JP2621692B2 - 高周波バイアス供給回路 - Google Patents
高周波バイアス供給回路Info
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- JP2621692B2 JP2621692B2 JP3164851A JP16485191A JP2621692B2 JP 2621692 B2 JP2621692 B2 JP 2621692B2 JP 3164851 A JP3164851 A JP 3164851A JP 16485191 A JP16485191 A JP 16485191A JP 2621692 B2 JP2621692 B2 JP 2621692B2
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- Japan
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- bias supply
- supply circuit
- frequency
- wavelength
- length
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/2007—Filtering devices for biasing networks or DC returns
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバイアス供給回路に関
し、特に分布定数線路を用いた高周波のバイアス供給回
路に関する。
し、特に分布定数線路を用いた高周波のバイアス供給回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の四分の一波長線路を用いた高周波
バイアス供給回路は、図５に示すように、主線路３に対
し、１本の四分の一波長線路４ａ及びコンデンサＣ１で
構成されている。この四分の一波長線路４ａは、動作周
波数において主線路３に対しＲＦ的には開放となってお
り、主線路３を通る主信号に影響を与えることなくバイ
アスを供給することができる。
バイアス供給回路は、図５に示すように、主線路３に対
し、１本の四分の一波長線路４ａ及びコンデンサＣ１で
構成されている。この四分の一波長線路４ａは、動作周
波数において主線路３に対しＲＦ的には開放となってお
り、主線路３を通る主信号に影響を与えることなくバイ
アスを供給することができる。
【０００３】図６は図５の回路を１５ＧＨｚ帯で用いた
場合のＲＦ特性図を示し、実線の主線路通過ロスは、１
５ＧＨｚをピークとしたなだらかな周波数特性が得らえ
ている。
場合のＲＦ特性図を示し、実線の主線路通過ロスは、１
５ＧＨｚをピークとしたなだらかな周波数特性が得らえ
ている。
【０００４】図７は図５のバイアス供給回路を複数個用
いた回路である。この場合、四分の一波長線路４ｂの各
々の間隔は任意であるが、その長さは所望の周波数に対
して四分の一波長になるよう設定されている。
いた回路である。この場合、四分の一波長線路４ｂの各
々の間隔は任意であるが、その長さは所望の周波数に対
して四分の一波長になるよう設定されている。
【０００５】この回路のＲＦ特性は、図８に示される。
この場合、平坦な通過周波数帯域は１５±３ＧＨｚ程度
であり、図６に示される場合よりも広帯域な特性となっ
ている。
この場合、平坦な通過周波数帯域は１５±３ＧＨｚ程度
であり、図６に示される場合よりも広帯域な特性となっ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これら従来のバイアス
供給回路では、四分の一波長線路４ｂの本数を増すこと
により、供給できる電流容量を増すことが可能である
が、使用できる周波数帯域が本数の増加に伴い広くはな
るものの、図８のように帯域内にリップルを生じ、結果
的に十分に広帯域にはできないという問題点があった。
供給回路では、四分の一波長線路４ｂの本数を増すこと
により、供給できる電流容量を増すことが可能である
が、使用できる周波数帯域が本数の増加に伴い広くはな
るものの、図８のように帯域内にリップルを生じ、結果
的に十分に広帯域にはできないという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、このような問題を解決
し、リップルのない広帯域な通過特性が得られるように
した高周波バイアス供給回路を提供することにある。
し、リップルのない広帯域な通過特性が得られるように
した高周波バイアス供給回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、主線路
の一方に所定間隔で所定長さの複数の四分の一波長線路
のバイアス供給線路を配設した高周波バイアス供給回路
において、前記バイアス供給線路の各所定長さは所望帯
域内で入出力反射係数を最小にし、通過損失の周波数特
性を最小にするように、同一ではないおおむね１／８〜
３／８波長の間の適切な長さに設定し、かつこれらバイ
アス供給線路の設置間隔を同一ではないおおむね１／８
〜３／８波長の適切な間隔に設定したことを特徴とす
る。
の一方に所定間隔で所定長さの複数の四分の一波長線路
のバイアス供給線路を配設した高周波バイアス供給回路
において、前記バイアス供給線路の各所定長さは所望帯
域内で入出力反射係数を最小にし、通過損失の周波数特
性を最小にするように、同一ではないおおむね１／８〜
３／８波長の間の適切な長さに設定し、かつこれらバイ
アス供給線路の設置間隔を同一ではないおおむね１／８
〜３／８波長の適切な間隔に設定したことを特徴とす
る。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例の回路を示す模式的
平面図である。ＲＦ信号を通す主線路３に対し、長さが
Ｌ１〜Ｌ６の四分の一波長線路４が６本付加されてい
る。各々の、主線路３の反対側の端子はコンデンサＣ１
〜Ｃ６を介してＲＦ的に接地され、バイアス供給端子２
に接続される。
平面図である。ＲＦ信号を通す主線路３に対し、長さが
Ｌ１〜Ｌ６の四分の一波長線路４が６本付加されてい
る。各々の、主線路３の反対側の端子はコンデンサＣ１
〜Ｃ６を介してＲＦ的に接地され、バイアス供給端子２
に接続される。
【００１０】ここで所望の周波数帯域の中心周波数ｆｃ
に対する四分の一波長の長さをＬｃとすると、各四分の
一波長線路４の長さＬ１〜Ｌ６及びその間隔ｂ１〜ｂ５
は Ｌ１〜Ｌ６＝Ｌｃ±５０％ ｂ１〜ｂ５＝Ｌｃ±５０％ なる範囲で、所望帯域内で次に説明する式（１０）を満
足するように適切な長さに設定される。
に対する四分の一波長の長さをＬｃとすると、各四分の
一波長線路４の長さＬ１〜Ｌ６及びその間隔ｂ１〜ｂ５
は Ｌ１〜Ｌ６＝Ｌｃ±５０％ ｂ１〜ｂ５＝Ｌｃ±５０％ なる範囲で、所望帯域内で次に説明する式（１０）を満
足するように適切な長さに設定される。
【００１１】図２はｎ本のバイアス供給線路の場合の等
価回路図である。このとき、主線路３およびバイアス供
給線路（４）のインピーダンスを各々Ｚo ，Ｚf ，長さ
をｂｎ，Ｌｎ（ｎ＝０〜ｎ）とするとＹn ＝１／Ｚn と
して次式が成り立つ。
価回路図である。このとき、主線路３およびバイアス供
給線路（４）のインピーダンスを各々Ｚo ，Ｚf ，長さ
をｂｎ，Ｌｎ（ｎ＝０〜ｎ）とするとＹn ＝１／Ｚn と
して次式が成り立つ。
【００１２】
【００１３】
【００１４】ここでβは位相定数であり、β＝２π／λ
g である。これら式（１）〜式（ｎｂ）において、所望
の帯域内において
g である。これら式（１）〜式（ｎｂ）において、所望
の帯域内において
【００１５】
【００１６】となるようにＬ１〜Ｌｎおよびｂ１〜ｂ
（ｎ−１）を設定する。すなわち、各バイアス供給線路
が有するリアクタンス成分Ｙf ｃｏｔβＬｎを広帯域に
わたり相互に打消しＹｎがＹｏとほぼ等しい状態を実現
している。
（ｎ−１）を設定する。すなわち、各バイアス供給線路
が有するリアクタンス成分Ｙf ｃｏｔβＬｎを広帯域に
わたり相互に打消しＹｎがＹｏとほぼ等しい状態を実現
している。
【００１７】本実施例では、Ｌを一定値Ｌｃに固定しな
いため、従来の回路よりも自由度が増し、より広帯域な
特性を実現することができる。
いため、従来の回路よりも自由度が増し、より広帯域な
特性を実現することができる。
【００１８】図３はｆｃ＝１５ＧＨｚとして設計した場
合の主線路３のＲＦ特性図であり、Ｌ１〜Ｌ６，ｂ１〜
ｂ５は次のように設定した場合である。 Ｌ１＝１．１Ｌｃ，Ｌ２＝１．３Ｌｃ，Ｌ３＝０．７Ｌ
ｃ，Ｌ４＝０．８Ｌｃ，Ｌ５＝１．２Ｌｃ，Ｌ６＝１．
０Ｌｃ，ｂ１＝０．８４Ｌｃ，ｂ２＝０．４４Ｌｃ，ｂ
３＝１．４Ｌｃ，ｂ４＝０．５２Ｌｃ，ｂ５＝１．０Ｌ
ｃ この場合には、図のように１０Ｇ〜２０ＧＨｚにわたっ
て良好な特性が得られている。
合の主線路３のＲＦ特性図であり、Ｌ１〜Ｌ６，ｂ１〜
ｂ５は次のように設定した場合である。 Ｌ１＝１．１Ｌｃ，Ｌ２＝１．３Ｌｃ，Ｌ３＝０．７Ｌ
ｃ，Ｌ４＝０．８Ｌｃ，Ｌ５＝１．２Ｌｃ，Ｌ６＝１．
０Ｌｃ，ｂ１＝０．８４Ｌｃ，ｂ２＝０．４４Ｌｃ，ｂ
３＝１．４Ｌｃ，ｂ４＝０．５２Ｌｃ，ｂ５＝１．０Ｌ
ｃ この場合には、図のように１０Ｇ〜２０ＧＨｚにわたっ
て良好な特性が得られている。
【００１９】図４は本発明の第２の実施例の模式的平面
図である。本実施例は、第１の実施例のコンデンサＣ１
〜Ｃ６のかわりにオープンスタブ６を用いたものである
が、同様の効果が得られることはいうまでもない。
図である。本実施例は、第１の実施例のコンデンサＣ１
〜Ｃ６のかわりにオープンスタブ６を用いたものである
が、同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、多数本の
長さの等しくない四分の一波長線路を非等間隔に配置す
ることにより、約オクターブの広帯域に渡って主線路の
信号に影響を与えることなく大電流のバイアスを供給で
きるという効果を有する。
長さの等しくない四分の一波長線路を非等間隔に配置す
ることにより、約オクターブの広帯域に渡って主線路の
信号に影響を与えることなく大電流のバイアスを供給で
きるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の模式的平面図。
【図２】図１のインピーダンス関係を説明する等価回路
図。
図。
【図３】図１の回路のＲＦ特性を表わす周波数特性図。
【図４】本発明の第２の実施例の模式的平面図。
【図５】従来のバイアス供給回路の一例の模式的平面
図。
図。
【図６】図５の回路のＲＦ特性を表わす周波数特性図。
【図７】従来の他のバイアス供給回路の模式的平面図。
【図８】図７の回路のＲＦ特性を示す周波数特性図。
１ ＲＦ端子 ２ バイアス供給端子 ３，３ａ，３ｂ 主線路 ４，４ａ，４ｂ 四分の一波長線路 ５ オープンスタブ Ｃ１〜Ｃ６ コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 主線路に所定間隔で所定長さの複数の四
分の一波長線路のバイアス供給線路を配設した高周波バ
イアス供給回路において、前記バイアス供給線路の各所
定長さは所望帯域内で入出力反射係数を最小にし、通過
損失の周波数特性を最小にするように、同一ではないお
おむね１／８〜３／８波長の間の適切な長さに設定し、
かつこれらバイアス供給線路の設置間隔を同一ではない
おおむね１／８〜３／８波長の適切な間隔に設定したこ
とを特徴とする高周波バイアス供給回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164851A JP2621692B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 高周波バイアス供給回路 |
| US07/907,376 US5272456A (en) | 1991-07-05 | 1992-07-01 | High-frequency bias supply circuit |
| AU19442/92A AU650601B2 (en) | 1991-07-05 | 1992-07-03 | High-frequency bias supply circuit |
| EP92306207A EP0521739B1 (en) | 1991-07-05 | 1992-07-06 | High-frequency bias supply circuit |
| DE69215589T DE69215589T2 (de) | 1991-07-05 | 1992-07-06 | Mikrowellen-Vorspannungseinstellungsschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164851A JP2621692B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 高周波バイアス供給回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514001A JPH0514001A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2621692B2 true JP2621692B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=15801127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3164851A Expired - Lifetime JP2621692B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 高周波バイアス供給回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5272456A (ja) |
| EP (1) | EP0521739B1 (ja) |
| JP (1) | JP2621692B2 (ja) |
| AU (1) | AU650601B2 (ja) |
| DE (1) | DE69215589T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2714217B1 (fr) * | 1993-12-17 | 1996-01-26 | Thomson Csf | Filtre hyperfréquence à résonateurs couplés accordés par des capacités variables, à structure triplaque et à agilité de fréquence. |
| JPH1056341A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Nec Corp | 電力増幅装置 |
| JP3462760B2 (ja) | 1997-09-04 | 2003-11-05 | 三洋電機株式会社 | 分布定数回路、高周波回路、バイアス印加回路およびインピーダンス調整方法 |
| JP3137108B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2001-02-19 | 日本電気株式会社 | マイクロマシンスイッチ |
| ITMI20030080A1 (it) * | 2003-01-21 | 2004-07-22 | Spray Plast Spa | Dispositivo spruzzatore semplificato. |
| DE102005027945B4 (de) * | 2005-06-16 | 2012-06-06 | Epcos Ag | Verlustarmes elektrisches Bauelement mit einem Verstärker |
| DE102007061413A1 (de) * | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Telegärtner Karl Gärtner GmbH | Hochpassfilter |
| JP5287286B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2013-09-11 | 富士通株式会社 | バイアス回路 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU470870B2 (en) * | 1973-10-29 | 1976-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filters employing elements with distributed constants |
| FR2539933A1 (fr) * | 1983-01-25 | 1984-07-27 | Thomson Csf | Filtre commutable pour micro-ondes |
| JPH0693584B2 (ja) * | 1984-06-01 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | バイアス回路 |
| JPS61237325A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-22 | 山本 誠二 | 作動片の駆動装置 |
| US4658220A (en) * | 1985-09-06 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Dual-gate, field-effect transistor low noise amplifier |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP3164851A patent/JP2621692B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-07-01 US US07/907,376 patent/US5272456A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-03 AU AU19442/92A patent/AU650601B2/en not_active Ceased
- 1992-07-06 DE DE69215589T patent/DE69215589T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-06 EP EP92306207A patent/EP0521739B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5272456A (en) | 1993-12-21 |
| DE69215589D1 (de) | 1997-01-16 |
| EP0521739B1 (en) | 1996-12-04 |
| DE69215589T2 (de) | 1997-03-27 |
| AU1944292A (en) | 1993-01-07 |
| EP0521739A1 (en) | 1993-01-07 |
| JPH0514001A (ja) | 1993-01-22 |
| AU650601B2 (en) | 1994-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970128 |