JPH1056341A - 電力増幅装置 - Google Patents

電力増幅装置

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JPH1056341A
JPH1056341A JP8211485A JP21148596A JPH1056341A JP H1056341 A JPH1056341 A JP H1056341A JP 8211485 A JP8211485 A JP 8211485A JP 21148596 A JP21148596 A JP 21148596A JP H1056341 A JPH1056341 A JP H1056341A
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JP
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voltage
power
load line
point
load
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JP8211485A
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Inventor
Norio Matsuno
典朗 松野
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NEC Corp
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NEC Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/301—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in MOSFET amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲインの低下、損失の増大、装置の大型化等
の問題を生じさせずに出力電圧振幅を大きくした電力増
幅装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の電力増幅装置は、バイアス点及
び負荷線の傾きが次のようにして設定されたものであ
る。即ち、本発明の電力増幅装置において、ソース接地
した電界効果型トランジスタのバイアス点は、Ａ級バイ
アス点よりもドレインバイアス電流の大きい点に設定さ
れている。また、本発明の電力増幅装置において、負荷
線の傾きは、第１の電圧Ｖ1 ＞第２の電圧Ｖ2 という関
係が成立するようにして設定されている。ここで、第１
の電圧Ｖ1 は、負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧か
ら電源電圧Ｖddを引いて求まる電圧である。また、第２
の電圧Ｖ2 は、電源電圧Ｖddからニー電圧Ｖkneeを引い
て求まる電圧である。更に、本発明の電力増幅装置に
は、出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電圧を
印加して動作させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波帯で用いら
れ、主として飽和増幅装置として用いられる電力増幅装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術により電力増幅装置を構成する
場合、Ａ級、ＡＢ級、Ｂ級、Ｃ級等のＤＣバイアス供給
方法が採用される。Ａ級は、負荷線が常にトランジスタ
の電流の流れる領域にあるように、バイアス点を決定す
るものであり、このようにして設計されたＡ級電力増幅
装置に対して正弦波を入力したときの出力波形は、電圧
及び電流共に正弦波となる。Ｂ級は、バイアス点をトラ
ンジスタの閾値電圧に決定するものであり、このように
して設計されたＢ級電力増幅装置に対して正弦派を入力
したときの出力波形は、正弦波の正の半サイクルだけを
取り出したような波形となる。尚、Ａ級と比較するとＢ
級の方が効率が高い反面線形性が悪くなる。ＡＢ級は、
バイアス点をＡ級とＢ級の間に決定するものであり、こ
のようにして設計されたＡＢ級電力増幅装置に対して正
弦波を入力したときの出力波形は、正弦波の下の部分を
切り取ったような波形となる。尚、効率及び線形性は、
Ａ級とＢ級の間になる。Ｃ級は、バイアス点を閾値電圧
以下に決定するものであり、このようにして設計された
Ｃ級電力増幅装置に対して正弦波を入力したときの出力
波形は、正弦波の頂点付近だけを取り出したような波形
となる。尚、効率は最も高く、線形性は最も悪くなる。
【０００３】また、負荷線の傾きは、小信号入力時の利
得と飽和出力に影響を及ぼすものであり、負荷線の傾き
を大きくすると小信号利得は低下し、飽和出力は向上す
る。これに対して、負荷線の傾きを小さくすると小信号
利得は向上し、飽和出力は低下する。
【０００４】従来技術の例として、ＡＢ級にバイアスさ
れたソース接地ＦＥＴを用いた電力増幅装置の構成を図
１１に示す。また、同じ電力増幅装置の負荷線を図１２
に示す。また、同じ電力増幅装置の出力電圧波形と出力
電流波形を図１３に示す。出力電圧振幅は、Ａ級の場合
で、電源電圧からニー電圧Ｖkneeを引いた電圧の２倍が
最大で、ＡＢ級、Ｂ級、Ｃ級ではこれ以下となる。ここ
で、ニー電圧Ｖkneeとは、ドレイン電流の増加が止まる
ときのドレイン電圧のことをいう。
【０００５】同じ電源電圧でより高い出力電力を得よう
とした場合、従来技術では、（ｉ）負荷インピーダンス
を小さくし出力電流を大きくとる、（ｉｉ）トランジス
タのサイズを大きくし出力電流を大きくとる、という２
種類の方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術の問題点として、以下のことを挙げることが
出来る。（ａ）負荷インピーダンスを下げた場合利得が
減少する、（ｂ）電流が大きくなるので損失が増大す
る、（ｃ）利得の減少と損失の増大に伴い付加電力効率
が悪化する、（ｄ）トランジスタのサイズを大きくした
場合増幅装置が大型化する。
【０００７】本発明は、以上述べた問題点を解決するも
のであり、その目的は、出力電圧振幅を大きくした増幅
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決すべく、以下に示す課題を提供する。
【０００９】即ち、本発明によれば、ソース接地した電
界効果型トランジスタのバイアス点が、Ａ級バイアス点
よりもドレインバイアス電流の大きい点に設定されてお
り、負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電圧
を引いて求まる電圧Ｖ1 と、電源電圧Ｖddと、負荷線と
ドレイン電流- ドレイン電圧特性の立ち上がりの部分の
交点で与えられるニー電圧Ｖkneeにより、Ｖ2 ＝Ｖdd−
Ｖkneeとして定義される電圧Ｖ2 との間に、Ｖ1 ＞Ｖ2
という関係が成立するように負荷線の傾きが設定されて
おり、出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電力
を印加して動作させることを特徴とする電力増幅装置が
得られる。
【００１０】また、本発明によれば、ソース接地した電
界効果型トランジスタのバイアス点が、Ａ級バイアス点
よりもドレインバイアス電流の大きい点に設定されてお
り、負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電圧
を引いて求まる電圧Ｖ1 と、電源電圧からニー電圧Ｖ
kneeを引いて求まる電圧Ｖ2 との間に、Ｖ1 ＞Ｖ2 とい
う関係が成立するように基本波に対する負荷が設定され
ており、更に偶数次高調波に対する負荷インピーダンス
が短絡になるように設定されており、奇数次高調波に対
する負荷インピーダンスが開放になるように設定されて
おり、出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電力
を印加して動作させることを特徴とする電力増幅装置が
得られる。
【００１１】また、本発明によれば、エミッタ接地した
バイポーラトランジスタのバイアス点が、Ａ級バイアス
点よりもコレクタバイアス電流の大きい点に設定されて
おり、負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電
圧Ｖccを引いて求まる電圧Ｖ1 と、電源電圧Ｖccとの間
に、Ｖ1 ＞Ｖccという関係が成立するように負荷線の傾
きが設定されており、出力電圧波が低電圧側で飽和する
だけの入力電力を印加して動作させることを特徴とする
電力増幅装置が得られる。
【００１２】更に、本発明によれば、エミッタ接地した
バイポーラトランジスタのバイアス点が、Ａ級バイアス
点よりもコレクタバイアス電流の大きい点に設定されて
おり、負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電
圧Ｖccを引いて求まる電圧Ｖ1 と、電源電圧Ｖccとの間
に、Ｖ1 ＞Ｖccという関係が成立するように基本波に対
する負荷が設定されており、偶数次高調波に対する負荷
インピーダンスが短絡になるように設定されており、奇
数次高調波に対する負荷インピーダンスが開放になるよ
うに設定されており、出力電圧波が低電圧側で飽和する
だけの入力電力を印加して動作させることを特徴とする
電力増幅装置が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
【００１４】（第１の実施の形態）第１の実施の形態の
電力増幅装置は、図１に示されるような構成を備えてい
る。即ち、本実施の形態の電力増幅装置は、ソース接地
された電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）１と、ＦＥＴ
１のゲートバイアス電圧を供給するバイアス供給回路２
と、ＦＥＴ１のゲート及びバイアス供給回路２に接続さ
れて基本波に対する負荷インピーダンスを最適化する整
合回路３と、ＦＥＴ１のドレインに接続されて基本波に
対する負荷インピーダンスを最適化する整合回路４と、
整合回路４に接続されてＦＥＴ１のドレインバイアス電
圧を供給するバイアス供給回路５とを備えている。
【００１５】また、本実施の形態の電力増幅装置は、バ
イアス点及び負荷線の傾きを以下に示すようにして決定
されている。
【００１６】即ち、本実施の形態において、バイアス点
は、図２に示されるように、Ａ級バイアス点よりもドレ
インバイアス電流の大きい点に設定されている。
【００１７】また、本実施の形態において、負荷線の傾
きは、次の条件を満たすようにして設定される。まず、
図２に示されるように、負荷線と電圧軸の交点より求ま
る電圧から電源電圧Ｖddを引いて求まる電圧を第１の電
圧Ｖ1 と定義する。次に電源電圧Ｖddからニー電圧Ｖ
kneeを引いて求まる電圧を第２の電圧Ｖ2 （＝Ｖdd−Ｖ
knee）と定義する。ここで、ニー電圧Ｖkneeは、負荷線
及びドレイン電流−ドレイン電圧特性の立ち上がり部分
の交点で与えられる。負荷線の傾きは、このようにして
定義された第１の電圧Ｖ1 及び第２の電圧Ｖ2 を用い
て、第１の電圧Ｖ1＞第２の電圧Ｖ2 という関係が成立
するようにして設定されている。
【００１８】本実施の形態においては、このようにして
設計された電力増幅装置に対して、出力電圧波が低電圧
側で飽和するだけの入力電圧を印加して動作させる。
【００１９】図１２に示される従来技術による電力増幅
装置（ＡＢ級）における負荷線と比較すると、図２に示
される本実施の形態の電力増幅装置における負荷線は、
その傾きが小さい。従って、本実施の形態における電力
増幅装置は、負荷抵抗が高い分、従来技術による電力増
幅装置よりも大きいゲインを得ることが出来るものであ
る。また、本実施の形態の電力増幅装置は、負荷抵抗が
高いため、整合回路の抵抗成分による損失を低く押さえ
ること出来るものである。
【００２０】更に、本実施の形態の電力増幅装置は、図
３に示されるような、出力電圧波形と出力電流波形とを
有する。従来技術のＡＢ級、Ｂ級、Ｃ級の電力増幅装置
では図３に示されるように出力電圧波形の高電圧側で飽
和するのに対し、本実施の形態の電力増幅装置では、図
６に示されるように出力電圧波形の低電圧側で飽和す
る。また、本実施の形態において、出力電圧振幅は、従
来技術で得られる最大値である、電源電圧Ｖddからニー
電圧Ｖkneeを引いた電圧の２倍を越えることが可能であ
る。このようにして、本発明によれば、出力電圧振幅を
大きくする事による高出力化が可能である。
【００２１】一方、電流と電圧の積に着目すると、本実
施の形態においては、図３に示されるように電流と電圧
の一方が常に０に近いので、高い効率を得ることが可能
になる。
【００２２】以下に、本実施の形態の一実施例を挙げ、
具体的に説明する。
【００２３】本具体例の電力増幅装置は、図４に示され
るような構成を備えている。また、本具体例の電力増幅
装置は、バイアス点及び負荷線を図５に示されるように
して設定されている。ここで、本具体例の電力増幅装置
におけるドレインバイアス電圧は３Ｖ、ゲートバイアス
電圧は２．５Ｖである。これに対して、比較対象とした
従来技術を用いた電力増幅装置におけるドレインバイア
ス電圧は３Ｖ、ゲートバイアス電圧は１．４Ｖである。
また、本具体例においても、電力増幅装置に対して、出
力電力波が低電圧側で飽和するだけの入力電圧を印加し
て動作させている。
【００２４】また、本具体例の電力増幅装置及び従来技
術を用いた電力増幅装置の夫々の入出力電力特性の大信
号シミュレーション結果は、図６に示されるようなもの
であった。
【００２５】図５に示されるように、従来技術における
負荷線と比較し、本具体例における負荷線の方が傾きが
小さい、即ち負荷抵抗が大きくなっている。従って、図
６に示されるように、本具体例の電力増幅装置は、従来
技術を用いた電力増幅装置よりも高いゲインを得られる
ことが理解される。
【００２６】また、本具体例の電力増幅装置は、図６に
示されるように、従来技術を用いた電力増幅装置よりも
高い出力電力及び付加電力効率を得ることができる。
【００２７】また、本具体例の電力増幅装置は、負荷抵
抗が高い分、従来技術を用いた電力増幅装置よりも、出
力の整合回路の抵抗分による電力損失を低く押さえるこ
とが出来る。
【００２８】更に、トランジスタが同等である場合、本
実施の形態における電力増幅装置の方が、従来技術を用
いた電力増幅装置よりも高いゲインと高い出力電力を得
ることから理解されるように、あるサイズのトランジス
タを備え、且つ従来技術を用いた電力増幅装置と同等の
ゲイン及び出力電圧を得たい場合、本実施の形態におけ
る電力装置では、従来技術を用いた電力増幅装置に用い
られているトランジスタよりゲート幅の小さいトランジ
スタを用いて達成することが出来る。即ち、本発明を適
用した電力増幅装置においては、従来技術を適用した電
力増幅装置と比較して、小型化を図ることが出来る。
【００２９】（第２の実施の形態）以下に、本発明の第
２の実施の形態について図７を用いて説明する。
【００３０】本実施の形態の電力増幅装置は、第１の実
施の形態の応用であり、第１の実施の形態と同様の動作
をするものについては、同じ参照符号を付してある。
【００３１】ここで、図７において、夫々１つのブロッ
クで示されている２つの「整合回路と高調波処理回路」
６及び７は、以下に示す理由により一つのブロックにま
とめてある。
【００３２】「整合回路」は、第１の実施の形態におい
て説明したとおり、基本波に対する負荷インピーダンス
を最適化する回路であり、「高調波処理回路」は、高調
波に対する負荷インピーダンスを最適化する回路であ
る。従って、この２つの回路は、別の役割をもつ回路で
あるが、実際に回路設計する際には、（ａ）トランジス
タに近い側に「整合回路」を設置し、遠い側に「高調波
処理回路」を設置する場合、（ｂ）トランジスタに近い
側に「高調波処理回路」を設置し、遠い側に「整合回
路」を設置する場合、（ｃ）「整合回路」と「高調波処
理回路」とを一つの回路で実現する場合などがあり、本
実施の形態においては、どの場合を適用しても成り立つ
ことから、２つの回路を１つのブロックとしてまとめて
ある。
【００３３】また、本実施の形態の電力増幅装置におい
て、バイアス点及び基本波に対する負荷線は、前述の第
１の実施の形態と同様、図２に示されるようにして、決
定されている。
【００３４】尚、本実施の形態の電力増幅装置に対して
も、出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電圧を
印加して動作させている。
【００３５】従って、本実施の形態の電力増幅装置は、
前述の第１の実施の形態の電力増幅装置と同様の効果を
有する。
【００３６】更に、本実施の形態の電力増幅装置は、高
調波処理回路において、偶数次高調波に対する負荷イン
ピーダンスを短絡にし、奇数次高調波に対する負荷イン
ピーダンスを開放にしている。
【００３７】従って、本実施の形態の電力増幅装置にお
いては、高調波の出力電力が０になり、前述の第１の実
施の形態における電力増幅装置よりも、更に高い効率を
得ることが出来る。
【００３８】（第３の実施の形態）以下に、本発明の第
３の実施の形態の電力増幅装置について、図８及び図９
を用いて説明する。
【００３９】本実施の形態の電力増幅装置は、図８に示
されるように、第１の実施の形態と比較して、ＦＥＴ１
の代わりにエミッタ接地されたバイポーラトランジスタ
９を用いて構成したものである。従って、他の構成要素
には、図１と同じ参照符号を付してある。
【００４０】また、本実施の形態の電力増幅装置は、バ
イアス点及び負荷線の傾きを以下に示すようにして決定
されている。
【００４１】即ち、本実施の形態において、バイアス点
は、図９に示されるように、Ａ級バイアス点よりもコレ
クタ電流の大きい点に設定されている。
【００４２】また、本実施の形態において、負荷線の傾
きは、次の条件を満たすようにして設定される。まず、
図９に示されるように、負荷線と電圧軸の交点より求ま
る電圧から電源電圧Ｖccを引いて求まる電圧を第１の電
圧Ｖ1 と定義する。負荷線の傾きは、第１の電圧Ｖ1 及
び電源電圧Ｖccを用いて、第１の電圧Ｖ1 ＞電源電圧Ｖ
ccという関係が成立するようにして設定されている。
尚、本実施の形態においても、前記関係は、正確には、
「第１の電圧Ｖ1 ＞第２の電圧Ｖ2 」であるが、バイポ
ーラトランジスタにおいて、ＦＥＴにおけるニー電圧に
相当する電圧が非常に低いことから、第１の電圧Ｖ1 ＞
電源電圧Ｖccとした。従って、本実施の形態における関
係「第１の電圧Ｖ1 ＞電源電圧Ｖcc」は、「第１の電圧
Ｖ1 ＞第２の電圧Ｖ2 」をも含む意味である。
【００４３】また、本実施の形態においても、このよう
にして設計された電力増幅装置に対して、出力電圧波が
低電圧側で飽和するだけの入力電圧を印加して動作させ
るものとする。
【００４４】このような構成を備えた本実施の形態の電
力増幅装置は、前述の第１の実施の形態の電力増幅装置
と同様の効果を持つものである。
【００４５】（第４の実施の形態）以下に、本発明の第
４の実施の形態について図１０を用いて説明する。
【００４６】本実施の形態の電力増幅装置は、第２及び
第３の実施の形態の応用であり、同様の動作をするもの
については、同じ参照符号を付してある。
【００４７】即ち、本実施の形態の電力増幅装置におい
て、バイアス点及び基本波に対する負荷線は、前述の第
３の実施の形態と同様、図９に示されるようにして、決
定されている。
【００４８】また、本実施の形態の電力増幅装置は、高
調波処理回路において、偶数次高調波に対する負荷イン
ピーダンスを短絡にし、奇数次高調波に対する負荷イン
ピーダンスを開放にしている。
【００４９】尚、本実施の形態の電力増幅装置に対して
も、出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電圧を
印加して動作させている。
【００５０】このような構成を備えた本実施の形態の電
力増幅装置は、第３の実施の形態の電力増幅装置と比較
して、高調波の出力電力が０になることから、更に高い
効率を得ることが出来るものである。
【００５１】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ゲインの低下、損失の増大、装置の大型化等の問題
を生じることなく、出力電圧振幅を大きくした電力増幅
装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の電力増幅装置の構
成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の電力増幅装置のバ
イアス点及び負荷線の傾きを示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の電力増幅装置の出
力電圧波形及び出力電流波形を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の電力増幅装置の一
具体例の構成を示す図である。
【図５】本発明の電力増幅装置（具体例）及び従来例の
電力増幅装置におけるバイアス点及び負荷線の傾きを示
す図である。
【図６】本発明の電力増幅装置（具体例）及び従来例の
電力増幅装置における負荷電力効率及びゲインを示す図
である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の電力増幅装置の構
成を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の電力増幅装置の構
成を示す図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態の電力増幅装置のバ
イアス点及び負荷線の傾きを示す図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態の電力増幅装置の
構成を示す図である。
【図１１】従来技術を用いた電力増幅装置の構成を示す
図である。
【図１２】従来技術を用いた電力増幅装置のバイアス点
及び負荷線の傾きを示す図である。
【図１３】従来技術を用いた電力増幅装置の出力電圧波
形及び出力電流波形を示す図である。
【符号の説明】
１ 電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ） ２ バイアス供給回路 ３ 整合回路 ４ 整合回路 ５ バイアス供給回路 ６ 整合回路高調波処理回路 ７ 整合回路高調波処理回路 ９ バイポーラトランジスタ Ｖ1 第１の電圧 Ｖ2 第２の電圧

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ソース接地した電界効果型トランジスタ
    のバイアス点が、Ａ級バイアス点よりもドレインバイア
    ス電流の大きい点に設定されており、 負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電圧を引
    いて求まる電圧を第１の電圧と定義し、前記電源電圧か
    ら前記負荷線とドレイン電流−ドレイン電圧特性の立ち
    上がりの部分との交点で与えられるニー電圧を引いて求
    まる電圧を第２の電圧と定義した場合に、前記第１の電
    圧が前記第２の電圧よりも大きくなるように、前記負荷
    線の傾きが設定されており、 出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電圧を印加
    して動作させることを特徴とする電力増幅装置。
  2. 【請求項２】 ソース接地した電界効果型トランジスタ
    のバイアス点が、Ａ級バイアス点よりもドレインバイア
    ス電流の大きい点に設定されており、 負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電圧を引
    いて求まる電圧を第１の電圧と定義し、前記電源電圧か
    ら前記負荷線とドレイン電流−ドレイン電圧特性の立ち
    上がり部分との交点で得られるニー電圧を引いて求まる
    電圧を第２の電圧と定義した場合に、前記第１の電圧が
    前記第２の電圧よりも大きくなるように、基本波に対す
    る負荷が設定されており、 偶数次高調波に対する負荷インピーダンスが、短絡にな
    るように設定されており、 奇数次高調波に対する負荷インピーダンスが、開放にな
    るように設定されており、 出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電力を印加
    して動作させることを特徴とする電力増幅装置。
  3. 【請求項３】 エミッタ接地したバイポーラトランジス
    タのバイアス点が、Ａ級バイアス点よりもコレクタバイ
    アス電流の大きい点に設定されており、 負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電圧を引
    いて求まる電圧を第１の電圧と定義した場合に、前記第
    １の電圧が前記電源電圧よりも大きくなるように前記負
    荷線の傾きが設定されており、 出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電力を印加
    して動作させることを特徴とする電力増幅装置。
  4. 【請求項４】 エミッタ接地したバイポーラトランジス
    タのバイアス点が、Ａ級バイアス点よりもコレクタバイ
    アス電流の大きい点に設定されており、 負荷線と電圧軸の交点より求まる電圧から電源電圧を引
    いて求まる電圧を第１の電圧と定義した場合に、前記第
    １の電圧が前記電源電圧よりも大きくなるように基本波
    に対する負荷が設定されており、 偶数次高調波に対する負荷インピーダンスが、短絡にな
    るように設定されており、 奇数次高調波に対する負荷インピーダンスが、開放にな
    るように設定されており、 出力電圧波が低電圧側で飽和するだけの入力電力を印加
    して動作させることを特徴とする電力増幅装置。
JP8211485A 1996-08-09 1996-08-09 電力増幅装置 Pending JPH1056341A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8211485A JPH1056341A (ja) 1996-08-09 1996-08-09 電力増幅装置
US08/908,980 US5942943A (en) 1996-08-09 1997-08-08 Electrical power amplifier device

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