JP3128035B2 - ライブラリ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク等の複数の
記録媒体を倉庫に格納し、ハンドによって自動的に記録
媒体を交換し、各記録媒体へのデータアクセスを行うラ
イブラリ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク装置は、直径９０mmの光ディ
スク媒体で数百ＭＢ、また直径１３０mmの光ディスク媒
体で約１ＧＢ程度の記憶容量をそれぞれ有し、かつ光デ
ィスク媒体を交換可能な記憶装置であり、光ディスク媒
体の交換により等価的に記憶要領が無限大の記憶装置を
構成できる特徴がある。

【０００３】近年ではこのような光ディスク装置の特徴
を生かして、光ディスク媒体の交換を自動的に行ない１
ＴＢ級の記憶容量を提供する光ディスクライブラリ装置
が開発されている。光ディスクライブラリ装置は、光デ
ィクス媒体を１枚収納した標準の光ディスクカートリッ
ジを倉庫に多数格納し、該光ディスクカートリッジを自
動ハンドリング機構によって光ディスクドライブまで移
動し、光ディスクカートリッジ内の光ディスク媒体に対
してデータを読み書きするように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の光ディスクライブラリ装置の場合、光ディスク
媒体を交換するためには、先ず光ディスクドライブに装
填されていた光ディスクカートリッジを倉庫に戻し、次
に倉庫に格納されている光ディスクカートリッジを光デ
ィスクドライブまでハンドリング、即ち搬送する必要が
ある。このため、光ディスクドライブの平均アクセス時
間が数十ミリ秒と高速であるのに対して、光ディスクラ
イブラリ装置の平均アクセス時間は十数秒にも達すると
いう問題点があった。このように光ディスクカートリッ
ジを交換する際のライブラリ装置全体の平均アクセス時
間は、記憶容量が増し倉庫の大きさが大きくなるにつれ
て顕著に現れてくる。

【０００５】また、光ディスクライブラリ装置の平均ア
クセス時間には、光ディスク媒体の回転の停止及び起動
時間も含まれているので、データの転送速度を高めるた
めに光ディスク媒体の回転数を高めると、回転の停止及
び起動時間が増大し、平均アクセス時間がさらに増加す
るという問題点もあった。

【０００６】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、カー
トリッジ交換時等においてもデータアクセスを可能とし
たライブラリ装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、請求項１では、記録媒体を収納した複数
のカートリッジと、該カートリッジ内の記録媒体に対す
るデータの書き込み及び読み出しを行うドライブ部と、
前記複数のカートリッジを収納する倉庫と、ドライブ部
に接続するカートリッジを前記倉庫内から搬送するハン
ド部とを備えたライブラリ装置において、前記カートリ
ッジに、不揮発性の半導体メモリと、該半導体メモリに
記録されたデータを送受信し、かつ該メモリを駆動する
電源を受電するための受電型トランスデューサとを設
け、前記ハンド部に、前記カートリッジを把持している
間、前記受電型トランスデューサに接続され、前記カー
トリッジ内の半導体メモリにデータを送受信し、かつ前
記半導体メモリを駆動する電源を供給するための第１の
給電型トランスデューサを設け、前記ドライブ部に、カ
ートリッジが前記ドライブ部に接続されている間、前記
受電型トランスデューサに接続され、前記カートリッジ
内の半導体メモリにデータを送受信し、かつ前記半導体
メモリを駆動する電源を供給するための第２の給電型ト
ランスデューサを設けると共に、前記受電型トランスデ
ューサに接続された第１又は第２の給電型トランスデュ
ーサを介して前記半導体メモリへのデータの読み書きを
行うデータアクセス手段を備えたライブラリ装置を提案
する。

【０００８】また、請求項２では、請求項１記載のライ
ブラリ装置において、前記カートリッジを複数個収納す
る倉庫は、カートリッジが倉庫に格納されている間、各
カートリッジ内の前記半導体メモリにデータを送受信
し、かつ前記半導体メモリを駆動する電源を供給するた
めの第３の給電型トランスデューサを有し、該第３の給
電型トランスデューサは前記データアクセス手段に接続
されているライブラリ装置を提案する。

【０００９】

【作用】本発明の請求項１によれば、ハンド部によって
倉庫からドライブ部にカートリッジを搬送する間には、
該ハンド部に設けられた第１の給電型トランスデューサ
が前記カートリッジに設けられた受電型トランスデュー
サに接続され、該第１の給電型トランスデューサ及び受
電型トランスデューサを介して前記カートリッジ内の半
導体メモリに電源が供給され、且つデータアクセス手段
によって前記半導体メモリに対するデータの読み書きが
行われる。また、前記ハンド部によって前記カートリッ
ジがドライブ部に装填された後は、該ドライブ部によっ
て前記カートリッジ内の記録媒体に対するデータの読み
書きが行われると共に、前記受電型トランスデューサは
前記ドライブ部に設けられた第２の給電型トランスデュ
ーサに接続され、該第２の給電型トランスデューサ及び
受電型トランスデューサを介して前記カートリッジ内の
半導体メモリに電源が供給され、且つ前記データアクセ
ス手段によって前記半導体メモリに対するデータの読み
書きが行われる。これにより前記カートリッジをハンド
リングしている間にも前記半導体メモリにアクセスする
ことができる。

【００１０】さらに、請求項２によれば、前記カートリ
ッジが前記倉庫に収納されている間は、各カートリッジ
に設けられた前記受電型トランスデューサは前記倉庫に
設けられた第３の給電型トランスデューサに接続され、
該第３の給電型トランスデューサ及び受電型トランスデ
ューサを介して前記カートリッジ内の半導体メモリに電
源が供給され、且つ前記データアクセス手段によって前
記半導体メモリに対するデータの読み書きが行われる。
これにより、カートリッジ内の半導体メモリが常駐され
る形となり、半導体メモリの配下に記録媒体が位置する
ような階層構成が実現される。

【００１１】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明の一実施例におけるライブラリ装
置を示す概略構成図である。図において、１は光ディス
クドライブ、２は光ディスクカートリッジ、３は複数の
光ディスクカートリッジ２が収納されている倉庫、４は
ハンド部で、図示せぬ機構によって倉庫３と光ディスク
ドライブ１との間を移動し、倉庫３から任意の光ディス
クカートリッジ２を把持して搬送し、光ディスクドライ
ブ１に装填される光ディスクカートリッジ２の交換を行
うものである。

【００１２】光ディスクドライブ１は、ＣＰＵからなる
プロセッサ１０、データ記録再生回路１１、データを一
時蓄積するデータバッファ１２、ＳＣＳＩコントローラ
１３、給電型のトランスデューサ１４及びトランスデュ
ーサ１４に接続されたコネクタ１５を備えている。プロ
セッサ１０は、データバッファ１２、トランスデューサ
１４、及びハンド部４に設けられた給電型のトランスデ
ューサ４１のそれぞれに接続されている。さらに、デー
タバッファ１２は、データ記録再生回路１１及びＳＣＳ
Ｉコントローラ１３に接続されている。

【００１３】光ディスクカートリッジ２は、図２に示す
ように、箱型の筐体２０を有し、筐体２０内には、光デ
ィスク媒体２１、受電型のトランスデューサ２２、不揮
発性の半導体メモリ２３及びコネクタ２４，２５を備え
ている。また、コネクタ２４，２５のそれぞれは筐体２
０の対向する面に装着され、トランスデューサ２２に接
続されている。さらに、トランスデューサ２２は半導体
メモリ２３に接続され、トランスデューサ２２内の受電
回路２２ａを介して半導体メモリ２３に電源が供給さ
れ、ラインドライバ２２ｂ及びラインレシーバ２２ｃを
介してデータアクセスが行われる。

【００１４】また、トランスデューサ１４は、図２に示
すように、電源供給回路１４ａ、ラインドライバ１４ｂ
及びラインレシーバ１４ｃから構成され、これらはコネ
クタ１５，２４或いはコネクタ１５，２５を介して、ト
ランスデューサ２２の受電回路２２ａ、ラインレシーバ
２２ｃ、ラインドライバ２２ｂに記述の順に接続される
ようになっている。

【００１５】一方、ハンド部４に備わるトランスデュー
サ４１も、前述したトランスデューサ２２と同様に、電
源供給回路、ラインドライバ及びラインレシーバから構
成され、これらはコネクタ４２，２４或いはコネクタ４
２，２５を介して、トランスデューサ２２の受電回路２
２ａ、ラインレシーバ２２ｃ、ラインドライバ２２ｂに
記述の順に接続されるようになっている。

【００１６】このように、本実施例では、光ディスクカ
ートリジ２内の半導体メモリ２３はシリアルインタフェ
ースを有しており、ハンド部４若しくは光ディスクドラ
イブ１と光ディスクカートリッジ２内の半導体メモリ２
３との間のデータの送受信は双方向のシリアルインタフ
ェースで行なわれるように構成されている。

【００１７】また、光ディスクカートリッジ２は、ハン
ド部４及び光ディスクドライブ１と接続するための少な
くとも異なる２ケ所に設けられたコネクタ２４，２５に
よって、光ディスクカートリッジ２の交換の際にも連続
して半導体メモリ２３をアクセスできるようになってい
る。例えば、光ディスクカートリッジ２がハンド部４に
よって把持されて搬送されている間には、コネクタ２５
とコネクタ４２が接続され、また光ディスクカートリッ
ジ２が光ディスクドライブ１に装填されている間には、
コネクタ２４とコネクタ１５が接続され、半導体メモリ
２３のアクセスが可能になっている。

【００１８】前述したシリアルインタフェースによるデ
ータの送受信は、通信線数を少なくでき、コネクタ１
５，２４，２５，４２を簡易に構成できるため、通信の
信頼性が高く、また光ディスクカートリッジ２に搭載さ
れたラインドライバ２２ｂ、ラインレシーバ２２ｃ、半
導体メモリ２３の消費電力を低減できる意味でも有効で
ある。

【００１９】尚、半導体メモリ２３の電源は、ハンド部
４若しくは光ディスクドライブ１に搭載されたトランス
デューサ１４，４１の電源供給回路１４ａから供給さ
れ、光ディスクカートリッジ２内の受電回路２２ａによ
ってノイズが除去されると共に電圧が調整されて半導体
メモリ２３に供給される。

【００２０】前述の構成によれば、光ディスク媒体２１
にデータを記憶する場合には、ＳＣＳＩバスＢＳを介し
て上位装置（図示せず）から送られてきたデータを一旦
データバッファ１２に蓄積し、プロセッサ１０の管理の
もとで光ディスク媒体２１の回転のタイミングにあわせ
てデータ記録再生回路１１に送り、データ記録再生回路
１１によって光ディスク媒体２１にデータが記録され
る。また、光ディスク媒体２１からデータを読み出す場
合は、前述したとは逆の過程を経てＳＣＳＩバスＢＳを
介して上位装置にデータが出力される。

【００２１】一方、半導体メモリ２３にデータを記録す
る場合には、データはデータバッファ１２から一旦プロ
セッサ１０に取り込まれ、プロセッサ１０のシリアルイ
ンタフェースからトランスデューサ１４若しくはハンド
部４に搭載されたトランスデューサ４１を介して光ディ
スクカートリッジ２内の半導体メモリ２３に転送され
る。即ち、半導体メモリ２３にデータを記録する場合に
は、プロセッサ１０によって、ハンド部４若しくは光デ
ィスクドライブ１側のラインドライバ１５ｂ，４１ｂか
ら光ディスクカートリッジ２内のラインレシーバ２２ｃ
に向けてデータが転送され、半導体メモリ２３にデータ
が書き込まれる。

【００２２】さらに、半導体メモリ２３からデータを読
み出す場合は、光ディスクカートリッジ２内のラインド
ライバ２２ｂからハンド部４若しくは光ディスクドライ
ブ１側のラインレシーバ１４ｃにデータが転送され、プ
ロセッサ１０によりデータの読み出しが行われ、該読み
出されたデータはデータバッファ１２及びＳＣＳＩコン
トローラ１３を介してＳＣＳＩバスＢＳに出力される。

【００２３】また、光ディスクカートリッジ２内の光デ
ィスク媒体２１は、光ディスクドライブ１に装填された
後、起動されて所定の回転速度で回転されている間にア
クセス可能となるが、半導体メモリ２３の場合は光ディ
スクカートリッジ２が搬送されている間、若しくは光デ
ィスクカートリッジ２が光ディスクドライブ１に装填さ
れ、光ディスク媒体２１が起動及び停止の過程にある間
にもアクセス可能である。

【００２４】従って、半導体メモリ２３を光ディスク媒
体２１のキャッシュメモリとして使用すると、光ディス
クドライブ１単体のアクセス性能を向上できるばかりで
なく、カートリッジ交換を含む平均アクセス時間を１／
３に短縮できる。

【００２５】これは、光ディスクカートリッジ２を搬送
する３つのハンドリング行程、即ち記録再生処理が完了
した光ディスクカートリッジ２を光ディスクドライブ１
から倉庫３に搬送する第１の行程と、ハンド部４を次の
光ディスクカートリッジ２に向けて移動させる第２の行
程と、新しい光ディスクカートリッジ２を倉庫３から光
ディスクドライブ１に搬送する第３の行程のうち、光デ
ィスクカートリッジ２をハンドリングしている第１及び
第３の行程において、光ディスクカートリッジ２内の半
導体メモリ２３がキャッシュメモリとして機能するため
である。

【００２６】さらに、本実施例ではキャッシュメモリを
構成する半導体メモリ２３と光ディスク媒体２１が共に
筐体２０内に収納されているため、光ディスクカートリ
ッジ２を交換するとキャッシュデータが自動的に保存さ
れることになる。従って、光ディスクカートリッジ２の
交換直後もキャッシュメモリ中のデータのヒット率を高
く維持できるという特徴がある。

【００２７】また、動画像データを光ディスク媒体２１
に記録した場合には、該動画像データの頭だしデータを
半導体メモリ２３に記録しておけば、光ディスクカート
リッジ２をハンドリングした瞬間からデータを再生でき
るため比較的高速な頭出しが可能になる。さらにまた、
従来のように頭だし専用のメモリを使用しないことか
ら、頭だし部分の登録が不要であり、ライブラリ装置に
対して光ディスクカートリッジ２を容易に追加・削除で
きる特徴もある。

【００２８】前述したように光ディスクカートリッジ２
内に光ディスク媒体２１と共に不揮発性の半導体メモリ
２３を搭載し、該半導体メモリ２３を光ディスク媒体２
１のキャッシュメモリとして使用すれば、光ディスクド
ライブ１単体のアクセス性能を飛躍的に向上することが
できる。また、半導体メモリ２３を光ディスク媒体２１
の交替エリアとして使用することも可能である。この場
合、光ディスク媒体２１に欠陥セクタがある場合でもヘ
ッドを移動させて交替処理を行なう必要がないため、動
画像のように連続した長大データの記録再生や、複数の
光ディスクドライブ１を同期して運転する光ディスクア
レイを構成する上で極めて有効である。

【００２９】尚、本実施例の場合、データの送受信に関
してはワイヤ（導電配線）を使ったシリアルインタフェ
ースを使用しており、光ディスクカートリッジ２内の半
導体メモリ２３を駆動する電源も同一のワイヤを用いて
供給しているが、データの送受信や電源の供給には、こ
の他に光カプラ、磁気カプラ等が使用できることは言う
までもないことである。

【００３０】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
図３は本発明の第２の実施例を示す構成図である。図に
おいて、前述した第１の実施例と同一構成部分は同一符
号をもって表しその説明を省略する。また、第１の実施
例と第２の実施例の相違点は、第１の実施例の構成に加
えて、倉庫３にプロセッサ１０に接続された給電型のト
ランスデューサ３１及び各光ディスクカートリッジ２に
対応した複数のコネクタ３２を設け、トランスデューサ
３１及びコネクタ３２を介して倉庫に収納されている複
数の光ディスクカートリッジ２内の半導体メモリ２３
を、プロセッサ１０からアクセスできるようにしたこと
にある。この場合、光ディスクカートリッジ２と倉庫３
のシリアルインタフェースの接続は、光ディスクドライ
ブ１において用いたものと同様のものが使用されてい
る。

【００３１】本実施例によれば、光ディスクライブラリ
装置において、光ディスクカートリッジ２内の半導体メ
モリ２３が常駐される形となり、図４に示すように半導
体メモリ２３の配下に光ディスク媒体２１が位置するよ
うな階層構成となる。但し、半導体メモリ２３と光ディ
スク媒体２１間のインタフェースが光ディスクドライブ
１の数によって制限されるのは言うまでもない。

【００３２】従って、半導体メモリ２３に動画像データ
のインデックスデータ、或いは間引きデータ等を書き込
んでおけば、光ディスク媒体２１に直接アクセスするこ
となく、動画像データを検索したり早送り再生したりす
ることができる。

【００３３】このような前処理を経て所望の光ディスク
媒体２１及び所望のトラック位置を検索してからハンド
部４を駆動して光ディスクカートリッジ２を光ディスク
ドライブ１に装填し、詳細な画像データ等を光ディスク
媒体２１から再生することになる。これにより本構成の
場合、新たな光ディスクカートリッジ２を追加する場合
にもインデックス情報をライブラリ装置に登録する必要
がないため、光ディスクカートリッジ２を極めて容易に
追加、削除することが可能となる。

【００３４】尚、前述した実施例においては記録媒体と
して光ディスク媒体２１を用いたが、これに限定される
ことはなく、光ディスク媒体２１に代えて磁気ディスク
媒体、光磁気ディスク媒体、磁気テープ媒体等を記録媒
体として用いることができることは言うまでもないこと
である。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
よれば、半導体メモリを記録媒体と共にカートリッジ内
に収納し、前記カートリッジをハンドリングしている間
にも前記半導体メモリにアクセスすることができるよう
にしたので、前記カートリッジのハンドリング時間を含
めた平均アクセス時間を大幅に短縮することができる。
また、前記半導体メモリを使って高速に交替処理できる
ので、動画像データの同期記録再生や複数のドライブ部
を同期して運転する光ディスクアレイ装置等のアレイ装
置を容易に構成することができる。さらに、容易にアク
セスできる前記半導体メモリに記録媒体のインデックス
情報等を記録すれば、ライブラリ装置への前記記録媒体
の登録が不要となり、カートリッジの追加・削除を容易
に行なうことができる。

【００３６】また、請求項２によれば、上記の効果に加
えて、カートリッジ内の半導体メモリが常駐される形と
なり、半導体メモリの配下に記録媒体が位置する階層構
成が実現されるので、半導体メモリに例えば記録媒体に
記録されている動画像データのインデックスデータ、或
いは間引きデータ等を書き込んでおけば、記録媒体に直
接アクセスすることなく、動画像データを検索したり早
送り再生したりすることができるという非常に優れた効
果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるライブラリ装置
を示す概略構成図

【図２】本発明の第１の実施例における光ディスクカー
トリッジを示す概略構成図

【図３】本発明の第２の実施例を示す概略構成図

【図４】本発明の第２の実施例におけるメモリの階層構
造を示す図

【符号の説明】

１…光ディスクドライブ、１０…プロセッサ、１１…デ
ータ記録再生回路、１２…データバッファ、１３…ＳＣ
ＳＩコントローラ、１４…給電型のトランスデューサ、
１４ａ…電源供給回路、１４ｂ…ラインドライバ、１４
ｃ…ラインレシーバ、１５…コネクタ、２…光ディスク
カートリッジ、２０…筐体、２１…光ディスク媒体、２
２…受電型のトランスデューサ、２２ａ…受電回路、２
２ｂ…ラインドライバ、２２ｃ…ラインレシーバ、２３
…不揮発性の半導体メモリ、２４，２５…コネクタ、３
…倉庫、３１…給電型のトランスデューサ、３２…コネ
クタ、４…ハンド部、４１…給電型のトランスデュー
サ、４２…コネクタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 雅浩 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−272073（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−84765（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−98721（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06F 3/06 G06F 3/08

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体を収納した複数のカートリッジ
   と、該カートリッジ内の記録媒体に対するデータの書き
   込み及び読み出しを行うドライブ部と、前記複数のカー
   トリッジを収納する倉庫と、ドライブ部に接続するカー
   トリッジを前記倉庫内から搬送するハンド部とを備えた
   ライブラリ装置において、 前記カートリッジに、不揮発性の半導体メモリと、該半
   導体メモリに記録されたデータを送受信し、かつ該メモ
   リを駆動する電源を受電するための受電型トランスデュ
   ーサとを設け、 前記ハンド部に、前記カートリッジを把持している間、
   前記受電型トランスデューサに接続され、前記カートリ
   ッジ内の半導体メモリにデータを送受信し、かつ前記半
   導体メモリを駆動する電源を供給するための第１の給電
   型トランスデューサを設け、 前記ドライブ部に、カートリッジが前記ドライブ部に接
   続されている間、前記受電型トランスデューサに接続さ
   れ、前記カートリッジ内の半導体メモリにデータを送受
   信し、かつ前記半導体メモリを駆動する電源を供給する
   ための第２の給電型トランスデューサを設けると共に、 前記受電型トランスデューサに接続された第１又は第２
   の給電型トランスデューサを介して前記半導体メモリへ
   のデータの読み書きを行うデータアクセス手段を備えた
   ことを特徴とするライブラリ装置。
2. 【請求項２】 前記カートリッジを複数個収納する倉庫
   は、カートリッジが倉庫に格納されている間、各カート
   リッジ内の前記半導体メモリにデータを送受信し、かつ
   前記半導体メモリを駆動する電源を供給するための第３
   の給電型トランスデューサを有し、該第３の給電型トラ
   ンスデューサは前記データアクセス手段に接続されてい
   ることを特徴とする請求項１記載のライブラリ装置。