JP2001136002A

JP2001136002A - 高周波回路

Info

Publication number: JP2001136002A
Application number: JP31493799A
Authority: JP
Inventors: Tsunehisa Marumoto; 恒久丸本
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-11-05
Filing date: 1999-11-05
Publication date: 2001-05-18

Abstract

(57)【要約】【課題】スイッチング素子としてマイクロマシンスイ
ッチが用いられる高周波回路の挿入損失を低減すると共
に、この高周波回路が用いられる回路の高周波特性を改
善する。【解決手段】マイクロマシンスイッチ４ａ，４ｂに制
御信号Ｓを印加する第１の制御信号線６に接続されかつ
高周波信号ＲＦの通過を阻止する第１の高周波信号阻止
手段７を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
のオン／オフ制御により高周波信号の通過状態を切り換
える高周波回路に関し、特に、スイッチング素子として
マイクロマシンスイッチが使用される高周波回路に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】スイッチング素子のオン／オフ制御によ
り高周波信号の通過状態を切り換える高周波回路の１つ
に移相器がある。図３０は、従来の移相器の一例を示す
ブロック図である。この図では、主線路１０１を伝搬す
る高周波信号ＲＦの波長をλとする。図３０に示した移
相器は、ローデッドライン形の移相器である。すなわ
ち、主線路１０１には先端開放された２本のスタブ１０
２ａ，１０２ｂが互いに約λ／４離れて接続されてお
り、更に、やはり先端開放された別の２本のスタブ１０
３ａ，１０３ｂがスタブ１０２ａ，１０２ｂの先端と離
間して配置されいている。スタブ１０２ａ，１０３ａ間
にはスイッチング素子１０４ａが配置されており、同じ
くスタブ１０２ｂ，１０３ｂ間にはスイッチング素子１
０４ｂが配置されている。

【０００３】スイッチング素子１０４ａ，１０４ｂは、
制御信号線１０６を介して、制御装置１０５に接続され
ている。この制御装置１０５は、スイッチング素子１０
４ａ，１０４ｂを同時にオン／オフ制御して、スタブ１
０２ａ，１０３ａおよびスタブ１０２ｂ，１０３ｂの接
続状態を同時に切り換える制御信号Ｓを出力するもので
ある。

【０００４】スイッチング素子１０４ａ，１０４ｂがオ
フであるとき、主線路１０１にはスタブ１０２ａ，１０
２ｂのみが装荷される。一方、スイッチング素子１０４
ａ，１０４ｂがオンとなると、これらスイッチング素子
１０４ａ，１０４ｂを介して、更にスタブ１０３ａ，１
０３ｂが装荷されることとなる。したがって、スイッチ
ング素子１０４ａ，１０４ｂをオン／オフ制御すること
により、主線路１０１に装荷されるスタブの電気長を変
化させることができる。

【０００５】主線路１０１側からみたスタブのサセプタ
ンスは、装荷されるスタブの電気長により変化する。そ
の一方で、このサセプタンスにより主線路１０１の通過
位相が変化する。したがって、スイッチング素子１０４
ａ，１０４ｂをオン／オフ制御することにより、主線路
１０１を伝搬する高周波信号ＲＦの移相量を切り換える
ことができる。

【０００６】この種の移相器について、最近、スイッチ
ング素子１０４ａ，１０４ｂとしてマイクロマシンスイ
ッチの使用可能性が指摘されている。このマイクロマシ
ンスイッチは、微細に機械加工されたスイッチング素子
であり、ＰＩＮダイオードスイッチなどの他の素子に比
べて損失が少なく、低コスト・低消費電力であるという
特徴を有している。

【０００７】図３１は、マイクロマシンスイッチの一構
成例を示す斜視図である。この図に示したマイクロマシ
ンスイッチ１１０ｂは、図３０に示したスイッチング素
子１０４ｂを構成するものとする。

【０００８】まず、このマイクロマシンスイッチ１１０
ｂの構成を説明する。スタブ１０２ｂ，１０３ｂは僅か
な隙間を隔てて基板１１９上に形成されている。このス
タブ１０２ｂ，１０３ｂの隙間の上部空間には、コンタ
クト１１１がスタブ１０２ｂ，１０３ｂと接離自在とな
るよう、支持手段１１３により片持ち支持されている。
支持手段１１３はポスト１１４と、２本のアーム１１５
とにより構成されている。ポスト１１４はスタブ１０２
ｂ，１０３ｂと離間して、基板１１９上に形成されてい
る。ポスト１１４の側面上部からは２本のアーム１１５
がのびており、各アーム１１５の先端にコンタクト１１
１が取り付けられている。

【０００９】一方、基板１１９上のスタブ１０２ｂ，１
０３ｂの隙間、すなわちコンタクト１１１の直下には、
制御電極１１２が形成されている。この制御電極１１２
の厚さはスタブ１０２ｂ，１０３ｂの厚さよりも薄い。
制御装置１０５が接続された制御信号線１０６は、この
制御電極１１２に接続されている。したがって、制御装
置１０５から出力された制御信号Ｓは、制御信号線１０
６を介して制御電極１１２に印加される。

【００１０】次に、このマイクロマシンスイッチ１１０
ｂの動作を説明する。制御電極１１２に制御信号Ｓとし
て電圧が印加される場合、例えば正の電圧が印加される
と、制御電極１１２の表面に正電荷が発生すると共に、
制御電極１１２と対向するコンタクト１１１の下面に静
電誘導により負電荷が現れ、両者間の吸引力によりコン
タクト１１１はスタブ１０２ｂ，１０３ｂ側に引き寄せ
られる。

【００１１】このとき、コンタクト１１１の長さがスタ
ブ１０２ｂ，１０３ｂの隙間よりも長いため、コンタク
ト１１１がスタブ１０２ｂ，１０３ｂの両方と接触し、
スタブ１０２ｂ，１０３ｂがコンタクト１１１を介して
高周波的に接続される。また、制御電極１１２への正の
電圧の印加が停止されると、吸引力がなくなるので、ア
ーム１１５の復元力によりコンタクト１１１は元の離間
した位置に戻る。これにより、スタブ１０２ｂ，１０３
ｂの高周波接続は開放される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図３０に示し
た従来の移相器で、スイッチング素子１０４ｂとして図
３１に示したマイクロマシンスイッチ１１０ｂをそのま
ま使用したのでは、スタブ１０２ｂ，１０３ｂの接続さ
れているときに流れる高周波信号ＲＦが、コンタクト１
１１から制御電極１１２へ電磁結合して、制御信号線１
０６へ漏洩してしまう。高周波信号ＲＦが漏洩すると、
この漏洩した分だけ挿入損失が増大してしまう。また、
制御信号線１０６の形状によっては、漏洩した電力が他
の線路へ結合して、回路全体の特性に悪影響を及ぼした
り、共振の原因になるという問題があった。

【００１３】本発明はこのような課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、スイッチング素子と
してマイクロマシンスイッチが用いられる高周波回路の
挿入損失を低減することにある。また、他の目的は、上
記の高周波回路が用いられる回路の高周波特性を改善す
ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明の高周波回路は、第１および第２の分
布定数線路の間を高周波的に接続および開放するマイク
ロマシンスイッチを制御することにより高周波信号の通
過状態を切り換える高周波回路において、マイクロマシ
ンスイッチを制御するための制御信号をマイクロマシン
スイッチに印加する第１の制御信号線と、この第１の制
御信号線に接続されかつ高周波信号の通過を阻止する第
１の高周波信号阻止手段とを備えることを特徴とする。
あるいは、第１の分布定数線路と接地との間を高周波的
に接続および開放するマイクロマシンスイッチを制御す
ることにより高周波信号の通過状態を切り換える高周波
回路において、マイクロマシンスイッチを制御するため
の制御信号をマイクロマシンスイッチに印加する第１の
制御信号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ高
周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段と
を備え、接地により第２の分布定数線路が構成されるこ
とを特徴とする。あるいは、第１および第２の分布定数
線路の間を高周波的に接続および開放するマイクロマシ
ンスイッチを制御することにより高周波信号の通過状態
を切り換える高周波回路において、マイクロマシンスイ
ッチは、第１および第２の電極を有し、さらに、マイク
ロマシンスイッチを制御するための制御信号を第１およ
び第２の電極の一方に印加する第１の制御信号線と、こ
の第１の制御信号線に接続されかつ高周波信号の通過を
阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備えることを特
徴とする。あるいは、第１の分布定数線路と接地との間
を高周波的に接続および開放するマイクロマシンスイッ
チを制御することにより高周波信号の通過状態を切り換
える高周波回路において、マイクロマシンスイッチは、
第１および第２の電極を有し、さらに、マイクロマシン
スイッチを制御するための制御信号を第１および第２の
電極の一方に印加する第１の制御信号線と、この第１の
制御信号線に接続されかつ高周波信号の通過を阻止する
第１の高周波信号阻止手段とを備え、接地により第２の
分布定数線路が構成されることを特徴とする。あるい
は、高周波信号が伝搬する主線路と、この主線路に接続
されると共に先端が開放された第１の分布定数線路と、
この第１の分布定数線路の先端と離間するように配置さ
れかつ先端が開放された第２の分布定数線路と、制御信
号に基づいて第１および第２の分布定数線路の間を高周
波的に接続および開放するマイクロマシンスイッチと、
このマイクロマシンスイッチに制御信号を印加する第１
の制御信号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ
高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段
とを備える。あるいは、高周波信号が伝搬する主線路
と、この主線路に接続されると共に先端が開放された第
１の分布定数線路と、この第１の分布定数線路の先端と
離間するように配置された接地と、制御信号に基づいて
第１の分布定数線路と接地との間を高周波的に接続およ
び開放するマイクロマシンスイッチと、このマイクロマ
シンスイッチに制御信号を印加する第１の制御信号線
と、この第１の制御信号線に接続されかつ高周波信号の
通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備え、接
地により第２の分布定数線路が構成される。あるいは、
互いに離間して配置された２本の線路からなる第１の分
布定数線路と、この第１の分布定数線路を構成する線路
の両方と各々離間して配置されかつ互いに電気長の異な
る２本の第２の分布定数線路と、第１の分布定数線路を
構成する線路の両方を高周波的に接続する第２の分布定
数線路を制御信号に基づいて切り換えることにより第１
の分布定数線路を伝搬する高周波信号の通過位相を変更
するマイクロマシンスイッチと、このマイクロマシンス
イッチに制御信号を印加する第１の制御信号線と、この
第１の制御信号線に接続されかつ高周波信号の通過を阻
止する第１の高周波信号阻止手段とを備える。あるい
は、第１および第２の分布定数線路の間を高周波的に接
続および開放するマイクロマシンスイッチを制御するこ
とにより通過周波数帯域または阻止周波数帯域を切り換
える高周波回路において、マイクロマシンスイッチを制
御するための制御信号をマイクロマシンスイッチに印加
する第１の制御信号線と、この第１の制御信号線に接続
されかつ高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号
阻止手段とを備える。このように、第１の制御信号線に
上記のような第１の高周波信号阻止手段を設けることに
より、第１の制御信号線への高周波信号の漏洩を防止で
きる。

【００１５】これらの高周波回路において、マイクロマ
シンスイッチの第１構成例は、第１および第２の分布定
数線路に対して接離自在に配置されかつ第１および第２
の分布定数線路の両方と接触したときに第１および第２
の分布定数線路を高周波的に接続するコンタクトと、こ
のコンタクトを支える支持手段と、第１および第２の分
布定数線路間の隙間におけるコンタクトの直下に配置さ
れた第１の電極とを備え、コンタクトは、第１の電極と
共にキャパシタ構造を構成する第２の電極であり、第１
の制御信号線は、第１および第２の電極の一方の電極に
電気的に接続される。また、マイクロマシンスイッチの
第２構成例は、第１および第２の分布定数線路に対して
接離自在に配置されかつ第１および第２の分布定数線路
の両方と接触したときに第１および第２の分布定数線路
を高周波的に接続するコンタクトと、このコンタクトを
支える支持手段と、第１および第２の分布定数線路自
体、およびこれらの間の隙間の両方と離間する位置に配
置された第１の電極と、この第１の電極と対向するよう
に支持手段に取り付けられかつ第１の電極と共にキャパ
シタ構造を構成する第２の電極とを備え、第１の制御信
号線は、第１および第２の電極の一方の電極に電気的に
接続される。この場合、マイクロマシンスイッチの支持
手段は、第２の電極とコンタクトとの間の部分が絶縁性
を有していてもよい。また、マイクロマシンスイッチの
第３構成例は、一端が第１および第２の分布定数線路の
一方に固定されると共に他端が第１および第２の分布定
数線路の他方と接離自在となるように形成されかつ他端
が第１および第２の分布定数線路の他方と接触したとき
に第１および第２の分布定数線路を高周波的に接続する
コンタクトと、第１および第２の分布定数線路間の隙間
におけるコンタクトの直下に配置された第１の電極とを
備え、コンタクトは、第１の電極と共にキャパシタ構造
を構成する第２の電極であり、第１の制御信号線は、第
１および第２の電極の一方の電極に電気的に接続され
る。

【００１６】また、上記の高周波回路において、第１の
高周波信号阻止手段の第１構成例は、マイクロマシンス
イッチに一端が接続されかつ高周波信号の波長の約１／
４の電気長で第１および第２の分布定数線路の特性イン
ピーダンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高
インピーダンス線路と、高インピーダンス線路の他端に
一端が接続されると共に他端が開放されかつ高周波信号
の波長の約１／４の電気長で高インピーダンス線路の特
性インピーダンスよりも小さな特性インピーダンスを有
する低インピーダンス線路とからなり、第１の制御信号
線は、高インピーダンス線路の他端に接続されている。
また、第１の高周波信号阻止手段の第２構成例は、マイ
クロマシンスイッチに一端が接続されかつ高周波信号の
波長の約１／４の電気長で第１および第２の分布定数線
路の特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダン
スを有する高インピーダンス線路と、高インピーダンス
線路の他端と接地との間に形成されたキャパシタとから
なり、第１の制御信号線は、高インピーダンス線路の他
端に接続されている。また、第１の高周波信号阻止手段
の第３構成例は、インダクタンス素子からなる。また、
第１の高周波信号阻止手段の第４構成例は、第１および
第２の分布定数線路の特性インピーダンスよりも十分大
きなインピーダンスを有する抵抗素子からなる。この場
合、抵抗素子は、第１の制御信号線に直列に挿入されて
いてもよいし、一端が第１の制御信号線に接続されると
共に他端が開放されていてもよい。

【００１７】また、上述した高周波回路は、マイクロマ
シンスイッチの第１および第２の電極のうち第１の制御
信号線が電気的に接続されていない他方の電極に電気的
に接続されかつ一方の電極への制御信号の印加開始時に
他方の電極に静電誘導により発生する電荷を充電すると
共に、一方の電極への制御信号の印加停止時に電荷を他
方の電極から放電する第２の制御信号線と、第２の制御
信号線に接続されかつ高周波信号の通過を阻止する第２
の高周波信号阻止手段とを更に備えるようにしてもよ
い。このように、静電誘導により発生する電荷が第２の
制御信号線を介して充放電されることにより、マイクロ
マシンスイッチのスイッチング動作が安定すると共に、
スイッチング速度が速くなる。また、第２の制御信号線
に上記のような第２の高周波信号阻止手段を設けること
により、第２の制御信号線への高周波信号の漏洩を防止
できる。

【００１８】あるいは、上述した高周波回路は、マイク
ロマシンスイッチの第１および第２の電極のうち第１の
制御信号線が電気的に接続されていない他方の電極に電
気的に接続されかつ制御信号と逆の極性を有する定電圧
を印加する第２の制御信号線と、第２の制御信号線に接
続されかつ高周波信号の通過を阻止する第２の高周波信
号阻止手段とを更に備えるようにしてもよい。このよう
に、制御信号が印加されない方の電極に予め所定の電圧
をかけておけば、そのぶん制御信号の電圧の大きさを小
さくすることができる。また、定電圧を印加する第２の
制御信号線に上記のような第２の高周波信号阻止手段を
設けることにより、第２の制御信号線への高周波信号の
漏洩を防止できる。

【００１９】これらの場合、第２の高周波信号阻止手段
の第１構成例は、マイクロマシンスイッチの他方の電極
に一端が接続されかつ高周波信号の波長の約１／４の電
気長で第１および第２の分布定数線路の特性インピーダ
ンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高インピ
ーダンス線路と、高インピーダンス線路の他端に一端が
接続されると共に他端が開放されかつ高周波信号の波長
の約１／４の電気長で高インピーダンス線路の特性イン
ピーダンスよりも小さな特性インピーダンスを有する低
インピーダンス線路とからなり、第２の制御信号線は、
高インピーダンス線路の他端に接続されている。また、
第２の高周波信号阻止手段の第２構成例は、マイクロマ
シンスイッチの他方の電極に一端が接続されかつ高周波
信号の波長の約１／４の電気長で第１および第２の分布
定数線路の特性インピーダンスよりも大きな特性インピ
ーダンスを有する高インピーダンス線路と、高インピー
ダンス線路の他端と接地との間に形成されたキャパシタ
とからなり、第２の制御信号線は、高インピーダンス線
路の他端に接続されている。また、第２の高周波信号阻
止手段の第３構成例は、インダクタンス素子からなる。
また、第２の高周波信号阻止手段の第４構成例は、第１
および第２の分布定数線路の特性インピーダンスよりも
十分大きなインピーダンスを有する抵抗素子からなる。
この場合、抵抗素子は、第２の制御信号線に直列に挿入
されていてもよいし、一端が第２の制御信号線に接続さ
れると共に他端が開放されていてもよい。

【００２０】また、上記の高周波回路は、マイクロマシ
ンスイッチの第１および第２の電極のうち第１の制御信
号線が電気的に接続されていない他方の電極に電気的に
接続されかつ一方の電極への制御信号の印加開始時に他
方の電極に静電誘導により発生する電荷を充電すると共
に、一方の電極への制御信号の印加停止時に電荷を他方
の電極から放電する第２の制御信号線と、第２の制御信
号線に接続されかつ高周波信号の通過を阻止する第２の
高周波信号阻止手段とを備え、第１および第２の高周波
信号阻止手段は、マイクロマシンスイッチの第１および
第２の電極にそれぞれの一端が接続されかつ高周波信号
の波長の約１／４の電気長で第１および第２の分布定数
線路の特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダ
ンスを有する第１および第２の高インピーダンス線路
と、第１および第２の高インピーダンス線路それぞれの
他端の間に形成されたキャパシタとにより構成され、第
１の高インピーダンス線路の他端は、第１の制御信号線
に接続され、第２の高インピーダンス線路の他端は、高
周波的な接地に接続されている構成としてもよい。ある
いは、マイクロマシンスイッチの第１および第２の電極
のうち第１の制御信号線が電気的に接続されていない他
方の電極に電気的に接続されかつ制御信号と逆の極性を
有する定電圧を印加する第２の制御信号線と、第２の制
御信号線に接続されかつ高周波信号の通過を阻止する第
２の高周波信号阻止手段とを備え、第１および第２の高
周波信号阻止手段は、マイクロマシンスイッチの第１お
よび第２の電極にそれぞれの一端が接続されかつ高周波
信号の波長の約１／４の電気長で第１および第２の分布
定数線路の特性インピーダンスよりも大きな特性インピ
ーダンスを有する第１および第２の高インピーダンス線
路と、第１および第２の高インピーダンス線路それぞれ
の他端の間に形成されたキャパシタとにより構成され、
第１の高インピーダンス線路の他端は、第１の制御信号
線に接続され、第２の高インピーダンス線路の他端は、
高周波的な接地に接続されている構成としてもよい。こ
れらの構成において、第１の高インピーダンス線路と、
キャパシタと、接地とにより第１の高周波信号阻止手段
が構成される。また、第２の高インピーダンス線路を接
地に接続することにより第２の高周波信号阻止手段が構
成される。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
よる高周波回路の実施の形態を、移相器を例にして詳細
に説明する。（第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態の構成を示すブロック図である。

【００２２】主線路１には、先端開放された２本のスタ
ブ（第１の分布定数線路）２ａ，２ｂが互いに約λ／４
離れて接続されている。ここで、λは主線路１を伝搬す
る高周波信号ＲＦの波長である。さらに、やはり先端開
放された別の２本のスタブ（第２の分布定数線路）３
ａ，３ｂが、スタブ２ａ，２ｂの先端と離間して配置さ
れいている。ここで、スタブ２ａ，２ｂの電気長をＬ
１、スタブ３ａ，３ｂの電気長をＬ２、スタブ２ａ，２
ｂおよびスタブ３ａ，３ｂ間の隙間をＧとおく。

【００２３】スタブ２ａ，３ａ間にはマイクロマシンス
イッチ４ａが配置されており、同じくスタブ２ｂ，３ｂ
間にはマイクロマシンスイッチ４ｂが配置されている。
また、マイクロマシンスイッチ４ａ，４ｂは、第１の制
御信号線６を介して、制御装置５に接続されている。こ
の制御装置５は、マイクロマシンスイッチ４ａ，４ｂを
同時にオン／オフ制御して、スタブ２ａ，３ａおよびス
タブ２ｂ，３ｂの接続状態を同時に切り換える制御信号
Ｓを出力するものである。ただし、第１の制御信号線６
には、第１の高周波信号阻止手段７が挿入されている。
この第１の高周波信号阻止手段７は、スタブ２ａ，３ａ
およびスタブ２ｂ，３ｂが接続されているときに流れる
高周波信号ＲＦの通過を阻止するものである。以上によ
り、ローデッドライン形の移相器が構成される。

【００２４】次に、図１に示した移相器による移相量切
換の原理を説明する。制御装置５から出力される制御信
号Ｓがオフであり、スタブ２ａ，３ａおよびスタブ２
ｂ，３ｂの高周波接続がいずれも開放されているとき、
主線路１には電気長Ｌ１のスタブ２ａ，２ｂのみが装荷
される。一方、制御信号Ｓがオンとなり、スタブ２ａ，
３ａおよびスタブ２ｂ，３ｂがそれぞれ高周波的に接続
されると、主線路１にはマイクロマシンスイッチ４ａ，
４ｂを介して、さらにスタブ３ａ，３ｂが装荷される。
このとき、主線路１に装荷されるスタブの電気長はおよ
そＬ１＋Ｌ２＋Ｇとなる。したがって、制御信号Ｓのオ
ン／オフにより、主線路１に装荷されるスタブの電気長
を変化させることができる。

【００２５】主線路１からみたスタブのサセプタンス
は、装荷されるスタブの電気長により変化する。その一
方で、このサセプタンスにより主線路１の通過位相が変
化する。したがって、制御信号Ｓをオン／オフしてスタ
ブ２ａ，３ａおよびスタブ２ｂ，３ｂの高周波接続を制
御することにより、主線路１を伝搬する高周波信号ＲＦ
の移相量を切り換えることができる。

【００２６】図２は、図１に示したマイクロマシンスイ
ッチ４ａ，４ｂの第１構成例の斜視図である。ただし、
図２には、図１に示したマイクロマシンスイッチ４ｂを
構成するマイクロマシンスイッチ１０ｂが記載されてい
る。まず、このマイクロマシンスイッチ１０ｂの構成を
説明する。

【００２７】図２に示すように、スタブ２ｂ，３ｂは僅
かな隙間を隔てて、基板１９上に形成されている。この
スタブ２ｂ，３ｂの隙間の上部空間には、コンタクト１
１ｂがスタブ２ｂ，３ｂの両方に対して接離自在となる
よう、支持手段１３ｂにより片持ち支持されている。支
持手段１３ｂはポスト１４ｂとアーム１５ｂとにより構
成されている。ポスト１４ｂはスタブ２ｂ，３ｂと離間
して、基板１９上に形成されている。アーム１５ｂはポ
スト１４ｂの側面上部からスタブ２ｂ，３ｂの隙間の上
部空間まで延在している。コンタクト１１ｂはこのアー
ム１５ｂの先端部下面に取り付けられている。

【００２８】一方、基板１９上のスタブ２ｂ，３ｂの隙
間、すなわちコンタクト１１ｂの直下には、制御電極１
２ｂが形成されている。この制御電極１２ｂの厚さはス
タブ２ｂ，３ｂの厚さよりも薄い。これらのコンタクト
１１ｂと制御電極１２ｂとによりキャパシタ構造が形成
される。この場合、制御電極１２ｂを第１の電極、コン
タクト１１ｂを第２の電極と定義する。以上のコンタク
ト１１ｂと支持手段１３ｂと制御電極１２ｂとにより、
マイクロマシンスイッチ１０ｂが構成される。なお、コ
ンタクト１１ｂの下面にＳｉＯ ₂ などの絶縁膜（図示せ
ず）を形成して、容量結合形のマイクロマシンスイッチ
を構成してもよい。

【００２９】制御装置５が接続された第１の制御信号線
６は、第１の高周波信号阻止手段７を介して、この制御
電極１２ｂに電気的に接続されている。なお、第１の制
御信号線６が制御電極１２ｂではなく、コンタクト１１
ｂと電気的に接続されるように構成してもよい。また、
図２では制御装置５が基板１９上に形成された様子が示
されているが、必ずしも制御装置５は基板１９上に形成
されている必要はなく、別の基板上あるいは筐体内に設
置して、ケーブル等により第１の制御信号線６に接続し
てもよい。

【００３０】次に、マイクロマシンスイッチ１０ｂの動
作を説明する。ただし、制御信号Ｓは正の電圧のオン／
オフからなるものとする。前述したとおり、通常時、コ
ンタクト１１ｂはスタブ２ｂ，３ｂの隙間の上部空間に
あり、コンタクト１１ｂはスタブ２ｂ，３ｂの両方と離
間しているので、スタブ２ｂ，３ｂは開放されている。

【００３１】このとき、制御装置５から制御電極１２ｂ
に正の電圧が印加されると、制御電極１２ｂの表面に正
電荷が発生すると共に、制御電極１２ｂと対向するコン
タクト１１ｂの下面に静電誘導により負電荷が現れる。
これにより、両者間に吸引力が発生し、コンタクト１１
ｂはスタブ２ｂ，３ｂ側に引き寄せられる。コンタクト
１１ｂの長さがスタブ２ｂ，３ｂの隙間よりも長いた
め、コンタクト１１ｂはスタブ２ｂ，３ｂの両方に接触
する。これにより、スタブ２ｂ，３ｂがコンタクト１１
ｂを介して高周波的に接続される。

【００３２】一方、制御電極１２ｂへの正の電圧の印加
が停止されると、制御電極１２ｂとコンタクト１１ｂと
の間の吸引力がなくなるので、アーム１５ｂの復元力に
よりコンタクト１１ｂは元の離間した位置に戻る。これ
により、スタブ２ｂ，３ｂの高周波接続が開放される。

【００３３】スタブ２ｂ，３ｂがコンタクト１１ｂを介
して高周波的に接続されているとき、スタブ２ｂ，３ｂ
に流れる高周波信号ＲＦは、制御電極１２ｂに影響を及
ぼす。しかし、制御電極１２ｂに接続されている第１の
制御信号線６には第１の高周波信号阻止手段７が挿入さ
れているので、制御電極１２ｂから第１の制御信号線６
への高周波信号ＲＦの漏洩を抑制できる。したがって、
図３０に示した従来の移相器と比較して、挿入損失を低
減できる。それと同時に、第１の制御信号線から他の線
路への電磁的結合を防止できるので、移相器が使用され
る回路の高周波特性を改善できる。

【００３４】ここでは、図１に示したマイクロマシンス
イッチ４ｂを構成するマイクロマシンスイッチ１０ｂを
例に説明したが、図１に示したマイクロマシンスイッチ
４ａを構成するマイクロマシンスイッチ１０ａ（図３参
照）についてもまったく同様である。すなわち、このマ
イクロマシンスイッチ１０ａの制御電極１２ａも第１の
高周波信号阻止手段７に接続されているので、スタブ２
ａ，３ａに流れる高周波信号ＲＦが第１の制御信号線６
へ漏洩することを抑制できる。

【００３５】次に、図３〜図９を用いて、図１に示した
第１の高周波信号阻止手段７の構成例について説明す
る。まず、第１の高周波信号阻止手段７の第１構成例に
ついて説明する。図３は、この第１構成例の平面図であ
る。第１の高周波信号阻止手段７の第１構成例は、高イ
ンピーダンスλ／４線路２１ａ，２１ｂと低インピーダ
ンスλ／４線路２２とにより構成されるフィルタ２０で
ある。

【００３６】高インピーダンスλ／４線路２１ａは、電
気長が約λ／４（λは高周波信号ＲＦの波長）であり、
スタブ２ａ，３ａよりも大きな特性インピーダンスを有
している。高インピーダンスλ／４線路２１ｂも同様
に、電気長が約λ／４であり、スタブ２ｂ，３ｂよりも
大きな特性インピーダンスを有している。また、低イン
ピーダンスλ／４線路２２は、電気長が約λ／４であ
り、高インピーダンスλ／４線路２１ａ，２１ｂのいず
れよりも小さな特性インピーダンスを有している。例え
ばスタブ２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂの特性が一般的な５０
Ωであれば、高インピーダンスλ／４線路２１ａ，２１
ｂの特性インピーダンスは概ね７０〜２００Ω程度、低
インピーダンスλ／４線路２２の特性インピーダンスは
概ね２０〜４０Ω程度であることが望ましい。

【００３７】高インピーダンスλ／４線路２１ａの一端
はマイクロマシンスイッチ１０ａの制御電極１２ａに接
続され、他端は低インピーダンスλ／４線路２２の一端
に接続される。高インピーダンスλ／４線路２１ｂの一
端はマイクロマシンスイッチ１０ｂの制御電極１２ｂに
接続され、他端は低インピーダンスλ／４線路２２の一
端に接続される。また、低インピーダンスλ／４線路２
２の他端は開放されている。さらに、高インピーダンス
λ／４線路２１ａ，２１ｂの他端（すなわち、線路２１
ａ，２１ｂと線路２２との接続点２３）には、高インピ
ーダンスの第１の制御信号線６が接続される。したがっ
て、第１の制御信号線６は、高インピーダンスλ／４線
路２１ａ，２１ｂを介して、マイクロマシンスイッチ１
０ａ，１０ｂに電気的に接続される。

【００３８】以下、このフィルタ２０の動作原理を簡単
に説明する。上述したように、低インピーダンスλ／４
線路２２の他端は開放されている。このため、この他端
よりλ／４経た接続点２３から低インピーダンスλ／４
線路２２側をみたときのインピーダンスは０Ωとなるの
で、接続点２３で高周波的に接地されている状態と等価
となる。したがって、この接続点２３に第１の制御信号
線６を並列に接続しても、接続点２３でのインピーダン
スは０Ωのままであり、高周波の振る舞いに影響を与え
ない。

【００３９】さらに、マイクロマシンスイッチ１０ａ，
１０ｂの制御電極１２ａ，１２ｂはそれぞれ接続点２３
から電気長λ／４の高インピーダンスλ／４線路２１
ａ，２１ｂを経て接続されているので、制御電極１２
ａ，１２ｂからフィルタ２０側をみたときのインピーダ
ンスは無限大（∞Ω）となる。したがって、制御電極１
２ａ，１２ｂからフィルタ２０側には高周波は流れない
ので、高周波的にはフィルタ２０と第１の制御信号線６
とがない状態と等価となる。ここで説明したフィルタ２
０の構成は、一般にバイアスティーと呼ばれているが、
特定の周波数帯のみ遮断するので、一種の帯域阻止フィ
ルタとして動作する。

【００４０】次に、第１の高周波信号阻止手段７の第２
構成例について説明する。図４は、この第２構成例を示
す図であり、図４（Ａ）はブロック図、図４（Ｂ）は平
面図である。第１の高周波信号阻止手段７の第２構成例
は、高インピーダンスλ／４線路３１ａ，３１ｂと、キ
ャパシタ３２と、高周波的な接地３３とにより構成され
るフィルタ３０である。

【００４１】図４（Ａ）に示すように、高インピーダン
スλ／４線路３１ａの一端はマイクロマシンスイッチ１
０ａの制御電極１２ａに接続され、他端はキャパシタ３
２の一方の電極に接続される。高インピーダンスλ／４
線路３１ｂの一端はマイクロマシンスイッチ１０ｂの制
御電極１２ｂに接続され、他端はキャパシタ３２の一方
の電極に接続される。また、このキャパシタ３２の他方
の電極は接地３３に接続される。さらに、高インピーダ
ンスλ／４線路３１ａ，３１ｂが接続されるキャパシタ
３２の一方の電極には、第１の制御信号線６が接続され
る。したがって、第１の制御信号線６は、高インピーダ
ンスλ／４線路３１ａ，３１ｂを介して、マイクロマシ
ンスイッチ１０ａ，１０ｂに電気的に接続される。

【００４２】キャパシタ３２は、図４（Ｂ）に示すよう
に、前記一方の電極となる電極３４と、前記他方の電極
となる高周波的に接地された電極３３ａと、電極３４，
３３ａ間に介挿された絶縁膜３５とにより構成できる。
高インピーダンスλ／４線路３１ａ，３１ｂの特性はそ
れぞれ、図３に示した高インピーダンスλ／４線路２１
ａ，２１ｂと同様に決められる。

【００４３】以下、このフィルタ３０の動作原理を簡単
に説明する。キャパシタ３２は十分な容量を有している
ので、高インピーダンスλ／４線路３１ａ，３１ｂとキ
ャパシタ３２との接続点は高周波的に接地されているの
と等価となり、インピーダンスは０Ωとなる。したがっ
て、図３の場合と同様、この接続点に第１の制御信号線
６をさらに接続しても、高周波的には影響がない。

【００４４】さらに、マイクロマシンスイッチ１０ａ，
１０ｂの制御電極１２ａ，１２ｂはそれぞれキャパシタ
３２から電気長λ／４の高インピーダンスλ／４線路３
１ａ，３１ｂを経て接続されているので、制御電極１２
ａ，１２ｂからフィルタ３０側をみたときのインピーダ
ンスは無限大（∞Ω）、つまり制御電極１２ａ，１２ｂ
からフィルタ３０側に高周波信号ＲＦが流れない状態と
なる。ここで説明したフィルタ３０もバイアスティーの
一種であり、帯域阻止フィルタとして動作する。

【００４５】次に、第１の高周波信号阻止手段７の第３
構成例について説明する。図５は、この第３構成例を示
すブロック図である。また、図６および図７は、第３構
成例の具体例を示す平面図である。第１の高周波信号阻
止手段７の第３構成例は、インダクタンス素子からなる
フィルタ４０である。例えば、図６に示すスパイラルイ
ンダクタ４１、および図７に示すミアンダラインインダ
クタ４２などを使用できる。これら誘導性の回路素子
は、直流〜低周波数では低インピーダンスであるが、高
周波数では高インピーダンスを示すので、低域通過フィ
ルタとして動作する。ただし、カットオフ周波数は、高
周波信号ＲＦの周波数よりも低く設定される。

【００４６】このような分布定数素子だけでなく、コイ
ルなどの集中定数素子を外付けして利用してもよい。な
お、低域通過フィルタとしては、特性インピーダンスの
異なる線路を多段縦続接続して構成したフィルタなど、
他のタイプのフィルタも利用できる。

【００４７】次に、第１の高周波信号阻止手段７の第４
構成例について説明する。図８および図９は、この第４
構成例の平面図である。第１の高周波信号阻止手段７の
第４構成例は、高抵抗素子５１ａ，５１ｂである。図８
に示すように、第１の制御信号線６は途中で二分岐し
て、マイクロマシンスイッチ１０ａ，１０ｂの制御電極
１２ａ，１２ｂのそれぞれと接続されている。高抵抗素
子５１ａ，５１ｂはそれぞれ、制御電極１２ａ，１２ｂ
の近傍で、第１の制御信号線６に直列に挿入される。

【００４８】抵抗素子５１ａのインピーダンスの値は、
スタブ２ａ，３ａの特性インピーダンスの２倍以上であ
ればよいが、概ね２０倍以上に設定されることが望まし
い。すなわち、スタブ２ａ，３ａの特性が一般的な５０
Ωであれば、抵抗素子５１のインピーダンスは概ね１ｋ
Ω以上に決められる。このように抵抗素子５１ａのイン
ピーダンスを決めれば、スタブ２ａ，３ａから第１の制
御信号線６側をみたインピーダンスが大きくなるので、
第１の制御信号線６への高周波信号ＲＦの漏洩を抑制で
きる。抵抗素子５１ｂのインピーダンスの値について
も、スタブ２ｂ，３ｂの特性インピーダンスに基づいて
同様に決められる。

【００４９】抵抗素子５１ａ，５１ｂの作成には、例え
ば真空蒸着またはスパッタリングにより薄膜抵抗素子を
形成する方法、半導体ｎ層またはｎ⁺ 層を流用する方法
などを利用できる。図３〜図５に示したフィルタ２０，
３０，４０を形成するには大面積を必要とするため、第
１の高周波信号阻止手段７としてフィルタ２０，３０，
４０を利用すると、移相器が大型化してしまう。これに
対して、図８に示した高抵抗素子５１ａ，５１ｂは大面
積を必要としないので、高抵抗素子５１ａ，５１ｂを利
用することにより、移相器を大型化することなく、高周
波信号ＲＦの漏洩を防止できる。

【００５０】なお、図９に示すように、抵抗素子５１
ａ，５１ｂを第１の制御信号線６に並列に接続（つま
り、抵抗素子５１の一端を第１の制御信号線６に接続す
ると共に、他端を開放）しても、共振の発生防止には有
効である。

【００５１】（第２の実施の形態）図１０は、本発明の
第２の実施の形態の構成を示すブロック図である。この
図において、図１と同一部分を同一符号をもって示し、
適宜その説明を省略する。図１０に示した移相器は、図
１に示した移相器において、マイクロマシンスイッチ４
ａ，４ｂにそれぞれ含まれるコンタクトを、第２の高周
波信号阻止手段７ａ，７ｂが挿入された第２の制御信号
線６ａ，６ｂにより接地５ａに接続したものである。こ
こで、第２の高周波信号阻止手段７ａ，７ｂは、第１の
高周波信号阻止手段７と同じく、高周波信号ＲＦの通過
を阻止するものである。

【００５２】図１１は、図１０に示した移相器の一構成
例の平面図である。この図において、図３と同一部分を
同一符号をもって示し、適宜その説明を省略する。図１
１に示す移相器では、第２の高周波信号阻止手段７ａ，
７ｂとして、フィルタ２０と同じ原理のフィルタ２０
ａ，２０ｂがそれぞれ用いられている。

【００５３】フィルタ２０ａは、高インピーダンスλ／
４線路２１ａａと低インピーダンスλ／４線路２２ａと
から構成されている。高インピーダンスλ／４線路２１
ａａの一端はマイクロマシンスイッチ１０ａの支持手段
１３ａに接続され、他端は低インピーダンスλ／４線路
２２ａの一端に接続されている。低インピーダンスλ／
４線路２２ａの他端は開放されている。さらに、高イン
ピーダンスλ／４線路２１ａａの他端には、接地５ａに
接続された第２の制御信号線６ａが接続されている。高
インピーダンスλ／４線路２１ａａは、高インピーダン
スλ／４線路２１ａと同様の構成をしており、低インピ
ーダンスλ／４線路２２ａは、低インピーダンスλ／４
線路２２と同様の構成をしている。

【００５４】フィルタ２０ｂもフィルタ２０ａと同様
に、高インピーダンスλ／４線路２１ｂｂと低インピー
ダンスλ／４線路２２ｂとから構成されている。ただ
し、ここでは、支持手段１３ａ，１３ｂは導電性を有す
る部材、すなわち導体または半導体で形成される。これ
により、マイクロマシンスイッチ１０ａ，１０ｂのコン
タクト１１ａ，１１ｂはそれぞれ、支持手段１３ａ，１
３ｂ、フィルタ２０ａ，２０ｂおよび第２の制御信号線
６ａ，６ｂを介して接地される。

【００５５】このようにしてコンタクト１１ａ，１１ｂ
を接地することにより、制御電極１２ａ，１２ｂへの制
御信号Ｓの印加開始時にはコンタクト１１ａ，１１ｂに
静電誘導により発生する電荷を素早く充電でき、制御信
号Ｓの印加停止時には蓄積された電荷を素早く放電でき
る。したがって、マイクロマシンスイッチ１０ａ，１０
ｂのスイッチング動作が安定すると共に、スイッチング
速度が速くなる。これにより、移相器の移相量の切り換
えを確実に、しかも迅速に行える。

【００５６】このとき、高周波信号ＲＦの通過を阻止す
るフィルタ２０ａ，２０ｂが第２の制御信号線６ａ，６
ｂにそれぞれ接続されているので、スタブ２ａ，３ａお
よびスタブ２ｂ，３ｂから第２の制御信号線６ａ，６ｂ
への高周波信号ＲＦの漏洩を抑制できる。したがって、
挿入損失の増加や高周波特性の劣化といった問題は生じ
ない。

【００５７】なお、コンタクト１１ａ，１１ｂと制御信
号線６ａ，６ｂとは必ずしもそれぞれ直流的に導通して
いる必要はなく、その間にキャパシタが接続されていて
も容量が十分大きければ、前述した充放電の効果が得ら
れる。

【００５８】第２の高周波信号阻止手段７ａ，７ｂに
は、フィルタ２０ａ，２０ｂのほか、図４〜図７に示し
たフィルタ３０，４０、および図８，９に示した抵抗素
子５１ａ，５１ｂを利用できる。もちろん、第１の高周
波信号阻止手段７の構成と第２の高周波信号阻止手段７
ａ，７ｂの構成とがすべて異なる組合わせであってもよ
い。ただし、第１，第２の高周波信号阻止手段７，７
ａ，７ｂをすべてフィルタ３０で構成すれば、第１，第
２の高周波信号阻止手段７，７ａ，７ｂの構成を簡略化
できる。図１２は、第１，第２の高周波信号阻止手段
７，７ａ，７ｂのすべてをフィルタ３０で構成したとき
の移相器の構成図であり、図１２（Ａ）はブロック図、
図１２（Ｂ）は平面図である。この図において、図４と
同一部分を同一符号をもって示し、適宜その説明を省略
する。

【００５９】この移相器は、図１２（Ｂ）に示すよう
に、図４（Ｂ）に示したマイクロマシンスイッチ１０
ａ，１０ｂの支持手段１３ａ，１３ｂをそれぞれ高イン
ピーダンスλ／４線路３１ａａ，３１ｂｂで接地電極３
３ａに接続するだけで構成できる。ここで、高インピー
ダンスλ／４線路３１ａａ，３１ｂｂはそれぞれ、制御
電極１２ａ，１２ｂと電極３４とをそれぞれ接続する高
インピーダンスλ／４線路３１ａ，３１ｂと同様の構成
をしている。

【００６０】図１２（Ａ）において、高インピーダンス
λ／４線路（第１の高インピーダンス線路）３１ａ，３
１ｂと、キャパシタ３２と、接地３３とにより第１の高
周波信号阻止手段７が構成される。また、高インピーダ
ンスλ／４線路（第２の高インピーダンス線路）３１ａ
ａを接地３３に接続することにより、第２の高周波信号
阻止手段７ａが構成され、高インピーダンスλ／４線路
（第２の高インピーダンス線路）３１ｂｂを接地３３に
接続することにより、第２の高周波信号阻止手段７ｂが
構成される。このように第１，第２の高周波信号阻止手
段７，７ａ，７ｂの間で構成部品を共用することによ
り、移相器を小型化できる。

【００６１】（第３の実施の形態）図１３は、本発明の
第３の実施の形態の構成を示すブロック図である。この
図において、図１および図１０と同一部分を同一符号を
もって示し、適宜その説明を省略する。図１３に示した
移相器は、図１に示した移相器において、マイクロマシ
ンスイッチ４ａ，４ｂにそれぞれ含まれるコンタクト
を、第２の高周波信号阻止手段７ａ，７ｂが挿入された
第２の制御信号線６ａ，６ｂにより定電圧源５ｂに接続
したものである。

【００６２】定電圧源５ｂの出力電圧は、制御装置５か
ら出力される制御信号Ｓと逆の極性を有している。すな
わち、制御信号Ｓが正電圧のオン／オフからなる場合、
定電圧源５ｂからは負の定電圧が出力される。ただし、
マイクロマシンスイッチ４ａ，４ｂは制御信号Ｓに基づ
いて動作しなければならないので、定電圧源５ｂの出力
電圧はそれ単独ではマイクロマシンスイッチ４ａ，４ｂ
が動作しない程度の電圧に設定される。図１で４０Ｖの
制御信号Ｓで動作するように設計されたマイクロマシン
スイッチ４ａ，４ｂに対しては、定電圧源５ｂの出力電
圧を例えば−２０Ｖ程度とする。

【００６３】このように、マイクロマシンスイッチ４
ａ，４ｂそれぞれのコンタクトに予め所定の電圧をかけ
ておけば、制御信号Ｓの電圧の大きさを小さくできる。
上記の例では、制御信号Ｓとして２０ＶのＯＮ／ＯＦＦ
信号を印加すれば、マイクロマシンスイッチ４ａ，４ｂ
を動作させることができる。制御信号Ｓとして大きい電
圧を印加すると、サージが発生したり、電圧の高速変化
に基づくノイズが顕著になる場合がある。しかし、図１
３に示した移相器では、制御信号Ｓの電圧の大きさを小
さくできるので、このような問題を解決できる。

【００６４】なお、図１３に示した移相器では、図１０
に示した移相器と同様に、第２の制御信号線６ａ，６ｂ
に、高周波信号ＲＦの通過を阻止する第２の高周波信号
阻止手段７ａ，７ｂがそれぞれ接続されているので、移
相器の挿入損失の増加や高周波特性の劣化といった問題
は生じない。

【００６５】（第４の実施の形態）以上では、図２に示
したマイクロマシンスイッチ１０ａ，１０ｂを用いて本
発明を適用した移相器を構成する例を示した。しかし、
本発明は第１の制御信号線６または第２の制御信号線６
ａ，６ｂに高周波信号阻止手段を挿入することを特徴と
するものであり、図１におけるマイクロマシンスイッチ
４ａ，４ｂは図２の構成に限定されない。図１４は、マ
イクロマシンスイッチ４ａ，４ｂの第２構成例を用い
て、本発明を適用した移相器を構成したときの平面図で
ある。この移相器では、マイクロマシンスイッチ４ａ，
４ｂの第２構成例であるマイクロマシンスイッチ６０
ａ，６０ｂが用いられている。

【００６６】以下、図１５および図１６を用いて、マイ
クロマシンスイッチ６０ｂについて説明する。図１５
は、マイクロマシンスイッチ６０ｂを拡大して示す平面
図である。また、図１６は、マイクロマシンスイッチ６
０ｂの断面図であり、図１６（Ａ）は図１５におけるＡ
−Ａ′線方向の断面、図１６（Ｂ）は同Ｂ−Ｂ′線方向
の断面、図１６（Ｃ）は同Ｃ−Ｃ′線方向の断面をそれ
ぞれ示している。

【００６７】スタブ２ｂ，３ｂは僅かな隙間を隔てて、
基板１９上に形成されている。このスタブ２ｂ，３ｂの
隙間の上部空間には、コンタクト６１がスタブ２ｂ，３
ｂの両方と接離自在となるよう、支持手段により片持ち
支持されている。支持手段はポスト６３ａとアーム６３
ｂと絶縁部材６３ｃとにより構成されている。ポスト６
３ａはスタブ２ｂ，３ｂと離間して、基板１９上に形成
されている。アーム６３ｂはポスト６３ａの側面上部か
ら、後述する下部電極６２の上方までのびており、アー
ム６３ｂの先端部下面に絶縁部材６３ｃの基部が固定さ
れている。この絶縁部材６３ｃはアーム６３ｂの先端部
下面からスタブ２ｂ，３ｂの隙間の上方まで延在してお
り、この絶縁部材６３ｃの先端部下面にコンタクト６１
が取り付けられている。また、絶縁部材６３ｃの先端部
上面に補強部材６４が取り付けられている。

【００６８】さらに、スタブ２ｂ，３ｂの隙間とポスト
６３ａとの間（すなわち、図１５に示すように、スタブ
２ｂ，３ｂ自体およびその隙間の両方と離間した位置）
の基板１９上に、下部電極６２が形成されている。そし
て、下部電極６２と離間して対向するように、上部電極
６１ａが絶縁部材６３ｃの基部下面に取り付けられてい
る。上部・下部電極６１ａ，６２の厚みは、コンタクト
６１がスタブ２ｂ，３ｂの両方に接触したときでも、上
部・下部電極６１ａ，６２が接触しないように設定され
る。これらの上部・下部電極６１ａ，６２によりキャパ
シタ構造が形成される。この場合、下部電極６２を第１
の電極、上部電極６１ａを第２の電極と定義する。以上
のコンタクト６１と、支持手段と、補強部材６４と、下
部電極６２と、上部電極６１ａとにより、マイクロマシ
ンスイッチ６１ｂが構成される。

【００６９】制御信号Ｓを印加する第１の制御信号線６
は下部電極６２に接続されており、高周波信号ＲＦの通
過を阻止する第１の高周波信号阻止手段７はこの第１の
制御信号線６に接続される。図１５および図１６では第
１の高周波信号阻止手段７として抵抗素子５１ｂが例示
されているが、第１の高周波信号阻止手段７としてフィ
ルタ２０，３０，４０も使用可能である。

【００７０】このような構成において、下部電極６２に
制御信号として電圧が印加されると、図２に示したマイ
クロマシンスイッチ１０ｂと同じ原理で下部電極６２と
上部電極６１ａとの間に吸引力が発生し、上部電極６１
ａが下部電極６２側に引き寄せられる。コンタクト６１
は、絶縁部材６３ｃにより上部電極６１ａと連結されて
いるので、上部電極６１ａに連動して変位する。そし
て、コンタクト６１がスタブ２ｂ，３ｂの両方に接触す
ると、スタブ２ｂ，３ｂが高周波的に接続される。

【００７１】一方、下部電極６２への電圧の印加が停止
されると、上部・下部電極６１ａ，６２間の吸引力がな
くなるので、上部電極６１ａが元の位置に戻る。これに
連動してコンタクト６１も元の離間した位置に戻り、ス
タブ２ｂ，３ｂの高周波接続が開放される。

【００７２】また、図１５に示すように、第２の制御信
号線６ｂをポスト６３ａに接続して、下部電極６２に制
御信号Ｓを印加したとき静電誘導により上部電極６１ａ
に発生する電荷を第２の制御信号線６ｂを介して充放電
するようにしてもよい。このとき、ポスト６３ａおよび
アーム６３ｂは導電性を有している必要がある。また、
上部電極６１ａをこのアーム６３ｂに電気的に接続する
ため、図１６（Ｂ），（Ｃ）に示すように上部電極６１
ａとアーム６３ｂとの間にビアホール６３ｄを形成す
る、または上部電極６１ａをアーム６３ｂの先端部上面
に配置してもよい。

【００７３】さらに、第２の制御信号線６ｂには第２の
高周波信号阻止手段７ｂが接続される。この第２の高周
波信号阻止手段７ｂとしては、例示されている抵抗素子
５１ｂｂのほか、フィルタ２０，３０，４０も使用可能
である。

【００７４】なお、図１５および図１６では制御信号Ｓ
が下部電極６２に与えられているが、制御信号Ｓが上部
電極６１ａに与えられるように構成してもよい。この場
合、第１の制御信号線６はポスト６３ａに接続される。
ポスト６３ａおよびアーム６３ｂは導電性を有している
必要がある。このとき、静電誘導により下部電極６２に
発生する電荷の充放電を行う第２の制御信号線６ｂを、
下部電極６２に接続するようにしてもよい。図１４に示
したマイクロマシンスイッチ６０ａも、マイクロマシン
スイッチ６０ｂとまったく同様に構成される。

【００７５】（第５の実施の形態）図１７は、マイクロ
マシンスイッチ４ａ，４ｂの第３構成例を用いて、本発
明発明を適用した移相器を構成したときの平面図であ
る。この図において、図３と同一部分を同一符号をもっ
て示し、適宜その説明を省略する。この移相器では、マ
イクロマシンスイッチ４ａ，４ｂの第３構成例であるマ
イクロマシンスイッチ７０ａ，７０ｂが用いられてい
る。図１８は、マイクロマシンスイッチ７０ｂの断面図
であり、図１７におけるＤ−Ｄ′線方向の断面を示して
いる。以下、マイクロマシンスイッチ７０ｂについて説
明する。

【００７６】スタブ２ｂ，３ｂは僅かな隙間を隔てて、
基板１９上に形成されている。スタブ３ｂの端部には、
導電性部材からなるポスト７５が形成されている。さら
にポスト７５の上面には、やはり導電性部材からなるコ
ンタクト７１の基部（一端）が固定されている。このコ
ンタクト７１は、ポスト７５の上面から隙間を跨いでス
タブ２ｂ端部の上方まで延在しており、コンタクト７１
の先端部（他端）はスタブ２ｂの端部と接離自在となっ
ている。

【００７７】また、基板１９上のスタブ２ｂ，３ｂの隙
間、すなわちコンタクト７１の直下には、制御電極７２
が形成されている。これらのコンタクト７１と制御電極
７２とによりキャパシタ構造が形成される。この場合、
制御電極７２を第１の電極、コンタクト７１を第２の電
極と定義する。以上のポスト７５とコンタクト７１と制
御電極７２とにより、マイクロマシンスイッチ７０ｂが
構成される。したがって、図２および図１４のような複
雑な形状のコンタクト支持手段が不要である。したがっ
て、マイクロマシンスイッチの構成を簡素化できる。

【００７８】制御電極７２には、高周波信号ＲＦの通過
を阻止する第１の高周波信号阻止手段７を介して、制御
信号Ｓを印加する第１の制御信号線６が接続されてい
る。図１７では第１の高周波信号阻止手段７としてフィ
ルタ２０が例示されているが、第１の高周波信号阻止手
段７としてフィルタ３０，４０および高抵抗素子５１
ａ，５１ｂも使用可能である。

【００７９】このような構成において、制御電極７２に
制御信号Ｓとして電圧が印加されると、図２に示したマ
イクロマシンスイッチ１０ｂと同じ原理で、制御電極７
２とコンタクト７１との間に吸引力が発生する。この吸
引力によりコンタクト７１が基板１９側に湾曲して、コ
ンタクト７１の先端がスタブ２ｂの端部と接触すると、
スタブ２ｂ，３ｂが高周波的に接続される。一方、制御
電極７２への電圧の印加が停止されると、吸引力がなく
なるので、コンタクト７１は元の離間した位置に戻る。
これにより、スタブ２ｂ，３ｂの高周波接続が開放され
る。

【００８０】また、図示しないが第２の制御信号線６ｂ
をスタブ３ｂに接続して、制御電極７２に制御信号Ｓを
印加したとき静電誘導によりコンタクト７１に発生する
電荷を第２の制御信号線６ｂを介して充放電するように
してもよい。このとき、第２の制御信号線６ｂには第２
の高周波信号阻止手段７ｂが接続される。この第２の高
周波信号阻止手段７ｂとしては、フィルタ２０，３０，
４０および高抵抗素子５１ｂを使用できる。図１７に示
したマイクロマシンスイッチ７０ａも、マイクロマシン
スイッチ７０ｂとまったく同様に構成される。

【００８１】（第６の実施の形態）図１９は、マイクロ
マシンスイッチ４ａ，４ｂの第４構成例を用いて、本発
明発明を適用した移相器を構成したときの図であり、図
１９（Ａ）は回路図、図１９（Ｂ）は平面図である。ま
た、図２０は、この移相器の断面図であり、図１９にお
けるＥ−Ｅ′線方向の断面を示している。

【００８２】図１９に示すように、高周波信号ＲＦが伝
搬する主線路１は、線路１ａ，１ｂ，１ｃにより構成さ
れる。ただし、線路１ｂの両端にはそれぞれキャパシタ
８６ａ，８６ｂが形成されており、線路１ａと線路１ｂ
とはキャパシタ８６ａを介して、また線路１ｂと線路１
ｃとはキャパシタ８６ｂを介して、それぞれ高周波的に
接続されている。キャパシタ８６ｂは、例えば図１９
（Ｂ）に示すように、線路１ｂと線路１ｃとを上下に重
ね合わせ、その間にＳｉＯ₂ などの絶縁膜８７ｂを介挿
することにより構成される。キャパシタ８６ａも同様
に、線路１ａと線路１ｂとの間に絶縁膜８７ａを介挿す
ることにより構成される。

【００８３】これらのキャパシタ８６ａ，８６ｂは、線
路１ａ，１ｃに接続された他のマイクロ波回路（図示せ
ず）を線路１ｂから直流的に絶縁するためのものであ
る。したがって、線路１ａ，１ｃに接続された他のマイ
クロ波回路に含まれる結合コンデンサなどを、キャパシ
タ８６ａ，８６ｂの代わりとして利用してもよい。図１
９に示すように、主線路１の一部である線路１ｂに、２
本のスタブ２ａ，２ｂが接続されている。さらに、別の
２本のスタブ３ａ，３ｂが、スタブ２ａ，２ｂの先端と
離間して配置されいている。

【００８４】図２０を用いて、スタブ２ｂ，３ｂ側の構
成を説明する。スタブ３ｂの端部（スタブ２ｂ側端部）
には、導電性部材を含むポスト８５ｂが形成されてい
る。さらにポスト８５ｂの上面にはコンタクト８１ｂの
基部が固定されている。このコンタクト８１ｂは、ポス
ト８５ｂの上面から隙間を跨いでスタブ２ａの先端部の
上方まで延在している。コンタクト８１ｂは、導電性を
有し、かつ一度湾曲しても元の形状に復元するような材
料で形成される。これらのコンタクト８１ｂとスタブ２
ｂとによりキャパシタ構造が形成される。この場合、ス
タブ２ｂを第１の電極、コンタクト８１ｂを第２の電極
と定義する。

【００８５】コンタクト８１ｂの先端部下面、すなわち
スタブ２ａと対向する部分には、ＳｉＯ₂ などの絶縁膜
８１ｂｂが形成されている。コンタクト８１ｂはポスト
８５ｂにより所定の高さを与えられており、コンタクト
８１ｂに取り付けられた絶縁膜８１ｂｂは通常（オフ
時）、スタブ２ｂと離間している。逆に言えば、絶縁膜
８１ｂｂとスタブ２ｂとが通常離間するように、ポスト
８５ｂの高さが決められる。

【００８６】絶縁膜８１ｂｂは、スタブ２ｂ，３ｂの接
続時（オン時）に、キャパシタ８６ａ，８６ｂと共に、
スタブ２ｂの電圧値を後述する制御信号Ｓの電圧値に保
持するためのものである。したがって、絶縁膜８１ｂｂ
はスタブ２ｂの先端部上面に形成されてもよい。このと
き、スタブ２ｂの電圧値が制御信号Ｓの電圧値に完全一
致している必要はなく、制御信号Ｓに基づいてスイッチ
ング動作できる程度にスタブ２ｂの電圧値が保持されれ
ばよい。

【００８７】また、図２０ではコンタクト８１ｂのスタ
ブ３ｂ側が固定された構造となっているが、これとは逆
にコンタクト８１ｂのスタブ２ｂ側が固定された構造と
なっていてもよい。以上、スタブ２ｂ，３ｂ側の構成を
説明したが、スタブ２ａ，３ａ側にも同様に、コンタク
ト８１ａ、ポスト８５ａおよび絶縁膜８１ａａ（ただ
し、ポスト８５ａおよび絶縁膜８１ａａについては、図
示せず）が形成されている。

【００８８】この構成において、主線路１の一部である
線路１ｂとスタブ２ａ，２ｂとを合わせて第１の分布定
数線路と呼び、スタブ３ａ，３ｂを合わせて第２の分布
定数線路と呼ぶ。また、ここで言う第１の分布定数線路
と、コンタクト８１ａ，８１ｂと、ポスト８５ａ，８５
ｂと、絶縁膜８１ａａ，８１ｂｂと、キャパシタ８６
ａ，８６ｂとによりマイクロマシンスイッチ８０が構成
される。

【００８９】制御信号Ｓを印加する第１の制御信号線６
は、高周波信号ＲＦの通過を阻止する第１の高周波信号
阻止手段７を介して、線路１ｂに接続されている。図１
９では第１の高周波信号阻止手段７としてフィルタ２０
と同様のフィルタ２０′が例示されているが、第１の高
周波信号阻止手段７としてフィルタ３０，４０、抵抗素
子５１ａも使用可能である。

【００９０】次に、図１９に示したマイクロマシンスイ
ッチ８０の動作を説明する。なお、説明の都合上、スタ
ブ２ｂ，３ｂ側の符号を挙げて説明するが、スタブ２
ａ，３ａ側も同時に同じ動作を行うことを断っておく。

【００９１】前述したとおり、通常時、コンタクト８１
ｂ先端の絶縁膜８１ｂｂはスタブ２ｂと離間しているの
で、スタブ２ｂ，３ｂの高周波接続は開放されている。
このとき、第１の制御信号線６からフィルタ２０′を介
して線路１ｂに正の電圧が印加されると、線路１ｂに接
続されたスタブ２ｂの表面に正電荷が発生する。これに
より、図２に示したマイクロマシンスイッチ１０ａ，１
０ｂと同じ原理で、スタブ２ｂとコンタクト８１ｂとの
対向部分に吸引力が発生する。この吸引力によりコンタ
クト８１ｂは基板１９側に湾曲して、コンタクト８１ｂ
の先端部に形成された絶縁膜８１ｂｂがスタブ２ｂと接
触すると、容量結合によりスタブ２ｂとスタブ３ｂとが
高周波的に接続される。

【００９２】このとき、キャパシタ８６ａ，８６ｂによ
り線路１ｂは線路１ａ，１ｃ、さらには線路１ａ，１ｃ
に接続された他のマイクロ波回路（図示せず）と直流な
いし低周波的に絶縁されている。このため、線路１ｂに
与えられた制御信号Ｓが他のマイクロ波回路へ漏れるこ
とはなく、他のマイクロ波回路に悪影響を与えることは
ない。これと同時に、キャパシタ８６ａ，８６ｂおよび
絶縁膜８１ｂｂに囲まれた線路１ｂおよびスタブ２ｂの
直流電圧値は保持される。

【００９３】一方、線路１ｂへの電圧の印加が停止され
ると、スタブ２ｂとコンタクト８１ｂとの間の吸引力が
なくなる。このため、コンタクト８１ｂは元の形状に戻
るので、再び絶縁膜８１ｂｂはスタブ２ｂと離間する。
これにより、スタブ２ｂ，３ｂの高周波接続が開放され
る。図１９の構成では図１７と同様に複雑な形状のコン
タクト支持手段が不要なので、マイクロマシンスイッチ
の構成を簡素化できる。

【００９４】また、図示しないが、第２の制御信号線６
ａ，６ｂをスタブ３ａ，３ｂにそれぞれ接続して、スタ
ブ２ａ，２ｂに制御信号Ｓを印加したとき静電誘導によ
りコンタクト８１ａ，８１ｂに発生する電荷を第２の制
御信号線６ａ，６ｂを介して充放電するようにしてもよ
い。このとき、第２の制御信号線６ａ，６ｂには第２の
高周波信号阻止手段７ａ，７ｂが接続される。

【００９５】（第７の実施の形態）以上では、本発明に
より図１に示したタイプのローデッドライン形移相器を
構成する場合を説明したが、本発明により異なるタイプ
の移相器も構成できる。図２１は、本発明により図１と
は異なるタイプのローデッドライン形移相器を構成した
ときのブロック図である。この図において、図１と同一
部分を同一符号をもって示し、適宜その説明を省略す
る。これら２つの移相器の構成上の相違点は、図１に示
した移相器がスタブ２ａ，２ｂとスタブ３ａ，３ｂとの
接続／開放を切り換えるのに対して、図２１に示した移
相器はスタブ２ａ，２ｂと接地８との接続／開放を切り
換えるところにある。

【００９６】スタブ２ａ，２ｂが接地８に高周波的に接
続／開放されると、主線路１からスタブ２ａ，２ｂ側を
みたサセプタンスが変化する。したがって、図１に示し
た移相器で説明したのと同じ理由から、制御信号Ｓをオ
ン／オフしてスタブ２ａ，２ｂと接地８との高周波接続
を制御することにより、主線路１を伝搬する高周波信号
ＲＦの移相量を切り換えることができる。

【００９７】図２２は、図２１に示した移相器の一構成
例を示す平面図である。これは、マイクロマシンスイッ
チ４ａ，４ｂとしてマイクロマシンスイッチ１０ａ，１
０ｂが使用され、第１の高周波信号阻止手段７として図
１２と同様に構成したフィルタ３０が使用された例であ
る。ただし、マイクロマシンスイッチ１０ａ，１０ｂの
支持手段１３ａ，１３ｂはそれぞれ第２の制御信号線６
ａ，６ｂにより高周波的に接地された電極８ａに接続さ
れている。なお、本発明では、この電極８ａを電位が０
（ゼロ）の分布定数線路と定義して、前記第２の分布定
数線路に含めることとする。

【００９８】（第８の実施の形態）以上では、本発明を
ローデッドライン形の移相器に適用した場合の諸形態を
説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えばスイッチドライン形および反射形など、他
のタイプの移相器に適用することもできる。ここでは、
本発明をスイッチドライン形の移相器に適用した形態
（第８の実施の形態）を説明する。図２３は、この形態
の構成を示すブロック図である。

【００９９】図２３に示すように、高周波信号ＲＦが伝
搬する主線路（第１の分布定数線路）１には寸断箇所が
あり、この主線路１は互いに離間して配置された２本の
線路１ｅ，１ｄにより構成されている。そして、これら
の線路１ｄ，１ｅの両方と各々僅かな隙間を隔てて、２
本の切換線路（第２の分布定数線路）２ｄ，２ｅが配置
されている。これらの切換線路２ｄ，２ｅは、互いに異
なる電気長を有している。

【０１００】線路１ｄ，１ｅと切換線路２ｄ，２ｅとの
間の４カ所の隙間にはそれぞれマイクロマシンスイッチ
４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇが配置されている。より具体的
には、線路１ｄと切換線路２ｄとの隙間にはマイクロマ
シンスイッチ４ｄが配置され、線路１ｅと切換線路２ｄ
との隙間にはマイクロマシンスイッチ４ｅが配置され、
線路１ｄと切換線路２ｅとの隙間にはマイクロマシンス
イッチ４ｆが配置され、線路１ｅと切換線路２ｅとの隙
間にはマイクロマシンスイッチ４ｇが配置されている。
これらのマイクロマシンスイッチ４ｄ〜４ｇは、図１に
示したマイクロマシンスイッチ４ａ，４ｂと同様に構成
できる。

【０１０１】一方、制御装置５ｄは、第１の高周波信号
阻止手段７ｄが接続された制御信号線６ｄを介してマイ
クロマシンスイッチ４ｄ，４ｅに接続されており、マイ
クロマシンスイッチ４ｄ，４ｅに対して制御信号Ｓを印
加する。さらに、制御装置５ｅは、第１の高周波信号阻
止手段７ｅが接続された制御信号線６ｅを介してマイク
ロマシンスイッチ４ｆ，４ｇに接続されており、マイク
ロマシンスイッチ４ｆ，４ｇに対して制御信号Ｓ（バ
ー）を印加する。ここで、制御信号Ｓ，Ｓ（バー）は相
補な２信号である。制御信号線６ｄ，６ｅにより第１の
制御信号線が構成される。これらの第１の高周波信号阻
止手段７ｄ，７ｅは共に、図１に示した高周波信号阻止
手段７と同様に構成できる。

【０１０２】次に、図２３に示した移相器の動作を簡単
に説明する。上述したように、制御信号Ｓ，Ｓ（バー）
は相補であるので、制御信号Ｓの印加されるマイクロマ
シンスイッチ４ｄ，４ｅがオンであるとき、制御信号Ｓ
（バー）の印加されるマイクロマシンスイッチ４ｆ，４
ｇはオフとなり、その逆に、マイクロマシンスイッチ４
ｄ，４ｅがオフであるとき、マイクロマシンスイッチ４
ｆ，４ｇはオンとなる。

【０１０３】したがって、制御信号Ｓ，Ｓ（バー）によ
り、主線路１を構成する線路１ｄ，１ｅの両方を高周波
的に接続する切換線路２ｄ，２ｅを切り換えることがで
きる。前述したように、切換線路２ｄ，２ｅは互いに電
気長が異なっているので、主線路１を構成する線路１
ｄ，１ｅの両方を接続する切換線路２ｄ，２ｅを切り換
えることにより、線路１ｄと線路１ｅとの間の実効的な
電気長を変化させることができる。したがって、主線路
１を伝搬する高周波信号ＲＦの移相量を切り換えること
ができる。

【０１０４】図２４は、図２３に示した移相器の一構成
例を示す平面図である。ここでは、マイクロマシンスイ
ッチ４ｄ〜４ｇとして、マイクロマシンスイッチ１０
ａ，１０ｂと同様に構成されるマイクロマシンスイッチ
１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇが使用されている。ま
た、第１の高周波信号阻止手段７ｄ，７ｅとして、高抵
抗素子５１ａ，５１ｂと同様に構成される高抵抗素子５
１ｄ，５１ｅ，５１ｆ，５１ｇが使用されている。

【０１０５】（第９の実施の形態）以上、第１〜第８の
実施の形態で示した移相器により、１ビットのディジタ
ル移相器を実現できる。互いに移相量の異なるこれらの
移相器を縦続接続することにより、２ビット以上のディ
ジタル移相器を構成できる。図２５は、２個の移相器を
縦続接続したときの一構成例を示す平面図である。図２
５で縦続接続されている移相器９−１，９−２は共に、
図３に示した移相器である。ただし、移相器９−１，９
−２の移相量はそれぞれ異なっている。

【０１０６】フィルタ２０に含まれる低インピーダンス
λ／４線路２２は比較的大面積を必要とする。そこで、
移相器９−１の低インピーダンスλ／４線路２２−１お
よび移相器９−２の低インピーダンスλ／４線路２２−
２を多層化し、低インピーダンスλ／４線路２２−１，
２２−２の間にＳｉＯ₂ などの絶縁膜２５を介挿する。
これにより、２個の低インピーダンスλ／４線路２２−
１，２２−２の占有する面積を小さくできる。また、各
低インピーダンスλ／４線路２２−１，２２−２は絶縁
膜２５により直流的に絶縁されているので、第１の制御
信号線６−１，６−２から移相器９−１，９−２にそれ
ぞれ与えられる制御信号Ｓ１，Ｓ２が混信することはな
い。なお、図２５において、２１ａ−１，２１ｂ−１，
２１ａ−２，２１ｂ−２は高インピーダンスλ／４線路
である。

【０１０７】（第１０の実施の形態）本発明では、他の
配線と共に移相器を基板１９上に形成してもよいし、移
相器の構成の一部または全部をチップ化してこれを基板
１９に搭載・実装することによりマイクロ波回路（また
はミリ波回路）を形成してもよい。ここでチップ化と
は、単位回路を半導体プロセスなどにより別基板上に多
数一括形成して単位回路ごとに切り出し、さらに基板に
搭載・実装するための加工を施すことをいう。

【０１０８】図２６は、マイクロマシンスイッチをチッ
プ化したものを基板１９に実装して図３に示した移相器
を形成したときの平面図である。図２６に示すように、
スタブ２ａ，３ａの端部２ａａ，３ａａとマイクロマシ
ンスイッチ１０ａとがチップ化されてチップ９０ａが形
成され、スタブ２ｂ，３ｂの端部２ｂｂ，３ｂｂとマイ
クロマシンスイッチ１０ｂとがチップ化されてチップ９
０ｂが形成されている。一方、予め基板１９上には、主
線路１と、スタブ２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂの端部２ａ
ａ，２ｂｂ，３ａａ，３ｂｂを除く部分と、高インピー
ダンスλ／４線路２１ａ，２１ｂと、低インピーダンス
λ／４線路２２と、第１の制御信号線６とが配線されて
いる。

【０１０９】この基板１９に上記したチップ９０ａ，９
０ｂとを実装することにより、図３に示した移相器と同
等の機能を実現できる。このように移相器をチップ化す
ることにより、チップ９０ａ，９０ｂ単体の不良検査を
実施できるので、移相器が使用される回路全体の歩留ま
りを向上できるという利点がある。以上、本発明を移相
器に適用したときの種々の形態を説明したが、この移相
器は例えばフェーズドアレーアンテナなどに使用でき
る。

【０１１０】（第１１の実施の形態）以上では、本発明
による高周波回路の実施の形態を、移相器を例にして説
明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではな
く、マイクロマシンスイッチを制御することにより高周
波信号ＲＦの通過状態を切り換える機能を有する他の高
周波回路にも適用できる。その一例として、通過周波数
帯域または阻止周波数帯域を可変しうる周波数可変フィ
ルタに本発明を適用した形態（第１１の実施の形態）を
説明する。

【０１１１】図２７は、遮断周波数を可変しうる帯域阻
止フィルタに本発明を適用したときの構成を示すブロッ
ク図である。帯域阻止フィルタは、図２７に示すよう
に、高周波信号ＲＦが伝搬する主線路１と、この主線路
１と離間した副線路（第１の分布定数線路）２ｈとから
構成されている。ここで、副線路２ｈの長さがλ／２の
とき、副線路２ｈは共振するので、このような条件を満
たす周波数の高周波信号ＲＦは主線路１を通過すること
ができず遮断される。一方、上記の条件を満たさない周
波数では、副線路２ｈにおいて共振しないので、主線路
１を通過することができる。

【０１１２】図２７に示すように、線路（第２の分布定
数線路）３ｉ，３ｊとマイクロマシンスイッチ４ｉ，４
ｊとによって副線路２ｈの長さが可変であるとき、副線
路２ｈの共振周波数は可変となるので、遮断周波数を切
り換えることができる。このような帯域阻止フィルタに
おいて図３１に示した従来のマイクロマシンスイッチ
（すなわち制御信号線１０６への漏洩量が大きいマイク
ロマシンスイッチ）を使用すると、制御信号線１０６へ
の漏洩により共振周波数がずれるため、所望の帯域にお
いて高周波信号ＲＦを阻止しなくなる。しかし、図２７
に示すように第１の高周波信号阻止手段７ｈを使用すれ
ば、制御信号線６ｈへの漏洩量が低く抑制されるので、
共振周波数のずれもなく、所望の帯域において高周波信
号ＲＦを阻止することができる。

【０１１３】図２７に示した帯域阻止フィルタにおい
て、マイクロマシンスイッチ４ｉ，４ｊおよび第１の高
周波信号阻止手段７ｈは、それぞれ、図１に示したマイ
クロマシンスイッチ４ａ，４ｂおよび第１の高周波信号
阻止手段７と同様に構成できる。図２８は、図２７に示
した帯域阻止フィルタの一構成例を示す平面図である。
ここでは、マイクロマシンスイッチ４ｉ，４ｊとして、
マイクロマシンスイッチ１０ａ，１０ｂと同様に構成さ
れるマイクロマシンスイッチ１０ｉ，１０ｊが使用され
ている。また、第１の高周波信号阻止手段７ｈとして、
高抵抗素子５１ａ，５１ｂと同様に構成される高抵抗素
子５１ｉ，５１ｊが使用されている。各々の副線路２ｈ
の長さは、所望の阻止帯域に応じて定められる。また、
図示しないが、すべてのマイクロマシンスイッチ１０
ｉ，１０ｊは同一の制御装置５ｈに接続されている。

【０１１４】また、遮断周波数を可変しうる低域通過フ
ィルタに本発明を適用することもできる。図２９は、本
発明が適用された低域通過フィルタの一構成例を示す平
面図である。図２９に示すように、各々所定の長さを有
するスタブ（第２の分布定数線路）２ｑ，２ｒ，２ｓお
よび２ｕ，２ｖ，２ｗが、主線路（第１の分布定数線
路）１と離間して配置されている。また、これらのスタ
ブ２ｑ〜２ｓおよび２ｕ〜２ｗと主線路１との間には、
図１７に示したマイクロマシンスイッチ７０ａ，７０ｂ
と同様の構成を有するマイクロマシンスイッチ７０ｑ，
７０ｒ，７０ｓおよび７０ｕ，７０ｖ，７０ｗがそれぞ
れ配置されている。

【０１１５】マイクロマシンスイッチ７０ｑ〜７０ｓそ
れぞれの制御電極は第１の制御信号線６ｐに接続されて
おり、マイクロマシンスイッチ７０ｕ〜７０ｗそれぞれ
の制御電極は第１の制御信号線６ｔに接続されている。
これら制御信号線６ｐ，６ｔの途中には、第１の高周波
阻止手段として高抵抗素子５１ａ，５１ｂと同様に構成
される高抵抗素子５１が挿入されている。

【０１１６】このフィルタにおいて、制御信号線６ｐ，
６ｔのどちらか一方をオンとし、他方をオフとすること
により、スタブ２ｑ〜２ｓまたはスタブ２ｕ〜２ｗのい
ずれを主線路１に接続するかを選択できる。ここで、各
スタブ２ｑ〜２ｓ，２ｕ〜２ｗの長さおよび配置間隔
は、スタブ２ｑ〜２ｓが主線路１に接続されているとき
遮断周波数がｆ₁ となり、スタブ２ｕ〜２ｗが主線路１
に接続されているとき遮断周波数がｆ₂ となるように設
定されている。したがって、上述したように制御信号線
６ｐ，６ｔをオン／オフ切換することにより、遮断周波
数を切り換えることができる。

【０１１７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マイクロマシンスイッチに制御信号を印加する第１の制
御信号線に第１の高周波信号阻止手段を接続することに
より、第１の制御信号線への高周波信号の漏洩を防止で
きる。したがって、高周波回路の挿入損失を低減でき
る。また、第１の制御信号線から他の線路への電磁的結
合を防止できるので、本発明による高周波回路が使用さ
れる回路の高周波特性を改善できる。

【０１１８】また、キャパシタ構造をなす２電極のうち
制御信号が印加されない方に第２の制御信号線を接続
し、この第２の制御信号線を介して静電誘導に基づく電
荷の充放電を行う。これにより、マイクロマシンスイッ
チのスイッチング動作が安定すると共にスイッチング速
度が速くなるので、高周波信号の通過状態の切り換えを
確実にしかも迅速に行うことができる。このとき、第２
の制御信号線に第２の高周波信号阻止手段を接続するこ
とにより、第２の制御信号線への高周波信号の漏洩を防
止できる。したがって、挿入損失の増加や高周波特性の
劣化といった問題は生じない。

【０１１９】あるいは、キャパシタ構造をなす２電極の
うち制御信号が印加されない方に第２の制御信号線を接
続し、制御信号とは逆の極性の電圧をかけておくことに
より、制御信号の電圧の大きさを小さくできるので、サ
ージおよびノイズの発生を抑制できる。この場合も、第
２の制御信号線に第２の高周波信号阻止手段を接続する
ことにより、挿入損失の増加や高周波特性の劣化といっ
た問題を回避できる。

【０１２０】また、第１および第２の高周波信号阻止手
段を共にキャパシタを用いたバイアスティーで構成する
場合、構成部品を共用することにより、構成を簡略化で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示すブロ
ック図である。

【図２】マイクロマシンスイッチの第１構成例の斜視
図である。

【図３】第１の高周波信号阻止手段の第１構成例の平
面図である。

【図４】第１の高周波信号阻止手段の第２構成例の平
面図である。

【図５】第１の高周波信号阻止手段の第３構成例の平
面図である。

【図６】第１の高周波信号阻止手段の第３構成例の具
体例を示す平面図である。

【図７】第１の高周波信号阻止手段の第３構成例の具
体例を示す平面図である。

【図８】第１の高周波信号阻止手段の第４構成例の平
面図である。

【図９】第１の高周波信号阻止手段の第４構成例の平
面図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態の構成を示すブ
ロック図である。

【図１１】図１０に示した移相器の一構成例の平面図
である。

【図１２】図１０に示した移相器の他の構成例の平面
図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態の構成を示すブ
ロック図である。

【図１４】マイクロマシンスイッチの第２構成例を用
いて、本発明を適用した移相器を構成したときの平面図
である。

【図１５】マイクロマシンスイッチの第２構成例を拡
大して示す平面図である。

【図１６】マイクロマシンスイッチの第２構成例の断
面図である。

【図１７】マイクロマシンスイッチの第３構成例を用
いて、本発明を適用した移相器を構成したときの平面図
である。

【図１８】マイクロマシンスイッチの第３構成例の断
面図である。

【図１９】マイクロマシンスイッチの第４構成例を用
いて、本発明を適用した移相器を構成したときの平面図
である。

【図２０】マイクロマシンスイッチの第４構成例の断
面図である。

【図２１】本発明により図１とは異なるタイプのロー
デッドライン形移相器を構成したときのブロック図であ
る。

【図２２】図２１に示した移相器の一構成例を示す平
面図である。

【図２３】本発明によりスイッチドライン形移相器を
構成したときのブロック図である。

【図２４】図２３に示した移相器の一構成例を示す平
面図である。

【図２５】２個の移相器を縦続接続したときの一構成
例を示す平面図である。

【図２６】マイクロマシンスイッチをチップ化したも
のを基板に実装して図３に示した移相器を形成したとき
の平面図である。

【図２７】遮断周波数を可変しうる帯域阻止フィルタ
に本発明を適用したときの構成を示すブロック図であ
る。

【図２８】図２７に示した帯域阻止フィルタの一構成
例を示す平面図である。

【図２９】遮断周波数を可変しうる低域通過フィルタ
に本発明を適用したときの一構成例を示す平面図であ
る。

【図３０】従来の移相器の一例を示すブロック図であ
る。

【図３１】マイクロマシンスイッチの一構成例を示す
斜視図である。

【符号の説明】

１…主線路、１ａ〜１ｅ，３ｉ，３ｊ…線路、２ａ，２
ｂ，２ｑ〜２ｓ，２ｕ〜２ｗ，３ａ，３ｂ…スタブ、２
ａａ，２ｂｂ，３ａａ，３ｂｂ…端部、２ｄ，２ｅ…切
換線路、２ｈ…副線路、４ａ，４ｂ，４ｄ〜４ｇ，４
ｉ，４ｊ，１０ａ，１０ｂ，１０ｄ〜１０ｇ，１０ｉ，
１０ｊ，６０ａ，６０ｂ，７０ａ，７０ｂ，７０ｑ〜７
０ｓ，７０ｕ〜７０ｗ，８０…マイクロマシンスイッ
チ、５，５ｄ，５ｈ…制御装置、５ａ，８，３３…接
地、５ｂ…定電圧源、６，６ａ，６ｂ，６ｄ，６ｅ，６
ｈ，６ｐ，６ｔ，６−１，６−２…制御信号線、７，７
ａ，７ｂ，７ｄ，７ｅ，７ｈ…高周波信号阻止手段、８
ａ，３３ａ…接地電極、９−１，９−２…移相器、１１
ａ，１１ｂ、６１，７１，８１ａ，８１ｂ…コンタク
ト、１２ａ，１２ｂ，７２…制御電極、１３ｂ…支持手
段、１４ｂ，６３ａ，７５，８５ｂ…ポスト、１５ｂ，
６３ｂ…アーム、１９…基板、２０，２０ａ，２０ｂ，
３０，４０…フィルタ、２１，２１ａ，２１ａａ，２１
ａ−１，２１ａ−２，２１ｂ，２１ｂｂ，２１ｂ−１，
２１ｂ−２，３１ａ，３１ａａ，３１ｂ，３１ｂｂ…高
インピーダンスλ／４線路、２２，２２ａ，２２ｂ２２
−１，２２−２…低インピーダンスλ／４線路、２３…
接続点、３２，８６ａ，８６ｂ…キャパシタ、３４…電
極、２５，３５，８１ｂｂ，８７ａ，８７ｂ…絶縁膜、
４１…スパイラルインダクタ、４２…ミアンダラインイ
ンダクタ、５１，５１ａ，５１ａａ，５１ｂ，５１ｂ
ｂ，５１ｄ〜５１ｇ，５１ｉ，５１ｊ…高抵抗素子、６
１ａ…上部電極、６２…下部電極、６３ｃ…絶縁部材、
６３ｄ…ビアホール、６４…補強部材、９０ａ，９０ｂ
…チップ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１および第２の分布定数線路の間を高
周波的に接続および開放するマイクロマシンスイッチを
制御することにより高周波信号の通過状態を切り換える
高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチを制御するための制御信号
を前記マイクロマシンスイッチに印加する第１の制御信
号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備えるこ
とを特徴とする高周波回路。
【請求項２】第１の分布定数線路と接地との間を高周
波的に接続および開放するマイクロマシンスイッチを制
御することにより高周波信号の通過状態を切り換える高
周波回路において、前記マイクロマシンスイッチを制御するための制御信号
を前記マイクロマシンスイッチに印加する第１の制御信
号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備え、前記接地により第２の分布定数線路が構成されることを
特徴とする高周波回路。
【請求項３】第１および第２の分布定数線路の間を高
周波的に接続および開放するマイクロマシンスイッチを
制御することにより高周波信号の通過状態を切り換える
高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチは、第１および第２の電極
を有し、さらに、前記マイクロマシンスイッチを制御するための制御信号
を前記第１および第２の電極の一方に印加する第１の制
御信号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備えるこ
とを特徴とする高周波回路。
【請求項４】第１の分布定数線路と接地との間を高周
波的に接続および開放するマイクロマシンスイッチを制
御することにより高周波信号の通過状態を切り換える高
周波回路において、前記マイクロマシンスイッチは、第１および第２の電極
を有し、さらに、前記マイクロマシンスイッチを制御するための制御信号
を前記第１および第２の電極の一方に印加する第１の制
御信号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備え、前記接地により第２の分布定数線路が構成されることを
特徴とする高周波回路。
【請求項５】高周波信号が伝搬する主線路と、この主線路に接続されると共に先端が開放された第１の
分布定数線路と、この第１の分布定数線路の先端と離間するように配置さ
れかつ先端が開放された第２の分布定数線路と、制御信号に基づいて前記第１および第２の分布定数線路
の間を高周波的に接続および開放するマイクロマシンス
イッチと、このマイクロマシンスイッチに前記制御信号を印加する
第１の制御信号線と、この第１の制御信号線に接続され
かつ前記高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号
阻止手段とを備えることを特徴とする高周波回路。
【請求項６】高周波信号が伝搬する主線路と、この主線路に接続されると共に先端が開放された第１の
分布定数線路と、この第１の分布定数線路の先端と離間するように配置さ
れた接地と、制御信号に基づいて前記第１の分布定数線路と前記接地
との間を高周波的に接続および開放するマイクロマシン
スイッチと、このマイクロマシンスイッチに前記制御信号を印加する
第１の制御信号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備え、前記接地により第２の分布定数線路が構成されることを
特徴とする高周波回路。
【請求項７】互いに離間して配置された２本の線路か
らなる第１の分布定数線路と、この第１の分布定数線路を構成する前記線路の両方と各
々離間して配置されかつ互いに電気長の異なる２本の第
２の分布定数線路と、前記第１の分布定数線路を構成する前記線路の両方を高
周波的に接続する前記第２の分布定数線路を制御信号に
基づいて切り換えることにより前記第１の分布定数線路
を伝搬する高周波信号の通過位相を変更するマイクロマ
シンスイッチと、このマイクロマシンスイッチに前記制御信号を印加する
第１の制御信号線と、この第１の制御信号線に接続され
かつ前記高周波信号の通過を阻止する第１の高周波信号
阻止手段とを備えることを特徴とする高周波回路。
【請求項８】第１および第２の分布定数線路の間を高
周波的に接続および開放するマイクロマシンスイッチを
制御することにより通過周波数帯域または阻止周波数帯
域を切り換える高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチを制御するための制御信号
を前記マイクロマシンスイッチに印加する第１の制御信
号線と、この第１の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第１の高周波信号阻止手段とを備えるこ
とを特徴とする高周波回路。
【請求項９】請求項１，２，５〜８いずれか１項記載
の高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチは、前記第１および第２の分布定数線路に対して接離自在に
配置されかつ前記第１および第２の分布定数線路の両方
と接触したときに前記第１および第２の分布定数線路を
高周波的に接続するコンタクトと、このコンタクトを支える支持手段と、前記第１および第２の分布定数線路間の隙間における前
記コンタクトの直下に配置された第１の電極とを備え、前記コンタクトは、前記第１の電極と共にキャパシタ構
造を構成する第２の電極であり、前記第１の制御信号線は、前記第１および第２の電極の
一方の電極に電気的に接続されることを特徴とする高周
波回路。
【請求項１０】請求項１，２，５〜８いずれか１項記
載の高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチは、前記第１および第２の分布定数線路に対して接離自在に
配置されかつ前記第１および第２の分布定数線路の両方
と接触したときに前記第１および第２の分布定数線路を
高周波的に接続するコンタクトと、このコンタクトを支える支持手段と、前記第１および第２の分布定数線路自体、およびこれら
の間の隙間の両方と離間する位置に配置された第１の電
極と、この第１の電極と対向するように前記支持手段に取り付
けられかつ前記第１の電極と共にキャパシタ構造を構成
する第２の電極とを備え、前記第１の制御信号線は、前記第１および第２の電極の
一方の電極に電気的に接続されることを特徴とする高周
波回路。
【請求項１１】請求項１０記載の高周波回路におい
て、前記マイクロマシンスイッチの前記支持手段は、前記第
２の電極と前記コンタクトとの間の部分が絶縁性を有し
ていることを特徴とする高周波回路。
【請求項１２】請求項１，２，５〜８いずれか１項記
載の高周波回路において、一端が前記第１および第２の分布定数線路の一方に固定
されると共に他端が前記第１および第２の分布定数線路
の他方と接離自在となるように形成されかつ他端が前記
第１および第２の分布定数線路の他方と接触したときに
前記第１および第２の分布定数線路を高周波的に接続す
るコンタクトと、前記第１および第２の分布定数線路間の隙間における前
記コンタクトの直下に配置された第１の電極とを備え、前記コンタクトは、前記第１の電極と共にキャパシタ構
造を構成する第２の電極であり、前記第１の制御信号線は、前記第１および第２の電極の
一方の電極に電気的に接続されることを特徴とする高周
波回路。
【請求項１３】請求項１〜１２いずれか１項記載の高
周波回路において、前記第１の高周波信号阻止手段は、前記マイクロマシンスイッチに一端が接続されかつ前記
高周波信号の波長の約１／４の電気長で前記第１および
第２の分布定数線路の特性インピーダンスよりも大きな
特性インピーダンスを有する高インピーダンス線路と、前記高インピーダンス線路の他端に一端が接続されると
共に他端が開放されかつ前記高周波信号の波長の約１／
４の電気長で前記高インピーダンス線路の特性インピー
ダンスよりも小さな特性インピーダンスを有する低イン
ピーダンス線路とからなり、前記第１の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
他端に接続されていることを特徴とする高周波回路。
【請求項１４】請求項１〜１２いずれか１項記載の高
周波回路において、前記第１の高周波信号阻止手段は、前記マイクロマシンスイッチに一端が接続されかつ前記
高周波信号の波長の約１／４の電気長で前記第１および
第２の分布定数線路の特性インピーダンスよりも大きな
特性インピーダンスを有する高インピーダンス線路と、前記高インピーダンス線路の他端と接地との間に形成さ
れたキャパシタとからなり、前記第１の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
他端に接続されていることを特徴とする高周波回路。
【請求項１５】請求項１〜１２いずれか１項記載の高
周波回路において、前記第１の高周波信号阻止手段は、
インダクタンス素子からなることを特徴とする高周波回
路。
【請求項１６】請求項１〜１２いずれか１項記載の高
周波回路において、前記第１の高周波信号阻止手段は、前記第１および第２
の分布定数線路の特性インピーダンスよりも十分大きな
インピーダンスを有する抵抗素子からなることを特徴と
する高周波回路。
【請求項１７】請求項１６記載の高周波回路におい
て、前記抵抗素子は、前記第１の制御信号線に直列に挿入さ
れていることを特徴とする高周波回路。
【請求項１８】請求項１６記載の高周波回路におい
て、前記抵抗素子は、一端が前記第１の制御信号線に接続さ
れると共に他端が開放されていることを特徴とする高周
波回路。
【請求項１９】請求項３，４，９〜１８いずれか１項
記載の高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチの前記第１および第２の電
極のうち前記第１の制御信号線が電気的に接続されてい
ない他方の電極に電気的に接続されかつ前記一方の電極
への前記制御信号の印加開始時に前記他方の電極に静電
誘導により発生する電荷を充電すると共に、前記一方の
電極への前記制御信号の印加停止時に前記電荷を前記他
方の電極から放電する第２の制御信号線と、前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第２の高周波信号阻止手段とを備えるこ
とを特徴とする高周波回路。
【請求項２０】請求項３，４，９〜１８いずれか１項
記載の高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチの前記第１および第２の電
極のうち前記第１の制御信号線が電気的に接続されてい
ない他方の電極に電気的に接続されかつ前記制御信号と
逆の極性を有する定電圧を印加する第２の制御信号線
と、前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第２の高周波信号阻止手段とを備えるこ
とを特徴とする高周波回路。
【請求項２１】請求項１９または２０記載の高周波回
路において、前記第２の高周波信号阻止手段は、前記マイクロマシンスイッチの前記他方の電極に一端が
接続されかつ前記高周波信号の波長の約１／４の電気長
で前記第１および第２の分布定数線路の特性インピーダ
ンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高インピ
ーダンス線路と、前記高インピーダンス線路の他端に一端が接続されると
共に他端が開放されかつ前記高周波信号の波長の約１／
４の電気長で前記高インピーダンス線路の特性インピー
ダンスよりも小さな特性インピーダンスを有する低イン
ピーダンス線路とからなり、前記第２の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
他端に接続されていることを特徴とする高周波回路。
【請求項２２】請求項１９または２０記載の高周波回
路において、前記第２の高周波信号阻止手段は、前記マイクロマシンスイッチの前記他方の電極に一端が
接続されかつ前記高周波信号の波長の約１／４の電気長
で前記第１および第２の分布定数線路の特性インピーダ
ンスよりも大きな特性インピーダンスを有する高インピ
ーダンス線路と、前記高インピーダンス線路の他端と接地との間に形成さ
れたキャパシタとからなり、前記第２の制御信号線は、前記高インピーダンス線路の
他端に接続されていることを特徴とする高周波回路。
【請求項２３】請求項１９または２０記載の高周波回
路において、前記第２の高周波信号阻止手段は、インダクタンス素子
からなることを特徴とする高周波回路。
【請求項２４】請求項１９または２０記載の高周波回
路において、前記第２の高周波信号阻止手段は、前記第１および第２
の分布定数線路の特性インピーダンスよりも十分大きな
インピーダンスを有する抵抗素子からなることを特徴と
する高周波回路。
【請求項２５】請求項２４記載の高周波回路におい
て、前記抵抗素子は、前記第２の制御信号線に直列に挿入さ
れていることを特徴とする高周波回路。
【請求項２６】請求項２４記載の高周波回路におい
て、前記抵抗素子は、一端が前記第２の制御信号線に接続さ
れると共に他端が開放されていることを特徴とする高周
波回路。
【請求項２７】請求項３，４，９〜１２いずれか１項
記載の高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチの前記第１および第２の電
極のうち前記第１の制御信号線が電気的に接続されてい
ない他方の電極に電気的に接続されかつ前記一方の電極
への前記制御信号の印加開始時に前記他方の電極に静電
誘導により発生する電荷を充電すると共に、前記一方の
電極への前記制御信号の印加停止時に前記電荷を前記他
方の電極から放電する第２の制御信号線と、前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第２の高周波信号阻止手段とを備え、前記第１および第２の高周波信号阻止手段は、前記マイクロマシンスイッチの第１および第２の電極に
それぞれの一端が接続されかつ前記高周波信号の波長の
約１／４の電気長で前記第１および第２の分布定数線路
の特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダンス
を有する第１および第２の高インピーダンス線路と、前記第１および第２の高インピーダンス線路それぞれの
他端の間に形成されたキャパシタとにより構成され、前記第１の高インピーダンス線路の他端は、前記第１の
制御信号線に接続され、前記第２の高インピーダンス線路の他端は、高周波的な
接地に接続されていることを特徴とする高周波回路。
【請求項２８】請求項３，４，９〜１２いずれか１項
記載の高周波回路において、前記マイクロマシンスイッチの前記第１および第２の電
極のうち前記第１の制御信号線が電気的に接続されてい
ない他方の電極に電気的に接続されかつ前記制御信号と
逆の極性を有する定電圧を印加する第２の制御信号線
と、前記第２の制御信号線に接続されかつ前記高周波信号の
通過を阻止する第２の高周波信号阻止手段とを備え、前記第１および第２の高周波信号阻止手段は、前記マイクロマシンスイッチの第１および第２の電極に
それぞれの一端が接続されかつ前記高周波信号の波長の
約１／４の電気長で前記第１および第２の分布定数線路
の特性インピーダンスよりも大きな特性インピーダンス
を有する第１および第２の高インピーダンス線路と、前記第１および第２の高インピーダンス線路それぞれの
他端の間に形成されたキャパシタとにより構成され、前記第１の高インピーダンス線路の他端は、前記第１の
制御信号線に接続され、前記第２の高インピーダンス線路の他端は、高周波的な
接地に接続されていることを特徴とする高周波回路。