JPH09198734A - 光磁気ディスク装置 - Google Patents
光磁気ディスク装置Info
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- JPH09198734A JPH09198734A JP8006962A JP696296A JPH09198734A JP H09198734 A JPH09198734 A JP H09198734A JP 8006962 A JP8006962 A JP 8006962A JP 696296 A JP696296 A JP 696296A JP H09198734 A JPH09198734 A JP H09198734A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10523—Initialising
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- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10534—Heads for recording by magnetising, demagnetising or transfer of magnetisation, by radiation, e.g. for thermomagnetic recording
Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期化磁界発生器を必要とする光磁気ディス
ク装置において、初期化磁界発生器を小型化する。 【解決手段】 永久磁石を配した磁界発生器4を光磁気
ディスク1上に収束される光ビームスポット7の位置と
ほぼ同一半径上で、且つ光ビームスポット位置に対し先
行又は後行する位置に配置し、磁界発生器4が光磁気デ
ィスク1の光磁気記録媒体面に対し摺動又は浮上走行さ
せる。
ク装置において、初期化磁界発生器を小型化する。 【解決手段】 永久磁石を配した磁界発生器4を光磁気
ディスク1上に収束される光ビームスポット7の位置と
ほぼ同一半径上で、且つ光ビームスポット位置に対し先
行又は後行する位置に配置し、磁界発生器4が光磁気デ
ィスク1の光磁気記録媒体面に対し摺動又は浮上走行さ
せる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの記録
再生を行う光ディスク装置、特に室温で2種類以上の保
磁力を有する光磁気記録媒体を用い、記録再生を行う光
ディスク装置に関するものである。
再生を行う光ディスク装置、特に室温で2種類以上の保
磁力を有する光磁気記録媒体を用い、記録再生を行う光
ディスク装置に関するものである。
【0002】
(従来例1)例えば、ISO規格による光磁気ディスク
装置で情報の記録を行う場合、はじめに情報を書き込む
べきトラックの消去を行い、その後消去されたトラック
に記録を行う。そのため、情報記録に一定の時間を要す
る。この問題を解決する方法として、磁界変調方式オー
バライト技術が知られている。磁界変調方式オーバライ
ト技術とは、垂直磁気異方性を有する記録再生層と、保
磁力の異なる垂直磁気異方性を有する記録補助層の多層
構造の光磁気記録媒体を用い、ダイレクトオーバライト
を可能とし、記録時の時間を短縮しようとするものであ
る(例えば、Japanese Journal of Applied Physics,Vo
l.28(1989) Supplement 28-3 pp.367-370の「Recording
Power Characteristics of 130mm Overwritable MO Di
sk by Laser Power Modulation Method」参照)。以
下、その原理について図13を参照しつつ説明する。
装置で情報の記録を行う場合、はじめに情報を書き込む
べきトラックの消去を行い、その後消去されたトラック
に記録を行う。そのため、情報記録に一定の時間を要す
る。この問題を解決する方法として、磁界変調方式オー
バライト技術が知られている。磁界変調方式オーバライ
ト技術とは、垂直磁気異方性を有する記録再生層と、保
磁力の異なる垂直磁気異方性を有する記録補助層の多層
構造の光磁気記録媒体を用い、ダイレクトオーバライト
を可能とし、記録時の時間を短縮しようとするものであ
る(例えば、Japanese Journal of Applied Physics,Vo
l.28(1989) Supplement 28-3 pp.367-370の「Recording
Power Characteristics of 130mm Overwritable MO Di
sk by Laser Power Modulation Method」参照)。以
下、その原理について図13を参照しつつ説明する。
【0003】図13において、ディスク40は参照層4
1と記録層42の少なくとも2層で構成されている。常
温での参照層41の保磁力は記録層42の保磁力よりも
小さく、参照層41のキュリー温度は記録層42のキュ
リー温度よりも高い。このディスク40を用いてオーバ
ライトを行うには、まず参照層41の磁化の向きを一方
方向にそろえるために初期化磁界発生器43を用いる。
ディスク40が矢印50の方向に回転移動すると、初期
化磁界発生器43の磁界(例えば、図中下向きの磁界で
表す)により参照層41の磁化は一方向(例えば、図中
下向き)に揃えられる。一方、記録層42は、保磁力を
初期化磁界発生器43の磁界強度よりも十分高く設定さ
れているため、磁化の向きは変化しない。
1と記録層42の少なくとも2層で構成されている。常
温での参照層41の保磁力は記録層42の保磁力よりも
小さく、参照層41のキュリー温度は記録層42のキュ
リー温度よりも高い。このディスク40を用いてオーバ
ライトを行うには、まず参照層41の磁化の向きを一方
方向にそろえるために初期化磁界発生器43を用いる。
ディスク40が矢印50の方向に回転移動すると、初期
化磁界発生器43の磁界(例えば、図中下向きの磁界で
表す)により参照層41の磁化は一方向(例えば、図中
下向き)に揃えられる。一方、記録層42は、保磁力を
初期化磁界発生器43の磁界強度よりも十分高く設定さ
れているため、磁化の向きは変化しない。
【0004】レーザー光46は対物レンズ45により集
光され、ディスク40に照射される。ここで、レーザー
光46の光強度には低パワー、中パワー、高パワーの3
段階があり、オーバライトには中パワーと高パワーが用
いられる。レーザー光46の光強度が中パワーのとき、
ディスク40のレーザー照射部49の温度は、記録層4
2のキュリー温度よりも高く、参照層41のキュリー温
度よりも低い。従って、レーザー照射部49のごく近傍
では、記録層42の磁化は消滅し、参照層41の磁化は
消滅しない。この時、レーザー照射部に磁界を与えるた
めにバイアス磁界発生器44による磁界も存在するが、
この磁界強度では参照層41の磁化の向きは変化しな
い。次に、レーザー照射部49から遠ざかると温度が下
がるため、記録層42の磁化が再び現れる。このとき、
参照層41と記録層42との間には磁気交換相互作用が
働き、記録層42の磁化の向きは参照層41と同一方向
(図中下向き)に向く。
光され、ディスク40に照射される。ここで、レーザー
光46の光強度には低パワー、中パワー、高パワーの3
段階があり、オーバライトには中パワーと高パワーが用
いられる。レーザー光46の光強度が中パワーのとき、
ディスク40のレーザー照射部49の温度は、記録層4
2のキュリー温度よりも高く、参照層41のキュリー温
度よりも低い。従って、レーザー照射部49のごく近傍
では、記録層42の磁化は消滅し、参照層41の磁化は
消滅しない。この時、レーザー照射部に磁界を与えるた
めにバイアス磁界発生器44による磁界も存在するが、
この磁界強度では参照層41の磁化の向きは変化しな
い。次に、レーザー照射部49から遠ざかると温度が下
がるため、記録層42の磁化が再び現れる。このとき、
参照層41と記録層42との間には磁気交換相互作用が
働き、記録層42の磁化の向きは参照層41と同一方向
(図中下向き)に向く。
【0005】レーザー光46の光強度が高パワーのと
き、レーザー照射部49の温度は、記録層42のキュリ
ー温度よりも高く、また参照層41のキュリー温度より
も高い。従って、レーザー照射部49のごく近傍では、
記録層42の磁化も参照層41の磁化も消滅する。次
に、レーザー照射部49から遠ざかると温度が下がり、
まず参照層41の磁化が再び現れる。このとき、バイア
ス磁界発生器44による磁界の影響を受け、参照層41
の磁化の向きが反転する(図中上向きになる)。さらに
温度が下がると、記録層42の磁化が現れるが、磁気交
換相互作用が働き、記録層42の磁化の向きは参照層4
1と同一方向(図中上向き)に向く。
き、レーザー照射部49の温度は、記録層42のキュリ
ー温度よりも高く、また参照層41のキュリー温度より
も高い。従って、レーザー照射部49のごく近傍では、
記録層42の磁化も参照層41の磁化も消滅する。次
に、レーザー照射部49から遠ざかると温度が下がり、
まず参照層41の磁化が再び現れる。このとき、バイア
ス磁界発生器44による磁界の影響を受け、参照層41
の磁化の向きが反転する(図中上向きになる)。さらに
温度が下がると、記録層42の磁化が現れるが、磁気交
換相互作用が働き、記録層42の磁化の向きは参照層4
1と同一方向(図中上向き)に向く。
【0006】上記のように、中パワーと高パワーを、記
録したい”1”と”0”のデジタル情報に応じて変化さ
せることにより、記録層42の磁化の向きが旧データ4
7に依存することなく書き込め、オーバライトが可能と
なり、新データ48が記録される。一方、信号の再生に
用いられる低パワーの照射時には、レーザー照射部49
の温度は、記録層42のキュリー温度よりも低いため、
磁化の向きに変化はない。従って、この低パワーを用い
て記録層42の磁化の向きを検知し再生が行われる。
録したい”1”と”0”のデジタル情報に応じて変化さ
せることにより、記録層42の磁化の向きが旧データ4
7に依存することなく書き込め、オーバライトが可能と
なり、新データ48が記録される。一方、信号の再生に
用いられる低パワーの照射時には、レーザー照射部49
の温度は、記録層42のキュリー温度よりも低いため、
磁化の向きに変化はない。従って、この低パワーを用い
て記録層42の磁化の向きを検知し再生が行われる。
【0007】(従来例2)保磁力等の磁気特性の異なる
2層以上の多層構成の光磁気記録媒体を用い、レーザス
ポット径より小さい領域から信号を読み出し、記録密度
(具体的には再生密度)を上げる従来技術として、例え
ば「日経エレクトロニクス 1991.10.28 N
o.539頁223〜頁233」等に記載された技術が
知られている。この従来技術は、温度により異なる磁性
層の磁気特性を生かして超解像効果を得ることから「M
SR (Magnetically induced Super Resolution)」技
術と呼ばれることもある。このMSR技術の中には記録
層、切断層、再生層の3層構造からなり、低温領域から
信号を取り出すFAD(Front Aperture Detection)方
式、記録層と再生層で構成され、高温領域から信号を取
り出すRAD(Rear Aperture Detection) 方式、そして
記録層、中間層、再生補助層、再生層の4層構造からな
り、ある温度範囲の領域から信号を取り出すD−RAD
(Doubl Mask RAD)方式が知られている。
2層以上の多層構成の光磁気記録媒体を用い、レーザス
ポット径より小さい領域から信号を読み出し、記録密度
(具体的には再生密度)を上げる従来技術として、例え
ば「日経エレクトロニクス 1991.10.28 N
o.539頁223〜頁233」等に記載された技術が
知られている。この従来技術は、温度により異なる磁性
層の磁気特性を生かして超解像効果を得ることから「M
SR (Magnetically induced Super Resolution)」技
術と呼ばれることもある。このMSR技術の中には記録
層、切断層、再生層の3層構造からなり、低温領域から
信号を取り出すFAD(Front Aperture Detection)方
式、記録層と再生層で構成され、高温領域から信号を取
り出すRAD(Rear Aperture Detection) 方式、そして
記録層、中間層、再生補助層、再生層の4層構造からな
り、ある温度範囲の領域から信号を取り出すD−RAD
(Doubl Mask RAD)方式が知られている。
【0008】上記3種類のMSR技術のうちRAD方式
とD−RAD方式は初期化用の磁界発生器が必要であ
り、RAD方式では再生層の磁化の向きを一方向に向け
ておくために、またDAD方式では再生補助層と再生層
の2層の磁化の向きを一方向に揃えるために使用され
る。またRAD、D−RADのいずれの方式でも、磁界
強度の大きい初期化磁界発生器と、初期化とは逆方向の
磁界を発生させる磁界強度の小さい再生用磁界発生器と
の2つの磁界発生器を必要とする。D−RAD方式はR
AD方式の発展形であるため、ここではDーRADの動
作原理を図14を参照しつつ説明する。
とD−RAD方式は初期化用の磁界発生器が必要であ
り、RAD方式では再生層の磁化の向きを一方向に向け
ておくために、またDAD方式では再生補助層と再生層
の2層の磁化の向きを一方向に揃えるために使用され
る。またRAD、D−RADのいずれの方式でも、磁界
強度の大きい初期化磁界発生器と、初期化とは逆方向の
磁界を発生させる磁界強度の小さい再生用磁界発生器と
の2つの磁界発生器を必要とする。D−RAD方式はR
AD方式の発展形であるため、ここではDーRADの動
作原理を図14を参照しつつ説明する。
【0009】図14において、(a)はレーザー光投入
側から見た平面図、(b)はディスクを構成する各磁性
層の断面図である。光磁気ディスク60は、再生層6
3、再生補助層64、中間層65、記録層66の各層及
び図示していない基板等で構成される。図中、矢印60
は光磁気ディスク60のトラックに沿った移動方向であ
り、上向きの矢印61は記録及び再生時に与える外部磁
界であり、下向きの矢印62は初期化磁界である。情報
の再生時には、そのトラックに沿ってレーザー光による
再生光スポット67が形成される。
側から見た平面図、(b)はディスクを構成する各磁性
層の断面図である。光磁気ディスク60は、再生層6
3、再生補助層64、中間層65、記録層66の各層及
び図示していない基板等で構成される。図中、矢印60
は光磁気ディスク60のトラックに沿った移動方向であ
り、上向きの矢印61は記録及び再生時に与える外部磁
界であり、下向きの矢印62は初期化磁界である。情報
の再生時には、そのトラックに沿ってレーザー光による
再生光スポット67が形成される。
【0010】再生光スポット67が回転中の光磁気ディ
スク60に照射されると、再生層63及び再生補助層6
4を含む各磁性層の温度分布は、再生光スポット67の
円中心に対し回転対称とはならず、再生光スポット67
の後方に楕円形状に近い温度分布を示す。これらは高温
領域69と中間温度領域70に分けて考えることができ
る。ここで、再生補助層64のキュリー温度Tc 以上の
領域を高温領域69と称する。
スク60に照射されると、再生層63及び再生補助層6
4を含む各磁性層の温度分布は、再生光スポット67の
円中心に対し回転対称とはならず、再生光スポット67
の後方に楕円形状に近い温度分布を示す。これらは高温
領域69と中間温度領域70に分けて考えることができ
る。ここで、再生補助層64のキュリー温度Tc 以上の
領域を高温領域69と称する。
【0011】信号(情報)は、予め記録層66に記録磁
区68として熱磁気記録されているものとする。再生補
助層64は再生層63と強く交換結合している。中間層
65は、再生層63と記録層66の磁化の向きが揃うと
きに磁壁が安定になるように設けられた膜である。
区68として熱磁気記録されているものとする。再生補
助層64は再生層63と強く交換結合している。中間層
65は、再生層63と記録層66の磁化の向きが揃うと
きに磁壁が安定になるように設けられた膜である。
【0012】次に、光磁気ディスク60の再生動作につ
いて説明する。最初は、再生層63の磁化は初期化磁界
62の働きにより一方向(例えば、図中下向き)に揃え
られる。再生のためレーザー光が照射されると、上記の
高温領域69と中間温度領域70の温度分布が各磁性層
に生じる。ここで、再生層63は、温度上昇により保磁
力が低下するため、中間温度領域70では記録層66と
の交換結合が支配的となり、再生層63の磁化の向きは
記録層66の磁化の向きに揃えられる。一方、高温領域
69では再生補助層64の温度はキュリー温度以上とな
り、磁化が消失するため、その部分の再生層63と記録
層66間の磁気交換結合が遮断される。従って、再生層
63の磁化は再生磁界61の支配下となり、磁化の向き
は一方向(図中上向き)に揃えられる。
いて説明する。最初は、再生層63の磁化は初期化磁界
62の働きにより一方向(例えば、図中下向き)に揃え
られる。再生のためレーザー光が照射されると、上記の
高温領域69と中間温度領域70の温度分布が各磁性層
に生じる。ここで、再生層63は、温度上昇により保磁
力が低下するため、中間温度領域70では記録層66と
の交換結合が支配的となり、再生層63の磁化の向きは
記録層66の磁化の向きに揃えられる。一方、高温領域
69では再生補助層64の温度はキュリー温度以上とな
り、磁化が消失するため、その部分の再生層63と記録
層66間の磁気交換結合が遮断される。従って、再生層
63の磁化は再生磁界61の支配下となり、磁化の向き
は一方向(図中上向き)に揃えられる。
【0013】再生光スポット67内の再生層63の磁化
の向きを見ると、初期化磁界の影響で常に下向きに揃え
られてしまう部分と、バイアス磁界により常に上向きに
揃えられてしまう高温領域、そして記録層66の記録磁
区68と同じ向きに揃う中間温度領域の3カ所に分かれ
る。中間温度領域以外は磁化の向きが常に同じ向きをし
ているため、ここからは情報は得られない。再生光スポ
ット67と中間温度領域70が重なった部分からのみ、
記録層66の情報を読み出すことができ、光スポットの
その他部分は実質的にマスクされていることになる。こ
のように、再生光スポット67より小さな記録磁区68
であっても再生できるので、高密度再生技術として注目
されている。
の向きを見ると、初期化磁界の影響で常に下向きに揃え
られてしまう部分と、バイアス磁界により常に上向きに
揃えられてしまう高温領域、そして記録層66の記録磁
区68と同じ向きに揃う中間温度領域の3カ所に分かれ
る。中間温度領域以外は磁化の向きが常に同じ向きをし
ているため、ここからは情報は得られない。再生光スポ
ット67と中間温度領域70が重なった部分からのみ、
記録層66の情報を読み出すことができ、光スポットの
その他部分は実質的にマスクされていることになる。こ
のように、再生光スポット67より小さな記録磁区68
であっても再生できるので、高密度再生技術として注目
されている。
【0014】(従来例3)上記従来例1及び2は記録再
生可能な記録媒体に関するものであった。一方、超解像
法により記録密度を高めることのできる再生専用の光磁
気記録媒体の技術に関して、例えば特開平5−2665
23に記載された技術が知られている。この従来技術
は、透明基板上に第1の誘電体層と、磁性材料の記録層
と、第2の誘電体層と、反射層とを順に積層し、透明基
板の表面に微小凹凸の集合であるマークを形成する。情
報をこれらのマークにより表し、その上の第1誘電体の
表面形状に継承させる。第1誘電体層の表面形状を、そ
の上の記録層の保持力の変化に反映させ、記録層のうち
マーク上に位置する部分の保磁力Hmを比較的大きく、
他の部分の保磁力Hnを比較的小さくする。すなわち、
マーク部と他の部分との保磁力が異なる記録媒体を用い
た超解像法による再生法である。
生可能な記録媒体に関するものであった。一方、超解像
法により記録密度を高めることのできる再生専用の光磁
気記録媒体の技術に関して、例えば特開平5−2665
23に記載された技術が知られている。この従来技術
は、透明基板上に第1の誘電体層と、磁性材料の記録層
と、第2の誘電体層と、反射層とを順に積層し、透明基
板の表面に微小凹凸の集合であるマークを形成する。情
報をこれらのマークにより表し、その上の第1誘電体の
表面形状に継承させる。第1誘電体層の表面形状を、そ
の上の記録層の保持力の変化に反映させ、記録層のうち
マーク上に位置する部分の保磁力Hmを比較的大きく、
他の部分の保磁力Hnを比較的小さくする。すなわち、
マーク部と他の部分との保磁力が異なる記録媒体を用い
た超解像法による再生法である。
【0015】第1の再生方法として、マーク部の保磁力
Hm及び非マーク部の保磁力Hnよりも大きな一定方向の
初期化磁界H1を記録媒体に印加し、マーク部及び非マ
ーク部の双方を一定方向に磁化する過程と、初期化磁界
H1の印加後HmとHnの中間的な強度を有する初期化磁
界とは逆方向の反転磁界H2を印加し、非マーク部の磁
化を反転する。すなわち、マーク部の磁化は非マーク部
の磁化に対して反転した状態が形成される。この状態の
記録媒体に、比較的強い光ビーム、すなわちビームスポ
ットの後方の位置ではマーク部及び非マーク部のいずれ
の部分も磁化が消失する程度の光ビームを照射し再生す
ると、光ビームスポットの前方から信号が検出され、光
スポットより小さなマーク部の信号をとらえることがで
きる。この方式の再生では、光スポットよりも先行する
位置に初期化用磁界発生器(磁界強度H1)と反転磁界
発生器(磁界強度H2)を配する必要がある。
Hm及び非マーク部の保磁力Hnよりも大きな一定方向の
初期化磁界H1を記録媒体に印加し、マーク部及び非マ
ーク部の双方を一定方向に磁化する過程と、初期化磁界
H1の印加後HmとHnの中間的な強度を有する初期化磁
界とは逆方向の反転磁界H2を印加し、非マーク部の磁
化を反転する。すなわち、マーク部の磁化は非マーク部
の磁化に対して反転した状態が形成される。この状態の
記録媒体に、比較的強い光ビーム、すなわちビームスポ
ットの後方の位置ではマーク部及び非マーク部のいずれ
の部分も磁化が消失する程度の光ビームを照射し再生す
ると、光ビームスポットの前方から信号が検出され、光
スポットより小さなマーク部の信号をとらえることがで
きる。この方式の再生では、光スポットよりも先行する
位置に初期化用磁界発生器(磁界強度H1)と反転磁界
発生器(磁界強度H2)を配する必要がある。
【0016】また、第2の再生方法としては、光スポッ
トよりも先行する位置に初期化用磁界発生器(磁界強度
H1)を配し、マーク部及び非マーク部の双方を一定方
向に磁化しておき、続いて再生ビームを照射する過程で
弱いバイアス磁界H3を印加する。すなわち、再生ビー
ムの近傍に第2の磁界発生器(磁界強度H3)を配す
る。このとき、弱いバイアス磁界H3により保磁力の小
さい非マーク部だけが磁化反転するように、記録層をそ
のキュリー温度よりも低い所定の温度に加熱させるよう
に、レーザビームのパワーを調節する。この時のレーザ
ビームのパワーは第1の再生法におけるレーザビームの
パワーはよりも小さい。このレーザビームの照射を続け
ると記録層の温度が上昇し、バイアス磁界H3の作用に
より保磁力の小さい非マーク部の磁化が反転し、保磁力
の大きいマーク部の磁化は反転しない。こうして再生ビ
ームスポット内で、ある所定の温度になった部分のマー
ク部が磁化反転し、信号として取り出せるため、高密度
な再生が可能となる。
トよりも先行する位置に初期化用磁界発生器(磁界強度
H1)を配し、マーク部及び非マーク部の双方を一定方
向に磁化しておき、続いて再生ビームを照射する過程で
弱いバイアス磁界H3を印加する。すなわち、再生ビー
ムの近傍に第2の磁界発生器(磁界強度H3)を配す
る。このとき、弱いバイアス磁界H3により保磁力の小
さい非マーク部だけが磁化反転するように、記録層をそ
のキュリー温度よりも低い所定の温度に加熱させるよう
に、レーザビームのパワーを調節する。この時のレーザ
ビームのパワーは第1の再生法におけるレーザビームの
パワーはよりも小さい。このレーザビームの照射を続け
ると記録層の温度が上昇し、バイアス磁界H3の作用に
より保磁力の小さい非マーク部の磁化が反転し、保磁力
の大きいマーク部の磁化は反転しない。こうして再生ビ
ームスポット内で、ある所定の温度になった部分のマー
ク部が磁化反転し、信号として取り出せるため、高密度
な再生が可能となる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例1、2及び
3のいずれの場合においても、初期化磁界発生器として
記録媒体上で2〜5キロエルステッド程度の強磁界を必
要としている。従来例1では、この初期化用の磁界発生
器と、数百エルステッドの磁界強度の記録用磁界発生器
を必要とする。従来例2では、2〜5キロエルステッド
の初期化用の磁界発生器と、数百エルステッドの磁界強
度の再生用磁界発生器を必要とする。また、従来例3の
第1の再生方法では、記録媒体上で2〜5キロエルステ
ッドの磁界強度を有する初期化用磁界発生器と、マーク
部の保磁力Hmと非マーク部の保磁力Hnの中間的な強度
を有する初期化磁界とは逆方向の反転磁界H2を印加す
るための、磁界強度数百エルステッドの非マーク部磁化
反転用磁界発生器を必要とする。また、従来例3の第2
の再生方法では、2〜5キロエルステッドの磁界強度を
有する初期化用磁界発生器と、再生時にバイアス磁界と
して非マーク部の磁化を反転させるための数百エルステ
ッドの第2の磁界発生器を必要とする。
3のいずれの場合においても、初期化磁界発生器として
記録媒体上で2〜5キロエルステッド程度の強磁界を必
要としている。従来例1では、この初期化用の磁界発生
器と、数百エルステッドの磁界強度の記録用磁界発生器
を必要とする。従来例2では、2〜5キロエルステッド
の初期化用の磁界発生器と、数百エルステッドの磁界強
度の再生用磁界発生器を必要とする。また、従来例3の
第1の再生方法では、記録媒体上で2〜5キロエルステ
ッドの磁界強度を有する初期化用磁界発生器と、マーク
部の保磁力Hmと非マーク部の保磁力Hnの中間的な強度
を有する初期化磁界とは逆方向の反転磁界H2を印加す
るための、磁界強度数百エルステッドの非マーク部磁化
反転用磁界発生器を必要とする。また、従来例3の第2
の再生方法では、2〜5キロエルステッドの磁界強度を
有する初期化用磁界発生器と、再生時にバイアス磁界と
して非マーク部の磁化を反転させるための数百エルステ
ッドの第2の磁界発生器を必要とする。
【0018】しかしながら、上記のいずれの場合におい
ても2〜5キロエルステッドの初期化用磁界発生器と数
百エルステッドの第2の磁界発生器を必要とし、初期化
磁界発生器とディスクとが接触しないように必要十分な
磁界をディスクに与えた状態で、第2の磁界発生器を装
置に実際に配置することは非常に困難であった。実際の
ところ、3.5インチISO規格のカートリッジを使用
した装置では、カートリッジの開口部が小さいため、2
つの磁界発生器を実装するためのスペースが無かった。
また、カートリッジの開口部内に無理に実装しようとす
ると、初期化用磁界発生器の磁界強度が大きいため、対
物レンズアクチュエータに磁界が漏れ込み、対物レンズ
が正しい動作をしないという問題点を有していた。ま
た、第2の磁界発生器の磁界強度も初期化用磁界発生器
の磁界の影響を受け、所望の磁界強度に設定することが
困難であるという問題点を有していた。
ても2〜5キロエルステッドの初期化用磁界発生器と数
百エルステッドの第2の磁界発生器を必要とし、初期化
磁界発生器とディスクとが接触しないように必要十分な
磁界をディスクに与えた状態で、第2の磁界発生器を装
置に実際に配置することは非常に困難であった。実際の
ところ、3.5インチISO規格のカートリッジを使用
した装置では、カートリッジの開口部が小さいため、2
つの磁界発生器を実装するためのスペースが無かった。
また、カートリッジの開口部内に無理に実装しようとす
ると、初期化用磁界発生器の磁界強度が大きいため、対
物レンズアクチュエータに磁界が漏れ込み、対物レンズ
が正しい動作をしないという問題点を有していた。ま
た、第2の磁界発生器の磁界強度も初期化用磁界発生器
の磁界の影響を受け、所望の磁界強度に設定することが
困難であるという問題点を有していた。
【0019】本発明は上記従来例の問題点を解決するた
めになされたものであり、初期化磁界発生器又は初期化
磁界発生器とバイアス磁界発生器とを省スペースでしか
も対物レンズアクチュエータに悪影響を与えずに設置す
ることができる光磁気ディスク装置を提供することを目
的としている。
めになされたものであり、初期化磁界発生器又は初期化
磁界発生器とバイアス磁界発生器とを省スペースでしか
も対物レンズアクチュエータに悪影響を与えずに設置す
ることができる光磁気ディスク装置を提供することを目
的としている。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光磁気ディスク装置は、室温で2種類以上
の保磁力を有する光磁気記録媒体を用いた光磁気ディス
クと、前記光磁気ディスクの半径方向に駆動され、前記
光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光ビームス
ポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段として少
なくとも永久磁石を含み、前記トラック上で、かつ前記
光ビームスポット位置に対し先行又は後行する位置に磁
界を与え、前記光磁気ディスクに対して摺動又は浮上走
行する磁界発生器とを具備する。
め、本発明の光磁気ディスク装置は、室温で2種類以上
の保磁力を有する光磁気記録媒体を用いた光磁気ディス
クと、前記光磁気ディスクの半径方向に駆動され、前記
光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光ビームス
ポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段として少
なくとも永久磁石を含み、前記トラック上で、かつ前記
光ビームスポット位置に対し先行又は後行する位置に磁
界を与え、前記光磁気ディスクに対して摺動又は浮上走
行する磁界発生器とを具備する。
【0021】上記構成において、前記磁界発生器による
磁界強度が、前記光磁気記録媒体の2種類以上の保磁力
のうち、いずれか1つの保持力より大きく、他の保持力
のうちいずれか1つより小さいことが好ましい。また
は、前記磁界発生器は、前記光磁気ディスクと対向する
面に複数の磁界発生部を有し、前記磁界発生部の1つの
磁界強度が前記光磁気記録媒体の2種類以上の保持力の
いずれよりも強く、前記磁界発生部の他の1つの磁界強
度が前記光磁気記録媒体の2種類以上の保持力の内、い
ずれか1つより小さいことが好ましい。
磁界強度が、前記光磁気記録媒体の2種類以上の保磁力
のうち、いずれか1つの保持力より大きく、他の保持力
のうちいずれか1つより小さいことが好ましい。また
は、前記磁界発生器は、前記光磁気ディスクと対向する
面に複数の磁界発生部を有し、前記磁界発生部の1つの
磁界強度が前記光磁気記録媒体の2種類以上の保持力の
いずれよりも強く、前記磁界発生部の他の1つの磁界強
度が前記光磁気記録媒体の2種類以上の保持力の内、い
ずれか1つより小さいことが好ましい。
【0022】また、本発明の別の光磁気ディスク装置
は、相互に磁気交換相互作用を有する少なくとも2層以
上の磁性層で形成される光磁気記録媒体を用いた光磁気
ディスクと、前記光磁気ディスクの半径方向に駆動さ
れ、前記光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光
ビームスポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段
として少なくとも永久磁石を含み、前記トラック上で、
かつ前記光ビームスポット位置に対し先行又は後行する
位置に磁界を与え、前記光磁気ディスクに対して摺動又
は浮上走行する磁界発生器とを具備する。
は、相互に磁気交換相互作用を有する少なくとも2層以
上の磁性層で形成される光磁気記録媒体を用いた光磁気
ディスクと、前記光磁気ディスクの半径方向に駆動さ
れ、前記光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光
ビームスポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段
として少なくとも永久磁石を含み、前記トラック上で、
かつ前記光ビームスポット位置に対し先行又は後行する
位置に磁界を与え、前記光磁気ディスクに対して摺動又
は浮上走行する磁界発生器とを具備する。
【0023】上記構成において、前記磁界発生器は前記
光磁気ディスクと対向する面に複数の磁界発生部を有
し、前記磁界発生部のいずれか1つが前記光磁気ディス
ク上の前記光ビームスポット位置に対し先行又は後行す
る位置に磁界を与え得るように配置されていることが好
ましい。
光磁気ディスクと対向する面に複数の磁界発生部を有
し、前記磁界発生部のいずれか1つが前記光磁気ディス
ク上の前記光ビームスポット位置に対し先行又は後行す
る位置に磁界を与え得るように配置されていることが好
ましい。
【0024】また、上記構成において、前記磁界発生器
は、永久磁石を配した第1の磁界発生部とコイルを巻装
した第2の磁界発生部を有し、前記第1の磁界発生部が
前記光磁気ディスク上の前記光ビームスポット位置に対
し先行又は後行する位置に磁界を与え得るように配置さ
れ、前記第2の磁界発生部が前記光ビームスポット位置
に磁界を与え得る位置に配置されていることが好まし
い。
は、永久磁石を配した第1の磁界発生部とコイルを巻装
した第2の磁界発生部を有し、前記第1の磁界発生部が
前記光磁気ディスク上の前記光ビームスポット位置に対
し先行又は後行する位置に磁界を与え得るように配置さ
れ、前記第2の磁界発生部が前記光ビームスポット位置
に磁界を与え得る位置に配置されていることが好まし
い。
【0025】
(実施形態1)本発明の光磁気ディスク装置の実施形態
1について、図1から図5を参照しつつ説明する。図1
において、(a)は実施形態1の光磁気ディスク装置の
構成を示す平面図であり、(b)はその側面図である。
実施形態1の光磁気ディスク装置は、光磁気ディスク1
と、光磁気ディスク1を回転させるスピンドルモータ2
と、光学ヘッド3と、第1の磁界発生器4と、連結アー
ム5と、サスペンション6と、光ビーム7と、第2の磁
界発器8とを具備する。光磁気ディスク1は、例えば図
中矢印9で示す方向に回転するものとする。なお、10
は光磁気ディスク1上のある1つのトラックを表す。ま
た、光磁気ディスク1は、室温で2種類以上の異なる保
磁力を有する光磁気記録媒体を含むものであり、一例と
して室温でHc1及びHc2の2種の異なる保持力を有する
ものとする。
1について、図1から図5を参照しつつ説明する。図1
において、(a)は実施形態1の光磁気ディスク装置の
構成を示す平面図であり、(b)はその側面図である。
実施形態1の光磁気ディスク装置は、光磁気ディスク1
と、光磁気ディスク1を回転させるスピンドルモータ2
と、光学ヘッド3と、第1の磁界発生器4と、連結アー
ム5と、サスペンション6と、光ビーム7と、第2の磁
界発器8とを具備する。光磁気ディスク1は、例えば図
中矢印9で示す方向に回転するものとする。なお、10
は光磁気ディスク1上のある1つのトラックを表す。ま
た、光磁気ディスク1は、室温で2種類以上の異なる保
磁力を有する光磁気記録媒体を含むものであり、一例と
して室温でHc1及びHc2の2種の異なる保持力を有する
ものとする。
【0026】光磁気ディスク1の種類としては、以下に
述べる3つのタイプがある。タイプAは、従来例1で述
べたものと同様に、ダイレクトオーバライト対応のディ
スクで、垂直磁気異方性を有する記録再生層と、保磁力
の異なる垂直磁気異方性を有する記録補助層の多層構造
の光磁気記録媒体が、ポリカーボネート等の樹脂基板上
に形成された光磁気ディスクである。タイプBは、従来
例2で述べたものと同様に、光ビームスポット径より小
さい領域から信号を読み出し、記録密度(具体的には再
生密度)を上げる目的で開発されているMSR対応の光
磁気ディスクで、特に初期化磁界を必要とするRAD方
式もしくはD−RAD方式の光磁気ディスクである。タ
イプCは、従来例3で述べたものと同様に、超解像法に
より記録密度を高めることのできる再生専用の光磁気デ
ィスクである。タイプA及びタイプBのディスクは、光
磁気記録媒体が保磁力の異なる複数の磁性層で形成され
ているのに対し、タイプCでは一つの磁性層自体の保磁
力がマーク上に位置する部分と非マーク部とで異なって
いる。本発明では、以上のように3タイプのディスクが
使用の対象となるが、いずれの場合も初期化磁界を必要
とする。
述べる3つのタイプがある。タイプAは、従来例1で述
べたものと同様に、ダイレクトオーバライト対応のディ
スクで、垂直磁気異方性を有する記録再生層と、保磁力
の異なる垂直磁気異方性を有する記録補助層の多層構造
の光磁気記録媒体が、ポリカーボネート等の樹脂基板上
に形成された光磁気ディスクである。タイプBは、従来
例2で述べたものと同様に、光ビームスポット径より小
さい領域から信号を読み出し、記録密度(具体的には再
生密度)を上げる目的で開発されているMSR対応の光
磁気ディスクで、特に初期化磁界を必要とするRAD方
式もしくはD−RAD方式の光磁気ディスクである。タ
イプCは、従来例3で述べたものと同様に、超解像法に
より記録密度を高めることのできる再生専用の光磁気デ
ィスクである。タイプA及びタイプBのディスクは、光
磁気記録媒体が保磁力の異なる複数の磁性層で形成され
ているのに対し、タイプCでは一つの磁性層自体の保磁
力がマーク上に位置する部分と非マーク部とで異なって
いる。本発明では、以上のように3タイプのディスクが
使用の対象となるが、いずれの場合も初期化磁界を必要
とする。
【0027】スピンドルモータ2は光磁気ディスク1を
矢印9で示す方向に回転駆動する。光学ヘッド3は、光
磁気ディスク1に対し情報を記録又は再生する(タイプ
Cのディスクに対しては再生のみ対応)ためのものであ
り、図示していない光学ヘッド移送系により、光磁気デ
ィスク1上の任意な場所にアクセス可能である。光ビー
ム7は光磁気ディスク1の光磁気記録媒体(タイプCの
場合は再生専用であるので光磁気再生媒体と称すべきで
あるが、情報があらかじめ記録されているので、以後同
様に光磁気記録媒体と称する)上に照射され、記録又は
再生が行われる。
矢印9で示す方向に回転駆動する。光学ヘッド3は、光
磁気ディスク1に対し情報を記録又は再生する(タイプ
Cのディスクに対しては再生のみ対応)ためのものであ
り、図示していない光学ヘッド移送系により、光磁気デ
ィスク1上の任意な場所にアクセス可能である。光ビー
ム7は光磁気ディスク1の光磁気記録媒体(タイプCの
場合は再生専用であるので光磁気再生媒体と称すべきで
あるが、情報があらかじめ記録されているので、以後同
様に光磁気記録媒体と称する)上に照射され、記録又は
再生が行われる。
【0028】光学ヘッド3は連結アーム5に接続されて
いる。また、第1の磁界発生器4は、弾力性を有するサ
スペンション6を介して連結アーム5に接続されてい
る。サスペンション6と連結アームは、光磁気ディスク
1の脱着時に第1の磁界発生器4を持ち上げるためヒン
ジ(図示せず)により接続されている。従って、光学ヘ
ッド3のアクセスに連動し、第1の磁界発生器4も作動
する。第1の磁界発生器4には永久磁石が装着されてお
り、第1の磁界発生器4は光磁気ディスク1上を摺動又
は浮上走行する構造となっている。第1の磁界発生器4
の構造は後に詳述する。
いる。また、第1の磁界発生器4は、弾力性を有するサ
スペンション6を介して連結アーム5に接続されてい
る。サスペンション6と連結アームは、光磁気ディスク
1の脱着時に第1の磁界発生器4を持ち上げるためヒン
ジ(図示せず)により接続されている。従って、光学ヘ
ッド3のアクセスに連動し、第1の磁界発生器4も作動
する。第1の磁界発生器4には永久磁石が装着されてお
り、第1の磁界発生器4は光磁気ディスク1上を摺動又
は浮上走行する構造となっている。第1の磁界発生器4
の構造は後に詳述する。
【0029】第1の磁界発生器4と光学ヘッド3は、光
磁気ディスク1を挟んで対向する位置関係に、かつ光ビ
ームスポット位置に対して先行又は後行する位置に配置
されている。図1の(a)に示すように、実施形態1で
は光ビームスポット位置の直前に配置されているので先
行する位置と称す。一方、光ビームスポット位置の直後
に配置されている場合を後行する位置と称すこととす
る。
磁気ディスク1を挟んで対向する位置関係に、かつ光ビ
ームスポット位置に対して先行又は後行する位置に配置
されている。図1の(a)に示すように、実施形態1で
は光ビームスポット位置の直前に配置されているので先
行する位置と称す。一方、光ビームスポット位置の直後
に配置されている場合を後行する位置と称すこととす
る。
【0030】光ビームは、光磁気ディスク1上のトラッ
ク10を通過するので、第1の磁界発生器4もトラック
10に磁界を与えることができるように配置する必要が
ある。しかしながら、図1の(a)及び(b)から明ら
かなように、光学ヘッド3は光磁気ディスク1の回転軸
を通る線上、すなわち半径方向に移動するのに対し、第
1の磁界発生器4は光学ヘッド3と平行に移動する。従
って、光磁気ディスク1上の第1の磁界発生器4のアク
セス位置、すなわちトラック10の半径によっては、光
学ヘッド3による光ビーム位置と第1の磁界発生器4の
位置に若干ずれを生ずる。そのため、第1の磁界発生器
4による磁界発生領域は、ある程度の範囲を包含するよ
うに設計しておく。
ク10を通過するので、第1の磁界発生器4もトラック
10に磁界を与えることができるように配置する必要が
ある。しかしながら、図1の(a)及び(b)から明ら
かなように、光学ヘッド3は光磁気ディスク1の回転軸
を通る線上、すなわち半径方向に移動するのに対し、第
1の磁界発生器4は光学ヘッド3と平行に移動する。従
って、光磁気ディスク1上の第1の磁界発生器4のアク
セス位置、すなわちトラック10の半径によっては、光
学ヘッド3による光ビーム位置と第1の磁界発生器4の
位置に若干ずれを生ずる。そのため、第1の磁界発生器
4による磁界発生領域は、ある程度の範囲を包含するよ
うに設計しておく。
【0031】第2の磁界発生器8は、光磁気ディスク1
の全トラックをカバーするように配置されている。光磁
気ディスク1がタイプAのディスクの場合、第2の磁界
発生器8はバイアス磁界発生器となり、300エルステ
ッド程度以下の直流磁界が発生できればよい。従って、
タイプAのディスクに対しては、第2の磁界発生器8は
棒状永久磁石でよい。また、必要磁界が小さいので、電
磁石であっても容易に構成可能である。光磁気ディスク
1との距離は約1ミリ程度である。一方、光磁気ディス
ク1がタイプBのディスクの場合、第2の磁界発生器8
は消去時及び記録時のバイアス磁界だけでなく再生時に
必要な再生磁界の役割を有している。従って、記録と消
去で極性を変える必要があるため、回動する永久磁石棒
や電磁石等を使用する。また、光磁気ディスク1がタイ
プCの再生専用ディスクの場合、第2の磁界発生器8は
保磁力の小さい非マーク部の磁化を反転するために使わ
れる。従って、第2の磁界発生器8は永久磁石棒であっ
てもよいし、また電磁石であってもよい。
の全トラックをカバーするように配置されている。光磁
気ディスク1がタイプAのディスクの場合、第2の磁界
発生器8はバイアス磁界発生器となり、300エルステ
ッド程度以下の直流磁界が発生できればよい。従って、
タイプAのディスクに対しては、第2の磁界発生器8は
棒状永久磁石でよい。また、必要磁界が小さいので、電
磁石であっても容易に構成可能である。光磁気ディスク
1との距離は約1ミリ程度である。一方、光磁気ディス
ク1がタイプBのディスクの場合、第2の磁界発生器8
は消去時及び記録時のバイアス磁界だけでなく再生時に
必要な再生磁界の役割を有している。従って、記録と消
去で極性を変える必要があるため、回動する永久磁石棒
や電磁石等を使用する。また、光磁気ディスク1がタイ
プCの再生専用ディスクの場合、第2の磁界発生器8は
保磁力の小さい非マーク部の磁化を反転するために使わ
れる。従って、第2の磁界発生器8は永久磁石棒であっ
てもよいし、また電磁石であってもよい。
【0032】次に、上記第1の磁界発生器4について、
図2〜図5を用いてその構成を詳細に説明する。図2は
第1の磁界発生器4が摺動タイプの場合を示し、(a)
はその側面図、(b)はその平面図である。図3も第1
の磁界発生器4が摺動タイプの場合を示し、(a)はそ
の側面図、(b)はその平面図である。図2に示す一例
と図3に示す一例とは内部の磁石構造が異なる。各図に
示すように、第1の磁界発生器4は、面取りを施し摺動
面21を形成した成形部材20に永久磁石22を装着し
たものである。摺動走行方向を矢印23で示す。摺動面
21における磁界強度が2キロエルステッド以上必要な
場合には、永久磁石として希土類磁石を用いる。磁石2
2の装着は摺動面21から磁石端面が飛び出さないよ
う、少し摺動面21から後退させた位置に配置する。本
例では、サスペンション6を省略しているが、サスペン
ション6として通常のフロッピーディスクドライブ用の
サスペンションと同様なものが使用可能である。なお、
図2に示す一例では磁石22として棒状磁石を用いた
が、図3に示す一例ではU型磁石を用いている。U型磁
石の場合、棒状磁石よりも磁界強度を大きくできるとい
う長所がある。磁石形状は必要に応じて、これ以外にも
適当な形状を設計することは可能である。
図2〜図5を用いてその構成を詳細に説明する。図2は
第1の磁界発生器4が摺動タイプの場合を示し、(a)
はその側面図、(b)はその平面図である。図3も第1
の磁界発生器4が摺動タイプの場合を示し、(a)はそ
の側面図、(b)はその平面図である。図2に示す一例
と図3に示す一例とは内部の磁石構造が異なる。各図に
示すように、第1の磁界発生器4は、面取りを施し摺動
面21を形成した成形部材20に永久磁石22を装着し
たものである。摺動走行方向を矢印23で示す。摺動面
21における磁界強度が2キロエルステッド以上必要な
場合には、永久磁石として希土類磁石を用いる。磁石2
2の装着は摺動面21から磁石端面が飛び出さないよ
う、少し摺動面21から後退させた位置に配置する。本
例では、サスペンション6を省略しているが、サスペン
ション6として通常のフロッピーディスクドライブ用の
サスペンションと同様なものが使用可能である。なお、
図2に示す一例では磁石22として棒状磁石を用いた
が、図3に示す一例ではU型磁石を用いている。U型磁
石の場合、棒状磁石よりも磁界強度を大きくできるとい
う長所がある。磁石形状は必要に応じて、これ以外にも
適当な形状を設計することは可能である。
【0033】一方、図4は第1の磁界発生器4が浮上走
行タイプの場合を示し、(a)はその側面図、(b)は
その平面図である。図5も第1の磁界発生器4が浮上走
行タイプの場合を示し、(a)はその側面図、(b)は
その平面図である。図4に示す一例と図5に示す一例と
は内部の磁石構造が異なる。各図に示すように、浮上走
行タイプはその摺動面21に特徴がある。すなわち、摺
動面21の前部にテーパー24が形成され、浮上のため
の空気を取り入れる構造となっている。また、浮上安定
性を高めるため、摺動面21に溝25が形成されてい
る。なお、その他の構成は図2又は図3に示す摺動タイ
プの場合と同様である。浮上走行タイプは光磁気ディス
ク1が高速回転する場合適しており、第1の磁界発生器
4が浮上するため、光磁気ディスク1の表面を傷つけに
くいという効果がある。
行タイプの場合を示し、(a)はその側面図、(b)は
その平面図である。図5も第1の磁界発生器4が浮上走
行タイプの場合を示し、(a)はその側面図、(b)は
その平面図である。図4に示す一例と図5に示す一例と
は内部の磁石構造が異なる。各図に示すように、浮上走
行タイプはその摺動面21に特徴がある。すなわち、摺
動面21の前部にテーパー24が形成され、浮上のため
の空気を取り入れる構造となっている。また、浮上安定
性を高めるため、摺動面21に溝25が形成されてい
る。なお、その他の構成は図2又は図3に示す摺動タイ
プの場合と同様である。浮上走行タイプは光磁気ディス
ク1が高速回転する場合適しており、第1の磁界発生器
4が浮上するため、光磁気ディスク1の表面を傷つけに
くいという効果がある。
【0034】上記実施形態1の光磁気ディスク装置の第
1の磁界発生器4は摺動タイプ又は浮上走行タイプであ
るため、光磁気ディスク1との距離が短い。従って、必
要な磁界強度を得るための永久磁石又は電磁石が小型で
よく、容易に第1の磁界発生器4の内部に永久磁石又は
電磁石を装着することができる。また、光磁気ディスク
1との対向面積を数mm角に構成することができ、IS
O規格の3.5インチ光磁気ディスク装置のような小型
の光磁気ディスク装置に対しても、余裕を持って初期化
磁界発生器を配することができる。その結果、従来の初
期化磁界発生器に比べ本発明の磁界発生器は設計の自由
度が大きく、機器の小型化を可能とする。
1の磁界発生器4は摺動タイプ又は浮上走行タイプであ
るため、光磁気ディスク1との距離が短い。従って、必
要な磁界強度を得るための永久磁石又は電磁石が小型で
よく、容易に第1の磁界発生器4の内部に永久磁石又は
電磁石を装着することができる。また、光磁気ディスク
1との対向面積を数mm角に構成することができ、IS
O規格の3.5インチ光磁気ディスク装置のような小型
の光磁気ディスク装置に対しても、余裕を持って初期化
磁界発生器を配することができる。その結果、従来の初
期化磁界発生器に比べ本発明の磁界発生器は設計の自由
度が大きく、機器の小型化を可能とする。
【0035】(実施形態2)次に、本発明の光磁気ディ
スク装置の実施形態2について、図6から図12を参照
しつつ説明する。図6において、(a)は実施形態2の
光磁気ディスク装置の構成を示す平面図であり、(b)
はその側面図である。実施形態2の光磁気ディスク装置
は、光磁気ディスク1と、光磁気ディスク1を回転させ
るスピンドルモータ2と、光学ヘッド3と、磁界発生器
11と、連結アーム5と、サスペンション6と、光ビー
ム7とを具備する。光磁気ディスク1は、例えば図中矢
印9で示す方向び回転するものとする。なお、10は光
磁気ディスク1上のある1つのトラックを表す。
スク装置の実施形態2について、図6から図12を参照
しつつ説明する。図6において、(a)は実施形態2の
光磁気ディスク装置の構成を示す平面図であり、(b)
はその側面図である。実施形態2の光磁気ディスク装置
は、光磁気ディスク1と、光磁気ディスク1を回転させ
るスピンドルモータ2と、光学ヘッド3と、磁界発生器
11と、連結アーム5と、サスペンション6と、光ビー
ム7とを具備する。光磁気ディスク1は、例えば図中矢
印9で示す方向び回転するものとする。なお、10は光
磁気ディスク1上のある1つのトラックを表す。
【0036】前記実施形態1の光磁気ディスク装置は、
強磁界発生用の第1磁界発生器4及び弱磁界発生用の第
2の磁界発生器8の二つを必要とするものであった。一
方、実施形態2の光磁気ディスク装置は、強磁界磁界発
生用と弱磁界磁界発生用の2つの磁界発生源を一つの磁
界発生器11にまとめたものである。従って、実施形態
2の光磁気ディスク装置における磁界発生器11のディ
スク脱着時等の機械的な動きは、実施形態1における第
1の磁界発生器4と同様である。なお、その他の構成は
実施形態1の光磁気ディスク装置と実質的に同様である
ため、その説明を省略する。また、実施形態2の光磁気
ディスク装置も実施形態1の光磁気ディスク装置と同様
に、タイプA、タイプB、タイプCの各ディスクに対応
する。
強磁界発生用の第1磁界発生器4及び弱磁界発生用の第
2の磁界発生器8の二つを必要とするものであった。一
方、実施形態2の光磁気ディスク装置は、強磁界磁界発
生用と弱磁界磁界発生用の2つの磁界発生源を一つの磁
界発生器11にまとめたものである。従って、実施形態
2の光磁気ディスク装置における磁界発生器11のディ
スク脱着時等の機械的な動きは、実施形態1における第
1の磁界発生器4と同様である。なお、その他の構成は
実施形態1の光磁気ディスク装置と実質的に同様である
ため、その説明を省略する。また、実施形態2の光磁気
ディスク装置も実施形態1の光磁気ディスク装置と同様
に、タイプA、タイプB、タイプCの各ディスクに対応
する。
【0037】次に、実施形態2の光磁気ディスク装置に
おける磁界発生器11について、図7から図12を用い
てその構成を詳細に説明する。図7は磁界発生器11が
永久磁石のみを装着した摺動タイプの場合を示し、
(a)はその側面図、(b)はその平面図である。図8
も磁界発生器11が永久磁石のみを装着した摺動タイプ
の場合を示し、(a)はその側面図、(b)はその平面
図である。図7に示す一例と図8に示す一例とは、共に
磁界発生器11の内部に装着されている磁界発生源が永
久磁石であるため、固定磁界が使用されるタイプA及び
タイプCの光磁気ディスクに使用されるものであり、両
者は内部の磁石構造が異なる。いずれの場合も摺動面2
1に磁極が複数現れるように構成されており、図7では
磁界発生器11の中に棒状の永久磁石22を複数個装着
し、図8では磁界発生器11の中に略コの字状の永久磁
石22を1個装着している。複数の磁極の内、一つの磁
極22aを光磁気ディスク1上の光ビーム照射位置に磁
界を印加できるような配置とする。磁極22aによる磁
界をHbとし、他方の磁極22bによる初期化用の磁界
をHiとすると、Hb<Hiとなるように設定する。図7
に示す構成では、磁化の強さの異なる2個の永久磁石2
2を用意し、磁極22a側に磁化の弱い方の永久磁石を
配置する。図8に示す構成では、磁極22a側の磁界H
bを弱めるため、磁極22a側の磁石の脚部を磁極22
b側の磁石の脚部よりも摺動面21から後退させてい
る。
おける磁界発生器11について、図7から図12を用い
てその構成を詳細に説明する。図7は磁界発生器11が
永久磁石のみを装着した摺動タイプの場合を示し、
(a)はその側面図、(b)はその平面図である。図8
も磁界発生器11が永久磁石のみを装着した摺動タイプ
の場合を示し、(a)はその側面図、(b)はその平面
図である。図7に示す一例と図8に示す一例とは、共に
磁界発生器11の内部に装着されている磁界発生源が永
久磁石であるため、固定磁界が使用されるタイプA及び
タイプCの光磁気ディスクに使用されるものであり、両
者は内部の磁石構造が異なる。いずれの場合も摺動面2
1に磁極が複数現れるように構成されており、図7では
磁界発生器11の中に棒状の永久磁石22を複数個装着
し、図8では磁界発生器11の中に略コの字状の永久磁
石22を1個装着している。複数の磁極の内、一つの磁
極22aを光磁気ディスク1上の光ビーム照射位置に磁
界を印加できるような配置とする。磁極22aによる磁
界をHbとし、他方の磁極22bによる初期化用の磁界
をHiとすると、Hb<Hiとなるように設定する。図7
に示す構成では、磁化の強さの異なる2個の永久磁石2
2を用意し、磁極22a側に磁化の弱い方の永久磁石を
配置する。図8に示す構成では、磁極22a側の磁界H
bを弱めるため、磁極22a側の磁石の脚部を磁極22
b側の磁石の脚部よりも摺動面21から後退させてい
る。
【0038】図9は磁界発生器11が永久磁石22と電
磁石26を装着した摺動タイプの場合を示し、(a)は
その側面図、(b)はその平面図である。図9に示す磁
界発生器11は、タイプBの光磁気ディスクに使用され
るものであり、電磁石26の極性を切り替えることによ
り、記録と消去も行えるようにするためのバイアス磁界
を発生させる。また、再生時には電磁石26により再生
磁界を発生する。なお、電磁石26は、記録消去時のバ
イアス磁界及び再生時の再生磁界が光磁気ディスク1上
の光ビーム照射位置に印加できるような配置とする。
磁石26を装着した摺動タイプの場合を示し、(a)は
その側面図、(b)はその平面図である。図9に示す磁
界発生器11は、タイプBの光磁気ディスクに使用され
るものであり、電磁石26の極性を切り替えることによ
り、記録と消去も行えるようにするためのバイアス磁界
を発生させる。また、再生時には電磁石26により再生
磁界を発生する。なお、電磁石26は、記録消去時のバ
イアス磁界及び再生時の再生磁界が光磁気ディスク1上
の光ビーム照射位置に印加できるような配置とする。
【0039】図10は磁界発生器11が永久磁石のみを
装着した浮上走行タイプの場合を示し、(a)はその側
面図、(b)はその平面図である。図11も磁界発生器
11が永久磁石のみを装着した浮上走行タイプの場合を
示し、(a)はその側面図、(b)はその平面図であ
る。図10に示す一例と図11に示す一例とは、図7と
図8に示した例と同様に、共に磁界発生器11の内部に
装着されている磁界発生源が永久磁石であるため、固定
磁界が使用されるタイプA及びタイプCの光磁気ディス
クに使用されるものであり、両者は内部の磁石構造が異
なる。また、図12は磁界発生器11が永久磁石22と
電磁石26を装着した浮上走行タイプの場合を示し、
(a)はその側面図、(b)はその平面図である。各図
に示すように、浮上走行タイプはその摺動面21に特徴
がある。すなわち、摺動面21の前部にテーパー24が
形成され、浮上のための空気を取り入れる構造となって
いる。また、浮上安定性を高めるため、摺動面21に溝
25が形成されている。なお、その他の構成は図7から
図9に示す摺動タイプの場合と同様である。浮上走行タ
イプは光磁気ディスク1が高速回転する場合適してお
り、磁界発生器11が浮上するため、光磁気ディスク1
の表面を傷つけにくいという効果がある。
装着した浮上走行タイプの場合を示し、(a)はその側
面図、(b)はその平面図である。図11も磁界発生器
11が永久磁石のみを装着した浮上走行タイプの場合を
示し、(a)はその側面図、(b)はその平面図であ
る。図10に示す一例と図11に示す一例とは、図7と
図8に示した例と同様に、共に磁界発生器11の内部に
装着されている磁界発生源が永久磁石であるため、固定
磁界が使用されるタイプA及びタイプCの光磁気ディス
クに使用されるものであり、両者は内部の磁石構造が異
なる。また、図12は磁界発生器11が永久磁石22と
電磁石26を装着した浮上走行タイプの場合を示し、
(a)はその側面図、(b)はその平面図である。各図
に示すように、浮上走行タイプはその摺動面21に特徴
がある。すなわち、摺動面21の前部にテーパー24が
形成され、浮上のための空気を取り入れる構造となって
いる。また、浮上安定性を高めるため、摺動面21に溝
25が形成されている。なお、その他の構成は図7から
図9に示す摺動タイプの場合と同様である。浮上走行タ
イプは光磁気ディスク1が高速回転する場合適してお
り、磁界発生器11が浮上するため、光磁気ディスク1
の表面を傷つけにくいという効果がある。
【0040】以上のように、実施形態2の光磁気ディス
ク装置は、各タイプA〜Cの光磁気ディスクに対し、一
つの磁界発生器11で複数の磁界を発生させることがで
き、より小型の光磁気ディスク装置を提供することが可
能となる。特に、図9又は図12に示す一例では、磁界
発生器11の内部に装着された電磁石26が非常に小型
であるため、機器に固定された大きな電磁石を使用して
いる従来装置に比べ消費電力が少なくなるという効果も
有している。
ク装置は、各タイプA〜Cの光磁気ディスクに対し、一
つの磁界発生器11で複数の磁界を発生させることがで
き、より小型の光磁気ディスク装置を提供することが可
能となる。特に、図9又は図12に示す一例では、磁界
発生器11の内部に装着された電磁石26が非常に小型
であるため、機器に固定された大きな電磁石を使用して
いる従来装置に比べ消費電力が少なくなるという効果も
有している。
【0041】なお、実施形態1及び実施形態2の光磁気
ディスク装置において、永久磁石22及び/又は電磁石
26の形態は図示したものに限定されず、これら以外に
も各種設計可能である。また、図中N及びSで示した磁
極の極性も便宜的に示したものであって、使用される光
磁気ディスク1の構成(磁性膜の種類等)に応じて変更
されることは言うまでもない。
ディスク装置において、永久磁石22及び/又は電磁石
26の形態は図示したものに限定されず、これら以外に
も各種設計可能である。また、図中N及びSで示した磁
極の極性も便宜的に示したものであって、使用される光
磁気ディスク1の構成(磁性膜の種類等)に応じて変更
されることは言うまでもない。
【0042】
【発明の効果】本発明の光磁気ディスク装置は、室温で
2種類以上の保磁力を有する光磁気記録媒体を用いた光
磁気ディスクと、光磁気ディスクの半径方向に駆動さ
れ、光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光ビー
ムスポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段とし
て少なくとも永久磁石を含み、トラック上で、かつ光ビ
ームスポット位置に対し先行又は後行する位置に磁界を
与え、光磁気ディスクに対して摺動又は浮上走行する磁
界発生器とを具備する。また、本発明の別の光磁気ディ
スク装置は、相互に磁気交換相互作用を有する少なくと
も2層以上の磁性層で形成される光磁気記録媒体を用い
た光磁気ディスクと、光磁気ディスクの半径方向に駆動
され、光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光ビ
ームスポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段と
して少なくとも永久磁石を含み、トラック上で、かつ光
ビームスポット位置に対し先行又は後行する位置に磁界
を与え、光磁気ディスクに対して摺動又は浮上走行する
磁界発生器とを具備する。すなわち、磁界発生器は光磁
気ディスク上を摺動し又は浮上走行するので、光磁気デ
ィスク表面との距離が短く、磁界発生手段として小型の
永久磁石を用いても必要な磁界強度を得ることができ
る。また、光磁気ディスクとの対向面積を数mm角に構
成することができ、ISO規格の3.5インチ光磁気デ
ィスク装置のような小型の光磁気ディスク装置にも余裕
を持って、初期化磁界発生器を配することが可能とな
る。
2種類以上の保磁力を有する光磁気記録媒体を用いた光
磁気ディスクと、光磁気ディスクの半径方向に駆動さ
れ、光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光ビー
ムスポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段とし
て少なくとも永久磁石を含み、トラック上で、かつ光ビ
ームスポット位置に対し先行又は後行する位置に磁界を
与え、光磁気ディスクに対して摺動又は浮上走行する磁
界発生器とを具備する。また、本発明の別の光磁気ディ
スク装置は、相互に磁気交換相互作用を有する少なくと
も2層以上の磁性層で形成される光磁気記録媒体を用い
た光磁気ディスクと、光磁気ディスクの半径方向に駆動
され、光磁気ディスク上のいずれかのトラック上に光ビ
ームスポットを照射する光学ヘッドと、磁界発生手段と
して少なくとも永久磁石を含み、トラック上で、かつ光
ビームスポット位置に対し先行又は後行する位置に磁界
を与え、光磁気ディスクに対して摺動又は浮上走行する
磁界発生器とを具備する。すなわち、磁界発生器は光磁
気ディスク上を摺動し又は浮上走行するので、光磁気デ
ィスク表面との距離が短く、磁界発生手段として小型の
永久磁石を用いても必要な磁界強度を得ることができ
る。また、光磁気ディスクとの対向面積を数mm角に構
成することができ、ISO規格の3.5インチ光磁気デ
ィスク装置のような小型の光磁気ディスク装置にも余裕
を持って、初期化磁界発生器を配することが可能とな
る。
【0043】また、磁界発生器による磁界強度を、光磁
気記録媒体の2種類以上の保磁力のうち、いずれか1つ
(例えば、Hc1とする)の保持力より大きく、他の保持
力のうちいずれか1つ(例えば、Hc2とする)より小さ
くすることにより、Hc2の保持力の部分の磁化の方向に
変化を与えることなく、磁気記録媒体のうちHc1の保持
力の部分の磁化を一方向に揃える初期化を行うことがで
きる。また、磁界発生器は光ビームスポット位置に対し
先行又は後行するように光磁気ディスクのトラック上を
走行するため、初期化するための磁束径が非常に小さ
く、従来の初期化磁界発生器に比べて磁界発生器の設計
が容易となり、機器の小型化が可能となる。また、磁界
発生器の大きさを従来のものより小型化できるため、漏
洩の磁界範囲も小さくなる。従って、光学ヘッドのレン
ズ駆動用のアクチュエータに対する影響も少なくなり、
光学ヘッド自体の設計も容易となる。
気記録媒体の2種類以上の保磁力のうち、いずれか1つ
(例えば、Hc1とする)の保持力より大きく、他の保持
力のうちいずれか1つ(例えば、Hc2とする)より小さ
くすることにより、Hc2の保持力の部分の磁化の方向に
変化を与えることなく、磁気記録媒体のうちHc1の保持
力の部分の磁化を一方向に揃える初期化を行うことがで
きる。また、磁界発生器は光ビームスポット位置に対し
先行又は後行するように光磁気ディスクのトラック上を
走行するため、初期化するための磁束径が非常に小さ
く、従来の初期化磁界発生器に比べて磁界発生器の設計
が容易となり、機器の小型化が可能となる。また、磁界
発生器の大きさを従来のものより小型化できるため、漏
洩の磁界範囲も小さくなる。従って、光学ヘッドのレン
ズ駆動用のアクチュエータに対する影響も少なくなり、
光学ヘッド自体の設計も容易となる。
【0044】また、磁界発生器は光磁気ディスクと対向
する面に複数の磁界発生部を有し、磁界発生部のいずれ
か1つが光磁気ディスク上の光ビームスポット位置に対
し先行又は後行する位置に磁界を与え得るように配置さ
れているので、1つの磁界発生器で光磁気記録媒体の初
期化及び情報の記録再生を行うことができる。
する面に複数の磁界発生部を有し、磁界発生部のいずれ
か1つが光磁気ディスク上の光ビームスポット位置に対
し先行又は後行する位置に磁界を与え得るように配置さ
れているので、1つの磁界発生器で光磁気記録媒体の初
期化及び情報の記録再生を行うことができる。
【0045】また、磁界発生器は、永久磁石を配した第
1の磁界発生部とコイルを巻装した第2の磁界発生部を
有し、第1の磁界発生部が光磁気ディスク上の光ビーム
スポット位置に対し先行又は後行する位置に磁界を与え
得るように配置され、第2の磁界発生部が光ビームスポ
ット位置に磁界を与え得る位置に配置されているので、
コイル(電磁石)により磁界の極性を切り替えることに
より、情報の記録再生を行うことができる。さらに、光
磁気ディスク上を摺動し又は浮上走行する磁界発生装置
の内部にコイルを装着しているため、固定された電磁石
を用いる従来装置に比べて装置の小型化及び消費電力の
低減をはかることができる。
1の磁界発生部とコイルを巻装した第2の磁界発生部を
有し、第1の磁界発生部が光磁気ディスク上の光ビーム
スポット位置に対し先行又は後行する位置に磁界を与え
得るように配置され、第2の磁界発生部が光ビームスポ
ット位置に磁界を与え得る位置に配置されているので、
コイル(電磁石)により磁界の極性を切り替えることに
より、情報の記録再生を行うことができる。さらに、光
磁気ディスク上を摺動し又は浮上走行する磁界発生装置
の内部にコイルを装着しているため、固定された電磁石
を用いる従来装置に比べて装置の小型化及び消費電力の
低減をはかることができる。
【図1】(a)は本発明の光磁気ディスク装置の実施形
態1の構成を示す平面図、(b)はその側面図
態1の構成を示す平面図、(b)はその側面図
【図2】(a)は実施形態1において使用される摺動タ
イプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、(b)はそ
の平面図
イプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、(b)はそ
の平面図
【図3】(a)は実施形態1において使用される摺動タ
イプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、(b)は
その平面図
イプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、(b)は
その平面図
【図4】(a)は実施形態1において使用される浮上走
行タイプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、(b)
はその平面図
行タイプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、(b)
はその平面図
【図5】(a)は実施形態1において使用される浮上走
行タイプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
行タイプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
【図6】(a)は本発明の光磁気ディスク装置の実施形
態2の構成を示す平面図、(b)はその側面図
態2の構成を示す平面図、(b)はその側面図
【図7】(a)は実施形態2において使用される摺動タ
イプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、(b)はそ
の平面図
イプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、(b)はそ
の平面図
【図8】(a)は実施形態2において使用される摺動タ
イプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、(b)は
その平面図
イプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、(b)は
その平面図
【図9】(a)は実施形態2において使用される摺動タ
イプの磁界発生器のさらに別の構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
イプの磁界発生器のさらに別の構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
【図10】(a)は実施形態2において使用される浮上
走行タイプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
走行タイプの磁界発生器の一構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
【図11】(a)は実施形態2において使用される浮上
走行タイプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
走行タイプの磁界発生器の別の構成例を示す側面図、
(b)はその平面図
【図12】(a)は実施形態2において使用される浮上
走行タイプの磁界発生器のさらに別の構成例を示す側面
図、(b)はその平面図
走行タイプの磁界発生器のさらに別の構成例を示す側面
図、(b)はその平面図
【図13】従来の技術(光変調方式)の原理説明図
【図14】従来の技術(D−RADのMSR方式)原理
説明図
説明図
1 :光磁気ディスク 2 :スピンドルモータ 3 :光学ヘッド 4 :第1の磁界発生器 5 :連結アーム 6 :サスペンション 7 :光ビーム 8 :第2の磁界発生器 9 :光磁気ディスクの回転方向 10 :トラック 11 :磁界発生器 20 :成形部材 21 :摺動面 22 :永久磁石 22a:磁極 22b:磁極 23 :光磁気ディスクの移動方向 24 :テーパー 25 :溝 26 :電磁石
Claims (6)
- 【請求項1】 室温で2種類以上の保磁力を有する光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクと、 前記光磁気ディスクの半径方向に駆動され、前記光磁気
ディスク上のいずれかのトラック上に光ビームスポット
を照射する光学ヘッドと、 磁界発生手段として少なくとも永久磁石を含み、前記ト
ラック上で、かつ前記光ビームスポット位置に対し先行
又は後行する位置に磁界を与え、前記光磁気ディスクに
対して摺動又は浮上走行する磁界発生器とを具備する光
磁気ディスク装置。 - 【請求項2】 前記磁界発生器による磁界強度が、前記
光磁気記録媒体の2種類以上の保磁力のうち、いずれか
1つの保持力より大きく、他の保持力のうちいずれか1
つより小さい請求項1記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項3】 前記磁界発生器は、前記光磁気ディスク
と対向する面に複数の磁界発生部を有し、前記磁界発生
部の1つの磁界強度が前記光磁気記録媒体の2種類以上
の保持力のいずれよりも強く、前記磁界発生部の他の1
つの磁界強度が前記光磁気記録媒体の2種類以上の保持
力の内、いずれか1つより小さい請求項1記載の光磁気
ディスク装置。 - 【請求項4】 相互に磁気交換相互作用を有する少なく
とも2層以上の磁性層で形成される光磁気記録媒体を用
いた光磁気ディスクと、 前記光磁気ディスクの半径方向に駆動され、前記光磁気
ディスク上のいずれかのトラック上に光ビームスポット
を照射する光学ヘッドと、 磁界発生手段として少なくとも永久磁石を含み、前記ト
ラック上で、かつ前記光ビームスポット位置に対し先行
又は後行する位置に磁界を与え、前記光磁気ディスクに
対して摺動又は浮上走行する磁界発生器とを具備する光
磁気ディスク装置。 - 【請求項5】 前記磁界発生器は前記光磁気ディスクと
対向する面に複数の磁界発生部を有し、前記磁界発生部
のいずれか1つが前記光磁気ディスク上の前記光ビーム
スポット位置に対し先行又は後行する位置に磁界を与え
得るように配置されている請求項4記載の光磁気ディス
ク装置。 - 【請求項6】 前記磁界発生器は、永久磁石を配した第
1の磁界発生部とコイルを巻装した第2の磁界発生部を
有し、前記第1の磁界発生部が前記光磁気ディスク上の
前記光ビームスポット位置に対し先行又は後行する位置
に磁界を与え得るように配置され、前記第2の磁界発生
部が前記光ビームスポット位置に磁界を与え得る位置に
配置されている請求項5記載の光磁気ディスク装置。
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JP8006962A JPH09198734A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 光磁気ディスク装置 |
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- 1997-01-17 US US08/785,502 patent/US6018505A/en not_active Expired - Fee Related
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US7277364B2 (en) | 2001-06-01 | 2007-10-02 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium device |
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