JP3116450B2 - 光磁気記録用磁界発生機構 - Google Patents

光磁気記録用磁界発生機構

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JP3116450B2
JP3116450B2 JP03239992A JP23999291A JP3116450B2 JP 3116450 B2 JP3116450 B2 JP 3116450B2 JP 03239992 A JP03239992 A JP 03239992A JP 23999291 A JP23999291 A JP 23999291A JP 3116450 B2 JP3116450 B2 JP 3116450B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録再生に使用
される磁界発生機構に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記録装置とし
て光磁気記録方式が実用化されつつある。この光磁気記
録方式として従来では図24及び図25に示す磁界変調
方式が知られている。この磁界変調方式は、回転する光
磁気ディスク001上へレーザ光を光学ヘッド002よ
りスポット照射することにより、光磁気ディスク001
をキュリー温度付近まで加熱しつつ、磁気ヘッド003
により印加するバイアス磁界の方向を制御してデータの
書き込みを行う方法である。
【0003】ここで、光学ヘッド002は、光磁気ディ
スク001の半径方向に移動可能に配設され、図示しな
い光学ヘッド移動用磁石及び光学ヘッド移動用コイル等
により加えられる電磁力により所定の位置へ移動できる
ようになっている。磁気ヘッド003には、バイアス磁
石004が図中矢印で示す方向に所定の角度範囲で回動
自在に支持され、更に、このバイアス磁石004に電磁
力を作用させて図中矢印方向に回動させるバイアス磁界
用コイル005が併設されている。従って、バイアス磁
界用コイル005に通電して、バイアス磁石004を或
る角度回動させ、バイアス磁石004により発生するバ
イアス磁界の方向を任意の方向に制御することができ
る。
【0004】この方式の磁界反転によるデータの記録、
消去は以下のように行われる。先ず、旧データの消去の
際には、バイアス磁石004より発生する磁界の方向
は、消去を意味する方向を向かせておき、光学ヘッド0
02から光磁気ディスク001に対してレーザ光を連続
照射し、キュリー温度付近まで加熱する。キュリー温度
に加熱された光磁気ディスク002は保力がなくな
り、その後、冷却の際にバイアス磁界と同方向、つま
り、消去を意味する方向に磁化される。
【0005】次に、バイアス磁界用コイル005に通電
してバイアス磁石004に電磁力を作用させてバイアス
磁石004を反転させ、バイアス磁界の方向を記録を意
味する方向とする。その後、記録位置の光磁気ディスク
001へにレーザ光を照射してキュリー温度付近まで加
熱する。キュリー温度に加熱された光磁気ディスク00
2は保磁力がなくなり、その後、冷却の際にバイアス磁
界と同方向、つまり、記録を意味する方向に磁化され
る。このように磁界反転による方式では、旧データの消
去の為に光磁気ディスク001を一回転させ、更に、新
データの書き込みの為に光磁気ディスク001を一回転
させ、光磁気ディスク001を計二回転させなければな
らない。
【0006】そこで、最近では光磁気ディスクの一回転
で新データの書き込みと共に旧データの消去を行うダイ
レクトオーバーライトと呼ばれる方式の研究が盛んに行
われ、その中には磁界変調方式と光変調方式の二方式が
知られている。この光変調方式の中には、交換結合多層
膜による方式があり、その基本的構成である交換結合二
層膜方式は、光磁気ディスク面に記録層と補助層の二層
を形成し、外部から初期化磁界と記録磁界を与え、記録
層へ照射するレーザ光の強度を制御することによりデー
タの消去と書き込みを行うものものである。また、記録
磁界と逆方向の逆磁界を与えることにより、消し残しを
低減できることも知られている。
【0007】交換結合二層膜による方式の記録原理を図
26及び図27に示す。両図に示すように、光磁気ディ
スク上には記録層006と補助層007の二層が形成さ
れ、記録層006及び補助層007には、図中矢印で示
すように外部より初期化磁界008、記録磁界009及
び逆磁界010が垂直に印加されている。但し、初期化
磁界008と記録磁界009は同方向であるが、逆磁界
010はそれらと逆方向である。また、初期化磁界00
8は記録磁界009よりも大きい。記録層006及び補
助層007の磁気特性は、図28にそれぞれ示すように
温度により変化する。即ち、室温下においては、記録層
006の保磁力は初期化磁界008よりも高いのに対し
て、補助層007の保磁力は初期化磁界008よりも低
く記録磁界009よりも高い。また、低出力レーザ加熱
温度bにおいては、補助層007の保磁力は初期化磁界
008よりも低く記録磁界009よりも高いのに対し
て、記録層006の保磁力は記録磁界009よりも低
い。更に、高出力レーザ加熱温度cにおいては、補助層
007、記録層006の保磁力は記録磁界009よりも
低い。尚、補助層007の磁化方向は、室温と低出力レ
ーザ加熱温度との中間の温度aを境に逆転する。
【0008】記録と消去を行うにおいては、先ず、室温
下において、初期化磁界008を印加しながら光磁気デ
ィスクを回転させる。室温下においては、初期化磁界0
08に比べ補助層007の保磁力が低いため、補助層0
07のみが初期化磁界008により一方向に磁化され
る。初期化磁界008による磁界の方向は記録を意味す
る方向とする。記録層006は、室温下においては、初
期化磁界008よりも保磁力が高い為、磁化されない。
次に、図26に示すように低出力レーザ光011を記録
磁界位置における光磁気ディスクに照射すると、低出力
レーザ光011によって熱せられる加熱温度bでは、記
録層006は保磁力が低いために磁界が消失し、その
後、冷却する際に磁化される。但し、記録層006と補
助層007との二層間の交換結合力が記録磁界009よ
り強い為、記録層006の磁化方向は、記録磁界009
と逆方向となる。つまり、記録層006の磁化方向は記
録を意味する方向ではなく、その逆方向の消去を意味す
る方向となる。逆磁界010は記録磁界009と逆方向
である為、記録層006は一層確実に消去を意味する方
向に磁化されることになる。補助層007は、低出力加
熱温度bにおいては、記録磁界009よりも保磁力が高
い為、磁化されない。
【0009】引続き、図27に示すように高出力レーザ
光012を記録磁界位置における光磁気ディスクに照射
すると、高出力レーザ光012により熱せられた加熱温
度cでは、記録層006、補助層007は記録磁界00
9よりも保磁力が低い為に、それらの磁界は消失し、冷
却時に記録層006は記録磁界009により記録を意味
する方向に磁化される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述した交換結合多層
膜による方式においては、記録層及び補助層の各層の磁
気特性を考慮すると、初期化磁界としては補助層の磁化
方向を反転させ、かつ記録層への影響を防ぐ為に2.5 〜
7キロエルステッド程度の磁界強度が必要である。ま
た、逆磁界としては消し残りデータを消去し、かつ補助
層への影響を防ぐ為に1〜2キロエルステッド程度の磁
界強度が望ましい。
【0011】しかしながら、光磁気ディスクは、一般に
カートリッジに収納された状態で使用されるため、カー
トリッジの外部から磁界を印加して光磁気ディスク面上
で所定の磁界強度を得ようとすると、磁界発生装置が必
要となり、光磁気記録再生装置自体が大型化する問題が
あった。また、光磁気記録再生装置の周辺に及ぼす洩れ
磁界の影響も問題となる。そこで、洩れ磁界を極力抑
え、かつ小型の光磁気記録再生装置を構成する為には、
磁気ヘッドは薄く、しかも、カートリッジに開閉自在に
設けられたシャッターを開いてカートリッジ内へ挿入で
きるような寸法である必要がある。例えば、ディスク直
径3.5 インチ、1インチハイト(厚さ1インチ)の光磁
気記録再生装置を構成する場合、磁気ヘッドは高さ7m
m,幅20mmの範囲内におさめる必要がある。
【0012】そこで、磁気ヘッドをそのような範囲内に
おさめ、その磁気ヘッド内において磁石の厚みを最大と
した例としては図29に示すものが考えられる。同図に
示すように、光磁気ディスク013はカートリッジ(図
示省略)内に回転自在に収納され、図示しないモータに
より所定の回転数で回転する。カートリッジには窓部が
対向して開けられており、これらの窓部にはシャッタ
(図示省略)が摺動自在に装着されている。図中では、
カートリッジの窓部より、光学ヘッド014及び磁気ヘ
ッド015がカートリッジ内に挿入され、光磁気ディス
ク013を挟んで対向している。磁気ヘッド015
右両側光磁気ディスク013に対して垂直な磁界を発
生する初期化磁界用磁石016がそれぞれ装着されてい
る。初期化磁界用磁石016は、その磁界強度をできる
だけ増大する為、使用可能な最大厚さとしている。
【0013】この磁気ヘッドによる光磁気ディスク上に
おける磁界分布を、磁気ヘッドの位置に対応して図30
に示す。同図に示すように磁界分布は左右対称に発生
し、光学ヘッド014の中心位置における記録磁界とし
ては充分な強度を得ることができるが、初期化磁界、逆
磁界として所定の磁界強度を得られないそこで、初期化
磁界を増大させるために、光学ヘッドを電磁力により移
動させる光学ヘッド移動用磁石を利用することが考えら
れる。その例を図31に示す。同図に示すように、光学
ヘッド014の左右両側においては、光学ヘッド014
の移動方向(紙面に垂直方向)に沿ってヨーク018、
020がそれぞれ平行に配設され、外側のヨーク020
には光学ヘッド移動用磁石019が装着されている。光
学ヘッド移動用磁石019は、光磁気ディスク013と
平行方向の磁界で、かつ、内側から外側へ向かう方向の
磁界を発生する。また、内側のヨーク018を取り囲む
光学ヘッド移動用コイル017が光学ヘッド014に取
り付けられている。従って、光学ヘッド移動用コイル0
17は、ヨーク018、019の間において、光学ヘッ
ド移動用磁石019により生じる磁束と鎖交することに
なる。この為、光学ヘッド移動用コイル017に通電し
て、光学ヘッド移動用コイル017及び光学ヘッド01
4に電磁力を作用させることにより、光学ヘッド014
を所定の位置へ移動させることが可能である。
【0014】この例では、図32に示すように、磁気ヘ
ッドの初期化磁石016による磁界と、光学ヘッド移動
用磁石019による磁界が相互に強め合うため、図30
の場合よりも強い磁界強度を得ることができる。しか
し、それでも初期化磁界、逆磁界として充分な磁界強度
を得ることはできない。更に、逆磁界を増大させるため
には、図33に示す逆磁界用磁石021を組み合わせる
ことが考えられる。同図に示すように、磁気ヘッド01
5には初期化磁界用磁石022と逆磁界用磁石02
が搭載されている。逆磁界用磁石021の磁界は、初期
化磁界用磁石022の磁界と平行方向であるが、初期化
磁界用磁石12の磁界の方向は図中下向きであるのに対
し、逆磁界用磁石14の磁界の方向は図中上向きであ
る。
【0015】この例では、図34に示すように磁界分布
は非対称に発生しており、逆磁界としては充分な値が得
られている。しかし、記録磁界、初期化磁界としては充
分な磁界強度を得ることはできない。このように磁気ヘ
ッドを薄く小型とする為には、磁石は厚み方向及び幅方
向で制約を受けてしまうため、初期化磁界及び逆磁界と
して充分な磁界強度が得られない問題がある。
【0016】本発明は、上記従来技術に鑑みて成された
ものであり、ダイレクトオーバーライト可能な初期化磁
界、記録磁界を発生し、かつ、小型の光磁気記録再生装
置を実現できる磁界発生機構を提供することを目的とす
る。
【0017】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明の光磁気記録用磁界発生機構の第一の構成は交換結
合多層膜よりなる光磁気ディスクを回転させると共に該
光磁気ディスクへ光学ヘッドによりレーザ光を照射しつ
つ、前記光学ヘッドの位置における前記光磁気ディスク
表面に対し垂直な記録磁界と、記録磁界と同方向で記録
磁界よりも強度の強い初期化磁界とを印加することによ
り、前記光磁気ディスクの一回転で記録と共に消去を行
う光磁気記録再生装置において、記録磁界及び初期化磁
界と同方向の磁界を発生する初期化磁界用磁石と、記録
磁界及び初期化磁界に対し直交方向の磁界を発生する増
幅用磁石とを含む複数の磁石を備えることを特徴とす
る。
【0018】ここで、前記複数の磁石としては、記光
学ヘッドを電磁力により前記光磁気ディスクの半径方向
に移動させる光学ヘッド移動用磁石を含むことも可能で
ある。
【0019】また、上記目的を達成する本発明の光磁気
記録用磁界発生機構の第二の構成は回転する光磁気ディ
スクへ光学ヘッドによりレーザ光を照射しつつ、前記光
学ヘッドの位置における前記光磁気ディスク表面に対し
垂直な記録磁界と、記録磁界と同方向で記録磁界よりも
強度の強い初期化磁界とを印加することにより、前記光
磁気ディスクへ記録と共に消去を行う光磁気記録再生装
置において、記録磁界及び初期化磁界と同方向の磁界を
発生する初期化磁界用磁石と、記録磁界及び初期化磁界
に対し直交方向の磁界を発生する増幅用磁石とを備え、
更に、前記光学ヘッドに向かい合う位置において発生す
るバイアス磁界の方向の可変なバイアス磁石を回動自在
に支持することを特徴とする。
【0020】ここで、記バイアス磁石に対して電磁力
を作用させて回動させて前記バイアス磁石の磁界の方向
を変えることのできるバイアス磁界用コイルを併設する
ようにするとよい。更に、初期化磁界は2.5 キロエルス
テッド以上、記録磁界が1キロエルステッド以下とする
ことが望ましい。
【0021】
【実施例】
(実施例1)本発明の第一の実施例を図1及び図2に示
す。両図に示すように光磁気ディスク1を間に挟んで光
学ヘッド2及び磁気ヘッド3が向い合せに対向してい
る。光磁気ディスク1はジャケット(図示省略)に回転
自在に挿入され、一定速度で回転可能となっている。本
実施例における光磁気ディスク5は、ダイレクトオーバ
ーライト可能な交換結合多層膜が使用される。光学ヘッ
ド2、磁気ヘッド3は、ジャケットに設けられた窓部に
挿入され、光学ヘッド2は、光磁気ディスク1の半径方
向に対して移動可能である。
【0022】磁気ヘッド3は、非磁性体である支持部材
4に複数の初期化磁界用磁石5、増幅用磁石6を搭載し
て構成されている。初期化磁界用磁石5、増幅用磁石6
は、光学ヘッド2の移動方向に対し、左右対称にそれぞ
れ配置されている。増幅用磁石6は初期化磁界用磁石5
に対して外側に位置する。初期化磁界用磁石5は、光磁
気ディスク1に対して直交方向の磁界で、かつ、図中下
向きの磁界を発生する。増幅用磁石6は、光磁気ディス
ク1と平行方向の磁界で、かつ、外側から内側へ向かう
方向の磁界を発生する。初期化磁界用磁石5の磁界と増
幅用磁石6の磁界の合成された磁界が光磁気ディスク1
に印加される。
【0023】このように発生する磁界の方向の異なる初
期化磁界用磁石5、増幅用磁石6を磁気ヘッド1に併置
すると、初期化磁界用磁石5の磁石厚を増した時と同様
の効果がある。この為、光学ヘッド2の両側において初
期化磁界の磁界強度を増幅することができる。また、光
学ヘッド2の位置における記録磁界は、専用の記録磁界
用磁石を用いることなく、初期化磁界用磁石1及び増幅
用磁石2の磁界を併用して形成している。
【0024】また、記録磁界は、左右の初期化磁界用磁
石5より発生する磁界の合成である為、その分布はフラ
ットで広範囲なものとなる。従って、磁気ヘッド3を光
磁気記録再生装置に搭載する場合、磁気ヘッド3と光学
ヘッド2との位置合わせ範囲が広くとれる為、磁気ヘッ
ド3と光磁気記録再生装置との組み付けが容易なものと
なる。更に、初期化磁界の両側における逆磁界は初期化
磁界のリターンパスにて創生されている。逆磁界は、初
期化磁界及び記録磁界の両側に位置する為、光磁気ディ
スク1のデータを一層確実に消去可能である。但し、逆
磁界は必ずしも必要なものではない。
【0025】上記構成を有する磁気ヘッド3に対応した
位置における記録層での磁界分布図を図3に示す。同図
に示すように、磁界分布は光学ヘッド2に対して対称と
なり、光学ヘッド2の位置における記録磁界として1キ
ロエルステッド以下、その両側における初期化磁界とし
て2.5 キロエルステッド、更にその両側における逆磁界
として1キロエルステッドとすることが可能である。従
って、初期化磁界、逆磁界、記録磁界ともダイレクトオ
ーバーライトに必要な磁界強度を得ることができ、光磁
気ディスク1の一回転で記録と同時に消去を行うことが
可能となる。
【0026】また、初期化磁界用磁石5の厚みを増すこ
となく、初期化磁界を増大することができるので、磁気
ヘッド3を高さ7mm,幅20mmの範囲内におさめることが
でき、この為、ディスク直径3.5 インチ、1インチハイ
ト(厚さ1インチ)のダイレクトオーバーライト可能な
光磁気記録再生装置を構成することができる。また、デ
ィスク直径が5.25インチ以下で、ハーフハイト(厚さ4
1.3mm)以下のダイレクトオーバーライト可能な小型光
磁気記録再生装置も実現可能である。尚、支持部材4
は、特に形状を限定されるものではなく、また、本実施
例では非磁性体としたが、磁性体とした場合も、形状を
変えることによりダイレクトオーバーライトに必要な磁
界分布を得られる。
【0027】(実施例2)本発明の第二の実施例を図4
を示す。本実施例では、光学ヘッドの光学ヘッド移動用
磁石の磁界を利用して初期化磁界等を増幅するようにし
たものである。即ち、磁気ヘッド3は、非磁性体である
支持部材4に初期化磁界用磁石5、増幅用磁石6を搭載
して構成され、初期化磁界用磁石5及び増幅用磁石6
は、光学ヘッド2に対して左右対称にそれぞれ配置され
ている。初期化磁界用磁石5、増幅用磁石6は、実施例
1と同様な構成である。
【0028】光学ヘッド2の左右両側においては、光学
ヘッド2の移動方向(紙面に垂直方向)に沿ってヨーク
8、10がそれぞれ平行に配設され、外側のヨーク10
には光学ヘッド移動用磁石9が装着されている。光学ヘ
ッド移動用磁石9は、光磁気ディスク1と平行方向の磁
界で、かつ、内側から外側へ向かう方向の磁界を発生す
る。また、内側のヨーク8を取り囲む光学ヘッド移動用
コイル7が光学ヘッド2に取り付けられている。従っ
て、光学ヘッド移動用コイル7は、ヨーク8、10の間
において、光学ヘッド移動用磁石9により生じる磁束と
鎖交することになる。この為、光学ヘッド移動用コイル
7に通電して、光学ヘッド移動用コイル7及び光学ヘッ
ド2に電磁力を作用させることにより、光学ヘッド2を
所定の位置へ移動させることが可能である。
【0029】ここで、磁気ヘッド3の初期化磁界用磁石
5による磁界と、光学ヘッド移動用磁石9による磁界と
が相互に強め合うため、初期化磁界用磁石5、増幅用磁
石6を実施例1に比較して更に小型化しても、図5に示
すように、初期化磁界、逆磁界、記録磁界ともオーバー
ライトに必要な磁界強度を得ることができる。本実施例
においても、実施例1に示したと同様に増幅用磁石6を
設置することにより、初期化磁界強度を増すとともに、
フラットで広範囲の分布を持った記録磁界を発生させる
ことができる。尚、支持部材8は、本実施例では非磁性
体としたが、磁性体とした場合も、形状を変えることに
よりオーバーライトに必要な磁界分布を得ることが可能
である。例えば、図6及び図7に、磁性体の支持部材4
aを使用する磁気ヘッド3aの構成とその時の磁界分布
を示す。図7に示すように磁界分布は、図5と多少異な
るが、初期化磁界、逆磁界、記録磁界ともオーバーライ
トに必要な強度を得ることができる。
【0030】(実施例3)本発明の第三の実施例を図8
に示す。本実施例は、非対称な磁界分布を形成するもの
である。即ち、光磁気ディスク1を挟んで磁気ヘッド3
cと光学ヘッド2とが向かい合わせて配置され、磁気ヘ
ッド3c及び光学ヘッド2は、光磁気ディスク1を収納
するジャケット(図示省略)の窓部に挿入されている。
磁気ヘッド3cは、非磁性体である支持部材11に、初
期化磁界用磁石12、増幅用磁石13の他に、逆磁界用
磁石14、調整用磁石15a,15b,15cが搭載さ
れて構成され、それら磁石12〜15cの配置は光学ヘ
ッド2に対して非対称となっている。
【0031】調整用磁石15a,15b,15cの磁界
の方向は、何れも光磁気ディスク1に対して垂直方向で
あるが、光学ヘッド2の中心位置に位置する調整用磁石
15b及びその図中右側の調整用磁石15cは図中下向
きであるのに対し、その図中左側の調整用磁石15aは
垂直上向きである。逆磁界用磁石14は、調整用磁石1
5cの図中右側に位置しており、その磁界の方向は、光
磁気ディスク4に対して垂直上向きである。初期化磁界
用磁石12、増幅用磁石13は、調整用磁石15cの図
中右側に位置しており、その磁界の方向は実施例1と同
様である。光学ヘッド2の左右両側においては、光学ヘ
ッド2の移動方向(紙面に垂直方向)に沿ってヨーク
8、10がそれぞれ平行に配設され、外側のヨーク10
には光学ヘッド移動用磁石9aが装着されている。光学
ヘッド移動用磁石9aは、光磁気ディスク1と平行方向
の磁界で、かつ、外側から内側へ向かう方向の磁界を発
生する。また、内側のヨーク8を取り囲む光学ヘッド移
動用コイル7が光学ヘッド2に取り付けられている。従
って、光学ヘッド移動用コイル7は、ヨーク8、10の
間において、光学ヘッド移動用磁石9aにより生じる磁
束と鎖交することになる。この為、光学ヘッド移動用コ
イル7に通電して、光学ヘッド移動用コイル7及び光学
ヘッド2に電磁力を作用させることにより、光学ヘッド
2を所定の位置へ移動させることが可能である。
【0032】本実施例では、光学ヘッド移動用コイル
7、光学ヘッド移動用磁石9a及びヨーク8、10は、
光学ヘッド2の進行方向に対して左右対称となっている
が、磁気ヘッド3cにおける磁石12〜15cの配置を
非対称となっている。この為、図9に示すように磁界分
布は光学ヘッド2に対し左右非対称な分布である。しか
し、光学ヘッド2の位置における記録磁界として1キロ
エルステッド以下、その図中左方における初期化磁界と
して2.5 キロエルステッド、更にその図中右方及び記録
磁界の左方における逆磁界として1キロエルステッドと
することが可能である。従って、本実施例においても、
初期化磁界、逆磁界、記録磁界ともオーバーライトに必
要な強度を得ることができ、光磁気ディスク1に対して
記録と同時に消去を行うことが可能となる。
【0033】尚、磁界分布を光学ヘッド2に対し左右非
対称とすると、図10に示すように光学ヘッド2を電磁
力にて駆動する為の左右の光学ヘッド移動用コイル7及
び光学ヘッド移動用磁石9aとの間の磁界分布も、左右
非対称となる。この為、左右の光学ヘッド移動用コイル
7にて発生する電磁力を均等として光学ヘッド2を安定
して移動させる為には、左右の光学ヘッド移動用磁石9
aの磁界強度を調整するか、或いは左右の光学ヘッド移
動用コイル7に通電する電力等を調整することが望まし
い。また、本実施例で使用する支持部材11は、実施例
1と同様に、その形状を限定されるものではなく、ま
た、支持部材11は、非磁性体に限るものではなく、磁
性体とした場合も、形状を変えることによりオーバーラ
イトに必要な磁界分布を得られる。
【0034】(実施例4)図11に本発明の第四の実施
例を示す。本実施例は、実施例3と同様に非対称な磁界
分布を形成するものである。即ち、磁気ヘッド3dは、
非磁性体である支持部材16に、初期化磁界用磁石1
2、増幅用磁石13の他に、逆磁界用磁石14が搭載さ
れて構成され、それら磁石12〜14の配置は光学ヘッ
ド(図示省略)に対して非対称に位置している。逆磁界
用磁石14は支持部材16の図中右側に、初期化磁界用
磁石12、増幅用磁石13は支持部材16の図中右側に
位置しており、その磁界の方向は実施例3と同様であ
る。
【0035】本実施例では、磁気ヘッド3dにおける磁
石12〜14の配置を非対称としている為、図12に示
すように磁界分布は光学ヘッドに対し左右非対称な分布
となる。しかし、光学ヘッドの位置における記録磁界と
して1キロエルステッド以下、その図中左方における初
期化磁界として2.5 キロエルステッド、更にその図中右
方及び記録磁界の左方における逆磁界として1キロエル
ステッドとすることが可能である。従って、本実施例に
おいても、初期化磁界、逆磁界、記録磁界ともオーバー
ライトに必要な強度を得ることができ、光磁気ディスク
1に対して記録と同時に消去を行うことが可能となる。
【0036】(実施例5) 本発明の第五の実施例を図13〜図1に示す。本実施
例は、バイアス磁石27を追加して構成したものであ
る。即ち、光磁気ディスク21を間に挟んで光学ヘッド
22と磁気ヘッド23とが向かい合わせて配置され、光
学ヘッド22、磁気ヘッド23は光磁気ディスク21を
収納するジャケット(図示省略)の窓部に挿入されてい
る。磁気ヘッド23は、非磁性体である支持部材24
に、複数の初期化磁界用磁石25、増幅用磁石26、バ
イアス磁石27及びバイアス磁界用コイル28を搭載し
て構成されている。初期化磁界用磁石25、増幅用磁石
26は、光学ヘッド22対し、左右対称にそれぞれ配
置されており、その磁界の方向は、実施例1と同様であ
る。初期化磁界用磁石25、増幅用磁石26と支持部材
24との間にはヨーク29,30が介装されている。バ
イアス磁石27は、光学ヘッド22の中心位置において
所定角度回動自在に支持されており、その両側にはヨー
ク31が装着されている。バイアス磁界用コイル28
は、支持部材24の上面において、バイアス磁石27に
対して所定の電磁力を作用させることができるように配
置されている。従って、バイアス磁界用コイル28に通
電することにより発生する電磁力で、バイアス磁石27
を図13中矢印で示すように所定角度回動させることが
できる。これにより、バイアス磁石27を図14、図1
6のように回転させて磁界の方向を反転することによ
り、光磁気ディスク21の表面上での磁界分布をを制御
できる。
【0037】ここで、バイアス磁石27の磁界の方向を
図中垂直下向きとした状態を図14に示し、その状態に
おける磁気ヘッド23の位置に対応した光磁気ディスク
21上での磁界分布図を図15に示す。同図に示すよう
に、本実施例においても、初期化磁界、逆磁界、記録磁
界ともダイレクトオーバーライトに必要な磁界強度を得
ることができる。従って、本実施例の光磁気ディスク2
1として、ダイレクトオーバーライト可能な交換結合多
層膜を使用することにより、光磁気ディスク21の一回
転で記録と同時に消去を行うことが可能となる。ここ
で、光磁気ディスク21としては、ダイレクトオーバー
ライト可能な交換結合二層膜に限らず、図24、図25
で用いられる磁界変調用記録媒体も使用することが出来
る。
【0038】即ち、磁界変調用記録媒体の記録に必要な
磁界強度は、交換結合二層膜と同じであるので、磁界変
調用記録媒体である光磁気ディスク21へデータの記録
が可能である。また、図17に示すように、バイアス磁
石27の磁界を反転すると、光学ヘッド22の中心位置
において記録磁界と逆方向の消去磁界が発生し、この消
去磁界により、磁界変調用記録媒体である光磁気ディス
ク21からデータの消去が可能となる。図17は、図1
6に示すようにバイアス磁石27の磁界の方向を図中垂
直上向きとした状態における磁気ヘッド23の位置に対
応した光磁気ディスク21上での磁界分布である。尚、
室温下において、磁界変調用記録媒体の保磁力は、10
キロエルステッド以上ある為、初期化磁界及び逆磁界の
影響は全く受けない。
【0039】(実施例6)本発明の第六の実施例を図1
8〜図22に示す。本実施例は、光学ヘッド22の光学
ヘッド移動用磁石9の磁界を利用して初期化磁界等を増
幅するようにしたものである。即ち、光磁気ディスク2
1を間に挟んで光学ヘッド22と磁気ヘッド23とが向
かい合わせて配置され、光学ヘッド22、磁気ヘッド2
3は光磁気ディスク21を収納するジャケット(図示省
略)の窓部に挿入されている。磁気ヘッド23は、非磁
性体である支持部材24に、複数の初期化磁界用磁石2
5、増幅用磁石26、バイアス磁石27及びバイアス磁
界用コイル28を搭載して構成されており、実施例5と
ほぼ同様な構成である。光学ヘッド22を移動させるた
めのヨーク8、10及び光学ヘッド移動用磁石9につい
ては、実施例2とほぼ同様な構成である。従って、光学
ヘッド移動用コイル7に通電して、光学ヘッド22に電
磁力を作用させ所定の位置へ走査させることが可能であ
る。
【0040】ここで、磁気ヘッド23の初期化磁界用磁
石25による磁界と、光学ヘッド移動用磁石9による磁
界とが相互に強め合うため、初期化磁界用磁石25、増
幅用磁石26を実施例5に比較して更に小型化しても、
図22に示すように、初期化磁界、逆磁界、記録磁界と
もオーバーライトに必要な磁界強度を得られる。更に、
バイアス磁界用コイル28に通電して、図19又は図2
1に示すようにバイアス磁石11を回動させて、その磁
界を反転することにより、図20又は図22に示すよう
に光磁気ディスク21における磁界分布を制御すること
が可能である。この為、実施例5と同様に、本実施例に
おいても、ダイレクトオーバーライトする為に必要な初
期化磁界、逆磁界、記録磁界を得ることができる。ま
た、光磁気ディスク21として交換結合二層膜だけでな
く、ダイレクトオーバーライトできない磁界変調方式用
のものを用いて記録、消去が可能である。
【0041】(実施例7)本発明の第7の実施例を図2
3に示す。同図に示す実施例は、光磁気ディスク32を
収納するカートリッジ33の外部から初期化磁界を印加
できるようにしたものである。即ち、光磁気ディスク3
2を収納するカートリッジ33の外側には、このカート
リッジ33を上下に挟み込むヨーク34が設けられてお
り、このヨーク34に対してカートリッジ32をスライ
ドして装着することが可能となっている。ヨーク34に
は、初期化磁界用磁石35と、その両側に増幅用磁石3
6,37が設けられている。この初期化磁界用磁石3
5、増幅用磁石36,37の磁界の方向は、前述した実
施例1と同様である。従って、初期化磁界用磁石35、
増幅用磁石36,37により加えられる初期化磁界によ
り、光磁気ディスク32として使用される交換結合二層
膜の補助層を、室温下において初期化することが可能で
ある。
【0042】本実施例においては、初期化磁界用磁石3
5等を、磁気ヘッドから分離してヨーク34に設置した
ので、磁気ヘッドを一層小型化することが可能である。
また、記録層を消去し、書き込む場合には、図示しない
光学ヘッド及び磁気ヘッドにより記録磁界を印加して、
低出力レーザ、光出力レーザを照射すると良い。
【0043】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明によれば、発生する磁界の方向が異な
る初期化磁界用磁石と増幅用磁石の二種類以上の磁石に
より、ダイレクトオーバライト可能な交換結合多層膜よ
りなる光磁気ディスクへ所定のバイアス磁界を印加する
ので、記録と同時に消去が可能となると共に磁気ヘッド
及び光磁気記録再生装置を小型のものとすることができ
る。また、記録磁界は、ラットで広範囲の分布とする
ことができる為、部品の加工及び組み付けの簡易化を図
れる。更に、発生する磁界の方向の可変なバイアス磁石
を併用することにより、交換結合多層膜以外の磁界変調
方式による光磁気ディスクに対しても同様に記録、消去
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を示す斜視図である
【図2】本発明の第一の実施例を示す断面図である。
【図3】本発明の第一の実施例における磁界分布を示す
グラフである。
【図4】本発明の第二の実施例を示す断面図である。
【図5】本発明の第二の実施例における磁界分布を示す
グラフである。
【図6】本発明の第二の実施例において、支持部材を磁
性体とした実施例の断面図である。
【図7】図6における磁界分布を示すグラフである。
【図8】本発明の第三の実施例の断面図である。
【図9】本発明の第三の実施例における磁界分布を示す
グラフである。
【図10】本発明の第三の実施例における磁束の分布図
である。
【図11】本発明の第四の実施例の断面図である。
【図12】本発明の第四の実施例の磁界分布を示すグラ
フである。
【図13】本発明の第五の実施例を示す斜視図である。
【図14】本発明の第五の実施例においてバイアス磁石
を図中下向きに反転した状態を示す断面図である。
【図15】図14の状態における磁界分布を示すグラフ
である。
【図16】本発明の第五の実施例においてバイアス磁石
を図中上向きに反転した状態を示す断面図である。
【図17】図16の状態における磁界分布を示すグラフ
である。
【図18】本発明の第六の実施例の斜視図である。
【図19】本発明の第六の実施例においてバイアス磁石
を図中下向きに反転した状態を示す断面図である。
【図20】図19の状態における磁界分布を示すグラフ
である。
【図21】本発明の第六の実施例においてバイアス磁石
を図中上向きに反転した状態を示す断面図である。
【図22】図21の状態における磁界分布を示すグラフ
である。
【図23】本発明の第七の実施例を示す斜視図である。
【図24】従来の磁界変調方式の光磁気記録方式の説明
図である。
【図25】従来の磁界変調方式の光磁気記録方式の説明
図である
【図26】交換結合二層膜方式の光磁気記録方式の説明
図である。
【図27】交換結合二層膜方式の光磁気記録方式の説明
図である。
【図28】交換結合二層膜方式における記録層、補助層
の保磁力の温度特性を示すグラフである。
【図29】初期化磁界用磁石を最大厚さとした磁気ヘッ
ドを示す断面図である。
【図30】図29における磁界分布を示すグラフであ
る。
【図31】光学ヘッド移動用磁石を利用して初期化磁界
を増幅する例を示す断面図である。
【図32】図31における磁界分布を示すグラフであ
る。
【図33】逆磁界用磁石を併用する磁気ヘッドを示す断
面図である。
【図34】図33における磁界分布を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
1,21 光磁気ディスク 2,22 光学ヘッド 3,3a,3b,3c,3d,23 磁気ヘッド 4,11,16,24 支持部材 5,12,25 初期化磁界用磁石 6,13,26 増幅用磁石 7 光学ヘッド移動用コイル 8,29,30,31 ヨーク 9,9a 光学ヘッド移動用磁石 10 ヨーク 11 支持部材 14 逆磁界用磁石 15a,15b,15c 調整用磁石 27 バイアス磁石 28 バイアス磁界用コイル 32 光磁気ディスク 33 カートリッジ 34 ヨーク 35 初期化磁界用磁石 36 増幅用磁石 37 増幅用磁石 001 光磁気ディスク(磁界変調型) 002 光学ヘッド 003 磁気ヘッド 004 バイアス磁石 005 バイアス磁界用コイル 006 記録層 007 補助層 008 初期化磁界 009 記録磁界 010 逆磁界 011 低出力レーザ光 012 高出力レーザ光 013 磁気ディスク(交換結合二層膜) 014 光学ヘッド 015 磁気ヘッド 016 初期化用磁石 017 光学ヘッド移動用コイル 018 ヨーク 019 光学ヘッド移動用磁石 020 ヨーク

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 交換結合多層膜よりなる光磁気ディスク
    を回転させると共に該光磁気ディスクへ光学ヘッドによ
    りレーザ光を照射しつつ、前記光学ヘッドの位置におけ
    る前記光磁気ディスク表面に対し垂直な記録磁界と、記
    録磁界と同方向で記録磁界よりも強度の強い初期化磁界
    とを印加することにより、前記光磁気ディスクの一回転
    で記録と共に消去を行う光磁気記録再生装置において、
    記録磁界及び初期化磁界と同方向の磁界を発生する初期
    化磁界用磁石と、記録磁界及び初期化磁界に対し直交方
    向の磁界を発生する増幅用磁石とを含む複数の磁石を備
    えることを特徴とする光磁気記録用磁界発生機構。
  2. 【請求項2】 前記複数の磁石は、前記光学ヘッドを電
    磁力により前記光磁気ディスクの半径方向に移動させる
    光学ヘッド移動用磁石を含むことを特徴とする請求項1
    記載の光磁気記録用磁界発生機構。
  3. 【請求項3】 回転する光磁気ディスクへ光学ヘッドに
    よりレーザ光を照射しつつ、前記光学ヘッドの位置にお
    ける前記光磁気ディスク表面に対し垂直な記録磁界と、
    記録磁界と同方向で記録磁界よりも強度の強い初期化磁
    界とを印加することにより、前記光磁気ディスクへ記録
    及び消去を行う光磁気記録再生装置において、記録磁界
    及び初期化磁界と同方向の磁界を発生する初期化磁界用
    磁石と、記録磁界及び初期化磁界に対し直交方向の磁界
    を発生する増幅用磁石とを備え、更に、前記光学ヘッド
    に向かい合う位置において発生するバイアス磁界の方向
    の可変なバイアス磁石を回動自在に支持することを特徴
    とする光磁気記録用磁界発生機構。
  4. 【請求項4】 前記バイアス磁石に対して電磁力を作用
    させて回動させ、前記バイアス磁石の磁界の方向を変え
    るバイアス磁界用コイルを併設したことを特徴とする請
    求項記載の光磁気記録用磁界発生機構。
  5. 【請求項5】 初期化磁界は2.5 キロエルステッド以
    上、記録磁界が1キロエルステッド以下であることを特
    徴とする請求項1又は記載の光磁気記録用磁界発生機
    構。
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