84と、第二、第三、第四、第五メタルストリップ62を短
絡する第二テスト構成体76における過剰メタル欠陥85に
よって発生される短絡回路86との間に接続されている。

第一テスト構成体48の第一セクション50と第二テスト
構成体76の第一セクション78との間の短絡回路88のため
に、第一テスト構成体48の第一セクション50の第一端コ
ンタクト端子36（T₁）か又は第二端コンタクト端子38
（T₂）の何れか一方と第二テスト構成体76の第一セクシ
ョン78の第五端コンタクト端子64（T₅）か又は第六端コ
ンタクト端子66（T₆）の何れかとの間に測定可能な有限
の抵抗が存在する（即ち、開放回路を表わすものよりも
小さな値を持った抵抗Ｒ）。

第９図に示した如く、第一端コンタクト端子T₁と第五
端コンタクト端子T₅との間の抵抗は2R_Fと等しい。なぜ
ならば、T₁−T₅回路内には２個の残存する折曲セグメン
トが存在するからである。T₁−T₆回路内には４個の残存
する折曲セグメントが存在するので（尚、簡単化のため
に、第５図及び第７図の実施例の構成において図示した
各セクションの７個の中間セグメントを表わす７個のR_F
の抵抗のうちの３個は、第８図及び第９図の図示例から
は省略してある）、第一端コンタクト端子T₁と第六端コ
ンタクト端子T₆との間の抵抗R_Tは4R_Fと等しい。第二端
コンタクト端子T₂と第五端コンタクト端子T₅との間の抵
抗R_Tは5R_Fと等しく、且つ第二端コンタクト端子T₂と第
六端コンタクト端子T₆との間の抵抗は7R_Fと等しい。

過剰メタル欠陥83の結果として、第一テスト構成体48
の第一セクション50の端子T₁とT₂（端部コンタクト端子
36及び38）との間の抵抗R₁は、第８図に関し前述した如
く、5R_Fと等しい。この場合においても、5R_Fは7R_Fより
も小さいので、第一テスト構成体48の第一セクション50
において欠陥が発生したものとして表示される。更に、
過剰メタル欠陥85の結果として、第二テスト構成体76の
第一セクション78の端子T₅とT₆（端部コンタクト端子64
及び66）との間の抵抗R₂は、4R_Fと等しい。なぜなら
ば、その欠陥は、第二蛇行部24における７個の折曲セグ
メント28のうちの３個を短絡させているからである。4R
_Fは7R_Fよりも小さいので、第二テスト構成体76の第一セ
クション78において欠陥が発生したものとして表示され
る。この実施例においては、両方の欠陥が１個のテスト
対内において発生するので、即ち、区域200においてオ
ーバーラップするメタルストリップ34及び62をそれぞれ
有するテスト構成体48及び76の垂直方向に隣接する第一
セクション50及び78内において発生するので、垂直欠陥
が発生したものと考えられる。更に、その欠陥は区域20
0によって画定される領域内に発生したものと考えられ
る。

各個別のテスト構成体48及び76は、スポット欠陥の寸
法及び分布を決定するために使用することが可能であ
り、且つ前掲した特許出願に記載される手順に従ってこ
の様な欠陥の密度を決定するために使用することも可能
である。更に、本明細書に記載した垂直テスト構成体を
使用することにより、垂直方向に伝搬した欠陥の存在を
決定すること及びその寸法分布更にその様な欠陥の密度
を決定することを可能としている。この様な決定は、本
発明の構成を組込んだテストダイ上において一貫性を持
って且つ正確に行なうことが可能であり、且つこのテス
トダイは集積回路半導体装置と同一の処理を経験してい
るので、この様な決定は、それらの集積回路装置が実際
の機能障害を示すものではない場合であっても、これら
の集積回路装置に帰属するものとさせることが可能であ
る。

第10図を参照すると、第一テスト構成体48（下部）及
び第二テスト構成体76（上部）を有する垂直二重ブリッ
ジテスト構成体を表わす概略断面図が示されている。こ
れらのテスト構成体は、１個のテスト対を形成してい
る。なぜならば、上部テスト構成体76の一組の導電性ス
トリップ62の少なくとも一部が下部テスト構成体48の一
組の導電性ストリップ32の少なくとも一部と重畳してい
るからである。第10図は、それが模式的に示した垂直欠
陥102を有しているという点を除いて、第1H図に示した
概略図と実質的に同一である。

この実施例の場合、適宜上、垂直欠陥102は、上部テ
スト構成体76の２個の隣接するメタルストリップ62を短
絡し且つ下部テスト構成体48における４個の隣接するメ
タルストリップ32を短絡する過剰メタル欠陥であると仮
定する。前述した如く、垂直欠陥は、１個のテスト対の
各テスト構成体における開放即ち短絡回路の形態におい
て平面状欠陥を発生する任意の欠陥である。換言する
と、１個のテスト対の一方のテスト構成体において平面
状欠陥が検知され、且つそのテスト対の他方のテスト構
成体において同一の手順により平面状の欠陥が検知され
ると、それは垂直欠陥が存在することを示している。

垂直欠陥は、１個のテスト対の両方のテスト構成体内
に平面状欠陥が発生する限り、１個のテスト対の一方の
テスト構成体内における開放回路平面状欠陥と該テスト
対の他方のテスト構成体内における短絡回路平面状欠陥
を有する場合、一方のテスト構成体内における短絡回路
平面状欠陥と他方のテスト構成体内における開放回路平
面状欠陥とを有する場合、一方のテスト構成体及び他方
のテスト構成体の両方において短絡回路平面状欠陥を有
する場合、及び一方のテスト構成体及び他方のテスト構
成体の両方において開放回路平面状欠陥を有する場合な
どを包含することが可能である。

本明細書において定義される垂直欠陥は、更に、１個
のテスト対の一方のテスト構成体における一つのメタル
ストリップが該テスト対の他方のテスト構成体における
１個のメタルストリップと短絡する場合、一方のテスト
構成体における２個以上のメタルストリップが他方のテ
スト構成体における１個のメタルストリップと短絡する
場合、一方のテスト構成体における１個のメタルストリ
ップが他方のテスト構成体における２個以上のメタルス
トリップと短絡する場合、一方のテスト構成体における
少なくとも１個のメタルストリップが他方のテスト構成
体における少なくとも１個のメタルストリップと短絡し
且つ更にそれが該テスト対と垂直方向に隣接する１個以
上のテスト構成体における少なくとも１個のメタルスト
リップと短絡回路を発生させる場合などのような導電性
欠陥も包含している。従って、垂直欠陥は、必ずしも平
面状欠陥を発生するものではないが、垂直方向に隣接し
たテスト構成体間に短絡回路を発生するようなタイプの
欠陥をも包含している。

本実施例においては、垂直欠陥102は、上部テスト構
成体において２個の隣接するメタルストリップを短絡し
且つ下部テスト構成体において４個の隣接するメタルス
トリップを短絡するものと仮定する。従って、第10図
は、上部テスト構成体76の隣接するメタルストリップ62
の間に延在し且つそれらを電気的に接触する欠陥102を
示しており、且つ第10図に示した断面は、下部テスト構
成体48におけるメタルストリップ32と平行にとってある
ので、その欠陥は第10図の断面の垂直方向に延在してお
り、下部テスト構成体48における４個の隣接するメタル
ストリップ32の間を延在しそれらを電気的に接続してい
る。

垂直欠陥102の検知及びその寸法の決定は、好適に
は、以下の如くに行なわれる。本実施例における欠陥10
2は上部テスト構成体76における２個の隣接するメタル
ストリップ62を短絡し且つ下部テスト構成体48において
４個の隣接するメタルストリップ32を短絡しているの
で、欠陥102は、下部テスト構成体48において平面状欠
陥として検知され、且つ上部テスト構成体76においても
平面状欠陥として検知される。尚、この場合に、前掲し
た米国特許出願第11,729号に記載する平面状欠陥を検知
する手順に従って行なうとよい。上部テスト構成体76と
下部テスト構成体48とは１個のテスト対を形成している
ので、これらのテスト構成体の各々における平面状欠陥
の検出は、前述した如く、導電性ストリップのオーバー
ラップする区域における垂直欠陥が存在することを表示
するものと考えることが可能である。各テスト構成体に
おけるその欠陥の平面状寸法は、前掲した米国特許出願
に記載する手順に従って決定される。

垂直欠陥102の寸法は、前掲した米国特許出願に記載
される手順に従って、上部及び下部テスト構成体の各々
において行なわれる平面状欠陥寸法決定の平均値をとる
ことによって決定される。例えば、この平面状寸法決定
が、その欠陥が、下部テスト構成体において直径D₁を有
しており、且つ上部テスト構成体において直径D₂を有し
ているものを表わす場合には、垂直欠陥寸法は、（D₁＋
D₂）/2として示される。理解すべきことであるが、垂直
欠陥は隣接するテスト構成体間に延在すべく十分に大き
なものでなければならないので、各垂直欠陥は、少なく
とも、一方のテスト構成体におけるメタルストリップと
垂直方向に隣接するテスト構成体におけるメタルストリ
ップとの間の距離に等しい最小寸法を有している。この
考察は、垂直欠陥が一方のテスト構成体における単に１
個のメタルストリップを垂直方向に隣接するテスト構成
体における単に１個のメタルストリップと短絡しており
且つ各テスト構成体における隣接するメタルストリップ
間の間隔の幅は垂直方向に隣接するテスト構成体におけ
るメタルストリップ間の距離よりも小さい場合において
特に重要となる。この様な場合においては、各テスト構
成体における平面状欠陥は存在せず、従って垂直欠陥が
検知されたとしても、決定可能な寸法を有するものでは
ない。

垂直方向に伝搬した欠陥の寸法分布及び密度を第11図
にヒストグラムの形態で示してある。第11A図は、この
様な欠陥の半径の関数として層ｉにおいて発生するスポ
ット欠陥の数のヒストグラムである。第11A図は、層ｉ
の直ぐ下側に存在する層である層ｉ−１内に発生する欠
陥の分布に与える影響を示している。層ｉ−１から発生
する三次元欠陥の分布を第11D図のヒストグラムに示し
てある。

第11C図は、層ｉ−２即ち層ｉの下側２番目に存在す
る層から発生する垂直欠陥によって発生される層ｉにお
けるスポット欠陥の分布のヒストグラムである。同様
に、第11B図は、層ｉ−３、即ち層ｉから下側３番目の
層から発生する垂直欠陥によって発生される層ｉ内のス
ポット欠陥の分布のヒストグラムである。

第11E図は、層ｉ自身内に発生するスポット欠陥のみ
ならず、層ｉ−1,i−2,i−３内に発生する垂直欠陥の累
積的結果によって発生される層ｉ内におけるスポット欠
陥のヒストグラムである。第11E図のヒストグラムの各
棒線の実効高さは次式によって決定される。

且つ、その分布は次式によって計算される。

本発明の別の実施例を使用することにより、欠陥がメ
タリゼーション（導電性ストリップ）層の形成に起因す
るものであるか、又はメタリゼーション層下側の多結晶
（蛇行部）層の形成に起因するものであるかを決定する
ことが可能である。この実施例においては、ウェハ上に
設けられる少なくとも一組の二つのタイプのテスト構成
体が存在する。各タイプのテスト構成体は、蛇行部502
及び関連する一組の導電性ストリップ504を有してい
る。しかしながら、一方のテスト構成体のタイプにおい
ては、導電性ストリップ504が蛇行部502と重畳関係にあ
る（例えば、本実施例における場合のその一部を第12A
図の平面図に示してある）。他方のタイプのテスト構成
体においては、導電性ストリップ504は蛇行部502と重畳
関係にない（例えば、本実施例におけるその一部を第12
B図の平面図に示してある）。

欠陥が多結晶蛇行部を形成する期間中に発生し、且つ
これらの欠陥がメタリゼーション（導電性ストリップ）
レベル内へ上方向に伝搬するものと仮定する。この場
合、第12A図に示した構成体のタイプにおける歩留り
は、第12B図に示した構成体のタイプにおける歩留りよ
りも低いものとなる。なぜならば、多結晶層における欠
陥は、メタリゼーション層内へ伝搬し、第12A図に示し
た構成体内において上側に存在する導電性ストリップに
破断を発生するからである。しかしながら、この様な欠
陥は、導電性ストリップが蛇行部と重畳関係にないの
で、第12B図に示した構成体の導電性ストリップに破談
を発生させる傾向はない。

導電性ストリップの形成期間中に欠陥が発生するもの
と仮定する。この場合には、第12A図及び第12B図に示し
た構成体における歩留りは実質的に等しく、且つ欠陥の
ない処理の場合に予定されるものよりも低いものであ
る。なぜならば、これらの欠陥はメタリゼーション層内
に発生し且つ両方のタイプの構成体において実質的に均
一に分布されているからである。従って、本発明のこの
別の実施例を使用することにより、欠陥の発生源を決定
することが可能であり、即ち欠陥が多結晶シリコン処理
ステップ期間中に発生したものであるか又はメタリゼー
ション処理ステップ期間中に発生したものであるかを決
定することが可能である。

以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明
したが、本発明は、これら具体的にのみ限定されるべき
ものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなし
に種々の変形が可能であることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第1A図乃至第1H図は本発明の好適実施例に基づいてテス
ト構成体を製造するために実施される種々の処理ステッ
プを示した各概略断面図、第２図は本発明に基づいて単
結晶シリコンからなる基板内に形成した第一蛇行部を示
した概略平面図、第３図は本発明に基づいて第２図に示
した蛇行部に関し直交方向に回転させた第二蛇行部を示
した概略平面図、第４図は下側に存在する第一及び第二
蛇行部に関してその位置関係を示したパターン形成した
第一導電層を示した概略平面図、第５図は下側に存在す
る第一及び第二蛇行部及び第一のパターン形成した導電
層に関してその位置関係を示した第二のパターン形成し
た導電層を示した概略平面図、第６図は本発明の好適実
施例に基づいて構成した代表的テスト構成体の一部を示
した概略図、第７図は第一テスト構成体における欠陥と
第二テスト構成体における欠陥とを示した第５図と同様
の概略平面図、第８図は各テスト構成体内に開放回路欠
陥が存在する場合の第７図に示したテスト構成体の等価
回路を示した概略図、第９図は各テスト構成体内に過剰
メタル欠陥が存在する場合の第７図に示したテスト構成
体の等価回路を示した概略図、第10図は例示的な三次元
欠陥を有する垂直二重ブリッジテスト構成体を示した概
略断面図、第11図Ａ乃至Ｅは代表的な半導体構成体の層
ｉ内に発生するスポット欠陥の頻度の欠陥直径との関係
を示した各ヒストグラム図、第12A図は本発明の別の実
施例に基づいて構成された一組のテスト構成体の一方の
タイプのテスト構成体を示した概略平面図、第12B図は
本発明の別の実施例に基づいて構成された一組のテスト
構成体の第二のタイプのテスト構成体を示した概略平面
図、である。（符号の説明） 10:基板 11:スクリーン酸化物層 12:ホトレジスト層 14:第一蛇行部 16:中間セグメント 18:折曲セグメント 20:第一絶縁層 22:ポリシリコン層 24:第二蛇行部 26:中間セグメント 28:折曲セグメント 29:第二絶縁層 30:コンタクト孔 32:第一高導電性物質層 34,35:ストリップ（細条部） 36,38,40,42:端部コンタクト端子 37,39,41,43:中間コンタクト端子 44,50:第一セクション 46,52:第二セクション 54:第三絶縁層 58:第二高導電物質層

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】集積回路における欠陥を検知する装置であ
って、（ａ）基板と、（ｂ）前記基板の上又は内部に形成された第１の蛇行部
であって、所定の数の中間セグメントを有する高電気抵
抗物質で構成されており、前記中間セグメントの端部は
第１の折曲セグメントによって相互接続され、この第１
の蛇行部の端部の間には所定の電気抵抗を有する電気回
路が形成されている、第１の蛇行部と、（ｃ）前記第１の蛇行部から電気的に絶縁された第２の
蛇行部であって、所定の数の中間セグメントを有する高
電気抵抗物質からなり、前記中間セグメントの端部は第
２の折曲セグメントによって相互接続され、この第２の
蛇行部の端部の間には所定の電気抵抗を有する電気回路
が形成されている、第２の蛇行部と、（ｄ）前記第１（14）及び第２（24）の蛇行部から電気
的に絶縁されており高導電性物質からなる所定の数のス
トリップ（34）で構成された第１の組のストリップ（3
5）であって、各ストリップ（34）の端部は前記第１の
蛇行部（14）の対応する中間セグメント（16）の端部に
電気的に接続されている、第１の組のストリップ（35）
と、（ｅ）前記第１の組のストリップと前記第１及び第２の
蛇行部とから電気的に絶縁されており高導電性物質から
なる所定の数のストリップから構成された第２の組のス
トリップであって、各ストリップの端部は前記第２の蛇
行部の対応する中間セグメントの端部に電気的に接続さ
れており、この第２の組のストリップの少なくとも一部
は前記第１の組のストリップの少なくとも一部と重畳的
な関係にある、第２の組のストリップと、を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】請求項１記載の装置において、（ｆ）前記第１の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第１の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクトと、前記第１の蛇
行部の中間セグメントの一端に電気的に接続された第１
の中間コンタクト端子であって、この第１の中間コンタ
クト端子と前記第１の蛇行部の１つの端コンタクト端子
との間にある前記第１の蛇行部の部分が少なくとも１つ
の中間セグメントを含んでいる、第１の中間コンタクト
端子と、（ｇ）前記第２の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第２の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクト端子と、前記第２
の蛇行部の中間セグメントの一端に電気的に接続された
少なくとも１つの中間コンタクト端子であって、この第
１の中間コンタクト端子と前記第２の蛇行部の１つの端
コンタクト端子との間にある前記第２の蛇行部の部分が
少なくとも１つの中間セグメントを含んでいる、少なく
とも１つの中間コンタクト端子と、を更に備えていることを特徴とする装置。
【請求項３】請求項２記載の装置において、各蛇行部は
少なくとも２つのセクションから構成され、各セクショ
ンは、その一端に電気的に接続された第１の端コンタク
ト端子と、その他端に電気的に接続された第２の端コン
タクト端子と、２つの中間セグメントの端部に電気的に
接続された２つの中間コンタクト端子とを有しており、
前記中間コンタクト端子の一方と端コンタクト端子との
間の蛇行部セグメントの部分が少なくとも１つの中間セ
グメントを含み、前記２つの中間コンタクト端子の間の
蛇行部セグメントの部分が折曲セグメントを有している
ことを特徴とする装置。
【請求項４】請求項３記載の装置において、前記第２の
蛇行部の中間セグメントは、前記第１の蛇行部の中間セ
グメントに対して直交する方向を向いていることを特徴
とする装置。
【請求項５】請求項４記載の装置において、前記第１の
組のストリップの各ストリップは、前記第１の蛇行部の
前記中間セグメントのそれぞれの対応する一つと重畳的
な関係に配列されていることを特徴とする装置。
【請求項６】請求項５記載の装置において、前記第２の
組のストリップの各ストリップは、前記第２の蛇行部の
前記中間セグメントのそれぞれの対応する一つと重畳的
な関係に配列されていることを特徴とする装置。
【請求項７】請求項６記載の装置において、前記第１の
蛇行部は、ドープされた単結晶シリコンで形成されてい
ることを特徴とする装置。
【請求項８】請求項７記載の装置において、前記第２の
蛇行部はドープされた多結晶シリコンで形成されている
ことを特徴とする装置。
【請求項９】請求項８記載の装置において、前記ストリ
ップは金属で形成されていることを特徴とする装置。
【請求項１０】請求項９記載の装置において、前記金属
はアルミニウムで構成されていることを特徴とする装
置。
【請求項１１】請求項６記載の装置において、前記第１
の蛇行部はドープされた多結晶シリコンで形成されてい
ることを特徴とする装置。
【請求項１２】集積回路における欠陥を検知する装置に
おいて、（ａ）基板と、（ｂ）前記基板の上に形成された第１の蛇行部であっ
て、所定の数の中間セグメントを有する高電気抵抗物質
で構成されており、前記中間セグメントの端部は第１の
折曲セグメントによって相互接続され、この第１の蛇行
部の端部の間には所定の電気抵抗を有する電気回路が形
成されている、第１の蛇行部と、（ｃ）前記第１の蛇行部の上に配置され前記第１の蛇行
部から電気的に絶縁された第２の蛇行部であって、所定
の数の中間セグメントを有する高電気抵抗物質からな
り、前記中間セグメントは前記第１の蛇行部の中間セグ
メントに対して直交する方向を向いており、この第２の
蛇行部の前記中間セグメントの端部は第２の折曲セグメ
ントによって相互接続され、この第２の蛇行部の端部の
間には所定の電気抵抗を有する電気回路が形成されてい
る、第２の蛇行部と、（ｄ）前記第１及び第２の蛇行部から電気的に絶縁され
ており高導電性物質からなる所定の数のストリップで構
成された第１の組のストリップであって、各ストリップ
は、前記第１の蛇行部の前記中間セグメントのそれぞれ
の対応する一つと重畳的な関係に配列されており、各ス
トリップの端部は前記第１の蛇行部の対応する中間セグ
メントの端部に電気的に接続されている、第１の組のス
トリップと、（ｅ）前記第１の組のストリップと前記第１及び第２の
蛇行部とから電気的に絶縁されており高導電性物質から
なる所定の数のストリップから構成された第２の組のス
トリップであって、この第２の組の各ストリップは、前
記第２の蛇行部の前記中間セグメントのそれぞれの対応
する一つと重畳的な関係に配列されており、この第２の
組の各ストリップの端部は前記第２の蛇行部の対応する
中間セグメントの端部に電気的に接続されている、第２
の組のストリップと、（ｆ）前記第１の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第１の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクト端子と、前記第１
の蛇行部の中間セグメントの一端に電気的に接続された
第１の中間コンタクト端子であって、この第１の中間コ
ンタクト端子と前記第１の蛇行部の１つの端コンタクト
端子との間にある前記第１の蛇行部の部分が１つの中間
セグメントを含んでいる、第１の中間コンタクト端子
と、前記第１の蛇行部の第２の中間セグメントの一端に
電気的に接続された第２の中間コンタクト端子であっ
て、前記第１の中間コンタクト端子とこの第２の中間コ
ンタクト端子との間にある前記第１の蛇行部の部分が１
つの第１の折曲セグメントを含んでいる、第２の中間コ
ンタクト端子と、（ｇ）前記第２の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第２の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクト端子と、前記第２
の蛇行部の中間セグメントの一端に電気的に接続された
第１の中間コンタクト端子であって、この第１の中間コ
ンタクト端子と前記第２の蛇行部の１つの端コンタクト
端子との間にある前記第２の蛇行部の部分が１つの中間
セグメントを含んでいる、第１の中間コンタクト端子
と、前記第２の蛇行部の第２の中間セグメントの一端に
電気的に接続された第２の中間コンタクト端子であっ
て、前記第２の蛇行部の前記第１の中間コンタクト端子
とこの第２の中間コンタクト端子との間にある前記第２
の蛇行部の部分が前記第２の蛇行部の１つの第２の折曲
セグメントを含んでいる、第２の中間コンタクト端子
と、を備えていることを特徴とする装置。
【請求項１３】請求項12記載の装置において、半導体ウ
ェハ上の所定の位置に複写されることを特徴とする装
置。
【請求項１４】集積回路における欠陥を検知する方法で
あって、（ａ）基板の上又は内部に第１の蛇行部を形成するステ
ップであって、前記第１の蛇行部は所定の数の中間セグ
メントを有する高電気抵抗物質で構成されており、前記
中間セグメントの端部は第１の折曲セグメントによって
相互接続され、前記第１の蛇行部の端部の間には所定の
電気抵抗を有する電気回路が形成されるようにする、ス
テップと、（ｂ）前記第１の蛇行部から電気的に絶縁された第２の
蛇行部を形成するステップであって、前記第２の蛇行部
は所定の数の中間セグメントを有する高電気抵抗物質か
らなり、前記中間セグメントの端部は第２の折曲セグメ
ントによって相互接続され、前記第２の蛇行部の端部の
間には所定の電気抵抗を有する電気回路が形成されるよ
うにする、ステップと、（ｃ）前記第１及び第２の蛇行部から電気的に絶縁され
ており高導電性物質からなる所定の数のストリップで構
成された第１の組のストリップを形成するステップであ
って、各ストリップの端部は前記第１の蛇行部の対応す
る中間セグメントの端部に電気的に接続されており、そ
れによって、抵抗R_M1を有する電気回路が前記第１の蛇
行部の端部の間に形成されるようにする、ステップと、（ｄ）前記第１の組のストリップと前記第１及び第２の
蛇行部とから電気的に絶縁されており高導電性物質から
なる所定の数のストリップから構成された第２の組のス
トリップを形成するステップであって、前記第２の組の
各ストリップの端部は前記第２の蛇行部の対応する中間
セグメントの端部に電気的に接続されており、それによ
って、抵抗R_M2を有する電気回路が前記第２の蛇行部の
端部の間に形成されるようにする、ステップと、（ｅ）前記第１の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第１の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクト端子とを形成する
ステップと、（ｆ）前記第２の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第２の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクト端子とを形成する
ステップと、（ｇ）前記第１の蛇行部の前記第１及び第２の端コンタ
クト端子の間の電気抵抗R₁と、前記第２の蛇行部の前記
第１及び第２の端コンタクト端子の間の電気抵抗R₂とを
測定するステップと、（ｈ）（ｉ）抵抗R₁の大きさがR_M1と等しくR₂の大きさ
がR_M2と等しい場合には、欠陥はないという表示を与
え、（ii）抵抗R₁の大きさがR_M1と異なり抵抗R₂の大き
さがR_M2と異なる場合には、垂直方向に伝搬した欠陥が
存在するという表示を与えるステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】集積回路における欠陥を検知する装置で
あって、少なくとも１つの組のテスト構造体を基板の上
に備えている装置において、（ａ）第１のテスト構造体であって、（ｉ）前記基板の上又は内部に形成された第１の蛇行部
であって、所定の数の中間セグメントを有する高電気抵
抗物質で構成されており、前記中間セグメントの端部は
第１の折曲セグメントによって相互接続され、この第１
の蛇行部の端部の間には所定の電気抵抗を有する電気回
路が形成されている、第１の蛇行部と、（ii）高導電性物質からなる所定の数のストリップで構
成されており、前記第１の蛇行部から電気的に絶縁さ
れ、前記第１の蛇行部に対して非重畳的に離間した関係
に配置された第１の組のストリップであって、各ストリ
ップの端部は前記第１の蛇行部の対応する中間セグメン
トの端部に電気的に接続されている、第１の組のストリ
ップと、を備えている第１のテスト構造体と、（ｂ）第２のテスト構造体であって、（ｉ）前記基板の上又は内部に形成された第２の蛇行部
であって、所定の数の中間セグメントを有する高電気抵
抗物質で構成されており、前記中間セグメントの端部は
第２の折曲セグメントによって相互接続され、この第２
の蛇行部の端部の間には所定の電気抵抗を有する電気回
路が形成されている、第２の蛇行部と、（ii）高導電性物質からなる所定の数のストリップで構
成されており、前記第２の蛇行部から電気的に絶縁さ
れ、各ストリップが前記第２の蛇行部の前記中間セグメ
ントのそれぞれの対応する１つに対して重畳的に配列さ
れた第２の組のストリップであって、各ストリップの端
部は前記第１の蛇行部の対応する中間セグメントの端部
に電気的に接続されている、第２の組のストリップと、を備えている第２のテスト構造体と、を備えていることを特徴とする装置。
【請求項１６】請求項15記載の装置において、前記第１
の蛇行部の一端に電気的に接続された第１の端コンタク
ト端子と、前記第１の蛇行部の他端に電気的に接続され
た第２の端コンタクト端子と、前記第２の蛇行部の一端
に電気的に接続された第３の端コンタクト端子と、前記
第２の蛇行部の他端に電気的に接続された第４の端コン
タクト端子と、を更に備えていることを特徴とする装
置。
【請求項１７】請求項16記載の装置において、前記組の
テスト構成体を前記基板上に複数備えていることを特徴
とする装置。
【請求項１８】請求項17記載の装置において、前記第１
の蛇行部はドープされた単結晶シリコンで形成されてい
ることを特徴とする装置。
【請求項１９】請求項18記載の装置において、前記スト
リップは金属で形成されていることを特徴とする装置。
【請求項２０】請求項19記載の装置において、前記金属
はアルミニウムで構成されていることを特徴とする装
置。
【請求項２１】請求項17記載の装置において、前記第１
の蛇行部はドープされた多結晶シリコンで形成されてい
ることを特徴とする装置。
【請求項２２】集積回路における欠陥を検知する方法で
あって、（ａ）基板の上に少なくとも１つの組のテスト構造体を
提供するステップであって、前記組は、（ｉ）第１のテスト構造体であって、前記基板の上又は
内部に形成された第１の蛇行部であって、所定の数の中
間セグメントを有する高電気抵抗物質で構成されてお
り、前記中間セグメントの端部は第１の折曲セグメント
によって相互接続され、この第１の蛇行部の端部の間に
は所定の電気抵抗を有する電気回路が形成されている、
第１の蛇行部と、高導電性物質からなる所定の数のスト
リップで構成されており、前記第１の蛇行部から電気的
に絶縁され、前記第１の蛇行部に対して非重畳的に離間
した関係に配置された第１の組のストリップであって、
各ストリップの端部は前記第１の蛇行部の対応する中間
セグメントの端部に電気的に接続されている第１の組の
ストリップと、を備えており、それによって、抵抗R_M1
を有する電気回路が前記第１の蛇行部の端部の間に形成
されている第１のテスト構造体と、（ii）第２のテスト構造体であって、前記基板の上又は
内部に形成された第２の蛇行部であって、所定の数の中
間セグメントを有する高電気抵抗物質で構成されてお
り、前記中間セグメントの端部は第２の折曲セグメント
によって相互接続され、この第２の蛇行部の端部の間に
は所定の電気抵抗を有する電気回路が形成されている、
第２の蛇行部と、高導電性物質からなる所定の数のスト
リップで構成されており、前記第２の蛇行部から電気的
に絶縁され、各ストリップが前記第２の蛇行部の前記中
間セグメントのそれぞれの対応する１つに対して重畳的
に配列された第２の組のストリップであって、各ストリ
ップの端部は前記第１の蛇行部の対応する中間セグメン
トの端部に電気的に接続されている、第２の組のストリ
ップと、を備えており、それによって、抵抗R_M2を有す
る電気回路が前記第２の蛇行部の端部の間に形成されて
いる第２のテスト構造体と、を備えている、ステップと、（ｂ）前記第１の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第１の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクト端子とを提供する
ステップと、（ｃ）前記第２の蛇行部の一端に電気的に接続された第
１の端コンタクト端子と、前記第２の蛇行部の他端に電
気的に接続された第２の端コンタクト端子とを提供する
ステップと、（ｄ）前記第１の蛇行部の前記第１及び第２の端コンタ
クト端子の間の電気抵抗R₁と、前記第２の蛇行部の前記
第１及び第２の端コンタクト端子の間の電気抵抗R₂とを
測定するステップと、（ｈ）（ｉ）抵抗R₁の大きさがR_M1と等しくR₂の大きさ
がR_M2と等しい場合には、欠陥はないという表示を与
え、（ii）抵抗R₁の大きさがR_M1と等しく抵抗R₂の大き
さがR_M2と異なる場合には、蛇行部の処理に起因する欠
陥が存在するという表示を与え、（iii）抵抗R₁の大き
さがR_M1と異なり抵抗R₂の大きさがR_M2と異なる場合に
は、ストリップのメタライゼーション処理に起因する欠
陥が存在するという表示を与えるステップと、を含むことを特徴とする方法。