JP3139372B2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JP3139372B2 JP3139372B2 JP08110302A JP11030296A JP3139372B2 JP 3139372 B2 JP3139372 B2 JP 3139372B2 JP 08110302 A JP08110302 A JP 08110302A JP 11030296 A JP11030296 A JP 11030296A JP 3139372 B2 JP3139372 B2 JP 3139372B2
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- Japan
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- pattern
- magnetic sensor
- squid
- thin film
- superconducting thin
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0358—SQUIDS coupling the flux to the SQUID
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気センサに関す
る。より詳細には、本発明は、超電導薄膜により形成さ
れたＳＱＵＩＤを含む磁気センサの新規な構成に関す
る。
る。より詳細には、本発明は、超電導薄膜により形成さ
れたＳＱＵＩＤを含む磁気センサの新規な構成に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超電導現象を利用したデバイスとして最
も基本的なもののひとつにＳＱＵＩＤがある。ＳＱＵＩ
Ｄは、少なくともひとつの弱結合を含む環状の超電導電
流路を備えており、その内部を通過する磁束の変動に応
じて出力電圧が変化する。このような特性を利用して、
ＳＱＵＩＤは非常に高感度な磁気センサとして使用でき
る。従って、既に実用化されている分野もあり、更に多
くの分野で応用が期待されている。
も基本的なもののひとつにＳＱＵＩＤがある。ＳＱＵＩ
Ｄは、少なくともひとつの弱結合を含む環状の超電導電
流路を備えており、その内部を通過する磁束の変動に応
じて出力電圧が変化する。このような特性を利用して、
ＳＱＵＩＤは非常に高感度な磁気センサとして使用でき
る。従って、既に実用化されている分野もあり、更に多
くの分野で応用が期待されている。
【０００３】ＳＱＵＩＤに含まれる弱結合は、非常に微
細な構造を含んでいる。従って、通常は、超電導材料の
薄膜を微細加工して作製される。
細な構造を含んでいる。従って、通常は、超電導材料の
薄膜を微細加工して作製される。
【０００４】図８は、磁気センサとして使用することが
できるＳＱＵＩＤを、超電導薄膜により作製する場合の
種々の薄膜パターンを示す図である。
できるＳＱＵＩＤを、超電導薄膜により作製する場合の
種々の薄膜パターンを示す図である。
【０００５】図８(a) に示すように、ＳＱＵＩＤは、ワ
ッシャ状のパターンの環状電流路Ｙと、その外側に延在
する１対の端子部Ｚ1 、Ｚ2 とを基本的に備えている。
環状電流路Ｙは、中心のホールパターンＨを含む四角形
のパターンを有する。また、端子部の無い辺には、それ
ぞれ切込みパターンＦ1 、Ｆ2 が形成されている。ホー
ルパターンＨと切込みパターンＦ1 、Ｆ2 により画成さ
れた幅の狭い電流路に弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が形成される。
ッシャ状のパターンの環状電流路Ｙと、その外側に延在
する１対の端子部Ｚ1 、Ｚ2 とを基本的に備えている。
環状電流路Ｙは、中心のホールパターンＨを含む四角形
のパターンを有する。また、端子部の無い辺には、それ
ぞれ切込みパターンＦ1 、Ｆ2 が形成されている。ホー
ルパターンＨと切込みパターンＦ1 、Ｆ2 により画成さ
れた幅の狭い電流路に弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が形成される。
【０００６】また、実際に薄膜で作製するようになる
と、上記のようなＳＱＵＩＤのパターンについて種々の
改善が提案されるようになった。
と、上記のようなＳＱＵＩＤのパターンについて種々の
改善が提案されるようになった。
【０００７】図８(b) は、"Jpn. J. Appl. Phys. Vol.3
2 (1993) p.662〜664"に記載されていたＳＱＵＩＤのパ
ターンを示す。このＳＱＵＩＤは、図８(a) に示したＳ
ＱＵＩＤのパターンに対して外径が非常に大きく、且
つ、環状電流路Ｙを構成するワッシャ部の線路幅が広
い。ワッシャ部にはスリットパターンＧ1 、Ｇ2 が形成
され、この部分に弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が形成される。この
ようなパターンでは、幅の広いワッシャ部において磁束
のフォーカシング効果が生じ、ＳＱＵＩＤ内部を通過す
る磁束の密度が高くなるので検出感度が向上される。
2 (1993) p.662〜664"に記載されていたＳＱＵＩＤのパ
ターンを示す。このＳＱＵＩＤは、図８(a) に示したＳ
ＱＵＩＤのパターンに対して外径が非常に大きく、且
つ、環状電流路Ｙを構成するワッシャ部の線路幅が広
い。ワッシャ部にはスリットパターンＧ1 、Ｇ2 が形成
され、この部分に弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が形成される。この
ようなパターンでは、幅の広いワッシャ部において磁束
のフォーカシング効果が生じ、ＳＱＵＩＤ内部を通過す
る磁束の密度が高くなるので検出感度が向上される。
【０００８】図８(c) は、"Appl. Phys. Lett. 57(199
0)p.727〜729"に記載されたＳＱＵＩＤのパターンを示
す。同図に示すパターンでは、弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が四角
形パターンの外部に配置される。従って、磁束トランス
と組み合わせた場合、切込みパターンＦ1 、Ｆ2 とホー
ルパターンＨの間に形成される弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が磁束
トランスのインプットコイルの外側に位置するので磁束
の漏洩が減少する。
0)p.727〜729"に記載されたＳＱＵＩＤのパターンを示
す。同図に示すパターンでは、弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が四角
形パターンの外部に配置される。従って、磁束トランス
と組み合わせた場合、切込みパターンＦ1 、Ｆ2 とホー
ルパターンＨの間に形成される弱結合Ｘ1 、Ｘ2 が磁束
トランスのインプットコイルの外側に位置するので磁束
の漏洩が減少する。
【０００９】図８(d) は、"Appl. Phys. Lett. 63 (199
3) p.2271 〜2273" に記載されたＳＱＵＩＤのパターン
を示す。このパターンでは、１対のスリットパターンＧ
1 、Ｇ2 がひとつの辺に寄せて形成されている。パター
ンＧ1 、Ｇ2 の間にホールパターンＨを延在させて細い
電流路を形成し、ここに弱結合が形成される。
3) p.2271 〜2273" に記載されたＳＱＵＩＤのパターン
を示す。このパターンでは、１対のスリットパターンＧ
1 、Ｇ2 がひとつの辺に寄せて形成されている。パター
ンＧ1 、Ｇ2 の間にホールパターンＨを延在させて細い
電流路を形成し、ここに弱結合が形成される。
【００１０】上記のように大きいホールパターンを含む
ＳＱＵＩＤでは、ホールパターンの面積拡大に従って有
効磁束捕獲面積（Ａeff ）が大きくなることが判ってい
る。但し、ＳＱＵＩＤ自身のインダクタンスも同時に大
きくなるので磁束分解能は劣化する。従って、磁気セン
サとしての総合的な性能は必ずしも良くならない。
ＳＱＵＩＤでは、ホールパターンの面積拡大に従って有
効磁束捕獲面積（Ａeff ）が大きくなることが判ってい
る。但し、ＳＱＵＩＤ自身のインダクタンスも同時に大
きくなるので磁束分解能は劣化する。従って、磁気セン
サとしての総合的な性能は必ずしも良くならない。
【００１１】そこで、インダクタンスの増加に起因する
磁束分解能の低下を補う目的で、異なるパターン構成が
提案されている。図８(e) に示すパターンは、"Advance
s inSuperconductivity VI, Springer-Verlag, p.1119
〜1122" で開示されたパターンであり、図８(c) に示し
たパターンの変形である。即ち、このＳＱＵＩＤのパタ
ーンは、ホールパターンＨが細長い長方形となってお
り、図８(c) および(d)に示したＳＱＵＩＤのホールパ
ターンのような正方形部分はない。
磁束分解能の低下を補う目的で、異なるパターン構成が
提案されている。図８(e) に示すパターンは、"Advance
s inSuperconductivity VI, Springer-Verlag, p.1119
〜1122" で開示されたパターンであり、図８(c) に示し
たパターンの変形である。即ち、このＳＱＵＩＤのパタ
ーンは、ホールパターンＨが細長い長方形となってお
り、図８(c) および(d)に示したＳＱＵＩＤのホールパ
ターンのような正方形部分はない。
【００１２】尚、図８(a) から図８(e) に示したＳＱＵ
ＩＤにおいて、弱結合Ｘ1 、Ｘ2 はパターニングの形状
だけで形成されているとは限らない。薄膜の材料として
酸化物超電導材料を使用した場合では、ワッシャ部の細
い部分に人工粒界を形成して実質的な電流路を更に細く
する場合がある。人工粒界は、予め基板の成膜面に段差
を形成した上に酸化物超電導薄膜を被着させたり、バイ
クリスタル型接合あるいはバイエピタキシャル型接合で
弱結合部を形成する等の方法で形成できる。
ＩＤにおいて、弱結合Ｘ1 、Ｘ2 はパターニングの形状
だけで形成されているとは限らない。薄膜の材料として
酸化物超電導材料を使用した場合では、ワッシャ部の細
い部分に人工粒界を形成して実質的な電流路を更に細く
する場合がある。人工粒界は、予め基板の成膜面に段差
を形成した上に酸化物超電導薄膜を被着させたり、バイ
クリスタル型接合あるいはバイエピタキシャル型接合で
弱結合部を形成する等の方法で形成できる。
【００１３】尚、"Appl. Phys. Lett. 63(1993) p.2271
〜2273" に記載されているように、人工粒界が一直線状
になるように基板加工が施されていた。
〜2273" に記載されているように、人工粒界が一直線状
になるように基板加工が施されていた。
【００１４】上記のような構造を有するＳＱＵＩＤは単
独でも磁気センサとして使えるが、実際には磁束トラン
スと組み合わせて使用する場合が多い。そのような場合
の例として、 "Appl. Phys. Lett. 66 (1995) p.373-p.
375"に記載されている磁気センサの構成を図９に示す。
独でも磁気センサとして使えるが、実際には磁束トラン
スと組み合わせて使用する場合が多い。そのような場合
の例として、 "Appl. Phys. Lett. 66 (1995) p.373-p.
375"に記載されている磁気センサの構成を図９に示す。
【００１５】図９(a) に示すように、磁気センサは、第
１基板10上に形成されたＳＱＵＩＤ１と第２基板20上に
形成された磁束トランス2 とを組み合わせて構成され
る。
１基板10上に形成されたＳＱＵＩＤ１と第２基板20上に
形成された磁束トランス2 とを組み合わせて構成され
る。
【００１６】即ち、第１基板10上のＳＱＵＩＤ１は、１
対の弱結合11ａを含むワッシャ部11と、ワッシャ部11か
ら外部に向かって延在する１対の端子部12とから構成さ
れている。
対の弱結合11ａを含むワッシャ部11と、ワッシャ部11か
ら外部に向かって延在する１対の端子部12とから構成さ
れている。
【００１７】第２基板20上の磁束トランス２は、互いに
結合されたピックアップコイル２ａおよびインプットコ
イル２ｂから形成されている。ここで、ピックアップコ
イル２ａの巻き数が１回であるのに対して、インプット
コイル２ｂは巻き数が多い。このため、インプットコイ
ル２ｂの中心側の端をピックアップコイル２ａに接続す
る接続線路がインプットコイル２ｂ自身と短絡しないよ
うに、インプットコイル２ｂの上には部分的に絶縁膜３
が装荷されている。以上のような構成の磁束トランス
も、ＳＱＵＩＤと同様に各種超電導材料の薄膜をパター
ニングして作製できる。
結合されたピックアップコイル２ａおよびインプットコ
イル２ｂから形成されている。ここで、ピックアップコ
イル２ａの巻き数が１回であるのに対して、インプット
コイル２ｂは巻き数が多い。このため、インプットコイ
ル２ｂの中心側の端をピックアップコイル２ａに接続す
る接続線路がインプットコイル２ｂ自身と短絡しないよ
うに、インプットコイル２ｂの上には部分的に絶縁膜３
が装荷されている。以上のような構成の磁束トランス
も、ＳＱＵＩＤと同様に各種超電導材料の薄膜をパター
ニングして作製できる。
【００１８】図９(b) に示すように、第１基板11および
第２基板12を貼り合わせると磁気センサが完成する。即
ち、ＳＱＵＩＤ１の中心とインプットコイル２ｂの中心
とが一致するように両者は貼り合わされ、磁界の検出は
ピックアップコイル２ｂ側で行われる。尚、ＳＱＵＩＤ
と磁束トランスとは、絶縁性の接着材または適当なスペ
ーサにより絶縁されている。このような構成により、磁
気センサとしての入力感度を高くすることができる。ま
た、物理的なレイアウトの選択の範囲が広くなる。
第２基板12を貼り合わせると磁気センサが完成する。即
ち、ＳＱＵＩＤ１の中心とインプットコイル２ｂの中心
とが一致するように両者は貼り合わされ、磁界の検出は
ピックアップコイル２ｂ側で行われる。尚、ＳＱＵＩＤ
と磁束トランスとは、絶縁性の接着材または適当なスペ
ーサにより絶縁されている。このような構成により、磁
気センサとしての入力感度を高くすることができる。ま
た、物理的なレイアウトの選択の範囲が広くなる。
【００１９】ところで、図８に示したＳＱＵＩＤにおい
て、ホールパターンＨは検出対象である磁束が通過する
領域である。一方、スリットパターンＧ1 、Ｇ2 は単に
弱結合を形成するためのものであり、それ自体は特定の
機能を果たしているわけではない。ところが、スリット
パターンＧ1 、Ｇ2 は、ＳＱＵＩＤの外部に対して端部
が開放されているので、スリットパターンを介してＳＱ
ＵＩＤに取り込まれるべき磁束の一部が外部に漏洩して
しまうという問題がある。
て、ホールパターンＨは検出対象である磁束が通過する
領域である。一方、スリットパターンＧ1 、Ｇ2 は単に
弱結合を形成するためのものであり、それ自体は特定の
機能を果たしているわけではない。ところが、スリット
パターンＧ1 、Ｇ2 は、ＳＱＵＩＤの外部に対して端部
が開放されているので、スリットパターンを介してＳＱ
ＵＩＤに取り込まれるべき磁束の一部が外部に漏洩して
しまうという問題がある。
【００２０】図10は、図８(e) に示したパターンを有す
るＳＱＵＩＤに磁束トランスを組み合わせて構成された
磁気センサのＳＱＵＩＤ付近のレイアウトを拡大して示
す図である。但し、ＳＱＵＩＤの薄膜パターンを明瞭に
するために、図10では磁束トランスのクロスオーバーや
絶縁膜の図示は省略している。
るＳＱＵＩＤに磁束トランスを組み合わせて構成された
磁気センサのＳＱＵＩＤ付近のレイアウトを拡大して示
す図である。但し、ＳＱＵＩＤの薄膜パターンを明瞭に
するために、図10では磁束トランスのクロスオーバーや
絶縁膜の図示は省略している。
【００２１】同図に示すように、この磁気センサでは、
弱結合を形成するためのスリットパターンＧ1 、Ｇ2 が
インプットコイル２ｂの内側に入り込んで形成されてい
る。ここで、スリットパターンＧ1 、Ｇ2 の一端はＳＱ
ＵＩＤの外側に開放されているので、インプットコイル
からＳＱＵＩＤに伝達されるべき磁束の一部はスリット
パターンＧ1 Ｇ2 から外部に漏洩し、結果的に磁気セン
サとしての性能を劣化させている。
弱結合を形成するためのスリットパターンＧ1 、Ｇ2 が
インプットコイル２ｂの内側に入り込んで形成されてい
る。ここで、スリットパターンＧ1 、Ｇ2 の一端はＳＱ
ＵＩＤの外側に開放されているので、インプットコイル
からＳＱＵＩＤに伝達されるべき磁束の一部はスリット
パターンＧ1 Ｇ2 から外部に漏洩し、結果的に磁気セン
サとしての性能を劣化させている。
【００２２】そこで、 "Appl. Phys. Lett. 66 (1995)
p.373〜375"で提案されているように、図８(f) に示す
パターンを有するＳＱＵＩＤでは、ホールパターンＨを
長方形にして、スリットパターンＧ1 、Ｇ2 との近接部
をＳＱＵＩＤの外周側に追いやることによりスリットパ
ターンの面積を小さくしている。
p.373〜375"で提案されているように、図８(f) に示す
パターンを有するＳＱＵＩＤでは、ホールパターンＨを
長方形にして、スリットパターンＧ1 、Ｇ2 との近接部
をＳＱＵＩＤの外周側に追いやることによりスリットパ
ターンの面積を小さくしている。
【００２３】更に、ＳＱＵＩＤ自体とは絶縁された他の
超電導薄膜でスリットパターンを覆うことにより有効磁
束捕獲面積（Ａeff ）を大きくしたり、さらにホールパ
ターンの一部も覆って出力電圧（ＶPP）を上昇させると
いう工夫も提案されている。この方法については、"Jp
n.J.Appl.Phys. Vol.32 (1993) p.662 〜664"や"Appl.P
hys. Lett. 63 (1994) p.366〜368"に詳細な記載があ
る。また更に、ＳＱＵＩＤのインダクタンスに対して並
列にダンピング抵抗を付加することによりＳＱＵＩＤの
出力電圧（ＶPP）を向上させる等の工夫も提案されてい
る。この種のダンピング抵抗については、"J. Appl. Ph
ys. Vol.73 No.11 (1993) p.7929〜7934"に記載があ
る。
超電導薄膜でスリットパターンを覆うことにより有効磁
束捕獲面積（Ａeff ）を大きくしたり、さらにホールパ
ターンの一部も覆って出力電圧（ＶPP）を上昇させると
いう工夫も提案されている。この方法については、"Jp
n.J.Appl.Phys. Vol.32 (1993) p.662 〜664"や"Appl.P
hys. Lett. 63 (1994) p.366〜368"に詳細な記載があ
る。また更に、ＳＱＵＩＤのインダクタンスに対して並
列にダンピング抵抗を付加することによりＳＱＵＩＤの
出力電圧（ＶPP）を向上させる等の工夫も提案されてい
る。この種のダンピング抵抗については、"J. Appl. Ph
ys. Vol.73 No.11 (1993) p.7929〜7934"に記載があ
る。
【００２４】更に、"Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32 (199
3) p.662〜664"に記載されているように、ＳＱＵＩＤの
ワッシャパターンの外径を大きくして磁束捕獲面積を向
上させるという工夫も提案されている。
3) p.662〜664"に記載されているように、ＳＱＵＩＤの
ワッシャパターンの外径を大きくして磁束捕獲面積を向
上させるという工夫も提案されている。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、超電導
材料薄膜により形成されるＳＱＵＩＤに対しては様々な
改良がなされてきた。本願発明は、上記のような技術課
題の延長上にあり、ＳＱＵＩＤの性能を一層向上させる
ことをその目的としている。
材料薄膜により形成されるＳＱＵＩＤに対しては様々な
改良がなされてきた。本願発明は、上記のような技術課
題の延長上にあり、ＳＱＵＩＤの性能を一層向上させる
ことをその目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明により、ワッシャ
パターン、該ワッシャパターンの中に形成されたホー。
パターンおよび該ワッシャパターンの外縁から該ホール
に向かって延在する１対のスリットパターンを、基板上
に被着された超電導薄膜をパターニングすることにより
形成してなるＳＱＵＩＤを備えた磁気センサにおいて、
該ホールパターンが長方形であり、且つ、該スリットパ
ターンが、該ワッシャパターンの外周縁部のうち該ホー
ルパターンとの間の距離が最も短い辺から該ホールパタ
ーンの長辺と平行に形成された線状のパターンであり、
該ホールパターンと該スリットパターンとの間隔が最も
狭い領域にのみ人工粒界が形成されており、且つ、該領
域以外には人工粒界が全く形成されていないことを特徴
とする磁気センサが提供される。
パターン、該ワッシャパターンの中に形成されたホー。
パターンおよび該ワッシャパターンの外縁から該ホール
に向かって延在する１対のスリットパターンを、基板上
に被着された超電導薄膜をパターニングすることにより
形成してなるＳＱＵＩＤを備えた磁気センサにおいて、
該ホールパターンが長方形であり、且つ、該スリットパ
ターンが、該ワッシャパターンの外周縁部のうち該ホー
ルパターンとの間の距離が最も短い辺から該ホールパタ
ーンの長辺と平行に形成された線状のパターンであり、
該ホールパターンと該スリットパターンとの間隔が最も
狭い領域にのみ人工粒界が形成されており、且つ、該領
域以外には人工粒界が全く形成されていないことを特徴
とする磁気センサが提供される。
【００２７】また、本発明の一態様に従うと、上記本発
明に係る磁気センサにおいて、ホールパターンの長辺の
長さは、短辺の長さの５倍以上であることが好ましい。
明に係る磁気センサにおいて、ホールパターンの長辺の
長さは、短辺の長さの５倍以上であることが好ましい。
【００２８】更に、上記本発明に係る磁気センサのＳＱ
ＵＩＤには、磁束トランス、ダンピング抵抗、超電導薄
膜カバー等の付加的部材を任意の組み合わせて装着する
ことができる。
ＵＩＤには、磁束トランス、ダンピング抵抗、超電導薄
膜カバー等の付加的部材を任意の組み合わせて装着する
ことができる。
【００２９】また更に、本発明の一態様に従うと、ＳＱ
ＵＩＤのワッシャパターンは、正方形に換算したときの
１辺の長さが10mm以上 200mm以下であることが好まし
い。ここで、「正方形に換算したときの１辺の長さ」と
は、ワッシャパターンの外周で囲まれた領域の面積の平
方根をとったものである。
ＵＩＤのワッシャパターンは、正方形に換算したときの
１辺の長さが10mm以上 200mm以下であることが好まし
い。ここで、「正方形に換算したときの１辺の長さ」と
は、ワッシャパターンの外周で囲まれた領域の面積の平
方根をとったものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明に係る磁気センサは、その
ＳＱＵＩＤを構成する超電導薄膜のパターン並びに弱結
合を形成するための人工粒界のパターンに主要な特徴が
ある。
ＳＱＵＩＤを構成する超電導薄膜のパターン並びに弱結
合を形成するための人工粒界のパターンに主要な特徴が
ある。
【００３１】即ち、ＳＱＵＩＤの弱結合部では、超電導
電流路を極限まで細くする必要があり、超電導薄膜のパ
ターンだけで弱結合を形成することは難しい。一方、弱
結合部以外の領域に形成された人工粒界は、ノイズ源と
なってＳＱＵＩＤの特性を劣化させることが判った。そ
こで、本発明に係る磁気センサでは、折れ曲がったパタ
ーンの人工粒界を形成することにより、弱結合部以外の
領域には人工粒界が形成されないように工夫されてい
る。
電流路を極限まで細くする必要があり、超電導薄膜のパ
ターンだけで弱結合を形成することは難しい。一方、弱
結合部以外の領域に形成された人工粒界は、ノイズ源と
なってＳＱＵＩＤの特性を劣化させることが判った。そ
こで、本発明に係る磁気センサでは、折れ曲がったパタ
ーンの人工粒界を形成することにより、弱結合部以外の
領域には人工粒界が形成されないように工夫されてい
る。
【００３２】尚、人工粒界形成方法は、予め加工して段
差を形成した基板上に超電導薄膜を被着させることによ
り形成する方法が容易且つ確実である。この方法は、バ
イクリスタル基板を用いる方法よりも作製が容易であ
る。また、バイエピタキシャル型の人工粒界を形成する
方法よりも工程数が少ない。
差を形成した基板上に超電導薄膜を被着させることによ
り形成する方法が容易且つ確実である。この方法は、バ
イクリスタル基板を用いる方法よりも作製が容易であ
る。また、バイエピタキシャル型の人工粒界を形成する
方法よりも工程数が少ない。
【００３３】本発明に係る磁気センサの他の特徴は、Ｓ
ＱＵＩＤのホールパターンを長方形にして、ワッシャ部
の外周に近い位置に弱結合が形成できるようにしている
ことである。このような構成により、スリットパターン
の開口面積を小さくなり磁界の漏洩が低減される。
ＱＵＩＤのホールパターンを長方形にして、ワッシャ部
の外周に近い位置に弱結合が形成できるようにしている
ことである。このような構成により、スリットパターン
の開口面積を小さくなり磁界の漏洩が低減される。
【００３４】ここで、ホールパターンの長辺の長さは、
短辺の長さの５倍以上であることが好ましい。その理由
は、長辺の長さが５倍未満の場合は、十分な有効磁束捕
獲面積が得られないからである。
短辺の長さの５倍以上であることが好ましい。その理由
は、長辺の長さが５倍未満の場合は、十分な有効磁束捕
獲面積が得られないからである。
【００３５】上記のような一連の特徴を有する本発明の
磁束センサは、酸化物超電導薄膜で形成できる。酸化物
超電導材料には高い超電導臨界温度を示すものがあり、
比較的簡単な冷却設備で超電導現象を利用できる等の利
点が知られている。
磁束センサは、酸化物超電導薄膜で形成できる。酸化物
超電導材料には高い超電導臨界温度を示すものがあり、
比較的簡単な冷却設備で超電導現象を利用できる等の利
点が知られている。
【００３６】更に、上記本発明に係る磁気センサに対し
ても、従来から知られている種々の改良技術を有効に適
用することができる。
ても、従来から知られている種々の改良技術を有効に適
用することができる。
【００３７】即ち、ＳＱＵＩＤに磁束トランスを組み合
わせて磁気センサを構成した場合はインプットコイルと
スリットパターンとの重複面積が減少するので、ＳＱＵ
ＩＤと磁束トランスとの結合係数（α）が改善される。
わせて磁気センサを構成した場合はインプットコイルと
スリットパターンとの重複面積が減少するので、ＳＱＵ
ＩＤと磁束トランスとの結合係数（α）が改善される。
【００３８】また、面積が小さくなったとはいえ、スリ
ットパターンからの磁束の漏洩は依然として残っている
ので、スリットパターンを覆う超電導薄膜カバーを併用
することにより磁束の漏洩を更に低減することができ
る。
ットパターンからの磁束の漏洩は依然として残っている
ので、スリットパターンを覆う超電導薄膜カバーを併用
することにより磁束の漏洩を更に低減することができ
る。
【００３９】更に、上記超電導薄膜カバーでＳＱＵＩＤ
のホールパターンの一部まで覆うことにより、ＳＱＵＩ
Ｄの出力電圧（ＶPP）を上昇させることもできる。
のホールパターンの一部まで覆うことにより、ＳＱＵＩ
Ｄの出力電圧（ＶPP）を上昇させることもできる。
【００４０】また更に、ＳＱＵＩＤに、ＳＱＵＩＤのイ
ンダクタンスと並列なダンピング抵抗を装着してＳＱＵ
ＩＤの出力電圧（ＶPP）を上昇させるこもできる。
ンダクタンスと並列なダンピング抵抗を装着してＳＱＵ
ＩＤの出力電圧（ＶPP）を上昇させるこもできる。
【００４１】尚、超電導薄膜として酸化物超電導薄膜を
用いた超電導薄膜上にダンピング抵抗としての金属薄膜
を装荷する場合、Auおよび／またはAgの薄膜を介して金
属薄膜を被着させることが好ましい。その理由は、金属
薄膜の付着強度が高くなること、および、接触抵抗が低
くなることである。
用いた超電導薄膜上にダンピング抵抗としての金属薄膜
を装荷する場合、Auおよび／またはAgの薄膜を介して金
属薄膜を被着させることが好ましい。その理由は、金属
薄膜の付着強度が高くなること、および、接触抵抗が低
くなることである。
【００４２】上記のような一連の改良技術、即ち、磁束
トランス、超電導薄膜カバー、ダンピング抵抗は、何れ
も任意の組合せで複数採用することができる。この場
合、具体的に後述するように、磁気センサとしての特性
はより一層改善される。
トランス、超電導薄膜カバー、ダンピング抵抗は、何れ
も任意の組合せで複数採用することができる。この場
合、具体的に後述するように、磁気センサとしての特性
はより一層改善される。
【００４３】また更に、ＳＱＵＩＤのワッシャパターン
の寸法を、正方形に換算したときの１辺の長さで10mm以
上とすることにより磁束捕獲面積を向上させることがで
きる。尚、同寸法が、正方形に換算したときの１辺の長
さで 200mmを超えると、実際に成膜した酸化物超電導薄
膜の品質が劣化するので、 200mm以下程度とすることが
好ましい。ただし、さらに大面積の良質の酸化物超電導
薄膜が作製できればワッシャパターンの寸法を 200mm以
上とすることも可能である。
の寸法を、正方形に換算したときの１辺の長さで10mm以
上とすることにより磁束捕獲面積を向上させることがで
きる。尚、同寸法が、正方形に換算したときの１辺の長
さで 200mmを超えると、実際に成膜した酸化物超電導薄
膜の品質が劣化するので、 200mm以下程度とすることが
好ましい。ただし、さらに大面積の良質の酸化物超電導
薄膜が作製できればワッシャパターンの寸法を 200mm以
上とすることも可能である。
【００４４】以下、図面を参照して本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何等限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何等限定するものではない。
【００４５】
〔実施例１〕図１は、本発明に係る磁気センサの具体的
な構成例を、図10に対応させて示す図である。
な構成例を、図10に対応させて示す図である。
【００４６】図１(a) に示すように、この磁気センサと
してのＳＱＵＩＤ１は、正方形の輪郭を有する環状電流
路や、１対の外部端子Ｚ1 、Ｚ2 の配置については図８
に示した従来例と共通している。但し、このＳＱＵＩＤ
では、ＳＱＵＩＤに弱結合部Ｘ1 、Ｘ2 を形成するため
のスリットパターンＧ1 、Ｇ2 が、長方形のホールパタ
ーンＨの長辺と平行に形成されている。このような形状
のＳＱＵＩＤは、例えば、SrTiＯ3 基板上にレーザ蒸着
法により被着させたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜をパターニン
グして作製できる。
してのＳＱＵＩＤ１は、正方形の輪郭を有する環状電流
路や、１対の外部端子Ｚ1 、Ｚ2 の配置については図８
に示した従来例と共通している。但し、このＳＱＵＩＤ
では、ＳＱＵＩＤに弱結合部Ｘ1 、Ｘ2 を形成するため
のスリットパターンＧ1 、Ｇ2 が、長方形のホールパタ
ーンＨの長辺と平行に形成されている。このような形状
のＳＱＵＩＤは、例えば、SrTiＯ3 基板上にレーザ蒸着
法により被着させたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜をパターニン
グして作製できる。
【００４７】更に、このＳＱＵＩＤでは、図中に点線Ｓ
で示すような段差を基板上に予め形成した上でＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-x 薄膜を被着させることにより、弱結合部Ｘ1 、
Ｘ2に人工粒界を形成してジョセフソン接合としてい
る。尚、点線Ｓにより示す段差が折れ曲がったパターン
を描いているのは、弱結合部Ｘ1 、Ｘ2 以外の部分でＳ
ＱＵＩＤの環状電流路上に人工粒界が形成されないよう
にしたためである。このＳＱＵＩＤの他の仕様は、下記
の表１に示す通りである。
で示すような段差を基板上に予め形成した上でＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-x 薄膜を被着させることにより、弱結合部Ｘ1 、
Ｘ2に人工粒界を形成してジョセフソン接合としてい
る。尚、点線Ｓにより示す段差が折れ曲がったパターン
を描いているのは、弱結合部Ｘ1 、Ｘ2 以外の部分でＳ
ＱＵＩＤの環状電流路上に人工粒界が形成されないよう
にしたためである。このＳＱＵＩＤの他の仕様は、下記
の表１に示す通りである。
【００４８】
【表１】
【００４９】更に、比較のために、図２に示すように、
段差Ｓ1 を直線状に形成した基板を用いて、他の仕様は
同じに作製した比較試料も作製した。
段差Ｓ1 を直線状に形成した基板を用いて、他の仕様は
同じに作製した比較試料も作製した。
【００５０】以上のようにして作製した２つの試料につ
いて、77Ｋにおける磁束分解能を測定した。測定結果を
表２に示す。
いて、77Ｋにおける磁束分解能を測定した。測定結果を
表２に示す。
【００５１】
【表２】
【００５２】上記の測定結果から判るように、環状電流
路に不要な人工粒界が形成されていると磁束分解能が劣
化する。これは、不要な人工粒界からノイズが発生する
ためである。
路に不要な人工粒界が形成されていると磁束分解能が劣
化する。これは、不要な人工粒界からノイズが発生する
ためである。
【００５３】以下の実施例２から実施例11では、実施例
１と同様なパターンのＳＱＵＩＤを用いて、人工粒界を
必要箇所以外に形成しないことによりノイズを低減し、
磁束分解能を向上させた磁気センサに対して、有効磁束
捕獲面積や出力電圧の改善を行った。
１と同様なパターンのＳＱＵＩＤを用いて、人工粒界を
必要箇所以外に形成しないことによりノイズを低減し、
磁束分解能を向上させた磁気センサに対して、有効磁束
捕獲面積や出力電圧の改善を行った。
【００５４】〔実施例２〕ＳＱＵＩＤにおけるホールパ
ターンの長さと特性との関係を調べた。実施例１と同じ
材料を使用し、基本的には同じ構造の試料を下記の表３
および表４に示す仕様で作製した。尚、各試料におい
て、弱結合を形成するための段差の形状も、図１に示し
たように弱結合部においてのみ環状電流路と交差するも
のとした。これらの各試料について、77Ｋにおける有効
磁束捕獲面積（Ａeff ）および出力電圧（ＶPP）をそれ
ぞれ測定した。測定結果を表３および表４に併せて示
す。
ターンの長さと特性との関係を調べた。実施例１と同じ
材料を使用し、基本的には同じ構造の試料を下記の表３
および表４に示す仕様で作製した。尚、各試料におい
て、弱結合を形成するための段差の形状も、図１に示し
たように弱結合部においてのみ環状電流路と交差するも
のとした。これらの各試料について、77Ｋにおける有効
磁束捕獲面積（Ａeff ）および出力電圧（ＶPP）をそれ
ぞれ測定した。測定結果を表３および表４に併せて示
す。
【００５５】
【表３】
【００５６】
【表４】
【００５７】更に、比較のために、図８(b) に示した従
来の磁気センサと同じパターンを有するＳＱＵＩＤを作
製して、これを比較試料（試料番号０）として、同様に
77Ｋの特性を測定した。この比較試料の仕様と評価結果
とを表５に併せて示す。
来の磁気センサと同じパターンを有するＳＱＵＩＤを作
製して、これを比較試料（試料番号０）として、同様に
77Ｋの特性を測定した。この比較試料の仕様と評価結果
とを表５に併せて示す。
【００５８】
【表５】
【００５９】特に試料番号５および６と試料番号０の各
試料の有効磁束捕獲面積Ａeff の測定結果を比較する
と、ＳＱＵＩＤのホールパターンの長辺の長さが短辺の
長さの５倍以上あることが好ましいことが判る。
試料の有効磁束捕獲面積Ａeff の測定結果を比較する
と、ＳＱＵＩＤのホールパターンの長辺の長さが短辺の
長さの５倍以上あることが好ましいことが判る。
【００６０】〔実施例３〕図１(b) に示した形状のイン
プットコイルを備えた磁束トランスを、実施例２でＳＱ
ＵＩＤを作製するために用いた酸化物超電導薄膜と同じ
材料で作製し、実施例２で作製したＳＱＵＩＤと組み合
わせて磁気センサを作製した。磁束トランスのクロスオ
ーバーの形成に必要な絶縁膜としてはSrTiＯ3 薄膜を用
いた。なお、ＳＱＵＩＤの薄膜パターンを明瞭にするた
めに、図１(b) では、クロスオーバーや絶縁膜の図示は
省略している。磁束トランスの他の仕様は下記の表６に
示す通りである。
プットコイルを備えた磁束トランスを、実施例２でＳＱ
ＵＩＤを作製するために用いた酸化物超電導薄膜と同じ
材料で作製し、実施例２で作製したＳＱＵＩＤと組み合
わせて磁気センサを作製した。磁束トランスのクロスオ
ーバーの形成に必要な絶縁膜としてはSrTiＯ3 薄膜を用
いた。なお、ＳＱＵＩＤの薄膜パターンを明瞭にするた
めに、図１(b) では、クロスオーバーや絶縁膜の図示は
省略している。磁束トランスの他の仕様は下記の表６に
示す通りである。
【００６１】
【表６】
【００６２】ここで、図１(b) と図10とを比較すると判
るように、本願発明に係る磁気センサのＳＱＵＩＤでは
各スリットパターンＧ1 、Ｇ2 とインプットコイル２ｂ
との重複部分の面積が明らかに少ない。このため、スリ
ットパターンから外部に漏洩する磁束が少なくなり、磁
束トランスとＳＱＵＩＤとの結合係数が改善される。
尚、各磁気センサにおけるＳＱＵＩＤのスリットパター
ンとインプットコイルとの重複部分の面積は、各々下記
の表７に示す通りである。
るように、本願発明に係る磁気センサのＳＱＵＩＤでは
各スリットパターンＧ1 、Ｇ2 とインプットコイル２ｂ
との重複部分の面積が明らかに少ない。このため、スリ
ットパターンから外部に漏洩する磁束が少なくなり、磁
束トランスとＳＱＵＩＤとの結合係数が改善される。
尚、各磁気センサにおけるＳＱＵＩＤのスリットパター
ンとインプットコイルとの重複部分の面積は、各々下記
の表７に示す通りである。
【００６３】
【表７】
【００６４】図３は、上記各試料におけるホールパター
ンの長さ（ａ）と有効磁束捕獲面積（Ａeff ）または結
合係数（α）との関係を示すグラフである。
ンの長さ（ａ）と有効磁束捕獲面積（Ａeff ）または結
合係数（α）との関係を示すグラフである。
【００６５】図３(a) から、ホールパターンの長さが大
きくなるほど、即ち、スリットパターンとインプットコ
イルとの重複面積が小さいほど、磁気センサとしての有
効磁束捕獲面積が大きくなっていることが判る。
きくなるほど、即ち、スリットパターンとインプットコ
イルとの重複面積が小さいほど、磁気センサとしての有
効磁束捕獲面積が大きくなっていることが判る。
【００６６】また、実際には、ホールパターンの長さが
大きくなるとＳＱＵＩＤのインダクタンスが大きくな
り、有効磁束捕獲面積（Ａeff ）にも影響がある。そこ
で、ＳＱＵＩＤとインプットコイルとの結合係数を計算
したところ、図３(b) に示すように、ホールパターンの
長さが大きくなるにつれて結合係数（α）が向上されて
いることが確認された。
大きくなるとＳＱＵＩＤのインダクタンスが大きくな
り、有効磁束捕獲面積（Ａeff ）にも影響がある。そこ
で、ＳＱＵＩＤとインプットコイルとの結合係数を計算
したところ、図３(b) に示すように、ホールパターンの
長さが大きくなるにつれて結合係数（α）が向上されて
いることが確認された。
【００６７】〔実施例４〕本発明に係る磁気センサに対
して超電導薄膜カバーを装着した場合の効果を調べた。
まず、図４(a) に示すような構成のカバーを作製して、
実施例１で作製したＳＱＵＩＤに装着して特性を比較し
た。即ち、このカバーは、図４(a) に示すように、基板
100 に被着させた１mm×５mmのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜101
である。この基板100 をＳＱＵＩＤの基板に貼り合わ
せて、ＳＱＵＩＤのスリットパターンＧ1 、Ｇ2 を超電
導薄膜カバーで覆った磁気センサを作製した。また、こ
の超電導薄膜カバーは、図４(b) に示すようにＳＱＵＩ
Ｄのホールパターンの一部も覆っており、このためにホ
ールパターンの実質的な開口部長が短くなっている。
尚、図中に示す通り、最終的なホールパターンの開口部
長さは 160μｍとした。また、基板100 は絶縁性の接着
材によりＳＱＵＩＤ基板に接着したので、ＳＱＵＩＤ自
体とＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜とは相互に絶縁されている。
して超電導薄膜カバーを装着した場合の効果を調べた。
まず、図４(a) に示すような構成のカバーを作製して、
実施例１で作製したＳＱＵＩＤに装着して特性を比較し
た。即ち、このカバーは、図４(a) に示すように、基板
100 に被着させた１mm×５mmのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜101
である。この基板100 をＳＱＵＩＤの基板に貼り合わ
せて、ＳＱＵＩＤのスリットパターンＧ1 、Ｇ2 を超電
導薄膜カバーで覆った磁気センサを作製した。また、こ
の超電導薄膜カバーは、図４(b) に示すようにＳＱＵＩ
Ｄのホールパターンの一部も覆っており、このためにホ
ールパターンの実質的な開口部長が短くなっている。
尚、図中に示す通り、最終的なホールパターンの開口部
長さは 160μｍとした。また、基板100 は絶縁性の接着
材によりＳＱＵＩＤ基板に接着したので、ＳＱＵＩＤ自
体とＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜とは相互に絶縁されている。
【００６８】上記のようなカバーを備えた磁気センサ
と、カバーを装着していない単独のＳＱＵＩＤとについ
て、それぞれ77Ｋにおける有効磁束捕獲面積（Ａeff ）
と出力電圧（ＶPP）とを測定した。測定結果を表８に示
す。また、他の仕様は共通で、カバー無しでホールパタ
ーンの長さを 160μｍに短縮したＳＱＵＩＤの特性も合
わせて示す。
と、カバーを装着していない単独のＳＱＵＩＤとについ
て、それぞれ77Ｋにおける有効磁束捕獲面積（Ａeff ）
と出力電圧（ＶPP）とを測定した。測定結果を表８に示
す。また、他の仕様は共通で、カバー無しでホールパタ
ーンの長さを 160μｍに短縮したＳＱＵＩＤの特性も合
わせて示す。
【００６９】
【表８】
【００７０】表８に示す結果から判るように、ＳＱＵＩ
Ｄのホールパターンの一部を超電導薄膜により覆って実
質的なホール長を短くしたＳＱＵＩＤでは、有効磁束捕
獲面積（Ａeff ）および出力電圧（ＶPP）がいずれも向
上されている。尚、ホールの開口部を更に短くするとＳ
ＱＵＩＤの出力電圧（ＶPP）は上昇していくが、有効磁
束捕獲面積（Ａeff ）はある点から逆に減少する。従っ
て、特に大きな出力電圧が必要な場合は、有効磁束捕獲
面積（Ａeff ）を犠牲にして出力電圧（ＶPP）を大きく
することもできる。
Ｄのホールパターンの一部を超電導薄膜により覆って実
質的なホール長を短くしたＳＱＵＩＤでは、有効磁束捕
獲面積（Ａeff ）および出力電圧（ＶPP）がいずれも向
上されている。尚、ホールの開口部を更に短くするとＳ
ＱＵＩＤの出力電圧（ＶPP）は上昇していくが、有効磁
束捕獲面積（Ａeff ）はある点から逆に減少する。従っ
て、特に大きな出力電圧が必要な場合は、有効磁束捕獲
面積（Ａeff ）を犠牲にして出力電圧（ＶPP）を大きく
することもできる。
【００７１】〔実施例５〕実施例４とは異なる方法でも
超電導薄膜カバーを装着することができる。すなわち、
実施例４ではＳＱＵＩＤを装荷した基板とは別の基板に
カバーとなる超電導薄膜を形成したが、本実施例では、
ＳＱＵＩＤの装荷されている基板上に更に絶縁層ともう
１層の超電導薄膜とを積層してカバーを形成する。具体
的な手順を以下に述べる。
超電導薄膜カバーを装着することができる。すなわち、
実施例４ではＳＱＵＩＤを装荷した基板とは別の基板に
カバーとなる超電導薄膜を形成したが、本実施例では、
ＳＱＵＩＤの装荷されている基板上に更に絶縁層ともう
１層の超電導薄膜とを積層してカバーを形成する。具体
的な手順を以下に述べる。
【００７２】図５(a) に示すように、既にＳＱＵＩＤ１
の形成された基板上に、図中で点線で示す領域にのみ、
厚さ2000Åの絶縁層Ｉを形成し、更に、この絶縁層Ｉよ
りも十分に小さな領域（図中に斜線で示す）で、カバー
Ｃとしての厚さ3000Åの超電導薄膜を絶縁層Ｉ上に形成
した。絶縁層Ｉの材料としては基板と同じSrTiＯ3 を用
いた。また、カバーＣの材料としては、ＳＱＵＩＤと同
じＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x を用いた。この結果、図５(b) に示
すような層構成のカバーが形成された。以上のような構
造で、実施例４と同様に、ＳＱＵＩＤのホール開口長さ
が 160μｍとなるように 1.5mm×1.5mm のカバーＣとし
てのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜を形成した。得られたカバー
付きのＳＱＵＩＤの77Ｋにおける有効磁束捕獲面積（Ａ
eff ）および出力電圧（ＶPP）の測定結果を、カバー無
しのＳＱＵＩＤについての測定結果と合わせて表９に示
す。
の形成された基板上に、図中で点線で示す領域にのみ、
厚さ2000Åの絶縁層Ｉを形成し、更に、この絶縁層Ｉよ
りも十分に小さな領域（図中に斜線で示す）で、カバー
Ｃとしての厚さ3000Åの超電導薄膜を絶縁層Ｉ上に形成
した。絶縁層Ｉの材料としては基板と同じSrTiＯ3 を用
いた。また、カバーＣの材料としては、ＳＱＵＩＤと同
じＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x を用いた。この結果、図５(b) に示
すような層構成のカバーが形成された。以上のような構
造で、実施例４と同様に、ＳＱＵＩＤのホール開口長さ
が 160μｍとなるように 1.5mm×1.5mm のカバーＣとし
てのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜を形成した。得られたカバー
付きのＳＱＵＩＤの77Ｋにおける有効磁束捕獲面積（Ａ
eff ）および出力電圧（ＶPP）の測定結果を、カバー無
しのＳＱＵＩＤについての測定結果と合わせて表９に示
す。
【００７３】
【表９】
【００７４】表に示す結果から判るように、この構造で
も、実施例４の構造と同等の効果が得られた。
も、実施例４の構造と同等の効果が得られた。
【００７５】〔実施例６〕薄膜で作製する磁束トランス
のインプットコイルは渦巻き状のパターンを有してい
る。従って、インプットコイルの内側の端部をピックア
ップコイルに接続するためには、インプットコイルのラ
インと重なるクロスオーバーが必要になる。クロスオー
バーは、インプットコイルを短絡させないように絶縁膜
を介して形成されるので、クロスオーバーとカバーとを
一体の超電導薄膜で形成することができる。
のインプットコイルは渦巻き状のパターンを有してい
る。従って、インプットコイルの内側の端部をピックア
ップコイルに接続するためには、インプットコイルのラ
インと重なるクロスオーバーが必要になる。クロスオー
バーは、インプットコイルを短絡させないように絶縁膜
を介して形成されるので、クロスオーバーとカバーとを
一体の超電導薄膜で形成することができる。
【００７６】図６は、上述のようなクロスオーバーと兼
用の超電導薄膜カバーを備えた磁気センサの構成例を示
す図である。
用の超電導薄膜カバーを備えた磁気センサの構成例を示
す図である。
【００７７】図６(a) に示すように、ここで作製した磁
気センサでは、絶縁膜３上に装荷される超電導薄膜Ｃ
が、ＳＱＵＩＤのカバーと磁束トランスのクロスオーバ
ーとを兼ねている。また、図６(b) に示すように、この
クロスオーバーとしての超電導薄膜Ｃは、ＳＱＵＩＤの
スリットパターンＧ1 、Ｇ2 全体とホールパターンＨの
一部とを覆っている。
気センサでは、絶縁膜３上に装荷される超電導薄膜Ｃ
が、ＳＱＵＩＤのカバーと磁束トランスのクロスオーバ
ーとを兼ねている。また、図６(b) に示すように、この
クロスオーバーとしての超電導薄膜Ｃは、ＳＱＵＩＤの
スリットパターンＧ1 、Ｇ2 全体とホールパターンＨの
一部とを覆っている。
【００７８】実施例１で作製した試料と同じ仕様のＳＱ
ＵＩＤを用いて、上記のような構成の磁気センサを作製
して試料Ｘとし、77Ｋにおける特性を測定した。また、
カバーとして機能しない、通常の線幅のクロスオーバー
を備えた磁束トランスを作製して試料Ｙを作製し、同じ
条件で特性を測定した。更に、比較のために、ＳＱＵＩ
Ｄ単独についても試料Ｚとして同様な測定を行った。測
定結果を表10に併せて示す。
ＵＩＤを用いて、上記のような構成の磁気センサを作製
して試料Ｘとし、77Ｋにおける特性を測定した。また、
カバーとして機能しない、通常の線幅のクロスオーバー
を備えた磁束トランスを作製して試料Ｙを作製し、同じ
条件で特性を測定した。更に、比較のために、ＳＱＵＩ
Ｄ単独についても試料Ｚとして同様な測定を行った。測
定結果を表10に併せて示す。
【００７９】
【表１０】
【００８０】表10に示す結果から、本発明に係る磁気セ
ンサにおいてもカバーの効果が有効であることが判る。
尚、通常の磁束トランスを装着した試料Ｙの場合でも出
力電圧（ＶPP）が向上しているが、これは、インプット
コイルのラインを形成している超電導薄膜がＳＱＵＩＤ
のスリットパターンおよびホールパターンを横切ってい
ることによるものである。
ンサにおいてもカバーの効果が有効であることが判る。
尚、通常の磁束トランスを装着した試料Ｙの場合でも出
力電圧（ＶPP）が向上しているが、これは、インプット
コイルのラインを形成している超電導薄膜がＳＱＵＩＤ
のスリットパターンおよびホールパターンを横切ってい
ることによるものである。
【００８１】〔実施例７〕実施例１で作製したＳＱＵＩ
Ｄと同じ仕様のＳＱＵＩＤに、Moを材料としたダンピン
グ抵抗を付加してその効果を調べた。ダンピング抵抗の
形成は下記のように行った。即ち、ＳＱＵＩＤを形成す
るＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜の成膜後に、図７(a) に示す領
域Ｍが開口した金属マスクを用いて厚さ1000ÅのAg薄膜
と厚さ1000ÅのAu薄膜とを順次被着させた。実際には、
Ag薄膜およびAu薄膜はダンピング抵抗を形成する領域よ
りも広い領域に形成し、ＳＱＵＩＤ形成のためのパター
ニングを行う際に、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜上の必要な領
域に被着した不要なAg薄膜およびAu薄膜を除去するとい
う手順で行われる。次に、これらAg薄膜およびAu薄膜を
下地として、図７(b) に示す領域Ｒにダンピング抵抗と
してのMo薄膜を被着させた。なお、Mo薄膜のパターニン
グはリフトオフ法により行った。以上のような一連の操
作により図７(c) に示すような層構成のダンピング抵抗
が形成された。実際に形成されたダンピング抵抗として
のMo薄膜は、幅10μｍ、厚さ1000Åであった。
Ｄと同じ仕様のＳＱＵＩＤに、Moを材料としたダンピン
グ抵抗を付加してその効果を調べた。ダンピング抵抗の
形成は下記のように行った。即ち、ＳＱＵＩＤを形成す
るＹ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜の成膜後に、図７(a) に示す領
域Ｍが開口した金属マスクを用いて厚さ1000ÅのAg薄膜
と厚さ1000ÅのAu薄膜とを順次被着させた。実際には、
Ag薄膜およびAu薄膜はダンピング抵抗を形成する領域よ
りも広い領域に形成し、ＳＱＵＩＤ形成のためのパター
ニングを行う際に、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-x 薄膜上の必要な領
域に被着した不要なAg薄膜およびAu薄膜を除去するとい
う手順で行われる。次に、これらAg薄膜およびAu薄膜を
下地として、図７(b) に示す領域Ｒにダンピング抵抗と
してのMo薄膜を被着させた。なお、Mo薄膜のパターニン
グはリフトオフ法により行った。以上のような一連の操
作により図７(c) に示すような層構成のダンピング抵抗
が形成された。実際に形成されたダンピング抵抗として
のMo薄膜は、幅10μｍ、厚さ1000Åであった。
【００８２】以上のようにして作製したダンピング抵抗
付きのＳＱＵＩＤと、ダンピング抵抗の無い単独のＳＱ
ＵＩＤとについて、それぞれ77Ｋにおける出力電圧（Ｖ
PP）を測定した。測定結果を表11に示す。
付きのＳＱＵＩＤと、ダンピング抵抗の無い単独のＳＱ
ＵＩＤとについて、それぞれ77Ｋにおける出力電圧（Ｖ
PP）を測定した。測定結果を表11に示す。
【００８３】
【表１１】
【００８４】表に示す結果から判るように、ダンピング
抵抗を付加することによりＳＱＵＩＤの出力電圧
（ＶPP）が上昇していることが判る。尚、本実施例で
は、ダンピング抵抗の材料としてMoを用いたが、Nb等の
他の材料も使用できることは言うまでもない。
抵抗を付加することによりＳＱＵＩＤの出力電圧
（ＶPP）が上昇していることが判る。尚、本実施例で
は、ダンピング抵抗の材料としてMoを用いたが、Nb等の
他の材料も使用できることは言うまでもない。
【００８５】〔実施例８〕実施例４でＳＱＵＩＤに対し
て付加したカバーと、実施例７でＳＱＵＩＤに付加した
ダンピング抵抗とを併用した場合の効果について調べ
た。実施例４と同じ仕様のカバーを備えたＳＱＵＩＤに
対して、実施例７と同じ仕様のダンピング抵抗を組合
せ、下記の表12に示すような４種類の試料を作製した。
各試料についてそれぞれ77Ｋにおける有効磁束捕獲面積
（Ａeff ）と出力電圧（ＶPP）とを測定した。測定結果
を表12に併せて示す。
て付加したカバーと、実施例７でＳＱＵＩＤに付加した
ダンピング抵抗とを併用した場合の効果について調べ
た。実施例４と同じ仕様のカバーを備えたＳＱＵＩＤに
対して、実施例７と同じ仕様のダンピング抵抗を組合
せ、下記の表12に示すような４種類の試料を作製した。
各試料についてそれぞれ77Ｋにおける有効磁束捕獲面積
（Ａeff ）と出力電圧（ＶPP）とを測定した。測定結果
を表12に併せて示す。
【００８６】
【表１２】
【００８７】表12に示す結果から判るように、カバーと
ダンピング抵抗とを併用した場合には大きな有効磁束捕
獲面積（Ａeff ）と出力電圧（ＶPP）とが得られてい
る。
ダンピング抵抗とを併用した場合には大きな有効磁束捕
獲面積（Ａeff ）と出力電圧（ＶPP）とが得られてい
る。
【００８８】〔実施例９〕実施例４で作製した仕様のＳ
ＱＵＩＤに対して、実施例３で作製した仕様の磁束トラ
ンスを組み合わせて磁気センサを作製した。即ち、本実
施例では、磁束トランスおよびダンピング抵抗とＳＱＵ
ＩＤとの組合せによる効果を調べた。各部材の組合せ
と、組合せて形成された磁気センサの77Ｋにおける特性
の測定結果とを表13に合わせて示す。
ＱＵＩＤに対して、実施例３で作製した仕様の磁束トラ
ンスを組み合わせて磁気センサを作製した。即ち、本実
施例では、磁束トランスおよびダンピング抵抗とＳＱＵ
ＩＤとの組合せによる効果を調べた。各部材の組合せ
と、組合せて形成された磁気センサの77Ｋにおける特性
の測定結果とを表13に合わせて示す。
【００８９】
【表１３】
【００９０】表に示す測定結果から、磁束トランスとダ
ンピング抵抗とを併用した場合も各部材の機能が有効に
作用し、大きな有効磁束捕獲面積と出力電圧とが得られ
ている。尚、磁束トランスのみを装着した場合の出力電
圧の上昇は、インプットコイルのラインを形成している
超電導薄膜がＳＱＵＩＤのホールパターンを横切ること
によるものと考えられる。
ンピング抵抗とを併用した場合も各部材の機能が有効に
作用し、大きな有効磁束捕獲面積と出力電圧とが得られ
ている。尚、磁束トランスのみを装着した場合の出力電
圧の上昇は、インプットコイルのラインを形成している
超電導薄膜がＳＱＵＩＤのホールパターンを横切ること
によるものと考えられる。
【００９１】〔実施例10〕実施例６で作製したカバー兼
用のクロスオーバーを含む磁束トランスを用い、更に、
実施例７と同じ仕様のダンピング抵抗を併用した場合の
効果について調べた。各部材の組合せと、組合せて形成
された磁気センサの77Ｋにおける特性の測定結果とを表
14に合わせて示す。
用のクロスオーバーを含む磁束トランスを用い、更に、
実施例７と同じ仕様のダンピング抵抗を併用した場合の
効果について調べた。各部材の組合せと、組合せて形成
された磁気センサの77Ｋにおける特性の測定結果とを表
14に合わせて示す。
【００９２】
【表１４】
【００９３】表14に示す結果から判るように、磁束トラ
ンス、超電導薄膜カバーを装着し、更にダンピング抵抗
を付加した場合でも、各部材の効果は有効であり、磁気
センサとしての特性は一層向上されている。
ンス、超電導薄膜カバーを装着し、更にダンピング抵抗
を付加した場合でも、各部材の効果は有効であり、磁気
センサとしての特性は一層向上されている。
【００９４】〔実施例11〕ワッシャ部外側の寸法を15mm
×15mmとし、それ以外は実施例１で作製した試料と同じ
仕様のＳＱＵＩＤを作製し、これを試料Ａとした。ま
た、実施例４と同様にして、３mm×８mmの寸法のＹ1Ba2
Cu3Ｏ7-x 薄膜を試料Ａと同じ仕様のＳＱＵＩＤに貼り
合わせてこれを試料Ｂとした。更に、実施例７と同様に
して、試料Ａと同じ仕様のＳＱＵＩＤにダンピング抵抗
を付加し、これを試料Ｃとした。また更に、試料Ａと同
じ仕様のＳＱＵＩＤに試料Ｂと同じ仕様の超電導薄膜カ
バーを装着してこれを試料Ｄとした。これらの試料の特
性を77Ｋで測定した。測定結果を表15に併せて示す。
×15mmとし、それ以外は実施例１で作製した試料と同じ
仕様のＳＱＵＩＤを作製し、これを試料Ａとした。ま
た、実施例４と同様にして、３mm×８mmの寸法のＹ1Ba2
Cu3Ｏ7-x 薄膜を試料Ａと同じ仕様のＳＱＵＩＤに貼り
合わせてこれを試料Ｂとした。更に、実施例７と同様に
して、試料Ａと同じ仕様のＳＱＵＩＤにダンピング抵抗
を付加し、これを試料Ｃとした。また更に、試料Ａと同
じ仕様のＳＱＵＩＤに試料Ｂと同じ仕様の超電導薄膜カ
バーを装着してこれを試料Ｄとした。これらの試料の特
性を77Ｋで測定した。測定結果を表15に併せて示す。
【００９５】
【表１５】
【００９６】表15に示す測定結果から判るように、ワッ
シャ外径を大きくすることにより、磁束捕獲面積が大き
くなり、特性が向上している。更に、表15の試料Ｂ、
Ｃ、Ｄの測定結果から判るように、超電導薄膜カバーや
ダンピング抵抗を付加した場合も、特性が一層向上して
おり、その効果が有効であることが判る。
シャ外径を大きくすることにより、磁束捕獲面積が大き
くなり、特性が向上している。更に、表15の試料Ｂ、
Ｃ、Ｄの測定結果から判るように、超電導薄膜カバーや
ダンピング抵抗を付加した場合も、特性が一層向上して
おり、その効果が有効であることが判る。
【００９７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る磁気センサは、ＳＱＵＩＤのパターンを変更するとい
う簡単な工夫により高い特性を実現している。このよう
な効果を有する本発明は、超電導薄膜により形成された
ＳＱＵＩＤを含む磁気センサの実用化に大きく寄与する
ものである。
る磁気センサは、ＳＱＵＩＤのパターンを変更するとい
う簡単な工夫により高い特性を実現している。このよう
な効果を有する本発明は、超電導薄膜により形成された
ＳＱＵＩＤを含む磁気センサの実用化に大きく寄与する
ものである。
【図１】本発明に係る磁気センサの具体的な構成例を示
す図である。
す図である。
【図２】図１に示した磁気センサに対する比較試料の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】本発明の実施例において作製した試料におけ
る、ＳＱＵＩＤの有効磁束捕獲面積および結合係数の測
定結果を示す図である。
る、ＳＱＵＩＤの有効磁束捕獲面積および結合係数の測
定結果を示す図である。
【図４】本発明に係る磁気センサに対して、超電導薄膜
によるカバーを装着した場合の構成例を示す図である。
によるカバーを装着した場合の構成例を示す図である。
【図５】本発明に係る磁気センサに対して、超電導薄膜
によるカバーを装着した場合の他の構成例を示す図であ
る。
によるカバーを装着した場合の他の構成例を示す図であ
る。
【図６】本発明に係る磁気センサであって、超電導薄膜
により形成されたカバーと磁束トランスとを装着した場
合の構成例を示す図である。
により形成されたカバーと磁束トランスとを装着した場
合の構成例を示す図である。
【図７】本発明に係る磁気センサの、ダンピング抵抗を
使用した場合の構成例を示す図である。
使用した場合の構成例を示す図である。
【図８】磁気センサとして使用されるＳＱＵＩＤの、従
来の種々の薄膜パターンを示す図である。
来の種々の薄膜パターンを示す図である。
【図９】ＳＱＵＩＤを用いた磁気センサの典型的な構成
を示す図である。
を示す図である。
【図10】従来の磁気センサにおけるＳＱＵＩＤ付近の構
成を拡大して示す図である。
成を拡大して示す図である。
１・・・ＳＱＵＩＤ、 ２・・・磁束トラ
ンス、２ａ・・・ピックアップコイル、 ２ｂ・・・
インプットコイル、３・・・絶縁膜、
10・・・第１基板、11・・・ワッシャ部、
11ａ・・・弱結合部、12・・・端子部、
20・・・第２基板、100 ・・・基板、
101 ・・・超電導薄膜、Ｃ・・・カバー、
Ｉ・・・絶縁層、Ｆ1 、Ｆ2 ・・・切
込みパターン、 Ｇ1 、Ｇ2 ・・・スリットパターン、
Ｈ・・・ホールパターン、Ｒ・・・ダンピング抵抗、
Ｓ・・・基板段差、Ｘ1 、Ｘ2 ・・・弱結合、
Ｙ・・・環状電流路、Ｚ1 、Ｚ2 ・・・端子
部、ａ・・・ホールパターンの寸法（長辺）、ｂ・・・
ホールパターンの寸法（短辺）、ｃ・・・弱結合部の
幅、ｄ・・・ホールとスリットとに挟まれた領域の長
さ、ｗ・・・スリットパターンの幅
ンス、２ａ・・・ピックアップコイル、 ２ｂ・・・
インプットコイル、３・・・絶縁膜、
10・・・第１基板、11・・・ワッシャ部、
11ａ・・・弱結合部、12・・・端子部、
20・・・第２基板、100 ・・・基板、
101 ・・・超電導薄膜、Ｃ・・・カバー、
Ｉ・・・絶縁層、Ｆ1 、Ｆ2 ・・・切
込みパターン、 Ｇ1 、Ｇ2 ・・・スリットパターン、
Ｈ・・・ホールパターン、Ｒ・・・ダンピング抵抗、
Ｓ・・・基板段差、Ｘ1 、Ｘ2 ・・・弱結合、
Ｙ・・・環状電流路、Ｚ1 、Ｚ2 ・・・端子
部、ａ・・・ホールパターンの寸法（長辺）、ｂ・・・
ホールパターンの寸法（短辺）、ｃ・・・弱結合部の
幅、ｄ・・・ホールとスリットとに挟まれた領域の長
さ、ｗ・・・スリットパターンの幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−232463（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45876（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−186301（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−193286（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299711（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175560（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−97521（ＪＰ，Ａ) Ｆ．Ｌｕｄｗｉｎｇ ｅｔ．ａｌ．, ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｕｐｅｒｃｏ ｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，ｖｏｌ．５，ｎ ｏ．２，ｐ．2919−2922（1995) Ｓ．Ｋｎａｐｐｅ ｅｔ．ａｌ．，Ｃ ｒｙｏｇｅｎｉｃｓ，ｖｏｌ．32，ｎ ｏ．10，ｐ881−884（1992) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/22 - 39/24 H01L 39/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＥＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (10)
- 【請求項１】ワッシャパターン、該ワッシャパターンの
中に形成されたホールパターンおよび該ワッシャパター
ンの外縁から該ホールに向かって延在する１対のスリッ
トパターンを、基板上に被着された超電導薄膜をパター
ニングすることにより形成してなるＳＱＵＩＤを備えた
磁気センサにおいて、 該ホールパターンが長方形であり、且つ、該スリットパ
ターンが、該ワッシャパターンの外周縁部のうち該ホー
ルパターンとの間の距離が最も短い部分から、該ホール
パターンの長辺と平行に形成された線状のパターンであ
り、該ホールパターンと該スリットパターンとの間隔が最も
狭い領域を通り、該スリットパターン内を通って該ワッ
シャパターンの外部へ延在する段差が該基板上に形成さ
れ、 該段差上に該超電導薄膜を被着させることにより形成さ
れた人工粒界が、 該ホールパターンと該スリットパター
ンとの間隔が最も狭い領域にのみ形成されており、且
つ、該人工粒界が該領域以外には全く形成されていない
ことを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】請求項１に記載された磁気センサにおい
て、前記ホールパターンの長辺の長さが短辺の長さの５
倍以上であることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載された磁気
センサであって、前記ＳＱＵＩＤの前記ワッシャパター
ンが、正方形に換算したときの１辺が10mm以上、200mm
以下となるような寸法であることを特徴とする磁気セン
サ。 - 【請求項４】請求項１から請求項３までのいずれか１項
に記載された磁気センサであって、前記ＳＱＵＩＤから
絶縁された超電導薄膜により形成され、前記スリットパ
ターン全体と前記ホールパターンの一部とを覆うように
形成された、カバーを備えることを特徴とする磁気セン
サ。 - 【請求項５】請求項１または請求項２に記載された磁気
センサであって、前記ＳＱＵＩＤに結合された磁束トラ
ンスを備えていることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項６】請求項５に記載された磁気センサにおい
て、前記磁束トランスのインプットコイルの内側の一端
をピックアップコイルに接続するために該インプットコ
イルと交差する接続線路が、前記ＳＱＵＩＤのスリット
パターン全体とホールパターンの一部とを覆う超電導薄
膜であることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項７】請求項１から請求項６までのいずれか１項
に記載された磁気センサであって、前記ＳＱＵＩＤのイ
ンダクタンスと並列に、該ＳＱＵＩＤ上の２点を結合す
るように形成されたダンピング抵抗を備えていることを
特徴とする磁気センサ。 - 【請求項８】請求項７に記載された磁気センサにおい
て、前記ダンピング抵抗が、前記ＳＱＵＩＤを形成する
超電導薄膜上に、金および／または銀の薄膜を介して装
荷された金属薄膜であることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項９】請求項１から請求項８までのいずれか１項
に記載された磁気センサにおいて、前記超電導薄膜が酸
化物超電導薄膜により形成されていることを特徴とする
磁気センサ。 - 【請求項１０】請求項９に記載された磁気センサにおい
て、前記酸化物超電導薄膜が、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-x なる組
成を有する複合酸化物の薄膜であることを特徴とする磁
気センサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08110302A JP3139372B2 (ja) | 1995-07-10 | 1996-04-05 | 磁気センサ |
| DE69630994T DE69630994T2 (de) | 1995-07-10 | 1996-07-10 | Planarer magnetischer Sensor mit einem SQUID aus supraleitender Dünnschicht |
| CA002180916A CA2180916C (en) | 1995-07-10 | 1996-07-10 | Planer magnetic sensor comprising a squid made of superconducting thin film |
| KR1019960027694A KR100439779B1 (ko) | 1995-07-10 | 1996-07-10 | 초전도 박막으로 이루어진 squid를 구비하는 플래너 자기 센서 |
| EP96401518A EP0753757B1 (en) | 1995-07-10 | 1996-07-10 | Planar magnetic sensor comprising a SQUID made of superconducting thin film |
| US08/922,679 US5986280A (en) | 1995-07-10 | 1997-09-03 | Planar magnetic sensor comprising a SQUID made of superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19705195 | 1995-07-10 | ||
| JP7-197051 | 1995-07-10 | ||
| JP08110302A JP3139372B2 (ja) | 1995-07-10 | 1996-04-05 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983026A JPH0983026A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3139372B2 true JP3139372B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=26449956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08110302A Expired - Fee Related JP3139372B2 (ja) | 1995-07-10 | 1996-04-05 | 磁気センサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5986280A (ja) |
| EP (1) | EP0753757B1 (ja) |
| JP (1) | JP3139372B2 (ja) |
| KR (1) | KR100439779B1 (ja) |
| CA (1) | CA2180916C (ja) |
| DE (1) | DE69630994T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101786261B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2017-10-18 | 주식회사 포스코 | 연마장치 |
| KR101797662B1 (ko) * | 2016-04-18 | 2017-11-15 | 천보아 | 칼 연마장치 |
| KR102032693B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2019-10-15 | 장성진 | 연마기용 칼날 지지대 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4820481B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-11-24 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 超伝導量子干渉素子 |
| JP2002243817A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Hitachi Ltd | 検出コイル一体型グラジオメータ及び磁場計測装置 |
| JP4132720B2 (ja) * | 2001-05-07 | 2008-08-13 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 量子干渉型磁束計の製造方法 |
| US6984977B2 (en) * | 2001-09-14 | 2006-01-10 | University Of Maryland | Scanning SQUID microscope with improved spatial resolution |
| WO2004110269A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Japan Science And Technology Agency | 脳磁計用センサとそれを使用した超多チャンネル脳磁計システム |
| JPWO2010122733A1 (ja) * | 2009-04-23 | 2012-10-25 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | Ｓｑｕｉｄ磁気センサ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3769201D1 (de) * | 1986-05-21 | 1991-05-16 | Siemens Ag | Squid-magnetometer fuer eine vorrichtung zur messung schwacher magnetfelder. |
| JP2812060B2 (ja) * | 1992-04-17 | 1998-10-15 | 住友電気工業株式会社 | Ｓｑｕｉｄ |
| JPH05297089A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気センサ |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP08110302A patent/JP3139372B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-10 CA CA002180916A patent/CA2180916C/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-10 EP EP96401518A patent/EP0753757B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-10 DE DE69630994T patent/DE69630994T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-10 KR KR1019960027694A patent/KR100439779B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-09-03 US US08/922,679 patent/US5986280A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｆ．Ｌｕｄｗｉｎｇ ｅｔ．ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，ｖｏｌ．５，ｎｏ．２，ｐ．２９１９−２９２２（１９９５） |
| Ｓ．Ｋｎａｐｐｅ ｅｔ．ａｌ．，Ｃｒｙｏｇｅｎｉｃｓ，ｖｏｌ．３２，ｎｏ．１０，ｐ８８１−８８４（１９９２） |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101786261B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2017-10-18 | 주식회사 포스코 | 연마장치 |
| KR101797662B1 (ko) * | 2016-04-18 | 2017-11-15 | 천보아 | 칼 연마장치 |
| KR102032693B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2019-10-15 | 장성진 | 연마기용 칼날 지지대 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0753757A2 (en) | 1997-01-15 |
| JPH0983026A (ja) | 1997-03-28 |
| US5986280A (en) | 1999-11-16 |
| CA2180916A1 (en) | 1997-01-11 |
| DE69630994T2 (de) | 2004-10-28 |
| EP0753757A3 (en) | 1997-09-24 |
| DE69630994D1 (de) | 2004-01-22 |
| KR100439779B1 (ko) | 2004-10-26 |
| EP0753757B1 (en) | 2003-12-10 |
| CA2180916C (en) | 2000-09-19 |
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