JP3143801B2 - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
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- JP3143801B2 JP3143801B2 JP03139256A JP13925691A JP3143801B2 JP 3143801 B2 JP3143801 B2 JP 3143801B2 JP 03139256 A JP03139256 A JP 03139256A JP 13925691 A JP13925691 A JP 13925691A JP 3143801 B2 JP3143801 B2 JP 3143801B2
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- electron
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空室の側壁に電子銃
を備えた形式のイオンプレーティング装置に関する。
を備えた形式のイオンプレーティング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子銃を真空室の側壁からその室内に突
出させて配置した形式のイオンプレーティング装置は、
従来より例えば特公昭５１−２０１７０号公報や特開昭
６１−２５７４７１号公報等に於いて公知である。その
１例を示せば図１の如くであり、真空室ａ内の上方に基
板ｂを設け、該真空室ａの下方に該基板ｂと対向するる
つぼｃを配置し、該真空室ａの側方に電子ビームｄを射
出する電子銃ｅが設けられ、該電子銃ｅから射出した電
子ビームｄは電子銃ｅの周囲とるつぼｃの周囲に夫々設
けられた電磁コイルｆ，ｇによりるつぼｃへと誘導され
る。ｈはガス導入口、ｉは蒸発物、ｊは電極である。
出させて配置した形式のイオンプレーティング装置は、
従来より例えば特公昭５１−２０１７０号公報や特開昭
６１−２５７４７１号公報等に於いて公知である。その
１例を示せば図１の如くであり、真空室ａ内の上方に基
板ｂを設け、該真空室ａの下方に該基板ｂと対向するる
つぼｃを配置し、該真空室ａの側方に電子ビームｄを射
出する電子銃ｅが設けられ、該電子銃ｅから射出した電
子ビームｄは電子銃ｅの周囲とるつぼｃの周囲に夫々設
けられた電磁コイルｆ，ｇによりるつぼｃへと誘導され
る。ｈはガス導入口、ｉは蒸発物、ｊは電極である。
【０００３】この種の装置に於いては、電子銃ｅで発生
した低電圧大電流（例えば５０Ｖ、１０００Ａ）の電子
ビームｄを、電磁コイルｆ，ｇにて発生させた磁場によ
ってるつぼｃへ偏向かつ収束させ、該電子ビームｄがる
つぼｃ内の金属を溶解・蒸発させると同時に蒸発物のイ
オン化を促進する作用を営み、これによれば、イオン化
率が高いために基板ｂに膜の密着性が良く、しかも真空
中にガス導入口ｈを介して導入した反応性ガスと蒸発物
との反応性が極めて高く、化合物膜を形成し易い利点が
ある。
した低電圧大電流（例えば５０Ｖ、１０００Ａ）の電子
ビームｄを、電磁コイルｆ，ｇにて発生させた磁場によ
ってるつぼｃへ偏向かつ収束させ、該電子ビームｄがる
つぼｃ内の金属を溶解・蒸発させると同時に蒸発物のイ
オン化を促進する作用を営み、これによれば、イオン化
率が高いために基板ｂに膜の密着性が良く、しかも真空
中にガス導入口ｈを介して導入した反応性ガスと蒸発物
との反応性が極めて高く、化合物膜を形成し易い利点が
ある。
【０００４】また、電子銃の中間部を直角に屈曲させて
その銃口を蒸発物の直上に配置し、該電子銃を横方向へ
移動自在にし、その移動により蒸発物に当る電子ビーム
の位置を変化させるようにしたものが、特開昭５８−１
５３７７８号に開示されている。
その銃口を蒸発物の直上に配置し、該電子銃を横方向へ
移動自在にし、その移動により蒸発物に当る電子ビーム
の位置を変化させるようにしたものが、特開昭５８−１
５３７７８号に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した電子銃ｅの周
囲とるつぼｃの周囲に電磁コイルｆ，ｇを設けた従来の
ものは、電子ビームの特性が低電圧大電流であるため
に、磁場による電子ビームの偏向及び集束の制御が難し
く、イオンプレーティング中にビーム照射位置を外部操
作によって変化させることは困難であった。したがっ
て、ビーム照射位置がるつぼの中心位置から外れた場合
も修正が出来ないため、均一な蒸着膜を得ることは困難
であった。また、ビーム照射位置が外れたまま使用する
ことによって、グラファイトのるつぼの寿命を低下させ
てしまうことがしばしば発生していた。また、上記の蒸
発物の直上に銃口を直角に屈曲させた電子銃を横方向へ
移動させて電子ビームの照射位置を可変としたものは、
電子ビームを集束させるために電磁コイルは必要がな
く、それ故、電子ビームの照射状態は安定でるつぼ内へ
の電子ビームの集束性は高いが、電子銃がるつぼからの
蒸発物及びイオンに直接さらされるため、電子銃を真空
室の側方に配置した場合と比較して電子銃の寿命が極め
て短くなる欠点がある。
囲とるつぼｃの周囲に電磁コイルｆ，ｇを設けた従来の
ものは、電子ビームの特性が低電圧大電流であるため
に、磁場による電子ビームの偏向及び集束の制御が難し
く、イオンプレーティング中にビーム照射位置を外部操
作によって変化させることは困難であった。したがっ
て、ビーム照射位置がるつぼの中心位置から外れた場合
も修正が出来ないため、均一な蒸着膜を得ることは困難
であった。また、ビーム照射位置が外れたまま使用する
ことによって、グラファイトのるつぼの寿命を低下させ
てしまうことがしばしば発生していた。また、上記の蒸
発物の直上に銃口を直角に屈曲させた電子銃を横方向へ
移動させて電子ビームの照射位置を可変としたものは、
電子ビームを集束させるために電磁コイルは必要がな
く、それ故、電子ビームの照射状態は安定でるつぼ内へ
の電子ビームの集束性は高いが、電子銃がるつぼからの
蒸発物及びイオンに直接さらされるため、電子銃を真空
室の側方に配置した場合と比較して電子銃の寿命が極め
て短くなる欠点がある。
【０００６】本発明は、側方に設けた電子銃からの電子
ビームの偏向及び集束を容易かつ確実に行なえ、外部操
作により電子ビーム照射位置を容易に変更できるイオン
プレーティング装置を提供することを目的とするもので
ある。
ビームの偏向及び集束を容易かつ確実に行なえ、外部操
作により電子ビーム照射位置を容易に変更できるイオン
プレーティング装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空室内の
上方に基板を設け、該真空室の下方に該基板と対向する
るつぼを配置すると共に該真空室の側方に電子ビームを
射出する電子銃を配置し、該るつぼと電子銃の周囲に夫
々該電子銃から射出した電子ビームをるつぼへ偏向させ
る電磁コイルを設けたイオンプレーティング装置に於い
て、該電子銃とその銃口の近傍の電磁コイルを一体化し
て同時に水平方向と鉛直方向とに揺動自在に設けること
により、上記の目的を達成するようにした。
上方に基板を設け、該真空室の下方に該基板と対向する
るつぼを配置すると共に該真空室の側方に電子ビームを
射出する電子銃を配置し、該るつぼと電子銃の周囲に夫
々該電子銃から射出した電子ビームをるつぼへ偏向させ
る電磁コイルを設けたイオンプレーティング装置に於い
て、該電子銃とその銃口の近傍の電磁コイルを一体化し
て同時に水平方向と鉛直方向とに揺動自在に設けること
により、上記の目的を達成するようにした。
【０００８】
【作用】電子銃から射出された電子ビームは、その周囲
とるつぼの周囲に設けられた電磁コイルにより誘導され
てるつぼ内に入射するが、電子ビームの照射位置が、低
電圧大電流の特性のため、電子ビーム自身の自己磁場、
或いはるつぼ内で蒸発物がクラウン状態になったこと、
等が原因で所定の位置からずれた場合、電子銃を外部か
ら鉛直方向、水平方向に操作すると、電子ビームの照射
位置を所定の位置へ修正できる。これによって、るつぼ
の蒸発物を効率良く蒸発させ、基板に形成される膜厚の
分布を均一にし、るつぼに電子ビームが照射されてその
寿命が短くなることの不都合がなくなる。
とるつぼの周囲に設けられた電磁コイルにより誘導され
てるつぼ内に入射するが、電子ビームの照射位置が、低
電圧大電流の特性のため、電子ビーム自身の自己磁場、
或いはるつぼ内で蒸発物がクラウン状態になったこと、
等が原因で所定の位置からずれた場合、電子銃を外部か
ら鉛直方向、水平方向に操作すると、電子ビームの照射
位置を所定の位置へ修正できる。これによって、るつぼ
の蒸発物を効率良く蒸発させ、基板に形成される膜厚の
分布を均一にし、るつぼに電子ビームが照射されてその
寿命が短くなることの不都合がなくなる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図２のイオンプレーティン
グ装置に基づき説明すると、同図に於いて、符号１は真
空ポンプに接続される排気口２を備えた真空室を示し、
該真空室１内の上方には適当な手段により保持されて基
板３が設けられ、該基板３と対向する下方の位置には金
属等の蒸発物４を収めたるつぼ５が設けられる。また該
真空室１の側壁には、電極６からの通電で作動するホロ
ーカソード電子銃等の電子銃７と反応性ガス等を真空室
内へ導入するためのガス導入口８が設けられる。
グ装置に基づき説明すると、同図に於いて、符号１は真
空ポンプに接続される排気口２を備えた真空室を示し、
該真空室１内の上方には適当な手段により保持されて基
板３が設けられ、該基板３と対向する下方の位置には金
属等の蒸発物４を収めたるつぼ５が設けられる。また該
真空室１の側壁には、電極６からの通電で作動するホロ
ーカソード電子銃等の電子銃７と反応性ガス等を真空室
内へ導入するためのガス導入口８が設けられる。
【００１０】こうした構成は従来のイオンプレーティン
グ装置も備えるところであり、該るつぼ５の周囲と電子
銃７の周囲に夫々電磁コイル９、１０を設けて該電子銃
７から射出される電子ビーム１１をるつぼ５へ誘導する
ことも従来のものと同様であるが、本発明のものでは、
該電子銃７及びその周囲の電磁コイル１０を、同時に鉛
直方向と水平方向即ち図面の上下方向と図面の紙面に垂
直な方向とに揺動自在に設けたもので、図示の例では、
真空室１にベローズジョイント１２を介して取り付けた
基台１３に該電子銃７とその周囲の電磁コイル１０とを
固定し、該基台１３を角度調整機構１４により鉛直方向
と水平方向に該電子銃７と電磁コイル１０が一体となっ
て揺動できるようにした。１５はるつぼ５と基板３との
間のイオン化空間１６に設けた基板３へ向かうイオンの
流れを制御する電磁コイルである。
グ装置も備えるところであり、該るつぼ５の周囲と電子
銃７の周囲に夫々電磁コイル９、１０を設けて該電子銃
７から射出される電子ビーム１１をるつぼ５へ誘導する
ことも従来のものと同様であるが、本発明のものでは、
該電子銃７及びその周囲の電磁コイル１０を、同時に鉛
直方向と水平方向即ち図面の上下方向と図面の紙面に垂
直な方向とに揺動自在に設けたもので、図示の例では、
真空室１にベローズジョイント１２を介して取り付けた
基台１３に該電子銃７とその周囲の電磁コイル１０とを
固定し、該基台１３を角度調整機構１４により鉛直方向
と水平方向に該電子銃７と電磁コイル１０が一体となっ
て揺動できるようにした。１５はるつぼ５と基板３との
間のイオン化空間１６に設けた基板３へ向かうイオンの
流れを制御する電磁コイルである。
【００１１】該電子銃７から射出された電子ビーム１１
は、電磁コイル９、１０によりるつぼ５へと誘導され、
該るつぼ５の内部の蒸発物４が加熱溶解されて蒸発し、
イオン化される。発生した蒸気及びイオンは基板３に到
達すると同時にガス導入口８から導入された反応性ガス
と反応し、基板３上に化合物被膜が形成される。こうし
たイオンプレーティングの成膜過程に於いて、電子やイ
オンの荷電粒子は、磁力線に沿って流れることは知られ
ており、本発明の場合、角度調整機構１４を操作して電
子銃７及び電磁コイル１０を揺動させると磁力線は図
３、図４に示す如く移動し、これに伴なって電子ビーム
の軌道が変化する。これを更に説明すると、図３は電子
銃７及び電磁コイル１０を鉛直方向へ揺動させた状態を
示し、電子銃７及び電磁コイル１０の軸線には符号１
６、１７、１８が付されており、軸線１６は鉛直方向へ
の揺動角が０°の時、軸線１７はその揺動角が＋方向の
時、そして軸線１８は揺動角が−の時を表わす。軸線１
６の時には、電子ビーム１１の軌道は磁力線１９に沿
い、軸線１７の時の電子ビーム１１の軌道は磁力線２０
に沿い、磁力線１９の時よりも＋方向に移行し、電子ビ
ーム１１の飛距離は長くなる。更に軸線１８へ電子銃７
等を揺動した場合、電子ビーム１１の軌道は磁力線２１
に沿い、磁力線１９の時よりも−方向に移行し、電子ビ
ーム１１の飛距離は短くなる。図４は電子銃７及び電磁
コイル１０を水平方向へ揺動させた状態を示し、電子銃
７及び電磁コイル１０の軸線には符号２２、２３、２４
が付されており、軸線２２は水平方向への揺動角が０°
の時、軸線２３はその揺動角が＋方向の時、そして軸線
２４は揺動角が−の時を表わす。軸線２２の時には、電
子ビーム１１の軌道は磁力線２５に沿い、軸線２３の時
の電子ビーム１１の軌道は磁力線２６に沿い、磁力線２
５の時よりも＋方向に移行し、電子ビーム１１は電子銃
７から見て右方向へ飛ぶ。更に軸線２４へ電子銃７等を
揺動した場合、電子ビーム１１の軌道は磁力線２７に沿
い、磁力線２５の時よりも−方向に移行し、電子ビーム
１１は電子銃７から見て左の方へ飛ぶ。
は、電磁コイル９、１０によりるつぼ５へと誘導され、
該るつぼ５の内部の蒸発物４が加熱溶解されて蒸発し、
イオン化される。発生した蒸気及びイオンは基板３に到
達すると同時にガス導入口８から導入された反応性ガス
と反応し、基板３上に化合物被膜が形成される。こうし
たイオンプレーティングの成膜過程に於いて、電子やイ
オンの荷電粒子は、磁力線に沿って流れることは知られ
ており、本発明の場合、角度調整機構１４を操作して電
子銃７及び電磁コイル１０を揺動させると磁力線は図
３、図４に示す如く移動し、これに伴なって電子ビーム
の軌道が変化する。これを更に説明すると、図３は電子
銃７及び電磁コイル１０を鉛直方向へ揺動させた状態を
示し、電子銃７及び電磁コイル１０の軸線には符号１
６、１７、１８が付されており、軸線１６は鉛直方向へ
の揺動角が０°の時、軸線１７はその揺動角が＋方向の
時、そして軸線１８は揺動角が−の時を表わす。軸線１
６の時には、電子ビーム１１の軌道は磁力線１９に沿
い、軸線１７の時の電子ビーム１１の軌道は磁力線２０
に沿い、磁力線１９の時よりも＋方向に移行し、電子ビ
ーム１１の飛距離は長くなる。更に軸線１８へ電子銃７
等を揺動した場合、電子ビーム１１の軌道は磁力線２１
に沿い、磁力線１９の時よりも−方向に移行し、電子ビ
ーム１１の飛距離は短くなる。図４は電子銃７及び電磁
コイル１０を水平方向へ揺動させた状態を示し、電子銃
７及び電磁コイル１０の軸線には符号２２、２３、２４
が付されており、軸線２２は水平方向への揺動角が０°
の時、軸線２３はその揺動角が＋方向の時、そして軸線
２４は揺動角が−の時を表わす。軸線２２の時には、電
子ビーム１１の軌道は磁力線２５に沿い、軸線２３の時
の電子ビーム１１の軌道は磁力線２６に沿い、磁力線２
５の時よりも＋方向に移行し、電子ビーム１１は電子銃
７から見て右方向へ飛ぶ。更に軸線２４へ電子銃７等を
揺動した場合、電子ビーム１１の軌道は磁力線２７に沿
い、磁力線２５の時よりも−方向に移行し、電子ビーム
１１は電子銃７から見て左の方へ飛ぶ。
【００１２】更にその具体的な実施例を説明すると、装
置の配置を図５に示した構成とすると共にその諸元を次
表１の通りに設定し、電子銃７及び電磁コイル１０を前
記軸線１６の状態として電子ビーム１１を発した場合、
るつぼ５上では図６の符号２８で示すように約８０mm×
１２０mmの楕円形の照射面になる。電子銃７及び電磁コ
イル１０の軸線を＋２°だけ鉛直方向上方へ揺動させた
時、即ち前記軸線１７の状態の時には、電子ビーム１１
のるつぼ５上の照射面は符号２９で示した点線の領域と
なり、具体的には２０mmだけ符号２８の位置から移動
し、電子銃７から遠ざかる位置へ移動する。また、該軸
線を−２°だけ鉛直方向下方へ揺動させた時、即ち前記
軸線１８の状態とした時には、該照射面は符号３０で示
した電子銃７に近付く位置へ移動し、その移動距離は符
号２８の位置から２０mmである。また図６に示す水平面
上にて＋２°だけ軸線を揺動させた時、即ち前記軸線２
３の状態とした時は、電子ビーム１１のるつぼ５上の照
射面は符号２８に示す位置から４０mmだけ＋方向、即ち
電子銃７から見て右方向へ移動した符号３１の位置とな
り、更に水平面上にて−２°だけ軸線を揺動したとき、
即ち前記軸線２４の状態とした時は、その照射面は符号
２８に示す位置から４０mmだけ−方向、即ち電子銃７か
ら見て左方向へ移動した符号３２の位置になる。
置の配置を図５に示した構成とすると共にその諸元を次
表１の通りに設定し、電子銃７及び電磁コイル１０を前
記軸線１６の状態として電子ビーム１１を発した場合、
るつぼ５上では図６の符号２８で示すように約８０mm×
１２０mmの楕円形の照射面になる。電子銃７及び電磁コ
イル１０の軸線を＋２°だけ鉛直方向上方へ揺動させた
時、即ち前記軸線１７の状態の時には、電子ビーム１１
のるつぼ５上の照射面は符号２９で示した点線の領域と
なり、具体的には２０mmだけ符号２８の位置から移動
し、電子銃７から遠ざかる位置へ移動する。また、該軸
線を−２°だけ鉛直方向下方へ揺動させた時、即ち前記
軸線１８の状態とした時には、該照射面は符号３０で示
した電子銃７に近付く位置へ移動し、その移動距離は符
号２８の位置から２０mmである。また図６に示す水平面
上にて＋２°だけ軸線を揺動させた時、即ち前記軸線２
３の状態とした時は、電子ビーム１１のるつぼ５上の照
射面は符号２８に示す位置から４０mmだけ＋方向、即ち
電子銃７から見て右方向へ移動した符号３１の位置とな
り、更に水平面上にて−２°だけ軸線を揺動したとき、
即ち前記軸線２４の状態とした時は、その照射面は符号
２８に示す位置から４０mmだけ−方向、即ち電子銃７か
ら見て左方向へ移動した符号３２の位置になる。
【００１３】
【表１】 図５に示す構成と表１の諸元で、５００mm×５００mmの
基板３上にＴｉＮ膜を成膜した場合、電子銃７と電磁コ
イル１０の角度調整を行なわないと図７の右側の(b)に
示すように、膜厚分布が不均一になるが、本発明の装置
により角度調整を行なうと、膜厚分布は図７の左側の
(a)に示すように均一になった。角度調整を行なわない
場合、電子ビームが低電圧大電流（７０Ｖ×１５００
Ａ）の特性のため、或いはビーム自身の自己磁場やるつ
ぼ内の蒸発物がクラウン状に突起することの影響で電子
銃の方向から見て左手前に落ち、図７の(b)のような膜
厚分布になるが、角度調整機構１４により鉛直方向に＋
２°、水平方向に＋２°同時に傾動させてビームをるつ
ぼ５の略中央に移動させると、膜厚分布は図７の(a)の
ように略良好なものとなった。尚、この具体的実施例で
は電子銃７としてホローカソード電子銃を使用したが、
これの代わりに高電圧小電流のピアス型Ｅ／Ｂガンを用
いてもよい。但し、その場合、イオン化率が低いため、
別にイオン化電極を設ける必要がある。
基板３上にＴｉＮ膜を成膜した場合、電子銃７と電磁コ
イル１０の角度調整を行なわないと図７の右側の(b)に
示すように、膜厚分布が不均一になるが、本発明の装置
により角度調整を行なうと、膜厚分布は図７の左側の
(a)に示すように均一になった。角度調整を行なわない
場合、電子ビームが低電圧大電流（７０Ｖ×１５００
Ａ）の特性のため、或いはビーム自身の自己磁場やるつ
ぼ内の蒸発物がクラウン状に突起することの影響で電子
銃の方向から見て左手前に落ち、図７の(b)のような膜
厚分布になるが、角度調整機構１４により鉛直方向に＋
２°、水平方向に＋２°同時に傾動させてビームをるつ
ぼ５の略中央に移動させると、膜厚分布は図７の(a)の
ように略良好なものとなった。尚、この具体的実施例で
は電子銃７としてホローカソード電子銃を使用したが、
これの代わりに高電圧小電流のピアス型Ｅ／Ｂガンを用
いてもよい。但し、その場合、イオン化率が低いため、
別にイオン化電極を設ける必要がある。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明に於いては、真空室
の側方に電子銃を配置した形式のイオンプレーティング
装置の真空室の側方に配置された電子銃とその銃口の近
傍の電磁コイルを一体に構成して同時に水平方向と鉛直
方向とに揺動自在に設けたので、イオンプレーティング
中に該電子銃と電磁コイルとを同時に揺動して簡単な操
作で低電圧大電流の電子ビームを自在に偏向及び集束制
御することが出来、るつぼ中心への電子ビームの集束性
を向上させ得るので均一な蒸着膜を形成出来、るつぼの
寿命を低下させることもなく、また、電子銃がるつぼか
らの蒸発物やイオンに直接さらされることもないので電
子銃の寿命も長くなる等の効果がある。
の側方に電子銃を配置した形式のイオンプレーティング
装置の真空室の側方に配置された電子銃とその銃口の近
傍の電磁コイルを一体に構成して同時に水平方向と鉛直
方向とに揺動自在に設けたので、イオンプレーティング
中に該電子銃と電磁コイルとを同時に揺動して簡単な操
作で低電圧大電流の電子ビームを自在に偏向及び集束制
御することが出来、るつぼ中心への電子ビームの集束性
を向上させ得るので均一な蒸着膜を形成出来、るつぼの
寿命を低下させることもなく、また、電子銃がるつぼか
らの蒸発物やイオンに直接さらされることもないので電
子銃の寿命も長くなる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の真空室の側方に電子銃を配置した形式
のイオンプレーティング装置の截断側面図
のイオンプレーティング装置の截断側面図
【図２】 本発明の実施例の截断側面図
【図３】 本発明の実施例に於ける電子ビームの軌道を
示す側面図
示す側面図
【図４】 本発明の実施例に於ける電子ビームの軌道を
示す平面図
示す平面図
【図５】 本発明の具体的実施例の説明図
【図６】 本発明の具体的実施例に於ける電子ビーム照
射位置を示す平面図
射位置を示す平面図
【図７】 本発明の具体的実施例による膜厚分布の線図
１ 真空室 ３ 基板 ４ 蒸発物 ５ るつぼ ７ 電子銃 ９、１０ 電磁コイル １１ 電子ビーム １４ 角度調整機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 砂賀 芳雄 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真 空技術株式会社内 (72)発明者 大久保 治 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真 空技術株式会社内 (72)発明者 井口 征夫 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株 式会社技術研究本部内 (72)発明者 鈴木 一弘 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株 式会社技術研究本部内 (56)参考文献 特開 平２−15166（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (2)
- 【請求項１】 真空室内の上方に基板を設け、該真空室
の下方に該基板と対向するるつぼを配置すると共に該真
空室の側方に電子ビームを射出する電子銃を配置し、該
るつぼと電子銃の周囲に夫々該電子銃から射出した電子
ビームをるつぼへ偏向させる電磁コイルを設けたイオン
プレーティング装置に於いて、該電子銃とその銃口の近
傍の電磁コイルを一体化して同時に水平方向と鉛直方向
とに揺動自在に設けたことを特徴とするイオンプレーテ
ィング装置。 - 【請求項２】 上記電子銃とその銃口の近傍の電磁コイ
ルを一つの基台に取付け、該基台をベローズジョイント
を介して真空室に取付け、該基台にこれを鉛直方向と水
平方向に揺動させる角度調整機構を設けたことを特徴と
する請求項１に記載のイオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03139256A JP3143801B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03139256A JP3143801B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | イオンプレーティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365855A JPH04365855A (ja) | 1992-12-17 |
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-
1991
- 1991-06-11 JP JP03139256A patent/JP3143801B2/ja not_active Expired - Lifetime
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