JP3127127U - 発光ダイオードスタンド構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】本考案は、発光ダイオードスタンド構造を提供する。
【解決手段】発光結晶粒と静電気防護結晶粒とを実装するための発光ダイオードスタンド構造であって、正負極である金属スタンドと突出ブロックとが設けられ、発光結晶粒が、その一つの金属スタンド上に固設され、静電気防護結晶粒が、もう一つの金属スタンド上に固設され、突出ブロックが、発光結晶粒と静電気防護結晶粒の間に設けられ、また、突出ブロックの高さが、静電気防護結晶粒より高いため、突出ブロックの高さにより、静電気防護結晶粒を遮蔽でき、そして、発光結晶粒の発光を反射でき、発光結晶粒の反射率が増加されて、発光ダイオードの輝度が有効に増加される。
【選択図】図２

Description

本考案は、発光ダイオードスタンド構造に関し、特に、発光結晶粒と静電気防護結晶粒を実装するためのスタンド構造で、当該静電気防護結晶粒を遮蔽でき、且つ、当該発光結晶粒の発光を反射できる突出ブロックが設けられるものに関する。
図１を参照しながら、従来の発光ダイオード構造について説明する。従来の発光ダイオードは、カップ体１０内において、二つの異なる電極である金属スタンド１１、１１’を固設し、その一つの金属スタンド１１上に発光結晶粒２０が設けられ、もう一つの金属スタンド１１’上に静電気防護結晶粒３０が設けられる。また、発光結晶粒２０を二つの金属スタンド１１、１１’に接続するための導線２１があり、また、静電気防護結晶粒３０をもう一つの金属スタンド１１に接続するためのもう一つの導線３１がある。そして、カップ体１０内は一層のシーリング材層４０によって覆われ、二つの金属スタンド１１、１１’の間に、電圧を印加すると、発光結晶粒２０が発光する。静電気防護結晶粒３０は、静電気防護機能があり、そのため、発光結晶粒２０を、静電気による破壊から保護できる。
しかしながら、上記の従来の発光ダイオードは、金属スタンド１１、１１’の上面に固設された発光結晶粒２０と静電気防護結晶粒３０とが一定の高さを有するため、発光結晶粒２０が周囲に対して発光した光線は、カップ体１０内の壁と金属スタンド１１との間において反射率は高いが、光線が静電気防護結晶粒３０を通す時、静電気防護結晶粒３０の高さによる影響を受け易く、遮光や吸光効果が発生して反射率が低下するため、発光ダイオードの輝度が低減されるという問題があった。
本考案者は、上記の欠点を解消すべく慎重に研究し、また、学理の運用に合わせて、設計が合理で、効果的に上記の問題を解消できる本考案を提案する。
本考案の目的は、発光結晶粒と静電気防護結晶粒とを実装するための二つの金属スタンドの間に、突出ブロックが設けられ、突出ブロックの高さにより静電気防護結晶粒を遮蔽でき、また、発光結晶粒の発光を反射でき、発光結晶粒の反射率が増加されて、発光ダイオードの輝度が、更に効果的に増加される発光ダイオードスタンド構造を提供する。
本考案は、上記の目的を達成するため、発光結晶粒と静電気防護結晶粒とを実装するための発光ダイオードスタンド構造であって、二つの金属スタンドを有し、前記発光結晶粒がその一つの金属スタンド上に固設され、前記静電気防護結晶粒がもう一つの金属スタンド上に固設される、当該発光結晶粒と当該静電気防護結晶粒の間に設けられ前記突出ブロックの高さが前記静電気防護結晶粒より高い突出ブロックと、を備えることを特徴とする発光ダイオードスタンド構造である。
以下の説明と図面により、本考案の特長や技術内容は良く分かると思うが、図面等は、参考や説明のためのものであり、本考案は、それによって制限されない。
図２を参照しながら、本考案に係る発光ダイオードスタンド構造について説明する。本考案の発光ダイオードスタンド構造においては、凹槽状であるカップ体５０内に二つの異なる電極(即ち、正、負極)である金属スタンド５１、５１’が固設され、二つの金属スタンド５１、５１’上に、それぞれ発光結晶粒(ＬＥＤ)６０と静電気防護結晶粒７０が実装される。発光結晶粒６０は、絶縁の方式によりその一つの金属スタンド５１(即ち、負極)上に接続される。また、二つの第１の導線６１の両端により、それぞれ発光結晶粒６０を二つの金属スタンド５１、５１’に接続する。
静電気防護結晶粒７０がもう一つの金属スタンド５１’(即ち、正極)上に固設される。静電気防護結晶粒７０は、半だ付けや絶縁の方式により金属スタンド５１’上に固接される。また、第２の導線７１の両端により、それぞれ静電気防護結晶粒７０をもう一つの金属スタンド５１に接続し、或いは二つの第２の導線７１の両端により、それぞれ静電気防護結晶粒７０を二つの金属スタンド５１、５１’上に接続する。また、カップ体５０内は、例えばエポキシ樹脂等である一層の透過性のシーリング材層８０によって覆われる。このことにより発光結晶粒６０と静電気防護結晶粒７０とが覆われるから、水蒸気等がカップ体５０内に滲入するのを防止できる。その結果、発光結晶粒６０と静電気防護結晶粒７０の破壊を免れることができる。二つの金属スタンド５１、５１’に電圧を印加すると、発光結晶粒６０が発光する。ここで、静電気防護結晶粒７０は静電気防護機能があり、発光結晶粒６０を静電気による破壊から保護できる。
本考案は、二つの金属スタンド５１、５１’の間において上方へ突出する突出ブロック５２が形成され（即ち、突出ブロック５２は発光結晶粒６０と静電気防護結晶粒７０との間に位置する。）、この突出ブロック５２がカップ体５０内に位置することにより、異なる極性を有する二つの金属スタンド５１、５１’を確実に隔離することができる。当該突出ブロック５２は、高さが発光結晶粒６０と静電気防護結晶粒７０より高い。また、カップ体５０と突出ブロック５２は、例えば、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ、ＰＰＡ）やエポキシ樹脂或いはセラミック等である高分子非導電性材料からなり、高反射率の特性を有する。また、突出ブロック５２は、例えば、セラミック等の材料で反射率が静電気防護結晶粒７０より高い材料でもよい。上記の構成により、本考案の発光ダイオードスタンド構造が形成される。
図３は、本考案の保護回路図である。発光結晶粒６０が、１対の正極５３と負極５４に接続され(即ち、二つの金属スタンド５１、５１’上に接続される)、また、静電気防護結晶粒７０と発光結晶粒６０とが並列接続され、また、正極５３と負極５４とが転位される。静電気が負極５４から導入されるとき、静電気防護結晶粒７０の経路により静電気を導出する。静電気防護結晶粒７０の経路がなければ、静電気により(電圧が大きすぎる)、発光結晶粒６０が破壊されて稼働できなくなる。
上記の説明により分かるように、本考案は、二つの金属スタンド５１、５１’間に突出ブロック５２が設けられ、当該突出ブロック５２の高さにより静電気防護結晶粒７０を遮蔽し、また、静電気防護結晶粒７０の代わりに反射面積を提供し、発光結晶粒６０の光線が直接に静電気防護結晶粒７０を照射する確率を低減する。また、突出ブロック５２は、カップ体５０と同一の材質でもいいし、静電気防護結晶粒７０より高い反射率を有する材料でもよく、当該突出ブロック５２で発光結晶粒６０の光線を反射することにより、発光ダイオードの輝度が、効率的に増加される。
また、図４及び図５に示すように、二つの金属スタンド５１、５１’は、一端が突出ブロック５２を貫通して、突出部５１１、５１１’を形成している。二つの突出部５１１、５１１’は、それぞれ突出ブロック５２の左右両側に延び出している。また、第１の導線６１と第２の導線７１が、それぞれ二つの突出部５１１、５１１’上に接続されている。そして、突出ブロック５２の上端はカップ体５０の上端と一致する位置まで上方に延びている。
上記のように、突出ブロック５２が、カップ体５０と一致することにより発光結晶粒６０の反射光が、集中されて均一化されるため、発光ダイオード全体の輝度が均一になる。また、二つの突出部５１１、５１１’により第１と第２の導線６１、７１が、対応する金属スタンド５１、５１’上に接続されるため、突出ブロック５２の高さによる影響がない。
以上は、ただ、本考案のよりよい実施例であり、本考案は、それによって制限されず、本考案に係わる明細書や図面に従って行う等価の変更や修正は、全てが本考案に係わる実用新案登録請求の範囲内に含まれる。
従来の発光ダイオード構造の断面図である。 本考案に係わる発光ダイオードスタンド構造の断面図である。 本考案に係わる発光ダイオードスタンド構造の保護回路図である。 本考案に係わる発光ダイオードスタンド構造の平面図である。 図４の断面図である。
符号の説明
[従来]
１０ カップ体
１１、１１’ 金属スタンド
２０ 発光結晶粒
２１ 導線
３０ 静電気防護結晶粒
３１ 導線
４０ シーリング材層
[本考案]
５０ カップ体
５１、５１’ 金属スタンド
５２ 突出ブロック
５３ 正極
５４ 負極
６０ 発光結晶粒
６１ 第１の導線
７０ 静電気防護結晶粒
７１ 第２の導線
８０ シーリング材層
５１１、５１１’ 突出部








Claims (10)

  1. 発光結晶粒と静電気防護結晶粒とを実装するための発光ダイオードスタンド構造であって、
    二つの金属スタンドを有し、前記発光結晶粒がその一つの金属スタンド上に固設され、前記静電気防護結晶粒がもう一つの金属スタンド上に固設され、
    前記発光結晶粒と前記静電気防護結晶粒の間に設けられ前記突出ブロックの高さが前記静電気防護結晶粒より高い突出ブロックと、を備えることを特徴とする発光ダイオードスタンド構造。
  2. 前記二つの金属スタンドがカップ体内に固設され、また、前記突出ブロックが前記カップ体内に設けられることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  3. 前記カップ体内に位置する発光結晶粒と静電気防護結晶粒とは、一層の透過性のシーリング材層により覆われることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  4. 前記カップ体と前記突出ブロックとは、高分子非導電性材料からなることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  5. 前記突出ブロックの高さが前記カップ体の上端と一致し、前記二つの金属スタンドの一端がそれぞれ前記突出ブロックを貫通して突出部を形成し、前記二つの突出部がそれぞれ突出ブロックの両側に延び出し、前記二つの突出部が導線により前記発光結晶粒と前記静電気防護結晶粒に接続されることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  6. 前記発光結晶粒は絶縁方式によりその一つの金属スタンド上に固設され、前記二つの金属スタンドと前記発光結晶粒とが導線により接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  7. 前記静電気防護結晶粒は絶縁方式によりその一つの金属スタンド上に固設され、前記静電気防護結晶粒と前記二つの金属スタンドとが導線により接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  8. 前記静電気防護結晶粒は半だ付け方式によりその一つの金属スタンド上に固設され、前記静電気防護結晶粒ともう一つの前記金属スタンドとが導線により接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  9. 前記二つの金属スタンドの一端がそれぞれ前記突出ブロックを貫通して突出部を形成し、前記二つの突出部がそれぞれ突出ブロックの両側に延び出し、また、導線により前記発光結晶粒と前記静電気防護結晶粒とに接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードスタンド構造。
  10. 前記突出ブロックは、反射率が前記静電気防護結晶粒より高い材料であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードスタンド構造。




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