JP3137108B2 - マイクロマシンスイッチ - Google Patents

マイクロマシンスイッチ

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JP3137108B2
JP3137108B2 JP11096949A JP9694999A JP3137108B2 JP 3137108 B2 JP3137108 B2 JP 3137108B2 JP 11096949 A JP11096949 A JP 11096949A JP 9694999 A JP9694999 A JP 9694999A JP 3137108 B2 JP3137108 B2 JP 3137108B2
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signal line
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    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
    • H01P1/127—Strip line switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/12—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage
    • H01H1/14—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage by abutting
    • H01H1/20—Bridging contacts

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ミリ波回路および
マイクロ波回路で使用されるマイクロマシンスイッチに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ミリ波回路およびマイクロ波回路で使用
されるスイッチ素子には、ＰＩＮダイオードスイッチ、
ＨＥＭＴスイッチ、マイクロマシンスイッチなどがあ
る。なかでもマイクロマシンスイッチは、他の素子に比
べて損失が少なく、低コスト・低消費電力であるという
特徴を有している。図１６は従来のマイクロマシンスイ
ッチの全体構成を示すブロック図である。また図１７は
図１６におけるスイッチ本体の構成を示す斜視図であ
る。
【０００３】図１７に示すように、高周波信号線１０１
ａ，１０１ｂは僅かな隙間を有して、基板１１０上に形
成されている。この高周波信号線１０１ａ，１０１ｂの
隙間の上部空間には、コンタクト１１１が高周波信号線
１０１ａ，１０１ｂと接離自在となるよう、支持手段１
１３により支持されている。支持手段１１３はポスト１
１３ａと、２本のアーム１１３ｂとにより構成されてい
る。ポスト１１３ａは高周波信号線１０１ａ，１０１ｂ
と離間して、基板１１０上に形成されている。ポスト１
１３ａの側面上部からは２本のアーム１１３ｂがのびて
おり、各アーム１１３ｂの先端にコンタクト１１１が取
り付けられている。
【０００４】一方、基板１１０上の高周波信号線１０１
ａ，１０１ｂの隙間、すなわちコンタクト１１１の直下
には、制御電極１１２が形成されている。この制御電極
１１２の厚さは高周波信号線１０１ａ，１０１ｂの厚さ
よりも薄い。制御装置１０５が接続された制御信号線１
０４は、この制御電極１１２に接続されている。制御装
置１０５は高周波信号線１０１ａ，１０１ｂの接続状態
を切り換える制御信号を出力するものである。したがっ
て、制御装置１０５から出力された制御信号は、制御信
号線１０４を介して制御電極１１２に印加される。
【０００５】次に、このマイクロマシンスイッチの動作
を説明する。制御電極１１２に制御信号として電圧が印
加された場合、例えば正の電圧が印加されると、制御電
極１１２の表面に正電荷が発生するとともに、対向する
コンタクト１１１の下面に静電誘導により負電荷が現
れ、両者間の吸引力によりコンタクト１１１は高周波信
号線１０１ａ，１０１ｂ側に引き寄せられる。
【０００６】このとき、コンタクト１１１の長さが高周
波信号線１０１ａ，１０１ｂの隙間よりも長いため、コ
ンタクト１１１が高周波信号線１０１ａ，１０１ｂの両
方に接触し、高周波信号線１０１ａ，１０１ｂがコンタ
クト１１１を介して高周波的に接続される。また、制御
電極１１２への正の電圧の印加が停止されると、吸引力
がなくなるので、アーム１１３ｂの復元力によりコンタ
クト１１１は元の離間した位置に戻る。これにより、高
周波信号線１０１ａ，１０１ｂが開放される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１６に示し
た従来のマイクロマシンスイッチでは、高周波信号線１
０１ａ，１０１ｂが接続されているときに流れる高周波
信号ＲＦが、制御電極１１２から制御信号線１０４へ漏
洩してしまうことがあった。高周波信号ＲＦが漏洩する
と、この漏洩した分だけ挿入損失が増大してしまう。ま
た、制御信号線１０４の形状によっては、漏洩した電力
が他の高周波信号線へ結合して、回路全体の特性に悪影
響を及ぼしたり、共振の原因になるという問題があっ
た。
【０００８】本発明はこのような課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、マイクロマシンスイ
ッチの挿入損失を低減することにある。また、他の目的
は、マイクロマシンスイッチが用いられる回路の高周波
特性を改善することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明のマイクロマシンスイッチは、制御信
号に基づきコンタクトを変位させる駆動手段と、駆動手
段に制御信号を与える第１の制御信号線と、第１の制御
信号線に接続されかつ高周波信号線に流れる高周波信号
の通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備える
ことにより特徴づけられる。この場合、第１の高周波信
号阻止手段の第１構成例は、一端が駆動手段に接続され
かつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で高周波信号
線の特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダン
スを有する高インピーダンス線路と、一端が高インピー
ダンス線路の他端に接続されるとともに他端が開放され
かつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で高インピー
ダンス線路の特性インピーダンスよりも小さな特性イン
ピーダンスを有する低インピーダンス線路とからなり、
第１の制御信号線は、高インピーダンス線路の他端に接
続されている。また、第１の高周波信号阻止手段の第２
構成例は、一端が駆動手段に接続されかつ高周波信号の
波長の約１／４の線路長で高周波信号線の特性インピー
ダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高イン
ピーダンス線路と、一方の電極が高インピーダンス線路
の他端に接続されるとともに他方の電極が接地に接続さ
れたキャパシタとからなり、第１の制御信号線は、高イ
ンピーダンス線路の他端に接続されている。また、第１
の高周波信号阻止手段の第３構成例は、インダクタンス
素子からなる。また、第１の高周波信号阻止手段の第４
構成例は、各高周波信号線の特性インピーダンスよりも
十分大きなインピーダンスを有する抵抗素子からなる。
このとき、抵抗素子は、第１の制御信号線に直列に挿入
されていてもよい。あるいは、抵抗素子は、一端が第１
の制御信号線に接続されるとともに他端が開放されてい
てもよい。このように、第１の制御信号線に上記のよう
な第１の高周波信号阻止手段を設けることにより、第１
の制御信号線への高周波信号の漏洩を防止できる。
【００１０】また、本発明のマイクロマシンスイッチ
は、コンタクトを支える支持手段と、制御信号に基づき
コンタクトを変位させる駆動手段と、駆動手段に制御信
号を与える第１の制御信号線と、第１の制御信号線に接
続されかつ高周波信号線に流れる高周波信号の通過を阻
止する第１の高周波信号阻止手段とを備えることにより
特徴づけられる。この場合、駆動手段の一構成例は、各
高周波信号線の間におけるコンタクトの直下に配置され
た制御電極からなる。このとき、支持手段は、導電性を
有しており、さらに、制御電極への制御信号の印加開始
時にコンタクトに静電誘導により発生する電荷を支持手
段を介して充電するとととに制御電極への制御信号の印
加停止時に電荷をコンタクトから支持手段を介して放電
する第２の制御信号線と、第２の制御信号線に接続され
かつ高周波信号線に流れる高周波信号の通過を阻止する
第２の高周波信号阻止手段とを備えていてもよい。ま
た、駆動手段の他の構成例は、各高周波信号線および各
高周波信号線間の隙間の両方と離間する位置に配置され
た下部電極と、下部電極と離間して対向するように支持
手段に取り付けられた上部電極とからなる。この場合、
制御信号は、下部電極に与えられてもよい。このとき、
支持手段は、上部電極とコンタクトとの間の部分が絶縁
性を有しており、さらに、下部電極への制御信号の印加
開始時に上部電極に静電誘導により発生する電荷を支持
手段を介して充電するとととに下部電極への制御信号の
印加停止時に電荷を上部電極から支持手段を介して放電
する第２の制御信号線と、第２の制御信号線に接続され
かつ高周波信号線に流れる高周波信号の通過を阻止する
第２の高周波信号阻止手段とを備えていてもよい。第２
の高周波信号阻止手段の第１構成例は、一端が支持手段
に接続されかつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で
高周波信号線の特性インピーダンスよりも大きな特性イ
ンピーダンスを有する高インピーダンス線路と、一端が
高インピーダンス線路の他端に接続されるとともに他端
が開放されかつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で
高インピーダンス線路の特性インピーダンスよりも小さ
な特性インピーダンスを有する低インピーダンス線路と
からなり、第２の制御信号線は、高インピーダンス線路
の他端に接続されている。また、第２の高周波信号阻止
手段の第２構成例は、一端が支持手段に接続されかつ高
周波信号の波長の約１／４の線路長で高周波信号線の特
性インピーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有
する高インピーダンス線路と、一方の電極が高インピー
ダンス線路の他端に接続されるとともに他方の電極が接
地に接続されたキャパシタとからなり、第２の制御信号
線は、高インピーダンス線路の他端に接続されている。
また、第１および第２の高周波信号阻止手段は、一端が
駆動手段に接続されかつ高周波信号の波長の約１／４の
線路長で高周波信号線の特性インピーダンスよりも大き
な特性インピーダンスを有する第１の高インピーダンス
線路と、一端が支持手段に接続されかつ高周波信号の波
長の約１／４の線路長で高周波信号線の特性インピーダ
ンスよりも大きな特性インピーダンスを有する第２の高
インピーダンス線路と、一方の電極が第１の高インピー
ダンス線路の他端に接続されるとともに他方の電極が第
２の高インピーダンス線路の他端に接続されたキャパシ
タとにより構成され、第１の高インピーダンス線路の他
端は、第１の制御信号線に接続され、第２の高インピー
ダンス線路の他端は、接地に接続されるように構成され
てもよい。また、第２の高周波信号阻止手段の第３構成
例は、インダクタンス素子からなる。また、第２の高周
波信号阻止手段の第４構成例は、各高周波信号線の特性
インピーダンスよりも十分大きなインピーダンスを有す
る抵抗素子からなる。このとき、抵抗素子は、第２の制
御信号線に直列に挿入されていてもよい。あるいは、抵
抗素子は、一端が第２の制御信号線に接続されるととも
に他端が開放されていてもよい。さらに、前述したマイ
クロマシンスイッチにおいて、支持手段は、上部電極と
コンタクトとの間の部分が絶縁性を有しており、制御信
号は、上部電極に与えられてもよい。この場合、上部電
極への制御信号の印加開始時に下部電極に静電誘導によ
り発生する電荷を充電するとととに上部電極への制御信
号の印加停止時に電荷を下部電極から放電する第２の制
御信号線と、第２の制御信号線に接続されかつ高周波信
号線に流れる高周波信号の通過を阻止する第２の高周波
信号阻止手段とを備えていてもよい。このように、第２
の制御信号線を介してコンタクト、上部電極または下部
電極に電荷の充放電を行うことにより、スイッチング動
作が安定するとともに、スイッチング速度が速くなる。
また、第２の制御信号線に上記のような第２の高周波信
号阻止手段を設けることにより、第２の制御信号線への
高周波信号の漏洩を防止できる。
【００１１】また、本発明のマイクロマシンスイッチ
は、各高周波信号線の間におけるコンタクトの直下に配
置されかつ制御信号に基づきコンタクトを変位させる制
御電極と、制御電極に制御信号を与える第１の制御信号
線と、第１の制御信号線に接続されかつ高周波信号線に
流れる高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号阻
止手段とを備え、コンタクトは、一方の高周波信号線の
端部から他方の高周波信号線の上方まで延在しているこ
とにより特徴づけられる。この場合、制御電極への制御
信号の印加開始時にコンタクトに静電誘導により発生す
る電荷を一方の高周波信号線を介して充電するとととに
制御電極への制御信号の印加停止時に電荷をコンタクト
から一方の高周波信号線を介して放電する第２の制御信
号線と、第２の制御信号線に接続されかつ高周波信号線
に流れる高周波信号の通過を阻止する第２の高周波信号
阻止手段とを備えていてもよい。また、第２の高周波信
号阻止手段の第１構成例は、一端が一方の高周波信号線
に接続されかつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で
高周波信号線の特性インピーダンスよりも大きな特性イ
ンピーダンスを有する高インピーダンス線路と、一端が
高インピーダンス線路の他端に接続されるとともに他端
が開放されかつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で
高インピーダンス線路の特性インピーダンスよりも小さ
な特性インピーダンスを有する低インピーダンス線路と
からなり、第２の制御信号線は、高インピーダンス線路
の他端に接続されている。また、第２の高周波信号阻止
手段の第２構成例は、一端が一方の高周波信号線に接続
されかつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で高周波
信号線の特性インピーダンスよりも大きな特性インピー
ダンスを有する高インピーダンス線路と、一方の電極が
高インピーダンス線路の他端に接続されるとともに他方
の電極が接地に接続されたキャパシタとからなり、第２
の制御信号線は、高インピーダンス線路の他端に接続さ
れている。また、第１および第２の高周波信号阻止手段
は、一端が駆動手段に接続されかつ高周波信号の波長の
約１／４の線路長で高周波信号線の特性インピーダンス
よりも大きな特性インピーダンスを有する第１の高イン
ピーダンス線路と、一端が一方の高周波信号線に接続さ
れかつ高周波信号の波長の約１／４の線路長で高周波信
号線の特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダ
ンスを有する第２の高インピーダンス線路と、一方の電
極が第１の高インピーダンス線路の他端に接続されると
ともに他方の電極が第２の高インピーダンス線路の他端
に接続されたキャパシタとにより構成され、第１の高イ
ンピーダンス線路の他端は、第１の制御信号線に接続さ
れ、第２の高インピーダンス線路の他端は、接地に接続
されるように構成されてもよい。また、第２の高周波信
号阻止手段の第３構成例は、インダクタンス素子からな
る。また、第２の高周波信号阻止手段の第４構成例は、
各高周波信号線の特性インピーダンスよりも十分大きな
インピーダンスを有する抵抗素子からなる。このとき、
抵抗素子は、第２の制御信号線に直列に挿入されていて
もよい。あるいは、抵抗素子は、一端が第２の制御信号
線に接続されるとともに他端が開放されていてもよい。
このように、コンタクトが固定されている方の高周波信
号線に第２の制御信号線を介して電荷の充放電を行うこ
とにより、スイッチング動作が安定するとともに、スイ
ッチング速度が速くなる。また、第２の制御信号線に上
記のような第２の高周波信号阻止手段を設けることによ
り、第２の制御信号線への高周波信号の漏洩を防止でき
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明によるマイクロマシ
ンスイッチの第１の実施の形態の全体構成を示すブロッ
ク図である。また図２は図１におけるスイッチ本体の第
１構成例の斜視図である。
【００１３】図２に示すように、高周波信号線１ａ，１
ｂは僅かな隙間を有して、基板１０上に形成されてい
る。この高周波信号線１ａ，１ｂの隙間の上部空間に
は、コンタクト１１が高周波信号線１ａ，１ｂと接離自
在となるよう、支持手段１３により支持されている。支
持手段１３はポスト１３ａとアーム１３ｂとにより構成
されている。ポスト１３ａは高周波信号線１ａ，１ｂと
離間して、基板１０上に形成されている。アーム１３ｂ
はポスト１３ａの側面上部から高周波信号線１ａ，１ｂ
の隙間の上部空間まで延在している。コンタクト１１は
このアーム１３ｂの先端部下面に取り付けられている。
【００１４】一方、基板１０上の高周波信号線１ａ，１
ｂの隙間、すなわちコンタクト１１の直下には、制御電
極１２が形成されている。この制御電極１２の厚さは高
周波信号線１ａ，１ｂの厚さよりも薄い。図２に示すス
イッチ本体２は、以上のコンタクト１１と支持手段１３
と制御電極１２とにより構成される。なお、コンタクト
１１の下面には、絶縁膜（図示せず）が形成されていて
もよい。
【００１５】制御装置５が接続された第１の制御信号線
４は、第１の高周波信号阻止手段３を介して、この制御
電極１２に接続されている。ここで、制御装置５は高周
波信号線１ａ，１ｂの接続状態を切り換える制御信号を
出力するものである。また、第１の高周波信号阻止手段
３は、高周波信号線１ａ，１ｂが接続されているときに
流れる高周波信号ＲＦの通過を阻止するものである。
【００１６】したがって、制御装置５から出力された制
御信号は、第１の制御信号線４および第１の高周波信号
阻止手段３を介して、制御電極１２に印加される。後述
するように、制御電極１２に電圧が印加されるか否かに
よりコンタクト１１の変位が制御されるので、制御電極
１２はコンタクト１１の駆動手段としての機能を有して
いる。
【００１７】次に、このマイクロマシンスイッチの動作
を説明する。制御電極１２に制御信号として電圧が印加
された場合、例えば正の電圧が印加されると、制御電極
１２の表面に正電荷が発生するとともに、対向するコン
タクト１１の下面に静電誘導により負電荷が現れ、両者
間の吸引力によりコンタクト１１は高周波信号線１ａ，
１ｂ側に引き寄せられる。コンタクト１１の長さが高周
波信号線１ａ，１ｂの隙間よりも長いため、コンタクト
１１が高周波信号線１ａ，１ｂの両方に接触し、高周波
信号線１ａ，１ｂがコンタクト１１を介して高周波的に
接続される。このとき、高周波信号線１ａから１ｂへ高
周波信号ＲＦが流れるが、第１の高周波信号阻止手段３
により第１の制御信号線４への高周波信号ＲＦの流入は
阻止される。
【００１８】一方、制御電極１２への正の電圧の印加が
停止されると、吸引力がなくなるので、アーム１３ｂの
復元力によりコンタクト１１は元の離間した位置に戻
る。これにより、高周波信号線１ａ，１ｂが開放され
る。
【００１９】次に、図３〜図７を用いて、図１における
第１の高周波信号阻止手段３の構成例について説明す
る。まず、第１の高周波信号阻止手段３の第１構成例に
ついて説明する。図３はこの第１構成例を示す図であ
り、図３（Ａ）は回路図、図３（Ｂ）は平面図である。
第１の高周波信号阻止手段３の第１構成例は、高インピ
ーダンスλ／４線路２１と低インピーダンスλ／４線路
２２とにより構成されるフィルタ２０である。高インピ
ーダンスλ／４線路２１は、線路長が約λ／４（λは高
周波信号ＲＦの波長）であり、高周波信号線１ａ，１ｂ
よりも大きな特性インピーダンスを有している。また、
低インピーダンスλ／４線路２２は、線路長が約λ／４
であり、高インピーダンスλ／４線路２１よりも小さな
特性インピーダンスを有している。
【００２０】これらの線路２１，２２の特性インピーダ
ンスの値は、高周波信号線１ａ，１ｂの特性インピーダ
ンスに応じて決められ、例えば高周波信号線１ａ，１ｂ
の特性が一般的な５０Ωであれば、高インピーダンスλ
／４線路２１の特性インピーダンスは概ね７０〜２００
Ω（すなわち、高周波信号線１ａ，１ｂの特性インピー
ダンスの１．４〜４倍）程度、低インピーダンスλ／４
線路２２の特性インピーダンスは概ね２０〜４０Ω（す
なわち、高周波信号線１ａ，１ｂの特性インピーダンス
の０．４〜０．８倍）程度であることが望ましい。
【００２１】高インピーダンスλ／４線路２１の一端は
制御電極１２に接続され、他端は低インピーダンスλ／
４線路２２の一端に接続される。低インピーダンスλ／
４線路２２の他端は開放される。さらに、高インピーダ
ンスλ／４線路２１の他端（すなわち、線路２１と２２
の接続点２３）には、高インピーダンスの第１の制御信
号線４が接続される。
【００２２】以下、このフィルタ２０の動作原理を簡単
に説明する。上述したように、低インピーダンスλ／４
線路２２の他端は開放されている。このため、この他端
よりλ／４経た接続点２３から低インピーダンスλ／４
線路２２側をみたときのインピーダンスは０Ωとなるの
で、接続点２３で高周波的に接地されている状態と等価
となる。したがって、この接続点２３に第１の制御信号
線４を並列に接続しても、接続点２３でのインピーダン
スは０Ωのままであり、高周波の振る舞いに影響を与え
ない。
【００２３】さらに、制御電極１２は接続点２３から線
路長λ／４の高インピーダンスλ／４線路２２を経て接
続されているので、制御電極１２からフィルタ２０側を
みたときのインピーダンスは無限大（∞Ω）となる。し
たがって、制御電極１２からフィルタ２０側には高周波
は流れないので、高周波的にはフィルタ２０と第１の制
御信号線４とがない状態と等価となる。ここで説明した
フィルタ２０の構成は、一般にバイアスティーと呼ばれ
ているが、特定の周波数帯のみ遮断するので、一種の帯
域阻止フィルタとして動作する。
【００２４】次に、第１の高周波信号阻止手段３の第２
構成例について説明する。図４はこの第２構成例を示す
図であり、図４（Ａ）は回路図、図４（Ｂ）は平面図で
ある。第１の高周波信号阻止手段３の第２構成例は、高
インピーダンスλ／４線路３１と、キャパシタ３２と、
接地３３とにより構成されるフィルタ３０である。図４
（Ａ）に示すように、高インピーダンスλ／４線路３１
の一端は制御電極１２に接続され、他端はキャパシタ３
２の一方の電極に接続される。また、このキャパシタ３
２の他方の電極は接地３３に接続される。さらに、高イ
ンピーダンスλ／４線路３１が接続されるキャパシタ３
２の一方の電極には、第１の制御信号線４が接続され
る。
【００２５】キャパシタ３２は図４（Ｂ）に示すよう
に、前記一方の電極となる電極３４と、前記他方の電極
となる接地された電極３３ａと、電極３４，３３ａ間に
介挿された絶縁膜３５とにより構成できる。高インピー
ダンスλ／４線路３１は、線路長が約λ／４であり、高
周波信号線１ａ，１ｂよりも大きな特性インピーダンス
を有している。高インピーダンスλ／４線路３１の特性
インピーダンスの最適値は、図３における高インピーダ
ンスλ／４線路２１と同様に決められる。
【００２６】以下、このフィルタ３０の動作原理を簡単
に説明する。キャパシタ３２は十分な容量を有してお
り、高インピーダンスλ／４線路３１とキャパシタ３２
との接続点は高周波的に接地されているのと等価とな
り、インピーダンスは０Ωとなる。したがって、図３の
場合と同様、この接続点に第１の制御信号線４をさらに
接続しても、高周波的には影響がない。さらに、制御電
極１２はキャパシタ３２から線路長λ／４の高インピー
ダンスλ／４線路３１を経て接続されているので、制御
電極１２からフィルタ３０側をみたときのインピーダン
スは無限大（∞Ω）、つまり制御電極１２からフィルタ
３０側に高周波信号ＲＦが流れない状態となる。ここで
説明したフィルタ３０もバイアスティーの一種であり、
帯域阻止フィルタとして動作する。
【００２７】次に、第１の高周波信号阻止手段３の第３
構成例について説明する。図５はこの第３構成例を示す
図であり、図５（Ａ）は回路図、図５（Ｂ），（Ｃ）は
平面図である。図５（Ａ）に示すように第１の高周波信
号阻止手段３として、インダクタンス素子からなるフィ
ルタ４０を使用することもできる。より具体的には、図
５（Ｂ）に示すスパイラルインダクタ４１、および図５
（Ｃ）に示すミアンダラインインダクタ４２などを使用
できる。これら誘導性の回路素子は、直流〜低周波数で
は低インピーダンスであるが、高周波数では高インピー
ダンスを示すので、低域通過フィルタとして動作する。
ただし、カットオフ周波数は、高周波信号ＲＦの周波数
よりも低く設定される。
【００２８】このような分布定数素子だけでなく、コイ
ルなどの集中定数素子を外付けして利用してもよい。な
お、低域通過フィルタとしては、特性インピーダンスの
異なる線路を多段縦続接続して構成したフィルタなど、
他のタイプのフィルタも利用できる。
【００２９】次に、第１の高周波信号阻止手段３の第４
構成例について説明する。図６はこの第４構成例を示す
図であり、図６（Ａ）は回路図、図６（Ｂ）は平面図で
ある。図６（Ａ）に示すように、第１の高周波信号阻止
手段３として抵抗素子５１を第１の制御信号線４に直列
に挿入して、高周波信号ＲＦの流入を阻止することもで
きる。
【００３０】抵抗素子５１のインピーダンスの値は、高
周波信号線１ａ，１ｂの特性インピーダンスの２倍以上
であればよいが、概ね２０倍以上に設定されることが望
ましい。すなわち、高周波信号線１ａ，１ｂの特性が一
般的な５０Ωであれば、抵抗素子５１のインピーダンス
は概ね１ｋΩ以上に決められる。このように抵抗素子５
１のインピーダンスを決めることにより、高周波信号線
１ａ，１ｂと整合がとれなくなるので、第１の制御信号
線４への高周波信号ＲＦの漏洩を抑制できる。
【００３１】この抵抗素子５１の作成には、例えば真空
蒸着またはスパッタリングにより薄膜抵抗素子を形成す
る方法、半導体ｎ層またはｎ+ 層を流用する方法などを
利用できる。第１の制御信号線４への高周波信号ＲＦの
漏洩を防止するために図３〜図５に示したフィルタ２
０，３０，４０を追加するとマイクロマシンスイッチの
全体寸法が大きくなるが、図６に示した抵抗素子５１を
利用することにより全体寸法を大きくすることなく上記
の目的を達成できる。なお、図７に示すように抵抗素子
５１を第１の制御信号線４に並列に接続（つまり、抵抗
素子５１の一端を第１の制御信号線４に接続するととも
に、他端を開放）しても、共振の発生防止には有効であ
る。
【００３２】（第２の実施の形態）図８は本発明による
マイクロマシンスイッチの第２の実施の形態の全体構成
を示すブロック図である。また、図９はこのマイクロマ
シンスイッチの一構成例を示す図であり、図９（Ａ）は
回路図、図９（Ｂ）は平面図である。図９に示したマイ
クロマシンスイッチは、図３に示したマイクロマシンス
イッチのコンタクト１１を、支持手段１３′、第２の高
周波信号阻止手段３ａとしてのフィルタ２０ａおよび第
２の制御信号線４ａを介して接地したものである。
【００３３】支持手段１３′は導電性を有する部材、す
なわち導体または半導体で形成されている点を除き、図
２における支持手段１３と同じ構成をしている。また、
フィルタ２０ａは図３におけるフィルタ２０と同様の構
成をしており、高インピーダンスλ／４線路２１ａと低
インピーダンスλ／４線路２２ａとから構成されてい
る。高インピーダンスλ／４線路２１ａの一端は支持手
段１３′に接続され、他端は低インピーダンスλ／４線
路２２ａの一端に接続されている。低インピーダンスλ
／４線路２２ａの他端は開放されている。さらに、高イ
ンピーダンスλ／４線路２１ａの他端（すなわち、線路
２１ａと２２ａの接続点２３ａ）には、接地５ａに接続
された第２の制御信号線４ａが接続されている。
【００３４】このようにしてコンタクト１１を接地する
ことにより、制御電極１２への制御信号の印加開始時に
はコンタクト１１に静電誘導により発生する電荷を素早
く充電でき、制御信号の印加停止時には蓄積された電荷
を素早く放電できる。したがって、マイクロマシンスイ
ッチのスイッチング動作が安定するとともに、スイッチ
ング速度が速くなる。このとき、高周波信号線１ａ，１
ｂに流れる高周波信号ＲＦの通過を阻止するフィルタ２
０ａが第２の制御信号線４ａに接続されているので、高
周波信号線１ａ，１ｂから第２の制御信号線４ａへ高周
波信号ＲＦは漏洩しない。したがって、挿入損失の増加
や高周波特性の劣化といった問題は生じない。
【００３５】なお、コンタクト１１と制御信号線４ａと
は必ずしも直流的に導通している必要はなく、その間に
キャパシタが接続されていても容量が十分大きければ、
コンタクト１１と制御信号線４ａとが高周波的に接続さ
れるので、前述の充放電の効果が得られる。
【００３６】第２の高周波信号阻止手段３ａには、フィ
ルタ２０のほか、図４，５に示したフィルタ３０，４
０、および図６，７に示した抵抗素子５１を利用でき
る。もちろん、第１の高周波信号阻止手段３の構成と第
２の高周波信号阻止手段３ａの構成とが異なる組合わせ
であってもよい。ただし、第１，第２の高周波信号阻止
手段３，３ａをともにフィルタ３０で構成すれば、第
１，第２の高周波信号阻止手段３，３ａの構成を簡略化
できる。図１０は第１，第２の高周波信号阻止手段３，
３ａの両方をフィルタ３０で構成したときのマイクロマ
シンスイッチの構成図であり、図１０（Ａ）は回路図、
図１０（Ｂ）は平面図である。
【００３７】このマイクロマシンスイッチは、図１０
（Ｂ）に示すように、図４（Ｂ）に示したマイクロマシ
ンスイッチのポストを高インピーダンスλ／４線路３１
ａで接地電極３３ａに接続するだけで構成できる。ここ
で、高インピーダンスλ／４線路３１ａは、制御電極１
２と電極３４とを接続する高インピーダンスλ／４線路
３１と同様の構成をしている。図１０（Ａ）において、
高インピーダンスλ／４線路（第１の高インピーダンス
線路）３１と、キャパシタ３２と、接地３３とにより第
１の高周波信号阻止手段３が構成される。また、高イン
ピーダンスλ／４線路（第２の高インピーダンス線路）
３１ａと、キャパシタ３２と、第１の制御信号線４とに
より第２の高周波信号阻止手段３ａが構成される。この
ように第１，第２の高周波信号阻止手段３，３ａの間で
構成部品を共用することにより、マイクロマシンスイッ
チを小型化できる。
【００３８】以上、図２に示した構成のスイッチ本体２
に本発明を適用した場合について説明したが、本発明は
第１の制御信号線４または第２の制御信号線４ａに高周
波信号阻止手段を挿入することを特徴とするものであ
り、スイッチ本体２は図２の構成に限定されない。以
下、図１１〜図１４を用いて、スイッチ本体２の他の構
成例について説明する。
【００３９】まず、スイッチ本体２の第２構成例につい
て説明する。図１１はこの第２構成例を示す図であり、
図１１（Ａ）は平面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）に
おけるXIB−XIB′線断面を示す断面図、図１１（Ｃ）は
図１１（Ａ）におけるXIC−XIC′線断面を示す断面図、
図１１（Ｄ）は図１１（Ａ）におけるXID−XID′線断面
を示す断面図である。図１１に示すように、高周波信号
線１ａ，１ｂは僅かな隙間を有して、基板１０上に形成
されている。この高周波信号線１ａ，１ｂの隙間の上部
空間には、コンタクト６１が高周波信号線１ａ，１ｂと
接離自在となるよう、支持手段により支持されている。
【００４０】支持手段はポスト６３ａとアーム６３ｂと
絶縁部材６３ｃとにより構成されている。ポスト６３ａ
は高周波信号線１ａ，１ｂと離間して、基板１０上に形
成されている。アーム６３ｂはポスト６３ａの側面上部
から、後述する下部電極６２の上方までのびており、ア
ーム６３ｂの先端部下面に絶縁部材６３ｃの基部が固定
されている。この絶縁部材６３ｃはアーム６３ｂの先端
部下面から高周波信号線１ａ，１ｂの隙間の上方まで延
在しており、この絶縁部材６３ｃの先端部下面にコンタ
クト６１が取り付けられている。また、絶縁部材６３ｃ
の先端部上面に補強部材６４が取り付けられている。
【００４１】さらに、高周波信号線１ａ，１ｂの隙間と
ポスト６３ａとの間（すなわち、高周波信号線１ａ，１
ｂおよびその隙間の両方と離間して）の基板１０上に、
下部電極６２が形成されている。そして、下部電極６２
と離間して対向するように、上部電極６１ａが絶縁部材
６３ｃの基部下面に取り付けられている。上部・下部電
極６１ａ，６２の厚みは、コンタクト６１が高周波信号
線１ａ，１ｂに接触したときでも、上部・下部電極６１
ａ，６２が接触しないように設定される。図１１に示す
スイッチ本体２は、以上のコンタクト６１と、支持手段
と、補強部材６４と、下部電極６２と、上部電極６１ａ
とにより構成される。
【００４２】制御信号を印加する第１の制御信号線４は
下部電極６２に接続されており、高周波信号ＲＦの通過
を阻止する第１の高周波信号阻止手段３はこの第１の制
御信号線４に接続される。図１１では第１の高周波信号
阻止手段３として抵抗素子５１が例示されているが、第
１の高周波信号阻止手段３としてフィルタ２０，３０，
４０も使用可能である。
【００４３】このような構成において、下部電極６２に
制御信号として電圧が印加されると、図２と同じ原理で
下部電極６２と上部電極６１ａとの間に吸引力が発生
し、上部電極６１ａが下部電極６２側に引き寄せられ
る。コンタクト６１は、絶縁部材６３ｃにより上部電極
６１ａと連結されているので、上部電極６１ａに連動し
て変位する。そして、コンタクト６１が高周波信号線１
ａ，１ｂの両方に接触すると、高周波信号線１ａ，１ｂ
が高周波的に接続される。
【００４４】一方、下部電極６２への電圧の印加が停止
されると、上部・下部電極６１，６１ａ間の吸引力がな
くなるので、上部電極６１ａが元の位置に戻る。これに
連動してコンタクト６１も元の離間した位置に戻り、高
周波信号線１ａ，１ｂが開放される。このように下部電
極６２に制御信号が印加されたときの上部電極６１ａの
動作によりコンタクト６１の変位が制御されるので、上
部電極６１ａおよび下部電極６２はコンタクト６１の駆
動手段として機能する。
【００４５】また、図１１に示すように第２の制御信号
線４ａをポスト６３ａに接続して、下部電極６２に制御
信号を印加したとき静電誘導により上部電極６１ａに発
生する電荷を第２の制御信号線４ａを介して充放電する
ようにしてもよい。このとき、ポスト６３ａおよびアー
ム６３ｂは導電性を有しており、かつ上部電極６１ａは
このアーム６３ｂに電気的に接続されている必要があ
る。具体的には、図１１（Ｃ），（Ｄ）に示すように上
部電極６１ａとアーム６３ｂとの間にコンタクト６３ｄ
を形成する、または上部電極６１ａをアーム６３ｂの先
端部上面に配置するなどして、上部電極６１ａとアーム
６３ｂとを電気的に接続できる。さらに、第２の制御信
号線４ａには第２の高周波信号阻止手段３ａが接続され
る。この第２の高周波信号阻止手段３ａとしては、例示
されている抵抗素子５１ａのほか、フィルタ２０ａ，３
０ａ，４０ａも使用可能である。
【００４６】なお、図１１では制御信号が下部電極６２
に与えられているが、制御信号が上部電極６１ａに与え
られるように構成してもよい。この場合、第１の制御信
号線４はポスト６３ａに接続される。ポスト６３ａおよ
びアーム６３ｂは導電性を有しており、かつ上部電極６
１ａはこのアーム６３ｂに電気的に接続されている必要
がある。このとき、静電誘導により下部電極６２に発生
する電荷の充放電を行う第２の制御信号線４ａを、下部
電極６２に接続してもよい。
【００４７】次に、スイッチ本体２の第３構成例につい
て説明する。図１２はこの第３構成例を示す図であり、
図１２（Ａ）は平面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）に
おけるXIIB−XIIB′線断面を示す断面図である。図１２
に示すように、高周波信号線１ａ，１ｂは僅かな隙間を
有して、基板１０上に形成されている。高周波信号線１
ｂの端部には、導電性部材からなるポスト７５が形成さ
れている。さらにポスト７５の上面には、やはり導電性
部材からなるコンタクト７１の基部が固定されている。
このコンタクト７１は、ポスト７５の上面から高周波信
号線１ａ端部の上方まで延在している。また、基板１０
上の高周波信号線１ａ，１ｂの隙間、すなわちコンタク
ト７１の直下には、制御電極（駆動手段）７２が形成さ
れている。図１２に示すスイッチ本体２は、以上のポス
ト７５とコンタクト７１と制御電極７２とにより構成さ
れる。
【００４８】制御電極７２には制御信号を印加する第１
の制御信号線４が接続されており、さらに高周波信号Ｒ
Ｆの通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段３がこの
第１の制御信号線４に接続されている。図１２では第１
の高周波信号阻止手段３として抵抗素子５１が例示され
ているが、第１の高周波信号阻止手段３としてフィルタ
２０，３０，４０も使用可能である。また、図１２に示
すように第２の制御信号線４ａを高周波信号線１ｂに接
続して、制御電極７２に制御信号を印加したとき静電誘
導によりコンタクト７１に発生する電荷を第２の制御信
号線４ａを介して充放電するようにしてもよい。このと
き、第２の制御信号線４ａには第２の高周波信号阻止手
段３ａが接続される。この第２の高周波信号阻止手段３
ａとしては、例示されている抵抗素子５１ａのほか、フ
ィルタ２０ａ，３０ａ，４０ａも使用可能である。
【００４９】このような構成において、制御電極７２に
制御信号として電圧が印加されると、図２と同じ原理で
制御電極７２とコンタクト７１との間に吸引力が発生す
る。この吸引力によりコンタクト７１が基板１０側に湾
曲して、コンタクト７１の先端が高周波信号線１ａの端
部と接触すると、高周波信号線１ａ，１ｂが高周波的に
接続される。一方、制御電極７２への電圧の印加が停止
されると、吸引力がなくなるのでコンタクト７１は元の
離間した位置に戻る。これにより、高周波信号線１ａ，
１ｂが開放される。図１２の構成では、図２および図１
１のような複雑な形状のコンタクト支持手段が不要であ
る。したがって、マイクロマシンスイッチの構成を簡素
化できる。
【００５０】次に、スイッチ本体２の第４構成例につい
て説明する。図１３はこの第４構成例の一形態を示す図
であり、図１３（Ａ）は回路図、図１３（Ｂ）は平面
図、図１３（Ｃ）は図１３（Ｂ）におけるXIIIC−XIII
C′線断面を示す断面図である。図１３に示すように、
高周波信号線１ａ〜１ｃが基板上に形成されている。高
周波信号線１ａの一端は僅かな隙間をもって高周波信号
線１ｂと隔てられており、高周波信号線１ａの他端はキ
ャパシタ８６を介して高周波信号線１ｃと接続されてい
る。キャパシタ８６は高周波信号線１ａと１ｃとの間に
絶縁膜８６ａを介挿することにより構成されている。
【００５１】高周波信号線１ｂの端部には、導電性部材
からなるポスト８５が形成されている。さらにポスト８
５の上面には、やはり導電性部材からなるコンタクト８
１の基部が固定されている。このコンタクト８１は、ポ
スト８５の上面から高周波信号線１ａの一端の上方まで
延在している。コンタクト８１の先端部下面には絶縁膜
８１ａが形成されている。図１３に示すスイッチ本体２
は、以上のポスト８５とコンタクト８１と絶縁膜８１ａ
とキャパシタ８６とにより構成される。制御信号を印加
する第１の制御信号線４は、高周波信号ＲＦの通過を阻
止する第１の高周波信号阻止手段３を介して、高周波信
号線１ａに接続されている。図１３では第１の高周波信
号阻止手段３としてフィルタ２０が例示されているが、
第１の高周波信号阻止手段３としてフィルタ３０，４
０、抵抗素子５１も使用可能である。
【００５２】このような構成において、高周波信号線１
ａに制御信号として電圧が印加されると、図２と同じ原
理で高周波信号線１ａとコンタクト８１の対向部分に吸
引力が発生する。この吸引力によりコンタクト８１が基
板１０側に湾曲して、コンタクト８１先端部の絶縁膜が
高周波信号線１ａと接触すると、容量結合により高周波
信号線１ａ，１ｂが高周波的に接続される。このとき高
周波信号線１ｃと１ａの間も高周波は短絡されるので、
高周波信号線１ａ〜１ｃが高周波的に接続される。な
お、絶縁膜８１ａ，８６ａにより高周波信号線１ａは１
ｂ，１ｃと直流および低周波的に絶縁されているので、
高周波信号線１ａに与えられた制御信号が高周波信号線
１ｂ，１ｃへ漏れることはない。
【００５３】一方、高周波信号線１ａへの電圧の印加が
停止されると、吸引力がなくなるのでコンタクト８１お
よび絶縁膜８１ａは元の離間した位置に戻る。これによ
り、高周波信号線１ａ，１ｂが開放される。このように
高周波信号線１ａに電圧が印加されるか否かによりコン
タクト８１および絶縁膜８１ａの変位が制御されるの
で、高周波信号線１ａはコンタクト８１の駆動手段とし
ての機能を兼ね備えている。図１３の構成では図１２と
同様に複雑な形状のコンタクト支持手段が不要なので、
マイクロマシンスイッチの構成を簡素化できる。
【００５４】また、図１４（Ａ）に示すように第２の制
御信号線４ａを高周波信号線１ｂに接続して、高周波信
号線１ａに制御信号を印加したとき静電誘導によりコン
タクト８１に発生する電荷を第２の制御信号線４ａを介
して充放電するようにしてもよい。このとき、第２の制
御信号線４ａには第２の高周波信号阻止手段３ａが接続
される。この第２の高周波信号阻止手段３ａとしては、
例示されている抵抗素子５１ａのほか、フィルタ２０
ａ，３０ａ，４０ａも使用可能である。また、図１４
（Ｂ）に示すように第１，第２の高周波信号阻止手段
３，３ａを構成してもよい。なお、図１３，１４ではコ
ンタクト８１の高周波信号線１ｂ側が固定された構造と
なっているが、逆にコンタクト８１の高周波信号線１ａ
側が固定された構造となっていてもよい。
【００５５】ところで、本発明によるマイクロマシンス
イッチは、すべての構成を基板１０上に形成してもよい
し、構成の一部をチップ化してこれを基板１０に搭載・
実装することによりマイクロマシンスイッチを形成して
もよい。ここでチップ化とは、単位回路を半導体プロセ
スなどにより別基板上に多数一括形成して単位回路ごと
に切り出し、さらに基板１０に搭載・実装するための加
工を施すことをいう。
【００５６】図１５はスイッチ本体２をチップ化したも
のを基板１０に実装して図３に示したマイクロマシンス
イッチを形成したときの平面図である。チップ９０に
は、スイッチ本体２とともに、スイッチの固定接点とな
る高周波信号線１ａ，１ｂの端部１ａａ，１ｂｂが形成
される。一方、基板１０上には、高周波信号線１ａ，１
ｂの端部を除く部分、高インピーダンスλ／４線路２
１、低インピーダンスλ／４線路２２および第１の制御
信号線４が配線されている。この基板１０にチップ９０
を実装することにより、図３に示したマイクロマシンス
イッチと同等の機能を実現できる。しかも、チップ９０
単体の不良検査を実施できるので、マイクロマシンスイ
ッチが使用される回路全体の歩留まりを向上できるとい
う利点もある。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波信号線に流れる高周波信号の通過を阻止する第１
の高周波信号阻止手段を第１の制御信号線に接続するこ
とにより、高周波信号線から第１の制御信号線への高周
波信号の漏洩を防止できる。したがって、マイクロマシ
ンスイッチの挿入損失を低減できる。また、第１の制御
信号線から他の高周波信号線への電磁的結合を防止でき
るので、マイクロマシンスイッチが使用される回路の高
周波特性を改善できる。
【００５８】また、マイクロマシンスイッチの形態に応
じて、コンタクト、上部電極、下部電極またはコンタク
トが固定されている方の高周波信号線に信号線を接続
し、この信号線を介して電荷の充放電を行う。これによ
り、スイッチング動作が安定するとともに、スイッチン
グ速度が速くなる。このとき、高周波信号線に流れる高
周波信号の通過を阻止する第２の高周波信号阻止手段を
信号線に接続することにより、高周波信号線から信号線
への高周波信号の漏洩を防止できる。したがって、挿入
損失の増加や高周波特性の劣化といった問題は生じな
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるマイクロマシンスイッチの第１
の実施の形態の全体構成を示すブロック図である。
【図２】 スイッチ本体の第１構成例の斜視図である。
【図３】 第１の高周波信号阻止手段の第１構成例を示
す図である。
【図４】 第１の高周波信号阻止手段の第２構成例を示
す図である。
【図５】 第１の高周波信号阻止手段の第３構成例を示
す図である。
【図６】 第１の高周波信号阻止手段の第４構成例を示
す図である。
【図７】 第１の高周波信号阻止手段の第５構成例を示
す図である。
【図８】 本発明によるマイクロマシンスイッチの第２
の実施の形態の全体構成を示すブロック図である。
【図９】 図８に示したマイクロマシンスイッチの一構
成例を示す図である。
【図１０】 第１，第２の高周波信号阻止手段の両方を
図４に示したフィルタで構成したときのマイクロマシン
スイッチの構成図である。
【図１１】 スイッチ本体の第２構成例を示す図であ
る。
【図１２】 スイッチ本体の第３構成例を示す図であ
る。
【図１３】 スイッチ本体の第４構成例の一形態を示す
図である。
【図１４】 スイッチ本体の第４構成例の他の形態を示
す図である。
【図１５】 スイッチ本体をチップ化したものを基板に
実装して図３に示したマイクロマシンスイッチを形成し
たときの平面図である。
【図１６】 従来のマイクロマシンスイッチの全体構成
を示すブロック図である。
【図１７】 図１６におけるスイッチ本体の構成を示す
斜視図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ，１ｃ…高周波信号線、１ａａ，１ｂｂ…端
部、２…スイッチ本体、３…第１の高周波信号阻止手
段、３ａ…第２の高周波信号阻止手段、４…第１の制御
信号線、４ａ…第２の制御信号線、５…制御装置、５
ａ，３３…接地、１０…基板、１１，６１，７１，８１
…コンタクト、１２，７２…制御電極、１３，１３′…
支持手段、１３ａ，６３ａ，７５，８５…ポスト、１３
ｂ，６３ｂ…アーム、２０，２０ａ，３０，４０…フィ
ルタ、２１，２１ａ，３１，３１ａ…高インピーダンス
λ／４線路、２２，２２ａ…低インピーダンスλ／４線
路、２３，２３ａ…接続点、３２，８６…キャパシタ、
３３ａ，３４…電極、３５，８１ａ，８６ａ…絶縁膜、
４１…スパイラルインダクタ、４２…ミアンダラインイ
ンダクタ、５１…抵抗素子、６１ａ…上部電極、６２…
下部電極、６３ｃ…絶縁部材、６４…補強部材、９０…
チップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01H 59/00 H01P 1/12 B81B 3/00

Claims (31)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成されかつコンタクトを変位
    させることにより２つの高周波信号線の接続状態を切り
    換えるマイクロマシンスイッチにおいて、 制御信号に基づき前記コンタクトを変位させる駆動手段
    と、 前記駆動手段に前記制御信号を与える第１の制御信号線
    と、 前記第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号線
    に流れる高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号
    阻止手段とを備えることを特徴とするマイクロマシンス
    イッチ。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のマイクロマシンスイッチ
    において、 前記第１の高周波信号阻止手段は、 一端が前記駆動手段に接続されかつ前記高周波信号の波
    長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の特性インピ
    ーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高イ
    ンピーダンス線路と、 一端が前記高インピーダンス線路の他端に接続されると
    ともに他端が開放されかつ前記高周波信号の波長の約１
    ／４の線路長で前記高インピーダンス線路の特性インピ
    ーダンスよりも小さな特性インピーダンスを有する低イ
    ンピーダンス線路とからなり、 前記第１の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
    他端に接続されていることを特徴とするマイクロマシン
    スイッチ。
  3. 【請求項３】 請求項１記載のマイクロマシンスイッチ
    において、 前記第１の高周波信号阻止手段は、 一端が前記駆動手段に接続されかつ前記高周波信号の波
    長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の特性インピ
    ーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高イ
    ンピーダンス線路と、 一方の電極が前記高インピーダンス線路の他端に接続さ
    れるとともに他方の電極が接地に接続されたキャパシタ
    とからなり、 前記第１の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
    他端に接続されていることを特徴とするマイクロマシン
    スイッチ。
  4. 【請求項４】 請求項１記載のマイクロマシンスイッチ
    において、 前記第１の高周波信号阻止手段は、インダクタンス素子
    からなることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  5. 【請求項５】 請求項１記載のマイクロマシンスイッチ
    において、 前記第１の高周波信号阻止手段は、前記各高周波信号線
    の特性インピーダンスよりも十分大きなインピーダンス
    を有する抵抗素子からなることを特徴とするマイクロマ
    シンスイッチ。
  6. 【請求項６】 請求項５記載のマイクロマシンスイッチ
    において、 前記抵抗素子は、前記第１の制御信号線に直列に挿入さ
    れていることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  7. 【請求項７】 請求項５記載のマイクロマシンスイッチ
    において、 前記抵抗素子は、一端が前記第１の制御信号線に接続さ
    れるとともに他端が開放されていることを特徴とするマ
    イクロマシンスイッチ。
  8. 【請求項８】 基板上に形成されかつコンタクトを変位
    させることにより２つの高周波信号線の接続状態を切り
    換えるマイクロマシンスイッチにおいて、 前記コンタクトを支える支持手段と、 制御信号に基づき前記コンタクトを変位させる駆動手段
    と、 前記駆動手段に前記制御信号を与える第１の制御信号線
    と、 前記第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号線
    に流れる高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号
    阻止手段とを備えることを特徴とするマイクロマシンス
    イッチ。
  9. 【請求項９】 請求項８記載のマイクロマシンスイッチ
    において、 前記駆動手段は、前記各高周波信号線の間における前記
    コンタクトの直下に配置された制御電極からなることを
    特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載のマイクロマシンスイッ
    チにおいて、 前記支持手段は、導電性を有しており、 前記制御電極への前記制御信号の印加開始時に前記コン
    タクトに静電誘導により発生する電荷を前記支持手段を
    介して充電するとととに、前記制御電極への前記制御信
    号の印加停止時に前記電荷を前記コンタクトから前記支
    持手段を介して放電する第２の制御信号線と、 前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号線
    に流れる前記高周波信号の通過を阻止する第２の高周波
    信号阻止手段とを備えることを特徴とするマイクロマシ
    ンスイッチ。
  11. 【請求項１１】 請求項８記載のマイクロマシンスイッ
    チにおいて、 前記駆動手段は、 前記各高周波信号線および前記各高周波信号線間の隙間
    の両方と離間する位置に配置された下部電極と、 前記下部電極と離間して対向するように前記支持手段に
    取り付けられた上部電極とからなることを特徴とするマ
    イクロマシンスイッチ。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記制御信号は、前記下部電極に与えられることを特徴
    とするマイクロマシンスイッチ。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記支持手段は、前記上部電極と前記コンタクトとの間
    の部分が絶縁性を有しており、 前記下部電極への前記制御信号の印加開始時に前記上部
    電極に静電誘導により発生する電荷を前記支持手段を介
    して充電するとととに、前記下部電極への前記制御信号
    の印加停止時に前記電荷を前記上部電極から前記支持手
    段を介して放電する第２の制御信号線と、 前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号線
    に流れる前記高周波信号の通過を阻止する第２の高周波
    信号阻止手段とを備えることを特徴とするマイクロマシ
    ンスイッチ。
  14. 【請求項１４】 請求項１０または１３記載のマイクロ
    マシンスイッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、 一端が前記支持手段に接続されかつ前記高周波信号の波
    長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の特性インピ
    ーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高イ
    ンピーダンス線路と、 一端が前記高インピーダンス線路の他端に接続されると
    ともに他端が開放されかつ前記高周波信号の波長の約１
    ／４の線路長で前記高インピーダンス線路の特性インピ
    ーダンスよりも小さな特性インピーダンスを有する低イ
    ンピーダンス線路とからなり、 前記第２の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
    他端に接続されていることを特徴とするマイクロマシン
    スイッチ。
  15. 【請求項１５】 請求項１０または１３記載のマイクロ
    マシンスイッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、 一端が前記支持手段に接続されかつ前記高周波信号の波
    長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の特性インピ
    ーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高イ
    ンピーダンス線路と、 一方の電極が前記高インピーダンス線路の他端に接続さ
    れるとともに他方の電極が接地に接続されたキャパシタ
    とからなり、 前記第２の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
    他端に接続されていることを特徴とするマイクロマシン
    スイッチ。
  16. 【請求項１６】 請求項１０または１３記載のマイクロ
    マシンスイッチにおいて、 前記第１および第２の高周波信号阻止手段は、 一端が前記駆動手段に接続されかつ前記高周波信号の波
    長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の特性インピ
    ーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する第１
    の高インピーダンス線路と、 一端が前記支持手段に接続されかつ前記高周波信号の波
    長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の特性インピ
    ーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する第２
    の高インピーダンス線路と、 一方の電極が前記第１の高インピーダンス線路の他端に
    接続されるとともに他方の電極が前記第２の高インピー
    ダンス線路の他端に接続されたキャパシタとにより構成
    され、 前記第１の高インピーダンス線路の他端は、前記第１の
    制御信号線に接続され、 前記第２の高インピーダンス線路の他端は、接地に接続
    されていることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  17. 【請求項１７】 請求項１０または１３記載のマイクロ
    マシンスイッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、インダクタンス素子
    からなることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  18. 【請求項１８】 請求項１０または１３記載のマイクロ
    マシンスイッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、前記各高周波信号線
    の特性インピーダンスよりも十分大きなインピーダンス
    を有する抵抗素子からなることを特徴とするマイクロマ
    シンスイッチ。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記抵抗素子は、前記第２の制御信号線に直列に挿入さ
    れていることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  20. 【請求項２０】 請求項１８記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記抵抗素子は、一端が前記第２の制御信号線に接続さ
    れるとともに他端が開放されていることを特徴とするマ
    イクロマシンスイッチ。
  21. 【請求項２１】 請求項１１記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記支持手段は、前記上部電極と前記コンタクトとの間
    の部分が絶縁性を有しており、 前記制御信号は、前記上部電極に与えられることを特徴
    とするマイクロマシンスイッチ。
  22. 【請求項２２】 請求項２１記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記上部電極への前記制御信号の印加開始時に前記下部
    電極に静電誘導により発生する電荷を充電するととと
    に、前記上部電極への前記制御信号の印加停止時に前記
    電荷を前記下部電極から放電する第２の制御信号線と、 前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号線
    に流れる前記高周波信号の通過を阻止する第２の高周波
    信号阻止手段とを備えることを特徴とするマイクロマシ
    ンスイッチ。
  23. 【請求項２３】 基板上に形成されかつコンタクトを変
    位させることにより２つの高周波信号線の接続状態を切
    り換えるマイクロマシンスイッチにおいて、 前記各高周波信号線の間における前記コンタクトの直下
    に配置されかつ制御信号に基づき前記コンタクトを変位
    させる制御電極と、 前記制御電極に前記制御信号を与える第１の制御信号線
    と、 前記第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号線
    に流れる高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号
    阻止手段とを備え、 前記コンタクトは、一方の前記高周波信号線の端部から
    他方の前記高周波信号線の上方まで延在していることを
    特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  24. 【請求項２４】 請求項２３記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記制御電極への前記制御信号の印加開始時に前記コン
    タクトに静電誘導により発生する電荷を前記一方の高周
    波信号線を介して充電するとととに、前記制御電極への
    前記制御信号の印加停止時に前記電荷を前記コンタクト
    から前記一方の高周波信号線を介して放電する第２の制
    御信号線と、 前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号線
    に流れる前記高周波信号の通過を阻止する第２の高周波
    信号阻止手段とを備えることを特徴とするマイクロマシ
    ンスイッチ。
  25. 【請求項２５】 請求項２４記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、 一端が前記一方の高周波信号線に接続されかつ前記高周
    波信号の波長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の
    特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダンスを
    有する高インピーダンス線路と、 一端が前記高インピーダンス線路の他端に接続されると
    ともに他端が開放されかつ前記高周波信号の波長の約１
    ／４の線路長で前記高インピーダンス線路の特性インピ
    ーダンスよりも小さな特性インピーダンスを有する低イ
    ンピーダンス線路とからなり、 前記第２の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
    他端に接続されていることを特徴とするマイクロマシン
    スイッチ。
  26. 【請求項２６】 請求項２４記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、 一端が前記一方の高周波信号線に接続されかつ前記高周
    波信号の波長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の
    特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダンスを
    有する高インピーダンス線路と、 一方の電極が前記高インピーダンス線路の他端に接続さ
    れるとともに他方の電極が接地に接続されたキャパシタ
    とからなり、 前記第２の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
    他端に接続されていることを特徴とするマイクロマシン
    スイッチ。
  27. 【請求項２７】 請求項２４記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記第１および第２の高周波信号阻止手段は、 一端が前記駆動手段に接続されかつ前記高周波信号の波
    長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の特性インピ
    ーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する第１
    の高インピーダンス線路と、 一端が前記一方の高周波信号線に接続されかつ前記高周
    波信号の波長の約１／４の線路長で前記高周波信号線の
    特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダンスを
    有する第２の高インピーダンス線路と、 一方の電極が前記第１の高インピーダンス線路の他端に
    接続されるとともに他方の電極が前記第２の高インピー
    ダンス線路の他端に接続されたキャパシタとにより構成
    され、 前記第１の高インピーダンス線路の他端は、前記第１の
    制御信号線に接続され、 前記第２の高インピーダンス線路の他端は、接地に接続
    されていることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  28. 【請求項２８】 請求項２４記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、インダクタンス素子
    からなることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  29. 【請求項２９】 請求項２４記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記第２の高周波信号阻止手段は、前記各高周波信号線
    の特性インピーダンスよりも十分大きなインピーダンス
    を有する抵抗素子からなることを特徴とするマイクロマ
    シンスイッチ。
  30. 【請求項３０】 請求項２９記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記抵抗素子は、前記第２の制御信号線に直列に挿入さ
    れていることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
  31. 【請求項３１】 請求項２９記載のマイクロマシンスイ
    ッチにおいて、 前記抵抗素子は、一端が前記第２の制御信号線に接続さ
    れるとともに他端が開放されていることを特徴とするマ
    イクロマシンスイッチ。
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