JP3137404B2 - 全反射測定装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は全反射測定装置、特に顕
微測定用の全反射測定装置の改良に関する。
微測定用の全反射測定装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】いわゆる顕微鏡を用い、各種被測定物の
物性等を測定することが広く行なわれており、例えば顕
微鏡を用いて被測定物の赤外スペクトルを測定し、該赤
外スペクトル特性より被測定物の特定微小部位の成分な
どを分析することが可能となっている。
物性等を測定することが広く行なわれており、例えば顕
微鏡を用いて被測定物の赤外スペクトルを測定し、該赤
外スペクトル特性より被測定物の特定微小部位の成分な
どを分析することが可能となっている。
【０００３】ところで、このように被測定物の光学的デ
ータを得るためには、該被測定物からの反射光、あるい
は該被測定物の透過光を採取する必要がある。しかしな
がら、被測定物の反射光あるいは透過光を採取する手法
を、高分子膜や半導体などの表面分析、あるいは著しく
光の吸収の強い物質、例えば赤外域でのスペクトル測定
が困難であった水溶液中の溶質の分析などに適用するこ
とは、極めて困難である。
ータを得るためには、該被測定物からの反射光、あるい
は該被測定物の透過光を採取する必要がある。しかしな
がら、被測定物の反射光あるいは透過光を採取する手法
を、高分子膜や半導体などの表面分析、あるいは著しく
光の吸収の強い物質、例えば赤外域でのスペクトル測定
が困難であった水溶液中の溶質の分析などに適用するこ
とは、極めて困難である。
【０００４】そこで、前述したような一般的手法による
反射光測定あるいは透過光測定が困難な被測定物に対
し、全反射測定法が適用される。この全反射測定原理を
図５を参照して説明する。同図に於いて被測定物１０上
に、該被測定物１０の屈折率ｎ2よりも大きい屈折率を
ｎ1を有するＡＴＲ半球状プリズム１２又はＡＴＲ三角
柱プリズム１２を搭載し、外部からプリズム１２に波長
λの光束を入射させる。
反射光測定あるいは透過光測定が困難な被測定物に対
し、全反射測定法が適用される。この全反射測定原理を
図５を参照して説明する。同図に於いて被測定物１０上
に、該被測定物１０の屈折率ｎ2よりも大きい屈折率を
ｎ1を有するＡＴＲ半球状プリズム１２又はＡＴＲ三角
柱プリズム１２を搭載し、外部からプリズム１２に波長
λの光束を入射させる。
【０００５】そして、プリズム１２から被測定物１０に
対する入射角θを臨界角θCより大きくすると、入射光
は被測定物１０とプリズム１２の臨界面で全反射される
が、この反射点では試料１０内に光束がわずかに進入す
る。この進入深さｄpを光強度が１／ｅになる深さで定
義すると、波長λの場合、進入深さｄpは次の数１で示
される。
対する入射角θを臨界角θCより大きくすると、入射光
は被測定物１０とプリズム１２の臨界面で全反射される
が、この反射点では試料１０内に光束がわずかに進入す
る。この進入深さｄpを光強度が１／ｅになる深さで定
義すると、波長λの場合、進入深さｄpは次の数１で示
される。
【数１】ｄp＝λ／〔２πｎ1｛（ｓｉｎ2θ−（ｎ2／ｎ
1）2｝1/2〕
1）2｝1/2〕
【０００６】したがって、被測定物１０が光を吸収する
と、臨界面上で全反射される光はその分減少する。この
ような被測定物１０とプリズム１２の臨界面における全
反射光の特性を解析することにより、高分子膜や半導体
などの表面分析、あるいは被測定物１０が著しく強い光
の吸収を示す場合であっても、該被測定物１０から光学
的情報を得ることが可能となる。
と、臨界面上で全反射される光はその分減少する。この
ような被測定物１０とプリズム１２の臨界面における全
反射光の特性を解析することにより、高分子膜や半導体
などの表面分析、あるいは被測定物１０が著しく強い光
の吸収を示す場合であっても、該被測定物１０から光学
的情報を得ることが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
全反射測定装置を一般的な顕微測定装置に適用する場
合、顕微測定装置を用いて被測定物１０上の測定箇所を
可視光で目視観察した後、該被測定物１０を全反射測定
装置に付けなおし、これを顕微測定装置と連結して光学
的に情報を得なければならないため、操作が極めて煩雑
であり、又測定精度の向上にも限界があった。本発明は
前記従来技術の課題に鑑みなされたものであり、その目
的は被測定物の特定微小部位から、全反射測定による光
学的デ−タを効率よく得ることのできる全反射測定装置
を提供することにある。
全反射測定装置を一般的な顕微測定装置に適用する場
合、顕微測定装置を用いて被測定物１０上の測定箇所を
可視光で目視観察した後、該被測定物１０を全反射測定
装置に付けなおし、これを顕微測定装置と連結して光学
的に情報を得なければならないため、操作が極めて煩雑
であり、又測定精度の向上にも限界があった。本発明は
前記従来技術の課題に鑑みなされたものであり、その目
的は被測定物の特定微小部位から、全反射測定による光
学的デ−タを効率よく得ることのできる全反射測定装置
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明にかかる全反射測定装置は、カセグレン主鏡及
びカセグレン副鏡を有し、前記副鏡、主鏡の順に反射さ
れた光を被測定物上に集光し、反射光を主鏡、副鏡の順
に反射させて得るカセグレン鏡と、前記カセグレン鏡副
鏡の下部に配置された全反射プリズムと、前記プリズム
をカセグレン副鏡下方の影部及び被測定物の被測定面間
で移動可能とするプリズム移動手段と、を備えた全反射
測定装置において、 前記プリズム移動手段は、プリズム
保持部と、移動軸と、を備え、前記移動軸下端に前記プ
リズム保持部が設置されていることを特徴とする。 ここ
で、前記プリズム保持部は、前記プリズムをその外周よ
り保持し、該プリズムと共に移動可能とする。 また、前
記移動軸は、前記カセグレン主鏡のカセグレン副鏡対向
開口の外周隣接部より垂下し、上下動可能とする。 な
お、本発明において、前記移動軸は、前記カセグレン主
鏡の外周に沿って互いに離隔配置された複数の移動軸よ
りなることが好適である。
に本発明にかかる全反射測定装置は、カセグレン主鏡及
びカセグレン副鏡を有し、前記副鏡、主鏡の順に反射さ
れた光を被測定物上に集光し、反射光を主鏡、副鏡の順
に反射させて得るカセグレン鏡と、前記カセグレン鏡副
鏡の下部に配置された全反射プリズムと、前記プリズム
をカセグレン副鏡下方の影部及び被測定物の被測定面間
で移動可能とするプリズム移動手段と、を備えた全反射
測定装置において、 前記プリズム移動手段は、プリズム
保持部と、移動軸と、を備え、前記移動軸下端に前記プ
リズム保持部が設置されていることを特徴とする。 ここ
で、前記プリズム保持部は、前記プリズムをその外周よ
り保持し、該プリズムと共に移動可能とする。 また、前
記移動軸は、前記カセグレン主鏡のカセグレン副鏡対向
開口の外周隣接部より垂下し、上下動可能とする。 な
お、本発明において、前記移動軸は、前記カセグレン主
鏡の外周に沿って互いに離隔配置された複数の移動軸よ
りなることが好適である。
【０００９】
【作用】本発明にかかる全反射測定装置は前述した手段
を備えるので、被測定物の測定箇所を選定する際には、
プリズム移動手段によりプリズムをカセグレン副鏡下方
の影部に移動する。このため、カセグレン鏡からの照射
光あるいは被測定物からの反射光は、プリズムを通さず
に直接被測定物表面を介し、被測定物の測定箇所を目視
で確認することが可能となる。
を備えるので、被測定物の測定箇所を選定する際には、
プリズム移動手段によりプリズムをカセグレン副鏡下方
の影部に移動する。このため、カセグレン鏡からの照射
光あるいは被測定物からの反射光は、プリズムを通さず
に直接被測定物表面を介し、被測定物の測定箇所を目視
で確認することが可能となる。
【００１０】一方、被測定物の全反射測定をおこなう場
合には、前記プリズム移動手段によりプリズムを下降さ
せ、被測定面に当接させる。この結果、カセグレン鏡か
ら照射される光はプリズムと被測定面との境界面で全反
射され、所望の全反射測定をおこなうことが可能とな
る。このように本発明にかかる全反射測定装置は、被測
定物の測定箇所を選定する際にはプリズムを介さずに直
接被測定物の目視観察をおこなうことが可能であるの
で、測定箇所の選定作業が極めて容易である。
合には、前記プリズム移動手段によりプリズムを下降さ
せ、被測定面に当接させる。この結果、カセグレン鏡か
ら照射される光はプリズムと被測定面との境界面で全反
射され、所望の全反射測定をおこなうことが可能とな
る。このように本発明にかかる全反射測定装置は、被測
定物の測定箇所を選定する際にはプリズムを介さずに直
接被測定物の目視観察をおこなうことが可能であるの
で、測定箇所の選定作業が極めて容易である。
【００１１】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の好適な実施例を
説明する。図１には本発明の一実施例にかかる全反射測
定顕微鏡の概略構成が示されており、前記従来技術と対
応する部分には符号１００を加えて示し説明を省略す
る。同図に示す全反射測定顕微鏡は、カセグレン鏡１２
０と半球状のプリズム１１２を備えている。
説明する。図１には本発明の一実施例にかかる全反射測
定顕微鏡の概略構成が示されており、前記従来技術と対
応する部分には符号１００を加えて示し説明を省略す
る。同図に示す全反射測定顕微鏡は、カセグレン鏡１２
０と半球状のプリズム１１２を備えている。
【００１２】前記カセグレン鏡１２０は、中心部に孔１
２２ａが形成された凹面鏡よりなるカセグレン主鏡１２
２と、前記カセグレン主鏡１２２よりも径の小さい凸面
鏡よりなるカセグレン副鏡１２４とを、中心軸Ｃを一致
させて対向配置している。前記プリズム１１２は略半球
形であって、その凸面を前記カセグレン主鏡１２２に対
向させ、その中心軸をカセグレン鏡１２０の中心軸Ｃに
一致させ、その中心点をカセグレン鏡１２０による光収
束位置に一致させて配置可能とされている。
２２ａが形成された凹面鏡よりなるカセグレン主鏡１２
２と、前記カセグレン主鏡１２２よりも径の小さい凸面
鏡よりなるカセグレン副鏡１２４とを、中心軸Ｃを一致
させて対向配置している。前記プリズム１１２は略半球
形であって、その凸面を前記カセグレン主鏡１２２に対
向させ、その中心軸をカセグレン鏡１２０の中心軸Ｃに
一致させ、その中心点をカセグレン鏡１２０による光収
束位置に一致させて配置可能とされている。
【００１３】そして、被測定物１１０上の測定点を目視
観察する場合には、図中一点鎖線に示すようにプリズム
１１２を上昇させ、可視光源１２６から出射された光束
を、光路内外に回転移動可能な可動鏡１２８及び固定鏡
１３０で反射させて入射光１３２を形成する。そして、
該入射光１３２はカセグレン副鏡１２４、カセグレン主
鏡１２２を介して被測定物１１０上に直接集光し、該被
測定物１１０からの反射光はカセグレン主鏡１２２、カ
セグレン副鏡１２４に反射されて出射光１３４となる。
該出射光１３４は固定鏡１３６、光路内外に回転移動可
能な可動鏡１３８で反射させて接眼レンズ１４０に導
く。
観察する場合には、図中一点鎖線に示すようにプリズム
１１２を上昇させ、可視光源１２６から出射された光束
を、光路内外に回転移動可能な可動鏡１２８及び固定鏡
１３０で反射させて入射光１３２を形成する。そして、
該入射光１３２はカセグレン副鏡１２４、カセグレン主
鏡１２２を介して被測定物１１０上に直接集光し、該被
測定物１１０からの反射光はカセグレン主鏡１２２、カ
セグレン副鏡１２４に反射されて出射光１３４となる。
該出射光１３４は固定鏡１３６、光路内外に回転移動可
能な可動鏡１３８で反射させて接眼レンズ１４０に導
く。
【００１４】これに対し、全反射スペクトルを測定する
場合には、図中実線で示すようにプリズム１１２を下降
させ、前記可動鏡１２８、１３８を光路外に対比させて
おき、赤外光源１４２から出射された光束をマイケルソ
ン干渉計１４４に導光して赤外干渉光を生成し、これを
固定鏡１３０で反射させて入射光１３２を形成する。こ
の場合の出射光１３４は、固定鏡１３６で反射されてＭ
ＣＴ検出器１４６でその光強度が検出され、その検出信
号が信号処理装置１４８に供給される。一方、レーザー
１５０から出射されたレーザー光をマイケルソン干渉計
１４４に導光し、レーザー干渉光を生成してその光強度
をホトダイオード１５２で検出し、その検出信号をサン
プリング信号として信号処理装置１４８へ供給する。信
号処理装置１４８は、このサンプリング信号に同期し
て、ＭＣＴ検出器１４６からの光強度信号を読み取り、
公知の信号処理をおこなって赤外吸収スペクトルを求
め、これをレコーダ１５４に記憶させる。
場合には、図中実線で示すようにプリズム１１２を下降
させ、前記可動鏡１２８、１３８を光路外に対比させて
おき、赤外光源１４２から出射された光束をマイケルソ
ン干渉計１４４に導光して赤外干渉光を生成し、これを
固定鏡１３０で反射させて入射光１３２を形成する。こ
の場合の出射光１３４は、固定鏡１３６で反射されてＭ
ＣＴ検出器１４６でその光強度が検出され、その検出信
号が信号処理装置１４８に供給される。一方、レーザー
１５０から出射されたレーザー光をマイケルソン干渉計
１４４に導光し、レーザー干渉光を生成してその光強度
をホトダイオード１５２で検出し、その検出信号をサン
プリング信号として信号処理装置１４８へ供給する。信
号処理装置１４８は、このサンプリング信号に同期し
て、ＭＣＴ検出器１４６からの光強度信号を読み取り、
公知の信号処理をおこなって赤外吸収スペクトルを求
め、これをレコーダ１５４に記憶させる。
【００１５】本発明において特徴的なことは、被測定物
１１０の測定点を目視観察する場合にはプリズム１１２
をカセグレン副鏡の下方の影部分に移動させることであ
り、このために本実施例においては図２及び図３に示す
ようなプリズム移動手段１６０を備えている。すなわ
ち、プリズム移動手段１６０は、３本のシリンダー１６
２（図中１本のみを示し、他は同一構成である）と、該
シリンダー１６２内に上下動可能に挿入される移動軸１
６４と、該移動軸１６４の下端に固定されたプリズム保
持板１６６とを含む。
１１０の測定点を目視観察する場合にはプリズム１１２
をカセグレン副鏡の下方の影部分に移動させることであ
り、このために本実施例においては図２及び図３に示す
ようなプリズム移動手段１６０を備えている。すなわ
ち、プリズム移動手段１６０は、３本のシリンダー１６
２（図中１本のみを示し、他は同一構成である）と、該
シリンダー１６２内に上下動可能に挿入される移動軸１
６４と、該移動軸１６４の下端に固定されたプリズム保
持板１６６とを含む。
【００１６】そして、移動軸１６４は中空状に形成さ
れ、該空隙内にスプリング１６８が配置され、移動軸１
６４を図中上方に張架している。この結果、プリズム保
持板１６６は、図２に示す目視観察状態では上方に位置
し、該プリズム保持板１６６に設けられたプリズム１１
２はカセグレン副鏡１２４の下方であって該カセグレン
副鏡１２４の影となる部分に位置している。
れ、該空隙内にスプリング１６８が配置され、移動軸１
６４を図中上方に張架している。この結果、プリズム保
持板１６６は、図２に示す目視観察状態では上方に位置
し、該プリズム保持板１６６に設けられたプリズム１１
２はカセグレン副鏡１２４の下方であって該カセグレン
副鏡１２４の影となる部分に位置している。
【００１７】したがって、図２に示す状態では、被測定
物１１０の通常の反射測定と同じ構成となり、該被測定
物１１０をＸＹＺステージに取り付け、各軸方向に被測
定物１１０を移動して、接眼レンズ１４０を通して目視
観察しながら測定箇所を選定する。このように、被測定
物１１０の被測定面を通常の顕微鏡観察と同様に直接観
察することができるので、極めて鮮明な被測定物の像が
観察される。
物１１０の通常の反射測定と同じ構成となり、該被測定
物１１０をＸＹＺステージに取り付け、各軸方向に被測
定物１１０を移動して、接眼レンズ１４０を通して目視
観察しながら測定箇所を選定する。このように、被測定
物１１０の被測定面を通常の顕微鏡観察と同様に直接観
察することができるので、極めて鮮明な被測定物の像が
観察される。
【００１８】一方、図３には本実施例にかかる装置によ
る全反射測定状態が示されている。すなわち、前記移動
軸１６４に固定された操作レバー１７０をストッパーリ
ング１７２に当接するまで押し下げる。なお、ストッパ
ーリング１７２の位置は、あらかじめカセグレン鏡１２
０の集光位置とプリズム１１２の半球状の中心位置が一
致するように調整されている。そして、移動軸１６４お
よびプリズム保持板１６６に連動してプリズム１１２が
下降すると、該プリズム１１２の平坦面が被測定物１１
０に当接する。この状態で、固定ネジ１７４で移動軸１
６４を固定し全反射測定をおこなう。
る全反射測定状態が示されている。すなわち、前記移動
軸１６４に固定された操作レバー１７０をストッパーリ
ング１７２に当接するまで押し下げる。なお、ストッパ
ーリング１７２の位置は、あらかじめカセグレン鏡１２
０の集光位置とプリズム１１２の半球状の中心位置が一
致するように調整されている。そして、移動軸１６４お
よびプリズム保持板１６６に連動してプリズム１１２が
下降すると、該プリズム１１２の平坦面が被測定物１１
０に当接する。この状態で、固定ネジ１７４で移動軸１
６４を固定し全反射測定をおこなう。
【００１９】なお、全反射測定後は固定ネジ１７４をゆ
るめることにより、スプリング１６８の引張力で移動軸
１６４及びプリズム保持板１６６と共にプリズム１１２
がひきあげられ、前記図２に示した状態となる。以上の
ように、本実施例にかかる全反射測定顕微鏡によれば、
被測定物１１０の目視観察時にはカセグレン副鏡１２４
の影となる部分にプリズム１１２を退避させ、被測定物
１１０を直接観察することができるので、被測定物１１
０の鮮明な拡大像を観察しながら全反射測定箇所の選定
を行なうことができ、また全反射測定時にはそのままプ
リズム１１２を下降させ被測定物１１０の測定箇所にプ
リズム１１２を当接させることにより、微妙かつ複雑な
プリズム位置の調整を行なうことなく、きわめて容易に
全反射測定を行なうことができる。
るめることにより、スプリング１６８の引張力で移動軸
１６４及びプリズム保持板１６６と共にプリズム１１２
がひきあげられ、前記図２に示した状態となる。以上の
ように、本実施例にかかる全反射測定顕微鏡によれば、
被測定物１１０の目視観察時にはカセグレン副鏡１２４
の影となる部分にプリズム１１２を退避させ、被測定物
１１０を直接観察することができるので、被測定物１１
０の鮮明な拡大像を観察しながら全反射測定箇所の選定
を行なうことができ、また全反射測定時にはそのままプ
リズム１１２を下降させ被測定物１１０の測定箇所にプ
リズム１１２を当接させることにより、微妙かつ複雑な
プリズム位置の調整を行なうことなく、きわめて容易に
全反射測定を行なうことができる。
【００２０】なお、プリズム１１２に応じてストッパー
リング１７２の上下位置を調整する必要がある。この場
合には、カセグレン鏡１２０の反射測定を行なうのと同
じように被測定物１１０がない状態で操作レバー１７０
を下方に押し下げる。この時、プリズム１１２の半球状
の中心位置がカセグレン鏡１２０の集光位置に一致する
ようにストッパーリング１７２を上下させる。なお、ス
トッパーリング１７２の上下は、ストッパーリング１７
２と本体とを螺合固定としておけば、該ストッパーリン
グ１７２を回転させることにより、調節することができ
る。
リング１７２の上下位置を調整する必要がある。この場
合には、カセグレン鏡１２０の反射測定を行なうのと同
じように被測定物１１０がない状態で操作レバー１７０
を下方に押し下げる。この時、プリズム１１２の半球状
の中心位置がカセグレン鏡１２０の集光位置に一致する
ようにストッパーリング１７２を上下させる。なお、ス
トッパーリング１７２の上下は、ストッパーリング１７
２と本体とを螺合固定としておけば、該ストッパーリン
グ１７２を回転させることにより、調節することができ
る。
【００２１】一方、プリズム１１２はその半球の中心位
置がカセグレン鏡１２０の集光位置と一致するように調
整する。このプリズム１１２の中心位置調整は、赤外光
がカセグレン鏡１２０からプリズム１１２に入射して底
面で全反射し、再びプリズム１１２を介して出射して得
られる反射光の出力を見ながら行なうことができる。す
なわち、前述したようにプリズム１１２の中心位置とカ
セグレン鏡１２０の集光位置が一致した場合には、前記
検知器１４６の出力は最大となるため、ストッパーリン
グ１７２、すなわちプリズム１１２の位置調整を容易に
行なうことができる。
置がカセグレン鏡１２０の集光位置と一致するように調
整する。このプリズム１１２の中心位置調整は、赤外光
がカセグレン鏡１２０からプリズム１１２に入射して底
面で全反射し、再びプリズム１１２を介して出射して得
られる反射光の出力を見ながら行なうことができる。す
なわち、前述したようにプリズム１１２の中心位置とカ
セグレン鏡１２０の集光位置が一致した場合には、前記
検知器１４６の出力は最大となるため、ストッパーリン
グ１７２、すなわちプリズム１１２の位置調整を容易に
行なうことができる。
【００２２】また、本実施例においてプリズム１１２か
ら出射される反射光には、プリズム１１２と被測定物１
１０の境界面における全反射光のみならず、被測定物１
１０の反射光が混在することがある。すなわち、カセグ
レン鏡１２０からプリズム１１２に入射する光線のう
ち、プリズム１１２内で全反射を起こす臨界角θCは、
たとえばＺｎＳｅ（屈折率＝２．４）プリズムを用いて
屈折率＝１．５の被測定物を測定する場合には、３８．
７度となる。したがって、この臨界角より小さい入射角
で入射した光線は全反射を起こさず被測定物１１０の反
射によって再びカセグレン鏡１２０にもどる。
ら出射される反射光には、プリズム１１２と被測定物１
１０の境界面における全反射光のみならず、被測定物１
１０の反射光が混在することがある。すなわち、カセグ
レン鏡１２０からプリズム１１２に入射する光線のう
ち、プリズム１１２内で全反射を起こす臨界角θCは、
たとえばＺｎＳｅ（屈折率＝２．４）プリズムを用いて
屈折率＝１．５の被測定物を測定する場合には、３８．
７度となる。したがって、この臨界角より小さい入射角
で入射した光線は全反射を起こさず被測定物１１０の反
射によって再びカセグレン鏡１２０にもどる。
【００２３】このような全反射以外の反射光の混入をふ
せぐために、図４に示すようなマスクを用いることが好
適である。すなわち、プリズム１１２の上部にマスク１
８０を配置し、臨界角より小さい入射角の光束のプリズ
ム１１２への進入を防止している。ここで、被測定物の
屈折率によって臨界角は異なるが、一般にＺｎＳｅプリ
ズムでは屈折率１．５前後の被測定物を扱う場合が多
く、それに合せた大きさのマスクとすれば良い。
せぐために、図４に示すようなマスクを用いることが好
適である。すなわち、プリズム１１２の上部にマスク１
８０を配置し、臨界角より小さい入射角の光束のプリズ
ム１１２への進入を防止している。ここで、被測定物の
屈折率によって臨界角は異なるが、一般にＺｎＳｅプリ
ズムでは屈折率１．５前後の被測定物を扱う場合が多
く、それに合せた大きさのマスクとすれば良い。
【００２４】また、前記実施例においては一段のカセグ
レン鏡を用いたが、中心軸を一致させて同一方向に複数
のカセグレン鏡を直列に配置すれば、解像度に対する開
口数を大きくすることができるので、測定対象範囲の拡
大および全反射測定精度の向上、目視観察の容易化など
をはかることができる。
レン鏡を用いたが、中心軸を一致させて同一方向に複数
のカセグレン鏡を直列に配置すれば、解像度に対する開
口数を大きくすることができるので、測定対象範囲の拡
大および全反射測定精度の向上、目視観察の容易化など
をはかることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明にかかる全反
射測定装置によれば、測定箇所の選定時にはプリズムを
カセグレン副鏡の下方影部に位置させることとしたの
で、目視観察が極めて鮮明な像を用いて行ないえる。
射測定装置によれば、測定箇所の選定時にはプリズムを
カセグレン副鏡の下方影部に位置させることとしたの
で、目視観察が極めて鮮明な像を用いて行ないえる。
【図１】本発明にかかる全反射測定装置の概略構成の説
明図である。
明図である。
【図２】，
【図３】図１に示した全反射測定装置のプリズム移動手
段の説明図である。
段の説明図である。
【図４】前記図１に示した実施例に用いられるマスクの
説明図である。
説明図である。
【図５】全反射測定原理の説明図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 カセグレン主鏡及びカセグレン副鏡を有
し、前記副鏡、主鏡の順に反射された光を被測定物上に
集光し、反射光を主鏡、副鏡の順に反射させて得るカセ
グレン鏡と、前記カセグレン鏡副鏡の下部に配置された
全反射プリズムと、前記プリズムをカセグレン副鏡下方
の影部及び被測定物の被測定面間で移動可能とするプリ
ズム移動手段と、を備えた全反射測定装置において、 前記プリズム移動手段は、前記プリズムをその外周より
保持し、該プリズムと共に移動可能なプリズム保持部
と、 前記カセグレン主鏡のカセグレン副鏡対向開口の外周隣
接部より垂下する、上下動可能な移動軸と、 を備え、前記移動軸下端に前記プリズム保持部が設置さ
れていることを特徴とする全反射測定装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の全反射測定装置におい
て、 前記移動軸は、前記カセグレン主鏡の外周に沿って互い
に離隔配置された複数の移動軸よりなることを特徴とす
る全反射測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277892A JP3137404B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 全反射測定装置 |
| US08/006,770 US5347364A (en) | 1992-01-23 | 1993-01-21 | Total reflection measuring apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277892A JP3137404B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 全反射測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0712717A JPH0712717A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3137404B2 true JP3137404B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=12368308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3277892A Expired - Fee Related JP3137404B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 全反射測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5347364A (ja) |
| JP (1) | JP3137404B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4331596A1 (de) * | 1993-09-17 | 1995-03-23 | Boehringer Mannheim Gmbh | Verfahren zur quantitativen Analyse von Probenflüssigkeiten |
| US5581085A (en) * | 1995-03-06 | 1996-12-03 | Spectra-Tech, Inc. | Infrared microspectrometer accessory |
| US7304792B1 (en) * | 2003-08-25 | 2007-12-04 | J.A. Woollam Co., Inc. | System for sequentially providing aberation corrected electromagnetic radiation to a spot on a sample at multiple angles of incidence |
| JPH102860A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Olympus Optical Co Ltd | 微小物質検鏡装置 |
| US6141100A (en) * | 1997-08-15 | 2000-10-31 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Imaging ATR spectrometer |
| WO2002018914A1 (en) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | N & K Technology, Inc. | Reflectance spectroscopic apparatus with toroidal mirrors |
| US7255835B2 (en) * | 2001-09-04 | 2007-08-14 | North Carolina State University | Single pass attenuated total reflection fourier transform infrared microscopy apparatus and method for identifying protein secondary structure, surface charge and binding affinity |
| GB0608258D0 (en) * | 2006-04-26 | 2006-06-07 | Perkinelmer Singapore Pte Ltd | Spectroscopy using attenuated total internal reflectance (ATR) |
| US7633689B2 (en) | 2007-07-18 | 2009-12-15 | Asml Holding N.V. | Catadioptric optical system for scatterometry |
| JP5363199B2 (ja) | 2009-06-04 | 2013-12-11 | 日本分光株式会社 | 顕微全反射測定装置 |
| DE102010031189B4 (de) * | 2010-07-09 | 2014-04-03 | Bruker Optik Gmbh | ATR-Objektiv für ein IR-Mikroskop und Verfahren zu dessen Betrieb |
| US20140118819A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Corning Incorporated | Optical device, imaging system which incorporates the optical device and method implemented by the imaging system for imaging a specimen |
| US10598912B2 (en) | 2015-01-05 | 2020-03-24 | Shimadzu Corporation | Objective optical system for ATR measurement |
| US9863877B2 (en) * | 2015-09-23 | 2018-01-09 | Agilent Technologies, Inc. | Infrared spectrometer and scanner utilizing attenuated total reflection |
| CN114322944B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-09-12 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 同轴折返式导航与光谱一体化光学系统 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229611A (en) * | 1989-11-03 | 1993-07-20 | Horiba, Ltd. | Infrared microscopic spectrometer using the attenuated total reflection method |
| US5093580A (en) * | 1990-03-02 | 1992-03-03 | Spectra-Tech, Inc. | ATR objective and method for sample analyzation using an ATR crystal |
| US5200609A (en) * | 1991-08-27 | 1993-04-06 | Sting Donald W | Radiant energy spectroscopy system with diamond internal reflection element |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP3277892A patent/JP3137404B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-01-21 US US08/006,770 patent/US5347364A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712717A (ja) | 1995-01-17 |
| US5347364A (en) | 1994-09-13 |
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