JP3122523B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、ワイヤーボンディング方法を改良した半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、一般に、図６に示すよう
に、珪素からなる半導体素子１が銅合金またはＦｅ−４
２％Ｎｉ（４２合金）からなるリードフレーム２のダイ
パッド２１に固定され、また銅または金からなる金属ワ
イヤー３を介してリードフレーム２のインナーリード２
２に接続された構造を有している。即ち、半導体素子１
は、その表面に酸化珪素からなる絶縁膜１１と、この絶
縁膜１１上に形成された多種類の能動素子（図示せず）
と、これらの能動素子間を接続するＡｌ合金膜で形成さ
れた電極パッド１２と、これらを被覆して保護する酸化
珪素あるいは窒化珪素からなる保護膜１３と、この保護
膜１３とは反対側の裏面に形成されたＴｉ−Ｎｉ−Ａｕ
合金からなるメタライズ膜１４とを備えている。また、
上記リードフレーム２は、その表面に同図に示すように
銀メッキ膜２３が施されている。そして、この半導体素
子１は、同図に示すように、半田４を介して上記ダイパ
ッド２１の銀メッキ膜２３に接着、固定され、その電極
パッド１２が金属ワイヤー３を介してワイヤーボンディ
ングによってリードフレーム２のインナーリード２２の
銀メッキ膜２３に接続されている。
【０００３】また、半導体装置は、図７に示すように、
半導体素子１が半田４よりも低弾性のエポキシ樹脂等の
合成樹脂５を介してリードフレーム２のダイパッド２１
に接着、固定されたものもある。この場合、リードフレ
ーム２の表面には銅メッキ膜２４が施されている。その
他は上記のものに準じて構成されている。
【０００４】而して、上記各半導体装置を製造する際
に、半導体素子１の電極パッド１２とインナーリード２
２とをワイヤーボンディングする場合には、図８に示す
ように、金属ワイヤー３を供給するキャピラリ６をボン
ド面である電極パッド１２に位置合せした後、キャピラ
リ６を降下させて加熱溶融した金属ボール３１を電極パ
ッド１２に図９に示すように押し付けて金属ワイヤー３
を電極パッド１２に接続させ、然る後、キャピラリ６を
引き上げてインナーリード２２へキャピラリ６を移行さ
せて同様に接続するようにしている。この際の従来のワ
イヤーボンディングの制御方法を図１０を参照しながら
詳述する。
【０００５】即ち、従来のワイヤーボンディングでは、
図１０の（ａ）、（ｂ）に示すように、キャピラリ６が
サーチレベルの位置までダンパー（ＤＵＭＰＥＲ）の設
定荷重で等速運動し、サーチレベル位置からボンド面ま
ではフォース（ＦＯＲＣＥ）の設定荷重で等速運動して
金属ボール３１を電極パッド１２へ降下させるが、この
時ダンパー（Ｄ）とフォース（Ｆ）とはＤ≧Ｆの関係に
設定してある。この状態を示すのが図８である。然る
後、キャピラリ６が更に降下して金属ボール３１を介し
て金属ワイヤー３が電極パッド１２に着地してから図１
０の（ａ）に示すようにΔＺ（例えば、ΔＺ≦７０μ
ｍ）あるいは時間ｔ4（例えば、ｔ4≦５ｍｓ）のいずれ
かの沈み込み量でキャピラリ６を更に降下させて金属ボ
ール３１を図９に示すように塑性変形させる。その後、
図１０の（ｃ）、（ｄ）に示すように、実荷重と超音波
振動エネルギーを金属ボール３１に時間ｔ3だけ印加し
て金属ボール３１と電極パッド１２との間に金属間化合
物を形成して金属ワイヤー３と電極パッド１２との接続
を図９に示すように完了させる。引き続いてキャピラリ
６の先端から金属ワイヤー３を繰り出してインナーリー
ド２２上の銀メッキ膜２３（または銅メッキ膜２４）と
金属ワイヤー３との金属間化合物を同様にして作り、電
極パッド１２とインナーリード２２間の金属ワイヤー３
による結線を完了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の製造方法では、サーチレベルからボンド面
に到達するまでに要する時間が短く、キャピラリ６の沈
み込みが完了した時に電極パッド１２が受ける実荷重が
図１０の（ｃ）に示すようにそのまま衝撃荷重となって
金属ボール３１が効率よく塑性変形できず、超音波振動
エネルギーを効率よく伝達できないため、金属ボール３
１が電極パッド１２から剥離し易くなったり、パッドク
レーターなどの接合不良を発生するという課題があっ
た。また、図７に示すようにエポキシ樹脂等の合成樹脂
からなる低弾性のダイボンド材を用いてダイボンドした
半導体装置の場合には、半導体素子１に銅ワイヤー等の
高硬度の金属ワイヤー３を接続する時、ボンディング条
件の安定領域が狭く、量産に向かず、更には、例えば、
特開平３−２０８５５号公報に記載されているように高
温保存性及び耐湿性の面での信頼性に劣るという課題が
あった。
【０００７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、金属ワイヤーを電極パッドに接続する際
に、電極パッドが受ける実荷重の衝撃荷重を設定荷重と
略同程度に抑制すると共に超音波振動エネルギーを効率
よく伝達して金属ワイヤーを効率よく且つ確実に接合す
ることができる半導体装置の製造方法を提供することを
目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の半導体装置の製造方法では、金属ボールをボンド面に
押し付ける荷重は、荷重発生部で生成荷重を測定しなが
ら常に一定荷重を印加する荷重制御を用い、上記金属ボ
ールがボンド面に接触しこの金属ボールの塑性変形完了
した後であって、しかも、衝撃荷重測定器で実荷重の衝
撃荷重を測定しその測定された衝撃荷重の変動が静定し
たことを検知した直後に低荷重から高荷重へ切り替え、
この高荷重の印加と同時に上記金属ボールに超音波振動
を印加するようにしたものである。
【０００９】また、本発明の請求項２に記載の半導体装
置の製造方法は、金属ワイヤーが銅ワイヤー又は金ワイ
ヤーであって、金属ボールをボンド面に押し付ける荷重
のうち、切り替え前の低荷重をＦ 1 （その印加時間をｔ 1
＋ｔ 4 ）、切り替え後の高荷重をＦ 2 （その印加時間をｔ
2 ）とし、かつ、ｒ 1 ＝Ｆ 2 ／Ｆ 1 、ｒ 2 ＝ｔ 2 ／（ｔ 1 ＋
ｔ 4 ）とした場合に、上記銅ワイヤー又は金ワイヤーが
それぞれ下記条件（１）〜（３）を満足するようにした
ものである。 銅ワイヤーの場合 （１）１．２≦ｒ1≦５ （２）ｒ2≦−（８０／１９）ｒ1＋（４７６／１９） （３）ｒ2≦−（４０／１９）ｒ1＋（２３８／１９） 金ワイヤーの場合 （１）１．１２５≦ｒ1≦２．３ （２）ｒ2≦−（６４０／４７）ｒ1＋（１６６０／４
７） （３）ｒ2≧−（３２０／４７）ｒ1＋（８３０／４７）
【００１０】本発明の請求項１に記載の半導体装置の製
造方法によれば、ワイヤーボンディングする際に、金属
ボールをボンド面に押し付ける時に、この荷重を低荷重
を印加してから高荷重へ切り替えるため、電極パッドが
低い衝撃荷重を受けてその後キャピラリを一定の速度で
降下させて高荷重に切り替えた時の衝撃荷重を軽減して
金属ボールを効率よく塑性変形させることができ、しか
も、この時に金属ボールに超音波振動を印加するため、
超音波振動を金属ボールの平面方向へ効率よく伝達して
金属ワイヤーを電極パッドに確実に接続し、タクト時間
を短縮することができる。
【００１１】また、本発明の請求項２に記載の半導体装
置の製造方法によれば、ワイヤーボンディングする際
に、金属ボールをボンド面に押し付ける時に、その荷重
を低荷重を印加してから高荷重へ切り替えるため、電極
パッドが低い衝撃荷重を受けてその後キャピラリを一定
の速度で降下させて高荷重に切り替えた時の衝撃荷重を
軽減して銅ボールまたは金ボールを効率よく塑性変形さ
せることができ、しかも、この時に銅ボールまたは金ボ
ールに超音波振動を印加するため、超音波振動を銅ボー
ルまたは金ボールの平面方向へ効率よく伝達して銅ワイ
ヤーまたは金ワイヤーを電極パッドに確実に接続でき、
タクト時間を短縮することができる。
【００１２】
【実施例】以下、図１〜図５に示す実施例に基づいて従
来と同一または相当部分には同一符号を付して本発明を
説明する。尚、各図中、図１は本発明の半導体装置の製
造方法の好ましい一実施態様におけるワイヤーボンディ
ングの方法を説明するためのグラフであり、同図（ａ）
はキャピラリの降下位置とそれに要する時間との関係を
示す図、同図（ｂ）は（ａ）に対応してキャピラリに印
加される設定荷重を示すタイミングチャート、同図
（ｃ）はボンド面にキャピラリが到達した後のボンド面
が受ける実荷重のタイミングチャートで、衝撃荷重測定
器で測定した荷重を示す図、同図（ｄ）は実荷重を印加
した時に、キャピラリを通じて金属ボールに印加する超
音波振動エネルギーを示すタイミングチャート、図２は
図１に示す条件で金属ワイヤーを接続した接続部の状態
を説明する状態図、図３は図２に示す各条件で製造した
接合状態を示す図で、同図（ａ）は図２のＡ領域の条件
での（ｃ）は図２のＢ及びＢ’領域の条件での接合状態
を示す平面図、（ｄ）は図２のＢ及びＢ’領域の条件で
の接合状態を示す断面図、（ｅ）は図２のＣ領域の条件
での接合状態を示す平面図、（ｆ）は図２のＣ領域の条
件での接合状態を示す断面図、図４は銅ワイヤーを用い
た場合における低荷重と高荷重の比率と低荷重の負荷イ
ンターバルと高荷重の負荷インターバルとの関係を示す
相関図、図５は金ワイヤーを用いた場合における低荷重
と高荷重の比率と低荷重の負荷インターバルと高荷重の
負荷インターバルとの関係を示す相関図である。
【００１３】本発明の半導体装置の製造方法の好ましい
一実施態様におけるワイヤーボンディングの方法を図１
の（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。尚、本実施
態様で用いる装置としては従来と同様のものを用いる。
【００１４】まず、本実施態様に用いられる半導体素子
１及びリードフレーム２について説明すると、この半導
体素子１は、図７に示す構造を有し、本体の厚さが４０
０μｍ、酸化珪素からなる絶縁膜１１の厚さが１μｍ、
Ａｌからなる電極パッド１２の厚さが１μｍで、このよ
うな半導体素子１をリードフレーム２のダイパッド２１
に対してエポキシ樹脂５によってダイ付けする。ダイ付
けによって形成された、エポキシ樹脂５の厚さは約１０
μｍである。
【００１５】次いで、半導体素子１を取り付けたリード
フレーム２をヒートブロック上に固定し、全体を２８０
℃に昇温する。然る後、先端から銅ワイヤー３の先端が
突出したキャピラリ６を窒素−水素雰囲気中で電気トー
チによって加熱して銅ワイヤー３の先端に直径が５５±
５μｍの銅ボール３１を作った後、銅ボール３１が１５
０ｍｓ以内に電極パッド１２に到達するようにキャピラ
リ６を降下させ、銅ボール３１の高さが２５μｍ以下に
なるようにキャピラリ６の降下位置を制御する。この
時、図１の（ａ）、（ｂ）に示すようにサーチレベルか
らボンド面に低荷重で到達させ、図１の（ｃ）に示すよ
うに電極パッド１２に低い衝撃荷重を負荷してその後キ
ャピラリを一定の速度で降下させて銅ボール３１を効率
よく塑性変形させ、ボンド面に到達後（ｔ1＋ｔ4）時間
経過するまでは低荷重のまま保持し、然る後、同図の
（ｂ）に示すように高荷重へ切り替えて実荷重を電極パ
ッド１２に負荷すると共に同図の（ｄ）に示すように超
音波振動エネルギーを銅ボール３１へ印加して塑性変形
した銅ボール３１の平面方向へのみそのエネルギーを伝
達して銅ボール３１を効率よく電極パッド１２に接合す
ることができる。この時の荷重及び負荷時間等は例え
ば、低荷重（Ｆ1）が３０〜５０ｇでその負荷時間ｔ1が
１〜５ｍｓ、高荷重（Ｆ2）が６０〜１８０ｇでその負
荷時間ｔ2が１０〜２０ｍｓであり、超音波振動エネル
ギーの印加時間が１０〜２０ｍｓである。
【００１６】そして、超音波振動エネルギーのパワー
は、銅ボール３１と電極パッド１２の接合構造に応じて
決定することができる。そこで、上記実施例の製造条件
のうち高荷重（Ｆ2）と超音波振動エネルギーのパワー
との関係について検討した結果、これら両者の製造条件
と銅ボール３１と電極パッド１２の接合構造との間には
図２及び図３に示す関係にあることが判った。尚、図３
での正面図は接合部の銅ボールを硝酸でエッチングした
状態を示すものであり、同図の断面図は接合部の断面を
研磨した状態を示すものである。
【００１７】即ち、図２のＡ領域では図３の（ａ）、
（ｂ）に示すように銅ボール３１の電極パッドへの接合
が十分でなく銅ボールが電極パッドから剥がれることが
判った。これは銅ボール３１の塑性変形が十分でなく、
電極パッド１２のＡｌ膜の破壊が十分に進行せず、延い
ては超音波振動エネルギーが不足して銅とアルミニウム
との相互拡散が不十分になってＣｕ−Ａｌ間の金属間化
合物が得られないことに起因する。また、図２のＢ及び
Ｂ’領域では図３の（ｃ）、（ｄ）に示すように銅ボー
ルが電極パッドに正常な接合構造を得ることができ、特
開平１−１４３３３２号公報及び特開平３−２０８３５
５号公報に記載のように高温保存性耐湿性の寿命が長
く、高い信頼性を得ることができた。このことから図２
のＢ及びＢ’領域では銅ボールの塑性変形量と超音波振
動エネルギーが共に最適であることが判る。また、図２
のＣ領域では図３の（ｅ）、（ｆ）に示すように銅ボー
ルが電極パッドに接合している反面、銅ボールの直下の
Ａｌ、特に銅ボール周辺のＡｌが排斥されて下地の酸化
珪素膜に銅ボールが直接接合してパッドクレーターが生
じ、信頼性に劣るという結果が得られた。このことは超
音波振動エネルギーが過度に付与された結果と考えられ
る。
【００１８】以上説明したように本実施態様によれば、
キャピラリ６を降下させる際に、低荷重を設定して電極
パッド１２が低い衝撃荷重を受けてその後一定の速度で
キャピラリ６を降下させた後、高荷重に設定するため、
荷重の切り替え時の衝撃荷重が少なく銅ボール３１を効
率よく塑性変形させることができ、実荷重（Ｆ2±１０
ｇ）で超音波振動エネルギーを印加でき、銅ボール３１
の平面方向へ超音波振動エネルギーも効率よく伝達し、
パッドクレーターなどを生じさせることなく銅ボール３
１を電極パッド１２に確実に接合するとができ、しかも
接合時の実荷重の安定領域が従来のＢ領域からＢ’領域
に拡張し量産を安定化できる。
【００１９】また更に、低荷重と高荷重との比（Ｆ2／
Ｆ1）をｒ1とし、低荷重の負荷インターバルと高荷重の
負荷インターバルの比（ｔ2／（ｔ1＋ｔ4））をｒ2とし
た場合、銅ワイヤーの場合には、Ｆ1＝３０〜５０ｇ、
Ｆ2＝６０〜１５０ｇ、及びｔ1＝１〜５ｍｓ、ｔ2＝１
０〜２０ｍｓであるから、ｒ1−ｒ2は１.２≦ｒ1≦５の
範囲で、下記数１を及び数２を満足する（図４参照）。 （数１） ｒ2≦−（８０／１９）ｒ1＋４７６／１９ （数２） ｒ2≧−（４０／１９）ｒ1＋２３８／１９
【００２０】また、金ワイヤーの場合には、Ｆ1＝３０
〜５０ｇ、Ｆ2＝４５〜７０ｇ、及びｔ1＝１〜５ｍｓ、
ｔ2＝１０〜２０ｍｓであるから、ｒ1−ｒ2は１.１２５
≦ｒ1≦２.３の範囲で、下記数３を及び数４を満足する
（図５参照）。 （数３） ｒ2≦−（６４０／４７）ｒ1＋１６６０／４７ （数４） ｒ2≧−（３２０／４７）ｒ1＋８３０／４７
【００２１】このような条件下では絶縁膜１１及び電極
パッド１２の厚さが共に０.４〜１.０μｍの高密度、高
機能の半導体素子１であっても高い信頼性のあるワイヤ
ーボンディングを行なうことができる。
【００２２】また、上記実施態様では、銅ワイヤーとエ
ポキシ樹脂からなるダイボンドとの組み合わせについて
のみ説明したが、ダイボンドとしてＰｂ−５Ｓｎ、Ｐｂ
−Ａｇ、Ｐｂ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｐｂ−Ａｇ−Ｓｎ、
Ｐｂ−Ａｇ−Ｉｎ等からなる半田を用いた場合について
も適用することができ、また、金ワイヤーの場合も半田
ダイボンドを同様に適用することができる。
【００２３】また、上記実施態様では、絶縁膜１１が酸
化珪素で電極パッド１２がＡｌの場合についてのみ説明
したが、Ａｌに代えてＡｌ−Ｓｉ系合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ系合金、Ａｌ−Ｃｕ系合金等のアルミニウム系合金
を用いてもよく、特に、Ａｌ−Ｓｉ系合金の場合には、
Ｓｉノジュールの下地膜への打ち込みによるダメージが
報告されており（例えば、「赤外線顕微鏡を用いたＰＥ
Ｄにおける金ボールの金属間結合形成の研究」Ｐ.Ｋ.フ
ットナー他,ＩＥＥＥ／ＩＲＰＳ（１９８６）Ｐ.Ｐ.１
０２〜１０８、「ＳＭＤにおけるワイヤークレータ」,
月刊セミコンダクターワールド,６（１９８８））、特
に本実施態様が有効である。また、酸化珪素に代えてこ
れと同等の、ＰＳＧ／ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ／ＳｉＯ2、Ｐ
ＳＧ／ポリＳｉ／ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ／ポリＳｉ／Ｓｉ
Ｏ2を用いてもよく、また、電極パッド１２の下地とし
てＴｉ−Ｎｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｐｔ−Ｗ等からなるバリア膜
を設けてもよい。
【００２４】
【発明の効果】請求項１に記載の本発明によれば、金属
ボールをボンド面に押し付ける荷重は、荷重発生部で生
成荷重を測定しながら常に一定荷重を印加する荷重制御
を用い、上記金属ボールがボンド面に接触しこの金属ボ
ールの塑性変形完了した後であって、しかも、衝撃荷重
測定器で実荷重の衝撃荷重を測定しその測定された衝撃
荷重の変動が静定したことを検知した直後に低荷重から
高荷重へ切り替え、この高荷重の印加と同時に上記金属
ボールに超音波振動を印加するようにしたため、金属ワ
イヤーを電極パッドに接続する際に、電極パッドが受け
る実荷重の衝撃荷重を設定荷重と略同程度に抑制すると
共に超音波振動エネルギーを効率よく伝達して金属ワイ
ヤーを効率よく且つ確実に電極パッドに接合し、また、
タクト時間を短縮することができる。
【００２５】また、請求項２に記載の本発明によれば、
銅ワイヤーまたは金ワイヤーのボールをボンド面に押し
付ける荷重を所定の条件で低荷重から高荷重へ切り替
え、この高荷重の印加と同時に上記ボールに所定の条件
で超音波振動を印加するようにしたため、銅ワイヤーま
たは金ワイヤーを電極パッドに接続する際に、電極パッ
ドが受ける実荷重の衝撃荷重を設定荷重と略同程度に抑
制すると共に超音波振動エネルギーを効率よく伝達して
銅ワイヤーまたは金ワイヤーを効率よくかつ確実に電極
パッドに接合し、また、タクト時間を短縮することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の好ましい一実
施態様におけるワイヤーボンディングの方法を説明する
ためのグラフであり、同図（ａ）はキャピラリの降下位
置とそれに要する時間との関係を示す図、同図（ｂ）は
（ａ）に対応してキャピラリに印加される設定荷重を示
すタイミングチャート、同図（ｃ）はボンド面にキャピ
ラリが到達した後のボンド面が受ける実荷重のタイミン
グチャートで、衝撃荷重測定器で測定した荷重を示す
図、同図（ｄ）は実荷重を印加した時に、キャピラリを
通じて金属ボールに印加する超音波振動エネルギーを示
すタイミングチャートである。
【図２】図１に示す条件で金属ワイヤーを接続した接続
部の状態を説明する状態図である。
【図３】図２に示す各条件で製造した接合状態を示す図
で、同図（ａ）は図２のＡ領域の条件での接合状態を示
す平面図、（ｂ）は図２のＡ領域の条件での接合状態を
示す断面図、（ｃ）は図２のＢ及びＢ’領域の条件での
接合状態を示す平面図、（ｄ）は図２のＢ及びＢ’領域
の条件での接合状態を示す断面図、（ｅ）は図２のＣ領
域の条件での接合状態を示す平面図、（ｆ）は図２のＣ
領域の条件での接合状態を示す断面図である。
【図４】銅ワイヤーを用いた場合における低荷重と高荷
重の比率と低荷重の負荷インターバルと高荷重の負荷イ
ンターバルとの関係を示す相関図である。
【図５】金ワイヤーを用いた場合における低荷重と高荷
重の比率と低荷重の負荷インターバルと高荷重の負荷イ
ンターバルとの関係を示す相関図である。
【図６】半導体装置の一例の要部を示す断面図である。
【図７】半導体装置の他の例の要部を示す断面図であ
る。
【図８】半導体装置の製造方法におけるワイヤーボンデ
ィングを行なう際のキャピラリの降下途上の状態を拡大
して示す断面図である。
【図９】図８に示すからキャピラリが降下して金属ワイ
ヤーを半導体素子の電極パッドに接続した瞬間の状態を
拡大して示す断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法の一例における
ワイヤーボンディングの方法を説明するための図１に相
当するグラフであり、同図（ａ）は図１（ａ）相当図、
同図（ｂ）は図１（ｂ）相当図、同図（ｃ）は図１
（ｃ）相当図、同図（ｄ）は図１（ｄ）相当図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子 ２ リードフレーム ３ 銅ワイヤーまたは金ワイヤー（金属ワイヤー） ６ キャピラリ １１ 絶縁膜 １２ 電極パッド １３ 保護膜 ２１ ダイパッド ２２ インナーリード ２３ 銀メッキ膜 ２４ 銅メッキ膜 ３１ 銅または金ボール（金属ボール）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/607 H01L 21/60 301

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームのダイパッドに固定され
    た半導体素子の電極パッドとインナーリードとをキャピ
    ラリから供給する金属ワイヤーで結線するに際し、この
    金属ワイヤーの先端を加熱してその金属ボールを作り、
    この金属ボールで上記金属ボールをボンド面に押し付け
    る荷重は、荷重発生部で生成荷重を測定しながら常に一
    定荷重を印加する荷重制御を用い、上記金属ボールがボ
    ンド面に接触しこの金属ボールの塑性変形完了した後で
    あって、しかも、衝撃荷重測定器で実荷重の衝撃荷重を
    測定しその測定された衝撃荷重の変動が静定したことを
    検知した直後に低荷重から高荷重へ切り替え、この高荷
    重の印加と同時に上記金属ボールに超音波振動を印加す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、金属ワイヤーが銅ワイヤー又は金ワイヤーであ
    って、金属ボールをボンド面に押し付ける荷重のうち、
    切り替え前の低荷重をＦ 1 （その印加時間をｔ 1 ＋
    ｔ 4 ）、切り替え後の高荷重をＦ 2 （その印加時間を
    ｔ 2 ）とし、かつ、ｒ 1 ＝Ｆ 2 ／Ｆ 1 、ｒ 2 ＝ｔ 2 ／（ｔ 1 ＋
    ｔ 4 ）とした場合に、上記銅ワイヤー又は金ワイヤーが
    それぞれ下記条件（１）〜（３）を満足することを特徴
    とする半導体装置の製造方法。 銅ワイヤーの場合 （１）１．２≦ｒ1≦５ （２）ｒ2≦−（８０／１９）ｒ1＋（４７６／１９） （３）ｒ2≦−（４０／１９）ｒ1＋（２３８／１９） 金ワイヤーの場合 （１）１．１２５≦ｒ1≦２．３ （２）ｒ2≦−（６４０／４７）ｒ1＋（１６６０／４
    ７） （３）ｒ2≧−（３２０／４７）ｒ1＋（８３０／４７）
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